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JP2943769B2 - Resin encapsulated semiconductor device - Google Patents
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JP2943769B2 - Resin encapsulated semiconductor device - Google Patents

Resin encapsulated semiconductor device

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JP2943769B2
JP2943769B2 JP9164519A JP16451997A JP2943769B2 JP 2943769 B2 JP2943769 B2 JP 2943769B2 JP 9164519 A JP9164519 A JP 9164519A JP 16451997 A JP16451997 A JP 16451997A JP 2943769 B2 JP2943769 B2 JP 2943769B2
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mold
semiconductor device
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radiating plate
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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止半導体装
置に関する。
The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6は、放熱板付きリードフレームに半
導体チップを搭載した従来例の樹脂封止半導体装置を示
す断面図である。リードフレーム1には、放熱板7が絶
縁性の接着剤6を使用してインナーリード4の裏面に取
り付けられている。放熱板7は、ダイパッドを兼用して
おり、銀ペースト等のマウント材9を介して半導体チッ
プ10が放熱板(ダイパッド)に搭載されている。
2. Description of the Related Art FIG. 6 is a sectional view showing a conventional resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a lead frame with a heat sink. A heat radiating plate 7 is attached to the lead frame 1 on the back surface of the inner lead 4 using an insulating adhesive 6. The heat sink 7 also serves as a die pad, and the semiconductor chip 10 is mounted on the heat sink (die pad) via a mount material 9 such as a silver paste.

【0003】図6に示す放熱板7は、汎用のリードフレ
ームのダイパッドとは異なり、モールド樹脂12内での
面積を増加させることが可能なため、熱拡散の効率を向
上させることが可能である。
[0006] Unlike the die pad of a general-purpose lead frame, the heat radiating plate 7 shown in FIG. 6 can increase the area in the mold resin 12, so that the efficiency of heat diffusion can be improved. .

【0004】尚、リードフレーム1は、板状の金属材料
を加工(プレス加工及びエッチング加工)することによ
り、インナーリード4とアウターリード3とが一体的に
成形されたもので、その素材としては、Cu系或は42
アロイ系の合金が用いられている。リードフレーム1の
インナーリード4と、半導体チップ10の電極パッド
は、ボンデイングワイヤー11で電気的に接続されてい
る。ボンデイングワイヤー11としては、Au及びAl
等が用いられている。
The lead frame 1 is formed by integrally processing an inner lead 4 and an outer lead 3 by processing (pressing and etching) a plate-like metal material. , Cu-based or 42
Alloy-based alloys are used. The inner leads 4 of the lead frame 1 and the electrode pads of the semiconductor chip 10 are electrically connected by bonding wires 11. Au and Al are used as the bonding wire 11.
Etc. are used.

【0005】また図7に示す樹脂封止半導体装置は、図
6の応用例であり、パッケージ裏面に樹脂封止を行わ
ず、ダイパッドを兼ねた放熱板7を直接大気中に晒すこ
とにより、放熱効果を高めた構造になっている。
The resin-encapsulated semiconductor device shown in FIG. 7 is an application example of FIG. 6, in which the heat radiation plate 7 also serving as a die pad is directly exposed to the atmosphere without performing resin encapsulation on the back surface of the package. The structure is more effective.

【0006】また図8に示す樹脂封止半導体装置は、汎
用のリードフレーム(半導体チップを搭載し、ボンディ
ングを完了したもの)1のダイパッド5の裏面に絶縁性
の接着材等で放熱板7を取り付け、放熱板7が直接大気
中に晒られるように樹脂封止を行っている。
In the resin-encapsulated semiconductor device shown in FIG. 8, a radiator plate 7 is attached to the back surface of a die pad 5 of a general-purpose lead frame (one on which a semiconductor chip is mounted and bonding is completed) with an insulating adhesive or the like. Mounting and resin sealing are performed so that the heat sink 7 is directly exposed to the atmosphere.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図6及
び図7に示す従来方式では、放熱効率を向上させるた
め、特殊なリードフレームを使用するところに特徴があ
り、放熱板6をリードフレーム1に接着剤6で固定する
ため、接着材料、接着剤の塗布、放熱板の取付け加工が
必要となり、製造コストがアップするという課題があっ
た。
However, the conventional method shown in FIGS. 6 and 7 is characterized in that a special lead frame is used in order to improve the heat radiation efficiency. Since the fixing is performed with the adhesive 6, the application of an adhesive material and an adhesive and the attachment of a heat sink are required, and there is a problem that the manufacturing cost is increased.

