JP2913194B2 - Magnetron filament support structure - Google Patents
Magnetron filament support structureInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマグネトロンに係り、特に外部衝撃によるフ
イラメントの断線を回避する耐震強度を向上させたマグ
ネトロンのフイラメント支持構造に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetron, and more particularly to a magnetron filament support structure with improved seismic strength to avoid disconnection of the filament due to external impact.
一般に、マグネトロンのフイラメントは一対の支持リ
ードにより支持されており、外部から衝撃が加つてこの
支持リードが共振状態となると、支持されているフイラ
メントが断線を起こすという問題がある。Generally, a filament of a magnetron is supported by a pair of support leads, and there is a problem in that if a shock is applied from the outside and the support leads are brought into a resonance state, the supported filaments are disconnected.
このような問題に対処するものとして、第3図に示し
たような構造を付与したものが知られている。As a countermeasure to such a problem, a configuration provided with a structure as shown in FIG. 3 is known.
第3図(a)(b)(c)は耐震機構を備えた従来の
フイラメント支持構造の説明図であつて、1a,1bは支持
リード、3は絶縁セラミツクステム、6はフイラメン
ト、7a,7bはエンドシールド、8a,8bは外部導出リード、
9a,9bは防振材、10a,10bは外部導出リード8a,8bの内部
端、11a,11bは連結体である。3 (a), 3 (b), and 3 (c) are explanatory views of a conventional filament support structure provided with an earthquake-resistant mechanism. Is an end shield, 8a and 8b are external leads,
9a and 9b are vibration-proof materials, 10a and 10b are the inner ends of the external leads 8a and 8b, and 11a and 11b are connected bodies.
同図(a)は支持リード1a,1bに絶縁セラミツクステ
ムと連結させた防振材9aを設けて共振振動を抑制するこ
とでフイラメント6の断線を回避するものである。ま
た、同図(b)は防振材9bを一方のエンドシールド7bに
設置し、フイラメント6の振動を機械的に抑える構造と
したものである。上記の防振材は絶縁セラミツクステム
3と同一のセラミツクを用いている。FIG. 7A shows a structure in which the support leads 1a and 1b are provided with an anti-vibration material 9a connected to an insulating ceramic stem to suppress resonance vibration, thereby avoiding disconnection of the filament 6. FIG. 3B shows a structure in which a vibration isolator 9b is installed on one end shield 7b to mechanically suppress the vibration of the filament 6. The above-mentioned vibration isolator uses the same ceramic as the insulating ceramic stem 3.
同図(c)は支持リード1a,1bと外部導出リード8a(8
b)を別体部品とし、絶縁セラミツクステム3に固定し
た連結体(導体)で支持リード1a,1bを機械的に抑え込
んで防振効果を得ているものである。FIG. 3C shows the supporting leads 1a and 1b and the external lead 8a (8
b) is a separate component, and the connecting leads (conductors) fixed to the insulating ceramic stem 3 mechanically hold down the support leads 1a and 1b to obtain an anti-vibration effect.
なお、以上の従来技術は、特開昭63−86220号,特開
昭63−86221号,特開昭62−55848号の各公報に開示され
ている。The above prior art is disclosed in JP-A-63-86220, JP-A-63-86221, and JP-A-62-55848.
上記従来の技術においては、外部から振動が加わつて
支持リードが共振を起こすとフイラメントが断線すると
いう問題を、支持リードを強固に固定するという考えで
ある。In the above-mentioned conventional technology, the problem that the filament is disconnected when vibration is applied from the outside and the support lead causes resonance is a concept of firmly fixing the support lead.
しかし、単に支持リードの支持部をステムに対して強
固に固着させただけでは、共振時の振幅を減らすことは
可能であるが、逆に共振周波数の上昇をもたらし、フイ
ラメントに印加される加速度を低減することはできな
い。2本の支持リード間に連結部材を配置したもので
は、マグネトロンの構成部品が多くなると共に組立工程
が複雑になるという欠点があつた。However, simply fixing the support portion of the support lead firmly to the stem can reduce the amplitude at resonance, but increases the resonance frequency and conversely reduces the acceleration applied to the filament. It cannot be reduced. The arrangement of the connecting member between the two support leads has the disadvantage that the number of components of the magnetron increases and the assembly process becomes complicated.
