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JP2809066B2 - Semiconductor device mounting apparatus and mount collet used therein - Google Patents
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JP2809066B2 - Semiconductor device mounting apparatus and mount collet used therein - Google Patents

Semiconductor device mounting apparatus and mount collet used therein

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JP2809066B2
JP2809066B2 JP5270505A JP27050593A JP2809066B2 JP 2809066 B2 JP2809066 B2 JP 2809066B2 JP 5270505 A JP5270505 A JP 5270505A JP 27050593 A JP27050593 A JP 27050593A JP 2809066 B2 JP2809066 B2 JP 2809066B2
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die bond
mount collet
detecting element
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップのダイボ
ンド工程に用いる実装装置(ダイボンダ)及びそれに用
いられるマウントコレットに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mounting device (die bonder) used in a die bonding step of a semiconductor chip and a mount collet used for the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】本願発明は、半導体製造過程におけるダ
イボンド工程で、脆弱な半導体チップを、真空吸着力を
利用して基板に実装する実装装置(ダイボンダ)及び、
その実装装置に具備される、半導体チップを吸着する治
具であるマウントコレットの構造に関するものである。
2. Description of the Related Art The present invention relates to a mounting apparatus (die bonder) for mounting a fragile semiconductor chip on a substrate by using a vacuum suction force in a die bonding step in a semiconductor manufacturing process.
The present invention relates to a structure of a mount collet provided in the mounting device, which is a jig for sucking a semiconductor chip.

【0003】まず、その対象となる脆弱な半導体チップ
の一例を図3に基づき説明する。図は赤外線検出素子1
の構造を示したもので、(a)は斜め上方からみた斜視
図、(b)は A-A断面図である。図において、略正方形
平板状の半導体基板2の表面には、熱絶縁膜3が形成さ
れ、さらにその上部には赤外線を感知する4個のサーミ
スタ4が実装されている。その他、各サーミスタ4を電
気的に接続する配線部5及び外部回路と接続するための
電極パッド6が熱絶縁膜3上に形成されている。サーミ
スタ4下部の半導体基板部分は除去されており、略四角
錐台状の空隙部2aが形成されている。このように、空
隙部2a上の熱絶縁膜3上にサーミスタ4を形成するこ
とによって、赤外線を受けて温度上昇したサーミスタ4
の熱が伝導によって逃げにくくなり、赤外線検出の感度
を高めることができる。
First, an example of a fragile semiconductor chip to be processed will be described with reference to FIG. The figure shows an infrared detector 1
(A) is a perspective view as viewed obliquely from above, and (b) is an AA cross-sectional view. In the figure, a heat insulating film 3 is formed on the surface of a semiconductor substrate 2 having a substantially square plate shape, and four thermistors 4 for sensing infrared rays are mounted on the heat insulating film 3. In addition, a wiring portion 5 for electrically connecting each thermistor 4 and an electrode pad 6 for connecting to an external circuit are formed on the heat insulating film 3. The semiconductor substrate portion below the thermistor 4 has been removed, and a substantially truncated pyramid-shaped gap 2a has been formed. As described above, by forming the thermistor 4 on the heat insulating film 3 on the gap 2a, the temperature of the thermistor 4 increased by receiving infrared rays.
Is hardly escaped by conduction, and the sensitivity of infrared detection can be increased.

