JP2917869B2 - An EB tester that limits the scanning range of the electron beam - Google Patents
An EB tester that limits the scanning range of the electron beamInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
試験・故障解析に用いられる電子ビームテスタ(「EB
テスタ」という)に関し、特にEBテスタの電位波形の
取得技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam tester ("EB") used for test and failure analysis of a semiconductor integrated circuit.
In particular, the present invention relates to a technique for acquiring a potential waveform of an EB tester.
【0002】[0002]
【従来の技術】EBテスタを用いて半導体集積回路装置
(「LSI」という)の障害場所を特定化する場合、従
来、良品の電位像と不良品の電位像を取得した後に両者
を比較したり、電位波形を得ることにより障害場所の特
定化が行なわれている。2. Description of the Related Art Conventionally, when a fault location of a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as "LSI") is specified using an EB tester, a potential image of a good product and a potential image of a defective product are acquired and then compared. The fault location is specified by obtaining a potential waveform.
【0003】従来のEBテスタについて以下に簡単に説
明する。図5に、EBテスタの概略構成を示す。[0003] A conventional EB tester will be briefly described below. FIG. 5 shows a schematic configuration of the EB tester.
【0004】図5を参照して、EBテスタは、電子ビー
ム(EB)鏡筒部11、電子ビーム発生部12、被試験
対象であるLSI13を載置しLSI13の端子とLS
Iテスタ17との電気的接続を行なう所定の治具を具備
したテストボード14、LSI13をXY方向に移動自
在とするXYステージ15、LSI13に電子ビームを
照射した際にLSI13から発生する2次電子線を検出
する2次電子検出部16、LSI13にテストボード1
4を介して電源電圧とテストパタンを与えるLSIテス
タ17、XYステージ15を駆動制御するXYステージ
駆動装置18、電子ビーム発生部12からの電子ビーム
の発生を制御するビームパルス制御装置1A、検出した
2次電子を画像情報または波形情報へ処理したり、この
情報を蓄積したり、また画像データからビームパルス制
御装置1AやXYステージ駆動装置18を制御するCP
U19、及び得られた電位像や各種情報を表示するCR
T1Bを備えている。Referring to FIG. 5, an EB tester mounts an electron beam (EB) lens barrel 11, an electron beam generator 12, an LSI 13 to be tested, and a terminal of the LSI 13 and an LS.
A test board 14 provided with a predetermined jig for making an electrical connection with the I tester 17, an XY stage 15 that makes the LSI 13 movable in the XY directions, and secondary electrons generated from the LSI 13 when the LSI 13 is irradiated with an electron beam. The secondary electron detector 16 for detecting lines and the test board 1
4, an LSI tester 17 for supplying a power supply voltage and a test pattern via an XY stage driving device 18 for driving and controlling the XY stage 15, and a beam pulse control device 1 A for controlling the generation of an electron beam from the electron beam generating unit 12. A CP that processes the secondary electrons into image information or waveform information, stores this information, and controls the beam pulse control device 1A and the XY stage drive device 18 from the image data.
U19 and CR for displaying the obtained potential image and various information
T1B is provided.
【0005】次に、このEBテスタを用いてプロービン
グポイントにおける電位波形を得る手順を説明する。Next, a procedure for obtaining a potential waveform at a probing point using the EB tester will be described.
【0006】電位像等を表示するCRT1Bには、図4
(A)に示すように、電位波形を観測する測定ポイント
であるプロービングポイントを含むようにXYステージ
15等を制御し、必要な倍率に拡大されてなる電位像が
表示されている。FIG. 4 shows a CRT 1B for displaying a potential image and the like.
As shown in (A), the XY stage 15 and the like are controlled to include a probing point which is a measurement point for observing a potential waveform, and a potential image enlarged to a required magnification is displayed.
【0007】このときの電位像の横方向の表示画素数を
X0、縦方向の表示画素数をY0とすると、電位波形取得
時の電位像の横方向取得画素数X2と縦方向取得画素数
Y2はそれぞれX0、Y0に等しくなっている。[0007] Assuming that the number of display pixels in the horizontal direction of the potential image at this time is X0 and the number of display pixels in the vertical direction is Y0, the number of horizontal acquisition pixels X2 and the number of vertical acquisition pixels Y2 of the potential image at the time of acquiring the potential waveform. Are equal to X0 and Y0, respectively.
