JP2992909B2 - 記録媒体の製造方法 - Google Patents
記録媒体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録媒体の製造
方法に関する。更に詳しくは、走査型トンネル顕微鏡
（ＳＴＭ）を応用した情報処理装置において用いること
ができる記録媒体の製造方法に関するものである。
方法に関する。更に詳しくは、走査型トンネル顕微鏡
（ＳＴＭ）を応用した情報処理装置において用いること
ができる記録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年情報化社会の発展につれ、大容量メ
モリの開発が極めて活発に行われている。メモリに要求
される性能は、一般に、 １）高密度で記録容量が大きい ２）記録再生の応答速度が速い ３）消費電力が少ない ４）生産性が高く、価格が安い等が挙げられる。
モリの開発が極めて活発に行われている。メモリに要求
される性能は、一般に、 １）高密度で記録容量が大きい ２）記録再生の応答速度が速い ３）消費電力が少ない ４）生産性が高く、価格が安い等が挙げられる。
【０００３】一方、最近では走査型トンネル顕微鏡（Ｓ
ＴＭ）が開発され（Ｇ．Ｂｉｎｎｉｎｇ ｅｔ ａｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．４９、５７（１９８
２））、単結晶、非晶質を問わず実空間の高い分解能の
測定ができるようになった。
ＴＭ）が開発され（Ｇ．Ｂｉｎｎｉｎｇ ｅｔ ａｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．４９、５７（１９８
２））、単結晶、非晶質を問わず実空間の高い分解能の
測定ができるようになった。
【０００４】かかるＳＴＭは金属の探針（プローブ電
極）と導電性物質の間に電圧を加えて１０Å程度の距離
まで近付けるとトンネル電流が流れることを利用してい
る。この電流は両者の距離変化に非常に敏感であり、ト
ンネル電流を一定に保つように探針を走査することによ
り実空間の表面構造を描くことができると同時に、表面
原子の全電子雲に関する種々の情報をも読み取ることが
できる。この際の面内方向の分解能は１Å程度である。
極）と導電性物質の間に電圧を加えて１０Å程度の距離
まで近付けるとトンネル電流が流れることを利用してい
る。この電流は両者の距離変化に非常に敏感であり、ト
ンネル電流を一定に保つように探針を走査することによ
り実空間の表面構造を描くことができると同時に、表面
原子の全電子雲に関する種々の情報をも読み取ることが
できる。この際の面内方向の分解能は１Å程度である。
【０００５】したがって、ＳＴＭの原理を応用すれば充
分に原子オーダー（数Å）で高密度記録再生を行うこと
が可能である。この際の記録再生方法として、粒子線
（電子線、イオン線）あるいはＸ線等の高エネルギー電
磁波及び可視・紫外光等のエネルギー線を用いて適当な
記録層の表面状態を変化させて記録を行いＳＴＭで再生
する方法や、記録層として電圧電流のスイッチング特性
に対するメモリ効果を持つ材料、例えばπ電子系有機化
合物やカルコゲン化物類の薄膜層を用いて記録再生をＳ
ＴＭを用いて行う方法等が提案されている（特開昭６３
−１６１５５２，３号公報）。その他電圧パルスを印加
することで、基板上に分子を流体から捕捉し、選択的に
データビットを書き込み、またそれを読み取り、消去を
行う方法、装置の提案がある（特開平１−１９６７５１
号公報）。
分に原子オーダー（数Å）で高密度記録再生を行うこと
が可能である。この際の記録再生方法として、粒子線
（電子線、イオン線）あるいはＸ線等の高エネルギー電
磁波及び可視・紫外光等のエネルギー線を用いて適当な
記録層の表面状態を変化させて記録を行いＳＴＭで再生
する方法や、記録層として電圧電流のスイッチング特性
に対するメモリ効果を持つ材料、例えばπ電子系有機化
合物やカルコゲン化物類の薄膜層を用いて記録再生をＳ
ＴＭを用いて行う方法等が提案されている（特開昭６３
−１６１５５２，３号公報）。その他電圧パルスを印加
することで、基板上に分子を流体から捕捉し、選択的に
データビットを書き込み、またそれを読み取り、消去を
行う方法、装置の提案がある（特開平１−１９６７５１
号公報）。
【０００６】ところで、実際に装置としてメモリ媒体へ
