JP3013752B2 - スルホンアミド誘導体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はエンドセリン拮抗作用を
有する新規スルホンアミド誘導体に関する。

【０００２】

【従来の技術】エンドセリンは２１個のアミノ酸から成
るポリペプチドであり、ヒト、ブタ等の内皮細胞より産
生され、強力な血管収縮作用、気管支収縮作用及び細胞
増殖作用を有することが知られている。またエンドセリ
ンは、臨床上本態性高血圧患者、急性心筋梗塞患者、肺
性高血圧患者、レイノー病患者、糖尿病患者、アテロー
ム性動脈硬化症患者の血中及び喘息患者の血中或いは気
道洗浄液中において正常人に比べ明らかに増加している
ことが報告されている。このように、エンドセリンは直
接的又は間接的に血管性及び非血管性の平滑筋を持続的
に収縮させる内在性の生理活性物質であり、その過剰生
産や過剰分泌は高血圧症、肺性高血圧症、腎性高血圧
症、レイノー病、気管支喘息、胃潰瘍、炎症性腸疾患
（クローン病）、ショック、発癌、血管形成術後の再狭
窄、臓器移植後の臓器機能不全、糖尿病、血栓症、動脈
硬化症、心不全、急性腎不全、糸球体腎炎、サイクロス
ポリン誘発腎毒性、心筋梗塞、狭心症、不整脈、緑内
症、片頭痛、脳血管攣縮、脳梗塞等の病因のひとつであ
ると考えられている。よってエンドセリンに強く拮抗す
る物質は上記種々の病態の治療に有用であると考えられ
ている。

【０００３】一方、特開平５−１５５８６４号、特開平
５−２２２００３号、特開平６−２１１８１０号及び特
開平７−１７９７２号には、エンドセリン拮抗作用を有
するベンゼンスルホンアミド誘導体として、Ｎ−｛〔５
−置換フェニル（もしくは置換フェノキシ）〕−６−ヒ
ドロキシアルコキシピリミジン−４−イル｝−置換ベン
ゼンスルホンアミド等が記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、優れたエン
ドセリン拮抗作用を有する新規スルホンアミド誘導体を
提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は一般式〔Ｉ〕

【０００６】

【化２】

【０００７】（但し、環Ａは置換もしくは非置換の単環
式又は二〜三環式炭化水素基或いは置換もしくは非置換
複素環式基を表し、環Ｂは、（１）環Ａが置換もしくは
非置換単環式炭化水素基の場合、置換もしくは非置換二
〜三環式炭化水素基又は置換もしくは非置換複素環式基
であり、（２）環Ａが置換もしくは非置換二〜三環式炭
化水素基又は置換もしくは非置換複素環式基の場合、置
換もしくは非置換の単環式又は二〜三環式炭化水素基或
いは置換もしくは非置換複素環式基であることを表し、
Ｑは単結合手又は式−Ｏ−、−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ
₂ −もしくは−ＣＨ₂ −で示される基、Ｙは式−Ｏ−、
−Ｓ−又は−ＮＨ−で示される基、Ａｌｋは低級アルキ
レン基又は低級アルケニレン基、Ｚは式−Ｏ−又は−Ｎ
Ｈ−で示される基、Ｒは置換もしくは非置換の芳香族複
素環式基もしくはアリール基、Ｒ¹は水素原子、トリフ
ルオロメチル基、置換もしくは非置換モノ−もしくはジ
−低級アルキルアミノ基、置換もしくは非置換低級アル
キル基、置換もしくは非置換低級アルケニル基、置換も
しくは非置換低級アルキニル基、置換もしくは非置換低
級アルキルチオ基、置換もしくは非置換低級アルコキシ
基、置換もしくは非置換複素環式基又はアリール基を表
す。）で示されるスルホンアミド誘導体又はその薬理的
に許容し得る塩を提供するものである。

【０００８】本発明目的物〔Ｉ〕における炭化水素基と
しては、一部又は全部が飽和していてもよい単環、二環
もしくは三環式の炭素数１５以下のものが挙げられる。
単環式炭化水素基としては炭素数５〜８のものが好まし
く、より具体的にはフェニル基の他、以下に示されるも
の等が挙げられる。

【０００９】

【化３】

【００１０】又、二環式炭化水素基としては炭素数９〜
１１のものが好ましく、より具体的にはナフチル基、イ
ンデニル基、アズレニル基の他、以下に示されるもの等
が挙げられる。

【００１１】

【化４】

【００１２】又、三環式炭化水素基としては炭素数１２
〜１５のものが好ましく、より具体的にはフルオレニル
基、フェナントレニル基、アントラセニル基、アセナフ
チレニル基、ビフェニレニル基の他、以下に示されるも
の等が挙げられる。

【００１３】

【化５】

【００１４】環Ａ及び／又は環Ｂにおける複素環式基と
しては、例えば、単環、二環もしくは三環式の脂肪族又
は一部が飽和していてもよい芳香族複素環式基が挙げら
れる。

【００１５】芳香族複素環式基としては、窒素原子、酸
素原子及び硫黄原子から選ばれる１〜４個の異項原子を
含む単環もしくは二環式芳香族複素環式基であるものが
好ましく、例えばピロリル基、イミダゾリル基、フリル
基、チエニル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、
オキサゾリル基、オキサゾリニル基、ピラゾリル基、キ
ナゾリニル基、チエノピリミジニル基、ピリジル基、ピ
リミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、トリア
ジニル基、テトラゾリル基、キノリル基、イソキノリル
基、キノキサリニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチア
ゾリル基、ベンゾオキサゾリル基又はベンゾイミダゾリ
ル基及びこれらの一部が飽和している環等が挙げられ
る。

【００１６】上記芳香族複素環式基の一部が飽和してい
る環とは、例えば以下に示されるものが挙げられる。

【００１７】

【化６】

【００１８】脂肪族複素環式基としては、窒素原子、酸
素原子及び硫黄原子から選ばれる１〜４個の異項原子を
含む単環もしくは二環式脂肪族複素環式基であるものが
好ましく、例えばピペラジニル基、ピロリジニル基、ピ
ペリジル基、ホモピペリジル基、チオモルホリノ基又は
モルホリノ基等が挙げられる。

【００１９】Ｒにおける芳香族複素環式基としては、窒
素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれる１〜４個の
異項原子を含む単環もしくは二環式芳香族複素環式基で
あるものが好ましく、例えばピロリル基、イミダゾリル
基、フリル基、チエニル基、チアゾリル基、イソオキサ
ゾリル基、オキサゾリル基、オキサゾリニル基、ピラゾ
リル基、キナゾリニル基、チエノピリミジニル基、ピリ
ジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル
基、トリアジニル基、テトラゾリル基、キノリル基、イ
ソキノリル基、キノキサリニル基、ベンゾチエニル基、
ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基又はベンゾ
イミダゾリル基等が挙げられる。

【００２０】Ｒ¹ における複素環式基としては、例え
ば、単環、二環もしくは三環式の脂肪族又は芳香族複素
環式基が挙げられる。

【００２１】芳香族複素環式基としては、窒素原子、酸
素原子及び硫黄原子から選ばれる１〜４個の異項原子を
含む単環もしくは二環式芳香族複素環式基であるものが
好ましく、例えばピロリル基、イミダゾリル基、フリル
基、チエニル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、
オキサゾリル基、オキサゾリニル基、ピラゾリル基、キ
ナゾリニル基、チエノピリミジニル基、ピリジル基、ピ
リミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、トリア
ジニル基、テトラゾリル基、キノリル基、イソキノリル
基、キノキサリニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチア
ゾリル基、ベンゾオキサゾリル基又はベンゾイミダゾリ
ル基等が挙げられる。

【００２２】脂肪族複素環式基としては、窒素原子、酸
素原子及び硫黄原子から選ばれる１〜４個の異項原子を
含む単環もしくは二環式脂肪族複素環式基であるものが
好ましく、例えばピペラジニル基、ピロリジニル基、ピ
ペリジル基、ホモピペリジル基、チオモルホリノ基又は
モルホリノ基等が挙げられる。

【００２３】環Ａ及び／又は環Ｂ上の置換基としては、
例えばハロゲン原子；保護されていてもよい水酸基；低
級アルキル基；低級アルコキシ基；低級アルケニル基；
低級アルキニル基；低級アルキルチオ基；シクロアルキ
ル基；トリフルオロメチル基；カルボキシル基；シアノ
基；テトラゾリル基；ホルミル基；カルバモイル基；モ
ノ−もしくはジ−低級アルキルアミノカルボニル基；低
級アルコキシカルボニル基；低級アルコキシカルボニル
−低級アルコキシ基；低級アルコキシカルボニル−低級
アルキル基；低級アルコキシカルボニル−低級アルケニ
ル基；ジ−低級アルコキシ基置換低級アルキル基；アミ
ノ基置換低級アルキル基；水酸基置換低級アルキル基；
カルボキシル基置換低級アルキル基；カルボキシル基置
換低級アルケニル基；カルボキシル基置換低級アルコキ
シ基；ブロモピリミジニルオキシ低級アルキル基；低級
アルキレンジオキシ基；アリール低級アルコキシ基；モ
ノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ基；低級アルキル
スルフィニル基；低級アルキルスルホニル基；ピリジル
基；ニトロ基；イミダゾール基；オキサゾール基；チア
ゾール基；トリアゾール基；フリル基；ハロゲン原子、
水酸基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アル
カノイルオキシ基及び低級アルコキシカルボニルオキシ
基から選ばれる１〜５の基で置換されていてもよいフェ
ニル基；アリールカルボニルアミノ基；カルボキシル基
置換低級アルカノイルオキシ低級アルキル基；又はアリ
ールアミノカルボニル基等が挙げられる。

【００２４】環Ａ及び／又は環Ｂは、１）単環式基の場
合、同一又は異なって上記の置換基を１〜３個有してい
てもよく、２）二〜三環式基の場合、同一又は異なって
上記の置換基を１〜４個有していてもよい。

【００２５】またＲにおける芳香族複素環式基又はアリ
ール基上の置換基としては、例えばハロゲン原子；保護
されていてもよい水酸基；ニトロ基；シアノ基；アミノ
基；ホルミル基；カルボキシル基；カルバモイル基；Ｎ
−低級アルキルカルバモイルオキシ基；Ｎ−ヒドロキシ
イミノメチル基；Ｎ−低級アルコキシイミノメチル基；
低級アルキル基；水酸基置換低級アルキル基；シクロア
ルキル基；低級アルコキシ−低級アルキル基；低級アル
コキシカルボニル−低級アルケニル基；トリフルオロメ
チル基；水酸基及びアリール基置換低級アルキル基；低
級アルキルチオ基；モノ−もしくはジ−低級アルキルア
ミノ基；低級アルカノイルアミノ基；低級アルコキシ
基；保護されていてもよいカルボキシル基で置換された
低級アルコキシ基；アリールオキシ基；低級アルコキシ
カルボニル基；低級アルコキシ−低級アルケニル基；低
級アルカノイル基；アリールカルボニル基；低級アルケ
ニルオキシ基；水酸基置換低級アルキニル基；トリメチ
ルシリル基で保護されていてもよい低級アルキニル基；
シアノ低級アルコキシ基；シクロアルキル−低級アルコ
キシ基；低級アルキルスルフィニル基；低級アルキルス
ルホニル基；アリール基；フェニル低級アルキル基；芳
香族複素環式基置換低級アルキル基；芳香族複素環式基
置換低級アルコキシ基；フェニル低級アルケニル基；フ
ェニル低級アルコキシ基；アリールカルボニルアミノ
基；ハロゲン原子及び低級アルキルから選ばれる１〜３
の基で置換されていてもよい芳香族複素環式基置換オキ
シ基；又は低級アルキル基で置換されていてもよい芳香
族複素環式基等が挙げられる。

