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JP2828142B2 - LED lamp and method of forming the same - Google Patents
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JP2828142B2 - LED lamp and method of forming the same - Google Patents

LED lamp and method of forming the same

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JP2828142B2
JP2828142B2 JP10020013A JP2001398A JP2828142B2 JP 2828142 B2 JP2828142 B2 JP 2828142B2 JP 10020013 A JP10020013 A JP 10020013A JP 2001398 A JP2001398 A JP 2001398A JP 2828142 B2 JP2828142 B2 JP 2828142B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子を用いた
LEDランプに係わり、特にリード端子上に発光素子を
積載するカップを有し、指向特性に優れ信頼性の高いL
EDランプに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an LED lamp using a light emitting element, and more particularly, to an LED lamp having a cup on which a light emitting element is mounted on a lead terminal and having high directional characteristics and high reliability.
It relates to an ED lamp.

【0002】[0002]

【従来の技術】LEDランプは、小型で効率が良く鮮や
かな色の発光をする。また、半導体素子を利用している
ためON/OFFの繰り返しに強く球切れがない。また、初
期駆動特性に優れていることなどから光センサー、書き
込み/読み込み光源、バックライト光源、各種表示装置
など種々の分野に利用され始めている。
2. Description of the Related Art LED lamps are small, efficient and emit bright colors. In addition, since the semiconductor element is used, the ball is not broken due to strong ON / OFF repetition. Further, due to their excellent initial drive characteristics, they have begun to be used in various fields such as optical sensors, write / read light sources, backlight light sources, and various display devices.

【0003】このようなLEDランプの具体的一例を挙
げる。LEDランプは、図6の如くマウント・リード6
04の先端に形成されたカップ上に発光素子601が配
置されている。発光素子の一方の電極とマウント・リー
ドが電気的に接続されている。発光素子の他方の電極が
導電性ワイヤ603などを用いてインナー・リード60
5と電気的に接続されている。また、発光素子を外部環
境からの外力、水分や塵芥などから保護する、或いは所
望の指向特性を得るためにレンズ機能をかねたモールド
部材602を設けても良い。発光素子が配されるカップ
は、反射板としての機能を持たせることもできる。この
ようなカップは、リード端子の先端部をプレス加工させ
ることによって容易に形成させることができる。
A specific example of such an LED lamp will be described. The LED lamp is mounted on the mounting lead 6 as shown in FIG.
The light-emitting element 601 is arranged on a cup formed at the tip of 04. One electrode of the light emitting element is electrically connected to the mount lead. The other electrode of the light emitting element has an inner lead 60 using a conductive wire 603 or the like.
5 is electrically connected. Further, a mold member 602 having a lens function to protect the light emitting element from external force from an external environment, moisture, dust, or the like, or to obtain desired directional characteristics may be provided. The cup in which the light emitting element is provided can have a function as a reflector. Such a cup can be easily formed by pressing the tip of the lead terminal.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】モールド部材を有する
LEDランプとして発光観測面側からみて平面視楕円形
状を有するものがある。このようなLEDランプは、モ
ールド部材によって指向特性を一方のみ広げられるなど
所望に変更できる反面、レンズ効果によって中心光度が
低下する。そのためカップの形状を大きくさせ中心光度
を稼ぐことが考えられる。同様に、発光素子(以下、L
EDチップともいう。)を複数配置するマウント・リー
ドにおいてもカップを大きくさせる場合がある。具体的
には、リード端子の厚みが約0.5mmの肉厚のものか
ら底面が楕円形などを有する約2mm2にも及ぶ大型化
したカップを均一に形成させざるを得ない場合もある。
カップはリード端子を利用して形成させているが故、大
型化させるには、リード端子の厚みを厚くする。或い
は、プレス加工時の深さを深くする必要がある。
As an LED lamp having a mold member, there is an LED lamp having an elliptical shape in plan view from the light emission observation surface side. In such an LED lamp, the directivity can be changed as desired by, for example, expanding only one of the directional characteristics by a mold member, but the central luminous intensity is reduced due to a lens effect. Therefore, it is conceivable to increase the shape of the cup to increase the central luminous intensity. Similarly, a light emitting element (hereinafter, L
Also called an ED chip. In some cases, the cup may be enlarged even in a mount lead in which a plurality of) are arranged. Specifically, in some cases, it is necessary to uniformly form a large cup having a lead terminal having a thickness of about 0.5 mm and a bottom surface having an elliptical shape or the like and having a thickness of about 2 mm 2 .
Since the cup is formed using the lead terminal, the thickness of the lead terminal is increased to increase the size. Alternatively, it is necessary to increase the depth during press working.

【0005】しかしながら、LEDランプの実装スペー
スや打ち抜きスクラップ時の歩留り低下などからリード
端子の厚みをあまり厚くすることができない。また、発
光素子とインナー・リードとを接続するワイヤの接続性
や指向特性を考慮してプレス加工時の深さを深くするに
も限界がある。いずれも均一な形状に大型化したカップ
を形成させることは容易ではない。均一な形状のカップ
が形成されない場合、カップの形状によっていびつな指
向特性を持つLEDランプとなる場合もある。
[0005] However, the thickness of the lead terminals cannot be made too large due to the mounting space of the LED lamps and the reduction in the yield during punching scrap. In addition, there is a limit in increasing the depth at the time of press working in consideration of the connectivity and directional characteristics of the wire connecting the light emitting element and the inner lead. In any case, it is not easy to form a large-sized cup into a uniform shape. When a cup having a uniform shape is not formed, an LED lamp having a distorted directional characteristic may be obtained depending on the shape of the cup.

【0006】したがって、本発明はLEDチップが配置
されるカップの形状を大型化可能な所望形状に形成する
ことができ、所望の指向特性を歩留り良く得ることがで
きるLEDランプを提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide an LED lamp in which the shape of a cup in which an LED chip is arranged can be formed into a desired shape that can be enlarged, and a desired directional characteristic can be obtained with a high yield. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、マウント・リ
ードのカップ上に配された発光素子と、該発光素子と電
気的に接続されたインナー・リードと、を有するLED
ランプであって、発光観測面側からみて前記マウント・
リード先端には、前記カップと先端部位との間に凹部を
有するLEDランプとすることによって上記問題点を解
決することができる。これにより、マウント・リードの
先端部に凹部を設けることによって、カップ形状の歪み
を防止すると共にカップ形状の肉厚を稼ぐことができ
る。また、マウント・リードの先端部の平滑化を図るこ
とができるため大型化などしたカップを均一に形成させ
ることができる。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides an LED having a light emitting element disposed on a cup of a mounting lead, and an inner lead electrically connected to the light emitting element.
A lamp, as viewed from the emission observation side,
The above problem can be solved by using an LED lamp having a recess at the tip of the lead between the cup and the tip. Thus, by providing a concave portion at the tip of the mount lead, it is possible to prevent distortion of the cup shape and increase the thickness of the cup shape. In addition, since the tip of the mount lead can be smoothed, a large-sized cup can be formed uniformly.

【0008】本発明の請求項2に記載のLEDランプ
は、マウント・リードの先端部位に発光素子と接続され
た導電性ワイヤがワイヤボンディングされているもので
ある。これによって、信頼性高くかつ所望の発光特性を
得ることができるLEDランプとすることができる。
According to a second aspect of the present invention, a conductive wire connected to a light emitting element is wire-bonded to a tip portion of a mount lead. This makes it possible to provide an LED lamp that can obtain desired light emission characteristics with high reliability.

【0009】本発明の請求項3に記載のLEDランプ
は、少なくとも発光素子を被覆するモールド部材を有す
るLEDランプである。これにより発光素子を保護しつ
つ所望の発光特性を得ることができる。
An LED lamp according to a third aspect of the present invention is an LED lamp having a mold member covering at least a light emitting element. Thus, desired light emitting characteristics can be obtained while protecting the light emitting element.