の記録再生を行うためには、いわゆるトラッキングとい
う位置決め及びデータ列への追跡を行う必要がある。こ
の種の高密度メモリのトラックを有した電極基板の製造
方法として、 １）電極基板上にリソグラフィ技術を用いてトラックを
形成する ２）結晶の原子配列を応用する ３）記録媒体に導電体のトラックを埋め込む ４）母材上に凹又は凸部を形成し、かかる母材上に金属
層を堆積し、しかる後、該金属を剥離しその剥離面を電
極面とする等が提案されている。
の記録再生を行うためには、いわゆるトラッキングとい
う位置決め及びデータ列への追跡を行う必要がある。こ
の種の高密度メモリのトラックを有した電極基板の製造
方法として、 １）電極基板上にリソグラフィ技術を用いてトラックを
形成する ２）結晶の原子配列を応用する ３）記録媒体に導電体のトラックを埋め込む ４）母材上に凹又は凸部を形成し、かかる母材上に金属
層を堆積し、しかる後、該金属を剥離しその剥離面を電
極面とする等が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上の従来例に示され
た電極基板を用いた場合、記録密度の低下や製造工程の
煩雑化を招く場合があり、低価格で生産性の高い電極基
板さらには記録媒体を提供することが要求されている。
た電極基板を用いた場合、記録密度の低下や製造工程の
煩雑化を招く場合があり、低価格で生産性の高い電極基
板さらには記録媒体を提供することが要求されている。
【０００８】すなわち、本発明の目的とするところは、
上述のような従来技術における問題点を解消し得る記録
媒体の製造方法を提供することにある。
上述のような従来技術における問題点を解消し得る記録
媒体の製造方法を提供することにある。
【０００９】上記目的を達成するための本発明の構成
は、第１に、結晶基板の劈開面上または溶融ガラス基板
上に金属層を形成する工程と、凸状のトラックパターン
が形成された転写材の表面を前記金属層の表面に対向配
置し、転写材上から加圧した後、転写材を取り除くこと
によって、前記金属層表面に凹状のトラックパターンを
転写する工程と、凹状のトラックパターンが転写された
金属層上に記録層を形成する工程とから成る記録媒体の
製造方法、第２に、結晶基板の劈開面上または溶融ガラ
ス基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に基
板を貼り合わせる工程と、前記基板に貼り合わされた金
属層から結晶基板を剥離する工程と、凸状のトラックパ
ターンが形成された転写材の表面を前記金属層の結晶基
板が剥離された表面に対向配置し、転写材上から加圧し
た後、転写材を取り除くことによって、前記金属層表面
に凹状のトラックパターンを転写する工程と、凹状のト
ラックパターンが転写された金属層上に記録層を形成す
る工程とから成る記録媒体の製造方法、第３に、前記記
録層が、ラングミュアーブロジェット法によって形成さ
れる前記第１又は２のいずれかに記載の記録媒体の製造
方法、としている点にある。
は、第１に、結晶基板の劈開面上または溶融ガラス基板
上に金属層を形成する工程と、凸状のトラックパターン
が形成された転写材の表面を前記金属層の表面に対向配
置し、転写材上から加圧した後、転写材を取り除くこと
によって、前記金属層表面に凹状のトラックパターンを
転写する工程と、凹状のトラックパターンが転写された
金属層上に記録層を形成する工程とから成る記録媒体の
製造方法、第２に、結晶基板の劈開面上または溶融ガラ
ス基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に基
板を貼り合わせる工程と、前記基板に貼り合わされた金
属層から結晶基板を剥離する工程と、凸状のトラックパ
ターンが形成された転写材の表面を前記金属層の結晶基
板が剥離された表面に対向配置し、転写材上から加圧し
た後、転写材を取り除くことによって、前記金属層表面
に凹状のトラックパターンを転写する工程と、凹状のト
ラックパターンが転写された金属層上に記録層を形成す
る工程とから成る記録媒体の製造方法、第３に、前記記
録層が、ラングミュアーブロジェット法によって形成さ
れる前記第１又は２のいずれかに記載の記録媒体の製造
方法、としている点にある。
【００１０】以下に、本発明の詳細について説明する。
