JP2940046B2 - Amplitude detection circuit - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、振幅検波回路に関し、特に、差動回路を用
いた振幅検波回路に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an amplitude detection circuit, and more particularly, to an amplitude detection circuit using a differential circuit.
[従来の技術] 従来のこの種振幅検波回路の基本回路は、第3図に示
すように、トランジスタ301、302および定電流源315よ
り構成される差動回路および差動回路の出力を平滑化す
る平滑回路321とから構成されていた。この回路におい
て、差動回路の入力バイアス電圧源312の電圧はVBであ
り、入力信号源313、314からは互いに位相が180°異な
る信号が出力される。差動回路の出力信号がトランジス
タ301、302の共通エミッタ端子より取り出され、平滑回
路312を介して出力端子330に出力される。[Prior Art] As shown in FIG. 3, a conventional basic circuit of this kind of amplitude detection circuit is a differential circuit composed of transistors 301 and 302 and a constant current source 315, and smoothes the output of the differential circuit. And a smoothing circuit 321 that performs the processing. In this circuit, the voltage of the input bias voltage source 312 of the differential circuit is V B, together phase from an input signal source 313 and 314 is output 180 ° different signals. The output signal of the differential circuit is extracted from the common emitter terminal of the transistors 301 and 302, and is output to the output terminal 330 via the smoothing circuit 312.
次に、動作について説明する。 Next, the operation will be described.
入力端子318への入力信号をVIN1、入力端子319への入
力信号をVIN2とし、トランジスタ301のコレクタ電流をI
c1、トランジスタ302のコレクタ電流をIc2とし、トラン
ジスタ301、302の共通エミッタの電圧をVEとすると、 VIN1−VE=vTln(Ic1/Is) VIN2−VE=vTln(Ic2/Is) (但し、vTはトランジスタのサーマル電圧、Isは逆方向
飽和電流値)となる。The input signal to the input terminal 318 is V IN1 , the input signal to the input terminal 319 is V IN2, and the collector current of the transistor 301 is I
Assuming that c 1 , the collector current of the transistor 302 is Ic 2, and the voltage of the common emitter of the transistors 301 and 302 is V E , V IN1 −V E = v T ln (Ic 1 / I s ) V IN2 −V E = v T ln (Ic 2 / I s) ( where, v T is the thermal voltage of the transistor, I s is the reverse saturation current) becomes.
次に、信号源313、314の信号変化分をVINとおくと、 VIN1=VIN+VB VIN2=−VIN+VB と書けるので、上記4式から次の式が得られる VIN+VB−VE=vTln(Ic1/Is) −VIN+VB−VE=vTln(Ic2/Is) 上記2式をそのまま加えると式が得られる。Then, placing the signal variation of the signal source 313 and 314 and V IN, V IN1 = V IN + V since B V IN2 = written as -V IN + V B, V IN that the following equation is obtained from the above Equation 4 + V B -V E = v T ln (Ic 1 / I s) -V IN + V B -V E = v T ln (Ic 2 / it s) when the two equations are added as the formula is obtained.
2VB−2VE=vTlnIc1Ic2/IS 2 … 差動回路の相互コンダクタンスをgm、定電流源315の電
流を2IOとすると、 Ic1≒IO+2VINgm Ic2≒IO+2VINgm となる(但し、IO》VINgmとして)。2V B −2V E = v T lnIc 1 Ic 2 / I S 2 ... Assuming that the mutual conductance of the differential circuit is gm and the current of the constant current source 315 is 2I O , Ic 1 ≒ I O + 2V IN gm Ic 2 ≒ I O + 2V IN gm (however, as I O >> V IN gm).
従って、式は、 2VB−2VE=vTln{(IO+2VINgm)(IO−2VINgm)/
IS 2} =vTln{(IO 2/IS 2)(1−4VIN 2gm2/Io 2)} となる。ここで、IO》VINgmとしているので式が得ら
れる。Therefore, the equation is: 2V B −2V E = v T ln {(I O + 2V IN gm) (I O −2V IN gm) /
I S 2 } = v T ln {(I O 2 / I S 2 ) (1-4V IN 2 gm 2 / I o 2 )}. Here, since I O >> V IN gm, an equation is obtained.
