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JP2962021B2 - Wire saw and its cutting method - Google Patents
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JP2962021B2 - Wire saw and its cutting method - Google Patents

Wire saw and its cutting method

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JP2962021B2
JP2962021B2 JP4004447A JP444792A JP2962021B2 JP 2962021 B2 JP2962021 B2 JP 2962021B2 JP 4004447 A JP4004447 A JP 4004447A JP 444792 A JP444792 A JP 444792A JP 2962021 B2 JP2962021 B2 JP 2962021B2
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cutting
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speed
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    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
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    • B28D5/04Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
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    • B23DPLANING; SLOTTING; SHEARING; BROACHING; SAWING; FILING; SCRAPING; LIKE OPERATIONS FOR WORKING METAL BY REMOVING MATERIAL, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23D57/00Sawing machines or sawing devices not covered by one of the preceding groups B23D45/00 - B23D55/00
    • B23D57/003Sawing machines or sawing devices working with saw wires, characterised only by constructional features of particular parts
    • B23D57/0046Sawing machines or sawing devices working with saw wires, characterised only by constructional features of particular parts of devices for feeding, conveying or clamping work

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体インゴット等の
被加工物を切断してウエーハを形成するワイヤソー及び
その切断方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wire saw for forming a wafer by cutting a workpiece such as a semiconductor ingot and a method for cutting the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】ワイヤソーは、互いに平行な一定ピッチ
のワイヤ列に半導体インゴット等の被加工物を押し当
て、ワイヤをその線方向に送りながら、被加工物とワイ
ヤの間に砥粒を含む加工液を供給することにより、ラッ
ピング作用で被加工物を切断してウエーハを形成するも
のであり、一定の厚さのウエーハを多数枚同時に得るこ
とができる。一回の切断に要する時間は例えば、直径5
インチのシリコン半導体インゴットで6時間である。こ
の間、切断条件を一定に保つことにより、ウエーハの面
精度を高くする必要がある。
2. Description of the Related Art In a wire saw, a workpiece such as a semiconductor ingot is pressed against a row of wires at a constant pitch parallel to each other, and while the wire is fed in the line direction, an abrasive grain is contained between the workpiece and the wire. By supplying the liquid, the workpiece is cut by the lapping action to form a wafer, and a large number of wafers having a constant thickness can be obtained at the same time. The time required for one cut is, for example, 5 mm in diameter.
6 hours for an inch silicon semiconductor ingot. During this time, it is necessary to increase the surface accuracy of the wafer by keeping the cutting conditions constant.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、この切断条件
を一定に保つことは容易でなく、ウエーハ表面にうねり
が生じる。回路の微細化が進んでいる今日、ウエーハ表
面のうねりは、半導体装置の歩留まりを大きく低下させ
る。
However, it is not easy to keep the cutting conditions constant, and undulation occurs on the wafer surface. In today's finer circuit, undulations on the wafer surface greatly reduce the yield of semiconductor devices.

【0004】本発明の目的は、このような問題点に鑑
み、切断されて形成されたウエーハのうねりを低減する
ことができるワイヤソー及びその切断方法を提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to provide a wire saw capable of reducing the undulation of a cut and formed wafer and a method of cutting the same in view of the above problems.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段及びその作用】本発明に係
るワイヤソー及びその切断方法を、実施例図中の対応す
る構成要素の符号を引用して説明する。
The wire saw and the cutting method according to the present invention will be described with reference to the reference numerals of the corresponding components in the embodiment drawings.

【0006】このワイヤソー切断方法は、例えば図1及
び図4に示す如く、互いに平行なワイヤ12の列に被加
工物40を押し当て、ワイヤ12をその線方向に送りな
がら、被加工物40とワイヤ12との間に砥粒を含む加
工液を供給することにより、ラッピング作用で被加工物
40を切断して複数枚のウエーハを同時に形成するもの
であって、モータ54の回転により、ワイヤ12に対し
被加工物40を押し当てる方向へ被加工物40を直線移
動させ、その直線移動速度、すなわち切断速度を、例え
ば図2、図5又は図6に示す如く周期的に変化させて、
直線移動速度パターンが複数の凸形パターンを連ねた形
になるようにする。
In this wire saw cutting method, for example, as shown in FIGS. 1 and 4, a workpiece 40 is pressed against a row of wires 12 parallel to each other, and by supplying a working fluid containing abrasive grains between the wire 12, there forms a plurality of wafers simultaneously by cutting the workpiece 40 in the wrapping action, by the rotation of the motor 54, the wire 12 respect to linearly move the workpiece 40 in a direction of pressing the workpiece 40, the linear movement velocity, i.e. the cutting speed, for example 2, by periodically changing as shown in FIG. 5 or 6,
The linear movement speed pattern is a series of multiple convex patterns
To be in.