【００１１】図１は、本発明に係るトラックを有する電
極基板の各製造工程における断面図を示したものであ
る。１０１は基板、１０２は電極層、１０３は転写材、
１０４はトラックパターン、１０４’は転写されたトラ
ックパターンである。図１においてまず、基板１０１上
に電極層１０２を有する電極基板を用意する。この電極
基板は基板上に直接電極層を形成したものでもよいが、
母材から電極層を剥離した剥離面を用いることも可能で
ある。
極基板の各製造工程における断面図を示したものであ
る。１０１は基板、１０２は電極層、１０３は転写材、
１０４はトラックパターン、１０４’は転写されたトラ
ックパターンである。図１においてまず、基板１０１上
に電極層１０２を有する電極基板を用意する。この電極
基板は基板上に直接電極層を形成したものでもよいが、
母材から電極層を剥離した剥離面を用いることも可能で
ある。
【００１２】また、ＳＴＭの特徴を生かした高速、高密
度記録を行うには、高いＳ／Ｎ比、高速記録再生を実現
できる電極基板が必要である。そこで、基板１０１はそ
の表面が平滑であることが好ましく、例えば １）結晶の劈開面…マイカ、ＭｇＯ、ＴｉＣ、Ｓｉ、グ
ラファイト等 ２）溶融したガラス面…フロートガラス、コーニング＃
７０５９、溶融石英等が挙げられる。
度記録を行うには、高いＳ／Ｎ比、高速記録再生を実現
できる電極基板が必要である。そこで、基板１０１はそ
の表面が平滑であることが好ましく、例えば １）結晶の劈開面…マイカ、ＭｇＯ、ＴｉＣ、Ｓｉ、グ
ラファイト等 ２）溶融したガラス面…フロートガラス、コーニング＃
７０５９、溶融石英等が挙げられる。
【００１３】これらの各種材料の表面は、原子間力顕微
鏡（ＡＦＭ）を用いて観察することができる。かかるＡ
ＦＭは試料の導電性、絶縁性を問わず原子オーダーの分
解能で試料の表面形状を計測することが可能である。本
発明者らはＡＦＭを用いて上記各種材料の表面形状を観
察したところ、１０μｍ□の領域において表面凹凸は１
ｎｍ以下の平滑性を有し、本発明に用いる基板として好
適であることがわかった。
鏡（ＡＦＭ）を用いて観察することができる。かかるＡ
ＦＭは試料の導電性、絶縁性を問わず原子オーダーの分
解能で試料の表面形状を計測することが可能である。本
発明者らはＡＦＭを用いて上記各種材料の表面形状を観
察したところ、１０μｍ□の領域において表面凹凸は１
ｎｍ以下の平滑性を有し、本発明に用いる基板として好
適であることがわかった。
【００１４】ここで、電極層１０２としては高導電性を
有するものが好ましい。例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐ
ｄなどの金属及びＡｕ−Ｐｄ、Ｐｔ−Ｐｄなどの合金更
にはそれらの積層膜が挙げられる。このような材料を用
いた電極形成方法としても、従来公知の薄膜形成方法で
充分である。
有するものが好ましい。例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐ
ｄなどの金属及びＡｕ−Ｐｄ、Ｐｔ−Ｐｄなどの合金更
にはそれらの積層膜が挙げられる。このような材料を用
いた電極形成方法としても、従来公知の薄膜形成方法で
充分である。
【００１５】また、電極基板として剥離基板を用いる場
合、上記の基板を母材としてかかる母材上に電極層を形
成した後、これを別途用意した剥離基板上に写し取るこ
とによって形成できる。この場合、剥離基板は平滑性を
有していればよく、母材と同じ材料でも違っていてもよ
い。剥離方法も接着剤を用いて引き剥すほか、共晶結
合、電鋳等を用いることができる。かかる接着剤として
は、無溶剤型の体積収縮のないものが好ましく例えば、
エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等が挙げられる。
合、上記の基板を母材としてかかる母材上に電極層を形
成した後、これを別途用意した剥離基板上に写し取るこ
とによって形成できる。この場合、剥離基板は平滑性を
有していればよく、母材と同じ材料でも違っていてもよ
い。剥離方法も接着剤を用いて引き剥すほか、共晶結
合、電鋳等を用いることができる。かかる接着剤として
は、無溶剤型の体積収縮のないものが好ましく例えば、
エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等が挙げられる。