【0008】また、図4(B)に示すように、CRT1
Bにおける電位像は複数の画素をマトリックス状に並べ
てなるものであり、倍率を変更しても画素数は変化しな
いことから電位波形の測定時間には無関係である。[0008] Further, as shown in FIG.
The potential image in B is formed by arranging a plurality of pixels in a matrix. The number of pixels does not change even when the magnification is changed, so that it is irrelevant to the measurement time of the potential waveform.
【0009】図3(A)に、得られる電位波形(相対電
圧値)の一例を模式的に示す。図3(A)には、時間が
0からt0,2t0,3t0、…と経過した時点での電圧
変化が示されている。FIG. 3A schematically shows an example of an obtained potential waveform (relative voltage value). FIG. 3A shows a voltage change at the time when the time has elapsed from 0 to t0, 2t0, 3t0,.
【0010】これを、時間軸方向に2倍に拡大した測定
レンジにて測定すると、図3(B)に示すようなものと
なる。When this is measured in a measurement range that is doubled in the time axis direction, the result is as shown in FIG.
【0011】EBテスタのCPU19の所定のメモリエ
リア内には、サンプリングした電圧値のデータがテーブ
ル形式で格納されており、EBテスタに表示される電位
波形は、該データをCPU19が処理してCRT1B上
に波形イメージとして出力してなるものである。In a predetermined memory area of the CPU 19 of the EB tester, sampled voltage value data is stored in the form of a table. The potential waveform displayed on the EB tester is processed by the CPU 19 to process the data. This is output as a waveform image above.
【0012】この電圧値のデータとして格納するメモリ
エリアは、観測する時間軸の時間単位(「タイムディビ
ジョン」という)T0によらず一定であることから、時
間軸方向の測定ポイント数は一定とされ、時間軸方向に
拡大した(時間軸方向に分解能を上げる)場合、拡大さ
れた時間倍率に応じて測定時間がかかることになる。The memory area for storing the voltage value data is constant irrespective of the time unit (referred to as "time division") T0 on the observed time axis, so that the number of measurement points in the time axis direction is fixed. However, when the image is enlarged in the time axis direction (the resolution is increased in the time axis direction), it takes a measurement time according to the enlarged time magnification.
【0013】これは、観測しているLSI13に与える
テストパタンの繰り返し時間とタイムディビジョンT0
の比により、測定時間が決定されているからである。This is because the repetition time of the test pattern given to the observed LSI 13 and the time division T0
This is because the measurement time is determined by the ratio of.
【0014】例えば、タイムディビジョンT0=1μs
(マイクロ秒)の時に測定時間が10s(秒)であれ
ば、タイムディビジョンT0=500ns(ナノ秒)の
時には測定時間は20sになり、従ってタイムディビジ
ョンT0をnsオーダにすると、非常に多大な測定時間
となる。For example, time division T0 = 1 μs
If the measurement time is 10 s (second) at (microsecond), the measurement time is 20 s at time division T0 = 500 ns (nanosecond). Therefore, if the time division T0 is set to the ns order, very large measurement Time.
【0015】そして、例えば不良解析においては、被試
験デバイスであるフリップフロップのクロックとデータ
入力の時間関係が原因で故障動作をしている等の場合、
一般的にタイムディビジョンT0をnsオーダと高時間
分解能に設定して、数ポイントから十ポイント程度、良
品及び不良品とも測定することになり、非常に多大な測
定時間が必要とされる。In a failure analysis, for example, when a malfunction occurs due to a time relationship between a clock of a flip-flop as a device under test and a data input, etc.
In general, the time division T0 is set to a high time resolution of the order of ns, and a few to about ten points are measured for both non-defective products and defective products, and a very large measurement time is required.
【0016】[0016]
【発明が解決しようとする課題】このように、上述した
従来のEBテスタにおいては、タイムディビジョンT0
を小さくする(時間倍率を上げる、すなわち時間分解能
を高くする)と、電位波形の観測時間が長大になるとい
う問題を有していた。As described above, in the above-described conventional EB tester, the time division T0
When the time is reduced (the time magnification is increased, that is, the time resolution is increased), there is a problem that the observation time of the potential waveform becomes longer.