【0008】また図6及び図7に示す従来例では、放熱
板7はダイパッドを兼用しているため、平面にならざる
を得ず、したがって、熱拡散源が2次元的な広がりのみ
に制約されてしまい、熱拡散効率を向上させるには限界
があった。
In the prior art shown in FIGS. 6 and 7, since the heat radiating plate 7 also serves as a die pad, it must be flat, so that the heat diffusion source is restricted to only two-dimensional spread. Therefore, there is a limit in improving the heat diffusion efficiency.

【0009】また図8に示す従来例では、放熱板7は、
モルード樹脂12内に底面と側面との3面が当接するだ
けでモールドされているため、モールド樹脂12との密
着性が弱く、気密性に欠けるという課題があった。
Further, in the conventional example shown in FIG.
Since molding is performed in the mold resin 12 by merely abutting the three surfaces of the bottom surface and the side surface, there is a problem that adhesion to the molding resin 12 is weak and airtightness is lacking.

【0010】本発明の目的は、汎用のリードフレームを
使用し、簡単な方法で、放熱を向上する樹脂封止半導体
装置を提供するものである。
An object of the present invention is to provide a resin-encapsulated semiconductor device using a general-purpose lead frame and improving heat radiation by a simple method.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る樹脂封止半導体装置は、モールドパッ
ケージ本体に筒状放熱板を組込んでなる樹脂封止半導体
装置であって、前記筒状放熱板は、半導体チップを搭載
したリードフレームのダイバット裏面に一面を接触して
取付けられ、内部にモールド樹脂が充填され、かつ残り
の面がモールド樹脂から露出したものである
In order to achieve the above object, a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention is a resin-encapsulated semiconductor device comprising a molded package body and a tubular heat radiating plate incorporated therein. Cylindrical heat sink with semiconductor chip
Contact the back of the die frame of the lead frame
Installed, filled with mold resin, and
Is exposed from the mold resin .

【0012】[0012]

【0013】また前記筒状放熱坂は、面体構造であ
る。
[0013] The tubular radiator slope is a polyhedron structure.

【0014】[0014]

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0016】(実施形態1)図1は、本発明の実施形態
1を示す図であって、(a)は(b)のA−A’線断面
図、(b)は底面図である。
(Embodiment 1) FIGS. 1A and 1B are diagrams showing Embodiment 1 of the present invention, wherein FIG. 1A is a cross-sectional view taken along the line AA 'of FIG. 1B, and FIG.

【0017】(実施形態1)図1において、本発明の実
施形態1に係る樹脂封止半導体装置は、パッケージ形態
がQFP型であり、汎用のリードフレーム1を利用して
いる。ここに、汎用のリードフレーム1は、内側にイン
ナーリード4を有し、外側にアウターリード3を有し、
中央部にダイパッド5を有する構造のものである。リー
ドフレーム1のダイパッド5には、半導体チップ10が
マウント材9を介して搭載され、半導体チップ10とイ
ンナーリード4との間がボンディングワイヤー11を介
して電気的に接続され、モールド樹脂12により樹脂封
止される構造になっている。
(Embodiment 1) In FIG. 1, a resin-encapsulated semiconductor device according to Embodiment 1 of the present invention has a QFP type package and uses a general-purpose lead frame 1. Here, the general-purpose lead frame 1 has an inner lead 4 on the inside and an outer lead 3 on the outside,
This is a structure having a die pad 5 in the center. A semiconductor chip 10 is mounted on a die pad 5 of the lead frame 1 via a mounting material 9, and the semiconductor chip 10 and the inner lead 4 are electrically connected via a bonding wire 11. The structure is sealed.

【0018】さらに、本発明の実施形態1では、放熱板
8による熱拡散領域を3次元的に拡大し、放熱効率を向
上させたものである。
Further, in the first embodiment of the present invention, the heat diffusion area by the heat radiating plate 8 is three-dimensionally expanded to improve the heat radiation efficiency.

