JP2829450B2 - 処理装置 - Google Patents
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- processing liquid
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は処理装置に関するもの
で、更に詳細には、例えば半導体ウエハ等の被処理体の
処理室に処理液ガスを供給し、半導体ウエハの表面を処
理する処理装置に関するものである。
で、更に詳細には、例えば半導体ウエハ等の被処理体の
処理室に処理液ガスを供給し、半導体ウエハの表面を処
理する処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、被処理体例えば半導体ウエハ等
の表面にフォトレジスト層等を形成する場合、その固着
を良好にするため、半導体ウエハ表面は、ヘキサメチル
ジシラザン（以下ＨＭＤＳという）により前処理が行わ
れることがある。この前処理の際、処理液は、処理液気
化装置によって気化され、気相として半導体ウエハを収
容する処理室に供給され、ここで半導体ウエハの表面に
付着する。
の表面にフォトレジスト層等を形成する場合、その固着
を良好にするため、半導体ウエハ表面は、ヘキサメチル
ジシラザン（以下ＨＭＤＳという）により前処理が行わ
れることがある。この前処理の際、処理液は、処理液気
化装置によって気化され、気相として半導体ウエハを収
容する処理室に供給され、ここで半導体ウエハの表面に
付着する。
【０００３】従来のこの種の処理装置は、図３に示すよ
うに、例えばキャリアガスである窒素（Ｎ2 ）ガスを供
給するＮ2 ガス供給管ｃと処理室ｅへ処理液ガスを供給
する供給管ｄとを接続する処理液収容部ａ内にバブラー
ｂを配設した構造となっている。このように構成される
処理装置において、バブラーｂにより発生されたＮ2の
泡によってＨＭＤＳのガスが生成され、このＨＭＤＳガ
スが供給管ｄを通って処理室ｅへ供給される。そして、
処理室ｅ内の案内通路ｆに案内されて拡散板ｇの拡散孔
ｈから加熱載置台ｉ上のウエハＷに噴射される。この場
合、処理室ｅは排気管ｊを介してエゼクタｋに接続さ
れ、駆動用の圧力空気を駆動空気供給管ｍからエゼクタ
ｋに供給することによって、処理室ｅ内は負圧に維持さ
れるようになっている。なお、図３において、ｎ，ｏは
開閉バルブである。
うに、例えばキャリアガスである窒素（Ｎ2 ）ガスを供
給するＮ2 ガス供給管ｃと処理室ｅへ処理液ガスを供給
する供給管ｄとを接続する処理液収容部ａ内にバブラー
ｂを配設した構造となっている。このように構成される
処理装置において、バブラーｂにより発生されたＮ2の
泡によってＨＭＤＳのガスが生成され、このＨＭＤＳガ
スが供給管ｄを通って処理室ｅへ供給される。そして、
処理室ｅ内の案内通路ｆに案内されて拡散板ｇの拡散孔
ｈから加熱載置台ｉ上のウエハＷに噴射される。この場
合、処理室ｅは排気管ｊを介してエゼクタｋに接続さ
れ、駆動用の圧力空気を駆動空気供給管ｍからエゼクタ
ｋに供給することによって、処理室ｅ内は負圧に維持さ
れるようになっている。なお、図３において、ｎ，ｏは
開閉バルブである。
【０００４】ところで、従来のこの種の処理装置におい
ては、処理液収容部ａ内においてＮ2 の泡が液面ではじ
けると、液滴が生じ、処理液収容部ａから処理室ｅへ通
じる供給管ｄ内で結露してしまうという問題があった。
ては、処理液収容部ａ内においてＮ2 の泡が液面ではじ
けると、液滴が生じ、処理液収容部ａから処理室ｅへ通
じる供給管ｄ内で結露してしまうという問題があった。
【０００５】そこで、このことを防止するため、従来で
はこの処理液収容部ａと処理室ｅとを接続する供給管ｄ
に別のＮ2 供給用配管ｐを接続して、それにより供給管
ｄ内におけるＨＭＤＳガスを希釈して、供給管ｄ内の結
露を防止している。
はこの処理液収容部ａと処理室ｅとを接続する供給管ｄ