【0017】従って、本発明は、上記問題点を解消し、
EBテスタを用いて電位波形を取得する際に、走査範囲
を制限して、取得する画素数を少なくすることにより、
電位波形観測時間の短縮を図ることを目的とする。Therefore, the present invention solves the above problems,
When acquiring a potential waveform using an EB tester, by limiting the scanning range and reducing the number of acquired pixels,
The purpose is to reduce the potential waveform observation time.
【0018】[0018]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、集積回路装置に電子ビームを照射する手
段と、該集積回路装置から発生する二次電子線を検出す
る手段と、該二次電子線を二次元的にモニタ画面に電位
像として表示する手段と、該集積回路装置上の任意の電
位波形を観測する測定ポイントの該二次電子線を時間的
にモニタ画面に電位波形として表示する手段と、を少な
くとも有するEBテスタにおいて、前記測定ポイントの
電位波形を得る際に、通常の電位像の走査範囲に対し
て、縦方向及び/又は横方向の走査範囲を制限する手段
を備え、該測定ポイントに対する単位時間当たりの走査
回数を増加させたことを特徴とするEBテスタを提供す
る。In order to achieve the above object, the present invention comprises a means for irradiating an integrated circuit device with an electron beam; a means for detecting a secondary electron beam generated from the integrated circuit device; Means for displaying a secondary electron beam two-dimensionally as a potential image on a monitor screen, and temporally displaying the secondary electron beam at a measurement point for observing an arbitrary potential waveform on the integrated circuit device on the monitor screen. Means for limiting the vertical and / or horizontal scanning range with respect to the normal potential image scanning range when obtaining the potential waveform at the measurement point in the EB tester having at least
Scanning per unit time for the measurement point
An EB tester characterized by increasing the number of times is provided.
【0019】本発明のEBテスタにおいては、好ましく
は、前記測定ポイントの電位波形を得る際に、通常の電
位像の走査範囲に対して、縦方向及び/又は横方向の走
査範囲を制限する場合と、走査範囲を制限しない場合と
をタイムシェアリング的に切り換える手段を備え、電位
波形観測時間を短縮化することを特徴とする。In the EB tester of the present invention, it is preferable that a normal voltage is obtained when the potential waveform at the measurement point is obtained.
The scanning in the vertical and / or horizontal direction
When the scanning range is limited, when the scanning range is not
Means for switching time-sharing
It is characterized in that the waveform observation time is shortened .
【0020】また、本発明のEBテスタにおいては、前
記モニタ画面における二次元表示の、縦方向への走査範
囲の制限、横方向への走査範囲の制限、及び縦方向と横
方向の両方への走査範囲の制限のうちの少なくとも一つ
により走査範囲を制限する場合と、走査範囲を制限しな
い場合とをタイムシェアリング的に切り換えて電位波形
観測時間を短縮化するようにしてもよい。[0020] In addition, in the EB tester of the present invention, before
Scanning range of the two-dimensional display on the monitor screen in the vertical direction
Enclosure limits, horizontal scan range limits, and vertical and horizontal
At least one of the limits of the scanning range in both directions
Thus, the case where the scanning range is limited and the case where the scanning range is not limited may be switched in a time-sharing manner to shorten the potential waveform observation time.
【0021】本発明のEBテスタによれば、電位像エリ
アを全画素走査(フルスキャン)して測定ポイントを指
示し所望の電位波形を得るという前記従来例と相違し
て、測定ポイントの電位波形を取得する際に、前記測定
ポイントを含む予め定めた所定の近傍領域のみを走査範
囲とするように制限し、一走査当たりの取得画素数を減
少させ一走査当たりに要する時間を短縮化する(すなわ
ち単位時間当たりの前記測定ポイントに対する走査回数
を増大させる)ことにより、高時間分解能設定時におい
ても電位波形観測時間の短縮化を達成するものである。According to the EB tester of the present invention, unlike the conventional example in which the potential image area is specified by scanning all the pixels (full scan) of the potential image area and a desired potential waveform is obtained, the potential waveform at the measurement point is obtained. When acquiring the image, the scanning range is limited only to a predetermined predetermined neighboring area including the measurement point, thereby reducing the number of acquired pixels per scan and shortening the time required per scan ( That is, by increasing the number of scans of the measurement point per unit time), the potential waveform observation time can be shortened even when a high time resolution is set.
