JP2873755B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2873755B2 JP2873755B2 JP3236910A JP23691091A JP2873755B2 JP 2873755 B2 JP2873755 B2 JP 2873755B2 JP 3236910 A JP3236910 A JP 3236910A JP 23691091 A JP23691091 A JP 23691091A JP 2873755 B2 JP2873755 B2 JP 2873755B2
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- JP
- Japan
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- light
- exposure
- semiconductor manufacturing
- measured
- manufacturing apparatus
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体焼付露光装置に
関し、さらに詳しくはステッパーなどのマスクアライナ
ーにおいて、露光画面を指定するためのマスキングブレ
ード装置を備えた型式の半導体製造装置に関する。
関し、さらに詳しくはステッパーなどのマスクアライナ
ーにおいて、露光画面を指定するためのマスキングブレ
ード装置を備えた型式の半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスはＩＣからＬＳＩ
そして超ＬＳＩへとパターンの微細化と高集積化および
大画面化が目覚ましく、半導体焼付露光装置の分野でも
これに応えるために各種方式のステッパーが開発されて
いる。ステッパーでは、毎ショットの焼付け場面のサイ
ズが小さく、焼付け目面範囲をマスキングブレードによ
って区切って焼付けを行なっている。そして、画面をス
テップ移動させながら数十ショットの露光を繰り返し行
って、レチクルの焼付けパターンをウエハ全面に焼き付
けている。図７のフローチャートは従来の半導体焼付露
光装置における上記の動作を示す。
そして超ＬＳＩへとパターンの微細化と高集積化および
大画面化が目覚ましく、半導体焼付露光装置の分野でも
これに応えるために各種方式のステッパーが開発されて
いる。ステッパーでは、毎ショットの焼付け場面のサイ
ズが小さく、焼付け目面範囲をマスキングブレードによ
って区切って焼付けを行なっている。そして、画面をス
テップ移動させながら数十ショットの露光を繰り返し行
って、レチクルの焼付けパターンをウエハ全面に焼き付
けている。図７のフローチャートは従来の半導体焼付露
光装置における上記の動作を示す。
【０００３】この時、マスキングブレードによって区切
られた焼付け画面の範囲外を、マスキングブレードやコ
リメータレンズなどによって発生した反射光が洩れ光と
なって露光してしまう。ウエハ上の焼付けパターンの微
細化と高集積化に伴いこの洩れ光が問題となってきた。
られた焼付け画面の範囲外を、マスキングブレードやコ
リメータレンズなどによって発生した反射光が洩れ光と
なって露光してしまう。ウエハ上の焼付けパターンの微
細化と高集積化に伴いこの洩れ光が問題となってきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、マスキング
ブレード等で区切られた焼き付け画面外の洩れ光の強さ
や量の状態を簡単に把握することができる半導体製造装
置を提供することを目的とする。
ブレード等で区切られた焼き付け画面外の洩れ光の強さ
や量の状態を簡単に把握することができる半導体製造装
置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体製造装置は、マスキングブレードに
よって区切られた露光範囲内でレチクルに描かれたパタ
ーンをウエハに露光光を用いて露光する半導体製造装置
において、前記マスキングブレードを通過してきた露光
光の内で前記露光範囲外に洩れ出した洩れ光を計測する
光計測手段と、前記露光範囲外の各測定点に前記光計測
手段を少なくとも移動させる移動手段を有することを特
徴とする。
め、本発明の半導体製造装置は、マスキングブレードに
よって区切られた露光範囲内でレチクルに描かれたパタ
ーンをウエハに露光光を用いて露光する半導体製造装置
において、前記マスキングブレードを通過してきた露光
光の内で前記露光範囲外に洩れ出した洩れ光を計測する
光計測手段と、前記露光範囲外の各測定点に前記光計測
手段を少なくとも移動させる移動手段を有することを特
徴とする。