2VB−2VE≒2vTln(IO/IS)−vT・4VIN 2gm2/IO 2 … gmを、vTとIOで表すと、 gm=2IO/4vT=IO/2vT であるので、共通エミッタ電位VEは、式で表される。2V B −2V E ≒ 2v T ln (I O / I S ) −v T · 4V IN 2 gm 2 / I O 2 ... Gm is represented by v T and I O , gm = 2I O / 4v T = because it is I O / 2v T, the common emitter potential V E can be expressed by equation.
VE=VIN 2/2vT+VB−vTln(IO/IS) … 次に、VINを振幅Vaの正弦波とする(VIN=Va sinωt)
と、VEは式で与えられる。V E = V IN 2 / 2v T + V B -v T ln (I O / I S ) Next, V IN is a sine wave of amplitude Va (V IN = V a sinωt)
And V E is given by the equation:
VE=Va 2sin2wt/2VT+VB−vTln(IO/IS) … したがって、平滑回路後の振幅検波出力VEaは、 となる。したがって、従来の振幅検波出力は、信号振幅
Vaの2乗に比例し、トランジスタのサーマル電圧vTに反
比例し、かつ、DC成分がVB−vTln(IO/IS)で示される
直流電圧となる。V E = V a 2 sin 2 wt / 2V T + V B -v T ln (I O / I S ) Therefore, the amplitude detection output V Ea after the smoothing circuit is: Becomes Therefore, the conventional amplitude detection output is
Proportional to the square of V a, and inversely proportional to the thermal voltage v T of the transistor, and a DC voltage DC component is indicated by V B -v T ln (I O / I S).
而して、この振幅検波出力は、信号振幅Vaが小さいと
きは、極めて小さい値となるので、実用的とは言えず、
実際の振幅検波回路には、第4図に示す回路が一般的に
用いられている。And Thus, the amplitude detection output when the signal amplitude V a is small, since a very small value, it can not be said that practically,
The circuit shown in FIG. 4 is generally used for an actual amplitude detection circuit.
同図において、第3図と共通する部分には同一の参照
番号が付されている。第4図の回路では、平滑回路321
は抵抗304とコンデンサ311により構成されており、この
平滑回路を経た信号はオペアンプ317の入力端子323に入
力される。オペアンプの他の入力端子324には、ベース
がバイアス電圧源312に接続されたトランジスタ303と定
電流源316とからなるエミッタフォロワ回路322の出力端
子が接続される。オペアンプ317の入力端子323と接地間
には、抵抗306、308、およびバイアス電圧源310が、ま
た、入力端子324と出力端子320間には抵抗305、307が接
続されている。In this figure, the same parts as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals. In the circuit of FIG.
Is composed of a resistor 304 and a capacitor 311, and a signal having passed through the smoothing circuit is input to an input terminal 323 of an operational amplifier 317. The other input terminal 324 of the operational amplifier is connected to an output terminal of an emitter follower circuit 322 including a transistor 303 whose base is connected to a bias voltage source 312 and a constant current source 316. The resistors 306 and 308 and the bias voltage source 310 are connected between the input terminal 323 of the operational amplifier 317 and the ground, and the resistors 305 and 307 are connected between the input terminal 324 and the output terminal 320.
オペアンプの入力端子324へ入力される電圧V324は次
式で与えられる。The voltage V 324 input to the input terminal 324 of the operational amplifier is given by the following equation.
V324=VB−vTln(IO/IS) … 今、オペアンプの入力端子323、324間の電位差をΔ
V、抵抗305、306の抵抗値をR300、抵抗307、308の抵抗
値をR301、バイアス電圧源310の電圧をVBOとすれば、出
力端子320の出力電圧VEa′は、式で与えられる。V 324 = V B −v T ln (I O / I S ) Now, the potential difference between the input terminals 323 and 324 of the operational amplifier is Δ
V, the resistance of the resistors 305 and 306 is R 300 , the resistance of the resistors 307 and 308 is R 301 , and the voltage of the bias voltage source 310 is V BO , the output voltage V Ea ′ of the output terminal 320 is given by the following equation. Given.
VEa′=ΔV・R301/R300+VBO … 差電圧ΔVは、ΔV=VEa−V324であるので、、式
から ΔV=Va 2/4vT … となる。、式から出力電圧VEa′は VEa′=(Va 2/4VT)・(R301/R300)+VBO で与えられる。V Ea ′ = ΔV · R 301 / R 300 + V BO ... Since the difference voltage ΔV is ΔV = V Ea −V 324 , ΔV = V a 2 / 4v T. , The output voltage V Ea formulas given in 'the V Ea' = (V a 2 / 4V T) · (R 301 / R 300) + V BO.