【0010】本発明の請求項4に記載のLEDランプ
は、モールド部材が平面視楕円形を呈すると共に表面が
楕円球面を有し、平面視楕円形の長軸方向と平行方向が
垂直方向よりも長いカップを有するものである。これに
より平面視楕円形の長軸方向に指向角が広く、短軸方向
に指向角が狭いLEDランプを歩留り良く形成すること
ができる。
In the LED lamp according to a fourth aspect of the present invention, the mold member has an elliptical shape in plan view and has an ellipsoidal surface, and a direction parallel to a major axis of the ellipse shape in plan view is larger than a direction parallel to the vertical direction. It has a long cup. This makes it possible to form an LED lamp having a wide directivity angle in the major axis direction and a narrow directivity angle in the short axis direction in a plan view elliptical shape with high yield.

【0011】本発明の請求項5に記載の方法は、マウン
ト・リードの先端に発光素子が配されるカップを有する
LEDランプの形成方法に関する。特に、マウント・リ
ードとなる金属片の先端をプレス加工してバッファ機能
を有する凹部を形成する工程と、凹部を介して一方の金
属片の先端をプレス加工してカップを形成する工程を有
するLEDランプの形成方法である。これにより所望の
大型化可能なカップを持つ信頼性の高いLEDランプを
量産性良く形成することができる。
A method according to a fifth aspect of the present invention relates to a method for forming an LED lamp having a cup in which a light emitting element is disposed at the tip of a mount lead. In particular, an LED having a step of pressing a tip of a metal piece serving as a mount lead to form a recess having a buffer function and a step of pressing a tip of one metal piece through the recess to form a cup This is a method for forming a lamp. This makes it possible to form a highly reliable LED lamp having a desired large-size cup with good mass productivity.

【0012】本発明の請求項6に記載の方法は、バッフ
ァ機能を有する凹部を形成する工程後、凹部を介して他
方の金属片の先端をプレス加工するしワイヤボンディン
グ用の先端部位を形成する工程を有するものである。こ
れにより、マウント・リードにワイヤボンディングさせ
る場合においても所望の指向特性を持つと共に信頼性の
高いLEDランプを歩留り良く形成することができる。
According to a sixth aspect of the present invention, after the step of forming a recess having a buffer function, the tip of the other metal piece is pressed through the recess to form a tip portion for wire bonding. It has a process. As a result, even when wire bonding is performed to the mount lead, a highly reliable LED lamp having desired directional characteristics and high reliability can be formed with a high yield.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明者は、種々の実験の結果、
大型化したカップや平滑化したマウント・リードの先端
部位を用いたLEDランプにおいて、指向特性の均一化
がマウント・リードの特定形状によって大きく変わるこ
とを見出し、これに基づいて本発明を成すに至った。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The inventor of the present invention
In an LED lamp using a large-sized cup or a flattened tip portion of a mount lead, it was found that the uniformity of the directional characteristics greatly changed depending on the specific shape of the mount lead, and based on this, the present invention was accomplished. Was.

【0014】即ち、発光素子が配置されるカップ形状
は、LEDランプの指向特性に大きな影響を与える。特
に、発光素子を複数配置する場合やモールド部材の形状
などに合わせて、比較的大きなカップを形成させると指
向特性のむらが生じ易い。このような指向特性のバラツ
キはカップを大型化するに従って大きくなる傾向があ
る。カップは、リード端子の金属を利用して圧縮形成な
どさせるために大型化するにつれ肉厚が薄くなる。ま
た、カップを形成させるためにプレスされた余分な金属
部位は、どこかに移動せざるを得ない。余分な金属は大
型化したカップに必ずしも利用されるとは限らない。そ
のためカップの側面に歪みが生じ易く指向特性に影響す
ると考えられる。また、LEDランプによっては、マウ
ント・リードの先端部を利用して導電性ワイヤを電気的
に接続させる場合がある。このような接続端面は、導電
性ワイヤの密着性を向上させるためにプレス加工させる
ことが望ましい。しかしながら、導電性ワイヤの接続部
をプレス加工して単に平坦化させると上述と同様にカッ
プに歪みが及ぶ場合がある。したがって、上述と同様に
指向特性に悪影響が生ずる場合がある。
That is, the shape of the cup in which the light emitting elements are arranged has a great influence on the directional characteristics of the LED lamp. In particular, if a relatively large cup is formed in accordance with the case where a plurality of light emitting elements are arranged or the shape of the mold member, the directional characteristics are likely to be uneven. Such variation in the directivity tends to increase as the cup size increases. The thickness of the cup becomes thinner as the size of the cup is increased due to compression or the like utilizing the metal of the lead terminal. Also, the extra metal part pressed to form the cup has to move somewhere. Extra metal is not always used in larger cups. Therefore, it is considered that distortion is easily generated on the side surface of the cup, which affects the directivity. Also, depending on the LED lamp, a conductive wire may be electrically connected using the tip of the mount lead. It is desirable that such a connection end face be pressed to improve the adhesion of the conductive wire. However, if the connection portion of the conductive wire is pressed and simply flattened, the cup may be distorted as described above. Therefore, the directional characteristics may be adversely affected as described above.

【0015】本発明は、マウント・リード形成時におけ
るカップの歪みを吸収することができる。また、カップ
形成に利用される金属部位を稼ぐこともできる。これに
よって、大型化などと共に歪みの少ないカップを均一形
成し所望の指向特性を有するLEDランプを歩留り良く
形成することができるものである。
The present invention can absorb the distortion of the cup during the formation of the mount lead. In addition, it is possible to earn metal parts used for forming the cup. As a result, it is possible to form an LED lamp having desired directional characteristics with good yield by uniformly forming a cup with a small distortion as the size increases.

【0016】図1は、本発明のLEDランプの模式的断
面図を示す。また、図2は本発明のLEDランプを発光
観測面側からみた模式的平面図を示す。リード端子は、
鉄を用いており、カップ形成後に銀メッキさせてある。
リード端子の一方は、カップが設けられたマウント・リ
ード104でありカップ201の近傍には、カップの肉
厚を稼ぐと共にプレス加工時などに生ずる歪みを防止さ
せるためのバッファ機能を有する凹部101が設けられ
ている。発光観測面側からみたカップ201の形状は、
リード端子104、105間方向と垂直方向に長い大型
の楕円形状やトラック形状としてある。カップ上に窒化
物系化合物半導体を発光層に利用したLEDチップ20
2をエポキシ樹脂によってダイボンドさせる。LEDチ
ップの電極とインナー・リード105や平滑性が高いマ
ウント・リード104上の先端部位203に、金線を用
いてそれぞれワイヤボンディングさせてある。リード端
子の先端を封止するようにレンズ効果を持つ透光性エポ
キシ樹脂として楕円形のモールド部材102が形成され
ている。形成されたLEDランプは、発光観測面側から
みて、モールド部材の楕円形の長軸方向と平行方向が垂
直方向よりも長いカップ形状とさせてある。このような
構成のLEDランプに通電させると指向特性の安定した
歩留りの高いLEDランプとすることができる。以下、
本発明の構成について詳述する。
FIG. 1 is a schematic sectional view of an LED lamp according to the present invention. FIG. 2 is a schematic plan view of the LED lamp of the present invention viewed from the light emission observation surface side. The lead terminals are
It uses iron and is silver-plated after the cup is formed.
One of the lead terminals is a mount lead 104 provided with a cup, and a recess 101 having a buffer function for increasing the thickness of the cup and preventing distortion generated during press working is provided near the cup 201. Is provided. The shape of the cup 201 viewed from the emission observation surface side is
It has a large elliptical shape or track shape that is long in the direction perpendicular to the direction between the lead terminals 104 and 105. LED chip 20 using nitride compound semiconductor for light emitting layer on cup
2 is die-bonded with an epoxy resin. The electrodes of the LED chip are wire-bonded to the inner leads 105 and the tip portions 203 on the mount leads 104 having high smoothness using gold wires. An elliptical mold member 102 is formed as a translucent epoxy resin having a lens effect so as to seal the tip of the lead terminal. The formed LED lamp has a cup shape in which the direction parallel to the major axis direction of the ellipse of the mold member is longer than the vertical direction when viewed from the light emission observation surface side. By energizing the LED lamp having such a configuration, an LED lamp with stable directional characteristics and high yield can be obtained. Less than,
The configuration of the present invention will be described in detail.