【0004】次に、実装装置であるダイボンダの一例を
図4に示す。但し、ダイボンダの本発明に関する主要部
のみを示し、他の部分は省略する。図において、7は直
方体状の取付台、8は取付台7上に固定された略円板状
のセンタリングステージ、9はセンタリングステージ8
上に搬送された赤外線検出素子1を移動させて位置出し
を行う、先端7字形のセンタリングピンで、水平方向に
移動可能に構成されている。10はホルダーで、センタ
リングステージ8と、後述するチップマウント装置12
の搬送ステージ13間を移動可能に、また、上下に移動
可能に構成されている。11はホルダー10の先端に取
り付けられたマウントコレットで、赤外線検出素子1を
真空圧で吸着する治具である。赤外線検出素子1は、セ
ンタリングステージ8上で、センタリングピン9によっ
て所定の位置まで水平方向に移動させられて位置出しが
行われる。その後、赤外線検出素子1は、マウントコレ
ット11の先端に発生する真空吸着力によって吸着さ
れ、センタリングステージ8上から、チップマウント装
置12の搬送ステージ13上に配置された基板14(ス
テム)上に搬送される。
Next, an example of a die bonder as a mounting device is shown in FIG. However, only the main part of the die bonder relating to the present invention is shown, and other parts are omitted. In the figure, 7 is a rectangular parallelepiped mounting base, 8 is a substantially disk-shaped centering stage fixed on the mounting base 7, and 9 is a centering stage 8.
A centering pin having a 7-shaped tip is used to move and position the infrared detecting element 1 conveyed above, and is configured to be movable in the horizontal direction. Reference numeral 10 denotes a holder, which includes a centering stage 8 and a chip mount device 12 described later.
, And can be moved up and down. Reference numeral 11 denotes a mount collet attached to the tip of the holder 10, which is a jig for sucking the infrared detecting element 1 by vacuum pressure. The infrared detecting element 1 is horizontally moved to a predetermined position on a centering stage 8 by a centering pin 9 for positioning. After that, the infrared detecting element 1 is attracted by the vacuum attraction force generated at the tip of the mount collet 11 and transported from the centering stage 8 onto the substrate 14 (stem) arranged on the transport stage 13 of the chip mount device 12. Is done.

【0005】チップマウント装置12は、基板(ステ
ム)14上にダイボンドペーストを介して半導体チップ
(赤外線検出素子1)を実装する装置で、搬送ステージ
13とその周辺構成及びダイボンドペーストを供給する
部分等から構成されるが、搬送ステージ13周辺の構成
について説明することとし、他の部分の説明は省略す
る。搬送ステージ13上には、長尺状のキャリアフィル
ム15が固定されており、そのキャリアフィルム15上
には、長手方向に一定間隔を隔てて、基板14(ステ
ム)が配置されている。基板14上にダイボンドペース
トが供給された後、そのダイボンドペースト上にホルダ
ー10によって赤外線検出素子1が搬送される。その
後、加熱処理されて基板14上への赤外線検出素子1の
実装が完了する。
The chip mount device 12 is a device for mounting a semiconductor chip (infrared ray detecting element 1) on a substrate (stem) 14 via a die bond paste, and includes a transport stage 13, its peripheral structure, a portion for supplying the die bond paste, and the like. However, the configuration around the transfer stage 13 will be described, and description of the other parts will be omitted. A long carrier film 15 is fixed on the transport stage 13, and a substrate 14 (stem) is arranged on the carrier film 15 at regular intervals in the longitudinal direction. After the die bond paste is supplied onto the substrate 14, the infrared detecting element 1 is transported by the holder 10 onto the die bond paste. Thereafter, a heating process is performed to complete the mounting of the infrared detecting element 1 on the substrate 14.

