JP2888089B2 - Silicon single crystal pulling equipment - Google Patents
Silicon single crystal pulling equipmentInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン単結晶引上げ
装置に関し、より詳しくは、長期間に亘る引上げ操業に
よっても引上げ装置内において汚染がきらわれる部材へ
の不要物質の析出をなくし、該部材を使用可能な期間を
延長させ、清掃・解体作業が簡略できるシリコン単結晶
引上げ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a silicon single crystal pulling apparatus, and more particularly, to a method for eliminating the deposition of unnecessary substances on a member which is contaminated in a pulling apparatus even after a long-time pulling operation. The present invention relates to a silicon single crystal pulling apparatus capable of extending a usable period and simplifying cleaning and dismantling operations.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体素子は、高純度シリコン単結晶棒
より得られる基板から作られることは良く知られてい
る。高純度単結晶棒は、ダイヤモンド刃により、スライ
シングされ、さらにはラッピング、化学薬品によるエッ
チング、次いで鏡面仕上げ加工を経て、例えば、半導体
集積回路等の始発材料基板として使われる。2. Description of the Related Art It is well known that semiconductor devices are made from substrates obtained from high-purity silicon single crystal rods. The high-purity single crystal rod is sliced by a diamond blade, and further subjected to lapping, etching with a chemical, and mirror finishing, and is used as a starting material substrate for a semiconductor integrated circuit, for example.
【０００３】近年、半導体技術の進歩に伴って、ドーパ
ント濃度、ドーパント以外の不純物の濃度、格子欠陥密
度等をより精密に制御する必要性が増大し、それに伴
い、半導体単結晶引上げ装置も上記精密な制御が可能で
あるとともに、そのような精密制御を長期に亘って行な
え、清掃・解体等の作業ができるだけ少ないものが要求
されるようになってきている。In recent years, with the advancement of semiconductor technology, the necessity of more precise control of the dopant concentration, the concentration of impurities other than dopant, the density of lattice defects, and the like has increased. In addition to such control, it is required to perform such precise control over a long period of time, and to perform as little cleaning and disassembly as possible.
【０００４】従来より、シリコン単結晶の引上げにはチ
ョクラルスキー法が採用されており、その一例を図２に
示す。図２において、１はシリコン溶融体２を収容する
ルツボであり、３はルツボ１の外周に設けられたヒータ
ー、４はヒーター３の外周に設けられた断熱シールド、
５は引上げられつつあるシリコン単結晶である。[0004] Conventionally, the Czochralski method has been employed for pulling a silicon single crystal, an example of which is shown in FIG. In FIG. 2, 1 is a crucible for accommodating the silicon melt 2, 3 is a heater provided on the outer periphery of the crucible 1, 4 is a heat insulating shield provided on the outer periphery of the heater 3,
5 is a silicon single crystal being pulled.
【０００５】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶
を製造する際、ルツボ１として石英製のルツボが用いら
れるため、石英製のルツボからシリコン溶融体中に酸素
が溶解し、それがシリコン単結晶中に取込まれることが
知られている。これは、石英ルツボ中に収容されたシリ
コン溶融体の熱対流や引上げ中のルツボの回転により生
じる強制対流により、シリコン溶融体が石英ルツボに作
用し、石英ルツボを形成するＳｉＯ2 とＳｉとの反応を
起こし、この反応によりＳｉＯが発生し、このＳｉＯが
一旦溶融体中に取り込まれ、ＳｉＯの大部分が溶融体表
面より蒸発し、残分がシリコン単結晶中に取り込まれる
ことにより生じるものである。When a silicon single crystal is manufactured by the Czochralski method, a quartz crucible is used as the crucible 1, so that oxygen is dissolved in the silicon melt from the quartz crucible, and the oxygen is dissolved in the silicon single crystal. It is known to be taken. This is because the silicon melt acts on the quartz crucible due to the thermal convection of the silicon melt contained in the quartz crucible and the forced convection generated by the rotation of the crucible during the pulling, and the SiO 2 and Si forming the quartz crucible react with each other. A reaction occurs, and SiO is generated by this reaction. This SiO is once taken into the melt, most of the SiO is evaporated from the melt surface, and the residue is taken into the silicon single crystal. is there.