【0017】(リード端子104、105)本発明のリ
ード端子は、発光素子202を積載させるマウント・リ
ード104と発光素子と導電性ワイヤなどの電気的接続
部材を介して電気的に接続されたインナー・リード10
5によって構成されている。インナー・リード105は
発光素子202の数や電極の数に合わせて所望に複数設
けることができる。マウント・リード104上には、発
光素子202を積載させると共に所望の発光特性が得ら
れるよう反射率の高い平滑な表面とさせたカップ201
が設けられることが好ましい。
(Lead Terminals 104 and 105) The lead terminal of the present invention is an inner lead electrically connected to the mount lead 104 on which the light emitting element 202 is mounted and the light emitting element via an electrical connecting member such as a conductive wire.・ Lead 10
5. A plurality of inner leads 105 can be provided as desired in accordance with the number of light emitting elements 202 and the number of electrodes. A cup 201 on which a light emitting element 202 is mounted on a mount lead 104 and which has a smooth surface with high reflectivity so as to obtain desired light emitting characteristics.
Is preferably provided.

【0018】リード端子は、金属板を所望の形状にプレ
ス抜きすることによって形成させることができる。打ち
抜かれたリード端子は、図3の如くタイバー302によ
って複数のリード端子が連なった形状を有する。このよ
うなリード端子の先端上から図3の矢印の如く部分的に
圧力を加えることによって凹部(凹んだ部位)301を
形成させることができる。凹部の形成によってマウント
・リードを構成する余分な金属部位が部分的に移動す
る。移動した金属部位のためにマウント・リードの一部
が部分的に厚くなる。本発明は、この厚くなった部分を
も利用してカップをより大型かつ均一に形成させること
ができる。
The lead terminals can be formed by pressing a metal plate into a desired shape. The punched lead terminal has a shape in which a plurality of lead terminals are connected by a tie bar 302 as shown in FIG. The concave portion (concave portion) 301 can be formed by partially applying pressure as shown by the arrow in FIG. Due to the formation of the concave portion, an extra metal portion constituting the mount lead is partially moved. Some of the mounting leads are partially thickened due to the moved metal parts. In the present invention, the cup can be formed larger and more uniformly by using the thickened portion.

【0019】また、発光観測面側からみて凹部101を
介してカップ201と反対側のマウント・リードの先端
部位203は、発光素子202と電気的に接続させるた
めの導電性ワイヤを接続させることもできる。即ち、サ
ファイアなどの絶縁性基板上に形成させた窒化物系化合
物半導体などは、一方の表面側(半導体側)から正負の
電極を取り出す。そのため、インナー・リード105と
の電気的接続だけでなく、マウント・リード104とL
EDチップ202との電気的接続をも導電性ワイヤ10
3を用いる場合がある。
Further, a conductive wire for electrically connecting to the light emitting element 202 may be connected to the tip portion 203 of the mount lead opposite to the cup 201 via the recess 101 as viewed from the light emission observation surface side. it can. That is, for a nitride-based compound semiconductor formed on an insulating substrate such as sapphire, positive and negative electrodes are taken out from one surface side (semiconductor side). Therefore, not only the electrical connection with the inner lead 105 but also the mounting lead 104 and the L
The electrical connection with the ED chip 202 is also made by the conductive wire 10.
3 may be used.

【0020】導電性ワイヤ103の接続をカップ内部の
面で行うには、接続時に生じるボールや導電性ワイヤ自
体などによって均一な反射を得にくい。したがって、マ
ウント・リードの先端部位203を電気的接続部に利用
することにより、比較的に簡単に指向特性を歪まさずに
密着させることもできる。このような、マウント・リー
ドの先端部は、導電性ワイヤの接続のためその表面が平
坦化させる必要がある。平坦化は、図4の如くマウント
・リードの先端部位403をプレス加工することにより
比較的容易に行うことができる。本発明においては、こ
のような先端部位のプレス加工においても凹部によりカ
ップ形成に悪影響を与えることがない。即ち、マウント
・リードの先端部位をプレス加工して、平坦化すること
により余分な金属部位が移動しても凹部がバッファ機能
を有するためカップの形状に悪影響を与えることがな
い。同様に、先に平滑なマウント・リードの先端部位を
形成させた場合、大型のカップを形成することにより余
分な金属部位が移動しても凹部がバッファ機能を有する
ためマウント・リードの先端部位における平滑性に悪影
響を与えることがない。
In order to connect the conductive wire 103 on the surface inside the cup, it is difficult to obtain a uniform reflection due to a ball or the conductive wire itself generated at the time of connection. Therefore, by using the distal end portion 203 of the mount lead as an electrical connection portion, it is possible to relatively easily adhere to each other without distorting the directional characteristics. The surface of the tip of such a mounting lead needs to be flattened for connection of a conductive wire. Flattening can be performed relatively easily by pressing the tip portion 403 of the mount lead as shown in FIG. In the present invention, the concave portion does not adversely affect the cup formation even in the press working of such a tip portion. That is, by pressing and flattening the tip portion of the mount lead, even if an extra metal portion moves, the concave portion has a buffer function, so that the shape of the cup is not adversely affected. Similarly, if the tip portion of the smooth mount lead is formed first, the recess has a buffer function even if an extra metal portion is moved by forming a large cup, so that the recess portion has a buffer function. Does not adversely affect smoothness.

【0021】さらに、マウント・リードの先端部位をプ
レス加工することにより、余分な移動した金属部位でワ
イヤボンディングさせる先端部位の表面積が広がりワイ
ヤボンディング時の信頼性を向上させることもできる。
また、先端部位をマウント・リード上で最も高くするこ
とでワイヤボンディングの信頼性を向上させることがで
きる。このような凹部は、カップの形状やマウント・リ
ードの先端部などに悪影響を与えない限りV字型、U字
型や半円など種々の形状や深さとすることができる。
Further, by pressing the tip portion of the mount lead, the surface area of the tip portion to be wire-bonded with the extra moved metal portion can be increased, and the reliability in wire bonding can be improved.
In addition, by making the tip portion the highest on the mount lead, the reliability of wire bonding can be improved. Such a concave portion can have various shapes and depths such as a V-shape, a U-shape, and a semicircle as long as the shape of the cup and the tip of the mount lead are not adversely affected.

【0022】なお、本発明においてマウント・リードの
先端部位とは、発光観測面側からみてマウント・リード
の最表面側を構成する一部であり、先端部位に導電性ワ
イヤを接続させる場合においては所望の面積がいる。ま
た、リード端子の具体的な電気抵抗としては300μΩ
・cm以下が好ましく、より好ましくは、3μΩ・cm
以下である。さらに、マウント・リードのカップ上に複
数の発光素子を積載する場合は、発光素子からの発熱量
が多くなるため熱伝導性がよいことが求められる。具体
的には、0.01cal/(s)(cm2)(℃/c
m)以上が好ましくより好ましくは 0.5cal/
(s)(cm2)(℃/cm)以上である。このような
リード端子の具体的材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、
錫入り銅などが好適に挙げられる。さらに、これらの材
料に反射率を向上させる目的でAg、Au、AlやCu
などの金属をメッキなどにより形成させても良い。
In the present invention, the tip portion of the mount lead is a part constituting the outermost surface of the mount lead when viewed from the light emission observation surface side. In the case where a conductive wire is connected to the tip portion, There is a desired area. The specific electric resistance of the lead terminal is 300 μΩ.
Cm or less, more preferably 3 μΩcm
It is as follows. Furthermore, when a plurality of light emitting elements are stacked on the cup of the mount lead, good heat conductivity is required because the amount of heat generated from the light emitting elements increases. Specifically, 0.01 cal / (s) (cm 2 ) (° C./c
m) or more, more preferably 0.5 cal /
(S) (cm 2 ) (° C./cm) or more. Specific materials for such lead terminals include iron, copper, iron-containing copper,
Preferred is tin-containing copper. In addition, Ag, Au, Al, Cu
May be formed by plating or the like.

