JP2954352B2 - 高電圧／大電力半導体の装着構造 - Google Patents
高電圧／大電力半導体の装着構造Info
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- JP2954352B2 JP2954352B2 JP5507657A JP50765793A JP2954352B2 JP 2954352 B2 JP2954352 B2 JP 2954352B2 JP 5507657 A JP5507657 A JP 5507657A JP 50765793 A JP50765793 A JP 50765793A JP 2954352 B2 JP2954352 B2 JP 2954352B2
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- bar
- semiconductors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/60—Securing means for detachable heating or cooling arrangements, e.g. clamps
- H10W40/611—Bolts or screws
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- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/60—Securing means for detachable heating or cooling arrangements, e.g. clamps
- H10W40/611—Bolts or screws
- H10W40/613—Bolts or screws for stacked arrangements of a plurality of semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/20—Arrangements for cooling
- H10W40/231—Arrangements for cooling characterised by their places of attachment or cooling paths
- H10W40/237—Arrangements for cooling characterised by their places of attachment or cooling paths attached to additional arrangements for cooling
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- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、高電圧／大電力半導体の装着構造に関す
る。
る。
発明の背景 運送車両、機関車、及び高速道路以外の貨物車等の牽
引車輛の動力は、直流（DC）又は交流（AC）電動機から
得られることが普通である。このような電動機が発揮す
る動力は、１基当たり2600馬力（HP）のように大きくな
ることがある。このような大馬力の電動機には、それに
釣り合った大きな制御された電力が必要である。例え
ば、推進モードの動作中に必要な公称電力は1000Aで750
Vとなる。牽引車両の電気ブレーキ時に、電動機を発電
機として動作させ、それよりも高い電圧及び電流を発生
させることができる。発電機として動作するAC電動機の
場合、ピーク電圧は通常、1000Vを超える。
引車輛の動力は、直流（DC）又は交流（AC）電動機から
得られることが普通である。このような電動機が発揮す
る動力は、１基当たり2600馬力（HP）のように大きくな
ることがある。このような大馬力の電動機には、それに
釣り合った大きな制御された電力が必要である。例え
ば、推進モードの動作中に必要な公称電力は1000Aで750
Vとなる。牽引車両の電気ブレーキ時に、電動機を発電
機として動作させ、それよりも高い電圧及び電流を発生
させることができる。発電機として動作するAC電動機の
場合、ピーク電圧は通常、1000Vを超える。
このような電車の電動機用の電力制御系統には、電動
機に出入りする電力流れを制御するために、ゲート・タ
ーンオフ・サイリスタのような電力半導体デバイスが代
表的には使用されている。制御されている電力の大きさ
のせいで、半導体デバイスから消散しなければならない
熱の量はかなり多い。このような熱に対処するには、通
常、半導体を比較的大きなヒートシンクに装着する。ヒ
ートシンクは熱特性の良好な大きな金属導体であり、半
導体をその動作温度限界内に維持するのに十分な熱を消
散するために十分な表面積を有している。
機に出入りする電力流れを制御するために、ゲート・タ
ーンオフ・サイリスタのような電力半導体デバイスが代
表的には使用されている。制御されている電力の大きさ
のせいで、半導体デバイスから消散しなければならない
熱の量はかなり多い。このような熱に対処するには、通
常、半導体を比較的大きなヒートシンクに装着する。ヒ
ートシンクは熱特性の良好な大きな金属導体であり、半
導体をその動作温度限界内に維持するのに十分な熱を消
散するために十分な表面積を有している。
安全の理由ために、このような大きなヒートシンクを
接地電位に維持することが望ましい。反対に、半導体は
高電位に接続されている。従って、半導体とヒートシン
クとの間には、適当な形態の電気絶縁を設けなければな
らない。この絶縁体は、半導体とヒートシンクとの間に
配置されているので、通常熱特性の良好なシート材であ
り、その一種は商標名チョサーム（Chotherm）にて入手
可能である。このような材料は、けい素バインダを含有
している窒化ほう素材料であると考えられる。半導体は
ヒートシンクに、両者間に絶縁材料を挟んでクランプさ
れている。この構造に関連した１つの問題は、半導体と
ヒートシンクとの間の絶縁シートの表面に沿って、クリ
ーページによる電圧破壊（ブレークダウン）を防止する
長さを有する通路を確立しなければならないことであ
る。ここで、クリーページは、絶縁体又は誘電体の表面
に沿った電気の導通として定義される。クリープ（沿
面）距離、即ち電位の異なる２つの導体の間の絶縁体表
面を横切る最短距離は、実験的に確立されており、一例
のシステムでは、電位差1000Vを有する２つの導体を効
果的に隔離するために、２インチほどの長さがクリープ
距離として必要である。このクリープ距離の条件から、
大電力半導体用のエンクロージャは大きく、扱いにくく
なり、大きな面積の高価なシート絶縁材を使用すること
が必要となっている。
接地電位に維持することが望ましい。反対に、半導体は
高電位に接続されている。従って、半導体とヒートシン
クとの間には、適当な形態の電気絶縁を設けなければな