【0007】この方法を実施するためのワイヤソーは、
モータ54と、モータ54の回転により、ワイヤ12に
対し被加工物40を押し当てる方向へ被加工物40を直
線移動させる直線移動装置42〜52と、設定パターン
に基づ直線移動の速度を周期的に変化させて、該速度
のパターンが複数の凸形パターンを連ねた形になるよう
にする制御装置56及び58とを備えている。
[0007] A wire saw for carrying out this method comprises:
A motor 54, by the rotation of the motor 54, the linear movement device 42 to 52 for linearly moving a workpiece 40 in a direction of pressing the workpiece 40 with respect to the wire 12, the speed of the based-out linear movement of the setting pattern Periodically change the speed
Pattern is a series of multiple convex patterns
And a control unit 56 and 58 you on.

【0008】切断速度を従来のように一定にしても、切
断時間が例えば6時間と長いので、温度等の切断条件が
変化して、切断されたウエーハの表面にうねりが生ず
る。これに対し、上記本発明のように切断速度を例えば
1時間の周期で変化させると、図3(A)に示す如く、
切断されたウエーハ40aの表面Sには、この周期でう
ねりが生ずる。このうねりの振幅は、従来よりも小さ
い。これは、切断時間が1周期、例えば1時間のときに
できるうねりが複数回繰り返されると考えることができ
る。
[0008] Even if the cutting speed is kept constant as in the prior art, the cutting time is long, for example, 6 hours, so that cutting conditions such as temperature change and undulation occurs on the surface of the cut wafer. On the other hand, when the cutting speed is changed in a cycle of, for example, one hour as in the present invention, as shown in FIG.
An undulation is generated in this cycle on the cut surface S of the wafer 40a. The amplitude of this undulation is smaller than before. This can be considered that the swell generated when the cutting time is one cycle, for example, one hour, is repeated a plurality of times.

【0009】本発明の第1態様では、上記設定パターン
は、例えば図2又は図5に示す如く、同一の凸形基本パ
ターンの繰り返しである。
In the first aspect of the present invention, the set pattern is a repetition of the same convex basic pattern, for example, as shown in FIG. 2 or FIG.

【0010】この構成の場合、パターンの設定が容易と
なる。
In the case of this configuration, setting of the pattern is facilitated.

【0011】本発明の第2態様では、上記設定パターン
は、ワイヤ12と被加工物40との接触長さが長くなる
ほど上記直線移動の最大速度が遅くなるように凸形基本
パターンを修正したものである。
In the second aspect of the present invention, the setting pattern increases the contact length between the wire 12 and the workpiece 40.
As the maximum speed of the above-mentioned linear movement becomes slower,
It is a modified version of the pattern .

【0012】この構成の場合、切断抵抗のパターンが各
周期でほぼ同一になり、切断されたウエーハの表面に形
成されるうねりの振幅を各周期でほぼ同一にすることが
できるので、うねりをより小さくすることができる。
In this configuration, the pattern of the cutting resistance becomes substantially the same in each cycle, and the amplitude of the undulation formed on the surface of the cut wafer can be made substantially the same in each cycle. Can be smaller.

【0013】本発明の第3態様では、上記直線移動の速
度を周期的に変化させて、1つの上記被加工物の切断に
対し凸形の直線移動速度パターンを4〜8回繰り返す。
In a third aspect of the present invention, the speed of the linear movement is
By changing the degree periodically, one of the above workpieces can be cut
On the other hand, the convex linear movement speed pattern is repeated 4 to 8 times.