【０００６】また、本発明によれば、前記光計測手段で
計測した洩れ光のデータの解析結果を出力する出力手段
を有し、入力されたコマンドに応じて前記光計測手段は
前記移動手段によって移動されながら前記各測定点で洩
れ光を計測し、前記出力手段は計測した洩れ光のデータ
の解析結果を出力することを特徴とする。
計測した洩れ光のデータの解析結果を出力する出力手段
を有し、入力されたコマンドに応じて前記光計測手段は
前記移動手段によって移動されながら前記各測定点で洩
れ光を計測し、前記出力手段は計測した洩れ光のデータ
の解析結果を出力することを特徴とする。
【０００７】解析した結果は、例えばグラフィック３次
元出力される。
元出力される。
【０００８】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の一実施例に係る半導体製造
装置の概略構成図である。同図の装置は、ウエハの焼き
付けを行なう露光装置３０、ＣＰＵやメモリなどから構
成される制御回路を備えたコントロールボックス４０、
ならびにディスプレイ装置５１やプリンタ装置５３など
の出力装置、キーボード装置５２などの入力装置および
ディスク装置５４などの記憶装置などを備えたコンソー
ル５０により構成される。
装置の概略構成図である。同図の装置は、ウエハの焼き
付けを行なう露光装置３０、ＣＰＵやメモリなどから構
成される制御回路を備えたコントロールボックス４０、
ならびにディスプレイ装置５１やプリンタ装置５３など
の出力装置、キーボード装置５２などの入力装置および
ディスク装置５４などの記憶装置などを備えたコンソー
ル５０により構成される。
【００１０】図２は図１における露光装置３０内の照明
光学系および縮小光学系の概略図である。同図の光学系
は、ウエハの焼付けの際の光源である水銀ランプ１０、
焼付け画面範囲を区切るためのマスキングブレード１
１、拡散していく光路を平行にするコリメータレンズ１
２、ウエハ上に焼き付けるパターンが描かれたレチクル
１３、レチクルを載せるレチクルステージ１４、露光量
を計測する積算露光計１５、レチクル上にある焼付けパ
ターンをウエハ上に縮小投影する縮小投影レンズ１６、
ウエハ１７、ウエハを載せるウエハステージ１８、ＸＹ
ステージ１９および照度を測定する照度計２０により構
成される。
光学系および縮小光学系の概略図である。同図の光学系
は、ウエハの焼付けの際の光源である水銀ランプ１０、
焼付け画面範囲を区切るためのマスキングブレード１
１、拡散していく光路を平行にするコリメータレンズ１
２、ウエハ上に焼き付けるパターンが描かれたレチクル
１３、レチクルを載せるレチクルステージ１４、露光量
を計測する積算露光計１５、レチクル上にある焼付けパ
ターンをウエハ上に縮小投影する縮小投影レンズ１６、
ウエハ１７、ウエハを載せるウエハステージ１８、ＸＹ
ステージ１９および照度を測定する照度計２０により構
成される。
【００１１】次に前記のように構成された半導体製造装
置のフレアー測定におけるデータ処理の方法を各図を使
って説明する。
置のフレアー測定におけるデータ処理の方法を各図を使
って説明する。
【００１２】例として図１に示す構成において、コンソ
ール５０のディスプレイ装置５１の画面が図３のような
コマンド入力待ち状態の時、コマンドをキーボード装置
５２よりキー入力してコマンドを実行し、ディスプレイ
装置５１が図４のような画面表示となってからキーボー
ド装置５２よりパラメータの入力を行なう。設定パラメ
ータとしては図４に示されるように、１）サンプリング
領域（Sampling Area）、２）サンプリングピッチ（Sam
plingPitch）、３）マスキングブレード位置Maskeng Bl
ade position）、４）露光条件（Exposure）がある。こ
れらのパラメータの設定を行ってからフレアー測定を始
める。
ール５０のディスプレイ装置５１の画面が図３のような
コマンド入力待ち状態の時、コマンドをキーボード装置
５２よりキー入力してコマンドを実行し、ディスプレイ
装置５１が図４のような画面表示となってからキーボー
ド装置５２よりパラメータの入力を行なう。設定パラメ
ータとしては図４に示されるように、１）サンプリング
領域（Sampling Area）、２）サンプリングピッチ（Sam
plingPitch）、３）マスキングブレード位置Maskeng Bl
ade position）、４）露光条件（Exposure）がある。こ
れらのパラメータの設定を行ってからフレアー測定を始
める。
【００１３】図５において、このパラメータの設定によ
りＸＹステージ１９（図２）上で細枠によって囲んだサ
ンプリングエリア１００内を、図２の積算露光計１５と
照度計２０を用い、各照度測定地点１０２における光の