【０００６】このＳｉＯは、生成するシリコン単結晶中
の格子間酸素濃度を引き上げ、ある場合は欠陥の原因と
なり、他の場合はゲッター効果を発現することとなるた
め、結晶中に取り込まれる酸素濃度は高精度でコントロ
ールされる必要性がある。This SiO raises the interstitial oxygen concentration in the generated silicon single crystal, and in some cases causes defects, and in other cases, it exhibits a getter effect. Needs to be controlled with high precision.
【０００７】そこで、引上げ室６を完全密閉系とすると
シリコン溶融体から蒸発したＳｉＯは、シリコン溶融体
中に再融解するし、また、引上げ室６内のＳｉＯ濃度が
刻々と変化するため、一定酸素濃度の単結晶を引上げる
ことは困難になる。そのため、引上げ室６内に不活性ガ
ス７を導入し、引上げ室６内のＳｉＯを同伴させて流出
させ、引上げ室６内のＳｉＯ濃度を定常状態にすること
が行なわれている。When the pulling chamber 6 is made a completely closed system, the SiO evaporated from the silicon melt is re-melted in the silicon melt, and the SiO concentration in the pulling chamber 6 changes every moment. It becomes difficult to pull a single crystal having an oxygen concentration. Therefore, an inert gas 7 is introduced into the pulling chamber 6, and SiO in the pulling chamber 6 is caused to flow out together with the inert gas 7, so that the SiO concentration in the pulling chamber 6 is brought into a steady state.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところが、図２に示す
従来のシリコン単結晶引上げ装置においては、引上げ室
６上方から不活性ガス７を流し、シリコン溶融体２表面
に接融させた後は、ルツボ１とヒーター３との間に形成
された間隙９ａ、ヒーター３と断熱シールド４との間に
形成された間隙９ｂを通り、排気孔１０、バルブ１１を
経て真空ポンプ１２により系外に放出され、この際、ヒ
ーター３、断熱シールド４の表面にＳｉＯに起因する析
出物が多量に付着することとなる。However, in the conventional silicon single crystal pulling apparatus shown in FIG. 2, after the inert gas 7 is flowed from above the pulling chamber 6 and is brought into close contact with the surface of the silicon melt 2, Through a gap 9a formed between the crucible 1 and the heater 3 and a gap 9b formed between the heater 3 and the heat insulating shield 4, the gas is discharged out of the system by a vacuum pump 12 through an exhaust hole 10 and a valve 11. At this time, a large amount of precipitates caused by SiO adhere to the surfaces of the heater 3 and the heat insulating shield 4.
【０００９】ここで、ヒーター３や断熱シールド４は、
黒鉛製であり、ＳｉＯ起因物質の析出により劣化した
り、あるいは操業終了後の析出物除去作業を行なわなけ
ればならなかったりし、その場合、引上げ装置の解体・
再組立を行なわねばならず、そのために多くの人手と時
間を要するという問題があった。Here, the heater 3 and the heat shield 4 are
It is made of graphite and deteriorates due to the deposition of SiO-derived substances, or it is necessary to perform deposit removal work after the end of the operation.
Reassembly has to be performed, which requires a lot of manpower and time.