【0014】繰り返し回数が小さ過ぎると本案の効果も
小さくなり、繰り返し回数が大き過ぎると平均切断速度
が小さくなって切断に要する時間が長くなる。繰り返し
回数の好ましい範囲は、4〜8程度である。
If the number of repetitions is too small, the effect of the present invention is reduced, and if the number of repetitions is too large, the average cutting speed is reduced and the time required for cutting is lengthened. A preferred range of the number of repetitions is about 4 to 8.

【0015】[0015]

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0016】[第1実施例] 図は、ワイヤソーの概略構成を示す。First Embodiment FIG. 4 shows a schematic configuration of a wire saw.

【0017】互いに同一構成のローリング装置10A、
10B及び10Cは、軸を互いに平行にして配置され、
これらのローラ表面に一定ピッチで形成されたリング状
溝に、ワイヤ12が巻掛けられている。ローリング装置
10A、10B及び10Cは、不図示の機構で連動回転
される。
The rolling devices 10A having the same configuration as each other,
10B and 10C are arranged with their axes parallel to each other,
A wire 12 is wound around a ring-shaped groove formed at a constant pitch on the surface of these rollers. The rolling devices 10A, 10B, and 10C are interlocked and rotated by a mechanism (not shown).

【0018】ワイヤ12の始端側は、張力調節機構20
を介してワイヤ巻取りドラム22に巻掛けられている。
ワイヤ巻取りドラム22は、トルクモータ24で回転駆
動される。張力調節機構20とワイヤ巻取りドラム22
との間のワイヤ12の張力は、トルクモータ24に印加
する電圧により調節され、張力調節機構20とローリン
グ装置10Cとの間のワイヤ12の張力は、張力調節機
構20により一定に調節される。
The starting end of the wire 12 is connected to a tension adjusting mechanism 20.
Is wound around the wire take-up drum 22.
The wire winding drum 22 is driven to rotate by a torque motor 24. Tension adjusting mechanism 20 and wire winding drum 22
Is adjusted by the voltage applied to the torque motor 24, and the tension of the wire 12 between the tension adjusting mechanism 20 and the rolling device 10C is adjusted to be constant by the tension adjusting mechanism 20.

【0019】同様に、ワイヤ12の終端側は、張力調節
機構30を介してワイヤ巻取りドラム32に巻掛けられ
ている。ワイヤ巻取りドラム32は、トルクモータ34
で回転駆動される。ローリング装置10Cと張力調節機
構30の間のワイヤ12の張力は、張力調節機構30に
より一定に調節され、張力調節機構30とワイヤ巻取り
ドラム32との間のワイヤ12の張力は、トルクモータ
34に印加する電圧により調節される。
Similarly, the terminal end of the wire 12 is wound around a wire winding drum 32 via a tension adjusting mechanism 30. The wire winding drum 32 includes a torque motor 34.
Is driven to rotate. The tension of the wire 12 between the rolling device 10C and the tension adjusting mechanism 30 is adjusted to be constant by the tension adjusting mechanism 30, and the tension of the wire 12 between the tension adjusting mechanism 30 and the wire winding drum 32 is reduced by a torque motor 34. Is adjusted by the voltage applied to.

【0020】被加工物40は、例えば半導体インゴット
であり、そのオリエンテーションフラット面がワークホ
ルダ12に接着されている。ワークホルダ12は、図1
に示す装置で昇降駆動される。
The workpiece 40 is, for example, a semiconductor ingot, and its orientation flat surface is adhered to the work holder 12. The work holder 12 is shown in FIG.
Is driven up and down by the device shown in FIG.

