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JP2833658B2 - Resistor composition and electronic component using the same - Google Patents
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JP2833658B2 - Resistor composition and electronic component using the same - Google Patents

Resistor composition and electronic component using the same

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JP2833658B2
JP2833658B2 JP1285596A JP28559689A JP2833658B2 JP 2833658 B2 JP2833658 B2 JP 2833658B2 JP 1285596 A JP1285596 A JP 1285596A JP 28559689 A JP28559689 A JP 28559689A JP 2833658 B2 JP2833658 B2 JP 2833658B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、抵抗体組成物及びこの抵抗体組成物を用い
た抵抗器、ヒータ、厚膜回路基板等の電子部品に関す
る。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a resistor composition and electronic components such as a resistor, a heater, and a thick film circuit board using the resistor composition.

〔従来の技術及びその課題〕[Conventional technology and its problems]

混成集積回路に用いられる回路基板としては、セラミ
ック製の基板上にスクリーン印刷及び焼成により導体や
抵抗体を形成した厚膜回路基板が広く使用されている。
導体材料としては、銀,パラジウム及び金等の貴金属材
料を用いたものが多用されている。一方、抵抗体材料と
しては、通常酸化ルテニウム(RuO2)と酸化鉛(PbO)
系ガラスフリットとの組成物が用いられている。しか
し、前記導体材料は高価格であり、またマイグレーショ
ンが起こりやすいため集積化が困難である。そこで、安
価でマイグレーションが起こりにくい導体材料である銅
(Cu)の実用化が検討されている。
As a circuit board used for a hybrid integrated circuit, a thick film circuit board in which a conductor and a resistor are formed on a ceramic substrate by screen printing and firing is widely used.
As a conductor material, a material using a noble metal material such as silver, palladium, and gold is frequently used. On the other hand, as the resistor material, ruthenium oxide (RuO 2 ) and lead oxide (PbO)
A composition with a system glass frit has been used. However, the conductor material is expensive and migration is likely to occur, making integration difficult. Therefore, practical use of copper (Cu), which is a conductor material that is inexpensive and hardly causes migration, is being studied.

Cuを材料として導体を形成するためには、Cuが酸化さ
れやすいので、グリーンガス等の非酸化性雰囲気上で焼
成する必要がある。しかし、非酸化性雰囲気下では、抵
抗体材料に用いられているRuO2がRuに還元されてしま
う。このため、Cuを導体材料とする場合には、従来の抵
抗材料を用いることができず、非酸化性雰囲気下でも焼
成可能な抵抗材料を用いる必要がある。このような抵抗
材料として、MoSi2、TaSi2、Mg2Si等の金属珪化物の導
体成分とBaO、B2O3、SiO2、CaO、MgO等のガラス材料と
からなる珪化物−ガラス系の抵抗材料が提案されている
(特公昭60−55961号公報参照)。この抵抗材料は、ガ
ラス成分が熱力学的に非常に安定な酸化物からなるた
め、非酸化性雰囲気下で焼成しても安定な抵抗特性を示
す。
In order to form a conductor using Cu as a material, Cu must be fired in a non-oxidizing atmosphere such as a green gas because Cu is easily oxidized. However, in a non-oxidizing atmosphere, RuO 2 used for the resistor material is reduced to Ru. For this reason, when Cu is used as the conductor material, a conventional resistance material cannot be used, and it is necessary to use a resistance material that can be fired even in a non-oxidizing atmosphere. As such a resistance material, a silicide-glass system comprising a conductor component of a metal silicide such as MoSi 2 , TaSi 2 , Mg 2 Si and a glass material such as BaO, B 2 O 3 , SiO 2 , CaO, MgO, etc. Has been proposed (see Japanese Patent Publication No. 60-55961). This resistance material exhibits stable resistance characteristics even when fired in a non-oxidizing atmosphere because the glass component is composed of an oxide that is very thermodynamically stable.