【００１０】本発明は、上記の点を解決しようとするも
ので、その目的は、黒鉛製の部品にＳｉＯ起因物質が析
出するのを防止して黒鉛部品のＳｉＯ起因物質の析出に
よる劣化を防止し、また、黒鉛部品からの析出物除去作
業をなくすか、あるいは極端に少なくすることができ、
さらには、黒鉛製部品の解体・再組立を行なわずに、操
業できる期間を大幅に延ばすことができ、また、黒鉛製
部品への析出物が少ないため、解体・再組立が簡略化さ
れ、大型化が可能になり、引上げ可能なシリコン単結晶
棒の径も大型化することができるシリコン単結晶の引上
げ装置を提供することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to prevent a SiO-based substance from depositing on a graphite part and prevent the graphite part from deteriorating due to the deposition of the SiO-based substance. In addition, it is possible to eliminate or extremely reduce the work of removing precipitates from graphite parts,
Furthermore, the operation period can be greatly extended without dismantling and reassembling graphite parts, and since there are few deposits on graphite parts, dismantling and reassembly are simplified, and large It is an object of the present invention to provide a silicon single crystal pulling apparatus capable of increasing the diameter of a pullable silicon single crystal rod.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明のシリコン単結晶
引上げ装置は、チョクラルスキー法により不活性ガス雰
囲気中でシリコン単結晶を引上げる装置であって、シリ
コン溶融体を収容するルツボと、ルツボの外周に設けら
れたヒーターと、ヒーターの外周に設けられた断熱シー
ルドと、ルツボを収納する引上げ室を形成する外装材
と、引上げ室の上方に設けられた不活性ガス導入部と、
引上げ室の下方に設けられた不活性ガス排気部とを有
し、断熱シールドは二重壁で構成されるとともに、二枚
の壁間の中空部は通気路とされ、通気路の上方端部に開
口部が形成され、かつ、前記開口部はルツボの開口縁部
に近接した位置に設けられ、引上げ室底面のうち前記二
重壁の中空部に位置する部分には不活性ガス排気部を構
成する排気孔が形成され、通気路の下方端部は前記排気
孔と連通されてなることを特徴とする。The silicon single crystal pulling apparatus of the present invention is an apparatus for pulling a silicon single crystal in an inert gas atmosphere by a Czochralski method, comprising: a crucible containing a silicon melt; A heater provided on the outer periphery of the crucible, a heat insulating shield provided on the outer periphery of the heater, an exterior material forming a pull-up chamber for storing the crucible, and an inert gas introduction section provided above the pull-up chamber,
An inert gas exhaust unit provided below the pulling chamber, and a heat insulating shield having a double wall and two
The hollow portion of the walls of the the air passage, an opening is formed in the upper end of the air passage, and the opening is provided at a position close to the opening edge portion of the crucible, the out of pulling chamber bottom two
An inert gas exhaust section is constructed in the hollow portion of the heavy wall.
Exhaust holes are formed, and the lower end of the ventilation path is
It is characterized by being communicated with a hole .
【００１２】次に、図面に従い、より詳細に本発明を説
明する。図１は本発明に係るシリコン単結晶引上げ装置
の概略の構成を示す説明図である。図１において、２は
シリコン溶融体、１はシリコン溶融体２を収容するルツ
ボ、３はルツボ１の外周に設けられたヒーター、６は引
上げ室、１４は引上げ室６を形成する外装材、１５は引
上げ室６内上方に設けられた不活性ガス導入部、１６は
引上げ室６の下方に設けられた不活性ガス排気部、４は
ヒーター３の外周に設けられた断熱シールドである。Next, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory view showing a schematic configuration of a silicon single crystal pulling apparatus according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 2 denotes a silicon melt, 1 denotes a crucible for accommodating the silicon melt 2, 3 denotes a heater provided on the outer periphery of the crucible 1, 6 denotes a pulling chamber, 14 denotes an exterior material forming the pulling chamber 6, 15 Reference numeral 16 denotes an inert gas introduction part provided above the pulling chamber 6, 16 denotes an inert gas exhaust part provided below the pulling chamber 6, and 4 denotes a heat insulating shield provided on the outer periphery of the heater 3.
