JP2868022B2 - ポリアセチレン配向膜の製造方法 - Google Patents
ポリアセチレン配向膜の製造方法Info
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- JP2868022B2 JP2868022B2 JP12814690A JP12814690A JP2868022B2 JP 2868022 B2 JP2868022 B2 JP 2868022B2 JP 12814690 A JP12814690 A JP 12814690A JP 12814690 A JP12814690 A JP 12814690A JP 2868022 B2 JP2868022 B2 JP 2868022B2
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- film
- alignment film
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の概要〕 ポリアセチレン膜の製造方法に関し、 高度に配向したポリアセチレン膜を、簡便な方法でし
かも大型の装置を用いることなく製造することを目的と
し、 チーグラーナッタ触媒を塗布した基板を冷却し、アセ
チレンガス中で当該基板表面をレーザ光でスキャンする
ように構成する。
かも大型の装置を用いることなく製造することを目的と
し、 チーグラーナッタ触媒を塗布した基板を冷却し、アセ
チレンガス中で当該基板表面をレーザ光でスキャンする
ように構成する。
〔産業上の利用分野〕 本発明は、ポリアセチレン膜の製造方法に関し、更に
詳しくは高度に配向したポリアチレン膜の製造方法に関
する。
詳しくは高度に配向したポリアチレン膜の製造方法に関
する。
ポリアセチレン膜は有機半導体膜で、大面積性、軽量
性、柔軟性、作製の容易性等の特徴を有し、シリコンに
替わる半導体材料として期待されている。特にドーピン
グ量により、電気抵抗を場合によっては12桁も変化させ
うるという特徴を有する。一例として、ノンドープのト
ランス型ポリアセチレンは、室温の電気伝導度が１×10
-5Ohm-1cm-1であり、0.1％のAsF5をドンピングした場合
の室温での電気伝導度は１×102Ohm-1cm-1と向上する。
このように良好にドープしたポリアセチレンは、ドープ
したポリSiと同程度の良い電気伝導体となる。従って、
ドープしたポリアセチレンを用いてMOSFET等のデバイス
を作成したり、配線に用いることが可能となってきてい
る。
性、柔軟性、作製の容易性等の特徴を有し、シリコンに
替わる半導体材料として期待されている。特にドーピン
グ量により、電気抵抗を場合によっては12桁も変化させ
うるという特徴を有する。一例として、ノンドープのト
ランス型ポリアセチレンは、室温の電気伝導度が１×10
-5Ohm-1cm-1であり、0.1％のAsF5をドンピングした場合
の室温での電気伝導度は１×102Ohm-1cm-1と向上する。
このように良好にドープしたポリアセチレンは、ドープ
したポリSiと同程度の良い電気伝導体となる。従って、
ドープしたポリアセチレンを用いてMOSFET等のデバイス
を作成したり、配線に用いることが可能となってきてい
る。
ところでこのようなポリアセチレン膜を結晶が配向し
た状態の膜として得ることができれば更に電気伝導度が
向上すると共に素子としての電気特性も秀れたものとな
る。従って、このようなポリアセチレン配向膜の開発が
進められつつある。
た状態の膜として得ることができれば更に電気伝導度が
向上すると共に素子としての電気特性も秀れたものとな
る。従って、このようなポリアセチレン配向膜の開発が
進められつつある。
ところで、ポリアセチレン薄膜は、基板にチーグラー
ナッタ触媒を塗布した後、アセチレンガス雰囲気に保つ
ことで成長させることができる。ところが、この方法に
よって成長した膜は、太さ200Å程度のフィブリルとい
う繊維状の結晶がランダムにからまりあった構造をして
いる。
ナッタ触媒を塗布した後、アセチレンガス雰囲気に保つ
ことで成長させることができる。ところが、この方法に
よって成長した膜は、太さ200Å程度のフィブリルとい
う繊維状の結晶がランダムにからまりあった構造をして
いる。
そこで、配向した膜を得るためには、従来２つの方法
が提案されている。
が提案されている。
その第１は、延伸法である。この方法は、例えばSi基
板で、ポリアセチレン膜を成長させ、次いで、ポリアセ
チレン膜をSi基板から剥離し、この剥離したポリアセチ
レン膜を機械的に延伸し、再びSi基板につけていた。
板で、ポリアセチレン膜を成長させ、次いで、ポリアセ
チレン膜をSi基板から剥離し、この剥離したポリアセチ
レン膜を機械的に延伸し、再びSi基板につけていた。
しかし、このような方法ではSi基板に配向したポリア
セチレン膜を好しく密着させることは困難であり、しか
も手間を要する。
セチレン膜を好しく密着させることは困難であり、しか
も手間を要する。
第二の方法として触媒に液晶を混ぜて、液晶を20kG程
度の磁場をかけて配向させる方法が提案されている（Sy
nthetic Metals vol.28,D51〜56（1989）。
