JP2833684B2 - 薄膜形成装置のクリーニング方法 - Google Patents
薄膜形成装置のクリーニング方法Info
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Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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- Detergent Compositions (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ、真空蒸着、ス
パッタリング、溶射等の薄膜形成プロセスにおいて、目
的物以外の装置内壁や治具等に堆積した堆積物（タング
ステン、タングステンシリサイド、炭化タングステン、
チタン、窒化チタン、炭化チタン、シリコン、ゲルマニ
ウム、窒化珪素、酸化窒化珪素、タンタル、酸化タンタ
ル、モリブデン、モリブデンシリサイド、レニウム、レ
ニウムシリサイド）を除去するためにＮＦ3 にＦ2 を添
加した混合ガスを用いてプラズマレスでクリーニングす
る方法に関する。
パッタリング、溶射等の薄膜形成プロセスにおいて、目
的物以外の装置内壁や治具等に堆積した堆積物（タング
ステン、タングステンシリサイド、炭化タングステン、
チタン、窒化チタン、炭化チタン、シリコン、ゲルマニ
ウム、窒化珪素、酸化窒化珪素、タンタル、酸化タンタ
ル、モリブデン、モリブデンシリサイド、レニウム、レ
ニウムシリサイド）を除去するためにＮＦ3 にＦ2 を添
加した混合ガスを用いてプラズマレスでクリーニングす
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および解決すべき問題点】アモルファス太
陽電池、液晶デバイス、集積回路等を製造するプロセス
において、ＣＶＤ、真空蒸着やスパッタリング等の薄膜
形成プロセスは重要な製造行程の一つである。
陽電池、液晶デバイス、集積回路等を製造するプロセス
において、ＣＶＤ、真空蒸着やスパッタリング等の薄膜
形成プロセスは重要な製造行程の一つである。
【０００３】一方、これらの薄膜形成プロセスにおいて
薄膜を形成すべき目的物以外の装置内壁や治具に多量の
堆積物が付着し、装置内部でパーティクルを発生させた
り堆積物の剥離を起こし生産性を悪化させたり歩留まり
の低下を引き起こすことが問題となっている。
薄膜を形成すべき目的物以外の装置内壁や治具に多量の
堆積物が付着し、装置内部でパーティクルを発生させた
り堆積物の剥離を起こし生産性を悪化させたり歩留まり
の低下を引き起こすことが問題となっている。
【０００４】近年では、これらの堆積物を取り除くため
の効率的な方法としてフッ化物ガスを堆積物と接触させ
ることにより除去するガスクリーニングが行われてい
る。そのガスクリーニングの方法大別すると、Ｎ
Ｆ3 、ＣＦ4 、ＳＦ6 、Ｃ2 Ｆ6 を用いたプラズマクリ
ーニング、ＣｌＦ3 やＦ2 を用いたプラズマレスクリ
ーニングがある。
の効率的な方法としてフッ化物ガスを堆積物と接触させ
ることにより除去するガスクリーニングが行われてい
る。そのガスクリーニングの方法大別すると、Ｎ
Ｆ3 、ＣＦ4 、ＳＦ6 、Ｃ2 Ｆ6 を用いたプラズマクリ
ーニング、ＣｌＦ3 やＦ2 を用いたプラズマレスクリ
ーニングがある。
【０００５】しかしながら、これらの方法はいくつかの
問題点を有している。プラズマクリーニングにおいて
は、プラズマを用いるために装置材料自体の損傷のため
にクリーニング時にパーティクルが増加する。さらに、
プラズマを発生させる装置を保有していない反応装置に
は用いることができず、装置上の制約を受ける問題があ
る。このことからプラズマを発生させる装置がない反応
装置はもちろんのこと、プラズマを発生させる装置があ
る反応装置においてもプラズマレスクリーニングを行う
ことが好ましい。
問題点を有している。プラズマクリーニングにおいて
は、プラズマを用いるために装置材料自体の損傷のため
にクリーニング時にパーティクルが増加する。さらに、
プラズマを発生させる装置を保有していない反応装置に
は用いることができず、装置上の制約を受ける問題があ
る。このことからプラズマを発生させる装置がない反応
装置はもちろんのこと、プラズマを発生させる装置があ