【００２６】Ｒにおける芳香族複素環式基及び／又はア
リール基は同一又は異なって、上記の置換基を１〜４個
有していてもよい。

【００２７】さらにＲ¹ におけるモノ−もしくはジ−低
級アルキルアミノ基上の置換基としては水酸基、カルボ
キシル基等が挙げられる。低級アルキル基上の置換基と
しては、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、低級
アルコキシカルボニル基、芳香族複素環式基又はアリー
ル基等が挙げられる。低級アルケニル基上の置換基とし
ては、低級アルキル基、アミノ基、水酸基、カルボキシ
ル基等が挙げられる。低級アルキニル基上の置換基とし
ては、カルボキシル基等が挙げられる。低級アルキルチ
オ基上の置換基としてはカルボキシル基等が挙げられ
る。低級アルコキシ基上の置換基としては、水酸基、水
酸基置換低級アルコキシ基、カルボキシル基等が挙げら
れる。さらに複素環式基上の置換基としては、低級アル
キル基、アミノ基、水酸基、カルボキシル基等があげら
れる。

【００２８】Ｒ¹ におけるモノ−もしくはジ−低級アル
キルアミノ基、低級アルキル基、低級アルケニル基、低
級アルキニル基、低級アルキルチオ基、低級アルコキシ
基及び／又は複素環式基は同一又は異なって、上記の置
換基を１〜４個有していてもよい。

【００２９】水酸基及び／又はカルボキシル基の保護基
としては、水酸基及び／又はカルボキシル基の保護基と
なりうる慣用の保護基を用いることができ、例えば、水
酸基の保護基としては、ベンジル基、メトキシメチル
基、テトラヒドロピラニル基等があげられ、カルボキシ
ル基の保護基としては、メチル基、エチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、ベンジル基等があげられる。

【００３０】またアリール基並びにアリールカルボニル
アミノ基、アリールアミノカルボニル基、アリールオキ
シ基及びアリールカルボニル基におけるアリール部分と
してはフェニル基、低級アルコキシフェニル基又はナフ
チル基等が挙げられる。

【００３１】本発明のスルホンアミド誘導体〔Ｉ〕にお
ける環Ａと環Ｂの組み合わせの具体例としては、１）環
Ａが置換単環式炭化水素基、環Ｂが置換もしくは非置換
二環式炭化水素基、２）環Ａが置換単環式炭化水素基、
環Ｂが置換もしくは非置換複素環式基、３）環Ａが置換
もしくは非置換二環式炭化水素基、環Ｂが置換炭化水素
基、４）環Ａが置換もしくは非置換二環式炭化水素基、
環Ｂが置換複素環式基、５）環Ａが置換複素環式基、環
Ｂが置換もしくは非置換炭化水素基、６）環Ａが置換複
素環式基、環Ｂが置換もしくは非置換複素環式基、７）
環Ａが置換もしくは非置換複素環式基、環Ｂが置換単環
式又は二〜三環式炭化水素基、８）環Ａが置換もしくは
非置換複素環式基、環Ｂが置換複素環である化合物が挙
げられ、そのうち、１）環Ａが置換単環式炭化水素基、
環Ｂが置換もしくは非置換二環式炭化水素基、２）環Ａ
が置換単環式炭化水素基、環Ｂが置換もしくは非置換複
素環式基、３）環Ａが置換もしくは非置換二環式炭化水
素基、環Ｂが置換単環式又は二〜三環式炭化水素基であ
る化合物が好ましく、とりわけ、環Ａが置換単環式炭化
水素基、環Ｂが非置換複素環式基であるものが好まし
い。

【００３２】本発明の目的物〔Ｉ〕のうち薬効上好まし
い化合物は、一般式〔Ｉ〕において、環Ａが低級アルキ
ル基もしくは低級アルキレンジオキシ基で置換されてい
るフェニル基であり、環Ｂがナフチル基、ピリジル基、
フリル基、低級アルキル基で置換されていてもよいチエ
ニル基又はベンゾチエニル基であるか、又は環Ａがジ低
級アルキルアミノ基で置換されていてもよいナフチル
基、インデニル基、アントリル基、ピリジル基もしくは
低級アルキル基で置換されていてもよいチエニル基、ベ
ンゾフリル基又はベンゾチエニル基であり、環Ｂが、低
級アルキル基もしくは低級アルコキシ基で置換されてい
るフェニル基、ナフチル基、ピリジル基、フリル基、低
級アルキル基で置換されていてもよいチエニル基又はベ
ンゾチエニル基であり、Ｑが単結合手又は式−Ｏ−で示
される基、Ｙが式−Ｏ−で示される基、Ａｌｋが低級ア
ルキレン基、Ｚが式−Ｏ−で示される基、Ｒがハロゲン
原子、チエニル基又は低級アルキルチオ基で置換されて
いているピリミジニル基、Ｒ¹ が水素原子、水酸基置換
低級アルキルアミノ基、低級アルキル基、カルボキシル
基置換低級アルキルチオ基、水酸基置換低級アルコキシ
基、ピリミジニル基、水酸基置換ピペリジニル基、低級
アルキル基置換ピペラジニル基又はモルホリノ基である
化合物である。

【００３３】薬効上より好ましい化合物は、一般式
〔Ｉ〕において、環Ａが低級アルキル基もしくは低級ア
ルキレンジオキシ基で置換されているフェニル基であ
り、環Ｂがナフチル基、ピリジル基、フリル基、低級ア
ルキル基で置換されていてもよいチエニル基又はベンゾ
チエニル基であるか、又は環Ａがジ低級アルキルアミノ
基で置換されていてもよいナフチル基、インデニル基、
アントリル基、ピリジル基もしくは低級アルキル基で置
換されていてもよいチエニル基、ベンゾフリル基又はベ
ンゾチエニル基であり、環Ｂが、低級アルキル基もしく
は低級アルコキシ基で置換されているフェニル基又は低
級アルキル基で置換されているチエニル基である化合物
である。

【００３４】薬効上更に好ましい化合物は、一般式
〔Ｉ〕において、環Ａが低級アルキル基で置換されてい
るフェニル基であり、環Ｂが低級アルキル基で置換され
ていてもよいチエニル基、ナフチル基、ピリジル基、フ
リル基又はベンゾチエニル基であるか、又は環Ａがジ低
級アルキルアミノ基で置換されていてもよいナフチル基
又はピリジル基で置換されていてもよいチエニル基であ
り、環Ｂが低級アルキル基もしくは低級アルコキシ基で
置換されているフェニル基であり、Ｑが単結合手、Ｒが
ハロゲン原子もしくは低級アルキルチオ基で置換されて
いるピリミジニル基、Ｒ¹ が水素原子、ピリミジニル基
又はモルホリノ基である化合物である。

【００３５】薬効上とりわけ好ましい化合物は、一般式
〔Ｉ〕において、環Ａが低級アルキル基で置換されてい
るフェニル基であり、環Ｂが低級アルキル基で置換され
ていてもよいチエニル基、ナフチル基又はベンゾチエニ
ル基であるか、又は環Ａがナフチル基であり、環Ｂが低
級アルキル基で置換されているフェニル基である化合物
である。

【００３６】本発明の目的物〔Ｉ〕のうち、他の好まし
い化合物は、一般式〔Ｉ〕において、環Ａが低級アルキ
ル基で置換されているフェニル基であり、環Ｂがチエニ
ル基であるか、又は環Ａがナフチル基又はチエニル基で
あり、環Ｂが低級アルコシキ基で置換されているフェニ
ル基であり、Ｑが単結合手又は式−Ｏ−で示される基、
Ｙが式−Ｏ−で示される基、Ａｌｋが低級アルキレン
基、Ｚが式−Ｏ−で示される基、Ｒがハロゲン原子もし
くはチエニル基で置換されているピリミジニル基、Ｒ¹
が低級アルキル基、モルホリノ基、低級アルキル基置換
ピペラジニル基又はピリミジニル基である化合物であ
る。

【００３７】このうち、より好ましい化合物は、一般式
〔Ｉ〕において、Ｒがハロゲン原子で置換されているピ
リミジニル基、Ｒ¹ がピリミジニル基である化合物であ
る。

【００３８】本発明によれば、目的化合物〔Ｉ〕は、下
記〔Ａ法〕、〔Ｂ法〕、〔Ｃ法〕又は〔Ｄ法〕によって
製造することができる。

【００３９】〔Ａ法〕本発明の目的化合物〔Ｉ〕は、一
般式〔ＩＩ〕

【００４０】

【化７】

【００４１】（但し、Ｘ¹ は反応性残基を表し、他の記
号は前記と同一意味を有する。）で示される化合物と一
般式〔ＩＩＩ〕

【００４２】

【化８】

【００４３】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物又はその塩とを反応させて製造
することができる。

【００４４】〔Ｂ法〕また、化合物〔Ｉ〕は、一般式
〔ＩＶ〕

【００４５】

【化９】

【００４６】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物又はその塩と一般式〔Ｖ〕

【００４７】

【化１０】

【００４８】（但し、Ｘ² は反応性残基を表し、環Ａは
前記と同一意味を有する。）で示される化合物を反応さ
せて製造することができる。

【００４９】〔Ｃ法〕また、化合物〔Ｉ〕は、一般式
〔ＶＩ〕

【００５０】

【化１１】

【００５１】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物又はその塩と、一般式〔ＶＩ
Ｉ〕

【００５２】

【化１２】

【００５３】（但し、Ｘ³ は反応性残基を表し、他の記
号は前記と同一意味を有する。）で示される化合物とを
反応させて製造することができる。

【００５４】〔Ｄ法〕更に本発明の目的物〔Ｉ〕のう
ち、Ｑが単結合手である一般式〔Ｉ−ａ〕

【００５５】

【化１３】

【００５６】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物は、一般式〔ＶＩＩＩ〕

【００５７】

【化１４】

【００５８】（但し、Ｘ⁴ は反応性残基を表し、他の記
号は前記と同一意味を有する。）で示される化合物又は
その塩と一般式〔ＩＸ〕

【００５９】

【化１５】

【００６０】（但し、Ｗは低級アルキル基を表し、環Ｂ
は前記と同一意味を有する。）で示される化合物を反応
させて製造することができる。

【００６１】化合物〔ＩＩ〕、〔ＩＶ〕、〔ＶＩ〕又は
〔ＶＩＩＩ〕の塩としては、例えば塩酸塩、硫酸塩等の
無機酸との塩及びアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩
等の無機塩基との塩が使用できる。

【００６２】Ｘ¹ 、Ｘ² 、Ｘ³ 、又はＸ⁴ の反応性残基
としては、ハロゲン原子、低級アルキルスルホニルオキ
シ基又はアリールスルホニルオキシ基等を好適に用いる
ことができるが、とりわけハロゲン原子が好ましい。