らない。この絶縁体は、半導体とヒートシンクとの間に
配置されているので、通常熱特性の良好なシート材であ
り、その一種は商標名チョサーム（Chotherm）にて入手
可能である。このような材料は、けい素バインダを含有
している窒化ほう素材料であると考えられる。半導体は
ヒートシンクに、両者間に絶縁材料を挟んでクランプさ
れている。この構造に関連した１つの問題は、半導体と
ヒートシンクとの間の絶縁シートの表面に沿って、クリ
ーページによる電圧破壊（ブレークダウン）を防止する
長さを有する通路を確立しなければならないことであ
る。ここで、クリーページは、絶縁体又は誘電体の表面
に沿った電気の導通として定義される。クリープ（沿
面）距離、即ち電位の異なる２つの導体の間の絶縁体表
面を横切る最短距離は、実験的に確立されており、一例
のシステムでは、電位差1000Vを有する２つの導体を効
果的に隔離するために、２インチほどの長さがクリープ
距離として必要である。このクリープ距離の条件から、
大電力半導体用のエンクロージャは大きく、扱いにくく
なり、大きな面積の高価なシート絶縁材を使用すること
が必要となっている。
半導体をエンクロージャ内に装着する従来の方法で
は、このようなエンクロージャに必要な寸法の条件も悪
化している。具体的には、半導体をヒートシンクに個別
にクランプすることにより、半導体を装着することが普
通である。このような電力要求の半導体は、陰極及び陽
極端子が半導体の反対端にある大きな平坦表面である
「プレスパック」に実装することが好ましい。クランプ
を必ずヒートシンクに接続するので、クリープ距離の計
算には、半導体からのクランプの間隔も含まれる。隣接
している半導体を異なる圧力でクランプする場合には、
特に個別のクランプが必要とされる。従って、クランプ
の数を減らし、しかも単一のクランプによって異なる装
着圧力をかけることのできる、半導体の装着方法及び装
置を提供することが望まれている。
は、このようなエンクロージャに必要な寸法の条件も悪
化している。具体的には、半導体をヒートシンクに個別
にクランプすることにより、半導体を装着することが普
通である。このような電力要求の半導体は、陰極及び陽
極端子が半導体の反対端にある大きな平坦表面である
「プレスパック」に実装することが好ましい。クランプ
を必ずヒートシンクに接続するので、クリープ距離の計
算には、半導体からのクランプの間隔も含まれる。隣接
している半導体を異なる圧力でクランプする場合には、
特に個別のクランプが必要とされる。従って、クランプ
の数を減らし、しかも単一のクランプによって異なる装
着圧力をかけることのできる、半導体の装着方法及び装
置を提供することが望まれている。
発明の概要 上述した及びその他の望ましい特徴は、本発明におけ
る少なくとも一対の比較的高電圧のプレスパック半導体
用の装着構造において達成される。この装着構造では、
半導体は、金属製ヒートシンクに装着されている電気的
に絶縁されたエンクロージャ内に配置されている。ヒー
トシンクは接地電位に維持されていると共に、半導体は
ヒートシンクと熱的関係で接続されている一方で、ヒー
トシンクから電気的に絶縁されている。好適な形態で
は、ヒートシンクには、その上面に隆起したプラットホ
ームが設けられており、このプラットホームは、絶縁性
エンクロージャの底の切欠き部に嵌まっている。切欠き
部と同心に、開口がエンクロージャの内部を通過してお
り、開口に半導体が装着されている。装着用プレートが
ヒートシンクの隆起したプラットホーム上に配置されて
いると共に、エンクロージャの隣接表面を貫通している
穴内に嵌まっている。絶縁性シートフィルム材料が、装
着用プレートを電気的に隔離するように、隆起したプラ
ットホームの上に配置されている。プラットホームと、
エンクロージャの底面の対応する開口とは、そこを貫通
している穴よりも大きく、このため、穴の周りに延在し
ていると共に、エンクロージャをプラットホームに取り
付けたときにプラットホーム上に載置されているフラン
ジを画定している。穴を取り囲んでいる溝がエンクロー
ジャの底面に形成されており、エラストマー製のＯ（オ
ー）リングがこの溝に配置されている。一対の半導体の
場合には、隆起したプラットホームに重なっているエン
クロージャの底面に、２つの穴が形成されている。溝
と、対応するＯリングとが第２の穴の周りに配置されて
いる。これら２つの穴の両方を取り囲んでいる第３の溝
が形成されており、Ｏリングがこの第３の溝に配置され
ている。ＯリングはＯリング同士の間に環境隔離を達成
しているので、エンクロージャの底面に環境から隔離さ
れた区域が形成されている。この環境から隔離された区
域は耐クリープ電圧性が極めて高く、これにより、接地
されたヒートシンクから半導体を隔離するために必要な
クリーページ距離が減少する。更に、半導体は、１つの
ボルトを用いてヒートシンクに押圧されている。このボ
ルトは、ヒートシンクを貫通していると共にエンクロー
ジャ内を通っており、半導体に重なっているばね鋼バー
に取り付けられている。ボルトが貫通しているエンクロ
ージャの穴にも、溝と、対応するＯリングとが設けられ
ており、ここでもエンクロージャとヒートシンクとの間
に絶縁表面に沿って、ボルトと高電圧半導体との間に追
加の隔離区域が画定されている。半導体それぞれに異な
る大きさの圧縮度が必要であっても、ばね鋼バーを用い
ることにより、１つのボルトを用いて両方の半導体を圧
縮することができる。ボルトがばね鋼バー及びヒートシ
ンクを通過している位置を調節することにより、半導体
の各々に加えられる相対的な力を調節することができ
る。特に、半導体の各々に加えられる力は、半導体とボ
ルトとの距離に反比例する。こうして、本発明は、必要
なクリーページ距離を減少させ、従って、電力用半導体
を装着するためのエンクロージャ及びヒートシンクの寸
法を減少させ、同時に、半導体を異なるクランプ圧力で
装着する能力を犠牲にすることなく、半導体をヒートシ
ンク及びエンクロージャに支持するために必要なクラン
プの数を減少させる方法及び装着を提供する。
る少なくとも一対の比較的高電圧のプレスパック半導体
用の装着構造において達成される。この装着構造では、
半導体は、金属製ヒートシンクに装着されている電気的
に絶縁されたエンクロージャ内に配置されている。ヒー
トシンクは接地電位に維持されていると共に、半導体は
ヒートシンクと熱的関係で接続されている一方で、ヒー
トシンクから電気的に絶縁されている。好適な形態で
は、ヒートシンクには、その上面に隆起したプラットホ
ームが設けられており、このプラットホームは、絶縁性
エンクロージャの底の切欠き部に嵌まっている。切欠き
部と同心に、開口がエンクロージャの内部を通過してお
り、開口に半導体が装着されている。装着用プレートが
ヒートシンクの隆起したプラットホーム上に配置されて
いると共に、エンクロージャの隣接表面を貫通している