[発明が解決しようとする課題] 従来の振幅検波回路では、第4図に示されるように、
平滑回路、オペアンプまで含めると素子数がかなり増大
する。したがって、従来の振幅検波回路ではIC化するの
が困難であり、また、そのIC化した製品が高価なものと
なった。[Problem to be Solved by the Invention] In a conventional amplitude detection circuit, as shown in FIG.
Including the smoothing circuit and the operational amplifier significantly increases the number of elements. Therefore, it is difficult to make an IC with the conventional amplitude detection circuit, and the IC product becomes expensive.
[課題を解決するための手段] 本発明の振幅検波回路は、ベースへ直流バイアス電圧
および該直流バイアス電圧に重畳された第1の信号が入
力され、エミッタが第1の定電流源を介して第2の電源
に接続された第1のトランジスタと、ベースへ前記直流
バイアス電圧および該直流バイアス電圧に重畳された、
前記第1の信号と逆相の第2の信号が入力され、コレク
タが前記第1のトランジスタのコレクタに接続され、エ
ミッタが前記第1のトランジスタのエミッタに接続され
た第2のトランジスタと、エミッタが前記第1のトラン
ジスタのエミッタに接続された第3のトランジスタと、
一端が前記第3のトランジスタのベースに接続され、他
端が前記直流バイアス電圧を発生する直流バイアス電圧
源に接続された第1の抵抗と、一端が前記第3のトラン
ジスタのベースに接続され、他端が出力端子に接続され
た第2の抵抗と、第1のトランジスタコレクタと第1の
電源との間および/または第3のトランジスタのコレク
タと第1の電源との間に接続された第1のトランジスタ
のコレクタ電流と第2のトランジスタのコレクタ電流と
の和と、第3のトランジスタのコレクタ電流との比が一
定になるように制御する電流制御手段とを具備してい
る。[Means for Solving the Problems] In an amplitude detection circuit according to the present invention, a DC bias voltage and a first signal superimposed on the DC bias voltage are input to a base, and an emitter is connected via a first constant current source. A first transistor connected to a second power supply, and a DC bias voltage superimposed on the DC bias voltage and the DC bias voltage on a base;
A second transistor having a second phase opposite to the first signal and having a collector connected to a collector of the first transistor and an emitter connected to an emitter of the first transistor; A third transistor connected to the emitter of the first transistor;
One end is connected to the base of the third transistor, the other end is connected to a DC bias voltage source that generates the DC bias voltage, and one end is connected to the base of the third transistor; A second resistor having the other end connected to the output terminal; and a second resistor connected between the first transistor collector and the first power supply and / or between a collector of the third transistor and the first power supply. There is provided current control means for controlling the ratio of the sum of the collector current of the first transistor and the collector current of the second transistor to the collector current of the third transistor to be constant.
[実施例] 次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明
する。[Example] Next, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は、本発明の一実施例を示す回路図であって、
この回路は、ほぼ同一サイズに形成されたトランジスタ
101〜104および定電流源111から構成される差動回路13
0、トランジスタ105、106、抵抗120、121から構成され
るカレントミラー回路131、トランジスタ107、定電流源
113から構成されるエミッタフォロワ132および抵抗10
8、109、平滑用コンデンサ110から構成されている。FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention,
This circuit consists of transistors of almost the same size
Differential circuit 13 composed of 101 to 104 and constant current source 111
0, current mirror circuit 131 composed of transistors 105 and 106, resistors 120 and 121, transistor 107, constant current source
Emitter follower 132 composed of 113 and resistor 10
8, 109, and a smoothing capacitor 110.
入力信号源115、116からの互いに180°位相の異なる
信号は、それぞれ、入力端子117、118を介してトランジ
スタ101、102のベースに入力され、トランジスタ101〜1
04のエミッタは共通接続されて、一端が接地されている
定電流源111に接続され、トランジスタ101、102のコレ
クタは共通接続されてトランジスタ105のコレクタとベ
ースおよびトランジスタ105とカレントミラー回路を構
成するトランジスタ106のベースに接続され、トランジ
スタ103、104のコレクタは共通に電源150に接続されて
いる。Signals having phases different from each other by 180 ° from input signal sources 115 and 116 are input to the bases of transistors 101 and 102 via input terminals 117 and 118, respectively.