【００６３】〔Ａ法〕：化合物〔ＩＩ〕と化合物〔ＩＩ
Ｉ〕又はその塩との反応は、脱酸剤の存在下、適当な溶
媒中又は無溶媒で実施することができる。脱酸剤として
は、水素化アルカリ金属、炭酸アルカリ金属、アルカリ
金属アミド、アルカリ金属アルコキシド、アルキルアル
カリ金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属、水酸化ア
ルカリ金属、水酸化アルカリ土類金属、有機塩基（１，
８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデカ−７−エン
等）等を好適に用いることができる。また溶媒として
は、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、ジ
メチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホラミド、スル
ホラン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン、トルエン、エチレング
リコールジメチルエーテル等を適宜用いることができ
る。本反応は、室温〜１５０℃、とりわけ室温〜１００
℃で好適に進行する。

【００６４】〔Ｂ法〕：化合物〔ＩＶ〕又はその塩と化
合物〔Ｖ〕との反応は、脱酸剤の存在下、適当な溶媒中
又は無溶媒で実施することができる。脱酸剤及び溶媒と
しては、上記〔Ａ法〕で記載の脱酸剤及び溶媒をいずれ
も好適に用いることができる。本反応は、０〜１５０
℃、とりわけ室温〜１００℃で好適に進行する。また、
本反応は硫酸水素テトラブチルアンモニウム、塩化トリ
メチルベンジルアンモニウム、１８−クラウン−６等の
相間移動触媒を触媒量添加するとより好適に進行する。

【００６５】〔Ｃ法〕：化合物〔ＶＩ〕又はその塩と化
合物〔ＶＩＩ〕との反応は、脱酸剤の存在下、適当な溶
媒中又は無溶媒で実施することができる。脱酸剤として
は、上記〔Ａ法〕で記載の脱酸剤をいずれも好適に用い
ることができる。また溶媒としては、ジメチルスルホキ
シド、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、エチレング
リコールジメチルエーテル、ヘキサメチルホスホラミ
ド、スルホラン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ト
ルエン等又はそれらの混合溶媒を適宜用いることができ
る。本反応は、０℃〜１５０℃、とりわけ室温〜１００
℃で好適に進行する。

【００６６】〔Ｄ法〕：化合物〔ＶＩＩＩ〕又はその塩
と化合物〔ＩＸ〕との反応は、触媒の存在下、適当な溶
媒中で実施することができる。触媒としてはビス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）クロリド、パ
ラジウム（ＩＩ）アセテート、テトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（０）等のパラジウム系触媒
を適宜用いることができる。本反応は、ジャーナル・オ
ブ・オーガニック・ケミストリー（Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃ
ｈｅｍ．）第５８巻、１９６３頁（１９９３年）記載の
方法に準じ、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅
（Ｉ）等の銅（Ｉ）塩を添加するとより好適に進行す
る。また溶媒としては、例えばジオキサン、エチレング
リコールジメチルエーテル、ジメチルアセトアミド、ジ
メチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホラミド、ベン
ゼン、テトラヒドロフラン、トルエン、酢酸エチル、低
級アルコール、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭
素、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、酢酸、
ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、水又はそれらの
混合溶媒を適宜用いることができる。本反応は、５０〜
１００℃で好適に進行する。

【００６７】本発明の目的物〔Ｉ〕は、上記の如くして
得られる目的物を他の目的物へ相互変換することによっ
ても製造することができる。このような目的物間の相互
変換反応としては、その化合物が有する置換基の種類に
応じ、適宜選択すればよいが、例えば次の（ａ）〜
（ｗ）法の如く実施することができる。

【００６８】（ａ）法：Ｒが置換基を有する芳香族複素
環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対応のＲ
がハロゲン原子で置換された芳香族複素環式基又はアリ
ール基である化合物と置換させる基のトリアルキルスズ
錯体とを触媒の存在下に反応させることにより製造する
ことができる。触媒としては上記〔Ｄ法〕で記載の触媒
をいずれも好適に用いることができる。本反応は、室温
〜１００℃で好適に進行する。

【００６９】（ｂ）法：Ｒが低級アルカノイル基（例え
ば、アセチル基等）で置換された芳香族複素環式基又は
アリール基である目的物〔Ｉ〕は、対応のＲが低級アル
コキシ−低級アルケニル基（例えば、１−エトキシビニ
ル基等）で置換された芳香族複素環式基又はアリール基
である化合物を酸処理することにより製造することがで
きる。酸としては、塩酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、酢酸等を好
適に用いることができる。本反応は、０℃〜室温で好適
に進行する。

【００７０】（ｃ）法：Ｒが水酸基置換低級アルキル基
で置換された芳香族複素環式基又はアリール基である目
的物〔Ｉ〕は、対応のＲが低級アルカノイル基またはホ
ルミル基で置換された芳香族複素環式基又はアリール基
である化合物を還元剤で処理することにより製造するこ
とができる。還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化ホウ素リチウム、水素化アルミニウムリチウ
ム、水素化ジイソブチルアルミニウム等を好適に用いる
ことができる。本反応は、０℃〜室温で好適に進行す
る。

【００７１】（ｄ）法：Ｒが低級アルキル基で置換され
た芳香族複素環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕
は、対応のＲがヒドロキシ基置換低級アルキル基で置換
された芳香族複素環式基又はアリール基である化合物を
ハロゲン化し、次いで還元することにより製造すること
ができる。ハロゲン化は、チオニルクロリド、オキシ塩
化リン、五塩化リン、三臭化リン等のハロゲン化剤と反
応させることにより実施できる。還元は、パラジウム−
炭素、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−酸化ア
ルミニウム、パラジウム黒等のパラジウム系触媒で処理
することにより実施でき、本還元反応は脱酸剤の存在下
に水素雰囲気中で実施するのが好ましく、脱酸剤として
は、トリエチルアミン、ピリジン、炭酸カリウム、炭酸
水素ナトリウム、酢酸ナトリウム等を好適に用いること
ができる。本反応は、室温〜６０℃で好適に進行する。

【００７２】（ｅ）法：Ｒが無置換の芳香族複素環式基
又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対応のＲがハロ
ゲン原子で置換された芳香族複素環式基又はアリール基
である化合物を、還元して製造することができる。還元
は上記（ｄ）法記載と同様の条件で好適に実施すること
ができる。

【００７３】（ｆ）法：また、Ｒが無置換の芳香族複素
環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対応のＲ
が低級アルキルチオ基で置換された芳香族複素環式基又
はアリール基である化合物を、脱硫反応に付すことによ
っても製造することができる。脱硫反応はラネーニッケ
ル、パラジウム−炭素等の触媒の存在下に好適に実施す
ることができる。本反応は、室温〜５０℃で好適に進行
する。

【００７４】（ｇ）法：Ｒがホルミル基、水酸基置換低
級アルキル基、或いは水酸基及びアリール基置換低級ア
ルキル基で置換された芳香族複素環式基又はアリール基
である目的物〔Ｉ〕は、対応のＲがハロゲン原子で置換
された芳香族複素環式基又はアリール基である化合物
を、リチオ化し、次いで対応するカルボニル化合物（例
えば、ジメチルホルムアミド、アセトン、ベンズアルデ
ヒド等）と反応させることにより製造することができ
る。リチオ化は、ｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチ
ウム、ｔ−ブチルリチウム等のリチオ化剤と反応させる
ことにより好適に実施できる。本反応は、−１００℃〜
２５℃で好適に進行する。

【００７５】（ｈ）法：Ｒがアミノ基で置換された芳香
族複素環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対
応のＲがニトロ基で置換された芳香族複素環式基又はア
リール基である化合物を還元することにより製造でき
る。還元反応は、遷移金属触媒の存在下水素雰囲気中で
還元するか、又は還元剤と反応させることにより実施で
きる。遷移金属触媒としては、パラジウム−炭素、パラ
ジウム−酸化アルミニウム、パラジウム黒、コロイドパ
ラジウム、酸化白金、ラネーニッケル等を、還元剤とし
ては、リチウムアルミニウムヒドリド、スズ、塩化第一
スズ、亜鉛、鉄等を好適に用いることができる。本反応
は、−２０℃〜８０℃で好適に進行する。

【００７６】（ｉ）法：Ｒが低級アルカノイルアミノ基
又はアリールカルボニルアミノ基で置換された芳香族複
素環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対応の
Ｒがアミノ基で置換された芳香族複素環式基又はアリー
ル基である化合物をアシル化することにより製造でき
る。アシル化剤としては、カルボン酸又はその反応性誘
導体（酸クロリド、酸ブロミド、酸無水物、混合酸無水
物等）があげられる。遊離のカルボン酸を用いて本反応
を実施する場合、Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジ
イミド、Ｎ−ジメチルアミノプロピル−Ｎ’−エチルカ
ルボジイミド、ジエチルリン酸シアニド、ジフェニルリ
ン酸アジド等の縮合剤の存在下に実施するのが好まし
く、カルボン酸の反応性誘導体を用いて本反応を実施す
る場合、水酸化アルカリ金属、炭酸水素アルカリ金属、
炭酸アルカリ金属、有機塩基（トリエチルアミン、ピリ
ジン等）等の脱酸剤の存在下に実施するのが好ましい。
本反応は、−２０℃〜１００℃で好適に進行する。

【００７７】（ｊ）法：Ｒがモノ−もしくはジ−低級ア
ルキルアミノ基で置換された芳香族複素環式基又はアリ
ール基である目的物〔Ｉ〕は、対応のＲがアミノ基で置
換された芳香族複素環式基又はアリール基である化合物
をアルキル化することにより製造できる。アルキル化は
（１）脱酸剤の存在下、低級アルキルハライド（低級ア
ルキルクロリド、低級アルキルブロミド等）または低級
アルキルスルホネート（メタンスルホネート、トルエン
スルホネート等）等を反応させるか、或いは（２）還元
剤の存在下、低級アルキルアルデヒドとの反応物を還元
することにより実施することができる。脱酸剤として
は、水酸化アルカリ金属、炭酸水素アルカリ金属、炭酸
アルカリ金属、有機塩基（トリエチルアミン、ピリジン
等）等を好適に用いることができる。還元剤としては、
水素化ホウ素ナトリウム、水素化トリアセトキシホウ素
ナトリウム、ギ酸等を好適に用いることができる。本反
応は、０〜１００℃で好適に進行する。

【００７８】（ｋ）法：Ｒがテトラゾリル基で置換され
た芳香族複素環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕
は、対応のＲがシアノ基で置換された芳香族複素環式基
又はアリール基である化合物とアジ化トリブチルスズを
反応させることにより製造できる。本反応は５０〜１２
０℃で好適に進行する。

【００７９】（ｌ）法：Ｒが保護されていてもよいカル
ボキシル基置換低級アルコキシ基で置換された芳香族複
素環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対応の
Ｒが水酸基で置換された芳香族複素環式基又はアリール
基である化合物を保護されていてもよいカルボキシル基
置換低級アルキルハライド又は保護されていてもよいカ
ルボキシル基置換低級アルキルスルホネート等と反応さ
せることにより製造できる。本反応は、水酸化アルカリ
金属、炭酸水素アルカリ金属、炭酸アルカリ金属、有機
塩基（トリエチルアミン、ピリジン等）等の脱酸剤の存
在下に好適に進行する。本反応は、０〜１００℃で好適
に進行する。カルボキシル基の保護基としては、慣用の
カルボキシル基の保護基を用いることができ、その種類
に従い、常法によって除去することができる。