しかし、この抵抗材料は、金属珪化物とガラス成分と
のヌレ性が充分ではない。このため、珪化物をガラス成
分中に均一に分散させるのは困難である。その結果、本
来は金属珪化物の割合が増大するにしたがって抵抗値が
小さくなるにも拘わらず、逆に金属珪化物の割合が増大
するにしたがって抵抗値が大きくなってしまうことがあ
る。
However, this resistance material does not have sufficient wettability between the metal silicide and the glass component. Therefore, it is difficult to uniformly disperse the silicide in the glass component. As a result, although the resistance value originally decreases as the ratio of the metal silicide increases, the resistance value may increase as the ratio of the metal silicide increases.

このような問題を解決する手段として、金属珪化物の
導体成分をあらかじめガラスフリットでコートしておく
構成がすでに知られている(例えば特公昭59−23442号
公報参照)。この構成では、導体成分は、その表面にコ
ートされたガラスフリットとガラス成分との馴染みが良
いため、ガラス成分中に均一に分散されやすい。しか
し、このような構成では、導体成分にガラスフリットを
コートする手間がかかる。このため、抵抗体組成物が高
価格化するという問題が生じる。
As a means for solving such a problem, a configuration in which a conductor component of a metal silicide is coated in advance with a glass frit is already known (for example, see Japanese Patent Publication No. 59-23442). In this configuration, the conductor component has good compatibility between the glass frit coated on the surface thereof and the glass component, and therefore is easily dispersed uniformly in the glass component. However, such a configuration requires time and effort to coat the conductor component with glass frit. Therefore, there is a problem that the resistor composition is expensive.

第1の発明の目的は、非酸化性雰囲気下で焼成するこ
とができ、また安定した抵抗値が得られる安価な抵抗体
組成物を提供することにある。
An object of the first invention is to provide an inexpensive resistor composition that can be fired in a non-oxidizing atmosphere and that can obtain a stable resistance value.

第2の発明の目的は、第1の発明に係る抵抗体組成物
を用いた電子部品を提供することにある。
An object of the second invention is to provide an electronic component using the resistor composition according to the first invention.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

第1の発明に係る抵抗体組成物は、出発材料として、
Ta、Ti、Moの少なくとも1種類の金属と珪素と酸素との
化合物からなる導電性微粉末と、非還元性ガラスからな
る無機バインダーとを用いている。
The resistor composition according to the first invention has, as a starting material,
A conductive fine powder made of a compound of at least one metal of Ta, Ti, and Mo, silicon and oxygen, and an inorganic binder made of non-reducing glass are used.

本発明に用いられる導電性微粉末は、Ta、Ti、Moの少
なくとも1種類の金属元素(M)と珪素(Si)と酸素
(O)との金属珪化物の酸化物からなるなる。このよう
な化合物(以下、金属化合物という)は、一般式MxSiyO
zで表される。なお、式中、x,y,zはそれぞれ0より大き
い値であり、x+y+z=1である。また、前記金属化
合物は、2種以上混合して用いられてもよい。
The conductive fine powder used in the present invention is composed of an oxide of a metal silicide of at least one metal element (M) of Ta, Ti, and Mo, silicon (Si), and oxygen (O). Such a compound (hereinafter referred to as a metal compound) is represented by the general formula MxSiyO
Expressed by z. In the equation, x, y, and z are values larger than 0, respectively, and x + y + z = 1. Further, two or more kinds of the metal compounds may be used as a mixture.