【００１６】一方、トラックパターンを有する転写材は
所望のトラックパターンを形成できればよく、本発明に
おいて何等制限するものはない。また、トラックパター
ンの形成方法としても従来公知のリソグラフィ技術を用
いることが可能であり、その形状についても何等制限は
ない。
所望のトラックパターンを形成できればよく、本発明に
おいて何等制限するものはない。また、トラックパター
ンの形成方法としても従来公知のリソグラフィ技術を用
いることが可能であり、その形状についても何等制限は
ない。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
尚、実施例１乃至４は、本発明の記録媒体の製造工程
中、特に電極基板の製造に関する実施例である。
尚、実施例１乃至４は、本発明の記録媒体の製造工程
中、特に電極基板の製造に関する実施例である。
【００１８】（実施例１）図２に示すように、コーニン
グ＃７０５９ガラス基板を洗浄し、基板１０１とする
（図２（ａ））。続いて、かかる基板１０１上に真空蒸
着法によりＡｕを成膜し、電極層１０２を形成する（図
２（ｂ））。該電極層１０２は基板温度４００℃にて、
蒸着速度１０Å／ｓｅｃ、到達圧力２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、膜圧２０００Åの条件で形成した。
グ＃７０５９ガラス基板を洗浄し、基板１０１とする
（図２（ａ））。続いて、かかる基板１０１上に真空蒸
着法によりＡｕを成膜し、電極層１０２を形成する（図
２（ｂ））。該電極層１０２は基板温度４００℃にて、
蒸着速度１０Å／ｓｅｃ、到達圧力２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、膜圧２０００Åの条件で形成した。
【００１９】一方、転写材１０３としてＳｉＯ2 が１μ
ｍ形成されているＳｉ基板を用いた（図２（ｃ））。か
かる転写材を洗浄した後、ＥＢレジスト（商標名ＯＥＢ
Ｒ−１０００ 東京応化製）を塗布し、露光、現像をへ
て、所望のトラックパターン１０４を形成した（図２
（ｄ））ＥＢ描画条件は加速電圧２０ｋＶ、ドーズ量５
０μＣ／ｃｍ2 であった。
ｍ形成されているＳｉ基板を用いた（図２（ｃ））。か
かる転写材を洗浄した後、ＥＢレジスト（商標名ＯＥＢ
Ｒ−１０００ 東京応化製）を塗布し、露光、現像をへ
て、所望のトラックパターン１０４を形成した（図２
（ｄ））ＥＢ描画条件は加速電圧２０ｋＶ、ドーズ量５
０μＣ／ｃｍ2 であった。
【００２０】続いて、かかるレジストパターンをマスク
として、ＳｉＯ2のエッチングを行った。エッチング深
さは１０００Å、エッチングガスにＣＦ4 を用いて圧力
５Ｐａ、放電電力１５０Ｗの条件であった。その後、メ
チルエチルケトンを使ってレジストを剥離し、凸状のト
ラックパターン１０４を形成した。
として、ＳｉＯ2のエッチングを行った。エッチング深
さは１０００Å、エッチングガスにＣＦ4 を用いて圧力
５Ｐａ、放電電力１５０Ｗの条件であった。その後、メ
チルエチルケトンを使ってレジストを剥離し、凸状のト
ラックパターン１０４を形成した。
【００２１】次に、電極基板上に転写材１０３を対向配
置し（図２（ｅ））、転写材上から５Ｋｇ／ｃｍ2 の圧
力を加えた後、転写材を取り除いた（図２（ｆ））。
置し（図２（ｅ））、転写材上から５Ｋｇ／ｃｍ2 の圧
力を加えた後、転写材を取り除いた（図２（ｆ））。
【００２２】上述した方法により作成した電極基板の表
面をＳＴＭで観察したところ、１０μｍ□において凹状
のトラックパターン１０４’が形成されており、トラッ
クが明確に判別できた。
面をＳＴＭで観察したところ、１０μｍ□において凹状
のトラックパターン１０４’が形成されており、トラッ
クが明確に判別できた。
【００２３】（実施例２）まず、大気中でマイカを劈開
し、基板１０１とする。続いて、実施例１と同様の条件
でＡｕを成膜し、電極層１０２とした。また、実施例１
で形成した転写材１０３を用いて、実施例１と同様にト
ラックパターンの転写を行った。
し、基板１０１とする。続いて、実施例１と同様の条件
でＡｕを成膜し、電極層１０２とした。また、実施例１
で形成した転写材１０３を用いて、実施例１と同様にト
ラックパターンの転写を行った。
【００２４】上述した方法により作成した電極基板の表
