JP2890902B2 - Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus - Google Patents
Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatusInfo
- Publication number
- JP2890902B2 JP2890902B2 JP14836891A JP14836891A JP2890902B2 JP 2890902 B2 JP2890902 B2 JP 2890902B2 JP 14836891 A JP14836891 A JP 14836891A JP 14836891 A JP14836891 A JP 14836891A JP 2890902 B2 JP2890902 B2 JP 2890902B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- blade
- wafer
- cooling water
- cutting
- supply means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法及
び製造装置、特に半導体ウェーハを個々の半導体チップ
に分割するダイシング方法及びダイシング装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a dicing method and apparatus for dividing a semiconductor wafer into individual semiconductor chips.
【0002】半導体ウェーハのダイシング方法として
は、回転するブレード(ダイシングソー)により格子状
に切断する方式が一般的である。当初はブレードでウェ
ーハの厚さの一部が残るように切断(これをハーフカッ
トと呼ぶ)した後、クラッキングによりチップに分割し
ていたが、クラッキング時にウェーハの破片を生じ易い
ため、最近ではブレードでウェーハの全板厚を切断(こ
れをフルカットと呼ぶ)する方式が主流となっている。
この方式ではウェーハの裏面に予め粘着テープを貼付
し、ウェーハの全板厚と粘着テープの厚さの一部が切断
されるように切り込むが、ブレードは使用中に次第に磨
耗するから切り込み量は次第に減少し、やがてフルカッ
トされなくなる。従ってこの切り込み量の管理は重要で
ある。[0002] As a method of dicing a semiconductor wafer, a method of cutting into a lattice by a rotating blade (dicing saw) is generally used. Initially, the wafer was cut with a blade so that part of the thickness of the wafer remained (this is called half-cutting), and then divided into chips by cracking. However, wafers tend to be broken during cracking. The method of cutting the entire thickness of a wafer (this is called a full cut) is mainly used.
In this method, adhesive tape is pasted on the backside of the wafer in advance, and the wafer is cut so that the entire thickness of the wafer and a part of the thickness of the adhesive tape are cut.However, since the blade gradually wears out during use, the cutting amount gradually increases It will decrease and eventually will not be fully cut. Therefore, it is important to manage the cut amount.
【0003】[0003]
【従来の技術】従来例のダイシング方法とダイシング装
置を図2を参照しながら説明する。図2は従来例の説明
図であり、ダイシング装置の要部を示している。尚、図
中、図1と同じものには同一の符号を付与した。1はブ
レード、2はテーブル、3はカバー、4は冷却水供給手
段である。2. Description of the Related Art A conventional dicing method and dicing apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 2 is an explanatory view of a conventional example, and shows a main part of a dicing apparatus. In the figure, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. 1 is a blade, 2 is a table, 3 is a cover, and 4 is a cooling water supply means.
【0004】ウェーハのダイシングは次のように行われ
る。裏面に粘着テープを貼付したウェーハ(図示は省
略)をテーブル2上に固着し、これを高速回転するブレ
ード1により格子状に切断する。この際、冷却水供給手
段4から切断個所付近に冷却水を供給してブレード1を
冷却する。冷却水としては炭酸水(純水中で炭酸ガスを
バブリングしたものであり、比抵抗は著しく低い・・・
例えば0.3MΩ-cm 程度)を使用する。ウェーハをフル
カットする場合は、ウェーハの全板厚と粘着テープの厚
さの一部が切断されるようブレード1を切り込む。[0004] Dicing of a wafer is performed as follows. A wafer (not shown) having an adhesive tape adhered to the back surface is fixed on a table 2 and cut into a grid by a high-speed rotating blade 1. At this time, the cooling water is supplied from the cooling water supply means 4 to the vicinity of the cutting point to cool the blade 1. The cooling water is carbonated water (carbon dioxide gas is bubbled in pure water, and the specific resistance is extremely low ...
For example, about 0.3 MΩ-cm) is used. When the wafer is fully cut, the blade 1 is cut so that the entire thickness of the wafer and a part of the thickness of the adhesive tape are cut.