穴内に嵌まっている。絶縁性シートフィルム材料が、装
着用プレートを電気的に隔離するように、隆起したプラ
ットホームの上に配置されている。プラットホームと、
エンクロージャの底面の対応する開口とは、そこを貫通
している穴よりも大きく、このため、穴の周りに延在し
ていると共に、エンクロージャをプラットホームに取り
付けたときにプラットホーム上に載置されているフラン
ジを画定している。穴を取り囲んでいる溝がエンクロー
ジャの底面に形成されており、エラストマー製のＯ（オ
ー）リングがこの溝に配置されている。一対の半導体の
場合には、隆起したプラットホームに重なっているエン
クロージャの底面に、２つの穴が形成されている。溝
と、対応するＯリングとが第２の穴の周りに配置されて
いる。これら２つの穴の両方を取り囲んでいる第３の溝
が形成されており、Ｏリングがこの第３の溝に配置され
ている。ＯリングはＯリング同士の間に環境隔離を達成
しているので、エンクロージャの底面に環境から隔離さ
れた区域が形成されている。この環境から隔離された区
域は耐クリープ電圧性が極めて高く、これにより、接地
されたヒートシンクから半導体を隔離するために必要な
クリーページ距離が減少する。更に、半導体は、１つの
ボルトを用いてヒートシンクに押圧されている。このボ
ルトは、ヒートシンクを貫通していると共にエンクロー
ジャ内を通っており、半導体に重なっているばね鋼バー
に取り付けられている。ボルトが貫通しているエンクロ
ージャの穴にも、溝と、対応するＯリングとが設けられ
ており、ここでもエンクロージャとヒートシンクとの間
に絶縁表面に沿って、ボルトと高電圧半導体との間に追
加の隔離区域が画定されている。半導体それぞれに異な
る大きさの圧縮度が必要であっても、ばね鋼バーを用い
ることにより、１つのボルトを用いて両方の半導体を圧
縮することができる。ボルトがばね鋼バー及びヒートシ
ンクを通過している位置を調節することにより、半導体
の各々に加えられる相対的な力を調節することができ
る。特に、半導体の各々に加えられる力は、半導体とボ
ルトとの距離に反比例する。こうして、本発明は、必要
なクリーページ距離を減少させ、従って、電力用半導体
を装着するためのエンクロージャ及びヒートシンクの寸
法を減少させ、同時に、半導体を異なるクランプ圧力で
装着する能力を犠牲にすることなく、半導体をヒートシ
ンク及びエンクロージャに支持するために必要なクラン
プの数を減少させる方法及び装着を提供する。
図面の簡単な説明 本発明をもっとよく理解できるように、以下に図面を
参照しながら詳細に説明する。
参照しながら詳細に説明する。
図１は本発明による半導体装着構造の断面図である。
図２は運送車両の環境におけるクリーページ距離を電
圧の関数として示すグラフである。
圧の関数として示すグラフである。
図３は図１のエンクロージャの底部の平面図である。
図４は図１の装着構造の線図表示であって、半導体を
ヒートシンクに対して押圧する方法を示す図である。
ヒートシンクに対して押圧する方法を示す図である。
発明の詳細な説明 図面全般、特に図１を参照すると、ヒートシンク12上
に配置されている半導体キャリヤ又はエンクロージャ10
が断面図に示されている。半導体14、例えばゲート・タ
ーンオフ・サイリスタがエンクロージャ10内に装着され
ている。エンクロージャ10はそれぞれのコーナで、ボル
ト16によってヒートシンク12にボルト止めされている。
エンクロージャには、半導体を受け入れると共に、半導
体によって発生される熱をヒートシンクに伝達できるよ
うに、中心開口18が形成されている。開口18は、ヒート
シンクに当接しているエンクロージャの表面での面積
が、半導体に面している開口の面積よりも大きくなるよ
うに形成されている。エンクロージャの内面及び外面で
の開口の面積の差により、開口18の周りに連続に延在し
ているフランジ20が画定されている。ヒートシンク表面
に当接している開口の部分（参照番号22で示す）は、ヒ
ートシンク12と一体に形成されている隆起したプラット
ホーム表面24に嵌まる寸法になっている。第１の溝26
が、開口18を取り囲んでいるフランジ20に沿って形成さ
れている。第２の溝28が、第１の溝26の外側に形成され
ており、２つの半導体を収容しているエンクロージャの
場合には、図１に示す開口と、第２の半導体用に必要な
追加の開口との両方を取り囲んでいる。Ｏリング30A及
び30Bに形成することのできる圧縮性電気絶縁材料が、
溝26及び28の各々内にそれぞれ配置されている。開口22
の高さと、プラットホーム24の高さとを適切に選択し
て、エンクロージャ10をヒートシンク12の上面にボルト
止めしたときに、Ｏリング30A及び30Bをヒートシンクと
エンクロージャとの間で圧縮して、環境から隔離された
空間を隣り合っているＯリングの間に形成できるように
する。図１において、Ｏリングの間の環境から隔離され
た空間は、参照番号32で示されている。
に配置されている半導体キャリヤ又はエンクロージャ10
が断面図に示されている。半導体14、例えばゲート・タ
ーンオフ・サイリスタがエンクロージャ10内に装着され
ている。エンクロージャ10はそれぞれのコーナで、ボル
ト16によってヒートシンク12にボルト止めされている。
エンクロージャには、半導体を受け入れると共に、半導
体によって発生される熱をヒートシンクに伝達できるよ
うに、中心開口18が形成されている。開口18は、ヒート
シンクに当接しているエンクロージャの表面での面積
が、半導体に面している開口の面積よりも大きくなるよ
うに形成されている。エンクロージャの内面及び外面で
の開口の面積の差により、開口18の周りに連続に延在し
ているフランジ20が画定されている。ヒートシンク表面
に当接している開口の部分（参照番号22で示す）は、ヒ
ートシンク12と一体に形成されている隆起したプラット
ホーム表面24に嵌まる寸法になっている。第１の溝26
が、開口18を取り囲んでいるフランジ20に沿って形成さ
れている。第２の溝28が、第１の溝26の外側に形成され
ており、２つの半導体を収容しているエンクロージャの
場合には、図１に示す開口と、第２の半導体用に必要な
追加の開口との両方を取り囲んでいる。Ｏリング30A及
び30Bに形成することのできる圧縮性電気絶縁材料が、
溝26及び28の各々内にそれぞれ配置されている。開口22
の高さと、プラットホーム24の高さとを適切に選択し
て、エンクロージャ10をヒートシンク12の上面にボルト
止めしたときに、Ｏリング30A及び30Bをヒートシンクと
エンクロージャとの間で圧縮して、環境から隔離された
空間を隣り合っているＯリングの間に形成できるように
する。図１において、Ｏリングの間の環境から隔離され
た空間は、参照番号32で示されている。
半導体14をヒートシンク12に装着する際に、比較的大
きな導電性装着用ブロック34を設ける必要があり、ブロ
ック34に対して半導体14の端子の一方を圧接することが
