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JP3014882B2 - コンデンサ内蔵型圧電発振子用パッケージベース基板 - Google Patents
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JP3014882B2 - コンデンサ内蔵型圧電発振子用パッケージベース基板 - Google Patents

コンデンサ内蔵型圧電発振子用パッケージベース基板

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JP3014882B2
JP3014882B2 JP4338226A JP33822692A JP3014882B2 JP 3014882 B2 JP3014882 B2 JP 3014882B2 JP 4338226 A JP4338226 A JP 4338226A JP 33822692 A JP33822692 A JP 33822692A JP 3014882 B2 JP3014882 B2 JP 3014882B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサ内蔵型圧電
発振子用パッケージベース基板に関する。
【0002】
【従来の技術】コンデンサ内蔵型圧電発振子として、パ
ッケージベース基板が誘電体セラミック基板であって、
その誘電体セラミック基板自身がコンデンサとして機能
するものがある。このコンデンサ内蔵型圧電発振子のパ
ッケージベース基板は、一般に次の2通りで製造され
る。その1つは、個々のユニットのベース基板(誘電体
セラミック基板)を乾式プレス成型により所定の形状に
成形し、焼成することにより得るものである。そして、
各ユニットのベース基板の表面、裏面及び側面に電極を
形成し、所定の電極上に圧電素子を固着し、更にベース
基板上に上キャップを接合することにより、コンデンサ
内蔵型圧電発振子を作製する。
【0003】もう1つは、図3に示すように誘電体セラ
ミック基板20に、ブレイク用のクラックとして横方向
に延びるスリット(横スリット)21と、縦方向に延び
るスリット(縦スリット)22を、それぞれ等間隔で並
列に形成するものである。そして、縦横のスリットによ
って形成された各ユニット23の表面及び裏面に電極を
形成し、横スリット21をブレイクして、ユニット23
が横方向につながったバーに分割する。続いて、このバ
ーのブレイク面(側面)に横電極を形成し、所定の電極
上に圧電素子を固着し、更にユニット23上に上キャッ
プを接合する。次いで、縦スリット22をブレイクし
て、個々のユニット23に分離し、コンデンサ内蔵型圧
電発振子を得る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、各ユニ
ット毎に圧電発振子を製造する場合、1個ずつ発振子を
作製するため、コストが高くなるという問題点がある。
又、縦横のスリットを利用して製造する場合、縦横のス
リットによりブレイクするため、ブレイクのコストが掛
かるばかりか、横スリットのブレイク時に縦スリットも
ブレイクしてしまうことがあり、歩留りが低下する。そ
の上、横スリットのブレイク時に、横スリットに沿って
真っ直ぐにブレイクできずに斜めに割れ易いため、ブレ
イク後にブレイク面に横電極を形成し難くなるだけでな
く、電極間の面積が不均一になって側面でのコンデンサ
容量が変動し易い。
【0005】従って、本発明の目的は、縦横のスリット
を用いて圧電発振子を製造する場合において、ブレイク
コストの低減、横スリットブレイク時の不良率の低減、
ブレイク形状の不具合による品質低下の防止、及び生産
性の向上を実現するコンデンサ内蔵型圧電発振子用のパ
ッケージベース基板を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のコンデンサ内蔵型圧電発振子用パッケージ
ベース基板は、誘電体セラミック基板に、その一端付近
から対向端付近まで延びる狭幅孔を一定間隔を置いて並
列に形成し、両端に位置する狭幅孔間を横切るブレイク
用スリットを一定間隔を置いて並列に形成し、前記狭幅
孔が、各々のスリット間において同一位置に且つ等間隔
に複数の幅広部を有し、前記ブレイク用スリットのうち
両端に位置するスリットのみが、並列する全ての狭幅孔
をそれぞれ横切って誘電体セラミック基板の両端縁まで
延びていることを特徴とする。
【0007】このパッケージベース基板では、縦横共に
ブレイク用スリットではなく、一方がブレイク用スリッ
トで他方が細長い狭幅孔であり、スリット及び狭幅孔で
形成される各ユニット(個々のベース基板)の表面と裏
面に電極を設けた後、スリットのうち両端に位置するス
リットをブレイクすれば、ユニットが連続する複数本の
バーが一度に得られる。つまり、狭幅孔によって予めベ
ース基板がバー状に分離されているため、従来のように
横スリットを順にブレイクする必要がなくなり、ブレイ
クコストが低くなるばかりか、横スリットのブレイク時
に起こるブレイク不良は全く起こらず、しかもバーの側
面は直線的で平坦である。
【0008】本発明のベース基板において、ブレイク用
スリットはほぼ同じ深さで形成してもよいが、ベース基
板をバーに分割する際に両端のスリットを先にブレイク
するので、両端のスリットのみは他のスリットよりも深
くし、ブレイクし易くすると共にバーが折れないように
しておくことが好ましい。又、スリットの深さは、ベー
ス基板の厚さの5〜70%程度が望ましく、より望まし
くは30〜65%程度で、基板の材料である誘電体とし
ては、BaTiO3 ,SrTiO3 が例示される。
【0009】一方、狭幅孔は、ベース基板を予め完全に
バー状に分離しておくのに必要な幅を有していればよい
が、少なくとも0.1mm以上の幅は必要である。
【0010】
【実施例】以下、本発明のベース基板を実施例に基づい
て説明する。その一実施例に係るベース基板の平面図を