前記金属化合物は、結晶、無定形質のいずれであって
も良い。金属化合物が結晶であるかまたは無定形質であ
るかは、化合物中に含まれる酸素の部分モル比zの大き
さによる。すなわち、zの値が小さい金属化合物は結晶
性であり、これは金属珪化物に酸素元素が侵入した侵入
型固溶によるものと考えられる。一方、zの値が大きい
金属化合物は、結晶性が失われ、無定形質として存在す
る。結晶性の金属化合物と無定形質の金属化合物との違
いは、その導電性(比抵抗)にあることがわかってい
る。発明者の研究によれば、例えば、六方晶構造を示す
Ta0.30Si0.600.10は、比抵抗値が約40μΩcmである。
一方、無定形質のTa0.30Si0.100.60は、比抵抗値が93
0μΩcmである。したがって大きな抵抗値を示す抵抗体
を製造する場合には、無定形質の金属化合物を用いるの
が望ましい。
The metal compound may be either crystalline or amorphous. Whether the metal compound is crystalline or amorphous depends on the magnitude of the partial molar ratio z of oxygen contained in the compound. That is, the metal compound having a small value of z is crystalline, which is considered to be due to the interstitial solid solution in which the oxygen element has penetrated the metal silicide. On the other hand, a metal compound having a large value of z loses crystallinity and exists as an indefinite trait. It is known that the difference between a crystalline metal compound and an amorphous metal compound lies in its conductivity (specific resistance). According to the study of the inventor, for example, it shows a hexagonal structure
Ta 0.30 Si 0.60 O 0.10 has a specific resistance of about 40 μΩcm.
On the other hand, the specific resistance Ta 0.30 Si 0.10 O 0.60 has a specific resistance of 93
0 μΩcm. Therefore, when producing a resistor having a large resistance value, it is desirable to use a metal compound having an indefinite character.

次に、本発明に用いられる金属化合物の製造方法につ
いて説明する。
Next, a method for producing the metal compound used in the present invention will be described.

(1)結晶性金属化合物の製造方法。(1) A method for producing a crystalline metal compound.

結晶性の金属化合物は、金属珪化物の製造過程におい
て、酸素を導入し酸化させることにより製造することが
できる。金属珪化物は、一般には、金属の微粉末と珪素
の微粉末の比率で混合し、この混合物を真空中または非
酸化性雰囲気中において800〜1400℃程度温度範囲内で
焼成することにより化合させ、得られた化合物を微粉末
状に粉砕することによって製造することができる。な
お、酸素を加える方法としては、原料となる金属と珪
素とに酸素をあらかじめ含ませておく方法、焼成時に
少量の酸素をドープする方法、粉砕時に酸素を吸着さ
せる方法、の3つの方法がある。なお、酸素を加える場
合には、製造すべき金属化合物中に、原料金属の酸化物
や酸化珪素が含まないように注意する必要がある。
The crystalline metal compound can be produced by introducing and oxidizing oxygen in the production process of the metal silicide. The metal silicide is generally mixed in a ratio of a metal fine powder and a silicon fine powder, and the mixture is fired in a vacuum or in a non-oxidizing atmosphere at a temperature of about 800 to 1400 ° C. to be compounded. Can be produced by pulverizing the obtained compound into a fine powder. Note that there are three methods for adding oxygen: a method in which oxygen is contained in the metal and silicon as raw materials in advance, a method in which a small amount of oxygen is doped during firing, and a method in which oxygen is adsorbed during grinding. . When oxygen is added, care must be taken so that the metal compound to be produced does not contain an oxide or silicon oxide of the raw material metal.

(2)無定形質の金属化合物の製造方法。(2) A method for producing a metal compound having an indeterminate trait.

無定形質の金属化合物は、原料となる金属と珪素とを
溶融させ、または蒸発させて混合し、これを急冷して微
粉末状に粉砕することにより製造することができる。酸
素を加える方法としては、原料の溶融時に供給する方
法、急冷時の雰囲気内に酸素をドープする方法、粉
砕の際に酸素を吸着させる方法、の3つの方法がある。
The amorphous metal compound can be produced by melting or evaporating a metal as a raw material or silicon, mixing the mixture, quenching the mixture, and pulverizing the mixture into a fine powder. As a method of adding oxygen, there are three methods: a method of supplying the raw material at the time of melting, a method of doping oxygen into the atmosphere at the time of quenching, and a method of adsorbing oxygen during pulverization.