できる。装着用ブロック34は、ブロックを正確に位置決
めする作用をなす開口18内に嵌まる寸法を有している。
しかしながら、ヒートシンクを接地電位に置くことが望
ましい一方で、半導体14の端子は一般に、比較的高い電
位にあるので、装着用ブロック34をヒートシンク12から
電気的に隔離する必要がある。このことを達成するため
に、シート絶縁体35の層が、隆起したプラットホーム24
の上に配置されていると共に、プラットホーム24と装着
用ブロック34との間に配置されている。絶縁材料シート
35は、けい素バインダを含有している窒化ほう素材料の
シート、例えば商標名チョサーム（Chotherm）にて入手
できる種類のものとすることが好ましい。この材料は、
絶縁体として作用するのみでなく、装着用ブロック34と
プラットホーム24との間に良好な熱伝導をももたらすと
共に、装着用ブロック34に隣接している全表面にわたっ
て良好な熱接触を与えるように、多少なりとも圧縮性で
ある。装着用ブロック34は又は、装着用ブロック34への
取り付けにより電気母線37を半導体に接続するための表
面積を付与する。ヒートシンク12とは反対側に配設され
ている半導体14の反対端も、導電性装着用プレート38を
介して圧縮されている。装着用プレート38は、電気ケー
ブルを半導体14の上部端子に接続する電気母線取り付け
部40を含んでいる。上部装着用プレート38は、上部装着
用プレート38の上に配置されている絶縁体42によって、
下向きに半導体14に対して押し付けられている。圧力は
上部ばねバー46によって、玉継手44を介して絶縁体42の
上面に加えられている。ばねバー46は、荷重分散用中心
プレート48と、バー46及び中心プレートを貫通している
と共にヒートシンク12に取り付けられているボルト50と
によって、半導体に対して押し付けられている。ボルト
50の頂部でナット52を締め付けて、半導体を下向きにヒ
ートシンク12に対して押圧する際に半導体14にかかる圧
力を制御することができる。
きな導電性装着用ブロック34を設ける必要があり、ブロ
ック34に対して半導体14の端子の一方を圧接することが
できる。装着用ブロック34は、ブロックを正確に位置決
めする作用をなす開口18内に嵌まる寸法を有している。
しかしながら、ヒートシンクを接地電位に置くことが望
ましい一方で、半導体14の端子は一般に、比較的高い電
位にあるので、装着用ブロック34をヒートシンク12から
電気的に隔離する必要がある。このことを達成するため
に、シート絶縁体35の層が、隆起したプラットホーム24
の上に配置されていると共に、プラットホーム24と装着
用ブロック34との間に配置されている。絶縁材料シート
35は、けい素バインダを含有している窒化ほう素材料の
シート、例えば商標名チョサーム（Chotherm）にて入手
できる種類のものとすることが好ましい。この材料は、
絶縁体として作用するのみでなく、装着用ブロック34と
プラットホーム24との間に良好な熱伝導をももたらすと
共に、装着用ブロック34に隣接している全表面にわたっ
て良好な熱接触を与えるように、多少なりとも圧縮性で
ある。装着用ブロック34は又は、装着用ブロック34への
取り付けにより電気母線37を半導体に接続するための表
面積を付与する。ヒートシンク12とは反対側に配設され
ている半導体14の反対端も、導電性装着用プレート38を
介して圧縮されている。装着用プレート38は、電気ケー
ブルを半導体14の上部端子に接続する電気母線取り付け
部40を含んでいる。上部装着用プレート38は、上部装着
用プレート38の上に配置されている絶縁体42によって、
下向きに半導体14に対して押し付けられている。圧力は
上部ばねバー46によって、玉継手44を介して絶縁体42の
上面に加えられている。ばねバー46は、荷重分散用中心
プレート48と、バー46及び中心プレートを貫通している
と共にヒートシンク12に取り付けられているボルト50と
によって、半導体に対して押し付けられている。ボルト
50の頂部でナット52を締め付けて、半導体を下向きにヒ
ートシンク12に対して押圧する際に半導体14にかかる圧
力を制御することができる。
尚、ボルト50は、ヒートシンク12の下面から上向きに
少なくともエンクロージャ10の下面を貫通しているか
ら、ばねバー46に係合している。ボルト50がエンクロー
ジャ10を貫通しているので、エンクロージャ10の下面に
は、穴54が金属ボルトを挿通できるように設けられてい
る。この金属ボルト50を電気クリーページに対して隔離
することが望ましいので、他の溝56が、ボルト50が貫通
している穴54を取り囲んでいるエンクロージャ10の下面
に形成されている。溝56は、Ｏリング30と同様のＯリン
グ58を嵌めて形成されている。エンクロージャ10は、成
形された絶縁材料で構成されており、半導体を装着する
ために十分な強度を与えることができると共に、半導体
を電気的に保護するために必要な電気絶縁を与えること
ができる。しかしながら、エンクロージャ10の下面を貫
通している上述したような種々の開口は、ほこり、湿
気、又はその他の環境からの汚染物が侵入し、絶縁体シ
ート35の表面に沿って移動する領域を画定している。こ
の理由から、従来の慣行では、クリーページが起こって
系の電気的破壊につながる機会を最小限に抑えるため
に、装着用ブロック34のエッジと絶縁シート35の端部と
の間に、ある最小距離を必要としていた。代表的には、
1000V範囲で動作する半導体の場合、装着用ブロック34
のエッジ60を必ず、プラットホーム24のエッジ62からク
リーページ距離で少なくとも２インチ隔離しなければな
らなかった。この結果、この最小クリーページ距離を確
保するために、エンクロージャもヒートシンクも比較的
大きな寸法となった。図２に簡単に言及すると、図示の
チャートは、運送車両の環境で種々の電圧で必要とされ
る最小クリーページ距離を示す。電圧が3000Vに近付く
につれて、最小許容クリーページ距離が６インチに近付
くことがわかる。本発明者は、このクリーページ距離を
小さくする方法として、絶縁体35の表面の各部分を環境
から隔離して、湿気、ほこり、その他の汚染物による汚
染を防止することが有効であることを確かめた。この場
合、Ｏリング30A、30B及び58が、環境から隔離された、
汚染に供されない区域を画定している。半導体アセンブ
リをクリーンルームで組み立て、ほこり又はその他の汚
染物が組み立て時に、絶縁体の表面に存在するのを許さ
ないようにすると、これらの環境から隔離された区域
は、半導体の電圧をヒートシンクの接地電位から隔離す
るために必要なクリーページ距離を短くする作用をな
す。本発明者は、絶縁体シートに沿った区域を環境から
隔離してやれば、3/16インチ以下のクリーページ距離で
1000Vの電圧を効果的に隔離できることを確かめた。
少なくともエンクロージャ10の下面を貫通しているか
ら、ばねバー46に係合している。ボルト50がエンクロー
