JP2863925B2 - Processing equipment - Google Patents
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- JP2863925B2 JP2863925B2 JP1008315A JP831589A JP2863925B2 JP 2863925 B2 JP2863925 B2 JP 2863925B2 JP 1008315 A JP1008315 A JP 1008315A JP 831589 A JP831589 A JP 831589A JP 2863925 B2 JP2863925 B2 JP 2863925B2
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
この発明は、例えば半導体ウェーハの露光、現像処理
等に用いられる処理装置に関する。The present invention relates to a processing apparatus used for, for example, exposing and developing a semiconductor wafer.
【従来の技術】 露光処理前の半導体ウェーハにホトレジスト膜を塗布
する場合や、現像処理液を半導体ウェーハの表面に塗布
する場合、ホトレジスト材料や現像処理液は、半導体ウ
ェーハの上方に設置されるノズルから半導体ウェーハの
表面に供給する。 この一例として、半導体ウェーハはチャックに真空吸
引して半固定した状態で回転させるとともに、ノズルを
半導体ウェーハの中心である回転中心に向かって、一定
速度で直線的に移動させながら、一定量ずつ処理液を半
導体ウェーハに供給して処理液の塗布を行う。2. Description of the Related Art When a photoresist film is applied to a semiconductor wafer before an exposure process or when a developing solution is applied to the surface of the semiconductor wafer, a photoresist material or a developing solution is applied to a nozzle placed above the semiconductor wafer. From the surface of the semiconductor wafer. As an example of this, the semiconductor wafer is vacuum-sucked on the chuck and rotated in a semi-fixed state, and the nozzle is linearly moved at a constant speed toward the center of rotation, which is the center of the semiconductor wafer, and is processed in a fixed amount. The liquid is supplied to the semiconductor wafer to apply the processing liquid.
ところで、半導体ウェーハは角速度一定で回転させら
れるので、ウェーハ上の、回転中心からの距離dが異な
る位置では、同じ時間に移動する回転方向の距離が異な
ることになる。したがって、距離dが大きい位置では処
理液が比較的多く必要であり、また、距離dが小さい位
置では処理液は比較的少なくて良い。 ところが、前述したように、従来は、一定速度で直線
移動するノズルからウェーハに対し、一定量の処理液を
滴下して供給している。 このため、ウェーハ上で、その回転中心位置からの距
離が異なる各位置において、処理液の過不足が生じるこ
とになり、半導体ウェーハの表面上で処理液が塗布され
ない部分が生じたりして、処理液の塗布の不均一を生じ
る欠点がある。 また、処理液によって粘度や濃度が異なり、ノズルの
移動速度が一定及び処理液量一定では被処理物の表面に
処理液を均一に塗布できないことが多々ある。 この発明は、以上の点に鑑み、被処理物の表面に処理
液が塗布されない部分が生じたりすることがないように
した処理装置を提供しようとするものである。By the way, since the semiconductor wafer is rotated at a constant angular velocity, the positions in the wafer at different distances d from the center of rotation will have different distances in the rotational direction at the same time. Therefore, at a position where the distance d is large, a relatively large amount of the processing liquid is required, and at a position where the distance d is small, a relatively small amount of the processing liquid may be used. However, as described above, in the related art, a predetermined amount of the processing liquid is dripped and supplied to the wafer from a nozzle that moves linearly at a constant speed. For this reason, at each position on the wafer at a different distance from the rotation center position, excess or deficiency of the processing liquid occurs, and a portion where the processing liquid is not applied occurs on the surface of the semiconductor wafer, and the processing is performed. There is a disadvantage that uneven application of the liquid occurs. In addition, the viscosity and concentration vary depending on the processing liquid, and in many cases, when the moving speed of the nozzle is constant and the processing liquid amount is constant, the processing liquid cannot be uniformly applied to the surface of the workpiece. SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above, an object of the present invention is to provide a processing apparatus in which a portion to which a processing liquid is not applied does not occur on the surface of an object to be processed.
この発明による処理装置は、処理液供給ノズルを、回
転中の被処理液の上方において、回転半径方向に移動さ
せながら、上記被処理体上に処理液を供給して上記被処
理体に処理液を塗布する処理装置において、 上記処理液供給ノズルの移動区間を複数個に分割し、
各分割移動区間での上記被処理体の回転速度を、その分
割移動区間の上記回転半径方向位置に応じて切り替え制
御する回転速度制御手段を設けたことを特徴とする。In the processing apparatus according to the present invention, the processing liquid is supplied onto the processing object while moving the processing liquid supply nozzle in the rotation radial direction above the rotating processing liquid, and the processing liquid is supplied to the processing object. In the processing apparatus for applying, the moving section of the processing liquid supply nozzle is divided into a plurality of sections,
Rotation speed control means for switching and controlling the rotation speed of the object to be processed in each divided movement section in accordance with the radial position of the divided movement section is provided.
上述の構成のこの発明による処理装置においては、処
理液供給ノズルの移動区間が、被処理体の回転半径方向
の位置に応じて複数個に分割され、各分割移動区間での
被処理体の回転速度が、処理液供給ノズルの回転半径方
向位置に応じて切り替え制御される。 したがって、回転中の被処理体への処理液の塗布液量
が当該被処理体の回転半径方向の各位置に応じた適切な
ものとなり、被処理体の全体に渡って、均一に処理液を
塗布することができる。In the processing apparatus according to the present invention having the above-described configuration, the moving section of the processing liquid supply nozzle is divided into a plurality of sections according to the position of the processing object in the rotation radial direction, and the rotation of the processing object in each of the divided moving sections is performed. The speed is switched and controlled in accordance with the position of the processing liquid supply nozzle in the rotation radial direction. Therefore, the amount of the processing liquid applied to the object to be rotated during rotation becomes appropriate according to each position in the rotation radius direction of the object to be processed, and the processing liquid is uniformly applied over the entire object to be processed. Can be applied.