本発明に用いられる金属化合物の粒子径は、数μm以
下、さらにサブミクロン領域が望ましい。金属化合物の
粒子径が大きい場合には、ガラス成分と均等に分散しに
くくなる。
The particle diameter of the metal compound used in the present invention is preferably several μm or less, and more preferably in the submicron region. When the particle diameter of the metal compound is large, it is difficult to uniformly disperse the metal compound.

本発明に用いられる金属化合物は、上述したように金
属珪化物の酸化物からなっている。すなわち、金属珪化
物に酸素原子が導入されており、金属化合物には酸素イ
オンによる電子雲が形成されている。このため、本発明
の金属化合物は、後述する非還元性ガラスを構成する金
属酸化物の酸素イオンによる電子雲によって反発されに
くくなる。この結果、金属化合物と後述する非還元性ガ
ラスとの馴染みが改善される。
The metal compound used in the present invention comprises an oxide of a metal silicide as described above. That is, an oxygen atom is introduced into the metal silicide, and an electron cloud is formed in the metal compound by oxygen ions. For this reason, the metal compound of the present invention is less likely to be repelled by electron clouds due to oxygen ions of the metal oxide constituting the non-reducing glass described later. As a result, the familiarity between the metal compound and the non-reducing glass described below is improved.

本発明に用いられるバインダーは、非還元性ガラスで
ある。本発明は、非還元性ガラスを用いているため、銅
(Cu)及びニッケル(Ni)のような酸化されやすい卑金
属材料を導電体とする回路基板に用いることができる。
The binder used in the present invention is a non-reducing glass. Since the present invention uses non-reducing glass, it can be used for a circuit board using a base metal material that is easily oxidized such as copper (Cu) and nickel (Ni) as a conductor.

本発明に用いられる非還元性ガラスは、上述の金属化
合物に対し安定な金属酸化物からなる組成のものが用い
られる。このような金属酸化物としては、分子中の金属
−酸素結合1個あたりの900℃におけるギブスの標準生
成自由エネルギーが−78Kcal/mol以下のものが望まし
い。このような金属酸化物としては、例えばCaO、MgO、
BaO、ZrO2、Al2O3、TiO2、SiO2、B2O、Sc,La,Ce等の希
土類の酸化物を挙げることができる。
As the non-reducing glass used in the present invention, a non-reducing glass having a composition composed of a metal oxide stable to the above-mentioned metal compound is used. As such a metal oxide, one having a standard Gibbs free energy of formation of -78 Kcal / mol or less at 900 ° C. per one metal-oxygen bond in the molecule is desirable. Examples of such metal oxides include CaO, MgO,
BaO, ZrO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , SiO 2 , B 2 O, and rare earth oxides such as Sc, La, and Ce can be given.

本発明に用いられる非還元性ガラスは、前記金属酸化
物のうち、B2O3とSiO2を中心として前記金属酸化物を任
意の割合で混合することにより得ることができる硼珪酸
系のガラスである。第1表に本発明に用いられる非還元
性のガラスの具体例を示す。
The non-reducing glass used in the present invention is a borosilicate glass that can be obtained by mixing the metal oxides at an arbitrary ratio centering on B 2 O 3 and SiO 2 among the metal oxides. It is. Table 1 shows specific examples of the non-reducing glass used in the present invention.

このような非還元性ガラスは、所定の成分を混合し、加
熱溶融することにより得ることができる。
Such a non-reducing glass can be obtained by mixing predetermined components and heating and melting.

本発明の抵抗体組成物は、前記導電性微粉末(MxSiyO
z)と前記無機バインダー成分とを混合することにより
得ることができる。本発明の抵抗体組成物によって製造
しよとする抵抗体の抵抗値は、導電性微粉末と無機バイ
ンダーとの混合割合によって調整することが可能であ
る。即ち、抵抗値を小さくする場合には、無機バインダ
ーの割合を小さくし、抵抗値を大きくする場合には、バ
インダーの割合を大きくする。
The resistor composition of the present invention comprises the conductive fine powder (MxSiyO
It can be obtained by mixing z) with the inorganic binder component. The resistance of the resistor to be manufactured by the resistor composition of the present invention can be adjusted by the mixing ratio of the conductive fine powder and the inorganic binder. That is, when the resistance value is reduced, the ratio of the inorganic binder is reduced, and when the resistance value is increased, the ratio of the binder is increased.