面をＳＴＭで観察したところ、１０μｍ□において凹状
のトラックパターンが形成されており、トラックが明確
に判別できた。更に、転写材が繰り返し使用可能である
ことがわかった。
面をＳＴＭで観察したところ、１０μｍ□において凹状
のトラックパターンが形成されており、トラックが明確
に判別できた。更に、転写材が繰り返し使用可能である
ことがわかった。
【００２５】（実施例３）図３に示すように、大気中で
マイカを劈開し、かかるマイカ１０１上に電極層１０２
としてＡｕをエピタキシャル成長させた。この時の蒸着
条件は実施例１と同様である。続いて、接着材１０５
（商標名ハイスーパー５ セメダイン製）を塗布した
後、接着剤１０５の上に剥離基板１０６を張り付ける。
接着は、３Ｋｇ／ｃｍ2 、室温、硬化時間２４時間で行
った。続いて、基板１０１を電極層１０２から引き剥し
基板１０５、電極層１０２、接着剤１０５からなる電極
基板を得た。
マイカを劈開し、かかるマイカ１０１上に電極層１０２
としてＡｕをエピタキシャル成長させた。この時の蒸着
条件は実施例１と同様である。続いて、接着材１０５
（商標名ハイスーパー５ セメダイン製）を塗布した
後、接着剤１０５の上に剥離基板１０６を張り付ける。
接着は、３Ｋｇ／ｃｍ2 、室温、硬化時間２４時間で行
った。続いて、基板１０１を電極層１０２から引き剥し
基板１０５、電極層１０２、接着剤１０５からなる電極
基板を得た。
【００２６】次に、実施例１で形成した転写材を用い
て、実施例１と同様にトラックパターンの転写を行っ
た。
て、実施例１と同様にトラックパターンの転写を行っ
た。
【００２７】上述した方法により作成した電極基板の表
面をＳＴＭで観察したところ、１０μｍ□において凹状
のトラックパターンが形成されており、トラックが明確
に判別できた。更に、転写材が繰り返し使用可能である
ことがわかった。
面をＳＴＭで観察したところ、１０μｍ□において凹状
のトラックパターンが形成されており、トラックが明確
に判別できた。更に、転写材が繰り返し使用可能である
ことがわかった。
【００２８】（実施例４）洗浄した溶融石英基板上に、
実施例１と同様にしてＡｕを成膜した。次に、実施例１
で形成した転写材を上記電極基板に対向配置し、転写材
上から５Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を加えた。この時、電極基
板温度を６００℃、加圧及び加熱時間を１分とした。そ
の後、基板温度を室温に戻し、転写材を取り除いた。
実施例１と同様にしてＡｕを成膜した。次に、実施例１
で形成した転写材を上記電極基板に対向配置し、転写材
上から５Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を加えた。この時、電極基
板温度を６００℃、加圧及び加熱時間を１分とした。そ
の後、基板温度を室温に戻し、転写材を取り除いた。
【００２９】上述した方法により作成した電極基板の表
面をＳＴＭで観察したところ、１０μｍ□において凹状
のトラックパターンが形成されており、トラックが明確
に判別できた。更に、転写材が繰り返し使用可能である
ことがわかった。
面をＳＴＭで観察したところ、１０μｍ□において凹状
のトラックパターンが形成されており、トラックが明確
に判別できた。更に、転写材が繰り返し使用可能である
ことがわかった。
【００３０】（実施例５）実施例１と同様にして電極基
板を形成した（図４（ａ）〜（ｆ））。次に、図４
（ｇ）に示すように、かかる電極基板上に４層のポリイ
ミドラングミュアーブロジェット膜（ＬＢ膜）を成膜
し、記録層１０７とした。以下、ポリイミドＬＢ膜のラ
ングミュアーブロジェット法による形成を述べる。
板を形成した（図４（ａ）〜（ｆ））。次に、図４
（ｇ）に示すように、かかる電極基板上に４層のポリイ
ミドラングミュアーブロジェット膜（ＬＢ膜）を成膜
し、記録層１０７とした。以下、ポリイミドＬＢ膜のラ
ングミュアーブロジェット法による形成を述べる。
【００３１】まず、ポリアミド酸をＮ，Ｎ’−ジメチル
アセトアミドに溶解させ（単量体換算濃度１×１０
-3Ｍ）、別途用意したＮ、Ｎ’−ジメチルオクタデシル
アミンの同溶媒による１×１０-3Ｍ溶液とを１：２（Ｖ
／Ｖ）に混合して、ポリアミド酸オクタデシルアミン塩
溶液を調整した。