【0022】[0022]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して以下に説明する。なお、EBテスタの基本的構成と
しては前記従来例の説明にて参照した図5に示すものを
想定する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. It is assumed that the basic configuration of the EB tester is as shown in FIG. 5 referred to in the description of the conventional example.
【0023】[0023]
【実施形態1】図1(A)は、本発明の一実施形態にお
いて、波形取得時の電位像の走査範囲を示す図である。Embodiment 1 FIG. 1A is a diagram showing a scanning range of a potential image at the time of acquiring a waveform in one embodiment of the present invention.
【0024】波形取得時の電位像の縦方向取得画素数Y
1は、LSI上の任意の電位波形を観測する測定ポイン
ト(「プロービングポイント」という)を含むように選
択し、且つY1<Y0(但し、Y0は電位像の縦方向表示
の画素数)であるように選ぶ。The number of pixels Y obtained in the vertical direction of the potential image at the time of waveform acquisition
1 is selected so as to include a measurement point (referred to as "probing point") for observing an arbitrary potential waveform on the LSI, and Y1 <Y0 (where Y0 is the number of pixels in the vertical display of the potential image). To choose.
【0025】このように走査範囲を制限したことによ
り、プロービングポイントに対する単位時間当たりの走
査回数は増加する。これは、走査回数は、走査すべき画
素数の逆数に比例することによる。By limiting the scanning range in this way, the number of times of scanning the probing point per unit time increases. This is because the number of scans is proportional to the reciprocal of the number of pixels to be scanned.
【0026】より詳細には、単位時間当たりの走査回数
は、全画素走査型の従来例では、Z/(X0×Y0)(但
し、Zは所定の係数)であったものが、本実施形態で
は、Z/(X0×Y1)となり、前記従来例に対する走査
回数の比はY0/Y1とされ、Y1<Y0であることから、
本実施形態においては、単位時間当たりの走査回数は従
来例よりも大とされる。More specifically, the number of scans per unit time is Z / (X0 × Y0) (where Z is a predetermined coefficient) in the conventional example of the all-pixel scanning type. In this case, Z / (X0 × Y1), the ratio of the number of scans to the conventional example is Y0 / Y1, and since Y1 <Y0,
In the present embodiment, the number of scans per unit time is set to be larger than in the conventional example.
【0027】そして、プロービングポイントに対する単
位時間当たりの走査回数が増加することは、それだけ電
位波形観測時間が短縮されることになる。例えば、Y0
/Y1=2とした場合には、電位波形観測時間は従来の
電位波形観測時間の半分になる。The increase in the number of scans per unit time with respect to the probing point increases the potential waveform observation time. For example, Y0
When / Y1 = 2, the potential waveform observation time is half of the conventional potential waveform observation time.
【0028】[0028]
【実施形態2】図1(B)は、本発明の第2の実施形態
における波形取得時の電位像の走査範囲を示す図であ
る。Embodiment 2 FIG. 1B is a diagram showing a scanning range of a potential image at the time of acquiring a waveform according to a second embodiment of the present invention.
【0029】図1(B)を参照して、波形取得時の電位
像の横方向取得画素数X1は、プロービングポイントを
含むように選択し、且つX1<X0(但し、X0は電位像
の横方向表示画素数)であるように選ぶ。Referring to FIG. 1 (B), the number of pixels X1 in the horizontal direction of the potential image at the time of waveform acquisition is selected so as to include the probing point, and X1 <X0 (where X0 is the horizontal direction of the potential image). (Direction display pixels).
【0030】このように走査範囲を制限したことによ
り、プロービングポイントに対する単位時間当たりの走
査回数は増加する。これは、走査回数は、走査するべき
画素数の逆数に比例することによる。より詳細には、単
位時間当たりの走査回数は、前記従来例ではZ/(X0
×Y0)とされ、本実施形態ではZ/(X1×Y0)とな
り、その比はX0/X1とされ、X1<X0であることから
から、比X0/X1は1よりも大となり、本実施形態にお
いては、単位時間当たりの走査回数は従来例よりも大と
される。By limiting the scanning range in this way, the number of times of scanning the probing point per unit time increases. This is because the number of scans is proportional to the reciprocal of the number of pixels to be scanned. More specifically, the number of scans per unit time is Z / (X0
× Y0), which is Z / (X1 × Y0) in the present embodiment, and the ratio is X0 / X1. Since X1 <X0, the ratio X0 / X1 is larger than 1; In the embodiment, the number of scans per unit time is set to be larger than in the conventional example.