【0006】図5に、マウントコレット11の先端形状
の一例を示す。(a)は先端の端面構造を示す下面図、
(b)は内部構造を示す垂直断面図である。また、点線
で示される平板状のものは、半導体チップ(赤外線検出
素子1)で、マウントコレット11に吸着された状態を
示すものである。図に示すように、筒状本体部11aの
先端端面には、略四角錐状に凹んだ吸着口11bが形成
されている。さらに、その吸着口11bに通ずる貫通孔
11cがマウントコレット11内部に形成されており、
貫通孔11cの他方の開口は、真空ポンプ等に接続され
たエアー配管に接続されている。真空ポンプ等によって
マウントコレット11の吸着口11bに真空吸着力を発
生させると、赤外線検出素子1は、その上面周縁の辺部
分が吸着口11bの側面に当接した状態で、マウントコ
レット11に吸着される。マウントコレット11に吸着
された赤外線検出素子1は、図4に示したように、基板
14(ステム)上に、ダイボンドペーストを介して実装
される。
FIG. 5 shows an example of the tip shape of the mount collet 11. (A) is a bottom view showing the end face structure of the tip,
(B) is a vertical sectional view showing the internal structure. Further, a flat plate-shaped object indicated by a dotted line indicates a state where the semiconductor chip (infrared ray detecting element 1) is attracted to the mount collet 11. As shown in the figure, a suction port 11b recessed into a substantially quadrangular pyramid is formed on the end end face of the cylindrical main body 11a. Further, a through hole 11c communicating with the suction port 11b is formed inside the mount collet 11,
The other opening of the through hole 11c is connected to an air pipe connected to a vacuum pump or the like. When a vacuum suction force is generated in the suction port 11b of the mount collet 11 by a vacuum pump or the like, the infrared detecting element 1 suctions the mount collet 11 in a state where the side of the upper peripheral edge is in contact with the side surface of the suction port 11b. Is done. The infrared detecting element 1 adsorbed to the mount collet 11 is mounted on a substrate 14 (stem) via a die bond paste, as shown in FIG.

【0007】図6に、図3に示した赤外線検出素子1を
実装する場合の、基板14へのダイボンドペースト16
の供給位置を示す。(a)は、ダイボンドペースト16
を供給した基板14の平面図、(b)は、基板14の側
面図である。(a)において、略四角形の点線で示され
る部分は、赤外線検出素子1の実装位置17であり、ダ
イボンドペースト16は、実装位置17の4つの外周辺
略中央部分に供給されている。
FIG. 6 shows a case where the die bonding paste 16 is applied to the substrate 14 when the infrared detecting element 1 shown in FIG.
Shows the supply position of. (A) shows the die bond paste 16
FIG. 2B is a side view of the substrate 14 to which the substrate 14 is supplied. In (a), a portion indicated by a substantially rectangular dotted line is a mounting position 17 of the infrared detecting element 1, and the die bond paste 16 is supplied to approximately four central portions of the outer periphery of the mounting position 17.

【0008】図6に示したように供給されたダイボンド
ペースト16上に赤外線検出素子1を配置した状態を図
7に示す。(a)は基板14の平面図、(b)は基板1
4上に、マウントコレット11に吸着された赤外線検出
素子1をダイボンドペースト16を介して、搭載した状
態を示す断面図である。(a)に示すように、ダイボン
ドペースト16の供給位置は、赤外線検出素子1の電極
パッド6の下方にあたる。これは、電極パッド6には、
ワイヤボンディングする際に圧力が印加されるために、
電極パッド6の部分を支持して、チップ割れを防止する
必要があるためと、電極パッド6に印加される超音波エ
ネルギーを拡散させてしまわないように固定するためで
ある。また、赤外線検出素子1の実装位置17の全面に
ダイボンドペースト16を供給しないのは、空隙部2a
にダイボンドペースト16が這い上がってサーミスタの
熱を逃がしてしまい、感度が低下するのを防止するため
である。
FIG. 7 shows a state in which the infrared detecting element 1 is arranged on the die bond paste 16 supplied as shown in FIG. (A) is a plan view of the substrate 14 and (b) is a substrate 1
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state where the infrared detection element 1 adsorbed to the mount collet 11 is mounted on the mount collet 4 via a die bond paste 16. As shown in (a), the supply position of the die bond paste 16 is below the electrode pad 6 of the infrared detecting element 1. This is because the electrode pad 6
Because pressure is applied during wire bonding,
This is because it is necessary to support the portion of the electrode pad 6 to prevent chip breakage, and to fix the ultrasonic energy applied to the electrode pad 6 so as not to diffuse. The reason why the die bond paste 16 is not supplied to the entire surface of the mounting position 17 of the infrared detecting element 1 is that the gap 2 a
This is to prevent the die bond paste 16 from creeping up and dissipating the heat of the thermistor to lower the sensitivity.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、赤外線
検出素子1に形成された熱絶縁膜2は、脆弱な薄膜であ
るため外部からのストレスに弱く、破損しやすいという
問題点があった。このため、真空吸着力により半導体チ
ップを吸着する方式のダイボンダを用いて、赤外線検出
素子1のチップを、基板14上に実装することが難し
く、個々のチップをピンセット等で扱って実装してい
た。
However, since the thermal insulating film 2 formed on the infrared detecting element 1 is a fragile thin film, there is a problem that the thermal insulating film 2 is susceptible to external stress and easily broken. For this reason, it is difficult to mount the chip of the infrared detecting element 1 on the substrate 14 using a die bonder of a method of sucking a semiconductor chip by a vacuum suction force, and each chip is handled by using tweezers or the like. .