【0005】ブレード1の切り込み量は、予めブレード
1のテーブル2からの高さ(以下これをブレード・ハイ
トと記す)を調整して設定する。具体的には、テーブル
2上にウェーハが載置されておらず、冷却水の供給を停
止した状態でブレード1をテーブル2に向けて降下さ
せ、ブレード1とテーブル2との接触を電気的導通によ
って検出し、この位置を基準点としてブレード1を所望
の高さだけ上昇させることにより調整する。このブレー
ド・ハイトの調整は、ブレードを交換した際の他、一定
枚数のウェーハをダイシングする度に行う。The cutting depth of the blade 1 is set by adjusting the height of the blade 1 from the table 2 (hereinafter referred to as the blade height). Specifically, when the wafer is not placed on the table 2 and the supply of the cooling water is stopped, the blade 1 is lowered toward the table 2 to electrically connect the blade 1 to the table 2. Is adjusted by raising the blade 1 by a desired height using this position as a reference point. This adjustment of the blade height is performed every time a fixed number of wafers are diced, in addition to when the blade is replaced.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の装置及び方法によりダイシングすると、ブレード
・ハイト調整時にテーブル上面に冷却水が残っていて、
そのためにブレード・ハイト設定値に誤差を生じること
がある、という問題があった。即ち、ブレード・ハイト
調整時にテーブル上面に前述した炭酸水のような比抵抗
の低い冷却水が残っていると、ブレードを降下させてブ
レードがこの冷却水に接触した時点でブレードとテーブ
ルが冷却水を介して電気的に導通し、この位置を基準点
としてブレード・ハイトが設定されるから、ブレード・
ハイトの設定値が所望の値より大きくなる。この場合、
ブレードの切り込み量は当初から浅くなるから、ブレー
ドの僅かな磨耗で切り込み不足となり、後工程でのチッ
プのピックアップに支障(ピックアップ不能やチップに
欠けやクラックが発生する等)を来すことになる。尚、
比抵抗の低い冷却水を使用する理由は、半導体素子の静
電破壊防止等のためである。However, when dicing by such a conventional apparatus and method, cooling water remains on the upper surface of the table when adjusting the blade height.
Therefore, there is a problem that an error may occur in the blade height setting value. That is, if cooling water having a low specific resistance, such as the above-described carbonated water, remains on the upper surface of the table when adjusting the blade height, the blade is lowered and the blade and the table are cooled when the blade comes into contact with the cooling water. And the blade height is set with this position as the reference point.
The set value of the height becomes larger than the desired value. in this case,
Since the cutting depth of the blade becomes shallow from the beginning, the cutting of the blade becomes insufficient due to slight wear of the blade, which causes trouble in picking up chips in a later process (such as inability to pick up, chipping or cracking). . still,
The reason for using the cooling water having a low specific resistance is to prevent electrostatic breakdown of the semiconductor element.
【0007】本発明は、このような問題を解決して、常
に適正な切り込み量で切断するようにブレード・ハイト
の調整を正確に行うことが可能なダイシング方法及びダ
イシング装置を提供することを目的とする。An object of the present invention is to solve such a problem and to provide a dicing method and a dicing apparatus capable of accurately adjusting a blade height so as to always cut at an appropriate cutting amount. And
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、〔1〕テーブル2上面に純水を流して該テーブル
(2) を洗浄する工程と、ウェーハを切断するためのブレ
ード1の外周と該テーブル2上面との接触を双方の電気
的導通により検出し、該ブレード1の該テーブル2上面
に対する高さを調整する工程と、該ブレード1により該
テーブル2上面に載置したウェーハを該ウェーハ表面に
冷却水を供給しながら切断する工程とを含み、該純水の
比抵抗は該冷却水の比抵抗よりも高いことを特徴とする
半導体装置の製造方法とすることで、〔2〕ウェーハを
載置するテーブル2と、該ウェーハを切断するブレード
1と、冷却水を供給する冷却水供給手段4と、該ブレー
ド1と該テーブル2上面との接触位置を電気的導通によ
り検出し、該ブレード1の該テーブル2上面に対する高
さを調整するブレード・ハイト調整機構と、該冷却水よ
り比抵抗の高い洗浄水を供給する洗浄水供給手段5と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造装置とする
ことで、達成される。According to the present invention, there is provided [1] pure water flowing over the upper surface of a table,
(2) Cleaning process and blur for cutting wafer
The contact between the outer periphery of the table 1 and the upper surface of the table 2
The upper surface of the table 2 of the blade 1
And a step of cutting the wafer placed on the upper surface of the table 2 by the blade 1 while supplying cooling water to the wafer surface, wherein the specific resistance of the pure water is [2] a table 2 on which a wafer is mounted, a blade 1 for cutting the wafer, and a cooling water supply for supplying cooling water. Means 4, a blade height adjusting mechanism for detecting the contact position between the blade 1 and the upper surface of the table 2 by electrical conduction, and adjusting the height of the blade 1 with respect to the upper surface of the table 2; Cleaning water supply means 5 for supplying high-resistance cleaning water;
This is achieved by providing a semiconductor device manufacturing apparatus having the following features.