The emitter of 04 is connected in common and one end is connected to a constant current source 111 grounded, and the collectors of transistors 101 and 102 are connected in common to form a current mirror circuit with the collector and base of transistor 105 and transistor 105. The base of the transistor 106 is connected, and the collectors of the transistors 103 and 104 are commonly connected to the power supply 150.
トランジスタ106のコレクタは、一端が接地されてい
る定電流源112、トランジスタ107のベースおよび一端が
電源150に接続された平滑用コンデンサ110に接続されて
いる。トランジスタ105、106のエミッタは、それぞれ、
抵抗120、121を介して電源150に接続されている。The collector of the transistor 106 is connected to a constant current source 112 whose one end is grounded, the base of the transistor 107 and a smoothing capacitor 110 whose one end is connected to a power supply 150. The emitters of the transistors 105 and 106 are respectively
The power supply 150 is connected via the resistors 120 and 121.
トランジスタ107のエミッタは、一端が接地された定
電流源113、抵抗109の一端および出力端子119に接続さ
れ、そのコレクタは電源150に接続されている。The emitter of the transistor 107 is connected to a constant current source 113 whose one end is grounded, one end of a resistor 109 and an output terminal 119, and its collector is connected to a power supply 150.
抵抗109の他端はトランジスタ103、104の共通接続さ
れたベースおよび抵抗108の一端に接続され、抵抗108の
他端は、バイアス電圧源114に接続されている。The other end of the resistor 109 is connected to a commonly connected base of the transistors 103 and 104 and one end of the resistor 108, and the other end of the resistor 108 is connected to a bias voltage source 114.
次に、バイアス電圧源114の電圧値をVB、また、信号
源115の信号変化分をVIN、信号源116の信号変化分を−V
IN、トランジスタ101、102の共通エミッタ電位をVE、ト
ランジスタ101、102のコレクタ電流を各々Ic1、Ic2とす
ると、次の式と式が得られる。Next, the voltage value of the bias voltage source 114 is V B , the signal change of the signal source 115 is V IN , and the signal change of the signal source 116 is −V
Assuming that IN , the common emitter potential of the transistors 101 and 102 is V E , and the collector currents of the transistors 101 and 102 are Ic 1 and Ic 2 respectively, the following equations and equations are obtained.
VIN+VB−VE=vTln(Ic1/IS) … −VIN+VB−VE=vTln(Ic2/IS) … 式と式とを加えると、 2VB−2VE=vTln(Ic1Ic2/IS 2) … ここで、定電流源111の電流を4IO、定電流源112の電流
を2IOとしてIc1+Ic2=2IOとなるようにすると、トラン
ジスタ101、102の相互コンダクタンスをgmとして、I
c1、Ic2は、次のように求められる。The addition of the V IN + V B -V E = v T ln (Ic 1 / I S) ... -V IN + V B -V E = v T ln (Ic 2 / I S) ... Formula and Formula, 2V B - 2V E = v T ln (Ic 1 Ic 2 / I S 2 ) where the current of the constant current source 111 is 4I O and the current of the constant current source 112 is 2I O so that Ic 1 + Ic 2 = 2I O Then, assuming that the transconductance of the transistors 101 and 102 is gm, I
c 1 and Ic 2 are obtained as follows.
Ic1=IO+2gmVIN … Ic2=IO−2gmVIN … 、式を式に代入して整理し、共通エミッタ電位VE
について解くと、 VE=VB−VTln{IO 2−4gm2VIN 2)/IS 2}/2 =VB−vTln{IO 2(1−4gm2VIN 2/IO 2)/IS 2}/2 IO》gmVINと仮定すると、 VE=VB=vTln(IO/IS) +(4vTgm2VIN 2)/2IO 2 =VB−vTln(IO/IS)+(2vTgm2VIN 2)/IO 2 … gm=IO/2vTを式に代入して VE=VB−vTln(IO/IS) +VIN 2/2vT … となる。 Ic 1 = I O + 2gmV IN ... Ic 2 = I O -2gmV IN ..., to organize is an expression in the equation, the common emitter potential V E
Solving for: V E = V B −V T ln {I O 2 −4 gm 2 V IN 2 ) / I S 2 } / 2 = V B −v T ln {I O 2 (1-4 gm 2 V IN 2) / I O 2) / I S 2} / 2 I O " assuming gmV IN, V E = V B = v T ln (I O / I S) + (4v T gm 2 V IN 2) / 2I O 2 = V B -v T ln ( I O / I S) + (2v T gm 2 V iN 2) / I O 2 ... gm = I O / 2v T are substituted into equation V E = V B -v T ln (I O / I S ) + V IN 2 / 2v T.
