JP2932298B2 - パラジウム有機化合物の製造法 - Google Patents
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Description
積層セラミックコンデンサの電極形成材やレジネートペ
ーストのパラジウム提供成分として有用な溶剤溶解性に
富み、印刷の均一性、成膜性、保存性、操作性に優れた
ペースト組成物を与えるパラジウム有機化合物の製造法
に関する。
ウム厚膜ペーストが、積層セラミックコンデンサの内部
電極や端子電極あるいは可変抵抗器、ネットワーク抵抗
器等の形成材として用いられている。これらの目的に用
いられているパラジウム厚膜ペーストは、金属パラジウ
ムの粉末粒子と結合剤とをビヒクル中に分散した懸濁分
散液であるため、均一な溶液状態を保つことは難しかっ
た。したがって、従来の厚膜ペーストでは緻密な膜の形
成が難しいため、膜のピンホールが出来易く、さらに印
刷解像度の優れたファインラインのエッチングが難し
く、パターンの微細化が不可能であるなど問題が多かっ
た。また、厚膜(5〜20μm)しか得られないので、デ
ラミネーションクラックの発生を抑制することが困難で
あるという問題もあった。
などの貴金属が用いられていたが、近年はこれらのもの
に代り金含有有機化合物を金源とするペースト用組成物
が多く使用されるようになってきた。たとえば、印刷
性、成膜性、保存性、操作性に優れたそのような組成物
の一例として本出願人による特願平2−6797号「ペース
ト用金含有有機組成物およびその製法」に開示されてい
るようなレジネートペースト材が開発されている。
記の金含有有機化合物に相当するような適当な有機化合
物が開発されていなかった。
電極等の電極材として用いられてきたパラジウム厚膜ペ
ーストは均一性に欠け、しかもこれを使用する場合、5
〜20μmの厚膜しかできないため、5μm以下の薄膜形
成用としても好適な改善されたペースト材の開発が望ま
れていた。
して新規なパラジウム系有機化合物の出現も期待されて
いたが、現実にはこの種のものは皆無であったために、
そういった物質の開発が課題となっていた。
たところ、tert−アルキルメルカプタンまたはtert−ア
ルキルフェニルメルカプタンに塩化パラジウムの硫化ア
ルキル錯対を反応させることによって、安定な有機パラ
ジウム誘導体を合成することができ、またこれをパラジ
ウム源として用いれば均一でかつ薄膜形成もできるパラ
ジウム厚膜形成用ペースト材が得られることを見い出し
た。
ン(ただしアルキル基の炭素数は4〜20である)を、塩
化パラジウムの硫化アルキル錯体(ただしアルキルの炭
素数は1〜4であることが好ましい)に反応させてパラ
ジウムtert−アルキルメルカプチドを合成することを特
徴とする新規なパラジウム有機化合物の製法と、 tert−アルキルフェニルメルカプタン(ただしアルキ
ル基の炭素数は4〜20である)と塩化パラジウムの硫化
アルキル錯体(ただしアルキルの炭素数は1〜4である
ことが好ましい)を反応させてパラジムtert−アルキル
フェニルメルカプチドを合成することを特徴とする新規
なパラジウム有機化合物の製造法を提供することであ
る。
る塩化パラジウムの硫化アルキル錯体は、パラジウム粉
末を王水で溶解し、希塩酸で脱硝を行った後に硫化メチ
ルを加えて得られたものである。
化エチル、硫化プロピル、硫化ブチルなどアルキルの炭
素数が1〜4の他のアルキル錯体も用いることができる
が、特に硫化メチルが好ましいことが確認された。
いは可変抵抗器、ネットワーク抵抗器等の形成に使用さ
れるパラジウム含有有機化合物として、本発明に従って
tert−アルキルメルカプタンまたはtert−アルキルフェ
ニルメルカプタンを塩化パラジウムの硫化アルキル錯体
とそれぞれ反応させて得たパラジウム有機化合物を用い
れば、従来のように金属パラジウムの粉末粒子を直接ビ
ヒクルに分散させたものでないため所望の厚さのかつ均
一な膜形成に使用できるという効果が顕著である。
用いるパラジウムレジネートペースト等のペースト用パ
ラジウム含有有機組成物がある。
とも1種のパラジウムtert−アルキルメルカプチド(た
だしアルキル基の炭素数は4〜20、好ましくは8〜16で
ある)を含む組成物として調製するのが好ましい。これ
はレジネートペースト溶剤として通常使用される精油類
(主としてターピネオール)に対して20wt%以上の溶解
度を有するものを選ぶ必要があるからであり、また、該
溶剤自体高粘度かつ高沸点という特性を有するため、上
記パラジウムメルカプチドとの組合わせによって所望の
印刷性、成膜性、保存性に優れたペーストとなることが
確認されたからである。
は少なくとも2.5wt%以上であることが好ましい。その
ためには合成したパラジウムメルカプチド化合物中のパ
ラジウム含有量が13wt%以上となるようにする必要があ
る。レジネートペースト中のパラジウム量が、たとえば
2.5wt%以下という少ない量になると、成膜の緻密性が
悪くなる。
℃で熱分解するものであることが好ましい。熱分解温度
が300℃を超えるような高い温度であると、焼成温度を
熱分解温度に対応する温度まで昇温しなければならず、
これが成膜の緻密性を悪くする要因となり、一方100℃
より低い温度では、不安定で良好な成膜ができないから
である。
合物は、2つの群に大別することができる。一つは、te
rt−オクチルメルカプタン(tert−C8H17SH)、tert−
デシルメルカプタン(tert−C10H21SH)、tert−ドデシ
ルメルカプタン(tert−C12H25SH)、tert−ヘキサデシ
ルメルカプタン(tert−C16H33SH)などに代表されるア
ルキル基の炭素数が4〜20、好ましくは8〜16であるte