図1に示す。ベース基板としての誘電体セラミック基板
10には、その一端(左端)付近から他端(右端)付近
に延びる細長い狭幅孔11が等間隔で並列に形成される
と共に、両端に位置する狭幅孔11a,11b間を横切
るブレイク用スリット12が等間隔で並列に形成されて
いる。スリット12のうち、両端に位置するスリット1
2a,12bは、並列する全ての狭幅孔11の左端部及
び右端部をそれぞれ横断して、ベース基板10の一端
(上端)と他端(下端)まで延びている。そして、狭幅
孔11及びスリット12によって、ベース基板10に多
数のユニット(個々のベース基板)13が形成される。
従って、狭幅孔11の間隔はユニット13の所定幅に設
定され、スリット12の間隔はユニット13の所定長さ
に設定されている。
【0011】これら狭幅孔11とスリット12によっ
て、ベース基板10の四辺に沿ってダミー部分15,1
6,17,18が形成され、このダミー部分15〜18
は不要な部分となる。又、前述したように、スリット1
2の深さはベース基板10の厚さの5〜70%程度であ
り、両端のスリット12a,12bのみはその他のスリ
ット12よりも深く、先にブレイクし易いようになって
いる。なお、この実施例では、両端のスリット12a,
12b以外のスリット12は、両端の狭幅孔11a,1
1bまで延在するが、ダミー部分15,17の途中まで
延伸させてもよい。
【0012】狭幅孔11の形状は、図2にその拡大図を
示すように、単なる直線状ではなく、等間隔毎に幅広部
19が存在するパターンである。ここに示す幅広部19
は、各ユニット13の両側面に各々2つずつ形成されて
いるが、これは、例えばコンデンサ内蔵型圧電発振子と
して3つの外部電極を形成する際に、この幅広部(バー
に分割した後には切欠き部となる)19を利用してユニ
ットの側面に3つの電極を均一幅で形成し易いようにす
るためのものである。
【0013】次に、図1に示すベース基板10を用いて
コンデンサ内蔵型圧電発振子を製造する場合について簡
潔に述べる。まず、ベース基板10の各ユニット13の
表面及び裏面に電極を形成した後、両端のスリット12
a,12bをブレイクして、ダミー部分15〜18を除
去し、ユニット13が長さ方向に連続する複数本のバー
を得る。各バーは狭幅孔11によって予め完全に分離さ
れているため、横スリットのブレイクは全く不要であ
り、しかもバーの側面は直線的で平坦である。
【0014】続いて、各バーの側面にて、狭幅孔11の
幅広部19によって形成された切欠き部以外の部分に横
電極を形成する。そして、所定の電極上に圧電素子を導
電性接着剤でもって固着し、ユニット上に上キャップを
接合する。その後、スリット12よりブレイクして個々
のユニットに分割し、コンデンサ内蔵型圧電発振子を得
る。
【0015】
【発明の効果】本発明のコンデンサ内蔵型圧電発振子用
パッケージベース基板は、以上説明したように構成され
るため、下記の効果を有する。 (1)従来の横スリットの代わりに予めベース基板をバ
ー状に分離しておく狭幅孔を形成してあるため、両端の
ブレイク用スリットをブレイクするだけでベース基板を
複数本のバーに一度に分割することができる。従って、
横スリットのブレイクは一切不要であり、ブレイクコス
トを低減することができると共に、生産性を向上させる
ことができる。 (2)狭幅孔により横スリットが全く不要であるため、
横スリットのブレイクによる縦スリットからの割れ等の
不良は皆無であり、ブレイク時の不良率を大幅に低減で
きる。 (3)横スリットが不要で、横スリットのブレイクを行
う必要がないため、横スリットのブレイクによって生じ
ていたユニット側面の斜め割れ等による横電極の形成困
難を解消することができるだけでなく、ユニット側面の
チッピングを防止することができ、品質が向上する。 (4)分割後のバーの側面が直線的で平坦であるため、
電極間面積の不均一によるコンデンサ容量の変動を防止
することができ、品質が向上する。 (5)両端のスリットからブレイクすると、基板の4辺
に沿う不要部分(ダミー部分)が4つの細長い部分とな
って離れるため、その不要部分が以後の工程で基板上に
紛れ込むような不具合は起こらず、不要部分を確実に取
り除くことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施例に係るベース基板(誘電体セラミック
基板)の平面図である。
【図2】図1のベース基板に形成した狭幅孔の形状を示
す部分拡大図である。
【図3】従来例に係るベース基板の平面図である。
【符号の説明】
10 ベース基板(誘電体セラミック基板) 11 狭幅孔 12 ブレイク用スリット 13 ユニット 15〜18 ダミー部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03H 9/00 - 9/76

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】誘電体セラミック基板に、その一端付近か
    ら対向端付近まで延びる狭幅孔を一定間隔を置いて並列
    に形成し、両端に位置する狭幅孔間を横切るブレイク用
    スリットを一定間隔を置いて並列に形成し、前記狭幅孔
    は、各々のスリット間において同一位置に且つ等間隔に
    複数の幅広部を有し、前記ブレイク用スリットのうち
    端に位置するスリットのみは、並列する全ての狭幅孔を
    それぞれ横切って誘電体セラミック基板の両端縁まで延
    びていることを特徴とするコンデンサ内蔵型圧電発振子
    用パッケージベース基板。
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JP4529692B2 (ja) * 2005-01-07 2010-08-25 セイコーエプソン株式会社 結晶性基材の分割方法、及び、液体噴射ヘッドの製造方法

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