【0021】ワークホルダ42の一端部には、ワークホ
ルダ42の上面に垂直に軸44Aの一端部が固着されて
いる。軸44Aは、軸方向を垂直にして固設されたガイ
ドシリンダ46Aに貫通して、上下方向に案内される。
同様に、ワークホルダ42の他端部には、ワークホルダ
42の上面に垂直に軸44Bの一端部が固着されてい
る。軸44Bは、軸方向を垂直にして固設されたガイド
シリンダ46Bに貫通して、上下方向に案内される。ワ
ークホルダ42の中央部には、ワークホルダ42の上面
に垂直に送りねじ48の一端部が固着されている。送り
ねじ48は、固定側に軸支されたギア50の螺孔に螺入
されている。ギア50は、減速器52を介してモータ5
4で回転駆動される。
At one end of the work holder 42, one end of a shaft 44A is fixed vertically to the upper surface of the work holder 42. The shaft 44A penetrates a fixedly mounted guide cylinder 46A with the axial direction being vertical, and is guided in the vertical direction.
Similarly, one end of a shaft 44 </ b> B is fixed to the other end of the work holder 42 perpendicular to the upper surface of the work holder 42. The shaft 44B penetrates a fixedly mounted guide cylinder 46B with the axial direction being vertical, and is guided in the vertical direction. At the center of the work holder 42, one end of a feed screw 48 is fixed perpendicular to the upper surface of the work holder 42. The feed screw 48 is screwed into a screw hole of a gear 50 that is supported on the fixed side. The gear 50 is connected to the motor 5 via a speed reducer 52.
4 is driven to rotate.

【0022】スピードコントローラ56は、プログラム
設定器58に設定された回転速度パターンに従ってモー
タ54の回転速度を制御する。
The speed controller 56 controls the rotation speed of the motor 54 according to the rotation speed pattern set in the program setting device 58.

【0023】次に、上記の如く構成されたワイヤソーの
動作を説明する。
Next, the operation of the wire saw configured as described above will be described.

【0024】被加工物40が下降され、被加工物40が
ワイヤ12に接触され、ワイヤ12がその線方向に走行
され、また、砥粒を含む加工液がワイヤ12に流し当て
られる。この状態で被加工物40を下降させると、ラッ
ピング作用により被加工物40が切断され、多数枚のウ
エーハが同時に形成される。
The workpiece 40 is lowered, the workpiece 40 is brought into contact with the wire 12, Wa tire 12 is traveling in the line direction, against which working fluid containing abrasive grains flow in the wire 12. When the workpiece 40 is lowered in this state, the workpiece 40 is cut by the lapping action, and a large number of wafers are simultaneously formed.

【0025】図2は、切断開始後の時間tに対する切断
速度、すなわち被加工物40の加工速度のパターンを示
す。プログラム設定器58には、このパターンに対応し
たモータ回転速度パターンが設定されている。この例で
は、切断速度は、1時間の周期で、0μm/minから
600μm/minまで上昇した後、この速度が一定時
間保持され、600μm/minから0μm/min
で下降する。このような基本パターンが、1つの被加工
物40の切断に対し6回繰り返される。
FIG. 2 shows a pattern of the cutting speed with respect to the time t after the start of cutting, that is, the processing speed of the workpiece 40. In the program setting unit 58, a motor rotation speed pattern corresponding to this pattern is set. In this example, the cutting speed is increased from 0 μm / min to 600 μm / min in a one-hour cycle, and then the speed is maintained for a certain period of time and decreases from 600 μm / min to 0 μm / min . Such a basic pattern is repeated six times for cutting one workpiece 40.

【0026】切断速度を従来のように一定にしても、切
断時間が長いので、温度等の切断条件が変化して、切断
されたウエーハの表面にうねりが生ずる。これに対し、
上記のように切断速度を1時間の周期で変化させると、
図3(A)に示す如く、切断されたウエーハ40aの表
面Sには、1時間の周期でうねりが生ずる。このうねり
の振幅は、従来よりも小さい。これは、切断時間が1時
間のときにできるうねりが6回繰り返されると考えるこ
とができる。
Even if the cutting speed is kept constant as in the prior art, the cutting time is long, so that cutting conditions such as temperature change, and the surface of the cut wafer undulates. In contrast,
When the cutting speed is changed in a cycle of one hour as described above,
As shown in FIG. 3A, undulations occur on the cut surface S of the wafer 40a in a cycle of one hour. The amplitude of this undulation is smaller than before. This can be considered that the swell generated when the cutting time is one hour is repeated six times.