【００８０】（ｍ）法：Ｒが低級アルコキシ−低級アル
キル基で置換された芳香族複素環式基又はアリール基で
ある目的物〔Ｉ〕は、対応のＲが水酸基置換低級アルキ
ル基で置換された芳香族複素環式基又はアリール基であ
る化合物をハロゲン化し、次いで、アルコキシ化するこ
とにより製造できる。ハロゲン化剤としては、（ｄ）法
で記載のハロゲン化剤を好適に用いることができる。本
反応は、−２０℃〜１００℃で好適に進行する。アルコ
キシ化は、メタノール、エタノール、イソプロパノール
等の低級アルコールと反応させることにより、実施する
ことができる。本アルコキシ化反応は脱酸剤の存在下に
実施するのが好ましく、脱酸剤としては水酸化アルカリ
金属、炭酸水素アルカリ金属、炭酸アルカリ金属、有機
塩基（トリエチルアミン、ピリジン等）等を好適に用い
ることができる。本反応は、−２０℃〜１００℃で好適
に進行する。

【００８１】（ｎ）法：Ｒが低級アルキルスルフィニル
基及び／又は低級アルキルスルホニル基で置換された芳
香族複素環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、
対応のＲが低級アルキルチオ基で置換された芳香族複素
環式基又はアリール基である化合物を酸化剤の存在下に
反応させることにより製造できる。酸化剤としては、３
−クロロ過安息香酸、過酢酸、過酸化水素、過トリフル
オロ酢酸、過ヨウ素酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウ
ム、過マンガン酸カリウム等を好適に用いることができ
る。本反応は０〜５０℃で好適に進行する。

【００８２】（ｏ）法：Ｒが低級アルキルチオ基で置換
された芳香族複素環式基又はアリール基である目的物
〔Ｉ〕は、対応のＲが低級アルキルスルフィニル基で置
換された芳香族複素環式基又はアリール基である化合物
を、まず酸無水物の存在下に反応させ、次いで加水分解
してチオールとした後、さらに塩基の存在下、低級アル
キルハライドと反応させることにより製造できる。酸無
水物としては、トリフルオロ酢酸無水物、無水酢酸、等
を好適に用いることができ、塩基としては、炭酸カリウ
ム、炭酸ナトリウム、低級アルコキシナトリウム（例え
ば、ＭｅＯＮａ、ＥｔＯＮａ）等を好適に用いることが
できる。本反応は０〜５０℃で好適に進行する。

【００８３】（ｐ）法：Ｒがシアノ基で置換された芳香
族複素環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対
応のＲがハロゲン原子で置換された芳香族複素環式基又
はアリール基である化合物とシアン化亜鉛とを触媒の存
在下に反応させることにより製造できる。触媒として
は、上記〔Ｄ〕法に記載の触媒をいずれも好適に用いる
ことができる。本反応は６０〜１００℃で好適に進行す
る。

【００８４】（ｑ）法：Ｒがトリメチルシリル基置換低
級アルキニル基又は水酸基置換低級アルキニル基で置換
された芳香族複素環式基又はアリール基である目的物
〔Ｉ〕は、対応のＲがハロゲン原子で置換された芳香族
複素環式基又はアリール基である化合物を、トリメチル
シリル基置換低級アルキニル化又はヒドロキシ基置換低
級アルキニル化させることにより製造できる。トリメチ
ルシリル基置換低級アルキニル化又は水酸基置換低級ア
ルキニル化は、触媒及び有機塩基の存在下に反応させる
ことにより製造できる。触媒としては、上記〔Ｄ〕法に
記載の触媒を、また有機塩基としては上記〔ｊ〕法に記
載の有機塩基をいずれも好適に用いることができる。ま
た本反応は、上記〔Ｄ〕法と同様、銅（Ｉ）塩を添加す
るとより好適に進行する。本反応は室温〜１００℃で好
適に進行する。

【００８５】（ｒ）法：Ｒが低級アルキニル基で置換さ
れた芳香族複素環式基又はアリール基である目的物
〔Ｉ〕は、対応のＲがトリメチルシリル基置換低級アル
キニル基で置換された芳香族複素環式基又はアリール基
である化合物を、酸又は無機塩基の存在下に反応させる
ことにより製造できる。酸としては、塩酸、硫酸、臭化
水素酸等を、塩基としては、炭酸カリウム、炭酸ナトリ
ウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等を好適に用
いることができる。本反応は０℃〜室温で好適に進行す
る。

【００８６】（ｓ）法：Ｒがフェニル低級アルキル基で
置換された芳香族複素環式基又はアリール基である目的
物〔Ｉ〕は、対応のＲがフェニルアルケニル基で置換さ
れた芳香族複素環式基又はアリール基である化合物を、
触媒の存在下に反応させることにより製造できる。触媒
としては、上記〔ｄ〕法に記載の触媒をいずれも好適に
用いることができる。本反応は室温〜６０℃で好適に進
行する。

【００８７】（ｔ）法：環Ａ及び／又は環Ｂがホルミル
基で置換された炭化水素基又は複素環式基である目的物
〔Ｉ〕は、対応の環Ａ及び／又は環Ｂがジ−低級アルコ
キシ基置換低級アルキル基で置換された炭化水素基又は
複素環式基である化合物を、酸の存在下に反応させるこ
とにより製造できる。酸としては、ｐ−トルエンスルホ
ン酸、シュウ酸等の有機酸又は塩酸、硫酸、臭化水素等
の鉱酸等を好適に用いることができる。本反応は０〜５
０℃で好適に進行する。

【００８８】（ｕ）法：環Ａ及び／又は環Ｂが低級アル
コキシカルボニル−低級アルケニル基で置換された炭化
水素基又は複素環式基である目的物〔Ｉ〕は、対応の環
Ａ及び／又は環Ｂがホルミル基で置換された炭化水素基
又は複素環式基である化合物と置換させる基のトリフェ
ニルリン錯体とを反応させることにより製造できる。本
反応は室温〜６０℃で好適に進行する。

【００８９】（ｖ）法：環Ａ及び／又は環Ｂがカルボキ
シ基置換低級アルケニル基で置換された炭化水素基又は
複素環式基である目的物〔Ｉ〕は、対応の環Ａ及び／又
は環Ｂが低級アルコキシカルボニル−低級アルケニル基
で置換された炭化水素基又は複素環式基である化合物を
無機塩基の存在下に反応させることにより製造できる。
無機塩基としては、水酸化ナトリウム、等の無機塩基を
好適に用いることができる。本反応は０℃〜室温で好適
に進行する。

【００９０】（ｗ）法：Ｑが式−ＳＯ−又−ＳＯ₂ −で
示される基である目的物〔Ｉ〕は、対応のＱが式−Ｓ−
で示される基である化合物を酸化剤の存在下に反応させ
ることにより製造できる。酸化剤としては、３−クロロ
過安息香酸、過酢酸、過酸化水素、過トリフルオロ酢
酸、過ヨウ素酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、過
マンガン酸カリウム等を好適に用いることができる。本
反応は０〜５０℃で好適に進行する。

【００９１】上記（ａ）〜（ｗ）に記載の反応に用いる
溶媒は、反応に不活性な溶媒であれば、特に限定され
ず、例えばジオキサン、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、ヘキサメチルホスホラミド、ベンゼン、テトラヒド
ロフラン、トルエン、酢酸エチル、低級アルコール、塩
化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン、酢酸、ジエチルエーテ
ル、ジメトキシエタン、ジメチルスルホキシド、水又は
それらの混合溶媒を適宜用いることができる。

【００９２】なお、本発明の原料化合物〔ＩＩ〕及び
〔ＶＩ〕は、例えば特開平５−１５５８６４号又は特開
平５−２２２００３号記載の方法に準じて製造すること
ができる。即ち、Ｑが単結合手である化合物〔ＩＩ〕
は、まず、一般式〔Ｘ〕

【００９３】

【化１６】

【００９４】（但し、環Ｂは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を、ハロゲン化剤（チオニルク
ロリド等）で処理して対応の酸ハライドとし、次いでア
ルコールで処理して対応のエステルとした後、塩基（水
素化ナトリウム、カリウムｔ−ブトキシド等）の存在
下、炭酸ジエチルと反応させて、一般式〔ＸＩ〕

【００９５】

【化１７】

【００９６】（但し、環Ｂは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とする。次いで生成物をアンモ
ニアで処理してアミド化して一般式

【００９７】

【化１８】

【００９８】（但し、環Ｂは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、生成物を塩基（ナトリウ
ムエチラート等）の存在下に一般式

【００９９】

【化１９】

【０１００】（但し、Ｒ¹ は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物と反応させて、一般式〔ＸＩ
Ｉ〕

【０１０１】

【化２０】

【０１０２】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得るか、または、化合物〔Ｘ
Ｉ〕を塩基（ナトリウムメトキシド等）の存在下一般式
〔ＸＩＩＩ〕

【０１０３】

【化２１】

【０１０４】（但し、Ｒ¹ は前記と同一意味を有す
る。）で示されるアミジン化合物と反応させて化合物
〔ＸＩＩ〕を得る。さらに生成物の水酸基をハロゲン化
剤（オキシ塩化リン等）で処理して反応性残基に変換さ
せて一般式〔ＸＩＶ〕

【０１０５】

【化２２】

【０１０６】（但し、Ｘ⁵ は反応性残基を表し、他の記
号は前記と同一意味を有する。）で示される化合物とす
るか、または、化合物〔ＸＩ〕を塩基（ナトリウムメト
キシド等）の存在下アミジン化合物である尿素と反応さ
せて一般式

【０１０７】

【化２３】

【０１０８】（但し、環Ｂは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得た後、生成物の水酸基をハ
ロゲン化剤（オキシ塩化リン等）で処理して反応性残基
に変換させて一般式〔ＸＶ〕

【０１０９】

【化２４】

【０１１０】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を製する。更に一般式〔ＸＶ
Ｉ〕

【０１１１】

【化２５】

【０１１２】（但し、Ｗ¹ は低級アルキル基を表し、他
の記号は前記と同一意味を有する。）で示される化合物
と反応させて、化合物〔ＸＩＶ〕を得る。

【０１１３】これを一般式〔ＸＶＩＩ〕

【０１１４】

【化２６】

【０１１５】（但し、環Ａは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物と脱酸剤（水素化ナトリウム、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム等）
の存在下に反応させることにより製造することができ
る。

【０１１６】一方、Ｑが式−Ｏ−で示される基である化
合物〔ＩＩ〕は、一般式〔ＸＶＩＩＩ〕

【０１１７】

【化２７】

【０１１８】（但し、環Ｂは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とブロモマロン酸ジエチルエス
テルとを脱酸剤（炭酸カリウム等）の存在下に反応させ
て、一般式〔ＸＩＸ〕

【０１１９】

【化２８】

【０１２０】（但し、環Ｂは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、これを塩基（ナトリウム
メチラート等）の存在下にアミジン化合物〔ＸＩＩＩ〕
と反応させて、一般式〔ＸＸ〕

【０１２１】

【化２９】

【０１２２】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得た後、前記のＱが単結合手
である化合物〔ＸＩＩ〕の水酸基の反応性残基への変換
工程と同様にして、一般式〔ＸＸＩ〕