強さや量を測定する。測定地点の移動は、パラメータ入
力時に設定されたサンプリングピッチ１０３を使ってス
テップアンドリピート駆動を繰り返して行なう。太線で
囲まれた露光範囲１０１がマスキングブレード１１によ
って囲まれた、水銀ランプ１０による露光時の焼付け画
面範囲である。露光の際、光路中にあるマスキングブレ
ード１１、コリメータレンズ１２、レチクル１３、レチ
クルステージ１４などによって反射光が発生する。図５
の露光範囲１０１外で測定された反射光による洩れ光の
データと露光範囲内で測定されたデータとを、図１のコ
ントロールボックス４０において解析処理、統計処理し
てディスプレイ装置５１やプリンタ装置５３やディスク
装置５４に、出力方法を選択して出力する。処理された
データの出力方法には、各々測定した地点でのデータが
書かれたマップをグラフィック化して出力する２次元出
力方式、視覚的に状況を捉え易いようにデータをグラフ
化して出力するグラフィック３次元出力方式、測定した
データの最大値、最小値、平均値を出し、その測定地点
をマップによって指し示す出力方式を備えている。
りＸＹステージ１９（図２）上で細枠によって囲んだサ
ンプリングエリア１００内を、図２の積算露光計１５と
照度計２０を用い、各照度測定地点１０２における光の
強さや量を測定する。測定地点の移動は、パラメータ入
力時に設定されたサンプリングピッチ１０３を使ってス
テップアンドリピート駆動を繰り返して行なう。太線で
囲まれた露光範囲１０１がマスキングブレード１１によ
って囲まれた、水銀ランプ１０による露光時の焼付け画
面範囲である。露光の際、光路中にあるマスキングブレ
ード１１、コリメータレンズ１２、レチクル１３、レチ
クルステージ１４などによって反射光が発生する。図５
の露光範囲１０１外で測定された反射光による洩れ光の
データと露光範囲内で測定されたデータとを、図１のコ
ントロールボックス４０において解析処理、統計処理し
てディスプレイ装置５１やプリンタ装置５３やディスク
装置５４に、出力方法を選択して出力する。処理された
データの出力方法には、各々測定した地点でのデータが
書かれたマップをグラフィック化して出力する２次元出
力方式、視覚的に状況を捉え易いようにデータをグラフ
化して出力するグラフィック３次元出力方式、測定した
データの最大値、最小値、平均値を出し、その測定地点
をマップによって指し示す出力方式を備えている。
【００１４】図６は、図１および図２の半導体装置の上
述した動作をフローチャートに示したものである。
述した動作をフローチャートに示したものである。
【００１５】
【他の実施例】上述においては、本発明を半導体ウエハ
を露光する装置に適用した例を示したが、本発明のフレ
アー測定におけるデータ処理は、他の装置にも適用され
る。
を露光する装置に適用した例を示したが、本発明のフレ
アー測定におけるデータ処理は、他の装置にも適用され
る。
【００１６】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、ウエハを
露光する際に重大な影響を与える洩れ光の状態を半導体
製造装置上で容易に計測することができる。このため、
本発明によれば、ウエハ上のある領域を露光している際
にその周辺の領域が洩れ光によって露光されてしまうか
否かを容易に把握することができ、無駄なパターン露光
を防止できる。
露光する際に重大な影響を与える洩れ光の状態を半導体
製造装置上で容易に計測することができる。このため、
本発明によれば、ウエハ上のある領域を露光している際
にその周辺の領域が洩れ光によって露光されてしまうか
否かを容易に把握することができ、無駄なパターン露光
を防止できる。
【図１】 本発明の一実施例に係る半導体製造装置の構
成概略図である。
成概略図である。
【図２】 図１における露光装置内の照明光学系および
縮小光学系の構成概略図である。
縮小光学系の構成概略図である。
【図３】 図１におけるコンソールのディスプレイ装置
のコマンド待ち状態の例を示す図である。
のコマンド待ち状態の例を示す図である。
【図４】 図１におけるコンソールのディスプレイ装置
の設定パラメータ入力待ちの状態の例を示す図である。
の設定パラメータ入力待ちの状態の例を示す図である。
【図５】 フレアー測定の手順および測定点を示す図で
ある。
ある。
【図６】 図１の装置における露光時の動作を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図７】 従来の装置における露光時の動作を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
１０：水銀ランプ、１１：マスキングブレード、１２：
コリメータレンズ、１３：レチクル、１４：レチクルス