【0027】次工程で遊離砥粒を用いてウエーハ40a
にラップ処理を施すと、定盤にウエーハ40aの表面S
の凸部が当たってこの部分が除去され、図3(B)に示
す如く、表面が平らなウエーハ40bが得られる。次
に、混酸液等のエッチング液中にウエーハ40bを所定
時間浸漬させると、ウエーハ40bの表面近傍の加工歪
層が除去される。
In the next step, the wafer 40a is formed using free abrasive grains.
When the lapping process is performed on the surface plate, the surface S of the wafer 40a is
3B, and this portion is removed, and as shown in FIG. 3B, a wafer 40b having a flat surface is obtained. Next, when the wafer 40b is immersed in an etching solution such as a mixed acid solution for a predetermined time, the work strain layer near the surface of the wafer 40b is removed.

【0028】従来法で切断されたウエーハと本実施例で
切断されたウエーハとに対し同一条件でラップ処理及び
エッチング処理を施した場合、最終的なうねりの大きさ
は、従来40〜60μmであったのが、20μm以下と
なった。ただし、うねりの大きさの定義は、ウエーハの
直径線の一端から他端までの表面高さ曲線を測定し、該
一端と該他端を結ぶ直線を基線とし、表面高さ曲線の基
線に対する凸側最大高さaと凹側最大高さb(a>0、
b>0)の和a+bとする。うねりの測定には、Perthe
n社のPertometer型式S6Pを用いた。
When the lapping process and the etching process are performed on the wafer cut by the conventional method and the wafer cut by the present embodiment under the same conditions, the final waviness is 40 to 60 μm. However, it became 20 μm or less. However, the size of the undulation is defined by measuring a surface height curve from one end to the other end of the diameter line of the wafer, using a straight line connecting the one end and the other end as a base line, and projecting the surface height curve from the base line. Side maximum height a and concave side maximum height b (a> 0,
b> 0) is assumed to be a + b. For measuring swell, use Perthe
A Pertometer model S6P from n companies was used.

【0029】図2では基本パターンが6回繰り返されて
いるが、繰り返し回数が小さ過ぎると本案の効果も小さ
くなり、繰り返し回数が大き過ぎると平均切断速度が小
さくなって切断に要する時間が長くなる。繰り返し回数
の好ましい範囲は、4〜8程度であることがわかった。
In FIG. 2, the basic pattern is repeated six times. If the number of repetitions is too small, the effect of the present invention is reduced, and if the number of repetitions is too large, the average cutting speed is reduced and the time required for cutting is increased. . It was found that the preferable range of the number of repetitions was about 4 to 8.

【0030】[第2実施例]図5は、第2実施例の、切
断開始後の時間tに対する切断速度のパターンを示す。
この例では、切断速度を200〜540μm/minの
範囲で周期的に変化させており、平均切断速度は第1実
施例よりも速くなっている。
[Second Embodiment] FIG. 5 shows a pattern of the cutting speed with respect to time t after the start of cutting in the second embodiment.
In this example, the cutting speed is changed periodically in the range of 200 to 540 μm / min, and the average cutting speed is higher than in the first embodiment.

【0031】他の点は、上記第1実施例と同一である。The other points are the same as in the first embodiment.

【0032】[第3実施例]図6は、第3実施例の、切
断開始後の時間tに対する切断速度のパターンを示す。
この例では、各周期での最大切断速度を、切断直径d
(ワイヤ12が被加工物40に同時に接触している長さ
d)が長くなるほど遅くすることにより、切断抵抗のパ
ターンを各周期でほぼ同一にしている。
[Third Embodiment] FIG. 6 shows a pattern of the cutting speed with respect to the time t after the start of cutting in the third embodiment.
In this example, the maximum cutting speed in each cycle is determined by the cutting diameter d.
As the length (the length d during which the wire 12 is simultaneously in contact with the workpiece 40) becomes longer, the cutting resistance pattern is made substantially the same in each cycle.

【0033】このようにすれば、ウエーハ40aの表面
Sに形成されるうねりの振幅を各周期でほぼ同一にする
ことができるので、上記第1及び第2実施例よりもうね
りを小さくすることができる。
By doing so, the amplitude of the undulation formed on the surface S of the wafer 40a can be made substantially the same in each cycle, so that the undulation can be made smaller than in the first and second embodiments. it can.

【0034】他の点は、上記第1実施例と同一である。The other points are the same as the first embodiment.