ジャ10を貫通しているので、エンクロージャ10の下面に
は、穴54が金属ボルトを挿通できるように設けられてい
る。この金属ボルト50を電気クリーページに対して隔離
することが望ましいので、他の溝56が、ボルト50が貫通
している穴54を取り囲んでいるエンクロージャ10の下面
に形成されている。溝56は、Ｏリング30と同様のＯリン
グ58を嵌めて形成されている。エンクロージャ10は、成
形された絶縁材料で構成されており、半導体を装着する
ために十分な強度を与えることができると共に、半導体
を電気的に保護するために必要な電気絶縁を与えること
ができる。しかしながら、エンクロージャ10の下面を貫
通している上述したような種々の開口は、ほこり、湿
気、又はその他の環境からの汚染物が侵入し、絶縁体シ
ート35の表面に沿って移動する領域を画定している。こ
の理由から、従来の慣行では、クリーページが起こって
系の電気的破壊につながる機会を最小限に抑えるため
に、装着用ブロック34のエッジと絶縁シート35の端部と
の間に、ある最小距離を必要としていた。代表的には、
1000V範囲で動作する半導体の場合、装着用ブロック34
のエッジ60を必ず、プラットホーム24のエッジ62からク
リーページ距離で少なくとも２インチ隔離しなければな
らなかった。この結果、この最小クリーページ距離を確
保するために、エンクロージャもヒートシンクも比較的
大きな寸法となった。図２に簡単に言及すると、図示の
チャートは、運送車両の環境で種々の電圧で必要とされ
る最小クリーページ距離を示す。電圧が3000Vに近付く
につれて、最小許容クリーページ距離が６インチに近付
くことがわかる。本発明者は、このクリーページ距離を
小さくする方法として、絶縁体35の表面の各部分を環境
から隔離して、湿気、ほこり、その他の汚染物による汚
染を防止することが有効であることを確かめた。この場
合、Ｏリング30A、30B及び58が、環境から隔離された、
汚染に供されない区域を画定している。半導体アセンブ
リをクリーンルームで組み立て、ほこり又はその他の汚
染物が組み立て時に、絶縁体の表面に存在するのを許さ
ないようにすると、これらの環境から隔離された区域
は、半導体の電圧をヒートシンクの接地電位から隔離す
るために必要なクリーページ距離を短くする作用をな
す。本発明者は、絶縁体シートに沿った区域を環境から
隔離してやれば、3/16インチ以下のクリーページ距離で
1000Vの電圧を効果的に隔離できることを確かめた。
図１のエンクロージャ10の底面図である図３を参照す
ると、Ｏリング30A、30B及び58、並びに対応する溝26、
28及び56の構成がよく理解できる。同図では、半導体1
4、並びにその関連した装着及び電気接続部が省略され
ている。この底面図からわかるように、下面を通る開口
18A、18B及び54の各々が、対応する溝26A、26B及び56で
包囲されている。前述したＯリング30A及び58は、これ
らの溝に装填されており、開口の各々をエンクロージャ
10の隣接している下面から隔離するように、シールを形
成している。追加の溝28がこれらの開口の外側に形成さ
れている。この追加の溝28は、開口18A、18B及び54と、
開口18A及び18Bの各々と関連した第１の対の溝26及び26
Aと、中心穴54を取り囲んでいる第３の溝56とを完全に
取り囲んでいる。中心穴54は、半導体14をヒートシンク
12に押圧的に取り付けるためにボルト50が通過する穴で
ある。これらのシールの間の空間32は、一度エンクロー
ジャ10をヒートシンク12に取り付けたら、ほこり、湿
気、その他の汚染物がこの空間に入り込むことを許さな
いという意味で、環境から隔離された空間である。ほこ
りや湿気の存在がクリーページの結果としての電圧破壊
の主要因であることが確かめられたので、この媒体をエ
ンクロージャ10とヒートシンク12との間の表面から照ら
す（エリミネイションする）ことにより、必要なクリー
ページ距離が著しく減少する。図示の実施例では、Ｏリ
ング30と外側Ｏリング56との間の実際の距離を3/16イン
チ以下に短縮することができ、それでも約1200Vの電圧
でクリーページによる電圧ブレークオーバを回避するた
めに必要な間隔を確保できることを確かめた。
ると、Ｏリング30A、30B及び58、並びに対応する溝26、
28及び56の構成がよく理解できる。同図では、半導体1
4、並びにその関連した装着及び電気接続部が省略され
ている。この底面図からわかるように、下面を通る開口
18A、18B及び54の各々が、対応する溝26A、26B及び56で
包囲されている。前述したＯリング30A及び58は、これ
らの溝に装填されており、開口の各々をエンクロージャ
10の隣接している下面から隔離するように、シールを形
成している。追加の溝28がこれらの開口の外側に形成さ
れている。この追加の溝28は、開口18A、18B及び54と、
開口18A及び18Bの各々と関連した第１の対の溝26及び26
Aと、中心穴54を取り囲んでいる第３の溝56とを完全に
取り囲んでいる。中心穴54は、半導体14をヒートシンク
12に押圧的に取り付けるためにボルト50が通過する穴で
ある。これらのシールの間の空間32は、一度エンクロー
ジャ10をヒートシンク12に取り付けたら、ほこり、湿
気、その他の汚染物がこの空間に入り込むことを許さな
いという意味で、環境から隔離された空間である。ほこ
りや湿気の存在がクリーページの結果としての電圧破壊
の主要因であることが確かめられたので、この媒体をエ
ンクロージャ10とヒートシンク12との間の表面から照ら
す（エリミネイションする）ことにより、必要なクリー
ページ距離が著しく減少する。図示の実施例では、Ｏリ
ング30と外側Ｏリング56との間の実際の距離を3/16イン
チ以下に短縮することができ、それでも約1200Vの電圧
でクリーページによる電圧ブレークオーバを回避するた
めに必要な間隔を確保できることを確かめた。
前述したように、半導体の全表面にわたって比較的均
一な接触を得るのに十分な力で、ヒートシンク12に対し
て半導体14の各々を押圧する必要がある。この点で、ボ
ルト50は、エンクロージャ10内の一対の半導体をヒート
シンク12に対してしっかり押し付けるように、バー46と
協動している。図４に移ると、半導体14の各々に加えら
れる力を任意の所定の態様で分配するようにバー46及び
ボルト50を構成する方法の一例が示されている。この構
成では、ボルト50がバー46に連結している点と、隣接し
ている半導体の各々との間の間隔を調節して、一方の半
導体に加えられる力が他方の半導体に加えられる力とは
異なるようにする。特に、肉厚のばね鋼から形成されて
いるバー46は、ボルト50がバー46に連結している点と、
隣接している半導体の各々との間の相対距離に比例した
力を半導体の各々に加えることがわかる。例えば、一方
の側でのボルト50及び隣接している半導体の間隔をL1と