【0023】カップの大きさは、各LEDチップをダイ
ボンド等の機器で積載するのに十分な大きさがあり、モ
ールド部材による光の集光率に合わせて種々のものが用
いられる。本発明においては、大型化した均一なカップ
を容易に得られることから発光観測面側からみて真円
状、トラック状、楕円状、三角形や四角形など種々のカ
ップ形状とすることができる。特に、複数の発光素子を
配置させる場合は、トラック状、楕円状、長方形状など
が好ましい。なお、カップの縁は必ずしも同一平面で形
成させる必要はない。また、カップ内部の側壁も発光素
子が配置された底面に対して同一角度で形成させる必要
もない。即ち、モールド部材の形状が楕円等の場合、モ
ールド形状により広がった(狭まった)指向特性をより
広げる(狭める)方向で楕円の長軸と平行方向のカップ
の縁をその他と較べて低くする。或いは、楕円の長軸と
平行方向に当たる側壁の角度を緩くすることで指向特性
をより広げることができる。
The size of the cup is large enough to mount each LED chip with a device such as die bonding, and various types are used in accordance with the light condensing rate of the mold member. In the present invention, since a large and uniform cup can be easily obtained, various cup shapes such as a perfect circle, a track, an ellipse, a triangle, and a rectangle can be obtained when viewed from the light emission observation surface side. In particular, when a plurality of light emitting elements are arranged, a track shape, an elliptical shape, a rectangular shape, or the like is preferable. The edges of the cup need not necessarily be formed on the same plane. Further, the side wall inside the cup does not need to be formed at the same angle with respect to the bottom surface on which the light emitting elements are arranged. That is, when the shape of the mold member is an ellipse or the like, the edge of the cup in the direction parallel to the major axis of the ellipse in the direction in which the directional characteristics spread (narrowed) due to the mold shape are further expanded (narrowed) is set lower than the others. Alternatively, by reducing the angle of the side wall that is parallel to the major axis of the ellipse, the directional characteristics can be broadened.

【0024】発光素子とカップとの接続は熱硬化性樹脂
や光硬化性樹脂などによって行うことができる。具体的
には、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などによってダイ
ボンドさせたものが挙げられる。また、発光素子とカッ
プを接着させると共に電気的に接続などさせるためには
Ag、カーボン、ITOやSnO2などの導電性部材を
含有させた導電性ペーストや金属バンプ等を用いること
もできる。
The connection between the light emitting element and the cup can be made by a thermosetting resin or a photocurable resin. Specifically, a resin that is die-bonded with an epoxy resin, a silicone resin, or the like can be given. In addition, a conductive paste or a metal bump containing a conductive member such as Ag, carbon, ITO, or SnO 2 can be used for bonding the light emitting element to the cup and electrically connecting the cup.

【0025】(発光素子106、202)発光素子10
6、202としては、液相成長法、有機金属気相成長法
(MOCVD)、ハライド気相成長法(HDVPE)や
分子線気相成長法(MBE)等により基板上にGaN、
InN、AlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、
GaAlAs、InGaN、GaAlN、AlInGa
PやAlInGaN等の半導体を発光層として形成させ
た発光素子が好適に用いられる。
(Light-emitting elements 106 and 202) Light-emitting element 10
6, 202, GaN on the substrate by liquid phase epitaxy, metalorganic vapor phase epitaxy (MOCVD), halide vapor phase epitaxy (HDVPE), molecular beam vapor phase epitaxy (MBE), etc.
InN, AlN, ZnS, ZnSe, SiC, GaP,
GaAlAs, InGaN, GaAlN, AlInGa
A light-emitting element in which a semiconductor such as P or AlInGaN is formed as a light-emitting layer is preferably used.

【0026】半導体の構造としては、MIS接合、PI
N接合やpn接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるい
はダブルへテロ構成のものが挙げられる。発光層の材料
やその混晶度によって発光波長を紫外線から赤外線まで
種々選択することができる。また、量子効果を持たすた
めに単一量子井戸構造や、井戸層と井戸層よりもバンド
ギャップの大きい障壁層を井戸+障壁+・・・+障壁+
井戸或いはその逆として形成させた多重量子井戸構造と
しても良い。これにより発光出力の高い発光素子202
とすることもできる。このような発光素子202は、用
途などによって種々選択することができる。高輝度に発
光する発光素子は、本発明の効果が顕著に現れるためよ
り好ましい。このような、高輝度発光可能な半導体材料
として緑色系や青色系では窒化物系化合物半導体(In
xGayAl1ーxーyN、0≦x、0≦y、0≦x+y≦
1)を用いることが好ましい。また、赤色系ではガリウ
ム・アルミニウム・砒素系の半導体やアルミニウム・イ
ンジウム・ガリウム・燐系の半導体を用いることが好ま
しい。このような発光素子202として窒化物系化合物
半導体の具体的一例を示す。
The semiconductor structure includes MIS junction, PI
Examples include a homostructure having an N junction or a pn junction, a heterostructure, or a double heterostructure. The emission wavelength can be variously selected from ultraviolet to infrared depending on the material of the light emitting layer and the degree of mixed crystal thereof. Further, in order to have a quantum effect, a single quantum well structure or a well layer and a barrier layer having a larger band gap than the well layer are formed by a well + barrier + ... + barrier +
A multiple quantum well structure formed as a well or vice versa may be used. Thereby, the light emitting element 202 having a high light emission output
It can also be. Such a light emitting element 202 can be variously selected depending on the use or the like. A light-emitting element that emits light with high luminance is more preferable because the effects of the present invention are remarkably exhibited. As a semiconductor material capable of emitting light of high luminance, a nitride-based compound semiconductor (In
x Ga y Al 1-x over y N, 0 ≦ x, 0 ≦ y, 0 ≦ x + y ≦
It is preferable to use 1). In the case of a red-based semiconductor, a gallium-aluminum-arsenic-based semiconductor or an aluminum-indium-gallium-phosphorus-based semiconductor is preferably used. A specific example of a nitride-based compound semiconductor will be described as such a light-emitting element 202.

【0027】窒化物系化合物半導体を形成させる半導体
基板にはサファイヤ、スピネル、SiC、Si、ZnO
や窒化ガリウム系単結晶等の材料を好適に用いることが
できる。結晶性の良い窒化ガリウム系半導体を形成させ
るためにはサファイヤ基板を用いることが好ましく、サ
ファイヤ基板との格子不整合を是正するためにバッファ
ー層を形成することが望ましい。バッファー層は、低温
で形成させた窒化アルミニウムや窒化ガリウムなどが好
適に用いられる。
Sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO
And a material such as gallium nitride single crystal can be suitably used. A sapphire substrate is preferably used to form a gallium nitride-based semiconductor with good crystallinity, and a buffer layer is preferably formed to correct lattice mismatch with the sapphire substrate. For the buffer layer, aluminum nitride, gallium nitride, or the like formed at a low temperature is preferably used.

【0028】窒化物系化合物半導体を使用したpn接合
を有する発光素子例としては、バッファー層を介したサ
ファイア基板上に、n型窒化ガリウムで形成した第1の
コンタクト層、量子効果を有する程度に薄膜で形成させ
た窒化インジウム・ガリウムの活性層、p型窒化アルミ
ニウム・ガリウムで形成したクラッド層、p型窒化ガリ
ウムで形成した第2のコンタクト層を順に積層させた構
成などとすることができる。
As an example of a light emitting device having a pn junction using a nitride-based compound semiconductor, a first contact layer formed of n-type gallium nitride on a sapphire substrate with a buffer layer interposed therebetween has a quantum effect. A structure in which an active layer of indium gallium nitride formed of a thin film, a cladding layer formed of p-type aluminum gallium nitride, and a second contact layer formed of p-type gallium nitride may be sequentially stacked.