アセトアミドに溶解させ（単量体換算濃度１×１０
-3Ｍ）、別途用意したＮ、Ｎ’−ジメチルオクタデシル
アミンの同溶媒による１×１０-3Ｍ溶液とを１：２（Ｖ
／Ｖ）に混合して、ポリアミド酸オクタデシルアミン塩
溶液を調整した。
【００３２】かかる溶液を水温２０℃の純水からなる水
相上に展開し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒蒸発
除去後、表面圧を２５ｍＮ／ｍにまで高めた。表面圧を
一定に保ちながら、上述電極基板を水面を横切る方向に
速度５ｍｍ／ｍｉｎで静かに浸漬した後、続いて５ｍｍ
／ｍｉｎで静かに引き上げて２層のＹ型単分子累積膜を
作成した。かかる操作を繰り返して、４層のポリアミド
酸オクタデシルアミン塩の単分子累積膜を形成した。こ
の基板を減圧下、３００℃で１０分間加熱焼成してポリ
アミド酸オクタデシルアミン塩をイミド化し、４層のポ
リイミド単分子膜を得た。
相上に展開し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒蒸発
除去後、表面圧を２５ｍＮ／ｍにまで高めた。表面圧を
一定に保ちながら、上述電極基板を水面を横切る方向に
速度５ｍｍ／ｍｉｎで静かに浸漬した後、続いて５ｍｍ
／ｍｉｎで静かに引き上げて２層のＹ型単分子累積膜を
作成した。かかる操作を繰り返して、４層のポリアミド
酸オクタデシルアミン塩の単分子累積膜を形成した。こ
の基板を減圧下、３００℃で１０分間加熱焼成してポリ
アミド酸オクタデシルアミン塩をイミド化し、４層のポ
リイミド単分子膜を得た。
【００３３】次に、上述した方法により作成した記録媒
体を用いて、図５に示す情報処理装置により表面形状を
調べたところ、記録媒体表面が電極の平滑面を反映して
おり、１０μｍ□において表面凹凸は１ｎｍ以下であっ
た。
体を用いて、図５に示す情報処理装置により表面形状を
調べたところ、記録媒体表面が電極の平滑面を反映して
おり、１０μｍ□において表面凹凸は１ｎｍ以下であっ
た。
【００３４】次に、図５に示す装置を用いて、情報の記
録再生の実験を行った。
録再生の実験を行った。
【００３５】プローブ電極２０２として白金−ロジウム
製のプローブ電極を用いた。このプローブ電極は、記録
層１０７の表面との距離Ｚを制御するものによって、電
流を一定に保つように圧電素子によりその距離Ｚが微動
制御されている。更に、リニアアクチュエータ２０４、
２０５、２０６は距離Ｚを一定に保ったまま、面内
（Ｘ、Ｙ）方向にも微動制御できるように設計されてい
る。また、プローブ電極は直接、記録、再生、消去を行
うことができる。
製のプローブ電極を用いた。このプローブ電極は、記録
層１０７の表面との距離Ｚを制御するものによって、電
流を一定に保つように圧電素子によりその距離Ｚが微動
制御されている。更に、リニアアクチュエータ２０４、
２０５、２０６は距離Ｚを一定に保ったまま、面内
（Ｘ、Ｙ）方向にも微動制御できるように設計されてい
る。また、プローブ電極は直接、記録、再生、消去を行
うことができる。
【００３６】一方、記録媒体は、高精度のＸＹステージ
２０１上におかれ、任意の位置に移動させることができ
る。かかるＸＹステージ上に、前述した記録媒体を置
き、プローブ電極と記録媒体の電極層１０２との間に＋
１．５Ｖの電圧を印加し、電流をモニターしながら、プ
ローブ電極２０２と記録層１０７表面との距離Ｚを制御
するためのプローブ電流Ｉp を１０-10 Ａ≧Ｉp ≧１０
-11 Ａになるように設定した。
２０１上におかれ、任意の位置に移動させることができ
る。かかるＸＹステージ上に、前述した記録媒体を置
き、プローブ電極と記録媒体の電極層１０２との間に＋
１．５Ｖの電圧を印加し、電流をモニターしながら、プ
ローブ電極２０２と記録層１０７表面との距離Ｚを制御
するためのプローブ電流Ｉp を１０-10 Ａ≧Ｉp ≧１０
-11 Ａになるように設定した。
【００３７】次に、プローブ電極２０２を記録層１０７
上で走査させながら、１００Åピッチで情報の記録を行
った。
上で走査させながら、１００Åピッチで情報の記録を行
った。
【００３８】かかる情報の記録は、プローブ電極２０２
を＋側、電極層１０２を−側にして、電圧−電流のスイ
ッチング特性に対しメモリ性を有する記録層（ポリイミ
ドＬＢ膜４層）が低抵抗状態（ＯＮ状態）に変化する図