以下、この発明の一実施例を図を参照しながら説明し
よう。 第1図は、この発明による装置を半導体ウェーハの現
像処理などの表面処理装置に適用した場合の電気的構成
の一例のブロック図である。 この例は、2枚の半導体ウェーハを同時に処理するこ
とができる場合の例で、処理系はA、Bの2系統ある。
各系はユニットコントローラ11A,11Bと、ジョイントボ
ックス12A,12Bと、処理ユニット13A,13Bからなる。処理
ユニット13A,13B、ユニットコントローラ11A,11Bは、そ
れぞれマイクロコンピュータ(以下CPUという)を有
し、ユニットコントローラ11A,11Bからの制御指令を受
けて処理ユニット13A,13Bは、所定の処理を行う。 処理ユニット13A及び13Bには、半導体ウェーハを真空
吸引して固定し、また、この半導体ウェーハを回転させ
るためのチャックが配される。その回転速度はユニット
コントローラ11A,11Bからの指示により設定され、可変
である。このチャックの上方にユニットヘッド部の処理
液供給ノズルが配される。ユニットヘッド部は、処理液
供給ノズルを、チャックの回転中心位置及びウェーハの
エッジ部を通る直線または曲線上において、移動可能と
する。 ユニットヘッド部は、例えば第2図に示すように構成
されている。 すなわち、第2図Aはユニットヘッド部の側面図、同
図Bは平面図である。第2図において、31はノズルプレ
ートで、これにノズルが取り付けられる。32は摺動体
で、ノズルプレート31はこの摺動体32に固定されてい
る。この摺動体32には、貫通孔が設けられ、その貫通孔
の内周面にはネジが切られている。33はボールネジで、
その外周面には摺動体32の貫通孔の内周面のネジと噛み
合うネジが形成されている。摺動体32の貫通孔にこのボ
ールネジ33が螺入されている。ボールネジ33が回転する
と、その回転方向に応じて摺動体32は、図中右方向ある
いは左方向にボールネジ33に沿って摺動運動する。その
結果、ノズルは半導体ウェーハ上を直線的に移動する。 34はガイドで、摺動体32の摺動運動を案内する。 35はステッピングモータである。ボールネジ33の回転
軸36には、プーリ37が取り付けられており、ステッピン
グモータ35の回転軸に取り付けられたプーリ38との間に
タイミングベルト39が巻回され、ステッピングモータ35
の回転がボールネジ33の回転軸に伝達される。ステッピ
ングモータ35の回転が制御されることにより、摺動体32
の摺動運動、従ってノズルの移動速度が制御される。 なお、40はセンサ取り付け部で、これはボールネジ33
に沿って設けられる。このセンサ取り付け部40には、摺
動体32の位置、従ってノズルの位置を知るための複数個
のセンサを、任意の位置に取り付け可能とされている。
このセンサは、ノズルが移動例えばスキャン始めの位置
にあるか、半導体ウェーハの中心位置にノズルが来たか
などの検知を行う。 また、第1図において、20はノズルの移動速度を制御
する速度コントローラである。この速度コントローラ20
は、2つの系A及びBで兼用のCPUを有し、後述のよう
にノズルの移動速度設定データをユニットコントローラ
11A及び11Bにそれぞれ送り、また、ユニットコントロー
ラ11A及び11Bからの制御指令を受けて、ノズルの移動速
度の制御を行う。 21A及び21Bは、系A及び系Bの各ノズルの移動速度の
データなどを設定するための入力パネルである。これら
入力パネル21A及び21Bからの入力データは、セレクタ22
を介して速度コントローラ20に入力される、速度コント
ローラ20のCPUは、セレクタ22を制御して、入力パネル2
1Aまたは21Bからの入力データを選択的に取り込み、対
応する系のユニットコントローラ11Aまたは11BのCPU
に、その入力データを転送する。 この速度コントローラ20において、ノズルの移動速度
の制御は、各系A及びBの処理ユニット13A及び13Bの、
ステッピングモータ35に供給する駆動パルスを制御する
ことによりなされる。この場合において、モータ35の駆
動制御回路は、ハードウエアで構成され、処理ユニット
13A及び13Bのそれぞれに対して設けられている。そし
て、この駆動制御回路の出力パルスが各系のステッピン
グモータ35に供給される。 第3図は、ステッピングモータ35の駆動制御回路の一
例で、この回路が系A及びBのそれぞれについて設けら
れる。 41は、例えば周波数が3.072MHzのパルスを発生する発
振器である。この発振器41の出力パルスPIは、ステッピ
ングモータ35を第1の速度から第2の速度に変えるとき
の加速度を決定する回路42に供給される。この加速度決
定回路42は、第1の可変分周回路421と、1/2分周回路42
2とで構成される。第1の可変分周回路421は、例えばカ
ウンタで構成され、そのプリセット値を変えることによ
り分周比が変えられる。 この加速度決定回路42の出力パルスPaは、ステッピン
グモータ35の目標速度の決定回路43に供給される。この
目標速度決定回路43は、第2の可変分周回路431と、1/2
分周回路432とからなり、第2の可変分周回路431は、例
えばカウンタで構成され、そのプリセット値を変えるこ
とにより分周比が変えられる。この目標速度決定回路43
の出力パルスPoが、ステッピングモータ35に供給され
る。 この場合、加速度決定回路42の出力パルスPaの周波数
をfa、目標速度決定回路43の出力パルスPoの周波数をfo
とした時、ステッピングモータ35は、目標周波数foに応
じた速度になるまでに、出力パルスfaにより定まる加速
度で速度変化することになる。前述したように、第1及
び第2の可変分周回路421及び431の分周比は、カウンタ
のプリセット値を変えることで変えることができるの
で、このプリセット値を適宜選定することによりステッ
ピングモータ35の速度を任意に変えることができる。 ここで、第1の可変分周回路421の分周比1/NのN値を
ACC、第2の可変分周回路431のそれをSPEDとした時、出