rt−アルキルメルカプタンを塩化パラジウムの硫化アル
キル錯体(ただしアルキル基の炭素原子が1〜4のも
の)、特に好ましくは硫化メチル錯体に反応させて得ら
れるパラジウムtert−アルキルメルカプチドであり、も
う一つは、p−tert−ブチルフェニルメルカプタン o−メチル−p−tert−ブチルフェニルメルカプタン p−tert−ヘキシルフェニルメルカプタン p−tert−ドデシルフェニルメルカプタン などのアルキル側鎖の炭素数が4〜20好ましくは8〜16
であるtert−アルキルフェニルメルカプタンを塩化パラ
ジウムの硫化アルキル錯体(ただしアルキル基の炭素数
が1〜4のもの)、特に好ましくは硫化メチル錯体に反
応させて得られるパラジウムtert−アルキルフェニルメ
ルカプチドである。これら2群のメルカプチドのうちレ
ジネートペースト用としては前者のパラジウムtert−ア
ルキルメルカプチドが好ましいことは既に述べた通りで
ある。
拌しながら約5時間溶解させ、完全に溶解した後90℃に
加熱しながら硝酸が無くなるまで希塩酸を数回加えて脱
硝して、H2[PdCl6]の水溶液を得た。この水溶液に純
水を加えてH2[PdCl6]の濃度が0.05mol/lの水溶液に調
整した。次いで、この水溶液を撹拌しつつ冷却して5℃
以下に保持し続け、硫化メチルを1滴ずつ沈殿が析出し
なくなるまで加えた。この反応の反応式は次の通りであ
る。
水相を傾しゃ法で分離除去し、さらに純水を各回250ml
ずつ用いて、同様の傾しゃ法で有機相を3回洗浄した。
次に、水洗した有機層を5〜12℃に保持しながら、20ml
のクロロホルムで希釈したtert−ドデシルメルカプタン
(tert−C12H25SH)22.2g(0.11mol)を加え、室温に戻
し、約3時間撹拌して、次式で示される反応を完結させ
た。
rt-C12H25SPdCl 次にこの反応混合物を再び純水各250mlを用いて3回
洗浄し、有機相をメタノール1中に撹拌しながらゆっ
くりと滴下して沈殿を析出させた。沈殿が完全に析出す
るまでに約1時間を要した。
ずつ用いて3回洗浄し、減圧乾燥を行なった。
tert−ドデシルメルカプタン11.1g(0.055mol)をクロ
ロホルム10mlで希釈して、これに加え、約3時間ゆるや
かに加熱した。
し、有機相をメタノール1中に撹拌しながらゆっくり
滴下した後、さらに1時間撹拌を行いながら析出を完了
させた。
0mlずつ用いてメルカプタンの臭いが完全に無くなるま
で繰返し洗浄した後、減圧乾燥してパラジウム−tertド
デシルメルカプチドを得た。
tert−ヘキサデシルメルカプタン、p−tert−ブチルフ
ェニルメルカプタン、およびtert−ドデシルメルカプタ
ン50mol%−tert−ヘキサデシルメルカプタン50mol%混
合物をそれぞれ用いて行なった。これにより得られた4
種類のパラジウム有機化合物とその収率を第1表に示し
た。
一条件でパラジウムtert−ドデシルメルカプチドの合成
を行った。その結果、生成物の物性は実施例1の生成物
と全く同一であったが、パラジウムtert−ドデシルメル
カプチドの収率は61wt%から52wt%に減少した。
いう結果になったが、これら合成物の実用性には問題は
全く無い。
プチド(No.1)、パラジウムtert−ヘキサデシルメルカ
プチド(No.2)、パラジウムp−tert−ブチルフェニル
メルカプチド(No.3)、パラジウムtert−ドデシルメル
カプチドとパラジウムtert−ヘキサデシルメルカプチド
との混合物(No.4)の各々について、25℃におけるター
ピネオールへの溶解度(重量%)を測定しその結果を第
2表に示した。
カプチドからなるパラジウム有機化合物は、ターピネオ
ールに対して不溶であるため、電子機器基板の配線に用
いるパラジウムレジネートペースト材としては使用でき
ないことが判明したが、積層セラミックコンデンサの内
部電極材や可変抵抗器、ネットワーク抵抗器形成用のペ
ーストとしては均一なペーストとして用いることができ
た。
(No.1、No.2、No.4)はターピネオールに対する溶解度
に優れパラジウムレジネートペースト材として適したも
のであることが確認できた。また、均一なペーストとし
て積層セラミックコンデンサの内部電極形成用に用い得
ることも確認できた。
製造法を提供するもので、この化合物は従来品に比較し
てより薄層状にかつより均一にパラジウム膜を形成する
目的に使用できる他、レジネートペースト材のパラジウ
ム提供成分として新たな用途に応用できるなど多大な効
果を有するものである。
Claims (2)
- 【請求項1】tert−アルキルメルカプタン(ただしアル
キル基の炭素数は4〜20である)に、塩化パラジウムの
硫化アルキル錯体を反応させてパラジウムtert−アルキ
ルメルカプチドを合成することを特徴とするパラジウム
有機化合物の製造法。 - 【請求項2】tert−アルキルフェニルメルカプタン(た
だしアルキル基の炭素数は4〜20である)に、塩化パラ
ジウムの硫化アルキル錯体を反応させてパラジウムtert
−アルキルフェニルメルカプチドを合成することを特徴
とするパラジウム有機化合物の製造法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP12334990A JP2932298B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | パラジウム有機化合物の製造法 |
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| JPH0419906A JPH0419906A (ja) | 1992-01-23 |
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