本発明の抵抗体組成物はエチルセルロース、アクリル
樹脂やエチレン−酢酸ビニル共重合体等の樹脂成分と、
α−ターピネオールや2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタ
ンジオールモノイソブチレート等の溶剤とからなる有機
ビヒクル中に分散させ、、ペースト化することによって
用いられる。そして、このペーストを、スクリーン印刷
等の周知手段により、たとえばセラミック基板上に所定
のパターンで印刷した後焼成することによって、抵抗体
を得ることができる。
Resistor composition of the present invention is a resin component such as ethyl cellulose, acrylic resin or ethylene-vinyl acetate copolymer,
It is used by dispersing it in an organic vehicle comprising a solvent such as α-terpineol or 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate and forming a paste. Then, the paste can be printed by a known means such as screen printing, for example, on a ceramic substrate in a predetermined pattern, and then fired to obtain a resistor.

本発明の抵抗体組成物は、チップ抵抗、ヒータ及び膜
厚混成集積回路等に利用することができる。
The resistor composition of the present invention can be used for a chip resistor, a heater, a film thickness hybrid integrated circuit, and the like.

******* 第2の発明に係る電子部品は、耐熱絶縁基板上に形成
されかつ第1の発明の抵抗体組成物からなる抵抗体部
と、抵抗体部の両端に設けられた電極とを備えている。
******** The electronic component according to the second invention is provided on a heat-resistant insulating substrate and provided at both ends of the resistor portion made of the resistor composition of the first invention and both ends of the resistor portion. Electrodes.

本発明の一例としての抵抗器を第1図に示す。第1図
は抵抗器の縦断面図を示している。
FIG. 1 shows a resistor as an example of the present invention. FIG. 1 shows a longitudinal sectional view of the resistor.

抵抗器1は、主に、セラミック基体2と抵抗体3と電
極4とから構成されている。電極4は、セラミック基体
2の図面上面の縁部から側面を通って図面下面の縁部に
かけて設けられている。電極4は、例えばCuまたはNi等
の非金属の導電体により構成されている。電極4の上面
には、電極4を被覆するようにメッキ層5が設けられて
いる。
The resistor 1 mainly includes a ceramic base 2, a resistor 3, and an electrode 4. The electrode 4 is provided from the edge of the upper surface of the ceramic base 2 to the edge of the lower surface of the drawing through the side surface. The electrode 4 is made of a nonmetallic conductor such as Cu or Ni. A plating layer 5 is provided on the upper surface of the electrode 4 so as to cover the electrode 4.

抵抗体3は、第1の発明の抵抗体組成物の焼結物から
なり、セラミック基体2の上面において両電極4に接続
するように概ね平板状に設けられている。抵抗体3上に
は、抵抗体3を保護するためのオーバーコートガラス6
が形成されている。
The resistor 3 is made of a sintered product of the resistor composition of the first invention, and is provided on the upper surface of the ceramic base 2 in a substantially flat shape so as to be connected to the electrodes 4. On the resistor 3, an overcoat glass 6 for protecting the resistor 3 is provided.
Are formed.

前記抵抗器1は、例えば、後述するような回路基板上
に配置されて用いられる。この際、抵抗器1は、セラミ
ック基体2の図面下面のメッキ層5部分が回路基板上に
はんだ付け等の手段により固定される。
The resistor 1 is used, for example, disposed on a circuit board as described later. At this time, in the resistor 1, a portion of the plating layer 5 on the lower surface of the ceramic substrate 2 in the drawing is fixed on the circuit board by means such as soldering.