し、他方の側でのボルト50及びその隣接している半導体
の間隔をL2とすると、半導体の各々に加えられる力は、
次式で表される。
一な接触を得るのに十分な力で、ヒートシンク12に対し
て半導体14の各々を押圧する必要がある。この点で、ボ
ルト50は、エンクロージャ10内の一対の半導体をヒート
シンク12に対してしっかり押し付けるように、バー46と
協動している。図４に移ると、半導体14の各々に加えら
れる力を任意の所定の態様で分配するようにバー46及び
ボルト50を構成する方法の一例が示されている。この構
成では、ボルト50がバー46に連結している点と、隣接し
ている半導体の各々との間の間隔を調節して、一方の半
導体に加えられる力が他方の半導体に加えられる力とは
異なるようにする。特に、肉厚のばね鋼から形成されて
いるバー46は、ボルト50がバー46に連結している点と、
隣接している半導体の各々との間の相対距離に比例した
力を半導体の各々に加えることがわかる。例えば、一方
の側でのボルト50及び隣接している半導体の間隔をL1と
し、他方の側でのボルト50及びその隣接している半導体
の間隔をL2とすると、半導体の各々に加えられる力は、
次式で表される。
P1＝Ｐ・L2／（L1＋L2） ここで、Ｐはボルト50で加えられる圧力、P1は一方の
半導体14に加えられる圧力、L1は一方の半導体からボル
トまでの距離、L2は他方の半導体からボルトまでの距離
である。
半導体14に加えられる圧力、L1は一方の半導体からボル
トまでの距離、L2は他方の半導体からボルトまでの距離
である。
尚、この実施例では、半導体の各々の頂部に配設され
ている玉継手又はボールストラット44は、横方向の力を
半導体14に伝達する原因となる力を絶縁体42に加えるこ
となく、ばね鋼バー46が横方向に移動するのを許容す
る。従って、半導体14の位置に影響を与えることなく、
ボルト50を下向きに任意所定の又は所望の圧力で締め付
けることができる。ボルト50によって加えられる力を広
げるためには、ばね鋼バー46の頂部に荷重分散（スプレ
ッダ）プレート48を用いることが好ましい。バー46は、
厚さが約3/16インチのばね鋼材料から形成されていても
よい。
ている玉継手又はボールストラット44は、横方向の力を
半導体14に伝達する原因となる力を絶縁体42に加えるこ
となく、ばね鋼バー46が横方向に移動するのを許容す
る。従って、半導体14の位置に影響を与えることなく、
ボルト50を下向きに任意所定の又は所望の圧力で締め付
けることができる。ボルト50によって加えられる力を広
げるためには、ばね鋼バー46の頂部に荷重分散（スプレ
ッダ）プレート48を用いることが好ましい。バー46は、
厚さが約3/16インチのばね鋼材料から形成されていても
よい。
以上、本発明を現在好適な実施例と考えられるものに
ついて説明したが、当業者には種々の変更や改良が明ら
かである。従って、本発明は、図示の実施例に限定され
るものではなく、請求の範囲の要旨内で解釈すべきもの
である。
ついて説明したが、当業者には種々の変更や改良が明ら
かである。従って、本発明は、図示の実施例に限定され
るものではなく、請求の範囲の要旨内で解釈すべきもの
である。
Claims (18)
- 【請求項１】ヒートシンクの支持表面上に互いに離間し
て配置されている一対の比較的高電圧のプレスパック半
導体の装着構造であって、 前記ヒートシンクの前記支持表面と嵌まり合うように構
成されている装着表面と、該装着表面を貫通している一
対の離間した開口とを有しており、電気絶縁材料から形
成さえているエンクロージャであって、前記開口は、対
応する１つの半導体を比較的正確に位置決めするように
形成されており、前記開口は、一対の溝のうちの対応す
る溝により取り囲まれており、前記装着表面上で第３の
溝が前記一対の溝から離間していると共に該一対の溝を
取り囲んでいる、エンクロージャと、 該エンクロージャが前記ヒートシンクに締め付けられた
ときに、環境の汚染物から隔離された区域を前記溝の間
に画定するように、前記溝の各々に配置されている圧縮
性電気絶縁手段と、 前記一対の半導体の一方を前記離間した開口の各々に装
着する手段とを備えており、 該装着手段は、 前記開口の各々に配置されていると共に、前記ヒートシ
ンクから電気的に絶縁されている導電性装着用プレート
であって、前記半導体の各々の１つの端子が前記装着用
プレートのうちの対応するプレートと電気接続関係に配
置されている、導電性装着用プレートと、 前記半導体の間に延在している比較的剛性なバーであっ
て、該バーの反対端が前記半導体のうちの対応する半導
体の第２の電気端子に支持されている、バーと、 前記ヒートシンクと前記バーとに連結されており、前記
半導体を前記バーの対応する端部と前記ヒートシンクと
の間で押圧するように、前記バーに前記ヒートシンクに
向かって張力を加える張力手段とを備えており、 該張力手段は、前記半導体の間で前記ヒートシンク及び
前記バーを貫通しているボルトを含んでおり、 前記バーは、導電性であって、前記半導体の各々と前記
バーとの間に配置されている電気絶縁性材料を含んでお
り、 前記張力手段は更に、 前記エンクロージャの前記装着表面に前記ヒートシンク
に隣接して形成されており、前記ボルトを通す穴と、 前記エンクロージャの前記装着表面に前記ヒートシンク
と当接して形成されており、前記穴を取り囲んでいると
共に前記第３の溝により取り囲まれている他の溝と、 該他の溝に配置されており、前記エンクロージャが前記
ヒートシンクに取り付けられたときに、前記溝の間の区
域から前記穴を環境的に隔離する圧縮性電気絶縁手段と
を含んでいる、一対の比較的高電圧のプレスパック半導
体の装着構造。 - 【請求項２】一対の比較的高電圧のプレスパック半導体
の装着構造であって、 支持表面を有しているヒートシンクと、 該ヒートシンクの前記支持表面と嵌まり合うように構成
されている装着表面と、該装着表面を貫通している一対
の離間した開口とを有しており、電気絶縁材料から形成
されているエンクロージャであって、前記開口は、対応
する１つの半導体を比較的正確に位置決めするように形
成されており、前記開口は、一対の溝のうちの対応する
溝により取り囲まれており、前記装着表面上で第３の溝
が前記一対の溝から離間していると共に該一対の溝を取
り囲んでいる、エンクロージャと、 該エンクロージャが前記ヒートシンクに締め付けられた
ときに、環境の汚染物から隔離された区域を前記溝の間
に画定するように、前記溝の各々に配置されている圧縮
性電気絶縁手段と、 前記一対の半導体の一方を前記離間した開口の各々に装
着する手段とを備えた、一対の比較的高電圧のプレスパ
ック半導体の装着構造。 - 【請求項３】前記装着手段は、 前記開口の各々に配置されていると共に、前記ヒートシ
ンクから電気的に絶縁されている導電性装着用プレート
であって、前記半導体の各々の１つの端子が前記装着用
プレートのうちの対応するプレートと電気接続関係に配