る反応装置においてもプラズマレスクリーニングを行う
ことが好ましい。
【０００６】プラズマレスクリーニングにおいてＣｌＦ
3 を用いる場合、ＣｌＦ3 が非常に高反応性を有するた
め使用できる装置材料が限定されるという問題がある。
また、Ｆ2 においては、高濃度ガスを用いる場合は、や
はり装置材料が限定されるという問題が生じる。
3 を用いる場合、ＣｌＦ3 が非常に高反応性を有するた
め使用できる装置材料が限定されるという問題がある。
また、Ｆ2 においては、高濃度ガスを用いる場合は、や
はり装置材料が限定されるという問題が生じる。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】かかる問題点に鑑み本
発明者らは、装置材料に対して極めて損傷が少ないＮＦ
3 ガスについてプラズマレスクリーニングを検討した結
果、比較的高温下ではかなりの膜を除去する速度（エッ
チング速度）を有していることを確認し、さらに意外に
もＮＦ3 にＦ2 を添加した場合、一定の条件範囲では、
ＮＦ3 １００ｖｏｌ％ガスやＮＦ3 に代えてＮ2 やＡ
ｒ、Ｈｅ等の不活性ガスとＦ2 との混合ガスよりもエッ
チング速度が飛躍的に大きくなるという特異な現象を見
いだし、本発明に到達した。
発明者らは、装置材料に対して極めて損傷が少ないＮＦ
3 ガスについてプラズマレスクリーニングを検討した結
果、比較的高温下ではかなりの膜を除去する速度（エッ
チング速度）を有していることを確認し、さらに意外に
もＮＦ3 にＦ2 を添加した場合、一定の条件範囲では、
ＮＦ3 １００ｖｏｌ％ガスやＮＦ3 に代えてＮ2 やＡ
ｒ、Ｈｅ等の不活性ガスとＦ2 との混合ガスよりもエッ
チング速度が飛躍的に大きくなるという特異な現象を見
いだし、本発明に到達した。
【０００８】すなわち本発明は、三フッ化窒素にフッ素
を添加した混合ガス組成物により、タングステン、タン
グステンシリサイド、炭化タングステン、モリブデン、
モリブデンシリサイド、レニウム、レニウムシリサイ
ド、チタン、窒化チタン、炭化チタン、タンタル、酸化
タンタル、窒化珪素、シリコン、酸化窒化珪素、ゲルマ
ニウムを１５０〜６００℃の温度範囲で反応除去するこ
とにより、装置内壁や治具上に堆積した堆積物をクリー
ニングする方法を提供するものである。
を添加した混合ガス組成物により、タングステン、タン
グステンシリサイド、炭化タングステン、モリブデン、
モリブデンシリサイド、レニウム、レニウムシリサイ
ド、チタン、窒化チタン、炭化チタン、タンタル、酸化
タンタル、窒化珪素、シリコン、酸化窒化珪素、ゲルマ
ニウムを１５０〜６００℃の温度範囲で反応除去するこ
とにより、装置内壁や治具上に堆積した堆積物をクリー
ニングする方法を提供するものである。
【０００９】本発明において、ＮＦ3 に添加するＦ2 ガ
ス濃度は、Ｆ2 添加によるエッチング速度の向上効果を
考えると４０ｖｏｌ％以下の範囲で適時選択すればよ
い。また、装置材料に腐食が懸念されるものが使用され
てある場合は、４０ｖｏｌ％以下の添加量から適時選択
して使用すればよい。さらに、装置材料の腐食やボンベ
にＮＦ3 とＦ2 の混合ガスを充填する場合、ボンベの耐
久性等を考慮すれば２０ｖｏｌ％以下の濃度のＦ2 を添
加することがより好ましい。
ス濃度は、Ｆ2 添加によるエッチング速度の向上効果を
考えると４０ｖｏｌ％以下の範囲で適時選択すればよ
い。また、装置材料に腐食が懸念されるものが使用され
てある場合は、４０ｖｏｌ％以下の添加量から適時選択
して使用すればよい。さらに、装置材料の腐食やボンベ
にＮＦ3 とＦ2 の混合ガスを充填する場合、ボンベの耐
久性等を考慮すれば２０ｖｏｌ％以下の濃度のＦ2 を添
加することがより好ましい。
【００１０】次に、処理温度については、以下に記した
条件内であればＦ2 の添加効果を得ることができる。す
なわち、ＮＦ3 に添加する濃度にかかわらず、クリーニ
ングする温度が１５０℃を下回ると、エッチング速度は
Ｆ2 をＮ2 で希釈したガスとエッチング速度が同等にな
る。従って、ＮＦ3 へのＦ2 添加によるエッチング速度
の向上効果を得るためには、１５０℃以上の温度でクリ
ーニングする必要がある。また、エッチング速度に対し
て有効なＮＦ3 へのＦ2 添加効果を得るためのクリーニ
ング温度の上限はＮＦ3 に添加するＦ2 濃度に応じて変