【００１３】断熱シールド４は二重壁になっていて、こ
れを構成する二枚の壁間に形成された中空部を通気路１
７としてある。通気路１７の上方端部には開口部１８が
形成されている。引上げ室６底面のうち上記二重壁の中
空部に位置する部分には、上記不活性ガス排気部１６を
構成する排気孔２０が形成され、上記通気路１７の下方
端部は、この排気孔２０と連通されている。これによ
り、断熱シールド４の開口部１８から通気路１７を経て
不活性ガス排気部１６に至る流路が形成される。断熱シ
ールド４の開口部１８はルツボ１の開口縁部１９に近接
した位置に設けられる。こうすることにより、ルツボ１
中のシリコン溶融体２から発生したＳｉＯが、周囲に拡
散しないうちに引上げ室６内より僅かに減圧された通気
路１７内に吸い込まれることになり、ＳｉＯによる汚染
を防止するものである。[0013] The heat-insulating shield 4 have a double wall, this
The hollow portion formed between the two walls constituting the
There are seven. An opening 18 is provided at the upper end of the air passage 17.
Is formed. Inside the double wall on the bottom of the pulling room 6
In the portion located in the empty portion, the inert gas exhaust portion 16 is provided.
An exhaust hole 20 is formed below the ventilation path 17.
The end is in communication with the exhaust hole 20 . As a result, a flow path from the opening 18 of the heat insulating shield 4 to the inert gas exhaust part 16 via the ventilation path 17 is formed. The opening 18 of the heat insulating shield 4 is provided at a position close to the opening edge 19 of the crucible 1. By doing so, the crucible 1
The SiO generated from the silicon melt 2 therein is sucked into the air passage 17 slightly depressurized from the inside of the pulling chamber 6 before diffusing to the surroundings, thereby preventing contamination by SiO.
【００１４】不活性ガス排気部１６は、排気孔２０と真
空ポンプ１２とバルブ１１により構成され、引上げ室６
内の気圧よりも僅かに低く目になるように、制御してあ
る。これにより引上げ室６から不活性ガス排気部１６へ
の気流が生じる。The inert gas exhaust section 16 is composed of an exhaust hole 20, a vacuum pump 12, and a valve 11, and
It is controlled so that it is slightly lower than the internal pressure. As a result, an airflow from the pulling chamber 6 to the inert gas exhaust unit 16 is generated.
【００１５】石英製のルツボ１に収容したシリコン溶融
体２に種結晶（図示せず）を浸漬し、ルツボ１と種結晶
を回転しつつ、種結晶にシリコンを析出させて結晶成長
を行う。ここで、ルツボ１内のシリコン溶融体２は、加
熱による温度差に基づく密度の偏りにより熱対流を生
じ、またルツボ１およびシリコン単結晶５の回転に伴う
強制対流も生じる。そして、これらの対流によりシリコ
ン溶融体２はルツボ１の壁面を摩擦し、石英製のルツボ
１を溶解して酸素を取り込む。ここで、引上げ室６内は
１００ｍｂａｒ以下の減圧にされ、かつ引上げ室６上方
からアルゴンガスのごとき不活性ガス７が流される。A seed crystal (not shown) is immersed in a silicon melt 2 accommodated in a quartz crucible 1, and while the crucible 1 and the seed crystal are rotated, silicon is deposited on the seed crystal to grow the crystal. Here, the silicon melt 2 in the crucible 1 generates thermal convection due to the density deviation due to the temperature difference due to heating, and also generates forced convection due to the rotation of the crucible 1 and the silicon single crystal 5. Then, due to these convections, the silicon melt 2 rubs against the wall surface of the crucible 1 and dissolves the quartz crucible 1 to take in oxygen. Here, the pressure in the pulling chamber 6 is reduced to 100 mbar or less, and an inert gas 7 such as an argon gas flows from above the pulling chamber 6.
【００１６】シリコン溶融体２に取り込まれた酸素は、
ＳｉＯとなって蒸発する。引上げ室６上方から導入され
た不活性ガス７は、引上げ室６内のＳｉＯとともに二重
壁で形成された断熱シールド４の通気路１７の上方端部
に形成された開口部１８から通気路１７内に入り込み、
不活性ガス排気部１６から排出される。The oxygen taken into the silicon melt 2 is
It becomes SiO and evaporates. The inert gas 7 introduced from above the pulling chamber 6 flows through the opening 18 formed at the upper end of the ventilation path 17 of the heat insulating shield 4 formed of double walls together with SiO in the pulling chamber 6. Get inside,
It is discharged from the inert gas exhaust unit 16.