【0010】また、基板14上へのダイボンドペースト
16の供給は、例えば、転写ピン(図示省略)の先端に
ダイボンドペースト16を付着させて、基板14の表面
に転写することによって行われるが、転写ピンが傾いて
いたりすると、ダイボンドペーストが、4つの供給位置
に均一に供給されなくなり、図8に示すように、ダイボ
ンドペースト16の供給量が供給位置によって異なって
くる。塗布量が多少、少なくなっても性能にに及ぼす影
響は小さく、不良にはなりにくい。しかし、過多に塗布
された場合は、図9に示す通り、マウントコレット11
と赤外線検出素子1の隙間から、ダイボンドペースト1
6が這い上がり、赤外線検出素子1の表面に付着する。
赤外線検出素子1の表面には、電極パッド6が形成され
ているため、電極パッド6にダイボンドペースト16が
付着すると、ワイヤボンド性を阻害する原因となるわけ
である。また、実際の製造工程では、ダイボンド外観不
良として不良品となることもあった。
The supply of the die bond paste 16 onto the substrate 14 is performed, for example, by attaching the die bond paste 16 to the tip of a transfer pin (not shown) and transferring the paste to the surface of the substrate 14. If the pins are inclined, the die bond paste is not uniformly supplied to the four supply positions, and the supply amount of the die bond paste 16 differs depending on the supply positions, as shown in FIG. Even if the coating amount is slightly reduced, the effect on the performance is small, and it is unlikely to cause a defect. However, if it is applied excessively, as shown in FIG.
Die bond paste 1 through the gap between
6 crawls up and adheres to the surface of the infrared detecting element 1.
Since the electrode pad 6 is formed on the surface of the infrared detecting element 1, if the die bond paste 16 adheres to the electrode pad 6, the wire bond property is hindered. Further, in an actual manufacturing process, a die bond appearance defect may be a defective product.

【0011】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、脆弱な半導体チップのダ
イボンドに使用でき、局所的に塗布されたダイボンドペ
ーストの半導体チップ表面への這い上がりを防止できる
半導体装置の実装装置及びその実装装置に用いられるマ
ウントコレットの構造を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to be used for die bonding of a fragile semiconductor chip, and for locally applied die bond paste to crawl onto the surface of the semiconductor chip. It is an object of the present invention to provide a mounting device for a semiconductor device capable of preventing the occurrence of the problem and a structure of a mount collet used in the mounting device.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1記載の半導体装置の実装装置は、半導体チ
ップを、吸着治具であるマウントコレット先端に発生す
る真空圧で吸着し、基板上の前記半導体チップ実装位置
に局所的に供給されたダイボンドペースト上に、前記半
導体チップを実装する半導体装置の実装装置において、
筒状本体部を有する、前記マウントコレットの先端を、
略四角錐状に凹ませて吸着口を形成すると共に、その吸
着口の周縁部の、前記ダイボンドペーストの塗布位置の
上方にあたる部分に、前記吸着口内面から前記マウント
コレットの外側面に達する凹部を形成したことを特徴と
するものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device mounting apparatus, wherein a semiconductor chip is sucked by a vacuum pressure generated at a tip of a mount collet which is a suction jig. In a semiconductor device mounting apparatus for mounting the semiconductor chip on a die bond paste locally supplied to the semiconductor chip mounting position,
Having a cylindrical main body, the tip of the mount collet,
The suction port is formed by recessing into a substantially quadrangular pyramid shape, and a concave portion reaching from the inner surface of the suction port to the outer surface of the mount collet at a portion of the peripheral portion of the suction port above the application position of the die bond paste. It is characterized by having been formed.