ここで、トランジスタ101、102のコレクタ電流は、Ic
1+Ic2=2IOとなるようになされているので、トランジ
スタ103、104のコレクタ電流(それぞれIc3、Ic4とす
る)の和は2IOとなる。さらに、トランジスタ103、104
は同一サイズに作成されており、ベースおよびエミッタ
が共通接続されているので、Ic3=Ic4=IOとなる。Here, the collector current of the transistors 101 and 102 is Ic
Since 1 + Ic 2 = 2I O , the sum of the collector currents of transistors 103 and 104 (Ic 3 and Ic 4 respectively) is 2I O. Further, transistors 103 and 104
Are formed in the same size, and the base and the emitter are commonly connected, so that Ic 3 = Ic 4 = I O.
よって、トランジスタ103、104の共通ベースの電圧V
BFは、次の式で与えられる。Therefore, the common base voltage V of the transistors 103 and 104
BF is given by the following equation.
VBF=VE+vTln(IO/IS) … この式に式を代入すると、式を得る。V BF = V E + v T ln (I O / I S ) By substituting the equation into this equation, the equation is obtained.
VBF=VB−vTln(IO/IS)+VIN 2/2vT+vTln(IO/IS)
=VB+VIN 2/2vT … また、出力119の出力電圧をv0、抵抗108の抵抗値をR1、
抵抗109の抵抗値をR2とすれば以下の式が成立する。V BF = V B −v T ln (I O / I S ) + V IN 2 / 2v T + v T ln (I O / I S )
= V B + V IN 2 / 2v T ... Also, the output voltage of the output 119 is v 0 , the resistance of the resistor 108 is R 1 ,
The resistance value of the resistor 109 R 2 Tosureba the following equation holds.
(v0−VBF)/R2=(VBF−(R2)/R1 ∴v0=(1+R2/R1)VBF −(R1/R2)VB … 式に式を代入して整理すると、 v0=(1+R2/R1)VIN 2/2vT+VB … を得る。さらに、コンデンサ110の容量を十分大きくす
ることにより、出力端子119には、平滑化出力電圧VEaが
次式により得られる。(V 0 −V BF ) / R 2 = (V BF − (R 2 ) / R 1 ∴v 0 = (1 + R 2 / R 1 ) V BF − (R 1 / R 2 ) V B. By substituting and rearranging, v 0 = (1 + R 2 / R 1 ) V IN 2 / 2v T + V B .. Further, by sufficiently increasing the capacity of the capacitor 110, a smoothed output is output to the output terminal 119. The voltage VEa is obtained by the following equation.
VIN=Vasinωtと仮定し、上式を解くと、 VEa=Va2(1+R2/R1)/4vT+VB よって、出力電圧はVEaは、v0ln(IO/IS)の影響がな
く、無信号時の直流出力電圧はVBのみであるので、バイ
アス電圧VBを温度補正することにより、安定した振幅検
波出力となる。また、R1に対し、R2を大きく設定するこ
とにより、大分大きな出力を得ることができる。 Assuming that V IN = V a sinωt and solving the above equation, V Ea = Va 2 (1 + R 2 / R 1 ) / 4v T + V B , and the output voltage is V Ea , v 0 ln (I O / I no effect of S), since the DC output voltage at no signal is only V B, by temperature compensation bias voltage V B, a stable amplitude detection output. Further, with respect to R 1, by setting a large R 2, it can be considerably large output.
なお、第1図の回路において、トランジスタ107はバ
ッファトランジスタとして用いられており、出力インピ
ーダンスを下げる役割を果している。Note that, in the circuit of FIG. 1, the transistor 107 is used as a buffer transistor, and plays a role of lowering the output impedance.