【0029】なお、窒化物系化合物半導体は、不純物を
ドープしない状態でn型導電性を示す。発光効率を向上
させるなど所望のn型窒化ガリウム半導体を形成させる
場合は、n型ドーパントとしてSi、Ge、Se、T
e、C等を適宜導入することが好ましい。一方、p型窒
化ガリウム半導体を形成させる場合は、p型ドーパント
であるZn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等をドープ
させる。窒化ガリウム系化合物半導体は、p型ドーパン
トをドープしただけでは低抵抗化しにくいためp型ドー
パント導入後に、炉による加熱、やプラズマ照射等によ
りアニールすることで低抵抗化させることが好ましい。
It should be noted that the nitride-based compound semiconductor shows n-type conductivity without being doped with impurities. When a desired n-type gallium nitride semiconductor is formed, for example, to improve luminous efficiency, Si, Ge, Se, T
It is preferable to appropriately introduce e, C, and the like. On the other hand, in the case of forming a p-type gallium nitride semiconductor, doping is performed with a p-type dopant such as Zn, Mg, Be, Ca, Sr, and Ba. It is difficult to reduce the resistance of the gallium nitride-based compound semiconductor simply by doping it with a p-type dopant. Therefore, it is preferable to reduce the resistance by introducing a p-type dopant and then annealing by heating in a furnace or irradiating plasma.

【0030】絶縁性基板を用いた発光素子202の場合
は、絶縁性基板の一部を除去する、或いは半導体表面側
からp型及びn型用の電極面をとるためにp型半導体及
びn型半導体の露出面をエッチングすることなどにより
それぞれ形成させることができる。各半導体層上にスパ
ッタリング法や真空蒸着法などを用いて所望の形状の各
電極を形成させる。
In the case of the light emitting element 202 using an insulating substrate, a p-type semiconductor and an n-type are used to remove a part of the insulating substrate or to obtain p-type and n-type electrode surfaces from the semiconductor surface side. Each of them can be formed by etching the exposed surface of the semiconductor. Each electrode having a desired shape is formed on each semiconductor layer by using a sputtering method, a vacuum evaporation method, or the like.

【0031】電極が形成された半導体ウエハー等をダイ
ヤモンド製の刃先を有するブレードが回転するダイシン
グソーにより直接フルカットするか、又は刃先幅よりも
広い幅の溝を切り込んだ後(ハーフカット)、外力によ
って半導体ウエハーを割る。あるいは、先端のダイヤモ
ンド針が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウ
エハーに極めて細いスクライブライン(経線)を例えば
碁盤目状に引いた後、外力によってウエハーを割り半導
体ウエハーからチップ状にカットする。こうして半導体
発光素子であるLEDチップを形成することができる。
The semiconductor wafer or the like on which the electrodes are formed is directly full-cut by a dicing saw in which a blade having a diamond cutting edge is rotated, or is cut into a groove having a width wider than the cutting edge width (half cut). Cracks the semiconductor wafer. Alternatively, a very thin scribe line (meridian) is drawn on the semiconductor wafer, for example, in a checkerboard pattern by a scriber in which a diamond needle at the tip reciprocates linearly, and then the wafer is cut by an external force and cut into chips from the semiconductor wafer. Thus, an LED chip which is a semiconductor light emitting element can be formed.

【0032】発光素子202は、1つのカップ上にRG
Bがそれぞれ発光可能な発光素子を1個ずつ用いてLE
Dランプを構成しても良いし、所望の波長を得るために
複数用いることもできる。例えば一つのカップ上に青色
系を1個、緑色系を2個及び赤色系を1個とすることが
できる。また、発光波長は必ずしも青色系、緑色系、赤
色系に限られるものではなく、所望に応じて黄色などが
発光できるように半導体のバンドギャプを調節したもの
を用いても良い。具体的な例としては、青色系と黄色系
の発光素子を用いて白色光を発光する発光ダイオードと
することもできる。なお、フルカラーLEDランプとし
て利用するためには、赤色系の発光波長が600nmか
ら700nm、緑色系が495nmから565nm、青
色系の発光波長が430nmから490nmであること
が好ましい。
The light emitting element 202 has RG on one cup.
B uses one light emitting element capable of emitting light, and
A D lamp may be configured, or a plurality of D lamps may be used to obtain a desired wavelength. For example, one blue, two green, and one red can be provided on one cup. Further, the emission wavelength is not necessarily limited to the blue, green, and red colors, but may be one in which the band gap of the semiconductor is adjusted so that yellow or the like can be emitted as desired. As a specific example, a light-emitting diode that emits white light using blue and yellow light-emitting elements can be used. For use as a full-color LED lamp, it is preferable that the emission wavelength of red is 600 nm to 700 nm, the emission of green is 495 nm to 565 nm, and the emission wavelength of blue is 430 nm to 490 nm.

【0033】(導電性ワイヤ103)電気的接続部材で
ある導電性ワイヤ103としては、発光素子の電極とリ
ード端子とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性
及び熱伝導性がよいものが求められる。熱伝導度として
は0.01cal/(s)(cm2)(℃/cm)以上
が好ましく、より好ましくは0.5cal/(s)(c
2)(℃/cm)以上である。具体的には、金、銅、
白金、アルミニウム等及びそれらの合金を用いた導電性
ワイヤなどが好適に挙げられる。作業性を考慮してアル
ミニウム線あるいは金線がより好ましい。
(Conductive Wire 103) As the conductive wire 103 serving as an electrical connection member, one having good ohmic properties, mechanical connectivity, electrical conductivity, and thermal conductivity between the electrode of the light emitting element and the lead terminal. Desired. The thermal conductivity is preferably 0.01 cal / (s) (cm 2 ) (° C./cm) or more, more preferably 0.5 cal / (s) (c
m 2 ) (° C./cm) or more. Specifically, gold, copper,
Preferable examples include a conductive wire using platinum, aluminum, or the like, and an alloy thereof. An aluminum wire or a gold wire is more preferable in consideration of workability.

【0034】(モールド部材102)モールド部材10
2は、発光素子106及び導電性ワイヤ103等を外部
から保護するため設けられることが好ましい。また、モ
ールド部材102の形状は、所望に応じて種々選択する
ことができる。本発明は、容易に大型化したカップを形
成できるためモールド部材102の形状に合わせてカッ
プの形状を種々選択できる自由度が高いという効果を有
する。このようなモールド部材102の形状として発光
観測面側からみて円形、楕円形や縁あり又は縁なしの多
角形として三角形形状など種々選択することができる。
更に詳しくは、発光観測面側からみてリード間方向に対
して垂直方向に長辺や長軸が配置されたトラック形状や
楕円形状などとすることができる。
(Mold member 102) Mold member 10
2 is preferably provided to protect the light emitting element 106, the conductive wire 103, and the like from the outside. Further, the shape of the mold member 102 can be variously selected as desired. The present invention has an effect that the size of the cup can be easily selected to suit the shape of the mold member 102 because a large-sized cup can be easily formed. The shape of the mold member 102 can be variously selected from the light emission observation surface side, such as a circle, an ellipse, or a triangular shape with or without edges.
More specifically, the shape may be a track shape or an elliptical shape in which long sides and long axes are arranged in a direction perpendicular to the inter-lead direction as viewed from the light emission observation surface side.