【0009】[0009]
【作用】ウェーハの切削を一時中断してブレード・ハイ
ト調整を行う時にはテーブル上に比抵抗の低い冷却水が
残っている。その中に切り粉(シリコン微粉)が含まれ
ていることもある。これを予め比抵抗の高い純水で流水
洗浄すれば、たとえその純水がテーブル上に残っていて
も、ブレードがテーブルに接触するまで電気的に導通す
ることはない。When the cutting of the wafer is temporarily suspended to adjust the blade height, cooling water having low specific resistance remains on the table. In some cases, cutting powder (silicon fine powder) is contained. If this is washed with running pure water having high specific resistance in advance, even if the pure water remains on the table, it will not be electrically conducted until the blade contacts the table.
【0010】この純水をテーブル上に放出する洗浄水供
給手段をダイシング装置に組み込み、所望のタイミング
で純水を放出するように構成すれば、常に安定したブレ
ード・ハイト調整が行なえる。If the cleaning water supply means for discharging the pure water onto the table is incorporated in the dicing apparatus so as to discharge the pure water at a desired timing, the blade height can always be stably adjusted.
【0011】[0011]
【実施例】本発明に基づくダイシング方法とダイシング
装置の一例を図1を参照しながら説明する。図1は本発
明の実施例の説明図であり、ダイシング装置の要部を示
している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An example of a dicing method and a dicing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is an explanatory view of an embodiment of the present invention, showing a main part of a dicing apparatus.
【0012】このダイシング装置は、ブレード1、テー
ブル2、カバー3、冷却水供給手段4、洗浄水供給手段
5、圧気供給手段6、ブレード・ハイト調整手段(図示
は省略)等からなる。This dicing apparatus comprises a blade 1, a table 2, a cover 3, a cooling water supply means 4, a cleaning water supply means 5, a compressed air supply means 6, a blade height adjusting means (not shown), and the like.
【0013】ブレード1は円板状をなし、高速回転して
ウェーハ(図示は省略)を切削する。その刃先(外周)
はダイヤモンド砥粒を金属で結合したものである。テー
ブル2はブレード1の下方で被切削物のウェーハを載置
・固定(真空吸着)する。カバー3はブレード1の外周
をカバーする。冷却水供給手段4は冷却水源に連通する
配管と、ブレード1の両側方にあって切削個所近傍に冷
却水を放出するノズル等からなり、カバー3に固着され
ている。洗浄水供給手段5は純水源に連通する配管と、
純水をテーブル2上面に放出するノズル等からなり、カ
バー3に固着されている。圧気供給手段6は N2 やエア
等の清浄で乾燥した圧気の供給源に連通する配管と、圧
気をテーブル2上面に放出するノズル等からなり、カバ
ー3に固着されている。ブレード・ハイト調整手段はブ
レード1を上下に移動する機構、ブレード1とテーブル
2上面との接触を電気的導通により検出してブレード1
の降下を停止する機構、この停止位置からブレード1を
予め設定した所望の高さ(ブレード・ハイト)まで上昇
させる機構等を有している。The blade 1 has a disk shape and rotates at a high speed to cut a wafer (not shown). The cutting edge (outer circumference)
Is obtained by bonding diamond abrasive grains with metal. The table 2 mounts and fixes (vacuum suction) a wafer to be cut under the blade 1. The cover 3 covers the outer periphery of the blade 1. The cooling water supply means 4 is composed of a pipe communicating with a cooling water source, nozzles on both sides of the blade 1 for discharging cooling water near a cutting portion, and the like, and is fixed to the cover 3. The washing water supply means 5 includes a pipe communicating with a pure water source,
It consists of a nozzle or the like that discharges pure water onto the upper surface of the table 2 and is fixed to the cover 3. The compressed air supply means 6 includes a pipe communicating with a supply source of clean and dry compressed air such as N 2 or air, a nozzle for discharging the compressed air to the upper surface of the table 2, and is fixed to the cover 3. The blade height adjusting means is a mechanism for moving the blade 1 up and down. The blade height adjusting means detects the contact between the blade 1 and the upper surface of the table 2 by electrical continuity.
And a mechanism for raising the blade 1 from this stop position to a predetermined desired height (blade height).