に別のＮ2 供給用配管ｐを接続して、それにより供給管
ｄ内におけるＨＭＤＳガスを希釈して、供給管ｄ内の結
露を防止している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、供給管ｄに別途Ｎ2 ガス
供給用配管ｐを接続しなければならず、しかもＮ2 ガス
の供給量やＨＭＤＳガスの量等を制御する必要があるた
め、配管構造及び制御機器等が複雑かつ多く必要とな
り、しかも十分な結露防止ができないという問題があっ
た。また、結露した液滴が処理室ｅ内に侵入すると、ウ
エハＷに付着してしまい、そのためウエハＷの品質の低
下をきたすという問題もあった。
この種の処理装置においては、供給管ｄに別途Ｎ2 ガス
供給用配管ｐを接続しなければならず、しかもＮ2 ガス
の供給量やＨＭＤＳガスの量等を制御する必要があるた
め、配管構造及び制御機器等が複雑かつ多く必要とな
り、しかも十分な結露防止ができないという問題があっ
た。また、結露した液滴が処理室ｅ内に侵入すると、ウ
エハＷに付着してしまい、そのためウエハＷの品質の低
下をきたすという問題もあった。
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、配管構造を簡略化し、被処理体処理室に処理のため
必要かつ十分な濃度の処理液ガスを確実に供給できるよ
うにした処理装置を提供することを目的とするものであ
る。
で、配管構造を簡略化し、被処理体処理室に処理のため
必要かつ十分な濃度の処理液ガスを確実に供給できるよ
うにした処理装置を提供することを目的とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、被処理体処理部と、処理液
収容部と、処理液気化部とを別体に具備する処理装置を
前提とし、上記処理液気化部に、上記処理液の微細液滴
生成手段を設け、この微細液滴生成手段に上記処理液収
容部から所定量の処理液を供給する処理液供給手段を設
け、上記処理液気化部に、微細化された液滴を気化すべ
くガスを供給するガス供給手段を設けることを特徴とす
るものである。
に、この発明の処理装置は、被処理体処理部と、処理液
収容部と、処理液気化部とを別体に具備する処理装置を
前提とし、上記処理液気化部に、上記処理液の微細液滴
生成手段を設け、この微細液滴生成手段に上記処理液収
容部から所定量の処理液を供給する処理液供給手段を設
け、上記処理液気化部に、微細化された液滴を気化すべ
くガスを供給するガス供給手段を設けることを特徴とす
るものである。
【０００９】この発明において、上記微細液滴生成手段
は、処理液を微細液滴化するものであれば任意のもので
よく、例えば電気エネルギを機械エネルギに変換する超
音波振動子を使用することができる。この場合、超音波
振動子は、電気信号による駆動により振動を生じるもの
であって、例えば圧電素子によって形成することができ
る。また、特に大きな出力を必要とする場合には、磁歪
素子を使用することもできる。
は、処理液を微細液滴化するものであれば任意のもので
よく、例えば電気エネルギを機械エネルギに変換する超
音波振動子を使用することができる。この場合、超音波
振動子は、電気信号による駆動により振動を生じるもの
であって、例えば圧電素子によって形成することができ
る。また、特に大きな出力を必要とする場合には、磁歪
素子を使用することもできる。
【００１０】上記処理液供給手段は、処理液収容部と処
理液気化部との間に設けられて、所定量の処理液を処理
液気化部に供給するものであれば、その構造は任意のも
のでよいが、例えば、処理液収容部と処理液気化部を接
続する配管に介設される絞りによって処理液の供給量を
制御できるようにする方が好ましい。それにより処理液
ガスの濃度が制御できる。しかし、処理液ガスの濃度
は、超音波振動子の駆動電力の制御によっても制御でき
る。
理液気化部との間に設けられて、所定量の処理液を処理