【0035】特に、モールド部材102が発光観測面側
からみて楕円形を有しているLEDランプは、モールド
部材102の集光によってカップの形状が楕円の短軸方
向において実際よりも長く見える傾向にある。同様に、
長軸方向において実際よりも短くなる傾向がある。特
に、楕円の形状を強くするほどその傾向が強くLEDラ
ンプの中心光度が低くなる。このようなLEDランプに
おいては、モールド部材の長軸と平行に長いトラック
状、楕円状などのカップとすることによって中心光度を
低下ささずに指向角を絞ることができる。そのため、ト
ラック状や楕円などカップが大きくなるにつれ、本発明
の効果が大きくなる。
In particular, in an LED lamp in which the mold member 102 has an elliptical shape as viewed from the light emission observation surface side, the shape of the cup tends to appear longer in the minor axis direction of the ellipse than the actual light due to the condensing of the mold member 102. is there. Similarly,
It tends to be shorter than it actually is in the long axis direction. In particular, the stronger the elliptical shape, the stronger the tendency, and the lower the central luminous intensity of the LED lamp. In such an LED lamp, the directional angle can be reduced without lowering the central luminous intensity by forming a cup having a long track shape, an elliptical shape or the like parallel to the long axis of the mold member. Therefore, the effect of the present invention increases as the size of the cup, such as a track or an ellipse, increases.

【0036】モールド部材と発光素子は、密着して形成
されていてもよいし、放熱性や応力緩和のため発光素子
と密着していなくとも良い。具体的なモールド部材の材
料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹
脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂やポリイミド樹
脂などの耐候性に優れた樹脂や低融点ガラスなど種々好
適に用いられる。このようなモールド部材102には、
発光素子202からの発光を絞る目的で有機や無機の着
色剤を含有させても良い。また、視野角を増やす目的で
拡散剤を含有させても良い。具体的拡散剤としては、無
機系であるチタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミ
ニウム、酸化珪素等や有機系であるグアナミン樹脂など
が種々好適に用いられる。さらに、白色などを発光させ
るために蛍光物質を含有させることもできる。具体的蛍
光物質としては、セリウムで付活されたイットリウム・
アルミニウム・ガーネット系蛍光物質やペリレン系誘導
体などが種々好適に用いられる。
The mold member and the light emitting element may be formed in close contact with each other, or may not be in close contact with the light emitting element for heat dissipation and stress relaxation. As a specific material of the mold member, various resins such as an epoxy resin, a urea resin, a silicone resin, a fluororesin, a resin having excellent weather resistance such as a polycarbonate resin and a polyimide resin, and a low-melting glass are preferably used. In such a mold member 102,
An organic or inorganic colorant may be contained for the purpose of reducing light emission from the light emitting element 202. Further, a diffusing agent may be contained for the purpose of increasing the viewing angle. As the specific diffusing agent, various types of inorganic barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, and the like, and organic guanamine resin are suitably used. Further, a fluorescent substance can be contained to emit white light or the like. Specific examples of the fluorescent substance include yttrium activated by cerium.
Various materials such as aluminum-garnet-based fluorescent substances and perylene-based derivatives are suitably used.

【0037】野外で長時間使用される場合や発光素子か
らの発光波長が短い場合は、樹脂モールド部材中に光安
定剤を含有させることもできる。光安定剤としては、ベ
ンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン系、サリシレート
系、シアノアクリレート系やヒンダードアミン系などが
好適に挙げられる。以下、本発明の実施例について説明
するが、本発明は具体的実施例のみに限定されるもので
はないことは言うまでもない。
When the device is used outdoors for a long time or when the wavelength of light emitted from the light emitting element is short, a light stabilizer may be contained in the resin mold member. Preferable examples of the light stabilizer include benzotriazole, benzophenone, salicylate, cyanoacrylate, and hindered amine. Hereinafter, examples of the present invention will be described, but it goes without saying that the present invention is not limited to only specific examples.

【0038】[0038]

【実施例】【Example】

(実施例1)発光素子として主発光ピークが660nm
のGaAlAs半導体を用いた。
(Example 1) A main light emission peak of a light emitting element is 660 nm.
GaAlAs semiconductor was used.

【0039】具体的には、赤色を発光するLEDチップ
用の半導体ウエハーは、温度差液相成長法で連続的にp
型ガリウム・砒素基板上にp型GaAlAsを成長し、
その上にn型GaAlAsを成長させ、発光領域である
p型GaAlAsを形成させる。
Specifically, a semiconductor wafer for an LED chip emitting red light is continuously p-typed by a temperature difference liquid phase growth method.
P-type GaAlAs on a gallium arsenide substrate
An n-type GaAlAs is grown thereon, and a p-type GaAlAs, which is a light emitting region, is formed.

【0040】LEDチップは発光観測側に設けられる電
極として発光中心に直径0.15mmの円状の白金金属
膜を電極層として真空蒸着によって形成させた。また、
非発光観測側であるp型GaAlAs基板上に金を電極
層として真空蒸着によって形成させた。半導体ウエハー
をスクライブラインを引いた後、外力によって分割させ
350nm角のLEDチップを形成させた。
The LED chip was formed by vacuum evaporation as an electrode provided on the light emission observing side, a circular platinum metal film having a diameter of 0.15 mm at the light emission center as an electrode layer. Also,
Gold was formed as an electrode layer by vacuum evaporation on a p-type GaAlAs substrate on the non-emission observation side. After a scribe line was drawn on the semiconductor wafer, the wafer was divided by external force to form LED chips of 350 nm square.

【0041】一方、肉厚が約0.5mm、縦35mm、
横150mmの鉄入り銅板を打ち抜きした。打ち抜きに
よりタイバーによって接続された複数のリード端子を形
成させてある。こうして形成されたマウント・リードと
なるリード端子の先端を図3の如くプレス加工し、幅
0.1mm、深さ0.3mmの凹部を形成させた。この
状態でマウント・リードの先端をさらにプレス加工し発
光観測面側からみてトラック状のカップを形成させた。
カップの大きさは、約2mm2であった。こうして形成
されたカップ上にLEDチップをAg粉末が含有された
エポキシ樹脂によってダイボンドしてある。LEDチッ
プの表面電極とインナー・リードの先端部とをワイヤホ
ンデング機器を用いて直径0.03mmのAu線で接続
させ電気的導通をとっている。
On the other hand, the thickness is about 0.5 mm, the length is 35 mm,
A 150 mm wide iron-containing copper plate was punched out. A plurality of lead terminals connected by tie bars are formed by punching. The leading end of the lead terminal to be a mount lead thus formed was pressed as shown in FIG. 3 to form a recess having a width of 0.1 mm and a depth of 0.3 mm. In this state, the tip of the mount lead was further pressed to form a track-like cup when viewed from the light emission observation surface side.
The size of the cup was about 2 mm 2 . The LED chip is die-bonded on the cup thus formed with an epoxy resin containing Ag powder. The surface electrodes of the LED chips and the tips of the inner leads are connected to each other by Au wires having a diameter of 0.03 mm using a wire-holding device to establish electrical continuity.

【0042】LEDチップと電気的に接続されたリード
端子の先端部を型に入れエポキシ樹脂を充填させた。1
50℃5時間にてエポキシ樹脂を硬化させた。タイバー
を切断させることによって楕円形のモールド部を有する
LEDランプを250個形成させた。こうして形成され
たLEDランプの250個平均の指向特性を調べた。指
向特性が歪なLEDランプは、全体の2%未満であっ
た。
The tip of the lead terminal electrically connected to the LED chip was placed in a mold and filled with epoxy resin. 1
The epoxy resin was cured at 50 ° C. for 5 hours. By cutting the tie bar, 250 LED lamps having an elliptical mold portion were formed. The directional characteristics of the average of 250 LED lamps thus formed were examined. Less than 2% of the LED lamps had a distorted directivity.

【0043】(比較例1)LEDランプの形成時におい
て凹部を形成させなかった以外実施例1と同様にして形
成させた。LEDランプの250個平均の指向特性を調
べた。LEDランプの指向特性が歪であるものは全体の
約23%であった。バラツキのでたLEDランプのモー
ルド部材を除去して調べたところカップ端面が均一に形
成されていないために指向特性が変化していることが確
認できた。
(Comparative Example 1) An LED lamp was formed in the same manner as in Example 1 except that no concave portion was formed when the LED lamp was formed. The directional characteristics of an average of 250 LED lamps were examined. About 23% of the LED lamps had directional distortion characteristics. When the mold member of the LED lamp, which had been uneven, was removed and examined, it was confirmed that the directional characteristics were changed because the end face of the cup was not formed uniformly.