本発明の目的は、外部振動にたいする耐震部品を必要
とせずにフイラメントの断線に対する強度を向上させた
マグネトロンのフイラメント支持構造を提供することに
ある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a magnetron filament support structure that does not require an earthquake-resistant component against external vibrations and has improved strength against filament disconnection.
上記目的は、絶縁セラミツクステムに形成する支持リ
ード位置付け支持用の支持穴の開口部の断面積を支持リ
ードの断面積の略1.5倍以上とし、また絶縁セラミツク
ステムと支持リードの間に介在して両者を固定する封止
板を支持リードの振動周波数を低減するような厚みとす
ることによつて達成される。The above-mentioned object is to set the cross-sectional area of the support hole for supporting the positioning of the support lead formed in the insulating ceramic stem to be approximately 1.5 times or more the cross-sectional area of the supporting lead, and to interpose the insulating lead between the insulating ceramic stem and the supporting lead. This is attained by forming the sealing plate for fixing the both members in such a thickness as to reduce the vibration frequency of the support lead.
外部振動に対してフイラメント支持構体が共振状態と
なつてフイラメントの断線を生じる虞がある場合におい
ては、この共振時の振幅を極力抑える構造とすることが
重要である。一般に、共振時の振幅倍率をμとすると、 となり、振幅倍率μは減衰比率にのみ関係することが知
られている。If there is a possibility that the filament support structure will be in resonance with external vibration and the filament will be disconnected, it is important to adopt a structure that minimizes the amplitude during resonance. Generally, if the amplitude magnification at resonance is μ, It is known that the amplitude magnification μ is related only to the attenuation ratio.
本発明では、絶縁セラミツクステムに形成する支持リ
ードの支持穴の底部面積を該支持リードを嵌入する大き
さとし、その開口部面積を該リードの断面積より大きく
した段付き穴として、絶縁セラミツクステムと支持リー
ド間に介在させた封止板を介して固定支持させる構造と
したことにより、支持リードの振動を封止板のたわみで
その弾性減衰率を大きくすると共に支持穴の底部内側面
と支持リードの挿入部分との摩擦減衰率を増加させるこ
とができ、フイラメントの断線を防止することができ
る。According to the present invention, the insulating ceramic stem is formed as a stepped hole in which the bottom area of the supporting hole of the supporting lead formed in the insulating ceramic stem is large enough to fit the supporting lead, and the opening area is larger than the cross-sectional area of the lead. By adopting a structure in which the support lead is fixedly supported via a sealing plate interposed between the support leads, the vibration of the support lead is increased by the deflection of the sealing plate, and the elastic damping rate is increased. Can increase the frictional damping ratio with the insertion portion of the wire, and can prevent the filament from being disconnected.
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明によるマグネトロンのフイラメント支
持構造の一実施例を説明する斜視図であつて、1a,1bは
支持リード、2a,2bは封止板、3は絶縁セラミツクステ
ム、4は支持穴、6はフイラメント、7a,7bはエンドシ
ールド、8a,8bは外部導出リードである。FIG. 1 is a perspective view for explaining one embodiment of a magnetron filament support structure according to the present invention, wherein 1a and 1b are support leads, 2a and 2b are sealing plates, 3 is an insulating ceramic stem, and 4 is a support hole. , 6 are filaments, 7a and 7b are end shields, and 8a and 8b are external leads.
同図において、螺旋状に巻かれたフイラメント6はそ
の両端はエンドシールド7aと7bに固着されている。そし
て各エンドシールド7a,7bはさらに支持リード1a,1bによ
り封止板2a,2bを介して絶縁セラミツクステム3に配設
される。In the figure, a spirally wound filament 6 has both ends fixed to end shields 7a and 7b. Each of the end shields 7a and 7b is further disposed on the insulating ceramic stem 3 via the sealing plates 2a and 2b by the support leads 1a and 1b.