上記実施例では、トランジスタ103、104は、並列に接
続された2つのトランジスタであったが、これを1個の
トランジスタとすることもできる。この場合には、合体
化されたトランジスタのサイズがトランジスタ101、102
の合計サイズと一致するようにする。また、カレントミ
ラー回路を構成するトランジスタ105をトランジスタ10
3、104側に移すこともできる。In the above embodiment, the transistors 103 and 104 are two transistors connected in parallel. However, the transistors 103 and 104 may be one transistor. In this case, the size of the combined transistor is determined by transistors 101 and 102.
To match the total size of Further, the transistor 105 constituting the current mirror circuit is replaced with the transistor 10
It can also be moved to the 3,104 side.
第2図は本発明の他の実施例を示す回路図である。同
図のおいて、第1図と共通する部分には下2桁が共通す
る参照符号を付されているので、重複した説明は省略す
る。本実施例では、カレントミラー回路を構成するトラ
ンジスタ206と抵抗221が、トランジスタ203、204のコレ
クタと電源250との間に接続され、カレントミラー用の
定電流源が削除されている。FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. In this figure, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals in the last two digits, and duplicate explanations are omitted. In this embodiment, the transistor 206 and the resistor 221 forming the current mirror circuit are connected between the collectors of the transistors 203 and 204 and the power supply 250, and the constant current source for the current mirror is eliminated.
本実施例によれば、先の実施例と同様の効果が得られ
る外、定電流源を1個削減できるので、部品点数をさら
に減少させることができる。According to the present embodiment, the same effect as the previous embodiment can be obtained, and one constant current source can be reduced, so that the number of parts can be further reduced.
[発明の効果] 以上説明したように、本発明は、入力信号が入力され
る差動回路と並列に第3のトランジスタを設け、このト
ランジスタのベースから振幅検波出力信号を得るように
したものであるので、本発明によれば、素子数を増加さ
せることなく、オペアンプを使用した従来回路と同等の
出力信号を得ることができる。即ち、本発明によれば、
約30素子使用した従来の振幅検波回路と同等機能13乃至
14の素子の回路により達成することができるので、使用
する素子数を従来の半分以下とすることができる。した
がって、本発明によれば、振幅検波回路を容易にIC化す
ることができる。[Effects of the Invention] As described above, in the present invention, the third transistor is provided in parallel with the differential circuit to which the input signal is input, and the amplitude detection output signal is obtained from the base of this transistor. Therefore, according to the present invention, an output signal equivalent to that of a conventional circuit using an operational amplifier can be obtained without increasing the number of elements. That is, according to the present invention,
Same function as conventional amplitude detection circuit using about 30 elements 13 to
Since this can be achieved by a circuit of 14 elements, the number of elements used can be reduced to less than half of the conventional one. Therefore, according to the present invention, the amplitude detection circuit can be easily made into an IC.
第1図、第2図は、それぞれ本発明の実施例を示す回路
図、第3図は、従来例の基本回路図、第4図は、従来例
の回路図である。 101〜107、201〜207、301〜303…トランジスタ、108、1
09、120、121、208、209、220、221、304〜308…抵抗、
110、210、311…コンデンサ、111〜113、211、213、31
5、316…定電流源、114、214、312…バイアス電圧源、1
15、116、215、216、313、314…入力信号源、117、11
8、217、218、318、319…入力端子、119、219、320…出
力端子、150、250、309…電源。1 and 2 are circuit diagrams showing an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a basic circuit diagram of a conventional example, and FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional example. 101-107, 201-207, 301-303 ... Transistor, 108, 1
09, 120, 121, 208, 209, 220, 221, 304-308 ... resistance,
110, 210, 311 ... capacitors, 111-113, 211, 213, 31
5, 316 ... constant current source, 114, 214, 312 ... bias voltage source, 1
15, 116, 215, 216, 313, 314 ... input signal source, 117, 11
8, 217, 218, 318, 319 input terminals, 119, 219, 320 output terminals, 150, 250, 309 power supply.