置されている、導電性装着用プレートと、 前記半導体の間に延在している比較的剛性なバーであっ
て、該バーの反対端が前記半導体のうちの対応する半導
体の第２の電気端子に支持されている、バーと、 前記ヒートシンクと前記バーとに連結されており、前記
半導体を前記バーの対応する端部と前記ヒートシンクと
の間で押圧するように、前記バーに前記ヒートシンクに
向かって張力を加える張力手段とを含んでいる請求項２
に記載の装着構造。 - 【請求項４】前記張力手段は、前記半導体の間に配置さ
れている手段を含んでおり、前記半導体の各々と前記張
力手段との間の相対距離は、前記張力手段により前記半
導体の各々に加えられる力に反比例している請求項３に
記載の装着構造。 - 【請求項５】前記バーの各端部と、前記半導体のうちの
対応する半導体との間に配置されており、前記バーに張
力を加える際に、前記バーにより加えられる張力の方向
に直角な方向の前記バーの動きを吸収する手段を含んで
いる請求項４に記載の装着構造。 - 【請求項６】前記バーは、導電性であって、前記半導体
の各々と前記バーとの間に配置されている前記絶縁性材
料を含んでいる請求項５に記載の装着構造。 - 【請求項７】前記ヒートシンクの支持表面に形成されて
いる一対の隆起したプラットホームを含んでおり、該隆
起したプラットホームの各々は、前記エンクロージャの
前記開口のうちの対応する開口と心合わせされており、
前記開口の各々は、前記半導体に面している表面でより
も前記ヒートシンクに当接している前記エンクロージャ
の表面での方が大きい面積を有しており、該表面積の差
が、前記開口の側部の各々から前記開口内に延在してい
るフランジを画定しており、前記溝は、前記半導体を前
記ヒートシンクから隔離するように前記フランジに形成
されている請求項６に記載の装着構造。 - 【請求項８】前記開口を取り囲んでいる前記溝は、それ
らの最も近い点同士で外側の前記溝から約3/16インチ離
れている請求項７に記載の装着構造。 - 【請求項９】前記張力手段は、前記半導体の間で前記ヒ
ートシンク及び前記バーを貫通しているボルトと、 前記エンクロージャの前記装着表面に前記ヒートシンク
に隣接して形成されており、前記ボルトを通す穴と、 前記エンクロージャの前記装着表面に前記ヒートシンク
と当接して形成されており、前記穴を取り囲んでいると
共に前記第３の溝により取り囲まれている他の溝と、 該他の溝に配置されており、前記エンクロージャが前記
ヒートシンクに取り付けられたときに、前記溝の間の区
域から前記穴を環境的に隔離する圧縮性電気絶縁手段と
を含んでいる請求項８に記載の装着構造。 - 【請求項１０】ヒートシンクの支持表面上に互いに離間
して配置されている一対の比較的高電圧のプレスパック
半導体の装着構造であって、 前記半導体の各々の第１の電気端子と前記ヒートシンク
との間で前記ヒートシンクに重なっており、熱を前記半
導体から前記ヒートシンクに伝達する適当な熱特性を有
している電気絶縁手段と、 前記半導体の間に延在している比較的剛性なバーであっ
て、該バーの反対端が、前記ヒートシンクと反対側に設
けられている前記半導体のうちの対応する半導体の第２
の電気端子に支持されている、バーと、 前記ヒートシンクと前記バーとに連結されており、前記
半導体を前記バーの対応する端部と前記ヒートシンクと
の間で押圧するように、前記バーに前記ヒートシンクに
向かって張力を加える張力手段とを備えた、一対の比較
的高電圧のプレスパック半導体の装着構造。 - 【請求項１１】前記張力手段は、前記半導体の間に配置
されている手段を含んでおり、前記半導体の各々と前記
張力手段との間の相対距離は、前記張力手段により前記
半導体の各々に加えられる力に反比例している請求項10
に記載の装着構造。 - 【請求項１２】前記バーの各端部と、前記半導体のうち
の対応する半導体との間に配置されており、前記バーに
張力を加える際に、前記バーにより加えられる張力の方
向に直角な方向の前記バーの動きを吸収する手段を含ん
でいる請求項11に記載の装着構造。 - 【請求項１３】前記バーは、導電性であって、前記半導
体の各々と前記バーとの間に配置されている前記絶縁性
材料を含んでいる請求項12に記載の装着構造。 - 【請求項１４】前記張力手段は、前記半導体の間で前記
ヒートシンク及び前記バーを貫通しているボルトを含ん
でいる請求項13に記載の装着構造。 - 【請求項１５】前記ヒートシンクの前記支持表面と嵌ま
り合うように構成されている装着表面と、該装着表面を
貫通している一対の離間した開口とを有しており、電気
絶縁材料から形成されているエンクロージャであって、
前記開口は、対応する１つの半導体を比較的正確に位置
決めするように形成されており、前記開口は、一対の溝
のうちの対応する溝により取り囲まれており、前記装着
表面上で第３の溝が前記一対の溝から離間していると共
に該一対の溝を取り囲んでいる、エンクロージャと、 該エンクロージャが前記ヒートシンクに締め付けられた
ときに、環境の汚染物から隔離された区域を前記溝の間
に画定するように、前記溝の各々に配置されている圧縮
性電気絶縁手段と、 前記一対の半導体の一方を前記離間した開口の各々に装
着する手段とを含んでいる請求項14に記載の装着構造。 - 【請求項１６】前記装着手段は、 前記開口の各々に配置されていると共に、前記ヒートシ
ンクから電気的に絶縁されている第１の導電性装着用プ
レートであって、前記半導体の各々の１つの端子が前記
装着用プレートのうちの対応するプレートと電気接続関
係に配置されている、第１の導電性装着用プレートと、 前記半導体の第２の端子と電気接続関係に配置されてい
る第２の導電性装着用プレートと、 前記第１及び第２の装着用プレートにそれぞれ接続され
ており、前記半導体を電気回路に電気的に接続する第１
及び第２の母線とを含んでいる請求項15に記載の装着構
造。 - 【請求項１７】前記圧縮性絶縁手段は、複数のＯリング
を含んでいる請求項15に記載の装着構造。 - 【請求項１８】前記エンクロージャの前記装着表面に前
記ヒートシンクに隣接して形成されており、前記ボルト
を通す穴と、 前記エンクロージャの前記装着表面に前記ヒートシンク
と当接して形成されており、前記穴を取り囲んでいると
共に前記第３の溝により取り囲まれている他の溝と、 該他の溝に配置されており、前記エンクロージャが前記
ヒートシンクに取り付けられたときに、前記溝の間の区
域から前記穴を環境的に隔離する圧縮性電気絶縁手段と
を含んでいる請求項15に記載の装着構造。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US778,428 | 1991-10-16 | ||
| US07/778,428 US5168425A (en) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | Mounting arrangements for high voltage/high power semiconductors |