このような抵抗器1は、次のようにして製造すること
ができる。
Such a resistor 1 can be manufactured as follows.

まず、セラミック基体2を用意し、この表面に電極4
を形成する。電極4は、Cu等を有機ビヒクル中に分散さ
せてペースト状とし、このペーストを周知の手法により
印刷した後焼成することによって得ることができる。
First, a ceramic base 2 is prepared, and an electrode 4
To form The electrode 4 can be obtained by dispersing Cu or the like in an organic vehicle to form a paste, printing this paste by a known method, and firing the paste.

一方、第1の発明に係る抵抗体組成物を有機ビヒクル
中に分散させたペーストを作成する。そして、このペー
ストを、セラミック基体2の上面において電極4相互を
接続する形状となるように周知の手法(例えばスクリー
ン印刷)により印刷して焼成する。このとき、有機ビヒ
クルは揮発除去される。一方、抵抗体組成物は、セラミ
ック基体2上に焼成する。これにより、セラミック基体
2上には、電極4相互を接続する抵抗体3が構成され
る。
On the other hand, a paste in which the resistor composition according to the first invention is dispersed in an organic vehicle is prepared. Then, the paste is printed and fired by a known method (for example, screen printing) so that the electrodes 4 are connected to each other on the upper surface of the ceramic base 2. At this time, the organic vehicle is volatilized and removed. On the other hand, the resistor composition is fired on the ceramic substrate 2. Thus, the resistor 3 for connecting the electrodes 4 is formed on the ceramic base 2.

その後、抵抗体3上にオーバーコートガラスを形成
し、電極4上にメッキ層5を形成すると抵抗器1が得ら
れる。
After that, when the overcoat glass is formed on the resistor 3 and the plating layer 5 is formed on the electrode 4, the resistor 1 is obtained.

次に、本発明の一例としての回路基板を第2図に示
す。第2図は、回路基板の縦断面部分図である。
Next, a circuit board as an example of the present invention is shown in FIG. FIG. 2 is a partial longitudinal sectional view of the circuit board.

回路基板11は、3枚のセラミック基体11a,11b,11cが
積層された3層構造の基板である。ただし、各層は焼結
一体化している。セラミック基体11a,11b,11cの間及び
表面には、所定の導体配線12が形成されている。導体配
線12は、CuまたはNi卑金属の粉末を有機ビヒクル中に分
散させてペースト状とし、このペーストを印刷または充
填した後焼成することにより形成することができる。抵
抗体13は、回路基板11の表面において、導体配線12に接
続するように概ね平板状に形成されちる。抵抗体13は、
第1の発明にかかる抵抗体組成物からなり、この抵抗体
組成物を有機ビヒクル中に分散させてペースト状とし、
このペーストを印刷した後焼成することにより構成する
ことができる。なお、抵抗体13の表面は、オーバーコー
トガラス14によって被覆されている。
The circuit board 11 has a three-layer structure in which three ceramic substrates 11a, 11b, and 11c are stacked. However, each layer is sintered and integrated. A predetermined conductor wiring 12 is formed between and on the surfaces of the ceramic bases 11a, 11b, 11c. The conductor wiring 12 can be formed by dispersing Cu or Ni base metal powder in an organic vehicle to form a paste, and printing or filling the paste followed by firing. The resistor 13 is formed in a substantially flat shape on the surface of the circuit board 11 so as to be connected to the conductor wiring 12. The resistor 13 is
The resistor composition according to the first invention is dispersed in an organic vehicle to form a paste,
After printing this paste, it can be comprised by baking. Note that the surface of the resistor 13 is covered with an overcoat glass 14.

前記回路基板11は、他の所定の電子部品を導体配線12
上に載置することによって用いられる。電子部品は、所
定の部位(例えば第3図のA,B部)に配置され、導体配
線12に接続するようにはんだ付け等の手段により固定さ
れる。
The circuit board 11 includes another predetermined electronic component as a conductor wiring 12
Used by mounting on top. The electronic components are arranged at predetermined positions (for example, portions A and B in FIG. 3) and are fixed by means such as soldering so as to be connected to the conductor wiring 12.