力パルスPoの周波数foは、次式により求められる。 ステッピングモータ35はこの出力パルスPoの周波数fo
に応じた回転周波数で回転する。 ここで、▲▼は、後述する入力パネルでの設
定データ(BCDデータ)を16進データに変換した値の補
数を意味する。これは、ステッピングモータの起動補償
を行なっているためである。 この例では、この第3図の駆動制御回路を用いて、1
回の現像処理液の塗布に際してのノズルの移動速度を、
一定ではなく、複数段階に変えられるようにしている。 すなわち、この場合、1回の処理液塗布時間、つまり
半導体ウェーハに対するノズルの1回のスキャン区間を
仮想的に複数に分割し、各分割スキャン区間において第
1及び第2の可変分周回路に供給するプリセット値を、
ウェーハの全面において均一に塗布されるように値を設
定し、各分割スキャン期間におけるノズルの移動速度を
設定した加速度で設定した速度にまで変化させることが
できるようにしている。 速度の設定及び加速度の設定は、入力パネル21A及び2
1Bでなされ、1回の処理液塗布の際の全体の制御は、ユ
ニットコントローラ11A及び11Bが行う。 以下、1回の処理液塗布の際の設定動作及びそれに応
じてなされるユニットコントローラ11A及び11Bによる処
理動作について説明する。 第4図は、入力パネル21Aまたは21Bの一例である。こ
の例の場合、1回のスキャンを3分割できるようにされ
ており、このため、データ設定部はP1、P2,P3の3個、
設けられる。 データ設定項目は、この例では、図の左側から順に、
目標速度SPEEDに対する速度データDV、加速度ACCELERAT
IONに対する加速度データDA、分割スキャン時間SCAN TI
ME(分割スキャン区間)、スキャン遅延時間SCAN DELAY
TIMEの、4項目とされている。 この例においては、速度データDVは、速度を3桁の値
(10進法)で表したとき、最小値[000]から最大値[2
54]まで取り得るようにされる。また、加速度データDA
は、同様に、最小値[255]ら最大値[001]までとされ
る。 前述の式(a)における値ACC及び▲▼と、
これら加速度データDA及び速度データDVとの関係は次の
ようになる。 すなわち、ACC=DA(3桁の10進数)、また、 ▲▼=255−DV(3桁の10進数) となる。 スキャン遅延時間は、ユニットコントローラからのス
キャン開始指令を速度コントローラ20が受け取ってか
ら、実際にノズルのスキャンを開始するまでの時間であ
る。これは、処理液を加圧をかけてノズルから送り出す
ときの、遅延時間を考慮したものである。 データ設定部P1は、1回のスキャン距離の初めの時点
からの分割スキャン区間のデータを設定する。データ設
定部P2は、これに続く分割スキャン区間のデータを設定
し、データ設定部P3は、最後の分割スキャン区間のデー
タを設定する。 このデータ設定部におけるデータ設定の方法を以下説
明する。 今、例えば第5図に示すように、1回のスキャン距離
を80mmとした時、これを前半の15mmの分割スキャン区間
SAと、後半の65mm分割スキャン区間SBとに分割して、ノ
ズルのスキャン速度を2段階に変えるようにする場合を
例にとる。 上記の例の場合には、データ設定部はP1とP2を使用す
る。 先ず、データ設定部P1では、分割スキャン区間SAのス
キャン時間を例えば0.5秒と設定する。スキャン遅延時
間は、例えば0とする。 スキャン方向は、半導体ウェーハの周辺部から中心部
方向へ向かう方向であってもよいし、逆に中心部から周
辺部に向かう方向であってもよい。 次に、分割スキャン区間SAでのノズルの移動速度Sを
求める。ここでは、S=15/0.5=30mm/秒となる。次
に、この移動速度Sから、ステッピングモータ35の回転
周波数Pを求める。これは、例えば、P=S×500/27=
555.5Hzとして求められる。 次に、このステッピングモータの回転周波数を元にし
て、第6図に示すような、速度データDV及び加速度デー
タDAの一覧表(これは、予め用意されている)から適切
な加速度データDA及び速度データDVを求め、入力パネル
上で設定する。この場合に、目標速度が同じであって
も、速度データDVと加速度データDAとを組み合わせるこ
とにより、異なる加速度で目標速度にまで立ち上げるこ
とができる。 分割スキャン区間SBに対しても、同様にしてデータ設
定部P2において、スキャン時間、速度データDV、加速度
データDAを設定する。 ユニットコントローラ11Aまたは11Bでは、これら入力
パネル21Aまたは21Bからの分割スキャン区間SA及びSBの
データを受ける。 そして、以下に示すように、処理液塗布の際の各部の
動作仕様が定められたレシピと呼ばれる処理シーケンス
仕様に従って、実際の処理液塗布処理が行われる。 第7図はレシピの一例である。この例は、前述の第5
図の全スキャン区間が80mmの場合において、データ設定
部P1及びP2でデータが前述のように設定された場合であ
る。この例の場合、レシピでは、1回のスキャン時間が
複数のセクション、図の例では6セクションSEQ1〜SEQ6
に分けられている。そして、各セクションの時間(分割
スキャン時間)、そのセクションでのチャック、すなわ
ちウェーハの回転数、回転加速度が図のように割り付け
られている。つまり、この例ではウェーハの回転速度は
各セクションで変えられている。また、各セクションで
使用する設定データが割り付けられる。この例では、セ
クションSEQ1〜SEQ5までは、データ設定部P1及びP2で設
定したデータを使用することを意味している。つまりユ
ニットコントローラ11Aまたは11Bから設定されたデータ
が速度コントローラ20に送られる。セクションSEQ6では
何のデータも割り付けられていないが、これはこれらの
データが速度コントローラ20に送られないことを意味し
ている。 速度コントローラ20では、データ設定部P1及びP2で設
定したデータが送られている間は、これらのデータに従
った速度制御を行い、データが送られてこないセクショ