【0014】ウェーハのダイシングは次のように行われ
る。裏面に粘着テープを貼付したウェーハ(図示は省
略)をテーブル2上に固着し、これをテーブル2上面か
ら所定の高さに設定した高速回転するブレード1により
切断する。この際、洗浄水供給手段5からの純水の供給
と圧気供給手段6からの圧気の供給はいずれも行わず、
冷却水供給手段4からは冷却水を供給してブレード1を
冷却する。冷却水としては炭酸水(比抵抗は例えば0.3
MΩ-cm 程度)を使用する。ウェーハをフルカットする
場合は、ウェーハの全板厚と粘着テープの厚さの一部が
切断されるようブレード1を切り込む。The dicing of the wafer is performed as follows. A wafer (not shown) having an adhesive tape adhered to the back surface is fixed on a table 2 and cut by a high-speed rotating blade 1 set at a predetermined height from the upper surface of the table 2. At this time, neither supply of pure water from the cleaning water supply means 5 nor supply of compressed air from the compressed air supply means 6 is performed.
Cooling water is supplied from the cooling water supply means 4 to cool the blade 1. As the cooling water, carbonated water (specific resistance is, for example, 0.3
(Approximately MΩ-cm). When the wafer is fully cut, the blade 1 is cut so that the entire thickness of the wafer and a part of the thickness of the adhesive tape are cut.
【0015】ブレード1の切り込み量は、予めブレード
・ハイトを調整して設定する。具体的には、テーブル2
上にウェーハが載置されておらず、冷却水の供給を停止
した状態で、先ず洗浄水供給手段5から純水(例えば5
MΩ-cm 以上)をテーブル2上面に放出してテーブル2
上面に残った冷却水を洗浄し、次いで圧気供給手段6か
ら N2 又はエアの圧気をテーブル2上面にブローして洗
浄水を除去し、その後ブレード1をテーブル2に向けて
降下させ、両者の接触を電気的導通によって検出し、こ
の位置を基準点としてブレード1を所望の高さだけ上昇
させることにより調整する。このブレード・ハイトの調
整は、ブレードを交換した際と、一定枚数のウェーハを
ダイシングする度に行う。The cutting depth of the blade 1 is set by adjusting the blade height in advance. Specifically, Table 2
In a state where the wafer is not placed on the upper side and the supply of the cooling water is stopped, first, the pure water (for example, 5
(MΩ-cm or more) onto the table 2
The cooling water remaining on the upper surface is washed, and then N 2 or air pressure is blown from the compressed air supply means 6 to the upper surface of the table 2 to remove the washing water, and then the blade 1 is lowered toward the table 2 and both of them are lowered. The contact is detected by electrical conduction, and the position is adjusted by raising the blade 1 to a desired height with this position as a reference point. The adjustment of the blade height is performed when the blade is replaced and every time a predetermined number of wafers are diced.
【0016】上記の装置を使用し、上記の方法で定期的
にブレード・ハイト調整を行うことにより、常に適正な
切り込み量でウェーハをダイシングすることが出来、次
工程でのチップのピックアップは安定した。By using the above apparatus and performing the blade height adjustment periodically by the above method, the wafer can always be diced with an appropriate cutting amount, and the chip pickup in the next step is stable. .
【0017】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施出来る。例えば、洗浄水供給
手段5と圧気供給手段6の双方、又はいずれか一方をテ
ーブル2側に固着してもよい。又、圧気供給手段6を設
けない装置、及び圧気によるブローを行わない方法につ
いても、本発明は有効である。The present invention is not limited to the above embodiments, but can be implemented in various modifications. For example, both or one of the cleaning water supply unit 5 and the compressed air supply unit 6 may be fixed to the table 2 side. The present invention is also effective for an apparatus without the compressed air supply means 6 and a method for not performing blowing by compressed air.
【0018】[0018]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ブレード・ハイトの調整を常に精確に行うことが可能な
ダイシング方法及びダイシング装置を提供することが出
来、これにより常に適正な切り込み量で切断することが
可能となるから半導体装置製造の歩留り向上に寄与す
る。As described above, according to the present invention,
It is possible to provide a dicing method and a dicing apparatus capable of always accurately adjusting the blade height, thereby enabling a cutting to be always performed at an appropriate cutting amount, thereby contributing to an improvement in the yield of semiconductor device manufacturing. I do.
【図1】 本発明の実施例の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of an embodiment of the present invention.
【図2】 従来例の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a conventional example.
1 ブレード 2 テーブル 3 カバー 4 冷却水供給手段 5 洗浄水供給手段 6 圧気供給手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Blade 2 Table 3 Cover 4 Cooling water supply means 5 Cleaning water supply means 6 Compressed air supply means
Claims (4)
ブル(2) を洗浄する工程と、ウェーハを切断するためのブレード(1) の外周と該テー
ブル(2) 上面との接触を双方の電気的導通により検出
し、該ブレード(1) の該テーブル(2) 上面に対する高さ
を調整する工程と、 該ブレード(1) により 該テーブル(2) 上面に載置したウ
ェーハを該ウェーハ表面に冷却水を供給しながら切断す
る工程とを含み、該純水の比抵抗は該冷却水の比抵抗よ
りも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。1. A step of cleaning the table (2) by flowing pure water on the upper surface of the table (2), and a step of cleaning the outer periphery of a blade (1) for cutting a wafer and the table.