このように構成されたフイラメント支持構造はマグネ
トロン本体構造に組み込まれ、支持リード1a,1bから供
給される電流によりフイラメント6が加熱されて熱電子
を放出する。The filament support structure thus configured is incorporated into the magnetron body structure, and the filament 6 is heated by the current supplied from the support leads 1a and 1b to emit thermoelectrons.
第2図は第1図の要部構成を説明する部材断面図であ
つて、5は銀ロー層、5aは銀ローの溜まり部、11はバー
リング穴であり、第1図と同一符号は同一部分に対応す
る。FIG. 2 is a sectional view of a member for explaining the configuration of the main part of FIG. 1. Reference numeral 5 denotes a silver-row layer, 5a denotes a pool for silver-row, 11 denotes a burring hole, and the same reference numerals as those in FIG. Corresponding to the part.
同図において、高融点材から成る支持リード1a,1bは
例えば直径1.5mmの導電材で形成され、これを板厚が例
えば0.2mmの鉄−ニツケル(Fe−Ni)材の封止板2a、2b
に形成されたバーリング穴11を貫通して絶縁セラミツク
ステム3の支持リードの支持穴4に挿入され、上記バー
リング穴11への嵌合部分は、図示されていない銀ロー付
けによって封止板2a、2bに固着される。絶縁セラミツク
ステム3の支持リードの支持穴4は、その底辺部周辺の
直径が例えば1.6mmで開口部周辺の直径は例えば2.2mmに
形成されており、開口部が底辺部より大径の段付き形状
を有している。この支持穴4の開口部周辺の周囲平坦面
は、封止板2a、2bと銀ロー付けするためのMo−Mnメタラ
イズ層が設けられている。In the drawing, support leads 1a and 1b made of a high melting point material are formed of a conductive material having a diameter of, for example, 1.5 mm, and a sealing plate 2a made of an iron-nickel (Fe-Ni) material having a plate thickness of, for example, 0.2 mm. 2b
Is inserted into the support hole 4 of the support lead of the insulating ceramic stem 3 through the burring hole 11 formed therein, and the fitting portion to the burring hole 11 is sealed with a sealing plate 2a by silver brazing (not shown). Fixed to 2b. The supporting hole 4 of the supporting lead of the insulating ceramic stem 3 is formed such that the diameter around the bottom is, for example, 1.6 mm and the diameter around the opening is, for example, 2.2 mm, and the opening has a step having a larger diameter than the bottom. It has a shape. A Mo-Mn metallized layer for soldering silver to the sealing plates 2a and 2b is provided on a flat peripheral surface around the opening of the support hole 4.
本実施例において、絶縁セラミックステム3に設ける
支持穴4は、垂直穴であって、その底部断面積が支持リ
ード1a、1bを挿入可能で、かつ、支持リード1a、1bの断
面積に略等しい大きさのものであり、一方、その開口部
断面積が支持リード1a、1bの断面積の少なくとも略1.5
倍になるような段付き形状のものである。In the present embodiment, the support hole 4 provided in the insulating ceramic stem 3 is a vertical hole, and its bottom cross-sectional area is capable of inserting the support leads 1a and 1b and is substantially equal to the cross-sectional area of the support leads 1a and 1b. On the other hand, the opening cross-sectional area is at least about 1.5 times the cross-sectional area of the support leads 1a, 1b.
It has a stepped shape that is doubled.
この場合、支持穴4の開口部断面積をその底部断面積
の略1.5倍以上にした理由は、開口部断面積が底部断面
積の略1.5倍以下であったとき、支持リード1a、1bの共
振周波数が高くなり、その高い共振周波数によってフィ
ラメント6が断線するのを防いだり、絶縁セラミックス
テム3の上面に封止板2a、2bを銀ロー付けする際に、あ
ふれた銀ローによって支持リード1a、1bと絶縁セラミッ
クステム3とが銀ロー付けされるのを防いでいるためで
ある。In this case, the reason why the opening cross-sectional area of the support hole 4 is set to be approximately 1.5 times or more the bottom cross-sectional area is that when the opening cross-sectional area is approximately 1.5 times or less the bottom cross-sectional area, The resonance frequency is increased, and the high resonance frequency prevents the filament 6 from being broken. Also, when the sealing plates 2a, 2b are attached to the upper surface of the insulating ceramic stem 3 by silver solder, the support lead 1a is overflowed by the silver solder. , 1b and the insulating ceramic stem 3 are prevented from being soldered to silver.