化する（参考例４〜１１）。すなわち、ＮＦ3 にＦ2 を
一定濃度で添加したガスでエッチングした場合、ある温
度より高い温度でエッチングするとエッチング速度がＮ
Ｆ3 １００ｖｏｌ％ガスでエッチングした場合と比較し
て低い値しか得ることができないということである。
条件内であればＦ2 の添加効果を得ることができる。す
なわち、ＮＦ3 に添加する濃度にかかわらず、クリーニ
ングする温度が１５０℃を下回ると、エッチング速度は
Ｆ2 をＮ2 で希釈したガスとエッチング速度が同等にな
る。従って、ＮＦ3 へのＦ2 添加によるエッチング速度
の向上効果を得るためには、１５０℃以上の温度でクリ
ーニングする必要がある。また、エッチング速度に対し
て有効なＮＦ3 へのＦ2 添加効果を得るためのクリーニ
ング温度の上限はＮＦ3 に添加するＦ2 濃度に応じて変
化する（参考例４〜１１）。すなわち、ＮＦ3 にＦ2 を
一定濃度で添加したガスでエッチングした場合、ある温
度より高い温度でエッチングするとエッチング速度がＮ
Ｆ3 １００ｖｏｌ％ガスでエッチングした場合と比較し
て低い値しか得ることができないということである。
【００１１】 １５０≦Ｔ＜４．５６×１０2 ＋１１．６Ｃ ・・・・（１） （Ｃ≦１０の場合） １５０≦Ｔ＜５．５１×１０2 ＋１．６０Ｃ ・・・・（２） （１０≦Ｃ≦２０の場合） １５０≦Ｔ＜５．７７×１０2 ＋０．３６Ｃ ・・・・（３） （２０≦Ｃの場合） Ｔ：クリーニング温度（℃） Ｃ：ＮＦ3 に添加するＦ2 濃度（ｖｏｌ％） 式（１）〜（３）の右辺はＮＦ3 １００ｖｏｌ％ガス、
Ｆ2 添加ＮＦ3 ガスのいずれでエッチングした場合も同
等のエッチング速度を得る温度を示している。
Ｆ2 添加ＮＦ3 ガスのいずれでエッチングした場合も同
等のエッチング速度を得る温度を示している。
【００１２】以上から、ＮＦ3 に添加するＦ2 濃度が１
０ｖｏｌ％以下の場合は、式（１）で表せる温度範囲、
１０〜２０ｖｏｌ％の場合は、式（２）の温度範囲、２
０ｖｏｌ％以上の場合は、式（３）の温度範囲でクリー
ニングすることにより、ＮＦ 3 へのＦ2 添加における有
効なエッチング速度の効果を得ることができ、上限温度
は、約６００℃となる。
０ｖｏｌ％以下の場合は、式（１）で表せる温度範囲、
１０〜２０ｖｏｌ％の場合は、式（２）の温度範囲、２
０ｖｏｌ％以上の場合は、式（３）の温度範囲でクリー
ニングすることにより、ＮＦ 3 へのＦ2 添加における有
効なエッチング速度の効果を得ることができ、上限温度
は、約６００℃となる。
【００１３】次に、ＮＦ3 へのＦ2 の添加方法について
は、ＮＦ3 とＦ2 をマスフローコントローラで個別に流
量制御した後、配管中で混合し、反応器に導入する方法
や濃度調整したガスをボンベに充填したのち反応器に導
入する方法等が考えられるが、その方法については特に
限定されない。
は、ＮＦ3 とＦ2 をマスフローコントローラで個別に流
量制御した後、配管中で混合し、反応器に導入する方法
や濃度調整したガスをボンベに充填したのち反応器に導
入する方法等が考えられるが、その方法については特に
限定されない。
【００１４】以上のように該方法では、装置材料に対し
て腐食性が極めて小さいＮＦ3 に、比較的腐食性が小さ
いＦ2 を添加したガスを用いてプラズマレスクリーニン
グするため、従来のクリーニング方法よりも装置材料に
与える損傷が遙かに少なく、かつ、短時間で薄膜形成装
置の目的物以外に堆積した多量の堆積物をクリーニング
できる。
て腐食性が極めて小さいＮＦ3 に、比較的腐食性が小さ
いＦ2 を添加したガスを用いてプラズマレスクリーニン
グするため、従来のクリーニング方法よりも装置材料に
与える損傷が遙かに少なく、かつ、短時間で薄膜形成装
置の目的物以外に堆積した多量の堆積物をクリーニング
できる。
【００１５】さらに、二次的効果として、このガスは
Ｆ2 が混合されているため、ＳｉＨ 4 と混合した場合、
自然発火し、ＮＦ3 とＳｉＨ4 混合による爆鳴気の生成
が阻害され、爆発の危険性を回避できること、ＮＦ3
は無色無臭のガスであり、漏洩時の検知が困難であった
が、フッ素はオゾン臭を有しているため極微量の漏洩で
あっても容易に検知できることが挙げられる。
Ｆ2 が混合されているため、ＳｉＨ 4 と混合した場合、
自然発火し、ＮＦ3 とＳｉＨ4 混合による爆鳴気の生成