【0013】請求項2記載のマウントコレットは、筒状
本体部の先端部分に、略四角錐状に凹んだ吸着口が形成
されていると共に、その吸着口の周縁部の、前記ダイボ
ンドペーストの供給位置の上方にあたる部分に、前記吸
着口内面から前記マウントコレットの外側面に達する凹
部を形成したことを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the mount collet, a suction port recessed into a substantially quadrangular pyramid is formed at a tip end portion of the cylindrical main body, and the die bond paste is supplied to a peripheral portion of the suction port. A concave portion extending from the inner surface of the suction port to the outer surface of the mount collet is formed in a portion above the position.

【0014】[0014]

【作用】図1に示すように、筒状本体部11aを有する
マウントコレット11の先端部には、略四角錐状に凹ん
だ吸着口11bが形成されており、その吸着口11b周
縁部分の、基板14上に局所的に配置されるダイボンド
ペースト16の塗布位置の上方にあたる箇所に、吸着口
11b内面からマウントコレット11の外側面に達する
凹部を形成したので、ダイボンドペースト16の塗布位
置上方では、マウントコレット11は、赤外線検出素子
1に接触していないので、前述したような、赤外線検出
素子1表面へのダイボンドペースト16の這い上がりが
発生しない。
As shown in FIG. 1, a suction port 11b recessed in a substantially quadrangular pyramid shape is formed at the tip of a mount collet 11 having a cylindrical main body 11a. Since a concave portion extending from the inner surface of the suction port 11b to the outer surface of the mount collet 11 is formed at a position above the application position of the die bond paste 16 locally disposed on the substrate 14, above the application position of the die bond paste 16, Since the mount collet 11 is not in contact with the infrared detection element 1, the die bond paste 16 does not crawl onto the surface of the infrared detection element 1 as described above.

【0015】また、上述した凹部11dが、エアーのリ
ークエリアとなるので、マウントコレット11が赤外線
検出素子1を吸着した途端に、赤外線検出素子1にかか
る吸着真空圧が急激に高まることがないため、つまり、
マウントコレット11先端における、赤外線検出素子1
吸着前後の吸着真空圧の変化が、リークエリアを設けな
い場合に比べて小さくなり、赤外線検出素子1にかかる
真空吸着力を調整し易くなるため、赤外線検出素子1の
吸着がソフトに行え、脆弱な赤外線検出素子1を破損さ
せることがない。
Since the concave portion 11d serves as an air leak area, the vacuum pressure applied to the infrared detecting element 1 does not suddenly increase as soon as the mount collet 11 sucks the infrared detecting element 1. So, that is,
Infrared detector 1 at the tip of mount collet 11
The change in vacuum pressure before and after suction is smaller than when no leak area is provided, and the vacuum suction force applied to the infrared detecting element 1 can be easily adjusted. The infrared detecting element 1 is not damaged.

【0016】[0016]

【実施例】本願発明に係る実装装置(ダイボンダ)は、
半導体チップを真空吸着力で吸着するマウントコレット
の構造にその特徴があり、その他の構成は図4に一部の
構成を示したダイボンダの構成と同様であるので、従来
例と異なる部分について説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A mounting device (die bonder) according to the present invention is:
The structure of the mount collet that sucks the semiconductor chip with a vacuum suction force is characteristic, and the other structure is the same as the structure of the die bonder, a part of which is shown in FIG. .