液気化部に供給するものであれば、その構造は任意のも
のでよいが、例えば、処理液収容部と処理液気化部を接
続する配管に介設される絞りによって処理液の供給量を
制御できるようにする方が好ましい。それにより処理液
ガスの濃度が制御できる。しかし、処理液ガスの濃度
は、超音波振動子の駆動電力の制御によっても制御でき
る。
【００１１】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、処理液気化部に処理液の微細液滴生成手段を設
け、この微細液滴生成手段に処理液収容部から所定量の
処理液を供給する処理液供給手段を設け、かつ処理液気
化部に、微細化された液滴を気化すべくガスを供給する
ガス供給手段を設けるることにより、処理液収容部内の
処理液は、処理液供給手段を介して一定の供給量で微細
液滴生成手段に供給され、供給された処理液は微細な液
滴となり、ガス供給手段から供給されるガスと接触して
気化する。この際、液滴が微細である程、その表面積比
（液量あたりの表面積の大きさ）は大きくなるので、処
理液は蒸発（気化）し易くなる。また、微細な液滴は供
給管内で結露し難い。蒸発した処理液は、所定の濃度で
供給管を介して被処理体処理部に供給され、ここで被処
理体表面の処理に供される。
よれば、処理液気化部に処理液の微細液滴生成手段を設
け、この微細液滴生成手段に処理液収容部から所定量の
処理液を供給する処理液供給手段を設け、かつ処理液気
化部に、微細化された液滴を気化すべくガスを供給する
ガス供給手段を設けるることにより、処理液収容部内の
処理液は、処理液供給手段を介して一定の供給量で微細
液滴生成手段に供給され、供給された処理液は微細な液
滴となり、ガス供給手段から供給されるガスと接触して
気化する。この際、液滴が微細である程、その表面積比
（液量あたりの表面積の大きさ）は大きくなるので、処
理液は蒸発（気化）し易くなる。また、微細な液滴は供
給管内で結露し難い。蒸発した処理液は、所定の濃度で
供給管を介して被処理体処理部に供給され、ここで被処
理体表面の処理に供される。
【００１２】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基いて詳
細に説明する。この実施例ではこの発明の処理装置を半
導体ウエハ前処理装置に適用した場合について説明す
る。
細に説明する。この実施例ではこの発明の処理装置を半
導体ウエハ前処理装置に適用した場合について説明す
る。
【００１３】図１にはこの発明の処理装置を適用した半
導体ウエハ前処理装置の概略構成図が示されている。
導体ウエハ前処理装置の概略構成図が示されている。
【００１４】半導体ウエハ前処理装置は、被処理体であ
る半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を収容する被
処理体処理部１と、処理液気化部である処理液気化装置
２とを供給管３を介して接続してなり、処理液気化装置
２で気化された処理液ガスすなわちＨＭＤＳガスを供給
管３により処理部１内に供給して、他の処理の前段階と
してウエハＷの表面の前処理を行うように構成されてい
る。
る半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を収容する被
処理体処理部１と、処理液気化部である処理液気化装置
２とを供給管３を介して接続してなり、処理液気化装置
２で気化された処理液ガスすなわちＨＭＤＳガスを供給
管３により処理部１内に供給して、他の処理の前段階と
してウエハＷの表面の前処理を行うように構成されてい
る。
【００１５】この場合、処理部１のチャンバ１ａ内に
は、ウエハＷが加熱機構（図示せず）を内蔵した載置台
４に載置されて収容されており、載置台４の上方には、
一端が供給管３に接続され、他端に多数の拡散孔５を設
けた拡散板６とＨＭＤＳガスの例えばコーン形状をした
案内通路７が設けられている。なお、チャンバ１ａの上