【0019】具体的には図に示すように、両端が開口し
た筒状放熱板8を用い、筒状放熱板8の一端面8aをダ
イパッド5の裏面に接触させて設置し、筒状放熱板8の
両端開口部80から内部にモールド樹脂12を充填し、
筒状放熱板8の残りの端面8bを大気に晒して配置して
いる。
More specifically, as shown in the figure, a cylindrical heat radiating plate 8 having both ends open is used, and one end surface 8a of the cylindrical heat radiating plate 8 is placed in contact with the back surface of the die pad 5 to be installed. The molding resin 12 is filled into the inside of each of the openings 8 from the openings 80 at both ends,
The remaining end face 8b of the tubular heat radiating plate 8 is arranged so as to be exposed to the atmosphere.

【0020】本発明の実施形態1によれば、筒状放熱板
8を角型の多面体構造とすることにより、一端面8aか
らの熱が3つの端面8bから放熱することとなり、放熱
効率が向上する。
According to the first embodiment of the present invention, the heat from one end face 8a is radiated from the three end faces 8b by forming the cylindrical heat radiating plate 8 into a square polyhedral structure, and the heat radiating efficiency is improved. I do.

【0021】さらに、モールド樹脂12が筒状放熱板8
の両端開口部80から放熱板8内に充填されているた
め、筒状放熱板8内に充填されたモールド樹脂12は、
放熱板8を挟んで充填されるモールド樹脂12に結合さ
れることとなり、モールド樹脂12に筒状放熱板8が掛
止されてモールド樹脂12と筒状放熱板8との密着性を
確保することが可能となる。
Further, the molding resin 12 is used for the cylindrical heat radiating plate 8.
Is filled in the heat dissipation plate 8 from the opening 80 at both ends, so that the mold resin 12 filled in the tubular heat dissipation plate 8
The resin is joined to the mold resin 12 filled with the heat radiating plate 8 interposed therebetween, and the cylindrical heat radiating plate 8 is hung on the mold resin 12 to secure the adhesion between the mold resin 12 and the cylindrical heat radiating plate 8. Becomes possible.

【0022】また、筒状放熱板8は、外形が台形形状と
なっている多面体構造とすることにより、筒状放熱板8
の外形線8cは、本来モールド樹脂12が描くべき稜線
の形状に一致するため、筒状放熱板8を使ったとして
も、汎用の樹脂封止金型にセットすることができ、汎用
の樹脂封止金型をそのまま利用することができる。な
お、筒状放熱板8は、外形が台形形状となっている多面
体構造としたが、台形形状以外の多面体構造としてもよ
い。
The cylindrical heat radiating plate 8 has a polyhedral structure having a trapezoidal outer shape.
Since the outer shape line 8c conforms to the shape of the ridge line to be drawn by the mold resin 12, it can be set in a general-purpose resin sealing mold even if the cylindrical heat sink 8 is used. The stopper mold can be used as it is. Although the tubular heat radiating plate 8 has a polyhedral structure having a trapezoidal outer shape, it may have a polyhedral structure other than the trapezoidal shape.

【0023】次に、本発明の実施形態1に係る樹脂封止
半導体装置の製造方法について説明する。
Next, a method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment of the present invention will be described.

【0024】図2及び図3に示すように、樹脂封止金型
の下型13には、キャビティ15が刻設されており、キ
ャビティ15内には、ランナー18、ゲート17を通し
て溶融したモールド樹脂12が注入されるようになって
いる。
As shown in FIGS. 2 and 3, a cavity 15 is formed in the lower mold 13 of the resin-sealing mold, and the mold resin melted through the runner 18 and the gate 17 is formed in the cavity 15. 12 are to be injected.

【0025】筒状放熱板8は、大気に露出する2つの両
端面8bがキャビティ15の傾斜内面15a,15aに
密着し、残りの一端面8bがキャビティ15の内底面1
5bに密着してセットされる。したがって、これらの端
面8bは、樹脂封止金型で被覆されることなり、モール
ド樹脂12により被覆されず、外部に露出したままの状
態で樹脂封止が行われる。
The cylindrical heat radiating plate 8 has two end surfaces 8b exposed to the air closely contacting the inclined inner surfaces 15a, 15a of the cavity 15, and the other end surface 8b is in contact with the inner bottom surface 1 of the cavity 15.
5b. Therefore, these end faces 8b are covered with the resin sealing mold, and are not covered with the mold resin 12, and the resin sealing is performed while being exposed to the outside.