【0035】なお、f(t)=f(t+T)なる周期T
のパターンに、切断直径dが長くなるほど値が小さくな
る関数g(d)を乗じたパターンf(t)g(d)を、
モータ回転速度のパターンとしてプログラム設定器58
に設定してもよい。
Note that a period T where f (t) = f (t + T) is satisfied.
A pattern f (t) g (d) obtained by multiplying the above pattern by a function g (d) whose value decreases as the cutting diameter d increases,
The program setting unit 58 is used as a motor rotation speed pattern.
May be set.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明した如く、本発明に係るワイヤ
ソー及びその切断方法では、ワイヤに対し被加工物を押
し当てる方向へ被加工物を直線移動させる速度を、周期
的に変化させるので、切断されたウエーハの表面にはこ
の周期でうねりが形成され、うねりの振幅を従来よりも
低減することができるという効果を奏し、半導体装置の
歩留まり向上に寄与するところが大きい。
As described above, in the wire saw and the cutting method according to the present invention, the speed of linearly moving the workpiece in the direction in which the workpiece is pressed against the wire is periodically changed. The undulation is formed on the surface of the wafer thus formed at this cycle, which has an effect that the amplitude of the undulation can be reduced as compared with the conventional case, and greatly contributes to the improvement in the yield of the semiconductor device.

【0037】本発明の上記第1態様では、設定パターン
が同一基本パターンの繰り返しであるので、パターンの
設定が容易であるという効果を奏する。
In the first aspect of the present invention, since the set pattern is a repetition of the same basic pattern, there is an effect that the pattern can be easily set.

【0038】本発明の上記第2態様では、設定パターン
が、ワイヤと被加工物との接触長さが長くなるほど直線
移動の最大速度が遅くなるように凸形基本パターンを
正したものであるので、切断抵抗のパターンが各周期で
ほぼ同一になり、切断されたウエーハの表面に形成され
るうねりの振幅を各周期でほぼ同一にすることができ、
うねりをより小さくすることができるという効果を奏す
る。
In the second aspect of the present invention, the setting pattern is such that the longer the contact length between the wire and the workpiece is, the more the straight line becomes.
Since the convex basic pattern is modified so that the maximum speed of movement is reduced , the pattern of the cutting resistance becomes substantially the same in each cycle, and the undulation formed on the surface of the cut wafer. Can be made almost the same in each cycle,
This has the effect that the swell can be reduced.

【0039】本発明の上記第3態様では、上記繰り返し
回数が4〜8であるので、本案の効果が充分得られ、か
つ、平均切断速度が小さくなって切断に要する時間が長
くなり過ぎるのを避けることができるという効果を奏す
る。
In the third aspect of the present invention, since the number of repetitions is 4 to 8, the effects of the present invention are sufficiently obtained, and the average cutting speed is reduced and the time required for cutting becomes too long. This has the effect that it can be avoided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例のワイヤソーの被加工物昇降装
置構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of an apparatus for elevating and lowering a workpiece of a wire saw according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施例の、切断開始後の時間に対
する切断速度の変化を示す線図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a change in a cutting speed with respect to a time after the start of cutting according to the first embodiment of the present invention.

【図3】切断後及びラップ処理後のウエーハ表面形状を
示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a wafer surface shape after cutting and lapping.

【図4】本発明の実施例のワイヤソーの概略構成図であ
る。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a wire saw according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2実施例の、切断開始後の時間に対
する切断速度のパターンを示す線図である。
FIG. 5 is a diagram showing a pattern of a cutting speed with respect to a time after the start of cutting according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3実施例の、切断開始後の時間に対
する切断速度のパターンを示す線図である。
FIG. 6 is a diagram showing a pattern of a cutting speed with respect to a time after the start of cutting according to a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、10A、10B、10C ローリング装置 10 ワイヤ 20、30 張力調節機構 22、32 ワイヤ巻取りドラム 24、34 トルクモータ 40 被加工物 40a、40b ウエーハ 42 ワークホルダ 44A、44B 軸 46A、46B ガイドシリンダ 48 送りねじ 50 ギア 52 減速器 54 モータ 56 スピードコントローラ 58 プログラム設定器 10, 10A, 10B, 10C Rolling device 10 Wire 20, 30 Tension adjusting mechanism 22, 32 Wire winding drum 24, 34 Torque motor 40 Workpiece 40a, 40b Wafer 42 Work holder 44A, 44B Shaft 46A, 46B Guide cylinder 48 Feed screw 50 Gear 52 Reducer 54 Motor 56 Speed controller 58 Program setting device