６に示す三角波パルス電圧を加えた。
を＋側、電極層１０２を−側にして、電圧−電流のスイ
ッチング特性に対しメモリ性を有する記録層（ポリイミ
ドＬＢ膜４層）が低抵抗状態（ＯＮ状態）に変化する図
６に示す三角波パルス電圧を加えた。
【００３９】その後、プローブ電極を記録開始点に戻
し、再び、記録層１０７上を走査させた。この時、記録
の読みだし時においては、Ｚ＝一定になる様に調整し
た。その結果、データビットにおいては１０ｎＡ程度の
プローブ電流が流れ、ＯＮ状態となっていることが示さ
れた。
し、再び、記録層１０７上を走査させた。この時、記録
の読みだし時においては、Ｚ＝一定になる様に調整し
た。その結果、データビットにおいては１０ｎＡ程度の
プローブ電流が流れ、ＯＮ状態となっていることが示さ
れた。
【００４０】また、プローブ電圧を電気メモリー材料が
ＯＮ状態から、ＯＦＦ状態に変化する図７に示すパルス
電圧を印加した後、再び、記録位置をトレースした結
果、すべての記録状態が消去され、ＯＦＦ状態に遷移し
たことも確認した。
ＯＮ状態から、ＯＦＦ状態に変化する図７に示すパルス
電圧を印加した後、再び、記録位置をトレースした結
果、すべての記録状態が消去され、ＯＦＦ状態に遷移し
たことも確認した。
【００４１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、母
材の平滑性を反映して極めて平滑な電極面にトラックパ
ターンを転写することによりトラックを有する電極基板
を製造するので、 ．トラックを有する平滑な電極基板を大量生産するこ
とが容易になり、生産価格を引き下げることが可能にな
った。 ．転写材を繰り返し使用することが可能になったの
で、価格を引き下げることが可能になった。 ．トラックパターンの形成を転写材上で行うので、母
材の平滑性を損なうことなくトラックパターンを形成す
ることが可能になった。これにより、トラック以外の領域は母材の平滑性を反映
して極めて平滑であり、走査型トンネル顕微鏡の原理を
応用した情報処理装置に好適に用いることのできる記録
媒体を簡単に製造することができる。
材の平滑性を反映して極めて平滑な電極面にトラックパ
ターンを転写することによりトラックを有する電極基板
を製造するので、 ．トラックを有する平滑な電極基板を大量生産するこ
とが容易になり、生産価格を引き下げることが可能にな
った。 ．転写材を繰り返し使用することが可能になったの
で、価格を引き下げることが可能になった。 ．トラックパターンの形成を転写材上で行うので、母
材の平滑性を損なうことなくトラックパターンを形成す
ることが可能になった。これにより、トラック以外の領域は母材の平滑性を反映
して極めて平滑であり、走査型トンネル顕微鏡の原理を
応用した情報処理装置に好適に用いることのできる記録
媒体を簡単に製造することができる。
【図１】本発明に係る電極基板製造方法の工程図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例における製造工程図である。
【図３】本発明の実施例における製造工程図である。
【図４】本発明の実施例における製造工程図である。
【図５】ＳＴＭを応用した情報処理装置の構成図であ
る。
る。
【図６】本発明の製造方法により形成された記録媒体の
記録層を、高抵抗状態から低抵抗状態へ遷移させるのに
必要な電気パルスの波形を示す図である。
記録層を、高抵抗状態から低抵抗状態へ遷移させるのに
必要な電気パルスの波形を示す図である。
【図７】本発明の製造方法により形成された記録媒体の
記録層上の低抵抗状態部位を、再び高抵抗状態へ戻すの
に必要な電気パルスの波形を示す図である。
記録層上の低抵抗状態部位を、再び高抵抗状態へ戻すの
に必要な電気パルスの波形を示す図である。
１０１ 基板 １０２ 電極層 １０３ 転写材 １０４，１０４’ トラックパターン １０５ 接着剤 １０６ 剥離基板 １０７ 記録層 ２０１ ＸＹステージ ２０２ プローブ電極 ２０３ プローブ電極の支持体 ２０４ プローブ電極をＺ方向に駆動するＺ軸リニアア
クチュエータ ２０５ ＸＹステージをＸ方向に駆動するリニアアクチ
ュエータ ２０６ ＸＹステージをＹ方向に駆動するリニアアクチ
ュエータ ３０１ 増幅器 ３０２ 対数圧縮器 ３０３ 低域通過フィルタ ３０４ 誤差増幅器 ３０５ ドライバー ３０６ 駆動回路 ３０７ 高域通過フィルタ