【0026】また、筒状放熱板8の両端の開口部80
は、ゲート17側に向けて設置され、キャビティ15内
で放熱板8の両側8dに充填されるモールド樹脂12
に、放熱板8の内部に充填されたモールド樹脂12が一
体的に結合するようにセットされる。
Openings 80 at both ends of the tubular heat radiating plate 8
Is a mold resin 12 which is installed toward the gate 17 side and is filled in both sides 8 d of the heat sink 8 in the cavity 15.
The mold resin 12 filled in the heat sink 8 is set so as to be integrally joined.

【0027】樹脂封止金型の下型13内に筒状放熱板8
がセットされると、図4に示すように、半導体チップ1
0が搭載されたリードフレーム1が下型13上に搬入さ
れる。リードフレーム1は、樹脂封止が終了するまでリ
ードフレーム枠2に一体に取り付けられており、樹脂封
止後、リードフレーム枠2から切り落される。
The cylindrical heat radiating plate 8 is placed in the lower mold 13 of the resin sealing mold.
Is set, as shown in FIG.
The lead frame 1 on which the “0” is mounted is carried into the lower mold 13. The lead frame 1 is integrally attached to the lead frame 2 until the resin sealing is completed. After the resin sealing, the lead frame 1 is cut off from the lead frame 2.

【0028】リードフレーム1のダイパッド5の裏面が
筒状放熱板8の一面8aに接触した時点で、図5(a)
に示すように、樹脂封止金型の上型14と下型13とが
型締めされ、上下型13、14のキャビティ15、16
内にポット19、ランナー18及びゲート17を通して
モールド樹脂12が充填される。これにより、筒状放熱
板8の3面8b及びアウタリード3を残して、インナー
リード4、半導体チップ10、ボンディングワイヤー1
1及び筒状放熱板8の一面8a側がモールド樹脂12に
より樹脂封止される。その後、アウタリード3の成形加
工が行われ、図1のような形態に成形される。
When the back surface of the die pad 5 of the lead frame 1 comes into contact with one surface 8a of the tubular heat sink 8, FIG.
As shown in the figure, the upper mold 14 and the lower mold 13 of the resin sealing mold are clamped, and the cavities 15, 16 of the upper and lower molds 13, 14 are formed.
The mold resin 12 is filled through a pot 19, a runner 18 and a gate 17. As a result, the inner leads 4, the semiconductor chip 10, the bonding wires 1, and the three surfaces 8b of the tubular heat sink 8 and the outer leads 3 are left.
1 and one surface 8a side of the tubular heat radiating plate 8 are resin-sealed with a mold resin 12. After that, the outer lead 3 is formed into a shape as shown in FIG.

【0029】なお、以上の実施形態では、1個のポット
19から1個のキャビテイ内に樹脂を注入する場合につ
いて説明したが、図5(b)に示すように、1個のポッ
ト19から2個のキャビテイ内に樹脂を注入する2連式
の樹脂封止を行うようにしてもよい。
In the above embodiment, the case where the resin is injected from one pot 19 into one cavity has been described. However, as shown in FIG. It is also possible to perform double resin sealing in which resin is injected into the individual cavities.

【0030】(実施形態2)図9は、本発明の実施形態
2を示す図である。図9に示す本発明の実施形態2は、
DIP型パッケージに転用したものであり、その他の構
成は、実施形態1と同じ構成となっている。
(Embodiment 2) FIG. 9 is a diagram showing Embodiment 2 of the present invention. Embodiment 2 of the present invention shown in FIG.
It is diverted to a DIP type package, and the other configuration is the same as that of the first embodiment.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、汎
用のリードフレームを使用し、簡単な方法で放熱を向上
させることができる。
As described above, according to the present invention, heat radiation can be improved by a simple method using a general-purpose lead frame.

【0032】また筒状放熱板の内部空間内にモールド樹
脂を充填させているため、同体積の放熱板に対して、筒
内部分だけ表面積が大きくなり、モールド樹脂との密着
性を向上させることができる。
Further, since the mold resin is filled in the internal space of the cylindrical heat radiating plate, the surface area of only the inner portion of the heat radiating plate becomes larger than that of the heat radiating plate having the same volume, thereby improving the adhesion to the mold resin. Can be.