部には開閉可能な蓋１ｂが装着されており、この蓋１ｂ
の開閉によってウエハＷのチャンバ１ａ内への出入れが
可能となっている。また、処理部１の底部には、チャン
バ１ａ内を排気し、また処理後のガスを排気するための
排気管２０が接続されている。排気管２０にはチャンバ
１ａ内を負圧に吸引するためのエゼクタ２１（空気圧式
真空装置）が設けられており、エゼクタ２１には駆動用
の圧力空気を供給する駆動空気供給管２２が接続されて
いる。なお、排気管２０及び駆動空気供給管２２にはそ
れぞれ開閉バルブ２３，２４が設けられている。また、
ＨＭＤＳガス供給管３には、供給管３を吸気系に切換接
続するための切換バルブ２５が設けられている。
は、ウエハＷが加熱機構（図示せず）を内蔵した載置台
４に載置されて収容されており、載置台４の上方には、
一端が供給管３に接続され、他端に多数の拡散孔５を設
けた拡散板６とＨＭＤＳガスの例えばコーン形状をした
案内通路７が設けられている。なお、チャンバ１ａの上
部には開閉可能な蓋１ｂが装着されており、この蓋１ｂ
の開閉によってウエハＷのチャンバ１ａ内への出入れが
可能となっている。また、処理部１の底部には、チャン
バ１ａ内を排気し、また処理後のガスを排気するための
排気管２０が接続されている。排気管２０にはチャンバ
１ａ内を負圧に吸引するためのエゼクタ２１（空気圧式
真空装置）が設けられており、エゼクタ２１には駆動用
の圧力空気を供給する駆動空気供給管２２が接続されて
いる。なお、排気管２０及び駆動空気供給管２２にはそ
れぞれ開閉バルブ２３，２４が設けられている。また、
ＨＭＤＳガス供給管３には、供給管３を吸気系に切換接
続するための切換バルブ２５が設けられている。
【００１６】一方、処理液気化装置２は、上記供給管３
及びＮ2 ガス供給用配管８が接続された気化室９内に配
置される微細液滴生成手段１０と、この微細液滴生成手
段１０に処理液（ＨＭＤＳ液）供給用配管１１を介して
接続するＨＭＤＳ液１２を収容する処理液収容部１３と
を具備している。この場合、微細液滴生成手段１０は超
音波振動子にて形成されており、気化室９の外部に配置
されるドライバ１５（超音波発振器）の駆動によって振
動するようになっている。なおこの場合、超音波振動子
１０は例えば圧電素子又は磁歪素子にて形成され、ドラ
イバ１５からの電気信号によって駆動でき、かつ電気信
号の制御によってその振動出力が制御できるようになっ
ている。また、処理液供給用配管１１の途中には、配管
１１と共働して処理液供給手段を構成する絞り１４が介
設され、この絞り１４には、ＨＭＤＳ液の流量を制御す
る指令信号を伝達する制御部１６が接続されている。な
お、Ｎ2 ガス供給用配管８には流量計８ａが配設されて
Ｎ2 ガスの供給量を管理できるようになっている。ま
た、気化室９の外周には温度調整手段１７が配設され
て、気化室９内の温度が例えば２２℃に保持されてい
る。なお、ＨＭＤＳ液の気化濃度は、ＨＭＤＳ液の流量
あるいは超音波振動子１０の振動出力を制御することに
より調整できる。
及びＮ2 ガス供給用配管８が接続された気化室９内に配
置される微細液滴生成手段１０と、この微細液滴生成手
段１０に処理液（ＨＭＤＳ液）供給用配管１１を介して
接続するＨＭＤＳ液１２を収容する処理液収容部１３と
を具備している。この場合、微細液滴生成手段１０は超
音波振動子にて形成されており、気化室９の外部に配置
されるドライバ１５（超音波発振器）の駆動によって振
動するようになっている。なおこの場合、超音波振動子
１０は例えば圧電素子又は磁歪素子にて形成され、ドラ
イバ１５からの電気信号によって駆動でき、かつ電気信
号の制御によってその振動出力が制御できるようになっ
ている。また、処理液供給用配管１１の途中には、配管
１１と共働して処理液供給手段を構成する絞り１４が介
設され、この絞り１４には、ＨＭＤＳ液の流量を制御す
る指令信号を伝達する制御部１６が接続されている。な