【０１２３】

【化３０】

【０１２４】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を製するか、または、化合物
〔ＸＩＸ〕を塩基（ナトリウムメトキシド等）の存在下
アミジン化合物である尿素と反応させて一般式

【０１２５】

【化３１】

【０１２６】（但し、環Ｂは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得た後、生成物の水酸基をハ
ロゲン化剤（オキシ塩化リン等）で処理して反応性残基
に変換させて一般式〔ＸＸＩＩ〕

【０１２７】

【化３２】

【０１２８】（但し、環Ｂは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を製する。更に化合物〔ＸＶ
Ｉ〕と反応させて、化合物〔ＸＸＩ〕を得る。引き続き
化合物〔ＸＩＶ〕と化合物〔ＸＶＩＩ〕との反応と同様
に処理して化合物〔ＩＩ〕を製造することができる。

【０１２９】さらに化合物〔ＶＩ〕は、対応の化合物
〔ＩＩ〕を一般式〔ＸＸＩＩＩ〕

【０１３０】

【化３３】

【０１３１】（但し、Ｙ、Ａｌｋ及びＺは前記と同一意
味を有する。）で示される化合物と脱酸剤（水素化ナト
リウム等）の存在下に反応させることにより製造でき
る。

【０１３２】また、本発明の原料化合物〔ＩＶ〕は、
（ｉ）化合物〔ＸＩＶ〕又は化合物〔ＸＸＩ〕と、化合
物〔ＩＩＩ〕を脱酸剤（例えば水素化ナトリウム等）の
存在下反応させて、一般式〔ＸＸＩＶ〕

【０１３３】

【化３４】

【０１３４】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、これをアジ化ナトリウム
と反応させて、一般式〔ＸＸＶ〕

【０１３５】

【化３５】

【０１３６】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得たのち、接触水素還元して
製造するか、或いは、（ii）化合物〔ＸＩＶ〕又は化合
物〔ＸＸＩ〕と、アンモニアを反応させて、一般式〔Ｘ
ＸＶＩ〕

【０１３７】

【化３６】

【０１３８】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を製し、これを脱酸剤（例え
ば、水素化ナトリウム等）の存在下、化合物〔ＩＩＩ〕
と反応させることにより製造することができる。

【０１３９】また、原料化合物〔ＩＶ〕は、（ｉ）化合
物〔ＸＩＶ〕又は化合物〔ＸＸＩ〕と、化合物〔ＸＸＩ
ＩＩ〕を脱酸剤（例えば水素化ナトリウム等）の存在下
反応させて、一般式〔ＸＸＶＩＩ〕

【０１４０】

【化３７】

【０１４１】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、これをアジ化ナトリウム
と反応させて、一般式〔ＸＸＶＩＩＩ〕

【０１４２】

【化３８】

【０１４３】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得たのち、接触水素還元して
一般式〔ＸＸＩＸ〕

【０１４４】

【化３９】

【０１４５】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を製し、これを脱酸剤（例えば
水素化ナトリウム等）の存在下化合物〔ＶＩＩ〕と反応
させて製造するか、或いは、（ii）化合物〔ＸＸＶＩ〕
を化合物〔ＸＸＩＩＩ〕と反応させて、化合物〔ＸＸＩ
Ｘ〕を得た後、これを脱酸剤（例えば、水素化ナトリウ
ム等）の存在下、化合物〔ＶＩＩ〕と反応させることに
より製造することができる。

【０１４６】更に、本発明の原料化合物〔ＶＩＩＩ〕
は、（ｉ）一般式〔ＸＸＸ〕

【０１４７】

【化４０】

【０１４８】（但し、Ｒ¹ は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物と化合物〔ＸＶＩＩ〕を脱酸剤
（例えば水素化ナトリウム等）の存在下反応させ、一般
式〔ＸＸＸＩ〕

【０１４９】

【化４１】

【０１５０】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を製し、この化合物を脱酸剤
（例えば水素化ナトリウム等）の存在下、化合物〔ＩＩ
Ｉ〕と反応させて一般式〔ＸＸＸＩＩ〕

【０１５１】

【化４２】

【０１５２】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、次いで、ハロゲン化剤等
で反応性残基を形成させることにより製造するか、或い
は、（ii）化合物〔ＸＸＸ〕と化合物〔ＩＩＩ〕を脱酸
剤（例えば水素化ナトリウム等）の存在下反応させて、
一般式〔ＸＸＸＩＩＩ〕

【０１５３】

【化４３】

【０１５４】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、これをアジ化ナトリウム
と反応させて、一般式〔ＸＸＸＩＶ〕

【０１５５】

【化４４】

【０１５６】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得たのち、接触水素還元して
一般式〔ＸＸＸＶ〕

【０１５７】

【化４５】

【０１５８】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を製し、次いで、これを脱酸剤
（水素化ナトリウム等）の存在下、化合物〔Ｖ〕と反応
させて化合物〔ＸＸＸＩＩ〕とし、更にハロゲン化剤等
で反応性残基を形成させることにより製造することがで
きる。

【０１５９】また、原料化合物〔ＶＩＩＩ〕は、（ｉ）
化合物〔ＸＸＸＩ〕を脱酸剤（例えば水素化ナトリウム
等）の存在下、化合物〔ＸＸＩＩＩ〕と反応させて一般
式〔ＸＸＸＶＩ〕

【０１６０】

【化４６】

【０１６１】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、次いで、ハロゲン化剤
（例えばＮ−ブロモスクシンイミド等）で処理して反応
性残基を形成させて一般式〔ＸＸＸＶＩＩ〕

【０１６２】

【化４７】

【０１６３】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得たのち、脱酸剤（例えば水
素化ナトリウム等）の存在下、化合物〔ＶＩＩ〕と反応
させることにより製造するか、或いは、（ii）化合物
〔ＸＸＸ〕と化合物〔ＸＸＩＩＩ〕を脱酸剤（例えば水
素化ナトリウム等）の存在下反応させて、一般式〔ＸＸ
ＸＶＩＩＩ〕

【０１６４】

【化４８】

【０１６５】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、これをアジ化ナトリウム
と反応させて、一般式〔ＸＸＸＩＸ〕

【０１６６】

【化４９】

【０１６７】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得たのち、接触水素還元して
一般式〔ＸＸＸＸ〕

【０１６８】

【化５０】

【０１６９】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を製し、次いで、これを化合物
〔Ｖ〕と反応させて一般式〔ＸＸＸＸＩ〕

【０１７０】

【化５１】

【０１７１】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、ハロゲン化剤（例えば臭
素等）で処理して反応性残基を形成させて化合物〔ＸＸ
ＸＶＩＩ〕を得たのち、脱酸剤（例えば水素化ナトリウ
ム等）の存在下、化合物〔ＶＩＩ〕と反応させることに
より製造することができる。

【０１７２】本発明の目的物〔Ｉ〕には、不斉炭素原子
に基づく光学異性体が存在しうるが、本発明はこれらの
光学異性体及びその混合物のいずれをも含むものであ
る。

【０１７３】本発明の目的化合物〔Ｉ〕は、遊離の形で
も、また薬理的に許容し得る塩の形でも医薬用途に使用
することができる。かかる薬理的に許容し得る塩として
は、無機酸もしくは有機酸との酸付加塩、無機塩基、有
機塩基又はアミノ酸との塩があげられ、例えば塩酸塩、
硫酸塩、臭化水素酸塩、メタンスルホン酸塩、酢酸塩、
フマル酸塩、マレイン酸塩、シュウ酸塩、アルカリ金属
（ナトリウム、カリウム等）塩、アルカリ土類金属（マ
グネシウム、カルシウム等）塩、トリエチルアミン塩、
リジンとの塩などがあげられる。

【０１７４】本発明の目的化合物〔Ｉ〕もしくはその薬
理的に許容しうる塩は、経口的にも非経口的にも投与す
ることができ、また常法により例えば、錠剤、顆粒剤、
カプセル剤、散剤、注射剤、吸入剤のような適宜の医薬
製剤として用いることができる。

【０１７５】本発明の目的化合物〔Ｉ〕又はその薬理的
に許容し得る塩の投与量は、投与方法、患者の年令、体
重、状態によっても異なるが、通常、１日当り約０．１
〜１００ｍｇ／ｋｇ程度とするのが好ましい。

【０１７６】なお、本発明において、低級アルキル基、
低級アルコキシ基、低級アルキレン基、低級アルキレン
ジオキシ基、低級アルキルチオ基、低級アルキルアミノ
基、低級アルキルスルフィニル基又は低級アルキルスル
ホニル基は、炭素数１〜６、とりわけ１〜４のものがあ
げられる。また、低級アルケニル基、低級アルカノイル
基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルコキシカルボ
ニル基，低級アルキニル基、低級アルケニルオキシ基、
低級アルケニレン基、Ｎ−低級アルキルカルバモイルオ
キシ基、Ｎ−低級アルコキシイミノメチル基又はＮ−低
級アルキルアミノカルボニル基は炭素数２〜７、とりわ
け２〜５のものがあげられる。さらに、シクロアルキル
基は炭素数３〜８、とりわけ３〜６のものがあげられ
る。ハロゲン原子としては、塩素、臭素、フッ素又はヨ
ウ素があげられる。

【０１７７】

【実施例】以下に実施例を掲載して、本発明を更に詳細
に説明するが、これにより発明を限定するものではな
い。

【０１７８】実施例１ Ｎ−〔６−｛２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ｝−５−（２−チエニル）−２−（２−
ピリミジニル）−ピリミジン−４−イル〕−４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルベンゼンスルホンアミド

【０１７９】

【化５２】

【０１８０】４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−（２−
ヒドロキシエトキシ）−５−（２−チエニル）−２−
（２−ピリミジニル）−ピリミジン−４−イル｝ベンゼ
ンスルホンアミド１７９０ｍｇのテトラヒドロフラン２
０ｍｌ溶液に室温で水素化ナトリウム（６０％分散型）
４１３ｍｇを加え、更にジメチルアセトアミド４ｍｌを
加え２０分間攪拌する。反応液に５−ブロモ−２−クロ
ロピリミジン９５２ｍｇを加え、室温で４６時間攪拌す
る。反応液を１０％塩酸を用いて酸性とし、酢酸エチル
で抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を減圧
下留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（溶媒；クロロホルム：メタノール＝４：１）で精製
して、標的化合物６１７ｍｇを結晶として得る。

【０１８１】ｍ．ｐ．：２２２．５−２２３．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：１６４０，１６１０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：６７０（ＭＨ⁺ ） 実施例２ Ｎ−｛６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ〕−５−（４−メチルフェニル）ピリミ
ジン−４−イル｝ナフタレンスルホンアミド

【０１８２】

【化５３】

【０１８３】６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−
イルオキシ）エトキシ〕−５−（４−メチルフェニル）
ピリミジン−４−アミン１５０ｍｇ、２−ナフタレンス
ルホニルクロリド１７０ｍｇ、９６％水酸化カリウム
（粉末状）３００ｍｇ、硫酸水素テトラブチルアンモニ
ウム３４ｍｇ及びトルエン１０ｍｌの混合物を室温で一
晩撹拌する。飽和塩化アンモニウム水溶液で希釈し、酢
酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶
媒を留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶媒；クロロホルム：酢酸エチル＝８：１）で精
製し、ヘキサン−テトラヒドロフランで再結晶して、標
的化合物１８７ｍｇを得る。