ンSEQ6では、定められた速度でノズルを元の位置に戻す
動作をなすようにされている。なお、第7図で、S1は、
現像処理液、つまりレジスト塗布処理を行うことを示し
ている。 第8図は、上記のレシピに従ったノズルの移動とその
速度変化とを示す図である。この第8図を参照しなが
ら、この例の現像処理液塗布動作について説明しよう。 すなわち、処理液塗布処理のスタート指令がユニット
コントローラに対し与えられると、ユニットコントロー
ラ11Aまたは11Bから、セクションSEQ1で起動信号が速度
コントローラ20に与えられると共にデータ設定部P1及び
P2のデータが速度コントローラ20に送られる。すると、
速度コントローラ20により、ステッピングモータ35はデ
ータ設定部P1で設定された速度値及び加速度値の割合で
目標速度まで加速される。そして、ノズルから現像液が
例えば、20cc/秒の割合で、ウェーハに供給される。以
後、ノズルからは、この割合で、一定量づつ半導体ウェ
ーハに現像液が供給される。 また、このセクションSEQ1では、ウェーハの回転速度
500rpmで回転するようにユニットコントローラ11Aまた
は11Bによって制御される。スキャン遅延時間が設定さ
れているときは、そのスキャン遅延時間経過後、ステッ
ピングモータ35が回転を始める。また、スキャン遅延時
間経過後、現像液がノズルからウェーハに供給される。 目標値の速度、この例では30mm/秒まで加速される
と、ステッピングモータ35はその速度で分割スキャン区
間SAのスキャン時間の間、つまりセクションSEQ1の間、
固定され、その移動速度でノズルが移動する。 データ設定部P1で設定したスキャン時間経過してセク
ションSEQ2になると、速度コントローラ20によりステッ
ピングモータ35はデータ設定部P2で設定された速度値及
び加速度値の割合で、目標速度、この例では65mm÷0.8
秒=81.25mm/秒まで加速される。 目標値の速度まで加速されると、ステッピングモータ
35はその速度で分割スキャン区間SBのスキャン時間の
間、つまりセクションSEQ2〜SEQ5までの間、固定され、
その移動速度でノズルが移動する。しかし、ウェーハの
回転速度は、セクションSEQ2では1000rpm、セクションS
EQ3では800rpm、セクションSEQ4では1500rpm、セクショ
ンSEQ5では2000rpmと、ユニットコントローラにより制
御されて変えられている。 データ設定部P2で設定した時間経過してセクションSE
Q6になると、ノズルからの現像液供給が停止されると共
に、速度コントローラ20によりステッピングモータ35は
減速停止させられ、ノズルは元のスタート位置に戻され
る。このとき、ユニットコントローラによりウェーハの
回転速度は4000rpmとされ、現像液がウェーハに、より
均一に塗布されるようにされる。 以上のようにして、ノズルの移動速度は、分割スキャ
ン区間ごとに異なる値に設定される。 この場合、ノズルの移動速度は半導体ウェーハの中心
に近い位置では81.25mm/秒と速く、外周縁に近い位置で
は30mm秒と比較的遅くなる。従って、処理液をノズルか
ら一定量ずつ半導体ウェーハの表面に供給したとして
も、処理液が半導体ウェーハの表面に塗布されない部分
が生じないようにすることができる。 勿論、オペレータは、設定データを種々変えてほぼ均
一に処理液がウェーハの表面に塗布できる設定データを
選択することができる。 以上の例によれば、1回の処理に際してのノズルのス
キャン区間を複数に分割し、各分割スキャン区間でノズ
ルの移動速度を任意に設定できるので、処理液の濃度や
被処理物の移動速度等に対応させて最適のノズルの移動
制御を行うことができる。 また、上記の例においては、半導体ウェーハの回転速
度を、ノズルの移動に関連して変えるようにしたので、
処理液の塗布の際の制御をさらに細かく行うことができ
る。 なお、以上の例では、ノズルの移動速度を徐々に上げ
た場合の例であるが、データ設定部P2あるいはP3の設定
データを、その前の分割スキャン区間の移動速度よりも
遅い速度を目標速度とするように設定すれば、移動速度
を下げるようにすることができる。また、同様にして移
動速度を上げたり下げたりすることができることはいう
までもない。 なお、以上の例は分割スキャン区間を3個にした場合
であるが、分割スキャン区間は用途に応じて幾つ設けて
も良い。 また、上記の実施例ではノズルの移動速度を変えて被
処理体への処理液量を回転中心部と周辺部とで変えるよ
うにした場合について説明したが、ノズルの移動速度は
一定にしておき、ノズルからの処理液の供給量を、ノズ
ルからの処理液の噴射を断続させることにより、あるい
はノズルからの噴射量自体を変えることにより変えて、
被処理体の回転中心部と周辺部とでの処理液量を変える
ようにしても良い。 また、上述の実施例では1本のノズルをスキャンさせ
たが、複数本のノズルを半導体ウェーハの半径方向に配
列し、それぞれのノズルから同時に処理液を滴下させて
もよい。同時に滴下して供給したほうが周速度差により
現像液の乾燥が周辺の方が速いのを緩和できる。Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of an example of an electrical configuration in a case where the apparatus according to the present invention is applied to a surface treatment apparatus such as a development processing of a semiconductor wafer. This example is an example in which two semiconductor wafers can be simultaneously processed, and there are two processing systems A and B.