クチュエータ ２０５ ＸＹステージをＸ方向に駆動するリニアアクチ
ュエータ ２０６ ＸＹステージをＹ方向に駆動するリニアアクチ
ュエータ ３０１ 増幅器 ３０２ 対数圧縮器 ３０３ 低域通過フィルタ ３０４ 誤差増幅器 ３０５ ドライバー ３０６ 駆動回路 ３０７ 高域通過フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳沢 芳浩 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 河田 春紀 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−156749（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−157327（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−56749（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−1951（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 9/00
Claims (3)
- 【請求項１】 結晶基板の劈開面上または溶融ガラス基
板上に金属層を形成する工程と、凸状のトラックパター
ンが形成された転写材の表面を前記金属層の表面に対向
配置し、転写材上から加圧した後、転写材を取り除くこ
とによって、前記金属層表面に凹状のトラックパターン
を転写する工程と、凹状のトラックパターンが転写され
た金属層上に記録層を形成する工程とから成ることを特
徴とする記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 結晶基板の劈開面上または溶融ガラス基
板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に基板を
貼り合わせる工程と、前記基板に貼り合わされた金属層
から結晶基板を剥離する工程と、凸状のトラックパター
ンが形成された転写材の表面を前記金属層の結晶基板が
剥離された表面に対向配置し、転写材上から加圧した
後、転写材を取り除くことによって、前記金属層表面に
凹状のトラックパターンを転写する工程と、凹状のトラ
ックパターンが転写された金属層上に記録層を形成する
工程とから成ることを特徴とする記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 前記記録層が、ラングミュアーブロジェ
ット法によって形成されることを特徴とする請求項１又
は２のいずれかに記載の記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3202253A JP2992909B2 (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3202253A JP2992909B2 (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528546A JPH0528546A (ja) | 1993-02-05 |
| JP2992909B2 true JP2992909B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=16454488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3202253A Expired - Fee Related JP2992909B2 (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2992909B2 (ja) |
-
1991
- 1991-07-18 JP JP3202253A patent/JP2992909B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0528546A (ja) | 1993-02-05 |
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