が阻害され、爆発の危険性を回避できること、ＮＦ3
は無色無臭のガスであり、漏洩時の検知が困難であった
が、フッ素はオゾン臭を有しているため極微量の漏洩で
あっても容易に検知できることが挙げられる。
【００１６】
【実施例】以下に実施例により本発明を詳細に説明す
る。 実施例１〜７、比較例１〜１１、参考例１ Ｎｉ基板上にＷＦ6 を原料ガスとしてＣＶＤでＷを１０
０μｍ堆積させたサンプルに、Ｎ2 にＦ2 を５ｖｏｌ％
添加した希釈ガス、ＮＦ3 １００ｖｏｌ％ガス、ＮＦ3
にＦ2 を５ｖｏｌ％添加したガスでエッチングを行い、
エッチング速度を測定した。エッチング速度の測定はエ
ッチング前後のサンプル重量の変化と膜密度から算出し
た。
る。 実施例１〜７、比較例１〜１１、参考例１ Ｎｉ基板上にＷＦ6 を原料ガスとしてＣＶＤでＷを１０
０μｍ堆積させたサンプルに、Ｎ2 にＦ2 を５ｖｏｌ％
添加した希釈ガス、ＮＦ3 １００ｖｏｌ％ガス、ＮＦ3
にＦ2 を５ｖｏｌ％添加したガスでエッチングを行い、
エッチング速度を測定した。エッチング速度の測定はエ
ッチング前後のサンプル重量の変化と膜密度から算出し
た。
【００１７】エッチング条件は、炉内圧：３０Ｔｏｒ
ｒ、ガス総流量５０００ＳＣＣＭで行った。尚、その他
の条件と結果は表１に示した。この結果から分かるよう
に、１５０℃以下ではＮ2 にＦ2 を５ｖｏｌ％添加した
希釈ガスとエッチング速度は大差ない。
ｒ、ガス総流量５０００ＳＣＣＭで行った。尚、その他
の条件と結果は表１に示した。この結果から分かるよう
に、１５０℃以下ではＮ2 にＦ2 を５ｖｏｌ％添加した
希釈ガスとエッチング速度は大差ない。
【００１８】
【表１】
【００１９】 実施例８〜１５、比較例１２〜１８、参考例２ 実施例１と同様にして成膜したＷをＮＦ3 およびＮ2 に
Ｆ2 濃度を変えてエッチングした。結果を表２、表３に
示した。結果から分かるように５０ｖｏｌ％以上のＦ2
濃度の場合は希釈ガスによるエッチング速度の顕著な増
加は認められなかった。
Ｆ2 濃度を変えてエッチングした。結果を表２、表３に
示した。結果から分かるように５０ｖｏｌ％以上のＦ2
濃度の場合は希釈ガスによるエッチング速度の顕著な増
加は認められなかった。
【００２０】エッチング条件 温度：４３０℃、 炉内圧：３０Ｔｏｒｒ、ガス総流量
５０００ＳＣＣＭ
５０００ＳＣＣＭ
【００２１】
【表２】
【００２２】
【表３】
【００２３】 実施例１６〜１９、比較例１９〜２３、参考例３ Ｎｉ基板上にＷＦ6 を原料ガスとしてＣＶＤでＷを１０
０μｍ堆積させたサンプルに、Ｎ2 にＦ2 を３０ｖｏｌ
％添加した希釈ガス、ＮＦ3 にＦ2 を３０ｖｏｌ％添加
したガスでエッチングを行い、エッチング速度を測定し
た。エッチング速度の測定はエッチング前後のサンプル
重量の変化と膜密度から算出した。
０μｍ堆積させたサンプルに、Ｎ2 にＦ2 を３０ｖｏｌ
％添加した希釈ガス、ＮＦ3 にＦ2 を３０ｖｏｌ％添加
したガスでエッチングを行い、エッチング速度を測定し
た。エッチング速度の測定はエッチング前後のサンプル
重量の変化と膜密度から算出した。
【００２４】エッチング条件は、炉内圧：３０Ｔｏｒ
ｒ、ガス総流量５０００ＳＣＣＭで行った。尚、その他
の条件と結果は表４に示した。この結果から分かるよう
に、１５０℃以下ではＮ2 にＦ2 を３０ｖｏｌ％添加し
た希釈ガスとエッチング速度は大差ない。
ｒ、ガス総流量５０００ＳＣＣＭで行った。尚、その他
の条件と結果は表４に示した。この結果から分かるよう
に、１５０℃以下ではＮ2 にＦ2 を３０ｖｏｌ％添加し
た希釈ガスとエッチング速度は大差ない。
【００２５】
【表４】
【００２６】参考例４〜１１ Ｎｉ基板上にＷＦ6 を原料ガスとしてＣＶＤでＷを１０
０μｍ堆積させたサンプルに、ＮＦ3 １００ｖｏｌ％ガ
ス、ＮＦ3 にＦ2 を添加したガスでエッチングを行い、
エッチング速度を測定した。エッチング速度の測定はエ
ッチング前後のサンプル重量の変化と膜密度から算出し
た。
０μｍ堆積させたサンプルに、ＮＦ3 １００ｖｏｌ％ガ
ス、ＮＦ3 にＦ2 を添加したガスでエッチングを行い、
エッチング速度を測定した。エッチング速度の測定はエ
ッチング前後のサンプル重量の変化と膜密度から算出し
た。
【００２７】エッチング条件は、炉内圧：３０Ｔｏｒ