【0031】すなわち、走査回数が増加することは、そ
れだけ電位波形観測時間が短縮されることになる。本実
施形態によれば、例えば、X0/X1=2とした場合、従
来の電位波形観測時間の半分になる。That is, an increase in the number of scans shortens the potential waveform observation time. According to the present embodiment, for example, when X0 / X1 = 2, it is half the conventional potential waveform observation time.
【0032】[0032]
【実施形態3】図1(C)は、本発明の第3の実施形態
における波形取得時の電位像の走査範囲を示す図であ
る。Third Embodiment FIG. 1C is a diagram showing a scanning range of a potential image when acquiring a waveform according to a third embodiment of the present invention.
【0033】波形取得時の電位像の横方向取得画素数X
1と電位像の縦方向取得画素数Y1は、プロービングポイ
ントを含むように選択し、且つX1<X0、Y1<Y0であ
るように選ぶ。The number of pixels X obtained in the horizontal direction of the potential image at the time of waveform acquisition
1 and the number Y1 of pixels obtained in the vertical direction of the potential image are selected so as to include the probing point, and X1 <X0 and Y1 <Y0.
【0034】このように走査範囲を制限したことによ
り、プロービングポイントに対する単位時間当たりの走
査回数は増加する。これは、走査回数は、走査すべき画
素数の逆数に比例するからであり、従来例では、Z/
(X0×Y0)、本実施形態では、Z/(X1×Y1)とな
り、その比は、X0×Y0/(X1×Y1)で、X1<X0、
Y1<Y0であることから、X0×Y0/(X1×Y1)は1
よりも大となり、本実施形態においては、単位時間当た
りの走査回数は従来例よりも大とされる。By limiting the scanning range in this way, the number of times of scanning the probing point per unit time increases. This is because the number of scans is proportional to the reciprocal of the number of pixels to be scanned.
(X0 × Y0), in this embodiment, Z / (X1 × Y1), and the ratio is X0 × Y0 / (X1 × Y1), where X1 <X0,
Since Y1 <Y0, X0 × Y0 / (X1 × Y1) is 1
In this embodiment, the number of scans per unit time is larger than in the conventional example.
【0035】すなわち、走査回数が増加することは、そ
れだけ電位波形観測時間が短縮されることになる。本実
施形態によれば、例えば、X0/X1=2、及びY0/Y1
=2とした場合、従来の電位波形観測時間の1/4にな
る。That is, an increase in the number of scans shortens the potential waveform observation time. According to the present embodiment, for example, X0 / X1 = 2 and Y0 / Y1
= 2, it is 1/4 of the conventional potential waveform observation time.
【0036】[0036]
【実施形態4】図2(A)は、本発明の第4の実施形態
を説明するためのタイムチャートである。Embodiment 4 FIG. 2A is a time chart for explaining a fourth embodiment of the present invention.
【0037】本実施形態では、前記第1〜第3の実施形
態に従い走査範囲を制限して電位波形を取得する方法
(図中タイプA〜Cで示す)のうちの1つ(図ではタイ
プA)と、従来の走査範囲を制限しないで電位波形を取
得する方法(タイプD)をタイムシェアリング的(時分
割的)に切り替えることにより、電位波形観測時間の短
縮を図っている。In the present embodiment, one of the methods (types A to C in the figure) for acquiring the potential waveform while limiting the scanning range according to the first to third embodiments (type A in the figure) ) And the conventional method of acquiring a potential waveform without limiting the scanning range (type D) is switched to a time-sharing (time-division) method, thereby shortening the potential waveform observation time.
【0038】[0038]
【実施形態5】図2(B)は、本発明の第5の実施形態
を説明するためのタイムチャートである。[Fifth Embodiment] FIG. 2B is a time chart for explaining a fifth embodiment of the present invention.
【0039】本実施形態では、前記第1〜第3の実施形
態のうちの2つの走査範囲を制限する電位波形取得の方
法(図ではタイプAとB)とをタイムシェアリング的に
切り替えることにより、電位波形観測時間の短縮を図っ
ている。In the present embodiment, the potential waveform acquisition method (types A and B in the figure) for limiting the two scanning ranges of the first to third embodiments is switched in a time-sharing manner. , The potential waveform observation time is shortened.