〔実施例〕〔Example〕

まず、非還元性ガラスとして、第1表に示す組成割合
で3種類のガラスA,B,Cを作成した。
First, three types of glasses A, B, and C were prepared as the non-reducing glasses at the composition ratios shown in Table 1.

実施例1〜6及び比較例1,2 導電性微粉末として、第2表に示す組成の金属化合物
を用い、ガラスA,B,Cとそれぞれ第2表に示す割合で混
合し抵抗体組成物を作成した。
Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 As conductive fine powder, a metal compound having a composition shown in Table 2 was mixed with glass A, B, and C at a ratio shown in Table 2 to form a resistor composition. It was created.

得られた抵抗体組成物をエチルセルロースと2,2,4−
トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレー
トとからなる有機ビヒクル中に分散させてペーストを作
成した。このペーストを、アルミナ96%のセラミック基
板(商品名A476、京セラ(株)製)上にスクリーン印刷
し、120℃で乾燥した後、窒素雰囲気下でピーク温度900
℃の焼成を行うことにより抵抗体を製造した。なお、こ
の際、抵抗体の抵抗値を計測するために、セラミック基
板にはあらかじめCu厚膜導体を形成しておいた。
The obtained resistor composition was mixed with ethyl cellulose and 2,2,4-
A paste was prepared by dispersing in an organic vehicle consisting of trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate. This paste is screen-printed on a ceramic substrate of 96% alumina (trade name: A476, manufactured by Kyocera Co., Ltd.), dried at 120 ° C., and then heated to a peak temperature of 900 in a nitrogen atmosphere.
A resistor was manufactured by firing at a temperature of ℃. At this time, in order to measure the resistance value of the resistor, a Cu thick film conductor was previously formed on the ceramic substrate.

得られた抵抗体について、抵抗値、温度特性及び第3
高調波歪率を計測した。測定方法は次の通りである。
The resistance value, the temperature characteristic and the third
The harmonic distortion was measured. The measuring method is as follows.

抵抗値 抵抗値は、次の式により基準化した。Resistance value The resistance value was standardized by the following equation.

抵抗値(Ω/□)= (測定抵抗値(Ω/□)× 抵抗体膜厚(μm)/15μm) 温度特性 高温温度特性(HTCR)及び低温温度特性(CTCR)を、
次の式に従い測定した。
Resistance value (Ω / □) = (Measured resistance value (Ω / □) × Resistor film thickness (μm) / 15μm) Temperature characteristics High-temperature temperature characteristics (HTCR) and low-temperature temperature characteristics (CTCR)
It measured according to the following formula.

なお、HTCR及びCTCRは、0に近いほど温度特性が優れて
いることを示している。
It should be noted that HTCR and CTCR indicate that the closer to 0, the better the temperature characteristics.

第3高調波歪率 第2表において、実施例1、4〜12は結晶質の導電性
微粉末を用いたものであり、実施例2、3は無定形質の
導電性微粉末を用いたものである。
Third harmonic distortion In Table 2, Examples 1 and 4 to 12 use crystalline conductive fine powder, and Examples 2 and 3 use amorphous conductive fine powder.

実施例1と比較例1、及び実施例10と比較例2は、そ
れぞれ同じ無機バインダーを同じ配合量で用いたもので
ある。実施例1、10では、抵抗値及び温度特性も0に近
づいていることがわかる。このため、出発材料の導電性
微粉末として実施例の金属化合物を用いるのが有用であ
ることがわかる。
Example 1 and Comparative Example 1 and Example 10 and Comparative Example 2 each use the same inorganic binder in the same amount. In Examples 1 and 10, it can be seen that the resistance value and the temperature characteristic also approach 0. Therefore, it is found that it is useful to use the metal compound of the example as the conductive fine powder of the starting material.