お、Ｎ2 ガス供給用配管８には流量計８ａが配設されて
Ｎ2 ガスの供給量を管理できるようになっている。ま
た、気化室９の外周には温度調整手段１７が配設され
て、気化室９内の温度が例えば２２℃に保持されてい
る。なお、ＨＭＤＳ液の気化濃度は、ＨＭＤＳ液の流量
あるいは超音波振動子１０の振動出力を制御することに
より調整できる。
【００１７】上記のように構成されるこの発明の処理装
置において、処理液収容部１３から処理液供給用配管１
１の絞り１４によって所定量例えば５〜１０mcc のＨＭ
ＤＳ液１２が気化室９内の超音波振動子１０上に供給さ
れると、ＨＭＤＳ液は超音波振動子１０の例えば２０Ｋ
Hz程度の周波数の振動によって微細な液滴となり、Ｎ2
ガス供給用配管８から気化室９内に供給されるＮ2 ガス
と接触して気化する。この時、上記液滴は微細なため蒸
発速度は早く、例えば半径１０μｍの場合６０msec程度
である。そして、気化されたＨＭＤＳガスは供給管３を
流れて被処理体処理部１の案内通路７中の拡散板６の拡
散孔５を通ってウエハＷの表面に均一に拡散されて塗布
される。このとき、ＨＭＤＳガスを処理部１に供給する
ときには、開閉バルブ２３，２４を開いて、エゼクタ２
１に駆動空気供給管２２から駆動用の圧力空気を送り、
エゼクタ２１により処理部１のチャンバ１ａ等の雰囲気
を吸引排気して減圧する。そして、ＨＭＤＳが混入した
Ｎ2 ガスが処理部１に供給された後、開閉バルブ２４を
閉じてエゼクタ２１の動作を止め、Ｎ2 ガスの陽圧によ
り気相化したＨＭＤＳを圧送し、通常のＨＭＤＳ処理状
態とする。
置において、処理液収容部１３から処理液供給用配管１
１の絞り１４によって所定量例えば５〜１０mcc のＨＭ
ＤＳ液１２が気化室９内の超音波振動子１０上に供給さ
れると、ＨＭＤＳ液は超音波振動子１０の例えば２０Ｋ
Hz程度の周波数の振動によって微細な液滴となり、Ｎ2
ガス供給用配管８から気化室９内に供給されるＮ2 ガス
と接触して気化する。この時、上記液滴は微細なため蒸
発速度は早く、例えば半径１０μｍの場合６０msec程度
である。そして、気化されたＨＭＤＳガスは供給管３を
流れて被処理体処理部１の案内通路７中の拡散板６の拡
散孔５を通ってウエハＷの表面に均一に拡散されて塗布
される。このとき、ＨＭＤＳガスを処理部１に供給する
ときには、開閉バルブ２３，２４を開いて、エゼクタ２
１に駆動空気供給管２２から駆動用の圧力空気を送り、
エゼクタ２１により処理部１のチャンバ１ａ等の雰囲気
を吸引排気して減圧する。そして、ＨＭＤＳが混入した
Ｎ2 ガスが処理部１に供給された後、開閉バルブ２４を
閉じてエゼクタ２１の動作を止め、Ｎ2 ガスの陽圧によ
り気相化したＨＭＤＳを圧送し、通常のＨＭＤＳ処理状
態とする。
【００１８】処理部１のチャンバ１ａ内に供給された気
相状態のＨＭＤＳは加熱されたウエハＷに吹き付けら
れ、ウエハＷの表面が疎水化処理される。これにより、
後述のフォトレジスト液塗布工程におけるフォトレジス
トとウエハＷとの密着性・固着性が向上する。
相状態のＨＭＤＳは加熱されたウエハＷに吹き付けら
れ、ウエハＷの表面が疎水化処理される。これにより、
後述のフォトレジスト液塗布工程におけるフォトレジス
トとウエハＷとの密着性・固着性が向上する。
【００１９】上記のように構成される半導体ウエハ前処
理装置は具体的には、図２に示す半導体ウエハ処理装置
の一部に組込まれて使用される。すなわち、装置は、ウ
エハＷに種々の処理を施す処理機構が配設された処理機
構ユニット３０と、処理機構ユニット３０にウエハＷを
搬入・搬出するための搬入・搬出機構３１とから主に構
成されている。
理装置は具体的には、図２に示す半導体ウエハ処理装置
の一部に組込まれて使用される。すなわち、装置は、ウ
エハＷに種々の処理を施す処理機構が配設された処理機
構ユニット３０と、処理機構ユニット３０にウエハＷを
搬入・搬出するための搬入・搬出機構３１とから主に構
成されている。