度の磁場をかけて配向させる方法が提案されている（Sy
nthetic Metals vol.28,D51〜56（1989）。
しかし、この方法による場合、触媒濃度が薄くなり、
しかも強磁場の発生装置が大型のものとなる等の欠点を
有する。
しかも強磁場の発生装置が大型のものとなる等の欠点を
有する。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであ
り、上記の如き大型の強磁場発生装置を用いることなく
便宜な方法で高度に配向したポリアセチレン膜を得るこ
とを発明の目的とする。
り、上記の如き大型の強磁場発生装置を用いることなく
便宜な方法で高度に配向したポリアセチレン膜を得るこ
とを発明の目的とする。
かかる目的達成のため、本発明のポリアセチレン配向
膜の製造方法は、チーグラーナッタ触媒を塗布した基板
を冷却し、アセチレンガスを含む雰囲気で、当該基板表
面をレーザ光でスキャンすることを含んでなる。すなわ
ち、本発明方法では液体窒素温度に、チーグラーナッタ
触媒を塗布した基板を冷却した後、アセチレンガス雰囲
気に保ち、レーザ光線により局所的に加熱し、加熱され
た部分での重合反応を促進し、かつ加熱されたスポット
を走査することによってポリアセチレンの配向膜を製造
する。なお、本発明方法では、基板として、例えばSi基
板、GaAs基板、ガラス基板等が使用可能である。
膜の製造方法は、チーグラーナッタ触媒を塗布した基板
を冷却し、アセチレンガスを含む雰囲気で、当該基板表
面をレーザ光でスキャンすることを含んでなる。すなわ
ち、本発明方法では液体窒素温度に、チーグラーナッタ
触媒を塗布した基板を冷却した後、アセチレンガス雰囲
気に保ち、レーザ光線により局所的に加熱し、加熱され
た部分での重合反応を促進し、かつ加熱されたスポット
を走査することによってポリアセチレンの配向膜を製造
する。なお、本発明方法では、基板として、例えばSi基
板、GaAs基板、ガラス基板等が使用可能である。
以下、本発明方法の一実施例を図面を参照しつつ説明
する。
する。
第１図は、本発明方法を実施するためのポリアセチレ
ン配向膜の製造装置の一例を示す模式図である。
ン配向膜の製造装置の一例を示す模式図である。
第１図中、１はステージであり、一方向、例えばＸ方
向に機械的に移動可能である。更にこのホールダーに
は、液体窒素が封入できる構造となっている。２は反応
室である。反応室には、減圧下でアセチレンガスが導入
できる管が設けられている（図示せず）。３はホールダ
ーであり、ステージ１に固定されている。このホールダ
ー３上には基板４が取りつけられている。５はArレーザ
ー発生装置である。６はミラーであり、一定方向、例え
ばＹ軸方向に往復運動可能の構造となっている。７はレ
ンズ（例えばｆ＝50mm）であり、ビームをフォーカスす
るものである。更に８はArレーザーに対する反射防止膜
付のガラス窓である。
向に機械的に移動可能である。更にこのホールダーに
は、液体窒素が封入できる構造となっている。２は反応
室である。反応室には、減圧下でアセチレンガスが導入
できる管が設けられている（図示せず）。３はホールダ
ーであり、ステージ１に固定されている。このホールダ
ー３上には基板４が取りつけられている。５はArレーザ
ー発生装置である。６はミラーであり、一定方向、例え
ばＹ軸方向に往復運動可能の構造となっている。７はレ
ンズ（例えばｆ＝50mm）であり、ビームをフォーカスす
るものである。更に８はArレーザーに対する反射防止膜
付のガラス窓である。
このような装置に、100Torrのアセチレンガスを導入
して反応室２をアセチレンガス雰囲気とする。次いで、
チーグラーナッタ触媒９を塗布した基板４を置く。この
ガラス基板は爪によりホールダーに固定されている。
して反応室２をアセチレンガス雰囲気とする。次いで、
チーグラーナッタ触媒９を塗布した基板４を置く。この
ガラス基板は爪によりホールダーに固定されている。
なお、ステージ１は予じめステージ内の配管を流れる
液体窒素により77Kに冷却しておく。
液体窒素により77Kに冷却しておく。
これは、重合反応が事前に発生するのを防止するため
である。
である。
いま、Arレーザー発生装置５から発生したArレーザー
はミラー６で光路が曲げられ、レンズ７でガラス基板４
上に集光される。レンズの焦点距離は50mmで、スポット
サイズはおよそ20μｍ程度である。レーザパワーは、2W
に設定した。このミラー６とレンズ７は一体となって図
示されているＹ軸方向にステージにより走査される。ま
た、反応室２全体はステージ１の上にのせられＸ方向へ
走査される。走査はラスタースキャンで、Ｙ軸方向へ、
30mm/sの速度でスキャンし、Ｘ軸方向へ、10μｍピッチ
で送った。
はミラー６で光路が曲げられ、レンズ７でガラス基板４
上に集光される。レンズの焦点距離は50mmで、スポット
サイズはおよそ20μｍ程度である。レーザパワーは、2W
に設定した。このミラー６とレンズ７は一体となって図
示されているＹ軸方向にステージにより走査される。ま
た、反応室２全体はステージ１の上にのせられＸ方向へ
走査される。走査はラスタースキャンで、Ｙ軸方向へ、
30mm/sの速度でスキャンし、Ｘ軸方向へ、10μｍピッチ
で送った。
