JP2979686B2 - トランスファー成形金型および半導体装置 - Google Patents
トランスファー成形金型および半導体装置Info
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
および半導体装置に関し、一層詳細には、樹脂押圧ポッ
ト部とキャビティブロックとの間に、半導体素子等を封
止するキャビティ部に樹脂を流すランナーを備えるトラ
ンスファー成形金型に係わる。
るトランスファー成形金型としては、図4及び図5に示
すものが一般的である。図4は実施例にも共通な一般的
な金型の断面図であり、図5は従来例であって図4のキ
ャビィティとランナーの一部分を拡大した鳥瞰図、図6
は半導体装置の鳥瞰図である。図において、上金型1と
下金型2とは、ポット11、キャビティを有するキャビ
ティブロック4a,4b、各キャビティブロックに樹脂
を供給するランナーブロック3a,3b等が組み合わさ
れており、タブレット状樹脂12を上金型より投入する
ことにより、キャビティ5に樹脂を封止充填する働きを
有している。
状樹脂12をプレヒートして一定温度まで樹脂を温め、
樹脂の粘度を低めて各キャビティに流れやすくしたもの
を、ポット11に挿入し、プランジャー本体10にて上
部より数トンの力にて樹脂を押圧し各部に押し出す。こ
の時ポット11とプランジャー本体10に付属したプラ
ンジャーリング10aには数ミクロンの隙間しかない
為、プランジャーリング10aを介して樹脂が上部に洩
れることはない。更にプランジャー本体10にて押し出
された樹脂はランナーブロック3a,3bに型彫りされ
たランナー6を進む。このランナー6は各キャビティブ
ロック4a,4bに均一に樹脂が流れるように工夫され
ており、その為ランナー6の形状は曲折して複雑となっ
ている。このランナー6に樹脂がポット11より押し出
されて通過し、ゲート7を介して各キャビティ5に注入
される。このキャビティ5は、ほぼ密封されているの
で、プランジャー本体10より押圧された圧力がキャビ
ティ5にほぼ同圧でかかり、樹脂中のボイドが押し縮め
られる。またキャビティ5には、注入口であるゲート7
と反対方向に空気にげの目的で設けられたエアーベント
8があり、更に樹脂中のボイドがキャビティ5より押し
出されることになる。
いて、タブレット状樹脂12とポット11の隙間13
や、タブレット状樹脂12とプランジャー本体10や、
下ランナーブロック3bとの隙間13にも空気がある。
また、タブレット状樹脂12も多量の空気を含んでいる
ものも多く、更に図5に示すように、樹脂が流れていく
ランナー6は型彫りされている為、当然に空気が充満し
ている。
が、ポット11より押し出されて、ランナー6を進んで
いくうちに、徐々に空気によるボイド状の樹脂が発生
し、巻き込まれた空気により、あたかも発泡状態と同等
となる。また特にこのランナー6は、各キャビティブロ
ック4a,4bに均一に、樹脂が流れるように工夫され
ているので、形状は曲折して複雑となっている。このこ
とにより、樹脂に巻き込まれたボイド状の空気15は一
段と発泡状態が進んで行き、ゲート7を通りキャビティ
5に注入される。前にも述べたように、キャビティ5は
密封されプランジャー本体10より押圧されているの
で、樹脂中のボイド状の空気15が押し縮められ、且つ
空気にげの為のエアーベント8で樹脂中のボイドが押し
出されるはずになっている。しかし、発泡状態であまり
にも空気が多いので、図6に示すように、押し縮められ
押し出されても尚且つ多量のボイド16がキャビティ5
の半導体装置18に残ることになり、半導体装置の品質
を著しく悪化している。
表面に発生するとあばた模様となり製品外観不良とな
る。更にボイドが一部に多量に集中発生して未充填17
となると製品外観不良どころではなく、半導体素子が露
出したり露出しないまでも樹脂による絶縁,耐水性等の
致命的な不良となる。この欠点は、樹脂の差により多少
の異なりはあるが、透明樹脂の場合、ボイド16に関し
ては顕著に、外観から内部も把握出来るので、よりいっ
そう製品が致命的な不良となる。
あり、その目的とするところは、発泡状態の樹脂が発生
することを、ランナー進行過程で最小限にとどめ、封止
樹脂のボイドや未充填の発生を防止することができるト
ランスファー成形金型を提供することにある。
の本発明による手段は、樹脂押圧ポット部とキャビティ
ブロックとの間にランナーブロックを配置し、このラン
ナーブロックの上金型と下金型のパーティング面に型彫
りしたランナーを備えるトランスファー成形金型におい
て、前記ランナーの曲折部分の前記パーティング面に樹
脂流れの上流を直線状に延長して外部に通じる微厚のエ
アーベントを設けるものである。
れの上流を直線状に延長して前記ランナーとほぼ同一断
面積の樹脂溜まりを形成し、この樹脂溜まりの前記パー
ティング面に外部に通じる微厚のエアーベントを設けた
り、また前記ランナーの直線部分の前記パーティング面
に外部に通じる微厚のエアーベントを設けたりする。な
おエアーベントは、ランナー幅とほぼ同等な幅で、樹脂
が流れ出ない厚さとし、約0.03mmがよい。そして発明4
は、前記トランスファー成形金型を用いて半導体素子を
樹脂封止するものである。
にて押圧すると、タブレット状樹脂や周囲に存在する空
気を巻き込み、溶融した樹脂の先端部が発泡状態となっ
てランナーを進んでいき、流れの段階では圧力がかから
ない為、発泡状態は低減しない。本発明の曲折部分に樹
脂溜まりがなくて直接エアーベントにつながるものや、
ランナーの直線部分にエアーベントを設けるものも、樹
脂中の空気のみを外部に押し出す。また、本発明のラン
ナーと同一断面積の樹脂溜まり部分は、曲折部分の樹脂
流れの上流を直線状に延長しているので、発泡状態の先
端樹脂が入り込みやすい。閉所の為ここで加圧され、そ
の部分に設置した微厚のエアーベントにより、樹脂中の
空気のみが外部に押し出され、低ボイドの樹脂がゲート
を介してキャビティに注入されることになる。
説明する。図1は本発明に係わる実施例1の鳥瞰図で、
下金型のみを簡略的に示したものであり、図2は実施例