【0044】(実施例2)発光素子として主発光ピーク
が470nmのIn0.05Ga0.95N半導体を用いた。L
EDチップは、洗浄したサファイア基板上に原料ガスと
してNH3、TMIガス(トリメチルインジム)、TM
Gガス(トリメチルガリウム)及びドーパントガスをキ
ャリアガスと共に流し、MOCVD法で窒化物系化合物
半導体を成膜させることにより形成させた。ドーパント
ガスとしてSiH4とCp2Mgと、を切り替えることに
よりn型導電性を有する窒化物系化合物半導体と、p型
導電性を有する窒化物系化合物半導体を形成させてあ
る。
Example 2 As a light emitting element, an In 0.05 Ga 0.95 N semiconductor having a main emission peak of 470 nm was used. L
The ED chip is made of NH 3 , TMI gas (trimethylindium), TM
G gas (trimethyl gallium) and a dopant gas were flowed together with a carrier gas, and a nitride-based compound semiconductor was formed by MOCVD. By switching between SiH 4 and Cp 2 Mg as the dopant gas, a nitride-based compound semiconductor having n-type conductivity and a nitride-based compound semiconductor having p-type conductivity are formed.

【0045】LEDチップの層構成としては、サファイ
ア基板上のバッファ層に低温で形成させた窒化ガリウム
を用いた。バッファ層上には、第1のコンタクト層とし
てn型窒化ガリウム、発光層である活性層として窒化イ
ンジウム・ガリウム、第1のクラッド層としてp型窒化
アルミニウム・ガリウム、第2のコンタクト層としてp
型窒化ガリウムを順次形成させたものを用いた。(な
お、p型導電性を有する半導体は成膜後400℃以上で
アニールしてある。また、活性層は、量子効果が生ずる
よう約30nmの薄膜に形成させてある。) こうして形成された半導体ウエハーをエッチングにより
pn各半導体表面を露出させた。各半導体表面には、ス
ッパタリング法により電極を形成させた。半導体ウエハ
ーをスクライブラインを引いた後、外力によって分割さ
せ350nm角のLEDチップを形成させた。
As the layer structure of the LED chip, gallium nitride formed at a low temperature on a buffer layer on a sapphire substrate was used. On the buffer layer, n-type gallium nitride as a first contact layer, indium gallium nitride as an active layer which is a light emitting layer, p-type aluminum gallium nitride as a first cladding layer, and p-type as a second contact layer
Gallium nitride was used. (Note that the semiconductor having p-type conductivity is annealed at 400 ° C. or higher after film formation. The active layer is formed as a thin film having a thickness of about 30 nm so as to generate a quantum effect.) The surface of each pn semiconductor was exposed by etching the wafer. Electrodes were formed on each semiconductor surface by a sputtering method. After a scribe line was drawn on the semiconductor wafer, the wafer was divided by external force to form LED chips of 350 nm square.

【0046】一方、肉厚が約0.5mm、縦35mm、
横150mmの鉄入り銅板を打ち抜きした。打ち抜きに
よりタイバーによって接続された複数のリード端子を形
成させてある。こうして形成されたマウント・リードと
なるリード端子の先端を図4の如くプレス加工し、幅
0.1mm、深さ0.3mmの凹部を形成させた。この
状態でマウント・リードとなるリード端子の先端をプレ
ス加工しトラック状のカップを形成させた。カップの大
きさは、約2mm2であった。次に、マウント・リード
となるリード端子の先端部位をプレス加工して平滑な平
面を持った導電性ワイヤの接続面を形成させた。図5の
LEDランプで示す如く、凹部501自体は歪みが生じ
たがカップ502には歪みが生じなかった。なお、先端
部位503はプレス加工され広がり低くなったもののリ
ード端子504上では凹部を介して一方を形成するカッ
プ502の端面よりも高くしてある。
On the other hand, the thickness is about 0.5 mm, the length is 35 mm,
A 150 mm wide iron-containing copper plate was punched out. A plurality of lead terminals connected by tie bars are formed by punching. The leading ends of the lead terminals to be the mount leads thus formed were pressed as shown in FIG. 4 to form a recess having a width of 0.1 mm and a depth of 0.3 mm. In this state, the tip of a lead terminal serving as a mount lead was pressed to form a track-shaped cup. The size of the cup was about 2 mm 2 . Next, the end portion of the lead terminal serving as a mount lead was pressed to form a connection surface of a conductive wire having a smooth flat surface. As shown by the LED lamp in FIG. 5, the concave portion 501 itself was distorted, but the cup 502 was not distorted. Although the tip portion 503 is spread and lowered by press working, it is higher than the end surface of the cup 502 forming one of the two on the lead terminal 504 via a concave portion.

【0047】形成されたカップ上にLEDチップをエポ
キシ樹脂によってダイボンドしてある。発光観測面側か
らみてLEDチップの一方の電極とインナー・リードの
先端部とを第1の導電性ワイヤである30μφの金線に
よってワイヤボンディングさせ電気的導通をとってい
る。同様に、カップと凹部を介して反対側にあるマウン
ト・リードの先端部と、LEDチップの他方の電極とを
第2の導電性ワイヤである30μφの金線によってワイ
ヤボンディングさせてある。こうして250個形成され
たLEDランプの指向特性の測定及びモールド部材を形
成する前の第2の導電性ワイヤをプル試験した。プル試
験は、第2の導電性ワイヤーのほぼ中央部にワイヤをひ
っかけて引っ張り速度0.5mm/Sで引き上げ、導電
性ワイヤの切断時における引っ張り強さの平均値を測定
した。プル試験時の導電性ワイヤは、引っ張った箇所で
切断されていた。
An LED chip is die-bonded on the formed cup with an epoxy resin. When viewed from the light emission observation surface side, one electrode of the LED chip and the tip of the inner lead are wire-bonded with a 30 μφ gold wire, which is a first conductive wire, to establish electrical continuity. Similarly, the tip of the mount lead, which is on the opposite side of the cup via the recess, and the other electrode of the LED chip are wire-bonded with a second conductive wire, a 30 μφ gold wire. The directional characteristics of the 250 LED lamps thus formed and the pull test of the second conductive wire before forming the mold member were performed. In the pull test, the wire was hooked to a substantially central portion of the second conductive wire, pulled up at a pulling rate of 0.5 mm / S, and the average value of the tensile strength when the conductive wire was cut was measured. The conductive wire at the time of the pull test was cut at the pulled position.

【0048】(比較例2)凹部を形成させなかった以
外、実施例2と同様にしてLEDランプを形成させた。
また、実施例2と同様に指向特性及びプル試験を行っ
た。プル試験時の導電性ワイヤは、引っ張った箇所で切
断されていた。
(Comparative Example 2) An LED lamp was formed in the same manner as in Example 2 except that no concave portion was formed.
Further, a directional characteristic and a pull test were performed in the same manner as in Example 2. The conductive wire at the time of the pull test was cut at the pulled position.

【0049】(実施例3)マウント・リードの先端部位
をプレス加工しなかった以外は、実施例2と同様にして
LEDランプを形成させた。また、実施例2と同様に指
向特性及びプル試験を行った。プル試験時の導電性ワイ
ヤは、引っ張った箇所で切断されていた。
Example 3 An LED lamp was formed in the same manner as in Example 2 except that the tip of the mount lead was not pressed. Further, a directional characteristic and a pull test were performed in the same manner as in Example 2. The conductive wire at the time of the pull test was cut at the pulled position.