また、直径が1.5mmの支持リード1a、1bに対して、厚
さが略0.1乃至0.25mmの封止板2a、2bを用いている理由
は、厚さが略0.1mm以下の封止板2a、2bを用いた場合
に、支持リード1a、1bの揺れの振幅が大きくなり過ぎこ
とを防ぐためであり、一方、厚さが略0.25mm以上の封止
板2a、2bを用いた場合に、封止板2a、2bのたわみが少な
くなり、支持リード1a、1bの共振周波数を封止板2a、2b
で充分吸収することができなくなることを防ぐためであ
る。The reason why the sealing plates 2a and 2b having a thickness of approximately 0.1 to 0.25 mm are used for the supporting leads 1a and 1b having a diameter of 1.5 mm is that the sealing plate 2a having a thickness of approximately 0.1 mm or less. In order to prevent the amplitude of the swing of the support leads 1a and 1b from being too large when using the sealing leads 2a and 2b, when using the sealing plates 2a and 2b having a thickness of about 0.25 mm or more, The bending of the sealing plates 2a, 2b is reduced, and the resonance frequency of the support leads 1a, 1b is reduced.
This is to prevent the water from being absorbed sufficiently.
支持リード1a,1bを固着した封止板2は、該支持リー
ド1a,1bを絶縁セラミツクステム3の支持穴4に挿入し
た状態で該絶縁セラミツクステム3にロー付けされる。
なお、封止板2a、2bには、支持リード1a,1bと絶縁セラ
ミツクステム3との銀ロー付けのためのロー材が予めメ
ツキ処理等によつて被着されている。これにより、支持
リード1と封止板2a、2bのロー付けは確実となり、銀ロ
ー層5の端部すなわち絶縁セラミツクステム3の支持穴
4の開口部周辺にできるロー溜まり5aを少なくすること
ができる。The sealing plate 2 to which the support leads 1a and 1b are fixed is brazed to the insulating ceramic stem 3 with the support leads 1a and 1b inserted into the support holes 4 of the insulating ceramic stem 3.
The sealing plates 2a and 2b are previously coated with a brazing material for brazing silver between the support leads 1a and 1b and the insulating ceramic stem 3 by plating or the like. Thus, the brazing of the support lead 1 and the sealing plates 2a and 2b is assured, and the solder pool 5a formed around the end of the silver brazing layer 5, that is, around the opening of the supporting hole 4 of the insulating ceramic stem 3 can be reduced. it can.
このように構成することにより、支持リード1a,1bは
封止板2a,2bを介して絶縁セラミツクステム3に固着さ
れるため、外部からの振動による支持リード1a,1bの変
位は封止板をたわみ変形させ、封止板2a,2bの弾性減衰
率および支持穴4の底部周壁と支持リードの端部側周面
との摩擦により減衰され、支持リードの共振周波数を高
めることなく振幅が抑制される。With this configuration, the support leads 1a and 1b are fixed to the insulating ceramic stem 3 via the sealing plates 2a and 2b, so that the displacement of the support leads 1a and 1b due to external vibration causes the sealing plates to move. It is deformed and attenuated by the elastic damping rate of the sealing plates 2a and 2b and the friction between the bottom peripheral wall of the support hole 4 and the peripheral surface on the end side of the support lead, and the amplitude is suppressed without increasing the resonance frequency of the support lead. You.
以上説明したように、本発明によれば特に耐震動対策
のための部品を必要とせずにフイラメントの振動による
断線を防止でき、前記従来技術の欠点を除いて優れた機
能のマグネトロンのフイラメント支持構造を提供するこ
とができる。As described above, according to the present invention, it is possible to prevent disconnection due to the vibration of the filament without requiring any parts for countermeasures against seismic vibration, and a filament supporting structure of a magnetron having excellent functions except for the disadvantages of the prior art. Can be provided.