また、結晶質(実施例1、4〜12)と無定形質(実施
例2、3)の導電性微粉末については、抵抗値及び温度
特性が比較的安定することがわかる。
In addition, it can be seen that the resistance and the temperature characteristics of the crystalline (Examples 1, 4 to 12) and amorphous powders (Examples 2, 3) are relatively stable.

また、金属化合物の金属と珪素とのモル比が1:2(実
施例5〜12)の場合には、ガラス組成とも関連するが温
度特性を比較的小さく(±350ppm/℃以内)できること
がわかる。
In addition, when the molar ratio of the metal to silicon in the metal compound is 1: 2 (Examples 5 to 12), the temperature characteristics can be relatively small (within ± 350 ppm / ° C.), although it is related to the glass composition. .

さらに、導電性微粉末として結晶質のものを用い、ま
た導電性微粉末の金属と珪素とのモル比を1:2に設定
し、さらにガラスの重量を適正に制御すれば、高調波歪
率を−90dB以下に改善できることがわかる。
Furthermore, if a crystalline material is used as the conductive fine powder, the molar ratio of the metal to silicon in the conductive fine powder is set to 1: 2, and the weight of the glass is appropriately controlled, the harmonic distortion can be reduced. Can be improved to -90 dB or less.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

第1の発明では、バインダーとして非還元性ガラスを
用いている。このため、第1の発明の抵抗体組成物は、
非酸化性雰囲気下で焼成することが可能である。また、
第1の発明に用いられる導電性微粉末は金属珪化物の酸
化物であるため、バインダーとの馴染みが良好である。
このため、第1の発明では、安定な抵抗値を示す安価な
抵抗体を得ることができる。
In the first invention, non-reducing glass is used as a binder. For this reason, the resistor composition of the first invention is
It is possible to fire in a non-oxidizing atmosphere. Also,
Since the conductive fine powder used in the first invention is an oxide of a metal silicide, it is well compatible with a binder.
For this reason, in the first aspect, an inexpensive resistor having a stable resistance value can be obtained.

また、第2の発明では、第1の発明に係る抵抗体組成
物を用いているため、安定な抵抗値を示す電子部品を得
ることができる。
In the second aspect, since the resistor composition according to the first aspect is used, an electronic component exhibiting a stable resistance value can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は第2の発明の一例としての抵抗器の縦断面図、
第2図は第2の発明の一例としての回路基板の縦断面部
分図である。 3……抵抗体、4……電極、11……回路基板、11A,11B,
11C……セラミック基体、12……導体配線、13……抵抗
体。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a resistor as an example of the second invention,
FIG. 2 is a partial longitudinal sectional view of a circuit board as an example of the second invention. 3 ... resistor, 4 ... electrode, 11 ... circuit board, 11A, 11B,
11C: ceramic base, 12: conductor wiring, 13: resistor.

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】出発材料として、Ta、Ti、Moの少なくとも
1種類の金属と珪素と酸素との化合物からなる導電性微
粉末と、非還元性ガラスからなる無機バインダーとを用
いた抵抗体組成物。
1. A resistor composition using, as a starting material, a conductive fine powder composed of a compound of at least one metal of Ta, Ti, and Mo, silicon and oxygen, and an inorganic binder composed of non-reducing glass. Stuff.
【請求項2】耐熱絶縁基板上に形成された、出発材料と
して、Ta、Ti、Moの少なくとも1種類の金属と珪素と酸
素との化合物からなる導電性微粉末と、非還元性ガラス
からなる無機バインダーとを用いた抵抗体組成物からな
る抵抗体部と、 前記抵抗体部の両端に設けられた電極と、 を備えた電子部品。
2. A conductive fine powder comprising a compound of at least one kind of metal of Ta, Ti, and Mo, silicon and oxygen, formed on a heat-resistant insulating substrate, and non-reducing glass. An electronic component comprising: a resistor portion made of a resistor composition using an inorganic binder; and electrodes provided at both ends of the resistor portion.
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