2を示すランナーブロックの平面図、図3は図2の断面
図である。各図において、エアーベント9等は空間であ
り強調するため交差ハッチングで示す。いずれの実施例
も前述の図4の金型に適用され、金型の全体構造や成形
方法は従来の技術の項で説明したとおりであるので重複
説明を省略する。
を備えるランナーブロック3bは下金型2に固定されて
おり、キャビティ5を備えるキャビティブロック4bは
ランナーブロック3bとの位置合わせをし、下金型2に
固定されている。実施例1の特徴的な構造として、ポッ
ト(11)の直下のカル部11aに連なる前記ランナー
6の曲折部分の樹脂流れの上流を直線状に延長して前記
ランナー6とほぼ同一断面積の樹脂溜まり14を形成
し、この樹脂溜まり14のパーティング面に外部に通じ
る微厚のエアーベント9を設ける。エアーベント9は、
ランナー6の幅とほぼ同等な幅で、樹脂が流れ出ない厚
さとし、約0.03mmがよい。
脂溜まり14を備えるエアーベント9の他、樹脂溜まり
14を設けることなく直接にランナー6の曲折部分の前
記パーティング面に樹脂流れの上流を直線状に延長して
外部に通じる微厚のエアーベント9aを設けたり、ラン
ナー6の直線部分にも前記パーティング面に外部に通じ
る微厚のエアーベント9bを設けたりする。
ット状樹脂12をポット11とプランジャー10とによ
り押圧することにより、カル部11aからあたかも発泡
した溶融樹脂15は、矢印Fにそってランナー6の曲折
している部分へと進む。樹脂は各々に設置してある微厚
のエアーベント9、9a、9bから、樹脂中に含まれて
いる空気を流れの変換点や直線部で金型の外部に押し出
し、各キャビティに送られることになる。このように、
下金型もしくは上金型のランナーブロックのランナー曲
折部分又は直線部に、金型の外部に空気のみが抜けるよ
うにエアーベント9、9a、9bを各所に施したり、ラ
ンナー6と同一断面積の樹脂溜まり14の先端にエアー
ベント9を施している構造になっている。
ーの曲折部の樹脂溜まり及び微厚のエアーベントや曲折
部又は直線部に設置した微厚のエアーベントにより、あ
たかも発泡したかのような溶融樹脂中の空気を外部に押
し出すことができ、ランナーを通過した、低ボイドの樹
脂が各キャビティブロックへ送られることになる。この
ことにより、ランナーより各キャビティへは、低ボイド
の樹脂が注入されることになるので、半導体装置の製品
外観不良や、ボイドが一部に多量に集中発生した未充填
不良等が極めて減少し、トランスファー成形した半導体
装置の製品品質が極めて顕著に向上するという効果があ
る。
みを簡略的に示したもの
の一部分を拡大した鳥瞰図
Claims (4)
- 【請求項1】樹脂押圧ポット部とキャビティブロックと
の間にランナーブロックを配置し、このランナーブロッ
クの上金型と下金型のパーティング面に型彫りしたラン
ナーを備えるトランスファー成形金型において、前記ラ
ンナーの曲折部分の前記パーティング面に樹脂流れの上
流を直線状に延長して外部に通じる微厚のエアーベント
を設けることを特徴とするトランスファー成形金型。 - 【請求項2】請求項1記載のトランスファー成形金型に
おいて、前記ランナーの曲折部分の樹脂流れの上流を直
線状に延長して前記ランナーとほぼ同一断面積の樹脂溜
まりを形成し、この樹脂溜まりの前記パーティング面に
外部に通じる微厚のエアーベントを設けることを特徴と
するトランスファー成形金型。 - 【請求項3】請求項1又は2記載のトランスファー成形
金型において、前記ランナーの直線部分の前記パーティ
ング面に外部に通じる微厚のエアーベントを設けること
を特徴とするトランスファー成形金型。 - 【請求項4】請求項1、2又は3記載のトランスファー
成形金型を用いて半導体素子を樹脂封止することを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6061891A JP2979686B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | トランスファー成形金型および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6061891A JP2979686B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | トランスファー成形金型および半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04296518A JPH04296518A (ja) | 1992-10-20 |
| JP2979686B2 true JP2979686B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=13147451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6061891A Expired - Fee Related JP2979686B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | トランスファー成形金型および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2979686B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06244642A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | 変調器 |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP6061891A patent/JP2979686B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04296518A (ja) | 1992-10-20 |
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