第1図は本発明によるマグネトロンのフイラメント支持
構造の一実施例を説明する斜視図、第2図は第1図の要
部構成を説明する部分断面図、第3図は従来技術による
マグネトロンのフイラメント支持構造の説明図である。 1a,1b……支持リード、2a,2b……封止板、3……絶縁セ
ラミツクステム、4……支持穴、5……銀ロー層、5a…
…銀ローの溜まり部、6……フイラメント、7a,7b……
エンドシールド、8a,8b……外部導出リード。FIG. 1 is a perspective view illustrating an embodiment of a magnetron filament support structure according to the present invention, FIG. 2 is a partial cross-sectional view illustrating main components of FIG. 1, and FIG. 3 is a conventional magnetron filament. It is explanatory drawing of a support structure. 1a, 1b: support lead, 2a, 2b: sealing plate, 3: insulating ceramic stem, 4: support hole, 5: silver low layer, 5a ...
… Silver low pool, 6… Filament, 7a, 7b ……
End shield, 8a, 8b …… External lead.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−55848(JP,A) 実開 平2−8847(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01J 23/04,23/05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-62-55848 (JP, A) JP-A-2-8847 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01J 23 / 04,23 / 05
Claims (3)
ールドを介してそれぞれ支持する2本の支持リードと、
この支持リードを支持すると共に位置決めをする支持穴
を設けた絶縁セラミックステムと、上記支持リードと上
記絶縁セラミックステムとの間に介在する封止板とを有
し、上記支持リードを上記支持穴に位置決め支持した状
態で封止板を介して上記支持リードと上記絶縁セラミッ
クステムとを固着してなるマグネトロンのフィラメント
支持構造において、上記絶縁セラミックステムに設けた
支持穴は、垂直穴をなし、上記支持穴の底部断面積が上
記支持リードを嵌入支持する大きさで、上記支持穴の開
口部断面積が上記支持リードの断面積の略1.5倍以上の
大きさを有する段付き形状であることを特徴とするマグ
ネトロンのフィラメント支持構造。1. Two supporting leads for supporting both ends of a helical filament via end shields, respectively.
An insulating ceramic stem having a supporting hole for supporting and positioning the supporting lead, and a sealing plate interposed between the supporting lead and the insulating ceramic stem, wherein the supporting lead is provided in the supporting hole. In a magnetron filament supporting structure in which the supporting lead and the insulating ceramic stem are fixed via a sealing plate in a state of being positioned and supported, the supporting hole provided in the insulating ceramic stem forms a vertical hole, and The bottom cross-sectional area of the hole is large enough to fit and support the support lead, and the opening cross-sectional area of the support hole is a stepped shape having a size of about 1.5 times or more the cross-sectional area of the support lead. Magnetron filament support structure.
を略1.5mmとしたときの上記封止板を略0.1乃至0.25mm厚
の鉄−ニッケル材で構成したことを特徴とするマグネト
ロンのフィラメント支持構造。2. The magnetron filament according to claim 1, wherein said sealing plate is made of an iron-nickel material having a thickness of about 0.1 to 0.25 mm when said support lead has a diameter of about 1.5 mm. Support structure.
少なくとも上記絶縁セラミックステムに対面する表面に
メッキ層を設けたことを特徴とするマグネトロンのフィ
ラメント支持構造。3. The magnetron filament support structure according to claim 1, wherein a plating layer is provided on at least a surface of the sealing plate facing the insulating ceramic stem.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1248490A JP2913194B2 (en) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | Magnetron filament support structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1248490A JP2913194B2 (en) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | Magnetron filament support structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219531A JPH03219531A (en) | 1991-09-26 |
| JP2913194B2 true JP2913194B2 (en) | 1999-06-28 |
Family
ID=11806673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1248490A Expired - Lifetime JP2913194B2 (en) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | Magnetron filament support structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2913194B2 (en) |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP1248490A patent/JP2913194B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03219531A (en) | 1991-09-26 |
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