JP2848403B2 - ジアセチレン又はポリジアセチレンのエピタキシャル成長法 - Google Patents
ジアセチレン又はポリジアセチレンのエピタキシャル成長法Info
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- JP2848403B2 JP2848403B2 JP19436189A JP19436189A JP2848403B2 JP 2848403 B2 JP2848403 B2 JP 2848403B2 JP 19436189 A JP19436189 A JP 19436189A JP 19436189 A JP19436189 A JP 19436189A JP 2848403 B2 JP2848403 B2 JP 2848403B2
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- Japan
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- diacetylene
- polydiacetylene
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- epitaxial growth
- single crystal
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 ジアセチレン又はポリジアセチレンのエピタキシャル
成長法に関し、 ミリオーダー以上の大面積にわたって、ジアセチレン
又はポリジアセチレンをエピタキシャル成長させること
を目的とし、 基板としてジアセチレン単結晶又はポリジアセチレン
単結晶を用いてジアセチレン又はポリジアセチレンをエ
ピタキシャル成長させるように構成する。
成長法に関し、 ミリオーダー以上の大面積にわたって、ジアセチレン
又はポリジアセチレンをエピタキシャル成長させること
を目的とし、 基板としてジアセチレン単結晶又はポリジアセチレン
単結晶を用いてジアセチレン又はポリジアセチレンをエ
ピタキシャル成長させるように構成する。
本発明は、ジアセチレン又はポリジアセチレンのエピ
タキシャル成長法に関する。本発明に従ってエピタキシ
ャル成長させたジアセチレン又はポリジアセチレンは、
例えば光回路素子などとして有用である。
タキシャル成長法に関する。本発明に従ってエピタキシ
ャル成長させたジアセチレン又はポリジアセチレンは、
例えば光回路素子などとして有用である。
従来、有機分子線エピタキシー（MEB）法などを用い
てジアセチレンやポリジアセチレン薄膜の作製が行われ
ている。しかしながら、このようにして得られたジアセ
チレンやポリジアセチレンの薄膜はミクロンオーダーの
粒子からなる多結晶質であるため、例えば光導波時に散
乱して導波路として有効でなかった。また、基板のラビ
ング処理によって配向性の高い膜を得る試みもあるが、
この場合にも基板と水平方向の配向に限られ、また得ら
れた膜の平滑性も十分でないという問題があった。
てジアセチレンやポリジアセチレン薄膜の作製が行われ
ている。しかしながら、このようにして得られたジアセ
チレンやポリジアセチレンの薄膜はミクロンオーダーの
粒子からなる多結晶質であるため、例えば光導波時に散
乱して導波路として有効でなかった。また、基板のラビ
ング処理によって配向性の高い膜を得る試みもあるが、
この場合にも基板と水平方向の配向に限られ、また得ら
れた膜の平滑性も十分でないという問題があった。
従って、本発明は、前記した従来技術の問題点を解決
し、ミリオーダー以上の大面積にわたって、ジアセチレ
ン（DA）又はポリジアセチレン（PDA）をエピタキシャ
ル成長させることを目的とする。
し、ミリオーダー以上の大面積にわたって、ジアセチレ
ン（DA）又はポリジアセチレン（PDA）をエピタキシャ
ル成長させることを目的とする。
本発明に従えば、基板上にジアセチレン又はポリジア
セチレンをエピタキシャル成長させるにあたり、基板と
してジアセチレン単結晶又はポリジアセチレン単結晶を
用いてジアセチレン又はポリジアセチレンをエピタキシ
ャル成長させる。
セチレンをエピタキシャル成長させるにあたり、基板と
してジアセチレン単結晶又はポリジアセチレン単結晶を
用いてジアセチレン又はポリジアセチレンをエピタキシ
ャル成長させる。
本発明に従えば、ジアセチレン又はポリジアセチレン
をエピタキシャル成長させる際に、基板としてジアセチ
レン又はポリジアセチレンの単結晶を用いることによっ
て基板上にミリオーダー以上の大面積のジアセチレン又
はポリジアセチレンの薄膜を効果的に成長させることが
できる。
をエピタキシャル成長させる際に、基板としてジアセチ
レン又はポリジアセチレンの単結晶を用いることによっ
て基板上にミリオーダー以上の大面積のジアセチレン又
はポリジアセチレンの薄膜を効果的に成長させることが
できる。
第１図は、基板としてDA又はPDAの薄膜単結晶を用い
た例である。基板のDA又はPDA薄膜単結晶は、例えば溶
媒蒸発法、シェアー法などで形成する。
た例である。基板のDA又はPDA薄膜単結晶は、例えば溶
媒蒸発法、シェアー法などで形成する。
即ち、第１図において、有機薄膜装置は、例えば基板
ホルダー２、Ｋ−セル３及び光照射用窓４を備えた容器
又は真空ベルジャー１より成り、本発明に従って、基板
上に所望のDA又はPDAの膜をエピタキシャル成長させる
に際しては基板ホルダー２上に、例えば石英基板５を支
承し、これにDA又はPDAの単結晶薄膜５′を基板として
適当な方法で石英基板５上に成長させる。ついで、Ｋ−
セル３内にDAモノマー６を収容し、その際、光照射用窓
４より光を基板５に照射してエピタキシャル成長させて
もよい。
ホルダー２、Ｋ−セル３及び光照射用窓４を備えた容器
又は真空ベルジャー１より成り、本発明に従って、基板
上に所望のDA又はPDAの膜をエピタキシャル成長させる
に際しては基板ホルダー２上に、例えば石英基板５を支
承し、これにDA又はPDAの単結晶薄膜５′を基板として
適当な方法で石英基板５上に成長させる。ついで、Ｋ−
セル３内にDAモノマー６を収容し、その際、光照射用窓
４より光を基板５に照射してエピタキシャル成長させて
もよい。
例えば、下記式（Ｉ）で表わされるDA Ｒ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ （Ｉ） の中で、例えば結晶成長が容易な などで形成すると1mm×1mmより大面積の薄膜単結晶が得