【００１７】[0017]
【作用】断熱シールド４を構成する二枚の壁間に通気路
１７が形成され、通気路１７の上方端部に開口部１８が
形成され、通気路１７の下方端部は不活性ガス排気部１
６と連通されており、かつ、開口部１８はルツボ１の開
口縁部１９に近接した位置に設けられているために、ル
ツボ１中のシリコン溶融体２から発生したＳｉＯが、周
囲に拡散しないうちに開口部１８から通気路１７内に吸
い込まれることになる。すなわち、引上げ室６上方から
導入された不活性ガス７やシリコン溶融体２から発生し
たＳｉＯは、排気のための流路以外の場所には流れ難く
なり、上記流路以外の場所に設けられた黒鉛製部品に接
触し難くなる。従って、不活性ガス中に同伴したＳｉＯ
が黒鉛製部品等の引上げ装置内の各部材へ析出するのを
防止することができる。A ventilation path is formed between two walls constituting the heat insulating shield, an opening is formed at an upper end of the ventilation path, and a lower end of the ventilation path is an inert gas exhaust section. 1
6 and the opening 18 is provided at a position close to the opening edge 19 of the crucible 1, so that SiO generated from the silicon melt 2 in the crucible 1 does not diffuse to the surroundings. At this time, it will be sucked into the ventilation path 17 from the opening 18. That is, from above the pulling chamber 6
The introduced inert gas 7 and SiO generated from the silicon melt 2 hardly flow to a place other than the flow path for exhaust, and hardly come into contact with a graphite part provided in a place other than the flow path. Become. Therefore, the SiO2 entrained in the inert gas
Can be prevented from depositing on each member in the pulling device such as a graphite part.
【００１８】[0018]
【実施例】次に、実施例を挙げてさらに詳細に本発明を
説明する。 実施例１ 図１に示した単結晶引上げ装置を用いて、直径４イン
チ、軸方位〈１００〉のシリコン単結晶棒を引上げた。
石英製のルツボ１の内径は１４インチ、引上げ室６内の
気圧は１００ｍｂａｒとし、石英製のルツボ１を８ｒｐ
ｍ、種結晶を２５ｒｐｍで互いに逆方向に回転しつつシ
リコン単結晶５を引上げた。また、不活性ガスとして
は、アルゴンガスを１１０Ｎｌ／ｍｉｎの流速で引上げ
室６内に流入した。又、ＳｉＯの析出量を比較する為、
図１中Ａ及びＢに直径１００ｍｍ、厚み５ｍｍの黒鉛板
を放置した。この条件で、６９．６７時間引上げ操作を
行い、図１における黒鉛板Ａ，Ｂ及びヒーター３の重量
増加を調べた。黒鉛板Ａ，Ｂ及びヒーター３のいずれも
重量の増加がなく、ＳｉＯが析出していないことがわか
った。また、引上げられたシリコン単結晶中の酸素濃度
をＦＴ−ＩＲ法（フーリエ変換赤外分光法）により測定
したところ、下記比較例１に比べ約０．５ｐｐｍａ低い
ことがわかった。さらに、シリコン単結晶中の欠陥（Ｏ
ＳＦ密度）は比較例１に比較して同等かやや少なく、カ
ーボン濃度についても比較例１と比較して特に差は認め
られなかった。Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples. Example 1 A silicon single crystal rod having a diameter of 4 inches and an axial orientation of <100> was pulled using the single crystal pulling apparatus shown in FIG.
The inner diameter of the quartz crucible 1 is 14 inches, the air pressure in the pulling chamber 6 is 100 mbar, and the crucible 1 made of quartz is 8 rpm.