| PCT/US1992/006220 WO1993008601A1 (en) | 1991-10-16 | 1992-07-24 | Mounting arrangements for high voltage/high power semiconductors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06503688A JPH06503688A (ja) | 1994-04-21 |
| JP2954352B2 true JP2954352B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=25113319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5507657A Expired - Lifetime JP2954352B2 (ja) | 1991-10-16 | 1992-07-24 | 高電圧／大電力半導体の装着構造 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5168425A (ja) |
| EP (1) | EP0562060B1 (ja) |
| JP (1) | JP2954352B2 (ja) |
| AU (1) | AU650222B2 (ja) |
| BR (1) | BR9205415A (ja) |
| CA (1) | CA2096245A1 (ja) |
| DE (1) | DE69227239T2 (ja) |
| ES (1) | ES2121862T3 (ja) |
| WO (1) | WO1993008601A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US5323295A (en) * | 1992-07-21 | 1994-06-21 | P & P Marketing, Inc. | Assembly for integrating heat generating electronic device with nonheat generating devices |
| US5280409A (en) * | 1992-10-09 | 1994-01-18 | Sun Microsystems, Inc. | Heat sink and cover for tab integrated circuits |
| US5519253A (en) * | 1993-09-07 | 1996-05-21 | Delco Electronics Corp. | Coaxial switch module |
| SG71046A1 (en) | 1996-10-10 | 2000-03-21 | Connector Systems Tech Nv | High density connector and method of manufacture |
| DE19711965C2 (de) * | 1997-03-21 | 1999-01-14 | Siemens Ag | Vorrichtung zur niederinduktiven Anbindung eines abschaltbaren Thyristors an seine Ansteuereinrichtung |
| US5917703A (en) * | 1998-04-17 | 1999-06-29 | Advanced Interconnections Corporation | Integrated circuit intercoupling component with heat sink |
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| DE10022341B4 (de) * | 2000-05-08 | 2005-03-31 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Elektronisches Leistungsmodul |
| JP3793407B2 (ja) * | 2000-09-19 | 2006-07-05 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
| US6532154B2 (en) | 2001-01-09 | 2003-03-11 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Stack assembly housing |
| US20090103342A1 (en) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Saul Lin | Silicon-controlled rectifier with a heat-dissipating structure |
| AT506778B1 (de) * | 2008-04-29 | 2012-04-15 | Siemens Ag | Kühlanordnung mit zwei nebeneinander angeordneten halbleiterbauelementen |
| US11076477B2 (en) | 2017-10-03 | 2021-07-27 | Mks Instruments, Inc. | Cooling and compression clamp for short lead power devices |
| JP7352830B2 (ja) * | 2019-12-04 | 2023-09-29 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体 |
| US11488927B2 (en) | 2021-02-18 | 2022-11-01 | Abb Schweiz Ag | Press-pack semiconductor fixtures |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2202054A1 (de) * | 1972-01-17 | 1973-07-26 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement |
| GB1426874A (en) * | 1972-05-03 | 1976-03-03 | Mullard Ltd | Method of sealing electrical component envelopes |
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