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JP2804146B2 - リードフレームおよび半導体装置 - Google Patents
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JP2804146B2 - リードフレームおよび半導体装置 - Google Patents

リードフレームおよび半導体装置

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JP2804146B2
JP2804146B2 JP2064113A JP6411390A JP2804146B2 JP 2804146 B2 JP2804146 B2 JP 2804146B2 JP 2064113 A JP2064113 A JP 2064113A JP 6411390 A JP6411390 A JP 6411390A JP 2804146 B2 JP2804146 B2 JP 2804146B2
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、リードフレームおよび半導体装置に関す
る。
（従来の技術） 以下、第３図、第４図を参照して従来技術によるリー
ドフレームおよび半導体装置について説明する。
第３図に示すように、リードフレームはチップ載置部
１とリード13から成る。このチップ載置部１上の各素子
載置領域にトランジスタチップ２が接着剤６で、ICチッ
プ３が接着剤７で、導体配線５が載置された配線シート
４が接着剤８でそれぞれ接着されている。そして、リー
ド13とトランジスタ２、ICチップ３、導体配線５がそれ
ぞれ金ワイヤー９で結ばれている。そして、これら全体
がモールド10でおおわれている。つまり、この半導体装
置は、複数個の半導体素子を１個のチップ載置部１上に
接着し、この素子の電極とリードフレームの電極とを金
ワイヤー９で接続することによって、回路上多機能をも
たせたものである。
しかしながら、従来の半導体装置では半導体素子チッ
プ載置部１に接着剤を介して接着した時に、同種接着剤
の場合には、チップ載置部１から素子上面まで接着剤が
はい上がり、素子上面のワイヤボンディングエリアを覆
ってしまい、ショートや配線不能が生じる。また、異種
接着剤を使用する場合は、前記の現象の他に、第４図に
示すように接着剤７、８が干渉しあい、素子の傾きや濡
れ不足を生じ、例えば、素子が傾いた場合は、素子の高
さが変化するためにワイヤボンディング不良となり、濡
れ不足の場合は素子と接着剤の接触部分が小さくなるた
めに熱抵抗が大きくなるという問題があった。
（発明が解決しようとする課題） このように、半導体装置のチップ載置部上に接着剤で
複数個の半導体素子を接着する場合、接着剤のはねあが
り現象、接着剤の干渉現象によりショート、配線不能、
ワイヤボンディング不良、熱抵抗の増大などの問題があ
った。
本発明は、以上の点に鑑み、接着剤のはねあがり現
象、接着剤の干渉現象などを防止して、ショート、配線
不能、ワイヤボンディング不良、熱抵抗の増大などの問
題を解決するリードフレームおよび半導体装置を提供す
ることを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明によるリードフレームは、リードおよびチップ
載置部を備えたリードフレームにおいて、前記チップ載
置部上の隣接する各素子載置領域間に、溝または突起部
を設け、かつ前記溝または前記突起部の長さを前記素子
載置領域間の対向領域長以上に形成したことを特徴とす
る。あるいは、リードおよびチップ載置部を備えたリー
ドフレームにおいて、前記チップ載置部上の隣接する各
素子載置領域間に、溝と前記溝の上端部に突起部を設
け、かつ前記溝と前記突起部の長さを前記素子載置領域
間の対向領域長以上に形成したことを特徴とする。
また、本発明による半導体装置は、チップ載置部と前
記チップ載置部上に接着剤を介して接着された複数の素
子とを備えた半導体装置において、前記チップ載置部上
の隣接する各素子載置領域間に、溝または突起部を設
け、かつ前記溝または前記突起部の長さを前記素子載置
領域間の対向領域長以上に形成したことを特徴とする。
あるいは、チップ載置部と前記チップ載置部上に接着剤
を介して接着された複数の素子とを備えた半導体装置に
おいて、前記チップ載置部上の隣接する各素子載置領域
間に、溝と前記溝の上端部に突起部を設け、かつ前記溝
と前記突起部の長さを前記素子載置領域間の対向領域長
以上に形成したことを特徴とする。
（作用） この半導体装置では、チップ載置部上の隣接する各素
子載置領域間に溝を設けるか、または突起部を設ける
か、または溝を設けかつ溝の上端に突起部を設け、かつ
溝または突起部の長さを素子載置領域間の対向領域長以
上にすることが、接着剤のはねあがり現象、干渉現象を
防止する。
（実施例） 以下、本発明の実施例を第１図、第２図を参照して説
明する。
第１図は実施例の要部断面図を示したものである。本
実施例の半導体装置のリードフレームはチップ載置部１
とリード13から成る。このチップ載置部１上に様々な素
子が接着剤を介して接着される。第１図では、ICチップ
３が接着剤７で、導体配線５の載置された配線シート４
が接着剤８でチップ載置部１上に接着されている。ここ
で、導体配線５とは例えばASICに用いられていて、配線
パターンを変更するために設けられている。そして、IC
チップ３と導体配線５が金ワイヤー９で結ばれている。
それに加え、チップ載置部１上の隣接する素子載置領域
間にＶ型の溝11およびその上端部に突起部12を設け、溝
11と突起部12の長さをICチップ３と導体配線５の対向領
域長以上に形成する。そして、これら全体がモールド10
で覆われている。
第２図は、チップ載置部１の要部の上面図を示したも
のである。Ｖ型の溝11およびその上端部の突起部12は、
隣接する各素子載置領域間の対向領域長以上に形成され
ている。つまり各素子載置領域間のすべてを区切るよう
にＶ型の溝11およびその上端部の突起部12を必ずしも設
ける必要はない。
これにより、突起部12で接着剤の流れを止め、流れ出
した場合でも溝11でその流れが止まるため、従来問題で
あった接着剤のはね上がり現象、干渉現象を防止し、シ
ョート、配線不能、ワイヤボンディング不良、熱抵抗の
増大などの問題が解決できる。
なお、本実施例では、溝およびその上端部に突起部を
設けたが、溝または突起部のみでよい。
［発明の効果］ 以上の結果から、本発明を用いることによって、チッ
プ載置部上の隣接する各素子載置領域間の接着剤のはね
上がり現象、干渉現象などを防止して、ショート、配線
不能、ワイヤボンディング不良、熱抵抗の増大などの問
題を解決することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例に係わる半導体装置の断面図、
第２図は本発明の実施例に係わる半導体装置の要部上面
図、第３図は従来技術による製品例の断面図、第４図は
従来技術による半導体装置の要部断面図である。 １……チップ載置部、３……ICチップ、４……配線シー
ト、５……導体配線、７……接着剤、８……接着剤、９
……金ワイヤー、11……溝、12……突起部、13……リー
ド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/12,23/50 H01L 25/04