【０１８４】ｍ．ｐ．：２０４．０−２０４．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：１５７０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：５９４（ＭＨ⁺ ） 実施例３−６ ６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオキシ）
エトキシ〕−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−
４−アミン及び対応原料化合物を実施例２と同様に処理
して下記第１表記載化合物を得る。

【０１８５】

【表１】

【０１８６】実施例７ Ｎ−｛６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ〕−５−（２−メトキシフェノキシ）
−２−（２−ピリミジニル）−ピリミジン−４−イル｝
−２−チオフェンスルホンアミド

【０１８７】

【化５４】

【０１８８】６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−
イルオキシ）エトキシ〕−５−（２−メトキシフェノキ
シ） −２−（２−ピリミジニル）−ピリミジン−４−
アミン１００ｍｇ、水素化ナトリウム（６０％分散型）
５３．５ｍｇ及びテトラヒドロフラン３ｍｌの混合物を
室温で２０分間撹拌する。続いて、チオフェンスルホニ
ルクロリド２３．４ｍｇを加え、２２時間撹拌する。反
応液を飽和塩化アンモニウムで処理し、酢酸エチルで抽
出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、
残渣を分取用薄層クロマトグラフィー（展開溶媒；クロ
ロホルム：メタノール＝１０：１）で精製して、標的化
合物４９．１ｍｇを得る。

【０１８９】ｍ．ｐ．： ＞３００℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：１５６０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：６５８（ＭＨ⁺ ） 実施例８ Ｎ−｛６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ〕−５−（２−メトキシフェノキシ）
−２−（２−ピリミジニル）−ピリミジン−４−イル｝
−２−ナフタレンスルホンアミド

【０１９０】

【化５５】

【０１９１】６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−
イルオキシ）エトキシ〕−５−（２−メトキシフェノキ
シ） −２−（２−ピリミジニル）−ピリミジン−４−
アミンと対応原料化合物を実施例７と同様に処理して標
的化合物を得る。

【０１９２】ｍ．ｐ．：１６３．０−１６５．０℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：１５６０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：７０４（ＭＨ⁺ ） 実施例９ Ｎ−｛６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ〕−５−（２−メトキシフェノキシ）
−２−モルホリノピリミジン−４−イル｝ −２−チオ
フェンスルホンアミド

【０１９３】

【化５６】

【０１９４】６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−
イルオキシ）エトキシ〕−５−（２−メトキシフェノキ
シ） −２−モルホリノ−ピリミジン−４−アミン２０
０ｍｇ、水素化ナトリウム（６０％分散型）４６．２ｍ
ｇ及びテトラヒドロフラン６ｍｌの混合物を室温で２０
分間撹拌する。続いて、２−チオフェンスルホニルクロ
リド２１１ｍｇを加え、２０時間撹拌する。反応液を飽
和塩化アンモニウムで処理し、酢酸エチルで抽出する。
酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、残渣をエ
ーテル−ヘキサンにて再結晶化し、標的化合物４６ｍｇ
を得る。

【０１９５】ｍ．ｐ．： １８６−１８８℃ 実施例１０ Ｎ−｛６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ〕−５−（２−メトキシフェノキシ）
−２−モルホリノピリミジン−４−イル｝−２−ナフタ
レンスルホンアミド

【０１９６】

【化５７】

【０１９７】６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−
イルオキシ）エトキシ〕−５−（２−メトキシフェノキ
シ） −２−モルホリノ−ピリミジン−４−アミンと対
応原料化合物を実施例９と同様に処理して標的化合物を
得る。

【０１９８】ｍ．ｐ．：１７８．０−１８１．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：１５６０，１４６０，１
３８０，１３２０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：７０９（ＭＨ⁺ ） 実施例１１ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛５−（２−ベンゾチエニ
ル）−６−〔２−（５−メチルチオピリミジン−２−イ
ルオキシ）エトキシ〕ピリミジン−４−イル｝ベンゼン
スルホンアミド

【０１９９】

【化５８】

【０２００】Ｎ−｛５−ブロモ−６−〔２−（５−メチ
ルチオピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ〕ピリミ
ジン−４−イル｝−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスル
ホンアミド２００ｍｇ、２−ベンゾチエニルトリブチル
スズ４６０ｍｇ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム（ＩＩ）クロリド５１ｍｇ、トリフェニルホスフ
ィン２８ｍｇ、臭化銅（Ｉ）２１ｍｇ、２，６−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルクレゾールの結晶２、３片及びジオキサ
ン６ｍｌの混合物を２時間加熱還流する。冷却後、反応
液を酢酸エチルとフッ化カリウム水溶液で希釈し、室温
で６０分攪拌する。不溶物をろ去し、酢酸エチルで抽出
する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後溶媒を留去し、残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；塩化メ
チレン：アセトン＝３０：１）で精製後、酢酸エチルで
再結晶して、標的化合物１８２ｍｇを得る。

【０２０１】ｍ．ｐ．：１９８．５−１９９．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：１６１０，１５７０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：６０８（ＭＨ⁺ ） 実施例１２−１６ Ｎ−｛５−ブロモ−６−〔２−（５−メチルチオピリミ
ジン−２−イルオキシ）エトキシ〕ピリミジン−４−イ
ル｝−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミド及
び対応原料化合物を実施例１１と同様に処理して下記第
２表記載化合物を得る。

【０２０２】

【表２】

【０２０３】実施例１７ Ｎ−｛６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ〕−５−（２−メトキシフェノキシ）−
２−メチルピリミジン−４−イル｝ナフタレンスルホン
アミド

【０２０４】

【化５９】

【０２０５】Ｎ−｛６−（２−ヒドロキシエトキシ）−
５−（２−メトキシフェノキシ）−２−メチルピリミジ
ン−４−イル｝ナフタレンスルホンアミド及び対応原料
化合物を実施例１と同様に処理して標的化合物を得る。

【０２０６】ｍ．ｐ．：１６２．５−１６４．５℃ 以上本発明化合物について詳述したが、本発明に含有さ
れる代表的な化合物としては前述の実施例に記載されて
いるものの他、下記第３表〜第４表のものを挙げること
ができる。

【０２０７】

【表３】

【０２０８】

【表４】

【０２０９】参考例１ （１）テトラヒドロフラン４００ｍｌ、エチレングリコ
ール６０ｍｌの混液に、氷冷攪拌下、水素化ナトリウム
（６０％分散型）３．３８ｇを加え、次いで、４，６−
ジクロロ−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン２
０．０ｇを加える。氷冷下で３０分、更に室温で２時間
攪拌後、酢酸を用いて弱酸性とした後、減圧濃縮する。
残渣を酢酸エチルに溶かし、洗浄、乾燥後、減圧乾固す
る。残渣をヘキサンで結晶化して、２−｛６−クロロ−
５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イルオキ
シ｝エタノール２１．８５ｇを得る。

【０２１０】ｍ．ｐ．：６２−６４℃ （２）２−｛６−クロロ−５−（４−メチルフェニル）
ピリミジン−４−イルオキシ｝エタノール２１．８５
ｇ、アジ化ナトリウム１０．７ｇ、ジメチルホルムアミ
ド２６０ｍｌの混合物を７５〜８０℃で一晩加熱攪拌す
る。冷却後水で処理し、酢酸エチルで抽出する。酢酸エ
チル層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、残渣をヘキサン
で結晶化して２−｛６−アジド−５−（４−メチルフェ
ニル）ピリミジン−４−イルオキシ｝エタノール１９．
６ｇを得る。

【０２１１】ｍ．ｐ．：８３．５−８５℃ ＭＳ（ｍ／ｚ）：２７１（Ｍ⁺ ） （３）２−｛６−アジド−５−（４−メチルフェニル）
ピリミジン−４−イルオキシ｝エタノール１９．６ｇ、
１０％パラジウム−炭素（５０％含水）４．０ｇ及びエ
タノール２４０ｍｌの混合物を水素雰囲気下（１気
圧）、室温にて１時間接触還元に付す。触媒をろ去し、
ろ液を減圧濃縮し、残渣を酢酸エチル−ヘキサンで再結
晶して２−｛６−アミノ−５−（４−メチルフェニル）
ピリミジン−４−イルオキシ｝エタノール１５．９ｇを
得る。

【０２１２】ｍ．ｐ．：１０４−１０５℃ 参考例２ （１）４，６−ジクロロ−５−（４−メチルフェニル）
ピリミジン４．１４ｇのエーテル２０ｍｌ溶液に２７％
アンモニア−メタノール溶液３０ｍｌを加え、封管中、
室温で３日間反応させる。溶媒を減圧濃縮し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；ヘキサン：
酢酸エチル１０：１〜酢酸エチルのみ）で精製し、６−
クロロ−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−
アミン１．８９ｇを得る。

【０２１３】ｍ．ｐ．：１６８−１７１℃ （２）６−クロロ−５−（４−メチルフェニル）ピリミ
ジン−４−アミン５００ｍｇ、エチレングリコール１０
ｍｌ、水素化ナトリウム（６０％分散型）０．４６ｇの
混合物を７０℃で２時間、更に９０℃で５時間反応させ
る。混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液で処理し、酢
酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後溶媒
を留去する。残渣をヘキサン−酢酸エチルで結晶化し
て、２−｛６−アミノ−５−（４−メチルフェニル）ピ
リミジン−４−イルオキシ｝エタノール４２２ｍｇを得
る。

【０２１４】ｍ．ｐ．：９１．５−９３．５℃ 参考例３ ２−｛６−アミノ−５−（４−メチルフェニル）ピリミ
ジン−４−イルオキシ｝エタノール７．５４ｇのテトラ
ヒドロフラン１５０ｍｌ溶液に水素化ナトリウム（６０
％分散型）１．４７ｇを加えた後、５−ブロモ−２−ク
ロロピリミジン７．７３ｇを加え、室温で一晩攪拌す
る。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、溶媒
を減圧留去する。析出する結晶をろ取し、洗浄、乾燥す
る。粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
媒；クロロホルム：メタノール１００：１〜８０：１）
で精製後、テトラヒドロフラン−ジエチルエーテルで再
結晶して、６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−イ
ルオキシ）エトキシ〕−５−（４−メチルフェニル）ピ
リミジン−４−アミン１１．２７ｇを得る。

【０２１５】ｍ．ｐ．：１７８．５−１７９．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３４００，３３００，３
１３０，１６４０，１５８０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：４０１，４０３（Ｍ⁺ ） 参考例４ （１）４，６−ジクロロピリミジン１．３３ｇ及び４−
ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミド１．９６ｇの
ジメチルスルホキシド２０ｍｌ溶液に水素化ナトリウム
（６０％分散型）７１４ｍｇを加える。室温で２時間攪
拌後、反応液を１０％塩酸及び水で希釈し、酢酸エチル
で抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後溶媒を留去
し、残渣を酢酸エチルで再結晶して、４−ｔｅｒｔ−ブ
チル−Ｎ−（６−クロロピリミジン−４−イル）ベンゼ
ンスルホンアミド２．０２ｇを得る。