Each system includes unit controllers 11A and 11B, joint boxes 12A and 12B, and processing units 13A and 13B. The processing units 13A and 13B and the unit controllers 11A and 11B each have a microcomputer (hereinafter, referred to as a CPU), and the processing units 13A and 13B perform predetermined processing in response to control commands from the unit controllers 11A and 11B. The processing units 13A and 13B are provided with a chuck for fixing the semiconductor wafer by vacuum suction and for rotating the semiconductor wafer. The rotation speed is set by an instruction from the unit controllers 11A and 11B and is variable. A processing liquid supply nozzle of the unit head is disposed above the chuck. The unit head allows the processing liquid supply nozzle to move on a straight line or a curve passing through the rotation center position of the chuck and the edge of the wafer. The unit head is configured, for example, as shown in FIG. That is, FIG. 2A is a side view of the unit head portion, and FIG. 2B is a plan view. In FIG. 2, reference numeral 31 denotes a nozzle plate to which a nozzle is attached. Reference numeral 32 denotes a sliding body, and the nozzle plate 31 is fixed to the sliding body 32. The sliding body 32 is provided with a through-hole, and the inner peripheral surface of the through-hole is threaded. 33 is a ball screw,
A screw that meshes with a screw on the inner peripheral surface of the through hole of the sliding body 32 is formed on the outer peripheral surface. The ball screw 33 is screwed into a through hole of the sliding body 32. When the ball screw 33 rotates, the sliding body 32 slides along the ball screw 33 in the right or left direction in the figure according to the rotation direction. As a result, the nozzle moves linearly over the semiconductor wafer. 34 is a guide for guiding the sliding movement of the sliding body 32. 35 is a stepping motor. A pulley 37 is attached to the rotating shaft 36 of the ball screw 33, and a timing belt 39 is wound around the pulley 38 attached to the rotating shaft of the stepping motor 35, so that the stepping motor 35
Is transmitted to the rotation shaft of the ball screw 33. By controlling the rotation of the stepping motor 35, the sliding member 32 is controlled.
Of the nozzle, and thus the speed of movement of the nozzle. 40 is a sensor mounting portion, which is a ball screw 33
Is provided along. A plurality of sensors for knowing the position of the sliding body 32, that is, the position of the nozzle, can be mounted on the sensor mounting portion 40 at an arbitrary position.
This sensor detects whether the nozzle moves, for example, at the position where scanning starts, or whether the nozzle comes at the center position of the semiconductor wafer. In FIG. 1, reference numeral 20 denotes a speed controller for controlling the moving speed of the nozzle. This speed controller 20
Has a CPU that is shared by the two systems A and B, and transfers the nozzle moving speed setting data to the unit controller as described later.
The moving speed of the nozzle is controlled by receiving the control commands from the unit controllers 11A and 11B, respectively. 21A and 21B are input panels for setting data such as the moving speed of each nozzle of the system A and the system B. Input data from these input panels 21A and 21B is
The CPU of the speed controller 20 is input to the speed controller 20 via the
Selectively captures input data from 1A or 21B, and the corresponding unit controller 11A or 11B CPU
To the input data. In this speed controller 20, the control of the moving speed of the nozzle is performed by the processing units 13A and 13B of the respective systems A and B.
This is performed by controlling the drive pulse supplied to the stepping motor 35. In this case, the drive control circuit of the motor 35 is constituted by hardware, and the processing unit
It is provided for each of 13A and 13B. Then, output pulses of the drive control circuit are supplied to the stepping motors 35 of the respective systems. FIG. 3 is an example of a drive control circuit of the stepping motor 35, and this circuit is provided for each of the systems A and B. An oscillator 41 generates a pulse having a frequency of 3.072 MHz, for example. The output pulse PI of the oscillator 41 is supplied to a circuit 42 for determining an acceleration when changing the stepping motor 35 from the first speed to the second speed. The acceleration determining circuit 42 includes a first variable frequency dividing circuit 421 and a 1/2 frequency dividing circuit 42.