このように基板表面をレーザ光でスキャンした得られ
たポリアセチレン膜について、配向方向の電気伝導度を
測定した。この結果、４×104 S/cmの値を得た。この値
は、無配向のポリアセチレン膜に比較して８倍の高い値
である。
たポリアセチレン膜について、配向方向の電気伝導度を
測定した。この結果、４×104 S/cmの値を得た。この値
は、無配向のポリアセチレン膜に比較して８倍の高い値
である。
本発明は、以上説明したようにチーグラーナッタ触媒
を塗布した基板を冷却し、アセチレンガスを含む雰囲気
で、当該基板表面をレーザ光でスキャンするように構成
したものであるから、スポットされた部分が局所的に加
熱されかつ一定の方向に走査しているので極めて簡便な
方法で電気伝導度の高いポリアセチレン配向膜を得る効
果を奏する。
を塗布した基板を冷却し、アセチレンガスを含む雰囲気
で、当該基板表面をレーザ光でスキャンするように構成
したものであるから、スポットされた部分が局所的に加
熱されかつ一定の方向に走査しているので極めて簡便な
方法で電気伝導度の高いポリアセチレン配向膜を得る効
果を奏する。
第１図は、ポリアセチレン配向膜製造装置の模式図であ
る。 １……ステージ、２……反応室、 ３……ホールダ、４……基板、 ５……Arレーザー発生装置、 ６……ミラー、７……レンズ、 ８……ガラス窓、 ９……チーグラーナッタ触媒。
る。 １……ステージ、２……反応室、 ３……ホールダ、４……基板、 ５……Arレーザー発生装置、 ６……ミラー、７……レンズ、 ８……ガラス窓、 ９……チーグラーナッタ触媒。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C08F 2/00 - 2/60 C08F 38/00 - 38/04 C08F 138/00 - 138/04 C08F 238/00 - 238/04 C08J 5/18
Claims (1)
- 【請求項１】チーグラーナッタ触媒を塗布した基板を冷
却し、アセチレンガスを含む雰囲気で、当該基板表面を
レーザ光でスキャンすることを含んでなるポリアセチレ
ン配向膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12814690A JP2868022B2 (ja) | 1990-05-19 | 1990-05-19 | ポリアセチレン配向膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12814690A JP2868022B2 (ja) | 1990-05-19 | 1990-05-19 | ポリアセチレン配向膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423806A JPH0423806A (ja) | 1992-01-28 |
| JP2868022B2 true JP2868022B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=14977528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12814690A Expired - Lifetime JP2868022B2 (ja) | 1990-05-19 | 1990-05-19 | ポリアセチレン配向膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2868022B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101550614B1 (ko) | 2014-02-11 | 2015-09-08 | 현대자동차 주식회사 | 배기가스 정화용 촉매 담체, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 배기가스 정화용 촉매 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080099129A1 (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for forming a continuous oriented structure of a polymer |
-
1990
- 1990-05-19 JP JP12814690A patent/JP2868022B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101550614B1 (ko) | 2014-02-11 | 2015-09-08 | 현대자동차 주식회사 | 배기가스 정화용 촉매 담체, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 배기가스 정화용 촉매 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0423806A (ja) | 1992-01-28 |
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