【０２１６】ｍ．ｐ．：２２５−２２６．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３０３５，１６３０，１
５９５，１５７５ ＭＳ（ｍ／ｚ）：３２５（Ｍ⁺ ） （２）エチレングリコール２０ｍｌに水素化ナトリウム
（６０％分散型）１．０３ｇを加え、さらに４−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−Ｎ−（６−クロロピリミジン−４−イル）
ベンゼンスルホンアミド１．６６ｇを加え、６０℃で２
０時間攪拌する。冷却後、１０％塩酸を用いて酸性と
し、酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥
後、溶媒を留去する。残渣を酢酸エチルで結晶化して、
４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−（２−ヒドロキシエ
トキシ）ピリミジン−４−イル）ベンゼンスルホンアミ
ド１．５８ｇを得る。

【０２１７】ｍ．ｐ．：１６９−１７０．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３４４０，１６００，１
５７０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：３５２（ＭＨ⁺ ） （３）４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−（２−ヒドロ
キシエトキシ）ピリミジン−４−イル）ベンゼンスルホ
ンアミド２１０ｍｇのジメチルホルムアミド４ｍｌ溶液
にＮ−ブロモスクシンイミド１１６ｍｇを加え、室温で
１時間攪拌する。亜硫酸水素ナトリウム水溶液で処理し
た後、酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾
燥後、溶媒を留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（溶媒；クロロホルム：メタノール＝４
０：１）で精製後、ヘキサン−酢酸エチルで再結晶し
て、Ｎ−〔５−ブロモ−６−（２−ヒドロキシエトキ
シ）ピリミジン−４−イル〕−４−ｔｅｒｔ−ブチルベ
ンゼンスルホンアミド１６９ｍｇを得る。

【０２１８】ｍ．ｐ．：１４６−１４７．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３３６０，３２００，１
６２０，１５７５ ＭＳ（ｍ／ｚ）：４３２，４３０（ＭＨ⁺ ） （４）Ｎ−〔５−ブロモ−６−（２−ヒドロキシエトキ
シ）ピリミジン−４−イル〕−４−ｔｅｒｔ−ブチルベ
ンゼンスルホンアミド３．１０ｇのジメチルアセトアミ
ド３０ｍｌ溶液に水素化ナトリウム（６０％分散型）７
２０ｍｇを加え、室温で３０分攪拌する。次いで、２−
クロロ−５−メチルチオピリミジン１．５１ｇを加え、
室温で一晩攪拌する。反応液を１０％塩酸及び飽和塩化
アンモニウム水溶液で処理し、酢酸エチルで抽出する。
酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去する。残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホ
ルム：酢酸エチル＝１０：１）で精製後、ヘキサン−酢
酸エチルで再結晶して、Ｎ−｛５−ブロモ−６−〔２−
（５−メチルチオピリミジン−２−イルオキシ）エトキ
シ〕ピリミジン−４−イル｝−４−ｔｅｒｔ−ブチルベ
ンゼンスルホンアミド３．３４ｇを得る。

【０２１９】ｍ．ｐ．：１２０−１２１℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：１５８５，１５７５，１
５５０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：５５６，５５４（ＭＨ⁺ ） 参考例５ （１）４，６−ジクロロピリミジン５．０ｇ、エチレン
グリコール１００ｍｌ及びテトラヒドロフラン１００ｍ
ｌの混合物に、氷冷下、水素化ナトリウム（６０％分散
型）１．３４ｇを加える。同温で２時間攪拌した後、溶
媒を留去する。残渣を酢酸エチルで抽出し、抽出液を乾
燥後、減圧下濃縮する。残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（溶媒；クロロホルム：酢酸エチル５：１
〜２：１）で精製して、２−（６−クロロピリミジン−
４−イルオキシ）エタノール５．６７ｇを油状物として
得る。

【０２２０】ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３３００，
１５７５，１５４５ ＭＳ（ｍ／ｚ）：１７５（ＭＨ⁺ ） （２）２−（６−クロロピリミジン−４−イルオキシ）
エタノール５．６１ｇのジメチルホルムアミド６０ｍｌ
溶液に、アジ化ナトリウム４．１８ｇを加え、７０℃で
２０時間攪拌する。冷却後、反応液を水で処理し、酢酸
エチルで抽出する。酢酸エチル層を乾燥後、溶媒を留去
する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
媒；ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）で精製して、２−
（６−アジドピリミジン−４−イルオキシ）エタノール
１．６８ｇを得る。

【０２２１】ｍ．ｐ．：４９−５０℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３２８０，２０７０，１
６００，１５５０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：１８１（ＭＨ⁺ ） （３）２−（６−アジドピリミジン−４−イルオキシ）
エタノール１．６４ｇ、１０％パラジウム−炭素０．２
５ｇ及びエタノール２０ｍｌの混合物を水素雰囲気下
（１気圧）、室温にて１時間、接触還元に付す。触媒を
ろ去し、ろ液を濃縮する。残渣をエタノール−ジエチル
エーテルで再結晶して、２−（６−アミノピリミジン−
４−イルオキシ）エタノール１．１１ｇを得る。

【０２２２】ｍ．ｐ．：１３３−１３７℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３３６０，３２００，１
６６０，１６１０，１５５０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：１５６（ＭＨ⁺ ） （４）２−（６−アミノピリミジン−４−イルオキシ）
エタノール４００ｍｇのメタノール４ｍｌ懸濁液に、臭
素４３７ｍｇのメタノール２ｍｌ溶液を滴下する。溶媒
を留去後、残渣を酢酸エチルに溶かす。飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液で処理した後、酢酸エチル−テトラヒド
ロフランで抽出する。有機層を洗浄、乾燥後、溶媒を留
去して、２−（６−アミノ−５−ブロモピリミジン−４
−イルオキシ）エタノール６３２ｍｇを得る。

【０２２３】ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３４８０，
３４２０，３３９０，３２９０，１６４０，１５８０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：２３５，２３３（Ｍ⁺ ） （５）２−（６−アミノ−５−ブロモピリミジン−４−
イルオキシ）エタノール６１１ｍｇのジメチルホルムア
ミド２０ｍｌ溶液に水素化ナトリウム（６０％分散型）
１２５ｍｇを加える。２０分攪拌後、２−クロロ−５−
メチルチオピリミジン４６１ｍｇを加え、室温で３時間
攪拌する。氷水を加え、酢酸エチルで抽出する。酢酸エ
チル層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去する。残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホルム：
メタノール＝２０：１）で精製後、酢酸エチル−ジイソ
プロピルエーテルで結晶化して、５−ブロモ−６−〔２
−（５−メチルチオピリミジン−２−イルオキシ）エト
キシ〕ピリミジン−４−アミン５０１ｍｇを得る。

【０２２４】ｍ．ｐ．：１２６−１２９℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３４５０，３２７０，１
６３５，１５８５，１５７０，１５４０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：３５９，３５７（ＭＨ⁺ ） （６）５−ブロモ−６−〔２−（５−メチルチオピリミ
ジン−２−イルオキシ）エトキシ〕ピリミジン−４−ア
ミン１０２ｍｇのテトラヒドロフラン２ｍｌ溶液に、水
素化ナトリウム（６０％分散型）３４ｍｇを加えた後、
４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニルクロリド１９
８ｍｇを加え、室温で２０分攪拌する。ピリジン１滴及
び水を加え、室温で３０分攪拌し、次いで、飽和塩化ア
ンモニウム水溶液を用いて中和する。酢酸エチルで抽出
し、酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、残渣
を分取用薄層クロマトグラフィー（展開溶媒；クロロホ
ルム：メタノール＝１５：１）で精製後、ヘキサン−酢
酸エチルで再結晶して、Ｎ−｛５−ブロモ−６−〔２−
（５−メチルチオピリミジン−２−イルオキシ）エトキ
シ〕ピリミジン−４−イル｝−４−ｔｅｒｔ−ブチルベ
ンゼンスルホンアミド１３５ｍｇを得る。物性値は参考
例４（４）と同じである。

【０２２５】参考例６ （１）（２−チエニル）マロン酸ジエチル１８．０ｇ及
び５−ピリミジニルアミジン塩酸塩１０．０２ｇのメタ
ノール１５０ｍｌ溶液に、氷冷下で２８％ナトリウムメ
トキシド３６．５８ｇのメタノール３０ｍｌ溶液を加
え、室温で１６時間撹拌する。反応後、溶液を濃縮し、
１０％塩酸で酸性とする。３０分間撹拌後、析出晶をろ
過、洗浄、乾燥して５−（２−チエニル）−４，６−ジ
ヒドロキシ−２−（２−ピリミジニル）ピリミジン５．
１５ｇを結晶性粉末として得る。

【０２２６】ｍ．ｐ． ２４４〜２４６℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：１６３５，１６００ ＭＳ（ｍ／ｚ）：２７２（Ｍ⁺ ） （２）本品５．００ｇ、Ｎ−ジエチルアニリン１５ｍｌ
及びオキシ塩化リン５０ｍｌの混合物を８０℃で２時間
撹拌後、９０℃で３．５時間撹拌した。反応後オキシ塩
化リンを留去し、水３００ｍｌにゆっくり注加する。混
合物を室温で撹拌し、酢酸エチルで抽出する。洗浄、乾
燥後、溶媒を留去して、残さをシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（溶媒；クロロホルム：酢酸エチル＝５：
１）で精製後、５−（２−チエニル）−４，６−ジクロ
ロ−２−（２−ピリミジニル）ピリミジン２．７７ｇを
結晶として得る。

【０２２７】ｍ．ｐ． １５９〜１６０℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：１５６０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：３０８（Ｍ⁺ ） （３）本品２．７７ｇのジメチルスルホキシド３０ｍｌ
懸濁液に、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミ
ド２．３０ｇ及び炭酸カリウム６．１９ｇを加え、８０
℃で８時間撹拌する。冷却後、反応混合物を氷冷した１
０％塩酸で酸性とする。酢酸エチル抽出、洗浄、乾燥後
溶媒を留去し、残さをフラッシュシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（溶媒；ヘキサン：酢酸エチル＝１：
１）で精製後、さらにｎ−ヘキサン−酢酸エチルで結晶
化して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−クロロ−５−
（２−チエニル）−２−（２−ピリミジニル）ピリミジ
ン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミド１．６７ｇを粉
末として得る。

【０２２８】ｍ．ｐ． １２９．５〜１３１．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：１６４０，１５６０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：４８６（Ｍ⁺ ） （４）エチレングリコール２０ｍｌに、水素化ナトリウ
ム（６０％分散型）６８８ｍｇを加え、本品１６７２ｍ
ｇを加える。反応液を室温にて２０分間撹拌後、１４０
℃で３．５時間反応させる。冷却後、反応液を１０％塩
酸を用いて酸性とし、酢酸エチル抽出し、酢酸エチル層
を洗浄、乾燥後、減圧乾固し、ｎ−ヘキサン−酢酸エチ
ルで結晶化して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−（３
−ヒドロキシエチルオキシ）−５−（２−チエニル）−
２−（２−ピリミジニル）ピリミジン−４−イル｝ベン
ゼンスルホンアミド１７９０ｍｇを結晶として得る。

【０２２９】ｍ．ｐ．：２３６−２３７℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３４５０−３３８０，１
６２０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：５１２（Ｍ⁺ ） 参考例７ （１）５−（２−メトキシフェノキシ）−４，６−ジク
ロロ−２−（２−ピリミジニル）ピリミジンとエチレン
グリコールとを参考例１−（１）と同様に処理して、２
−｛６−クロロ−５−（２−メトキシフェノキシ）−２
−（２−ピリミジニル）ピリミジン−４−イルオキシ｝
エタノール５．３７を粉末として得る。