【0017】図2に本願発明に係るマウントコレット1
1の一実施例を示す。図において、(a)はマウントコ
レット11の先端構造を示す下面図、(b)はマウント
コレット11の内部構造を示す垂直断面図である。図に
示すように、筒状本体部11aを有するマウントコレッ
ト11の先端には、略四角錐状に凹んだ吸着口11bが
形成されていると共に、マウントコレット11内部に
は、吸着口11bにつながる貫通穴11cが形成されて
いる。この吸着口11bの開口面の形状は、吸着口11
bの側面で赤外線検出素子1を吸着できるように、赤外
線検出素子1の外形と相似形に形成されていると共に、
その大きさは、赤外線検出素子1の外形より大きく形成
されている。
FIG. 2 shows a mount collet 1 according to the present invention.
1 shows an embodiment. In the drawings, (a) is a bottom view showing the tip structure of the mount collet 11, and (b) is a vertical sectional view showing the internal structure of the mount collet 11. As shown in the drawing, a suction port 11b recessed into a substantially quadrangular pyramid is formed at the tip of the mount collet 11 having the cylindrical main body 11a, and is connected to the suction port 11b inside the mount collet 11. A through hole 11c is formed. The shape of the opening surface of the suction port 11b is
b is formed in a shape similar to the outer shape of the infrared detecting element 1 so that the infrared detecting element 1 can be adsorbed on the side surface of the b.
The size is formed larger than the outer shape of the infrared detecting element 1.

【0018】貫通穴11cの他方の開口はエアー配管
(図示省略)を介して真空ポンプに接続されており、エ
アー配管及び貫通穴11cを介してマウントコレット1
1の吸着口11bに真空吸着力が発生するように構成さ
れている。さらに、吸着口11bの4つの底辺中央部分
には、吸着口11bの内面からマウントコレット11の
外側面に達する凹部11dが形成されている。この凹部
11dには、後述するように、リークエリアとしての機
能をもたせるため、赤外線検出素子1を吸着した状態で
も、凹部11dを介してエアーが漏洩するように形成さ
れている。
The other opening of the through hole 11c is connected to a vacuum pump through an air pipe (not shown), and the mount collet 1 is connected through the air pipe and the through hole 11c.
The first suction port 11b is configured to generate a vacuum suction force. Further, a concave portion 11d extending from the inner surface of the suction port 11b to the outer surface of the mount collet 11 is formed at the center of the four bottom sides of the suction port 11b. As will be described later, the concave portion 11d is formed so that air leaks through the concave portion 11d even when the infrared detecting element 1 is sucked in order to have a function as a leak area.

【0019】上記のように構成したマウントコレット1
1を用いて、赤外線検出素子1を基板14上に実装した
状態を図1の断面図に示す。図に示すように、マウント
コレット11には、凹部11dが形成されているため、
赤外線検出素子1を吸着した状態でも、ダイボンドペー
スト16の塗布位置の上方では、赤外線検出素子1とマ
ウントコレット11は接触していないので、ダイボンド
ペースト16の塗布量が多くなっても、赤外線検出素子
1の表面へのダイボンドペースト16の這い上がりが発
生していない。
Mount collet 1 constructed as described above
1 shows a state in which the infrared detecting element 1 is mounted on a substrate 14 using a cross-sectional view of FIG. As shown in the figure, since the mount collet 11 has a recess 11d,
Even when the infrared detection element 1 is adsorbed, the infrared detection element 1 and the mount collet 11 are not in contact with each other above the application position of the die bond paste 16. No creeping-up of the die bond paste 16 on the surface of No. 1 occurred.