【0040】[0040]
【実施形態6】図2(C)は、本発明の第6の実施形態
を説明するためのタイムチャートである。Sixth Embodiment FIG. 2C is a time chart for explaining a sixth embodiment of the present invention.
【0041】本実施形態では、前記第1〜第3の実施形
態の走査範囲を制限する電位波形取得の方法(タイプ
A、B、C)や、従来の走査範囲を制限しない電位波形
取得の方法(タイプD)をタイムシェアリング的に切り
替えることにより、電位波形観測時間の短縮を図ってい
る。In this embodiment, the method of acquiring a potential waveform (Types A, B, and C) for limiting the scanning range of the first to third embodiments and the conventional method of acquiring a potential waveform without limiting the scanning range are used. (Type D) is switched in a time-sharing manner to reduce the potential waveform observation time.
【0042】[0042]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のEBテス
タによれば、電位波形観測時に取得する画素数を少なく
することにより、電位波形観測時間の短縮化を達成して
いる。As described above, according to the EB tester of the present invention, the potential waveform observation time can be shortened by reducing the number of pixels acquired at the time of potential waveform observation.
【図1】(A)本発明の一実施形態に係るEBテスタに
おける波形取得時の電位像の取得画素数と表示画素数の
関係を示す図である。 (B)本発明の第2の実施形態に係るEBテスタにおけ
る波形取得時の電位像の取得画素数と表示画素数の関係
を示す図である。 (C)本発明の第3の実施形態に係るEBテスタにおけ
る波形取得時の電位像の取得画素数と表示画素数の関係
を示す図である。FIG. 1A is a diagram illustrating a relationship between the number of pixels for acquiring a potential image and the number of display pixels when acquiring a waveform in an EB tester according to an embodiment of the present invention. (B) is a diagram showing the relationship between the number of pixels for acquiring a potential image and the number of display pixels when acquiring a waveform in the EB tester according to the second embodiment of the present invention. (C) is a diagram showing the relationship between the number of pixels for acquiring a potential image and the number of display pixels when acquiring a waveform in the EB tester according to the third embodiment of the present invention.
【図2】(A)本発明の第4の実施形態を説明するため
のタイミング図である。 (B)本発明の第5の実施形態を説明するためのタイミ
ング図である。 (C)本発明の第6の実施形態を説明するためのタイミ
ング図である。FIG. 2A is a timing chart for explaining a fourth embodiment of the present invention. (B) It is a timing chart for explaining a 5th embodiment of the present invention. (C) is a timing chart for explaining the sixth embodiment of the present invention.
【図3】(A)EBテスタで取得される電位波形を示し
た波形図である。 (B)図3(A)の電位波形をタイムディビジョンT0
を2倍にして観測した場合の波形図である。FIG. 3A is a waveform diagram showing a potential waveform acquired by an EB tester. (B) The potential waveform shown in FIG.
FIG. 6 is a waveform diagram when the observation is made by multiplying by two.
【図4】(A)従来のEBテスタにおける波形取得時の
電位像の取得画素数と表示画素数の関係を示す図であ
る。 (B)図4(A)を拡大した図である。FIG. 4A is a diagram showing a relationship between the number of pixels for acquiring a potential image and the number of display pixels when acquiring a waveform in a conventional EB tester. FIG. 4B is an enlarged view of FIG.
【図5】EBテスタの典型的な構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a typical configuration of an EB tester.
11 EBの鏡筒部 12 EB発生部 13 LSI 14 テストボード 15 XYステージ 16 2次電子検出部 17 LSIテスタ 18 XYステージ駆動装置 19 CPU 1A ビームパルス制御装置 1B CRT 11 EB Barrel 12 EB Generator 13 LSI 14 Test Board 15 XY Stage 16 Secondary Electron Detector 17 LSI Tester 18 XY Stage Drive 19 CPU 1A Beam Pulse Controller 1B CRT
Claims (4)
と、該集積回路装置から発生する二次電子線を検出する
手段と、該二次電子線を二次元的にモニタ画面に電位像
として表示する手段と、該集積回路装置上の任意の電位
波形を観測する測定ポイントの該二次電子線を時間的に
モニタ画面に電位波形として表示する手段と、を少なく
とも有するEBテスタにおいて、 前記測定ポイントの電位波形を得る際に、通常の電位像
の走査範囲に対して、縦方向及び/又は横方向の走査範
囲を制限する手段を備え、該測定ポイントに対する単位
時間当たりの走査回数を増加させたことを特徴とするE
Bテスタ。A means for irradiating the integrated circuit device with an electron beam; a means for detecting a secondary electron beam generated from the integrated circuit device; and a two-dimensionally applying the secondary electron beam to a monitor screen as a potential image. An EB tester having at least: a display unit; and a unit that temporally displays the secondary electron beam at a measurement point for observing an arbitrary potential waveform on the integrated circuit device as a potential waveform on a monitor screen. When obtaining the potential waveform at the point, the scanning range in the vertical and / or horizontal direction is
A unit for the measurement point, comprising means for limiting the enclosure
E characterized by increasing the number of scans per hour
B tester.