ｒ、ガス総流量５０００ＳＣＣＭで行った。尚、その他
の条件と結果は表５に示した。この結果から分かるよう
に、表５中の温度でエッチングを行った場合、どちらも
ほぼ同じエッチング速度が得られることが分かる。
ｒ、ガス総流量５０００ＳＣＣＭで行った。尚、その他
の条件と結果は表５に示した。この結果から分かるよう
に、表５中の温度でエッチングを行った場合、どちらも
ほぼ同じエッチング速度が得られることが分かる。
【００２８】
【表５】
【００２９】実施例２０〜３４、比較例２４〜３８ タングステンシリサイド、炭化タングステン、チタン、
窒化チタン、炭化チタン、シリコン、窒化珪素、酸化窒
化珪素、タンタル、酸化タンタル、モリブデン、モリブ
デンシリサイド、レニウム、レニウムシリサイド、ゲル
マニウムをＣＶＤもしくはスパッタリングで１〜１０μ
ｍシリコンウエハに成膜したサンプル（但し、シリコン
はシリコンウエハを用いた）を、Ｎ2 にＦ2 を３０ｖｏ
ｌ％添加した希釈ガス、ＮＦ3 にＦ2 を３０ｖｏｌ％添
加したガスでエッチングを行い、エッチング速度を測定
した。エッチング速度の測定はエッチング前後のサンプ
ル重量の変化と膜密度から算出した。
窒化チタン、炭化チタン、シリコン、窒化珪素、酸化窒
化珪素、タンタル、酸化タンタル、モリブデン、モリブ
デンシリサイド、レニウム、レニウムシリサイド、ゲル
マニウムをＣＶＤもしくはスパッタリングで１〜１０μ
ｍシリコンウエハに成膜したサンプル（但し、シリコン
はシリコンウエハを用いた）を、Ｎ2 にＦ2 を３０ｖｏ
ｌ％添加した希釈ガス、ＮＦ3 にＦ2 を３０ｖｏｌ％添
加したガスでエッチングを行い、エッチング速度を測定
した。エッチング速度の測定はエッチング前後のサンプ
ル重量の変化と膜密度から算出した。
【００３０】エッチング条件は、炉内圧：３０Ｔｏｒ
ｒ、ガス総流量５０００ＳＣＣＭで行った。その結果は
表６、表７に示した。この結果から分かるように、いず
れの膜に対してもＮＦ3 にＦ2 を３０ｖｏｌ％添加した
ガスはエッチング速度の向上が認められた。
ｒ、ガス総流量５０００ＳＣＣＭで行った。その結果は
表６、表７に示した。この結果から分かるように、いず
れの膜に対してもＮＦ3 にＦ2 を３０ｖｏｌ％添加した
ガスはエッチング速度の向上が認められた。
【００３１】
【表６】
【００３２】
【表７】
【００３３】
【発明の効果】本発明の方法により、薄膜形成装置の目
的物以外に堆積した多量の堆積物を容易に短時間で、か
つ、安全に除去でき、薄膜形成プロセスの生産性を大幅
に改善することが可能となった。
的物以外に堆積した多量の堆積物を容易に短時間で、か
つ、安全に除去でき、薄膜形成プロセスの生産性を大幅
に改善することが可能となった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新井 博通 東京都千代田区神田錦町３丁目７番地１ セントラル硝子株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−183693（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−187771（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−165075（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−90180（ＪＰ，Ａ) 特許2618817（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/304 H01L 21/205 H01L 21/306 H01L 21/3065
Claims (1)
- 【請求項１】 三フッ化窒素にフッ素を添加した混合ガ
ス組成物により、タングステン、タングステンシリサイ
ド、炭化タングステン、モリブデン、モリブデンシリサ
イド、レニウム、レニウムシリサイド、チタン、窒化チ
タン、炭化チタン、タンタル、酸化タンタル、窒化珪
素、シリコン、酸化窒化珪素、ゲルマニウムを１５０〜
６００℃の温度範囲で反応除去することを特徴とする薄