Claims (3)
イアス電圧に重畳された第1の信号が入力され、エミッ
タが第1の定電流源を介して第2の電源に接続された第
1のトランジスタと、 ベースへ前記直流バイアス電圧および該直流バイアス電
圧に重畳された、前記第1の信号と逆相の第2の信号が
入力され、コレクタが前記第1のトランジスタのコレク
タに接続され、エミッタが前記第1のトランジスタのエ
ミッタに接続された第2のトランジスタと、 コレクタが第1の電源に接続され、エミッタが前記第1
のトランジスタのエミッタに接続された第3のトランジ
スタと、 一端が前記第3のトランジスタのベースに接続され他端
が前記直流バイアス電圧を発生する直流バイアス電圧源
に接続された第1の抵抗と、 一端が前記第3のトランジスタのベースに接続され他端
が出力端子に接続された第2の抵抗と、 一方のトランジスタが前記第1のトランジスタのコレク
タと第1の電源との間に接続され、他方のトランジスタ
が第1の電源と第2の電源との間に第2の定電流源を介
して接続されたカレントミラー回路と、 を具備する振幅検波回路。1. A first transistor having a base to which a DC bias voltage and a first signal superimposed on the DC bias voltage are input, and having an emitter connected to a second power supply via a first constant current source. A DC bias voltage and a second signal superimposed on the DC bias voltage, which is superimposed on the DC bias voltage, are input to a base, a collector is connected to a collector of the first transistor, and an emitter is A second transistor connected to the emitter of the first transistor; a collector connected to a first power supply; and an emitter connected to the first transistor.
A third transistor connected to the emitter of the third transistor, a first resistor having one end connected to the base of the third transistor, and the other end connected to a DC bias voltage source that generates the DC bias voltage; A second resistor having one end connected to the base of the third transistor and the other end connected to the output terminal; one transistor connected between the collector of the first transistor and a first power supply; A current mirror circuit in which the other transistor is connected between the first power supply and the second power supply via a second constant current source.
イアス電圧に重畳された第1の信号が入力され、コレク
タがカレントミラー回路の一方のトランジスタを介して
第1の電源に接続され、エミッタが第1の定電流源を介
して第2の電源に接続された第1のトランジスタと、 ベースへ前記直流バイアス電圧および該直流バイアス電
圧に重畳された、前記第1の信号と逆相の第2の信号が
入力され、コレクタが前記第1のトランジスタのコレク
タに接続され、エミッタが前記第1のトランジスタのエ
ミッタに接続された第2のトランジスタと、 コレクタが前記カレントミラー回路の他方のトランジス
タを介して第1の電源に接続され、エミッタが前記第1
のトランジスタのエミッタに接続された第3のトランジ
スタと、 一端が前記第3のトランジスタのベースに接続され他端
が前記直流バイアス電圧を発生する直流バイアス電圧源
に接続された第1の抵抗と、 一端が前記第3のトランジスタのベースに接続され他端
が出力端子に接続された第2の抵抗と、を具備する振幅
検波回路。2. A DC bias voltage and a first signal superimposed on the DC bias voltage are input to a base, a collector is connected to a first power supply via one transistor of a current mirror circuit, and an emitter is connected to a first power supply. A first transistor connected to a second power supply via one constant current source, a second transistor having a base opposite to the first signal, the second bias being superimposed on the DC bias voltage and the DC bias voltage, and A signal is input, a collector is connected to the collector of the first transistor, an emitter is connected to a second transistor whose emitter is connected to the emitter of the first transistor, and a collector is connected to the other transistor of the current mirror circuit. A first power supply, the emitter being connected to the first power supply;
A third transistor connected to the emitter of the third transistor, a first resistor having one end connected to the base of the third transistor, and the other end connected to a DC bias voltage source that generates the DC bias voltage; A second resistor having one end connected to the base of the third transistor and the other end connected to the output terminal.
トランジスタのコレクタに、コレクタが第1の電源に、
エミッタが前記出力端子に接続された第4のトランジス
タが付加されている請求項1または2記載の振幅検波回
路。3. The current mirror circuit has a base connected to the collector of the other transistor, a collector connected to the first power supply,
3. The amplitude detection circuit according to claim 1, further comprising a fourth transistor having an emitter connected to the output terminal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2565990A JP2940046B2 (en) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | Amplitude detection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2565990A JP2940046B2 (en) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | Amplitude detection circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03230606A JPH03230606A (en) | 1991-10-14 |
| JP2940046B2 true JP2940046B2 (en) | 1999-08-25 |
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ID=12171937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2565990A Expired - Fee Related JP2940046B2 (en) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | Amplitude detection circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2940046B2 (en) |
-
1990
- 1990-02-05 JP JP2565990A patent/JP2940046B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03230606A (en) | 1991-10-14 |
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