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】リードおよびチップ載置部を備えたリード
    フレームにおいて、前記チップ載置部上の隣接する各素
    子載置領域間に、溝または突起部を設け、かつ前記溝ま
    たは前記突起部の長さを前記素子載置領域間の対向領域
    長以上に形成したことを特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項２】リードおよびチップ載置部を備えたリード
    フレームにおいて、前記チップ載置部上の隣接する各素
    子載置領域間に、溝と前記溝の上端部に突起部とを設
    け、かつ前記溝と前記突起部の長さを前記素子載置領域
    間の対向領域長以上に形成したことを特徴とするリード
    フレーム。
  3. 【請求項３】チップ載置部と前記チップ載置部上に接着
    剤を介して接着された複数の素子とを備えた半導体装置
    において、前記チップ載置部上の隣接する各素子載置領
    域間に、溝または突起部を設け、かつ前記溝または前記
    突起部の長さを前記素子載置領域間の対向領域長以上に
    形成したことを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】チップ載置部と前記チップ載置部上に接着
    剤を介して接着された複数の素子とを備えた半導体装置
    において、前記チップ載置部上の隣接する各素子載置領
    域間に、溝と前記溝の上端部に突起部とを設け、かつ前
    記溝と前記突起部の長さを前記素子載置領域間の対向領
    域長以上に形成したことを特徴とする半導体装置。
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