The silicon single crystal 5 was pulled while rotating the seed crystal at 25 rpm in directions opposite to each other. As an inert gas, an argon gas was introduced into the pulling chamber 6 at a flow rate of 110 Nl / min. Also, to compare the amount of SiO deposited,
A graphite plate having a diameter of 100 mm and a thickness of 5 mm was left on A and B in FIG. Under these conditions, a lifting operation was performed for 69.67 hours, and the weight increase of the graphite plates A and B and the heater 3 in FIG. It was found that there was no increase in the weight of any of the graphite plates A and B and the heater 3 and no SiO was precipitated. Further, when the oxygen concentration in the pulled silicon single crystal was measured by FT-IR method (Fourier transform infrared spectroscopy), it was found to be about 0.5 ppma lower than that of Comparative Example 1 below. Furthermore, defects (O) in the silicon single crystal
SF density) was equal to or slightly lower than that of Comparative Example 1, and there was no particular difference in carbon concentration as compared with Comparative Example 1.
【００１９】比較例１ 図２に示したような従来のシリコン単結晶引上げ装置を
用いた以外は実施例１と同様にして、シリコン単結晶を
引上げた。２６．６７時間引上げ操作を行い、図２にお
ける黒鉛板Ａ，Ｂ及びヒーター３の重量増加を調べたと
ころ、ヒーター３の重量増加はなかったが、黒鉛板Ａは
４６．４ｍｇの増加、黒鉛板Ｂは３．３ｍｇの増加を示
した。Comparative Example 1 A silicon single crystal was pulled in the same manner as in Example 1 except that a conventional silicon single crystal pulling apparatus as shown in FIG. 2 was used. When the weight increase of the graphite plates A and B and the heater 3 in FIG. 2 was examined by performing the lifting operation for 26.67 hours, the weight increase of the heater 3 was not found, but the graphite plate A increased by 46.4 mg, and the graphite plate increased. B showed a 3.3 mg increase.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
係るシリコン単結晶引上げ装置では、断熱シールドを構
成する二枚の壁間に通気路が形成され、通気路の上方端
部に開口部が形成され、通気路の下方端部は不活性ガス
排気部と連通されており、かつ、断熱シールドの開口部
はルツボの開口縁部に近接した位置に設けられている。
このため、ルツボ中のシリコン溶融体から発生したＳｉ
Ｏが、周囲に拡散しないうちに開口部から吸い込まれ、
通気路を経て不活性排気部から排出され、黒鉛製部材の
ような引上げ装置内の各部材へのＳｉＯ起因物質の析出
が防止されるとともに、ＳｉＯ起因物質の析出による劣
化が防止され、また、引上げ装置内の各部材からの析出
物除去作業をなくすか、あるいは極端に少なくすること
ができる。さらには引上げ装置の解体・再組立を行なわ
ずに操業できる期間を大幅に延長することでき、また、
ＳｉＯ起因物質が析出する部材が少ないため、解体・再
組立の作業が簡略され、大型化が可能となり、引上げ可
能なシリコン単結晶棒の径も大型化することができる。
そして、このような利点は、引上げられる単結晶棒の品
質を良好に保ったまま可能である。As is apparent from the above description, in the silicon single crystal pulling apparatus according to the present invention , a heat insulating shield is constructed.
Air passage is formed in the two walls of the formed, an opening is formed in the upper end of the vent passage, the lower end of the vent passage is communicated with an inert gas exhaust part, and the heat shields The opening is provided at a position close to the opening edge of the crucible .
Therefore, Si generated from the silicon melt in the crucible
O is sucked in from the opening before diffusing into the surroundings,
It is discharged from the inert exhaust part through the air passage, and the deposition of the SiO-based substance on each member in the pulling device such as a graphite member is prevented, and the deterioration due to the deposition of the SiO-based substance is prevented . The operation of removing precipitates from each member in the pulling apparatus can be eliminated or extremely reduced . In addition , the operating period without dismantling and reassembly of the lifting equipment can be significantly extended,
Since the number of members on which the SiO-derived material is deposited is small, dismantling and reassembly operations are simplified, the size can be increased, and the diameter of the silicon single crystal rod that can be pulled can be increased.
Such advantages can be achieved while maintaining the quality of the pulled single crystal rod.