It consists of two. The first variable frequency dividing circuit 421 is composed of, for example, a counter, and the frequency division ratio can be changed by changing its preset value. The output pulse Pa of the acceleration determination circuit 42 is supplied to a target speed determination circuit 43 of the stepping motor 35. The target speed determination circuit 43 includes a second variable frequency dividing circuit 431,
The second variable frequency dividing circuit 431 is composed of, for example, a counter, and the frequency dividing ratio can be changed by changing its preset value. This target speed determination circuit 43
Is supplied to the stepping motor 35. In this case, the frequency of the output pulse Pa of the acceleration determination circuit 42 is fa, and the frequency of the output pulse Po of the target speed determination circuit 43 is fo.
In this case, the speed of the stepping motor 35 changes at an acceleration determined by the output pulse fa until reaching a speed corresponding to the target frequency fo. As described above, since the frequency division ratio of the first and second variable frequency dividing circuits 421 and 431 can be changed by changing the preset value of the counter, the stepping motor 35 can be changed by appropriately selecting the preset value. Speed can be arbitrarily changed. Here, the N value of the dividing ratio 1 / N of the first variable frequency dividing circuit 421 is
When ACC is set to SPED of the second variable frequency dividing circuit 431, the frequency fo of the output pulse Po is obtained by the following equation. The stepping motor 35 determines the frequency fo of the output pulse Po.
Rotate at a rotation frequency corresponding to. Here, ▼ means a complement of a value obtained by converting setting data (BCD data) on an input panel described later into hexadecimal data. This is because start-up compensation of the stepping motor is performed. In this example, the drive control circuit shown in FIG.
Nozzle moving speed at the time of application of the developing solution,
It is not fixed and can be changed in multiple stages. That is, in this case, one treatment liquid application time, that is, one scan section of the nozzle with respect to the semiconductor wafer is virtually divided into a plurality of sections, and the divided scan sections are supplied to the first and second variable frequency dividing circuits. Preset value
The value is set so that the entire surface of the wafer is uniformly coated, and the moving speed of the nozzle in each divided scan period can be changed to the set speed at the set acceleration. Set the speed and acceleration by using the input panels 21A and 21A.
1B, the overall control during one processing liquid application is performed by the unit controllers 11A and 11B. Hereinafter, the setting operation at the time of one processing liquid application and the processing operation by the unit controllers 11A and 11B performed accordingly will be described. FIG. 4 is an example of the input panel 21A or 21B. In the case of this example, one scan can be divided into three, and therefore, the data setting unit includes three data sets P1, P2, and P3,
Provided. In this example, the data setting items are
Speed data DV and acceleration ACCELERAT for target speed SPEED
Acceleration data DA for ION, split scan time SCAN TI
ME (split scan section), scan delay time SCAN DELAY
TIME, four items. In this example, when the speed data DV is expressed by a three-digit value (decimal system), the speed data DV is from the minimum value [000] to the maximum value [2].
54]. Also, acceleration data DA
Is similarly set from the minimum value [255] to the maximum value [001]. The values ACC and ▲ ▼ in equation (a) above,
The relationship between the acceleration data DA and the speed data DV is as follows. That is, ACC = DA (three-digit decimal number) and ▲ ▼ = 255-DV (three-digit decimal number). The scan delay time is a time from when the speed controller 20 receives a scan start command from the unit controller until the nozzle scan is actually started. This takes into account the delay time when the processing liquid is sent out of the nozzle under pressure. The data setting unit P1 sets data of a divided scan section from the beginning of one scan distance. The data setting unit P2 sets the data of the subsequent divided scan section, and the data setting unit P3 sets the data of the last divided scan section. The data setting method in the data setting section will be described below. Now, for example, as shown in FIG. 5, when a single scan distance is set to 80 mm, this is divided into the first half of the 15 mm divided scan section.
An example is given in which the scanning speed of the nozzle is changed in two stages by dividing the scanning speed into SA and the latter 65 mm divided scanning section SB. In the case of the above example, the data setting unit uses P1 and P2. First, the data setting unit P1 sets the scan time of the divided scan section SA to, for example, 0.5 seconds. The scan delay time is, for example, 0. The scanning direction may be a direction from the peripheral portion of the semiconductor wafer toward the central portion, or may be a direction from the central portion to the peripheral portion. Next, the moving speed S of the nozzle in the divided scan section SA is obtained. Here, S = 15 / 0.5 = 30 mm / sec. Next, the rotational frequency P of the stepping motor 35 is determined from the moving speed S. This is, for example, P = S × 500/27 =
Required as 555.5Hz. Next, based on the rotation frequency of the stepping motor, the appropriate acceleration data DA and speed are obtained from a list of speed data DV and acceleration data DA (which are prepared in advance) as shown in FIG. Obtain the data DV and set it on the input panel. In this case, even if the target speed is the same, it is possible to start up to the target speed with different accelerations by combining the speed data DV and the acceleration data DA. For the divided scan section SB, the scan time, velocity data DV, and acceleration data DA are similarly set in the data setting section P2. The unit controller 11A or 11B receives the data of the divided scan sections SA and SB from these input panels 21A or 21B. Then, as described below, the actual processing liquid application processing is performed in accordance with a processing sequence specification called a recipe in which the operation specifications of each unit at the time of applying the processing liquid are determined. FIG. 7 is an example of a recipe. This example is based on the fifth
This is a case where data is set as described above in the data setting units P1 and P2 when the entire scan section in the drawing is 80 mm. In the case of this example, in the recipe, one scan time has a plurality of sections, in the example of the figure, six sections SEQ1 to SEQ6.