【0050】(比較例3)凹部の形成及びマウント・リ
ードの先端部位の平坦化を行わなかった以外、実施例2
と同様にしてLEDランプを形成させた。また、実施例
2と同様に指向特性及びプル試験を行った。プル試験に
おける導電性ワイヤは、キャピラリー打根の根元で切断
されていた。
Comparative Example 3 Example 2 was repeated except that the formation of the concave portion and the flattening of the tip of the mount lead were not performed.
An LED lamp was formed in the same manner as described above. Further, a directional characteristic and a pull test were performed in the same manner as in Example 2. The conductive wire in the pull test was cut at the root of the capillary root.

【0051】これらの結果を実施例2、実施例3、比較
例2及び比較例3と共に表1に示す。なお、結果から、
モールド部材を形成させた実施例2及び実施例3も、比
較例2や比較例3を利用したモールド部材を有するLE
Dランプと比較して指向特性が安定し、実装時や長時間
の使用時などの熱衝撃時などに強いLEDランプにでき
ることがわかる。
The results are shown in Table 1 together with the results of Example 2, Example 3, Comparative Example 2 and Comparative Example 3. From the result,
Examples 2 and 3 in which a mold member is formed are also LEs having a mold member using Comparative Examples 2 and 3.
It can be seen that the directional characteristics are more stable than the D lamp, and that the LED lamp can be made strong at the time of thermal shock during mounting or long-time use.

【0052】[0052]

【発明の効果】上述の如く本発明の請求項1の構成とす
ることによって、カップを大型化などさせても指向特性
のズレが極めて少ないLEDランプを歩留り良く形成す
ることができる。
As described above, by adopting the structure of the first aspect of the present invention, it is possible to form an LED lamp with a very small deviation in directional characteristics with a high yield even if the cup is enlarged.

【0053】本発明の請求項2記載の構成とすることに
よって、より信頼性の高いLEDランプとすることがで
きる。
According to the configuration of the second aspect of the present invention, a more reliable LED lamp can be obtained.

【0054】本発明の請求項3記載の構成とすることに
よって、より安定した発光特性を有するLEDランプと
することができる。
According to the third aspect of the present invention, an LED lamp having more stable light emission characteristics can be obtained.

【0055】本発明の請求項4記載の構成とすることに
よって、指向方向が絞られると共により中心の発光輝度
が高いLEDランプとすることができる。
According to the configuration of the fourth aspect of the present invention, it is possible to provide an LED lamp having a narrower directivity and a higher central emission luminance.

【0056】本発明の請求項5に記載の方法とすること
によって、所望の大型化可能なカップを持つ信頼性の高
いLEDランプを量産性良く形成することができる。
By adopting the method according to the fifth aspect of the present invention, a highly reliable LED lamp having a desired large-sized cup can be formed with high productivity.

【0057】本発明の請求項6に記載の方法とすること
によって、マウント・リードにワイヤーボンディングさ
せる場合においても所望の指向特性を持つと共に信頼性
の高いLEDランプを歩留り良く形成することができ
る。
By adopting the method according to the sixth aspect of the present invention, a highly reliable LED lamp having desired directional characteristics and high reliability can be formed even in the case of wire bonding to a mount lead.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明のLEDランプを示した模式的
断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an LED lamp of the present invention.

【図2】図2は、本発明のLEDランプを示した模式的
平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view showing an LED lamp of the present invention.

【図3】図3は、本発明の凹部を形成する工程を示す模
式図である。
FIG. 3 is a schematic view showing a step of forming a concave portion according to the present invention.

【図4】図4は、本発明の上端部位を形成する工程を示
す別の模式図である。
FIG. 4 is another schematic view showing a step of forming an upper end portion of the present invention.

【図5】図5は、本発明のLEDランプの先端を示す模
式的拡大図である。
FIG. 5 is a schematic enlarged view showing a tip of the LED lamp of the present invention.

【図6】図6は、本発明と比較のために示したLEDラ
ンプの模式的断面図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view of an LED lamp shown for comparison with the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101、301、401・・・凹部 102・・・モールド部材 103・・・導電性ワイヤ 104・・・マウント・リード 105・・・インナー・リード 106・・・発光素子 201・・・カップ 202・・・発光素子 203、403・・・マウント・リードの先端部 302、402・・・タイバー 501・・・バッファ機能を有する凹部 502・・・発光素子を配置させるカップ 503・・・ワイヤボンディングさせたマウント・リー
ドの先端部位 504・・・マウント・リード 505・・・インナー・リード 506・・・発光素子 507・・・モールド部材 601・・・発光素子 602・・・モールド部材 603・・・導電性ワイヤ 604・・・マウント・リード 605・・・インナー・リード
101, 301, 401: concave portion 102: molded member 103: conductive wire 104: mount lead 105: inner lead 106: light emitting element 201: cup 202 Light-emitting elements 203, 403: Tip of mount lead 302, 402: Tie bar 501: Concave part having buffer function 502: Cup for disposing light-emitting element 503: Mount with wire bonding・ Lead tip 504 ・ ・ ・ Mount lead 505 ・ ・ ・ Inner lead 506 ・ ・ ・ Light emitting element 507 ・ ・ ・ Mold member 601 ・ ・ ・ Light emitting element 602 ・ ・ ・ Mold member 603 ・ ・ ・ Conductive wire 604: Mount lead 605: Inner lead

【表1】 [Table 1]

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】マウント・リード(104)のカップ(201)上に
配された発光素子(202)と、該発光素子と電気的に接続
されたインナー・リード(105)とを有するLEDランプ
であって、 発光観測面側からみて前記マウント・リードの先端に
は、前記カップ(201)とマウント・リードの先端部位(20
3)との間に凹部(101)を有することを特徴とするLED
ランプ。
An LED lamp having a light emitting element (202) disposed on a cup (201) of a mounting lead (104) and an inner lead (105) electrically connected to the light emitting element. At the tip of the mount lead as viewed from the light emission observation surface side, the cup (201) and the tip of the mount lead (20
LED having a concave portion (101) between the LED and the LED.
lamp.
【請求項2】前記マウント・リードの先端部位(203)に
発光素子(202)と接続された導電性ワイヤがワイヤボン
ディングされている請求項1に記載のLEDランプ。
2. The LED lamp according to claim 1, wherein a conductive wire connected to the light emitting element (202) is wire-bonded to a tip portion (203) of the mount lead.
【請求項3】前記LEDランプが少なくとも発光素子(2
02)を被覆するモールド部材(102)を有する請求項1に記
載のLEDランプ。
3. An LED lamp comprising at least a light emitting element (2)
The LED lamp according to claim 1, further comprising a mold member (102) covering the second member (02).
【請求項4】前記モールド部材(102)は、平面視楕円形
を呈すると共に表面が楕円球面を有し、平面視楕円形の
長軸方向と平行方向が垂直方向よりも長いカップ(201)
を有する請求項3に記載のLEDランプ。
4. The cup (201) has an elliptical shape in plan view and has an ellipsoidal surface, and a direction parallel to a major axis of the ellipse in plan view is longer than a direction perpendicular thereto.
The LED lamp according to claim 3, comprising:
【請求項5】マウント・リードの先端に発光素子が配さ
れるカップを有するLEDランプの形成方法であって、 前記マウント・リードとなる金属片の先端をプレス加工
してバッファ機能を有する凹部を形成する工程と、 凹部を介して一方の金属片の先端をプレス加工して前記
カップを形成する工程を有するLEDランプの形成方
法。
5. A method for forming an LED lamp having a cup in which a light emitting element is disposed at a tip of a mount lead, wherein a recess having a buffer function is formed by pressing a tip of a metal piece serving as the mount lead. A method for forming an LED lamp, comprising: a forming step; and a step of pressing the tip of one metal piece through a recess to form the cup.
【請求項6】前記バッファ機能を有する凹部を形成する
工程後、凹部を介して他方の金属片の先端をプレス加工
することによりワイヤボンディング用の先端部位を形成
する工程を有する請求項5に記載のLEDランプの形成
方法。
6. The method according to claim 5, further comprising, after the step of forming the recess having the buffer function, forming a tip portion for wire bonding by pressing the tip of the other metal piece through the recess. LED lamp forming method.
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