【0020】また、赤外線検出素子1を吸着した状態で
も、凹部11dを通して、エアーがマウントコレット1
1内部にリークするように構成しておくことで、赤外線
検出素子1を吸着した途端に真空吸着力が急激に高まる
ことがなく、赤外線検出素子1に過度のストレスをかけ
ずに吸着することができる。真空吸着力は、吸着口11
bや凹部11dの形状及び凹部11dの数を変えること
によっても調整することができる。
Further, even when the infrared detecting element 1 is sucked, air flows through the concave collet 11d through the mount collet 1.
By adsorbing the infrared detecting element 1, the vacuum suction force does not suddenly increase as soon as the infrared detecting element 1 is adsorbed, and the infrared detecting element 1 is adsorbed without applying excessive stress. Can be. The vacuum suction force is determined by the suction port 11
It can also be adjusted by changing the shape of b and the concave portions 11d and the number of the concave portions 11d.

【0021】以上のようなマウントコレットを用いてダ
イボンダを構成することによって、脆弱な半導体チップ
のダイボンドを、一般のIC製造に用いられているダイ
ボンダを流用して行うことができるため、大幅な合理化
を図ることができる。
By forming a die bonder using the mount collet as described above, a die bond of a fragile semiconductor chip can be performed by diverting a die bonder used in general IC manufacturing, so that a great rationalization is achieved. Can be achieved.

【0022】なお、マウントコレット先端部の形状は、
実施例に限定されるものではなく、半導体チップの形状
に合わせて変えればよい。脆弱な半導体チップとして、
上記の実施例では、薄膜を備えた赤外線検出素子を示し
たが、薄膜構造を有するピエゾ素子圧力センサ、片持ち
張り構造を半導体基板に形成した加速度検出素子等のマ
イクロマシニング技術を用いた脆弱な三次元微細加工素
子にも適用することができる。
The shape of the tip of the mount collet is
The present invention is not limited to the embodiment, and may be changed according to the shape of the semiconductor chip. As a fragile semiconductor chip,
In the above embodiment, the infrared detecting element having the thin film is shown. However, the piezo element pressure sensor having the thin film structure, the vulnerable by using the micro-machining technology such as the acceleration detecting element having the cantilever structure formed on the semiconductor substrate, is weak. It can also be applied to three-dimensional microfabricated elements.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上に述べたように、本発明に係るマウ
ントコレット及びそれを用いた半導体装置の実装装置に
よれば、脆弱な半導体チップに損傷を与えずに従来の実
装装置を流用して実装を行うことができると共に、局所
的に供給されたダイボンドペーストが半導体チップに這
い上がることによる不良の発生を防止することができ
る。
As described above, according to the mount collet and the semiconductor device mounting apparatus using the same according to the present invention, the conventional mounting apparatus can be used without damaging the fragile semiconductor chip. The mounting can be performed, and the occurrence of defects due to the locally supplied die bond paste crawling up on the semiconductor chip can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るマウントコレットを用いて赤外線
検出素子を基板に搭載した状態を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a state where an infrared detecting element is mounted on a substrate using a mount collet according to the present invention.

【図2】本発明に係るマウントコレットの一実施例を示
す図で、(a)は下面図、(b)は垂直断面図である。
FIG. 2 is a view showing one embodiment of a mount collet according to the present invention, wherein (a) is a bottom view and (b) is a vertical sectional view.

【図3】本発明に係る実装装置の一実装対象となる赤外
線検出素子を示す図で、(a)は斜視図、(b)は A-A
断面図である。
3A and 3B are views showing an infrared detecting element to be mounted on the mounting apparatus according to the present invention, wherein FIG. 3A is a perspective view and FIG.
It is sectional drawing.

【図4】本発明に係る実装装置の主要部を示す斜視図で
ある。
FIG. 4 is a perspective view showing a main part of the mounting apparatus according to the present invention.

【図5】従来のマウントコレットの一例を示す図で、
(a)は下面図、(b)は垂直断面図である。
FIG. 5 is a view showing an example of a conventional mount collet;
(A) is a bottom view and (b) is a vertical sectional view.

【図6】基板(ステム)上に正常にダイボンドペースト
が塗布された状態を示す図で、(a)は基板(ステム)
の平面図、(b)は側面図である。
FIG. 6 is a view showing a state in which a die bond paste is normally applied on a substrate (stem).
(B) is a side view.