【００２０】搬入・搬出機構３１は、処理前のウエハＷ
を収納するウエハキャリア３２と、処理後のウエハＷを
収納するウエハキャリア３３と、ウエハＷを吸着保持す
るアーム３４と、このアーム３４をＸ方向、Ｙ方向及び
θ方向にそれぞれ移動させるためのＸ方向移動機構３
５、Ｙ方向移動機構３６及びθ方向移動機構３７と、処
理機構ユニット３０との間でウエハＷの受け渡しがなさ
れる載置台３８とを備えている。また、処理機構ユニッ
ト３０には、ウエハＷとレジスト膜との密着性を向上さ
せるための前処理を行うこの発明の処理装置である前処
理機構１（具体的には被処理体処理部）と、ウエハＷの
上面にレジスト液を塗布する塗布機構３９ａ，３９ｂ
と、塗布機構３９ａ，３９ｂでレジスト液を塗布する前
のウエハＷを冷却して、所定温度に調整するための冷却
機構４０と、ウエハＷに塗布されたレジスト膜中に残存
する溶剤を蒸発させるための加熱処理を行うベーク機構
４１とからなる処理機構が設けられている。また、処理
機構ユニット３０には、上記の各処理機構１，３９ａ〜
４１にウエハＷの搬入及び搬出を行うためのアーム４２
ａを有する搬送機構４２が搬送路４３に沿って移動可能
に配設されている。
を収納するウエハキャリア３２と、処理後のウエハＷを
収納するウエハキャリア３３と、ウエハＷを吸着保持す
るアーム３４と、このアーム３４をＸ方向、Ｙ方向及び
θ方向にそれぞれ移動させるためのＸ方向移動機構３
５、Ｙ方向移動機構３６及びθ方向移動機構３７と、処
理機構ユニット３０との間でウエハＷの受け渡しがなさ
れる載置台３８とを備えている。また、処理機構ユニッ
ト３０には、ウエハＷとレジスト膜との密着性を向上さ
せるための前処理を行うこの発明の処理装置である前処
理機構１（具体的には被処理体処理部）と、ウエハＷの
上面にレジスト液を塗布する塗布機構３９ａ，３９ｂ
と、塗布機構３９ａ，３９ｂでレジスト液を塗布する前
のウエハＷを冷却して、所定温度に調整するための冷却
機構４０と、ウエハＷに塗布されたレジスト膜中に残存
する溶剤を蒸発させるための加熱処理を行うベーク機構
４１とからなる処理機構が設けられている。また、処理
機構ユニット３０には、上記の各処理機構１，３９ａ〜
４１にウエハＷの搬入及び搬出を行うためのアーム４２
ａを有する搬送機構４２が搬送路４３に沿って移動可能
に配設されている。
【００２１】上記のように構成される処理ユニットにお
いて、搬入・搬出機構３１から搬入されたウエハＷは、
前処理機構１で前処理された後、冷却処理、塗布処理さ
れた後にベーク機構４１で加熱処理され、その後、搬入
・搬出機構３１へ搬送され、そしてウエハキャリア３３
に収納されるのである。
いて、搬入・搬出機構３１から搬入されたウエハＷは、
前処理機構１で前処理された後、冷却処理、塗布処理さ
れた後にベーク機構４１で加熱処理され、その後、搬入
・搬出機構３１へ搬送され、そしてウエハキャリア３３
に収納されるのである。
【００２２】なお、上記実施例では、この発明の処理装
置がウエハ前処理装置に適用される場合について説明し
たが、前処理装置以外に、例えば塗布装置、現像装置、
ＣＶＤ装置、洗浄装置等の処理装置にも適用できること
は勿論である。
置がウエハ前処理装置に適用される場合について説明し
たが、前処理装置以外に、例えば塗布装置、現像装置、
ＣＶＤ装置、洗浄装置等の処理装置にも適用できること
は勿論である。
【００２３】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば、上記のように構成されているので、微細
液滴生成手段の制御又は処理液の供給量の制御により処
理液ガスの濃度を簡単かつ確実に制御することができ
る。しかも、微細液滴生成手段により形成される液滴は
微細となり、ガス供給手段から供給されるガスと接触し
て気化するので、配管内の結露が生じ難く、被処理体表
面に処理液の液滴が付着することがなく、被処理体の品
質の低下を防止することができる等の優れた効果が得ら