【0033】また、筒状放熱板の外形を台形形状である
多面体構造とすることにより、筒状放熱板の外形線を本
来モールド樹脂12が描くべき稜線の形状に一致するよ
うに、筒状放熱板の外形を多面体構造とすることによ
り、汎用の樹脂封止金型にセットすることができ、汎用
の樹脂封止金型をそのまま利用することができる。
Further, by making the outer shape of the tubular heat sink a polyhedral structure having a trapezoidal shape, the outer shape of the tubular heat sink is made to conform to the shape of the ridgeline that the mold resin 12 should originally draw. By making the outer shape of the plate a polyhedral structure, it can be set in a general-purpose resin-sealing mold, and the general-purpose resin-sealing mold can be used as it is.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態1を示す図であって、(a)
は(b)のA−A’線断面図、(b)は底面図である。
FIG. 1 is a diagram showing Embodiment 1 of the present invention, in which (a)
FIG. 3B is a sectional view taken along line AA ′ of FIG.

【図2】(a)は、樹脂封止金型の下型を示す斜視図、
(b)は(a)のA−A’線断面図、(c)は(a)の
B−B’線断面図である。
FIG. 2A is a perspective view showing a lower mold of a resin sealing mold,
(B) is a sectional view taken along line AA 'of (a), and (c) is a sectional view taken along line BB' of (a).

【図3】(a)は、樹脂封止金型の下型を示す平面図、
(b)は(a)のA−A’線断面図、(c)は(a)の
B−B’線断面図である。
FIG. 3A is a plan view showing a lower mold of a resin sealing mold,
(B) is a sectional view taken along line AA 'of (a), and (c) is a sectional view taken along line BB' of (a).

【図4】(a)は、樹脂封止金型の下型に、リードフレ
ームを組付けた状態を示す平面図、(b)は(a)のA
−A’線断面図、(c)は(a)のB−B’線断面図で
ある。
FIG. 4A is a plan view showing a state in which a lead frame is attached to a lower mold of a resin-sealing mold, and FIG. 4B is a plan view of A in FIG.
FIG. 3A is a cross-sectional view taken along line A ′, and FIG. 3C is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG.

【図5】(a)は樹脂封止金型の上型と下型とにリード
フレームと筒状放熱板を組込んで型締めした状態を示す
断面図、(b)は2連式の樹脂封止を行う際の断面図で
ある。
5A is a cross-sectional view showing a state in which a lead frame and a tubular heat sink are assembled into an upper mold and a lower mold of a resin-sealed mold and the mold is clamped, and FIG. It is sectional drawing at the time of performing sealing.

【図6】従来例を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a conventional example.

【図7】従来例を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a conventional example.

【図8】従来例を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a conventional example.

【図9】本発明の実施形態2を示す図であって、(a)
は(b)のA−A’線断面図、(b)は底面図である。
FIG. 9 is a view showing a second embodiment of the present invention, in which (a)
FIG. 3B is a sectional view taken along line AA ′ of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リードフレーム 2 リードフレーム枠 3 アウターリード 4 インナーリード 5 ダイパッド 8 筒状放熱板 9 マウント材 10 半導体チップ 11 ボンディングワイヤー 12 モールド樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 2 Lead frame frame 3 Outer lead 4 Inner lead 5 Die pad 8 Cylindrical heat sink 9 Mounting material 10 Semiconductor chip 11 Bonding wire 12 Mold resin

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 モールドパッケージ本体に筒状放熱板を
組込んでなる樹脂封止半導体装置であって、 前記筒状放熱板は、半導体チップを搭載したリードフレ
ームのダイバット裏面に一面を接触して取付けられ、内
部にモールド樹脂が充填され、かつ残りの面がモールド
樹脂から露出したものであることを特徴とする樹脂封止
半導体装置。
1. A resin-encapsulated semiconductor device in which a cylindrical heat radiator is incorporated in a mold package body, wherein the cylindrical heat radiator includes a lead frame having a semiconductor chip mounted thereon.
Is attached to the back side of the
Part is filled with mold resin and the remaining surface is molded
A resin-sealed semiconductor device which is exposed from a resin.
【請求項2】 前記筒状放熱坂は、面体構造であるこ
とを特徴とする請求項に記載の樹脂封止半導体装置。
Wherein said cylindrical heat radiation slope is resin sealed semiconductor device according to claim 1, characterized in that the polyhedron structure.
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