【図7】正常に塗布されたダイボンドペーストを介し
て、赤外線検出素子を、基板(ステム)上に実装した状
態を示す図で、(a)は基板(ステム)の平面図、
(b)は断面図である。
FIG. 7 is a diagram showing a state in which an infrared detecting element is mounted on a substrate (stem) via a normally applied die bond paste, (a) is a plan view of the substrate (stem),
(B) is a sectional view.

【図8】基板(ステム)上にダイボンドペーストが均等
に塗布されなかった状態を示す図で、(a)は基板(ス
テム)の平面図、(b)は側面図である。
FIGS. 8A and 8B are diagrams showing a state in which a die bond paste is not evenly applied on a substrate (stem). FIG. 8A is a plan view of the substrate (stem), and FIG. 8B is a side view.

【図9】均一に塗布されていないダイボンドペーストを
介して、赤外線検出素子を、基板(ステム)上に実装し
た状態を示す図で、(a)は基板(ステム)の平面図、
(b)は断面図である。
FIG. 9 is a diagram showing a state in which an infrared detecting element is mounted on a substrate (stem) via a die bond paste that is not uniformly applied, (a) is a plan view of the substrate (stem),
(B) is a sectional view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 赤外線検出素子 2 基板 2a 空隙部 3 熱絶縁膜 4 サーミスタ 5 配線部分 6 電極パッド 11 マウントコレット 11a 筒状本体部 11b 吸着口 11c 貫通孔 11d 凹部 14 基板(ステム) 16 ダイボンドペースト DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Infrared detection element 2 Substrate 2a Air gap part 3 Thermal insulating film 4 Thermistor 5 Wiring part 6 Electrode pad 11 Mount collet 11a Cylindrical main body part 11b Suction port 11c Through hole 11d Depression 14 Substrate (stem) 16 Die bond paste

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/52 H01L 21/301 H01L 21/68Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/52 H01L 21/301 H01L 21/68

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体チップを、吸着治具であるマウン
トコレット先端に発生する真空圧で吸着し、基板上の前
記半導体チップ実装位置に局所的に供給されたダイボン
ドペースト上に、前記半導体チップを実装する半導体装
置の実装装置において、筒状本体部を有する、前記マウ
ントコレットの先端を、略四角錐状に凹ませて吸着口を
形成すると共に、その吸着口の周縁部の、前記ダイボン
ドペーストの塗布位置の上方にあたる部分に、前記吸着
口内面から前記マウントコレットの外側面に達する凹部
を形成したことを特徴とする半導体装置の実装装置。
1. A semiconductor chip is sucked by a vacuum pressure generated at a tip of a mount collet, which is a suction jig, and the semiconductor chip is placed on a die bond paste locally supplied to the semiconductor chip mounting position on a substrate. In the mounting device of the semiconductor device to be mounted, the tip of the mount collet having a cylindrical main body portion is formed into a substantially quadrangular pyramid to form a suction port, and a peripheral portion of the suction port is formed of the die bond paste. A mounting device for a semiconductor device, wherein a concave portion extending from an inner surface of the suction port to an outer surface of the mount collet is formed in a portion above an application position.
【請求項2】 筒状本体部の先端部分に、略四角錐状に
凹んだ吸着口が形成されていると共に、その吸着口の周
縁部の、前記ダイボンドペーストの供給位置の上方にあ
たる部分に、前記吸着口内面から前記マウントコレット
の外側面に達する凹部を形成したことを特徴とする請求
項1記載の半導体装置の実装装置に用いられるマウント
コレット。
2. A substantially square pyramid-shaped suction port is formed at a tip portion of the cylindrical main body, and a portion of the periphery of the suction port above a supply position of the die bond paste is provided. 2. A mount collet used in a semiconductor device mounting apparatus according to claim 1, wherein a concave portion extending from an inner surface of said suction port to an outer surface of said mount collet is formed.
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