(2) Detects contact with the top surface by electrical conduction between both
Height of the blade (1) with respect to the upper surface of the table (2)
And cutting the wafer placed on the upper surface of the table (2) with the blade (1) while supplying cooling water to the surface of the wafer. A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the method is higher than the specific resistance of water.
り該純水を除去することを特徴とする請求項1記載の半
導体装置の製造方法。 Wherein said After a washing step with pure water, according to claim 1, half of, wherein the removing the pure water by gas
A method for manufacturing a conductor device.
気的導通により検出し、該ブレード(1) の該テーブル
(2) 上面に対する高さを調整するブレード・ハイト調整
機構と、 該冷却水より比抵抗の高い洗浄水を供給する洗浄水供給
手段(5) と、を有することを特徴とする半導体装置の製
造装置。3. A table (2) on which a wafer is placed, a blade (1) for cutting the wafer, cooling water supply means (4) for supplying cooling water, the blade (1) and the table (2). 2) The contact position with the upper surface is detected by electrical conduction, and the table of the blade (1) is
(2) A semiconductor device characterized by having a blade height adjusting mechanism for adjusting the height with respect to the upper surface, and cleaning water supply means (5) for supplying cleaning water having higher specific resistance than the cooling water. apparatus.
テーブル(2) 上面に供給する圧気供給手段(6) を有する
ことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造装
置。4. An apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 3, further comprising a compressed air supply means (6) for supplying compressed air for removing said cleaning water to an upper surface of said table (2).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14836891A JP2890902B2 (en) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14836891A JP2890902B2 (en) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04370951A JPH04370951A (en) | 1992-12-24 |
| JP2890902B2 true JP2890902B2 (en) | 1999-05-17 |
Family
ID=15451203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14836891A Expired - Lifetime JP2890902B2 (en) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2890902B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428945B1 (en) * | 2001-06-22 | 2004-04-28 | (주)네온테크 | Semiconductor wafer sawing machine |
| JP5399662B2 (en) * | 2008-08-19 | 2014-01-29 | 株式会社ディスコ | Cutting equipment |
| JP6887722B2 (en) * | 2016-10-25 | 2021-06-16 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method and cutting equipment |
| JP6968501B2 (en) * | 2018-01-26 | 2021-11-17 | 株式会社ディスコ | How to set up the cutting equipment |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP14836891A patent/JP2890902B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04370951A (en) | 1992-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11469094B2 (en) | Method of producing wafer | |
| KR101203410B1 (en) | Bonded Wafer Manufacturing Method and Apparatus for Grinding Outer Circumference of Bonded Wafer | |
| US6105567A (en) | Wafer sawing apparatus having washing solution spray and suction devices for debris removal and heat dissipation | |
| US6767803B2 (en) | Method for peeling protective sheet | |
| US20080064187A1 (en) | Production Method for Stacked Device | |
| JP2001035817A (en) | Method of dividing wafer and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP7046668B2 (en) | Wafer chamfering device and wafer chamfering method | |
| JP2004146487A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP4700225B2 (en) | Cutting method of semiconductor wafer | |
| JP2890902B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus | |
| JP5192999B2 (en) | Ionized air supply program | |
| US11024542B2 (en) | Manufacturing method of device chip | |
| KR102680920B1 (en) | Method for cutting workpiece | |
| JP2002043254A (en) | Dicing apparatus and dicing method | |
| JP2022075141A (en) | Grinding device | |
| JP2006021285A (en) | Cutting blade and method of manufacturing cutting blade | |
| US6367467B1 (en) | Holding unit for semiconductor wafer sawing | |
| JP2012016779A (en) | Machining method of lithium tantalate | |
| JP2012135854A (en) | Method for grinding lithium tantalate | |
| JP2000349046A (en) | Semiconductor wafer dicing method and semiconductor wafer dicing apparatus | |
| JP2004356357A (en) | Cutting method | |
| JP2007221030A (en) | Substrate processing method | |
| JP7247397B2 (en) | Wafer chamfering device and wafer chamfering method | |
| JP2009124036A (en) | Dicing method | |
| US20250029828A1 (en) | Method of processing workpiece |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990126 |