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 互いに平行なワイヤ(12)の列に被加
工物(40)を押し当て、該ワイヤをその線方向に送り
ながら、該被加工物と該ワイヤとの間に砥粒を含む加工
液を供給することにより、ラッピング作用で該被加工物
を切断して複数枚のウエーハを同時に形成するワイヤソ
ー切断方法において、モータの回転により、 該ワイヤに対し該被加工物を押し
当てる方向へ被加工物を直線移動させ、その直線移動
速度を周期的に変化させて、直線移動速度パターンが複
数の凸形パターンを連ねた形になるようにすることを特
徴とするワイヤソー切断方法。
1. A workpiece (40) is pressed against a row of mutually parallel wires (12) and contains abrasive grains between the workpiece and the wire while feeding the wire in the direction of the wire. In a wire saw cutting method for cutting a workpiece by a lapping action to form a plurality of wafers at the same time by supplying a working fluid, the rotation of a motor causes the workpiece to be wound on the wire. by linearly moving the workpiece into the press against direction, by periodically changing the linear movement <br/> speed, the linear moving speed pattern double
A wire saw cutting method, characterized in that a number of convex patterns are connected .
【請求項2】 互いに平行なワイヤ(12)の列に被加
工物(40)を押し当て、該ワイヤをその線方向に送り
ながら、該被加工物と該ワイヤとの間に砥粒を含む加工
液を供給することにより、ラッピング作用で該被加工物
を切断して複数枚のウエーハを同時に形成するワイヤソ
ーにおいて、 モータ(54)と、 該モータの回転により、該ワイヤに対し該被加工物を押
し当てる方向へ該被加工物を直線移動させる直線移動装
置(42〜52)と、 設定パターンに基づ該直線移動の速度を周期的に変化
させて、該速度のパターンが複数の凸形パターンを連ね
た形になるようにする制御装置(56、58)と、 を有することを特徴とするワイヤソー。
2. A workpiece (40) is pressed against a row of mutually parallel wires (12) and contains abrasive grains between the workpiece and the wire while feeding the wire in its linear direction. In a wire source for cutting a workpiece by a lapping action to form a plurality of wafers at the same time by supplying a working fluid, a motor (54) and the rotation of the motor cause the wire to be connected to the wire. a linear movement device (42 to 52) for linearly moving the workpiece in a direction of pressing the against the workpiece, by periodically changing the speed of the based-out straight line moves to the setting pattern, the velocity The pattern is a series of multiple convex patterns
Wire saw, characterized in that it comprises a be that the control device so that the form and (56, 58), the.
【請求項3】 前記設定パターンは、同一の凸形基本パ
ターンの繰り返しであることを特徴とする請求項2記載
のワイヤソー。
3. The wire saw according to claim 2, wherein the setting pattern is a repetition of the same convex basic pattern.
【請求項4】 前記設定パターンは、前記ワイヤ(1
2)と前記被加工物(40)との接触長さが長くなるほ
ど前記直線移動の最大速度が遅くなるように凸形基本パ
ターンを修正したものであることを特徴とする請求項2
記載のワイヤソー。
4. The method according to claim 1, wherein the setting pattern includes the wire (1).
2) the longer the contact length between the workpiece (40) and
The convex basic pattern is designed to reduce the maximum speed of the linear movement.
3. The method according to claim 2, wherein the turn is modified.
The described wire saw.
【請求項5】 前記直線移動の速度を周期的に変化させ
て、1つの前記被加工物の切断に対し凸形の直線移動速
度パターンを4〜8回繰り返すことを特徴とする請求項
1記載の方法。
5. The method according to claim 5, wherein the speed of the linear movement is periodically changed.
, The convex linear movement speed for cutting one of the workpieces
The degree pattern is repeated 4 to 8 times.
The method of claim 1.
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