Are divided into The time of each section (split scan time), the number of rotations of the chuck in that section, that is, the wafer, and the rotational acceleration are assigned as shown in the figure. That is, in this example, the rotation speed of the wafer is changed in each section. In addition, setting data used in each section is allocated. In this example, the sections SEQ1 to SEQ5 mean that the data set in the data setting sections P1 and P2 is used. That is, the data set from the unit controller 11A or 11B is sent to the speed controller 20. No data is assigned in section SEQ6, which means that these data are not sent to speed controller 20. The speed controller 20 performs speed control according to these data while the data set in the data setting units P1 and P2 is being sent.In the section SEQ6 where no data is sent, the nozzles are set at a predetermined speed. To return to the original position. In FIG. 7, S1 is
This indicates that a developing solution, that is, a resist coating process is performed. FIG. 8 is a diagram showing the movement of the nozzle according to the above-described recipe and the change in speed thereof. With reference to FIG. 8, the developing solution applying operation of this example will be described. That is, when a start command of the processing liquid application processing is given to the unit controller, a start signal is given from the unit controller 11A or 11B to the speed controller 20 in the section SEQ1 and the data setting unit P1 and
The data of P2 is sent to the speed controller 20. Then
The speed controller 20 accelerates the stepping motor 35 to the target speed at the ratio of the speed value and the acceleration value set in the data setting unit P1. Then, a developer is supplied to the wafer from the nozzle at a rate of, for example, 20 cc / sec. Thereafter, the developing solution is supplied from the nozzle to the semiconductor wafer at a constant rate in this ratio. Also, in this section SEQ1, the wafer rotation speed
It is controlled by the unit controller 11A or 11B to rotate at 500 rpm. When the scan delay time is set, the stepping motor 35 starts rotating after the scan delay time has elapsed. After the elapse of the scan delay time, the developer is supplied to the wafer from the nozzle. When accelerated to the target speed, in this example 30 mm / sec, the stepping motor 35 at that speed during the scan time of the divided scan section SA, ie during section SEQ1,
The nozzle is fixed and moves at the moving speed. When the scanning time set in the data setting section P1 elapses and the section becomes SEQ2, the stepping motor 35 is controlled by the speed controller 20 at the ratio of the speed value and the acceleration value set in the data setting section P2 to the target speed, which is 65 mm65 0.8
It is accelerated to 81.25 mm / sec. When accelerated to the target speed, the stepping motor
35 is fixed at that speed during the scan time of the divided scan section SB, that is, during the sections SEQ2 to SEQ5,
The nozzle moves at the moving speed. However, the rotation speed of the wafer is 1000 rpm in section SEQ2 and section S
It is controlled by the unit controller to 800 rpm for EQ3, 1500 rpm for section SEQ4, and 2000 rpm for section SEQ5. After the time set in the data setting section P2 elapses, section SE
At Q6, the supply of the developing solution from the nozzle is stopped, the stepping motor 35 is decelerated and stopped by the speed controller 20, and the nozzle is returned to the original start position. At this time, the rotation speed of the wafer is set to 4000 rpm by the unit controller, so that the developer is more uniformly applied to the wafer. As described above, the moving speed of the nozzle is set to a different value for each divided scan section. In this case, the moving speed of the nozzle is as fast as 81.25 mm / sec at a position near the center of the semiconductor wafer and relatively slow as 30 mm seconds at a position near the outer peripheral edge. Therefore, even if the processing liquid is supplied to the surface of the semiconductor wafer from the nozzle by a fixed amount, it is possible to prevent a portion where the processing liquid is not applied to the surface of the semiconductor wafer from occurring. Of course, the operator can change the setting data and select the setting data that allows the processing liquid to be applied to the surface of the wafer almost uniformly. According to the above example, the scanning section of the nozzle in one process can be divided into a plurality of sections, and the moving speed of the nozzle can be set arbitrarily in each divided scanning section. Optimum nozzle movement control can be performed in accordance with the above. Also, in the above example, the rotational speed of the semiconductor wafer was changed in relation to the movement of the nozzle,
Control at the time of applying the treatment liquid can be performed more finely. In the above example, the moving speed of the nozzle is gradually increased, but the setting data of the data setting unit P2 or P3 is set to a target speed that is lower than the moving speed of the preceding divided scan section. By setting such that, the moving speed can be reduced. It goes without saying that the movement speed can be increased or decreased in the same manner. Although the above example is for a case where the number of divided scan sections is three, any number of divided scan sections may be provided depending on the application. Further, in the above embodiment, the case where the moving speed of the nozzle is changed to change the amount of the processing liquid to be processed between the rotation center portion and the peripheral portion, but the moving speed of the nozzle is kept constant. By changing the supply amount of the processing liquid from the nozzle, by intermittently injecting the processing liquid from the nozzle, or by changing the injection amount itself from the nozzle,
You may make it change the processing liquid amount in the rotation center part and peripheral part of a to-be-processed object. In the above embodiment, one nozzle is scanned. However, a plurality of nozzles may be arranged in the radial direction of the semiconductor wafer, and the processing liquid may be simultaneously dropped from each nozzle. Simultaneous dropping and supply can alleviate faster drying of the developer in the periphery due to the difference in peripheral speed.