膜形成装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24236593A JP2833684B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 薄膜形成装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24236593A JP2833684B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 薄膜形成装置のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0799174A JPH0799174A (ja) | 1995-04-11 |
| JP2833684B2 true JP2833684B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=17088101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24236593A Expired - Lifetime JP2833684B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 薄膜形成装置のクリーニング方法 |
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| JP3129232B2 (ja) * | 1997-05-08 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3770718B2 (ja) * | 1997-12-22 | 2006-04-26 | セントラル硝子株式会社 | フッ化アンモニウムの付着した基体のクリーニング方法 |
| KR20010008506A (ko) * | 1999-07-01 | 2001-02-05 | 김영환 | 반도체장치의 세정방법 |
| US20060016783A1 (en) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Dingjun Wu | Process for titanium nitride removal |
| JP5067381B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2012-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の運転方法 |
| CN102397859A (zh) * | 2011-11-22 | 2012-04-04 | 镇江大全太阳能有限公司 | 石墨舟（框）干式清洗机 |
| JP5293866B2 (ja) * | 2012-07-30 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の運転方法 |
| JP5549761B2 (ja) * | 2013-06-04 | 2014-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置のクリーニング方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2618817B2 (ja) | 1993-07-09 | 1997-06-11 | 岩谷産業株式会社 | 半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法 |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP24236593A patent/JP2833684B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2618817B2 (ja) | 1993-07-09 | 1997-06-11 | 岩谷産業株式会社 | 半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法 |
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| JPH0799174A (ja) | 1995-04-11 |
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