テージ、１５：積算露光計、１６：縮小投影レンズ、１
７：ウエハ、１８：ウエハステージ、２０：照度計、３
０：露光装置、４０：コントロールボックス、５０：コ
ンソール、５１：ディスプレイ装置、５２：キーボード
装置、５３：プリンタ装置、５４：ディスク装置。
コリメータレンズ、１３：レチクル、１４：レチクルス
テージ、１５：積算露光計、１６：縮小投影レンズ、１
７：ウエハ、１８：ウエハステージ、２０：照度計、３
０：露光装置、４０：コントロールボックス、５０：コ
ンソール、５１：ディスプレイ装置、５２：キーボード
装置、５３：プリンタ装置、５４：ディスク装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (2)
- 【請求項１】 マスキングブレードによって区切られた
露光範囲内でレチクルに描かれたパターンをウエハに露
光光を用いて露光する半導体製造装置において、前記マ
スキングブレードを通過してきた露光光の内で前記露光
範囲外に洩れ出した洩れ光を計測する光計測手段と、前
記露光範囲外の各測定点に前記光計測手段を少なくとも
移動させる移動手段を有することを特徴とする半導体製
造装置。 - 【請求項２】 前記光計測手段で計測した洩れ光のデー
タの解析結果を出力する出力手段を有し、入力されたコ
マンドに応じて前記光計測手段は前記移動手段によって
移動されながら前記各測定点で洩れ光を計測し、前記出
力手段は計測した洩れ光のデータの解析結果を出力する
ことを特徴とする請求項１の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3236910A JP2873755B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3236910A JP2873755B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555104A JPH0555104A (ja) | 1993-03-05 |
| JP2873755B2 true JP2873755B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=17007570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3236910A Expired - Fee Related JP2873755B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2873755B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005008754A1 (ja) * | 2003-07-18 | 2005-01-27 | Nikon Corporation | フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク |
| WO2006035925A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Nikon Corporation | 計測方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2011022309A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Nsk Ltd | 露光装置の制御方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3125344U (ja) | 2006-04-25 | 2006-09-14 | 高效電子股▲ふん▼有限公司 | ブリッジレス力率改善回路及びその制御方法 |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP3236910A patent/JP2873755B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3125344U (ja) | 2006-04-25 | 2006-09-14 | 高效電子股▲ふん▼有限公司 | ブリッジレス力率改善回路及びその制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0555104A (ja) | 1993-03-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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