と、該集積回路装置から発生する二次電子線を検出する
手段と、該二次電子線を二次元的にモニタ画面に電位像
として表示する手段と、該集積回路装置上の任意の電位
波形を観測する測定ポイントの該二次電子線を時間的に
モニタ画面に電位波形として表示する手段と、を少なく
とも有するEBテスタにおいて、前記測定ポイントの電位波形を得る際に、通常の電位像
の走査範囲に対して、縦方向及び/又は横方向の走査範
囲を制限する場合と、走査範囲を制限しない場合とをタ
イムシェアリング的に切り換える手段を備え、電位波形
観測時間を短縮化する ことを特徴とするEBテスタ。2. A means for irradiating an integrated circuit device with an electron beam.
And detecting a secondary electron beam generated from the integrated circuit device
Means, and a potential image of the secondary electron beam two-dimensionally on a monitor screen.
Means for displaying as an arbitrary potential on the integrated circuit device
The secondary electron beam at the measurement point where the waveform is observed
Means for displaying as a potential waveform on the monitor screen
When the potential waveform at the measurement point is obtained by the EB tester having the
Vertical and / or horizontal scan range
There are two cases: one is to limit the
Equipped with means for switching in an imsharing manner,
An EB tester characterized by shortening the observation time .
方向への走査範囲の制限、横方向への走査範囲の制限、
及び縦方向と横方向の両方への走査範囲の制限のうちの
少なくとも一つにより走査範囲を制限する場合と、走査
範囲を制限しない場合とをタイムシェアリング的に切り
換えて電位波形観測時間を短縮化することを特徴とする
請求項1又は2記載のEBテスタ。3. A two-dimensional display on the monitor screen,
Limit the scan range in the direction, limit the scan range in the horizontal direction,
And the limits of the scanning range in both the vertical and horizontal directions
When the scanning range is limited by at least one
Time-sharing between the case where the range is not limited
In other words, the potential waveform observation time is shortened.
The EB tester according to claim 1 .
方向への走査範囲の制限、横方向への走査範囲の制限、
及び縦方向と横方向の両方への走査範囲の制限のうちの
少な くとも二つにより走査範囲を制限する場合と、走査
範囲を制限しない場合とをタイムシェアリング的に切り
換えて電位波形観測時間を短縮化することを特徴とする
請求項1又は2記載のEBテスタ。 4. A two-dimensional display on the monitor screen,
Limit the scan range in the direction, limit the scan range in the horizontal direction,
And the limits of the scanning range in both the vertical and horizontal directions
Small and if Kutomo limiting two by scanning range, EB of claim 1 or 2, wherein switching between a case that does not limit the scanning range time-sharing manner, characterized in that to shorten the potential waveform observation time Tester.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7219710A JP2917869B2 (en) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | An EB tester that limits the scanning range of the electron beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7219710A JP2917869B2 (en) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | An EB tester that limits the scanning range of the electron beam |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0949865A JPH0949865A (en) | 1997-02-18 |
| JP2917869B2 true JP2917869B2 (en) | 1999-07-12 |
Family
ID=16739758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7219710A Expired - Lifetime JP2917869B2 (en) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | An EB tester that limits the scanning range of the electron beam |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917869B2 (en) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0321881A (en) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Fujitsu Ltd | Lsi diagnostic device |
| JPH05240927A (en) * | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Sharp Corp | Semiconductor element analyzer |
-
1995
- 1995-08-04 JP JP7219710A patent/JP2917869B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0949865A (en) | 1997-02-18 |
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