【図１】本発明に係るシリコン単結晶引上げ装置の概略
構成を示す縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a silicon single crystal pulling apparatus according to the present invention.
【図２】従来のシリコン単結晶引上げ装置の概略構成を
示す縦断面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a conventional silicon single crystal pulling apparatus.
１ ルツボ ２ シリコン溶融体 ３ ヒーター ４ 断熱シールド ５ シリコン単結晶 ６ 引上げ室 ７ 不活性ガス ９ａ，９ｂ 間隙 １０ 排気孔 １１ バルブ １２ 真空ポンプ １４ 外装材 １５ 不活性ガス導入部 １６ 不活性ガス排気部 １７ 通気路 １８ 開口部 １９ 開口縁部 ２０ 排気孔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Crucible 2 Silicon melt 3 Heater 4 Heat insulation shield 5 Silicon single crystal 6 Pulling chamber 7 Inert gas 9a, 9b Gap 10 Exhaust hole 11 Valve 12 Vacuum pump 14 Exterior material 15 Inactive gas introduction part 16 Inactive gas exhaust part 17 Ventilation passage 18 Opening 19 Opening edge 20 Exhaust hole
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 庭山 正 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 半導体株式会社 磯部工場内 (72)発明者 小田 哲宏 福井県武生市北府２丁目13番50号 信越 半導体株式会社 武生工場内 (56)参考文献 特開 昭57−183396（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−140797（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−282183（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−115185（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−41280（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 15/00 C30B 28/00 - 35/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tadashi Niwayama 2-13-1, Isobe, Annaka-shi, Gunma Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. Isobe Plant (72) Inventor Tetsuhiro Oda 2--13-50 Kitafu, Takefu-shi, Fukui Prefecture No. Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. Takefu Factory (56) References JP-A-57-183396 (JP, A) JP-A-55-140797 (JP, A) JP-A-1-282183 (JP, A) JP-A-3 -115185 (JP, A) JP-A-54-41280 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) C30B 15/00 C30B 28/00-35/00
Claims (1)
囲気中でシリコン単結晶を引上げる装置であって、シリ
コン溶融体を収容するルツボと、ルツボの外周に設けら
れたヒーターと、ヒーターの外周に設けられた断熱シー
ルドと、ルツボを収納する引上げ室を形成する外装材
と、引上げ室の上方に設けられた不活性ガス導入部と、
引上げ室の下方に設けられた不活性ガス排気部とを有
し、断熱シールドは二重壁で構成されるとともに、二枚
の壁間の中空部は通気路とされ、通気路の上方端部に開
口部が形成され、かつ、前記開口部はルツボの開口縁部
に近接した位置に設けられ、引上げ室底面のうち前記二
重壁の中空部に位置する部分には不活性ガス排気部を構
成する排気孔が形成され、通気路の下方端部は前記排気
孔と連通されてなることを特徴とするシリコン単結晶引
上げ装置。An apparatus for pulling a silicon single crystal in an inert gas atmosphere by a Czochralski method, comprising: a crucible containing a silicon melt; a heater provided on the outer periphery of the crucible; A heat insulating shield provided, an exterior material forming a pulling chamber for storing a crucible, and an inert gas introduction part provided above the pulling chamber,
An inert gas exhaust unit provided below the pulling chamber, and a heat insulating shield having a double wall and two
The hollow portion of the walls of the the air passage, an opening is formed in the upper end of the air passage, and the opening is provided at a position close to the opening edge portion of the crucible, the out of pulling chamber bottom two
An inert gas exhaust section is constructed in the hollow portion of the heavy wall.
Exhaust holes are formed, and the lower end of the ventilation path is
A silicon single crystal pulling apparatus characterized by being connected to a hole .
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| JP4-105555 | 1992-03-31 | ||
| JP9704293A JP2888089B2 (en) | 1992-03-31 | 1993-03-31 | Silicon single crystal pulling equipment |
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| JPH0687687A JPH0687687A (en) | 1994-03-29 |
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