れる。
装置によれば、上記のように構成されているので、微細
液滴生成手段の制御又は処理液の供給量の制御により処
理液ガスの濃度を簡単かつ確実に制御することができ
る。しかも、微細液滴生成手段により形成される液滴は
微細となり、ガス供給手段から供給されるガスと接触し
て気化するので、配管内の結露が生じ難く、被処理体表
面に処理液の液滴が付着することがなく、被処理体の品
質の低下を防止することができる等の優れた効果が得ら
れる。
【図１】この発明の処理装置を適用した半導体ウエハ前
処理装置を示す概略構成図である。
処理装置を示す概略構成図である。
【図２】図１の半導体ウエハ前処理装置を有する半導体
ウエハ処理装置を示す概略平面図である。
ウエハ処理装置を示す概略平面図である。
【図３】従来の処理装置を示す概略構成図である。
１ 被処理体処理部 ２ 処理液気化装置 ３ 供給管 ８ Ｎ2 ガス供給用配管（ガス供給手段） ９ 気化室 １０ 微細液滴生成手段（超音波振動子） １１ 処理液供給用配管（処理液供給手段） １２ ＨＭＤＳ液（処理液） １３ 処理液収容部 １４ 絞り（処理液供給手段） Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/26
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理体処理部と、処理液収容部と、処
理液気化部とを別体に具備する処理装置において、 上記処理液気化部に、上記処理液の微細液滴生成手段を
設け、この微細液滴生成手段に上記処理液収容部から所
定量の処理液を供給する処理液供給手段を設け、上記処
理液気化部に、微細化された液滴を気化すべくガスを供
給するガス供給手段を設けることを特徴とする処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3287322A JP2829450B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3287322A JP2829450B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102022A JPH05102022A (ja) | 1993-04-23 |
| JP2829450B2 true JP2829450B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=17715863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3287322A Expired - Fee Related JP2829450B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2829450B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001313252A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-11-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| CN107093549A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 粘结中间层的涂覆方法及装置 |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP3287322A patent/JP2829450B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05102022A (ja) | 1993-04-23 |
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