られる。
られる。
これによって本発明により有機MBE法により1mm×1mm
より大面積のDA又はPDAの薄膜をエピタキシャル成長さ
せることができる。このエピタキシャル成長は、例えば
10-8Torrの真空度において１〜10Å／分の成長速度で行
うことができる。この際基板５は、ポリマー化してもし
なくてもよいが、基板５を予めポリマー化すると、基板
の機械的及び化学的安定性が向上し、エピタキシャル成
長が良好に行えるようになる。エピタキシャル成長させ
る材料としては、基板５の材料と同一であっても、異な
っていてもよい。例えば単独では良質結晶ができにくい
ジアセチレンである式： のエピタキシャル成長や、その他各種ジアセチレンやポ
リジアセチレンをエピタキシャル成長させることができ
る。また、更に複数のＫ−セルから異なるモノマーを導
入するなどして、複数種類の材料からなる液晶エピタキ
シャル成長を成長させたり、ポリマー超格子を形成する
こともできる。
より大面積のDA又はPDAの薄膜をエピタキシャル成長さ
せることができる。このエピタキシャル成長は、例えば
10-8Torrの真空度において１〜10Å／分の成長速度で行
うことができる。この際基板５は、ポリマー化してもし
なくてもよいが、基板５を予めポリマー化すると、基板
の機械的及び化学的安定性が向上し、エピタキシャル成
長が良好に行えるようになる。エピタキシャル成長させ
る材料としては、基板５の材料と同一であっても、異な
っていてもよい。例えば単独では良質結晶ができにくい
ジアセチレンである式： のエピタキシャル成長や、その他各種ジアセチレンやポ
リジアセチレンをエピタキシャル成長させることができ
る。また、更に複数のＫ−セルから異なるモノマーを導
入するなどして、複数種類の材料からなる液晶エピタキ
シャル成長を成長させたり、ポリマー超格子を形成する
こともできる。
また基板結晶５の配向性をコントロールすることによ
り、エピタキシャル成長膜７の配向性をコントロールす
ることができる。
り、エピタキシャル成長膜７の配向性をコントロールす
ることができる。
第２図は、基板５にバルク単結晶を用いた場合であ
り、第１図の場合と同様にエピタキシャル成長させるこ
とができる。
り、第１図の場合と同様にエピタキシャル成長させるこ
とができる。
有機MBE法を用いるに際し、第１図及び第２図の態様
では光を照射しているが、更に電場によりモノマーを配
向させて行なうこともできる。
では光を照射しているが、更に電場によりモノマーを配
向させて行なうこともできる。
また、有機MBE法のみならず、溶液中デポジション法
などの他の公知方法によることもできる。
などの他の公知方法によることもできる。
本発明に従えば、以上のような方法により、大面積の
エピタキシャル膜の成長がジアセチレン又はポリジアセ
チレンを用いて可能となる。
エピタキシャル膜の成長がジアセチレン又はポリジアセ
チレンを用いて可能となる。
第１図は本発明に従ってDA又はPDAをエピタキシャル成
長させるのに使用する装置の一例を示す図面であり、第
２図は本発明に従ってDA又はPDAをエピタキシャル成長
させるのに使用する装置の他の例を示す図面である。 １……容器又は真空ベルジャー ２……基板ホルダー ３……Ｋ−セル ４……光照射用窓 ５……基板 ６……モノマー ７……DA又はPDAのエピタキシャル成長膜
長させるのに使用する装置の一例を示す図面であり、第
２図は本発明に従ってDA又はPDAをエピタキシャル成長
させるのに使用する装置の他の例を示す図面である。 １……容器又は真空ベルジャー ２……基板ホルダー ３……Ｋ−セル ４……光照射用窓 ５……基板 ６……モノマー ７……DA又はPDAのエピタキシャル成長膜
Claims (1)
- 【請求項１】基板上にジアセチレン又はポリジアセチレ
ンをエピタキシャル成長させるにあたり、基板としてジ
アセチレン又はポリジアセチレンの単結晶を用いること
を特徴とするジアセチレン又はポリジアセチレンのエピ
タキシャル成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19436189A JP2848403B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | ジアセチレン又はポリジアセチレンのエピタキシャル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19436189A JP2848403B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | ジアセチレン又はポリジアセチレンのエピタキシャル成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0359014A JPH0359014A (ja) | 1991-03-14 |
| JP2848403B2 true JP2848403B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=16323302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19436189A Expired - Lifetime JP2848403B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | ジアセチレン又はポリジアセチレンのエピタキシャル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2848403B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105778142B (zh) * | 2016-02-22 | 2018-11-13 | 中国科学技术大学 | 紫精修饰的聚二乙炔微米管的制备方法与光波导器件及其制备方法 |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP19436189A patent/JP2848403B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0359014A (ja) | 1991-03-14 |
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