この発明によれば、角速度一定で回転している被処理
体の回転中心部と周辺部とで、処理液量を変えるように
したので、被処理体の回転中心からの半径方向の距離が
異なるいずれの位置でも被処理体への処理液の塗布量は
均一になり、処理液が塗布されない箇所が生じることが
ない。According to the present invention, the processing liquid amount is changed between the rotation center portion and the peripheral portion of the object rotating at a constant angular velocity, so that the radial distance from the rotation center of the object is different. At any position, the amount of the processing liquid applied to the object to be processed is uniform, and there is no place where the processing liquid is not applied.
第1図は、この発明による処理装置の電気的構成の一例
のブロック図、第2図は、この発明による装置の要部の
機械的構成の一例を示す図、第3図は、ノズルの移動駆
動用モータの駆動制御回路の一例を示すブロック図、第
4図は、移動速度を設定するための入力パネルの一例を
示す図、第5図は、ノズルのスキャンの一例を説明する
ための図、第6図は、ノズルの移動速度のデータを設定
する場合に使用する表の一例を示す図、第7図は、処理
液塗布の際の各部の動作仕様の一例を示す図、第8図
は、ノズルの移動とその速度変化を示す図である。 11A,11B;ユニットコントローラ 13A,13B;処理ユニット 20;速度コントローラ 21A,21B;入力パネル 31;ノズルプレート 32;摺動体 35;ステッピングモータFIG. 1 is a block diagram showing an example of an electrical configuration of a processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a view showing an example of a mechanical configuration of a main part of the apparatus according to the present invention, and FIG. FIG. 4 is a block diagram illustrating an example of a drive control circuit of a drive motor, FIG. 4 is a diagram illustrating an example of an input panel for setting a moving speed, and FIG. 5 is a diagram illustrating an example of nozzle scanning; , FIG. 6 is a diagram showing an example of a table used when setting the data of the moving speed of the nozzle, FIG. 7 is a diagram showing an example of operation specifications of each part at the time of applying the processing liquid, FIG. FIG. 4 is a diagram showing the movement of a nozzle and its speed change. 11A, 11B; Unit controller 13A, 13B; Processing unit 20; Speed controller 21A, 21B; Input panel 31; Nozzle plate 32; Sliding body 35; Stepping motor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−15773(JP,A) 特開 昭62−183885(JP,A) 特開 昭63−107768(JP,A) 特開 昭63−51976(JP,A) 特開 平1−236971(JP,A) 特開 平1−218664(JP,A) 実開 昭59−102177(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) B05C 7/00 - 21/00 H01L 21/30 G03F 7/16,7/30──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-61-15773 (JP, A) JP-A-62-183885 (JP, A) JP-A-63-107768 (JP, A) 51976 (JP, A) JP-A-1-236971 (JP, A) JP-A-1-218664 (JP, A) JP-A-59-102177 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) B05C 7/00-21/00 H01L 21/30 G03F 7 / 16,7 / 30
Claims (3)
上方において、回転半径方向に移動させながら、上記被
処理体上に処理液を供給して上記被処理体に処理液を塗
布する処理装置において、 上記処理液供給ノズルの移動区間を複数個に分割し、各
分割移動区間での上記被処理体の回転速度を、その分割
移動区間の上記回転半径方向位置に応じて切り替え制御
する回転速度制御手段を設けたことを特徴とする処理装
置。A processing liquid is supplied onto the object to be processed by applying a processing liquid to the object while moving a processing liquid supply nozzle in the direction of a radius of rotation above the object to be rotated. In the processing apparatus, the moving section of the processing liquid supply nozzle is divided into a plurality of sections, and the rotation speed of the object to be processed in each of the divided moving sections is switched and controlled in accordance with the position of the divided moving section in the rotational radial direction. A processing device, comprising: a rotation speed control unit that performs rotation speed control.
上方において、回転半径方向に移動させながら、上記被
処理体上に処理液を供給して上記被処理体に処理液を塗
布する処理装置において、 上記処理液供給ノズルの移動区間を複数個に分割し、各
分割移動区間での上記処理液供給ノズルからの処理液の
供給量を、それぞれ所望の値に制御する処理液供給量制
御手段と、 上記各分割移動区間での上記被処理体の回転速度を、上
記処理液供給ノズルの、上記被処理体の回転半径方向位
置に応じて切り替え制御する回転速度制御手段と、 を備えることを特徴とする処理装置。2. A processing liquid is supplied onto the object to be processed and applied to the object while the processing liquid supply nozzle is moved in the radial direction of rotation above the object being rotated. In the processing apparatus, the moving section of the processing liquid supply nozzle is divided into a plurality of sections, and the supply amount of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle in each of the divided moving sections is controlled to a desired value. Amount control means, and rotation speed control means for switching and controlling the rotation speed of the processing object in each of the divided moving sections according to the position of the processing liquid supply nozzle in the rotation radial direction of the processing object. A processing device, comprising:
とする請求項(1)または請求項(2)に記載の処理装
置。3. The processing apparatus according to claim 1, wherein said processing liquid is a developing processing liquid.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1008315A JP2863925B2 (en) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | Processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1008315A JP2863925B2 (en) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | Processing equipment |
Related Child Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP13626698A Division JP3260117B2 (en) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | Processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH02191570A JPH02191570A (en) | 1990-07-27 |
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Family Applications (1)
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5838569U (en) * | 1981-09-09 | 1983-03-12 | 中央紙器工業株式会社 | Can container transport equipment |
-
1989
- 1989-01-17 JP JP1008315A patent/JP2863925B2/en not_active Expired - Lifetime
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