【０２３０】ｍ．ｐ．：１３３−１３７℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３６００−３３００，１
６５０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：３７４（Ｍ⁺ ） （２）本品５．３７ｇを参考例１−（２）と同様に処理
して２−｛６−アジド−５−（２−メトキシフェノキ
シ）−２−（２−ピリミジニル）ピリミジン−４−イル
オキシ｝エタノール１．２９ｇを粉末として得る。

【０２３１】ｍ．ｐ．：１３３−１３４．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３４３０−３３５０，２
１８０，２１７０，１５８０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：３８１（Ｍ⁺ ） （３）本品１．２９ｇを参考例１−（３）と同様に処理
して２−｛６−アミノ−５−（２−メトキシフェノキ
シ）−２−（２−ピリミジニル）ピリミジン−４−イル
オキシ｝エタノール７８８ｍｇを粉末として得る。

【０２３２】ｍ．ｐ．：１８３．５−１８５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３５９０，３４５０，１
６２０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：３５５（Ｍ⁺ ） （４）本品７７８ｍｇを参考例３と同様に処理して６−
〔２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオキシ）エト
キシ〕−５−（２−メトキシフェノキシ）−２−（２−
ピリミジニル）ピリミジン−４−アミン７３３ｍｇを粉
末として得る。

【０２３３】ｍ．ｐ．：１２４．５−１２８．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３４８０，３２８０，１
６３０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：５１２（Ｍ⁺ ） 参考例８ （１）（２−メトキシフェノキシ）マロン酸ジエチル１
０．０ｇ及び２８％ナトリウムメトキシド３．８３ｇの
メタノール１００ｍｌ溶液に尿素２．２３ｇを加温下で
加え、８０℃で１６時間還流する。反応後、溶液を濃縮
し、１０％塩酸で酸性とする。析出晶をろ過、洗浄、乾
燥して５−（２−メトキシフェノキシ）−２，４，６−
トリヒドロキシピリミジン７．１０ｇを結晶性粉末とし
て得る。

【０２３４】ｍ．ｐ． ２０２−２０４℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３５００，３１８０−２
８００，１７１０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：２５１（Ｍ⁺ ） （２）本品１．００ｇ、Ｎ−ジエチルアニリン１．２８
ｍｌ及びオキシ塩化リン５ｍｌの混合物を３時間加熱還
流後、オキシ塩化リンを留去し、水にゆっくり注加す
る。混合物を室温で撹拌し、エーテルで抽出する。洗
浄、乾燥後、溶媒を留去して、残さをシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（溶媒；ヘキサン：酢酸エチル＝３
０：１）で精製後、５−（２−メトキシフェノキシ）−
２，４，６−トリクロロピリミジン３５１ｍｇを結晶と
して得る。

【０２３５】ｍ．ｐ． １５０．５−１５２℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：１６００ ＭＳ（ｍ／ｚ）：３０４（Ｍ⁺ ） （３）Ｎ−メチルモルホリン１１３．５ｍｇのトルエン
５ｍｌ溶液に１００℃にて本品３００ｍｇのトルエン５
ｍｌ溶液を加え、９０℃で２時間撹拌する。冷却後、水
を加え酢酸エチル抽出、洗浄、乾燥後溶媒を留去し、残
さをｎ−ヘキサンで結晶化して２−Ｎ−モルホリノ−
４，６−ジクロロ−５−（２−メトキシフェノキシ）ピ
リミジン３４４ｍｇを粉末として得る。

【０２３６】ｍ．ｐ． １７９．５−１８０℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：１６００，１５４０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：３５５（Ｍ⁺ ） （４）テトラヒドロフラン２０ｍｌ、２−ベンジルオキ
シエタノール３．６６ｇの混液に、室温にて水素化ナト
リウム（６０％分散型）９１７ｍｇを加え２０分間撹拌
後、本品７．７８ｇを含むテトラヒドロフラン−ジメチ
ルスルホキシドの混液３０ｍｌを滴下し、室温にて１時
間撹拌後、５０℃にて２時間撹拌した。残渣を酢酸エチ
ルに溶かし、洗浄、乾燥後、減圧乾固する。、残さをシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホル
ム：酢酸エチル＝４０：１）で精製後、６−（２−ベン
ジルオキシエトキシ）−４−クロロ−５−（２−メトキ
シフェノキシ）−２−モルホリノピリミジン６．６１ｇ
を得る。

【０２３７】ｍ．ｐ．：１３３−１３４．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：１６００，１５４０−１
５２０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：４７２（Ｍ⁺ ） （５）本品８．２６ｇを参考例１−（２）と同様に処理
して４−アジド−６−（２−ベンジルオキシエトキシ）
−５−（２−メトキシフェノキシ）−２−モルホリノピ
リミジン５．８３ｇを粉末として得る。

【０２３８】ｍ．ｐ．：１４６−１４７．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：２１５０，１６００ ＭＳ（ｍ／ｚ）：４７９（Ｍ⁺ ） （６）本品５．８３ｇを参考例１−（３）と同様に処理
して２−｛６−アミノ−５−（２−メトキシフェノキ
シ）−２−モルホリノピリミジン−４−イルオキシ｝エ
タノール３．４０ｇを粉末として得る。

【０２３９】ｍ．ｐ．：１３６−１３８．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３６００−３２００，１
６３０，１６００ ＭＳ（ｍ／ｚ）：３６３（Ｍ⁺ ） （７）本品２００ｍｇを参考例３と同様に処理して６−
〔２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオキシ）エト
キシ〕−５−（２−メトキシフェノキシ）−２−モルホ
リノピリミジン−４−アミン２９０ｍｇをカラメルとし
て得る。

【０２４０】ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３４６０−
３１００，１６００ ＭＳ（ｍ／ｚ）：５１９（Ｍ⁺ ）

【０２４１】

【発明の効果】本発明の目的化合物〔Ｉ〕又はその薬理
的に許容し得る塩は、優れたエンドセリン拮抗作用を有
することから、エンドセリン活性に関連する疾患、例え
ば、高血圧症、肺性高血圧症、腎性高血圧症、レイノー
病、気管支喘息、胃潰瘍、炎症性腸疾患（クローン
病）、ショック、発癌、血管形成術後の再狭窄、臓器移
植後の臓器機能不全、糖尿病、血栓症、動脈硬化症、心
不全、急性腎不全、糸球体腎炎、サイクロスポリン誘発
腎毒性、心筋梗塞、狭心症、不整脈、緑内症、片頭痛、
脳血管攣縮及び脳梗塞等の予防又は治療薬として有用で
ある。また本発明の目的物は、毒性も低く、医薬化合物
として使用する場合、高い安全性を有する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ａ６１Ｋ 31/506 Ａ６１Ｋ 31/506 Ａ６１Ｐ 1/04 Ａ６１Ｐ 1/04 9/00 9/00 9/12 9/12 43/00 １１１ 43/00 １１１ (72)発明者 河野 理夏子 埼玉県大宮市桜木町４丁目180番地１ 藤和シティコープ大宮桜木町401 (56)参考文献 特開 平８−99961（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−208625（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−155864（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−222003（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−211810（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−17972（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C07D 239/69 C07D 401/14 C07D 405/14 C07D 409/14 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式〔Ｉ〕 【化１】 （但し、環Ａは置換もしくは非置換の単環式又は二〜三
   環式炭化水素基或いは置換もしくは非置換複素環式基を
   表し、環Ｂは、（１）環Ａが置換もしくは非置換単環式
   炭化水素基の場合、置換もしくは非置換二〜三環式炭化
   水素基又は置換もしくは非置換複素環式基であり、
   （２）環Ａが置換もしくは非置換二〜三環式炭化水素基
   又は置換もしくは非置換複素環式基の場合、置換もしく
   は非置換の単環式又は二〜三環式炭化水素基或いは置換
   もしくは非置換複素環式基であることを表し、Ｑは単結
   合手又は式−Ｏ−、−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ₂ −もし
   くは−ＣＨ₂ −で示される基、Ｙは式−Ｏ−、−Ｓ−又
   は−ＮＨ−で示される基、Ａｌｋは低級アルキレン基又
   は低級アルケニレン基、Ｚは式−Ｏ−又は−ＮＨ−で示
   される基、Ｒは置換もしくは非置換の芳香族複素環式基
   もしくはアリール基、Ｒ¹は水素原子、トリフルオロメ
   チル基、置換もしくは非置換モノ−もしくはジ−低級ア
   ルキルアミノ基、置換もしくは非置換低級アルキル基、
   置換もしくは非置換低級アルケニル基、置換もしくは非
   置換低級アルキニル基、置換もしくは非置換低級アルキ
   ルチオ基、置換もしくは非置換低級アルコキシ基、置換
   もしくは非置換複素環式基又はアリール基を表す。）で
   示されるスルホンアミド誘導体又はその薬理的に許容し
   得る塩。
2. 【請求項２】 環Ａが低級アルキル基もしくは低級アル
   キレンジオキシ基で置換されているフェニル基であり、
   環Ｂがナフチル基、ピリジル基、フリル基、低級アルキ
   ル基で置換されていてもよいチエニル基又はベンゾチエ
   ニル基であるか、又は環Ａがジ低級アルキルアミノ基で
   置換されていてもよいナフチル基、インデニル基、アン
   トリル基、ピリジル基もしくは低級アルキル基で置換さ
   れていてもよいチエニル基、ベンゾフリル基又はベンゾ
   チエニル基であり、環Ｂが、低級アルキル基もしくは低
   級アルコキシ基で置換されているフェニル基、ナフチル
   基、ピリジル基、フリル基、低級アルキル基で置換され
   ていてもよいチエニル基又はベンゾチエニル基であり、
   Ｑが単結合手又は式−Ｏ−で示される基、Ｙが式−Ｏ−
   で示される基、Ａｌｋが低級アルキレン基、Ｚが式−Ｏ
   −で示される基、Ｒがハロゲン原子、チエニル基又は低
   級アルキルチオ基で置換されていているピリミジニル
   基、Ｒ¹ が水素原子、水酸基置換低級アルキルアミノ
   基、低級アルキル基、カルボキシル基置換低級アルキル
   チオ基、水酸基置換低級アルコキシ基、ピリミジニル
   基、水酸基置換ピペリジニル基、低級アルキル基置換ピ
   ペラジニル基又はモルホリノ基である請求項１記載の化
   合物。
3. 【請求項３】 環Ａが低級アルキル基もしくは低級アル
   キレンジオキシ基で置換されているフェニル基であり、
   環Ｂがナフチル基、ピリジル基、フリル基、低級アルキ
   ル基で置換されていてもよいチエニル基又はベンゾチエ
   ニル基であるか、又は環Ａがジ低級アルキルアミノ基で
   置換されていてもよいナフチル基、インデニル基、アン
   トリル基、ピリジル基もしくは低級アルキル基で置換さ
   れていてもよいチエニル基、ベンゾフリル基又はベンゾ
   チエニル基であり、環Ｂが、低級アルキル基もしくは低
   級アルコキシ基で置換されているフェニル基又は低級ア
   ルキル基で置換されているチエニル基である請求項２記
   載の化合物。