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JP3015255B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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JP3015255B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment

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Publication number
JP3015255B2
JP3015255B2 JP6156073A JP15607394A JP3015255B2 JP 3015255 B2 JP3015255 B2 JP 3015255B2 JP 6156073 A JP6156073 A JP 6156073A JP 15607394 A JP15607394 A JP 15607394A JP 3015255 B2 JP3015255 B2 JP 3015255B2
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Japan
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substrate
slit
glass substrate
fluid
fluid supply
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一夫 木瀬
健一 寺内
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Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、液晶用ガラス基板、
カラーフィルタ用基板などの基板の表面に所定の処理剤
の流体を供給し、基板へのレジストの塗布、現像、エッ
チング、剥離、洗浄など諸処理を行う基板処理装置に関
する。
The present invention relates to a glass substrate for liquid crystal,
The present invention relates to a substrate processing apparatus that supplies a fluid of a predetermined processing agent to a surface of a substrate such as a color filter substrate and performs various processes such as application, development, etching, peeling, and cleaning of a resist on the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の基板処理装置として、例えば特開
昭58−170565号公報で開示されているレジスト
塗布装置が存在する。図4は、この装置の構造を説明す
る図である。円形の基板6を低速で回転させつつ、この
基板6の表面上に、スリット4aが形成されたノズル4
からのレジスト液5を帯状に滴下する。次に、レジスト
液5の滴下を終了してから、基板6を高速で回転させ
て、基板6の表面にレジスト液5の薄膜を形成する。
2. Description of the Related Art As a conventional substrate processing apparatus, there is, for example, a resist coating apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-170565. FIG. 4 is a diagram illustrating the structure of this device. While rotating the circular substrate 6 at a low speed, a nozzle 4 having a slit 4a formed on the surface of the substrate 6
The resist solution 5 is dropped in a strip shape. Next, after the dropping of the resist solution 5 is completed, the substrate 6 is rotated at a high speed to form a thin film of the resist solution 5 on the surface of the substrate 6.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな装置では、1種類のレジスト液5しか基板6上に滴
下することができないので、例えば複数の基板6に対し
てそれぞれ異なる種類のレジスト液5を並列的に塗布処
理する場合には、2台のレジスト塗布装置が必要とな
り、装置コスト及び装置の設置スペースが増大してしま
う。
However, in such an apparatus, since only one type of resist solution 5 can be dropped on the substrate 6, for example, different types of resist solution 5 are applied to a plurality of substrates 6, respectively. When applying the resist in parallel, two resist coating apparatuses are required, which increases the apparatus cost and the installation space of the apparatus.

【0004】一方、図示を省略するが、基板表面に形成
されたレジスト薄膜を露光後に現像処理する従来の現像
装置では、まず現像液を基板表面に供給して現像処理を
開始させてから所定の現像時間経過後に、洗浄液を基板
表面に供給して現像液を基板から洗い流して基板表面か
ら取り除く。このため、現像液と洗浄液とをそれぞれ別
々に基板に供給する必要があるので、現像液用と洗浄液
用とにそれぞれ別々のノズルを装置内に配置して選択的
に動作させる構成となっている。
[0004] On the other hand, although not shown, in a conventional developing apparatus for developing a resist thin film formed on a substrate surface after exposure, a developing solution is first supplied to the substrate surface to start a developing process, and then a predetermined process is performed. After the elapse of the development time, a cleaning liquid is supplied to the substrate surface, and the developer is washed off the substrate and removed from the substrate surface. For this reason, since it is necessary to supply the developing solution and the cleaning solution to the substrate separately, separate nozzles are separately arranged in the apparatus for the developing solution and for the cleaning solution, and are selectively operated. .

【0005】しかしながら、このような装置では、各ノ
ズルを選択的に基板表面上に位置させる個別の機構が必
要となるので、装置の構成が複雑になってしまう。
However, such an apparatus requires a separate mechanism for selectively positioning each nozzle on the surface of the substrate, which complicates the structure of the apparatus.

【0006】そこで、この発明は、レジスト液等の処理
用流体を基板に供給して基板表面の処理を行う表面処理
装置であって、その装置コスト及び設置スペースを増大
させることのない簡単な構成で、処理用流体を個別に基
板に供給して基板表面の多様な処理を可能にする基板処
理装置を提供することを目的とする。
Accordingly, the present invention is a surface treatment apparatus for treating a substrate surface by supplying a processing fluid such as a resist solution to the substrate, and has a simple structure which does not increase the apparatus cost and installation space. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of supplying various processing fluids to a substrate individually to enable various processing of the substrate surface.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の基板処理装置は、基板の表面に処理用流
体を順次供給して基板の表面に所定の処理を施す基板処
理装置において、基板を支持する基板支持手段と、基板
支持手段に支持された基板の表面に向けて流体を供給す
るスリット状の流体吐出口をそれぞれ有する複数の流体
供給手段と、各流体吐出口が基板支持手段に支持された
基板の表面にそれぞれ平行に移動するように各流体供給
手段を案内する単一の案内手段とを備えることを特徴と
する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for sequentially supplying a processing fluid to a surface of a substrate and performing a predetermined processing on the surface of the substrate. A substrate supporting means for supporting the substrate, a plurality of fluid supply means each having a slit-shaped fluid discharge port for supplying a fluid toward the surface of the substrate supported by the substrate support means, and each fluid discharge port supporting the substrate. A single guiding means for guiding each fluid supply means so as to move in parallel with the surface of the substrate supported by the means.

【0008】また、請求項2の装置は、複数の流体供給
手段を選択的に移動させる駆動手段を備えることを特徴
とする。
[0008] The apparatus according to claim 2 is characterized in that it comprises a driving means for selectively moving a plurality of fluid supply means.

【0009】また、請求項3の装置は、基板支持手段に
支持された基板を回転させる基板回転手段をさらに備え
ることを特徴とする。
The apparatus according to a third aspect of the present invention is further characterized in that the apparatus further comprises substrate rotating means for rotating the substrate supported by the substrate supporting means.

【0010】また、請求項4の装置は、基板支持手段に
支持される基板が角型基板であるとともに、複数の流体
供給手段の各流体吐出口が基板支持手段に支持された角
型基板の互いに対向する2辺に沿って移動するように、
案内手段が各流体供給手段を案内することを特徴とす
る。
In the apparatus according to a fourth aspect of the present invention, the substrate supported by the substrate supporting means is a square substrate, and each of the fluid discharge ports of the plurality of fluid supply means is supported by the substrate supporting means. So that they move along the two sides facing each other,
The guide means guides each fluid supply means.

【0011】[0011]

【作用】請求項1の装置では、各流体吐出口が基板の表
面にそれぞれ平行に移動するように各流体供給手段を案
内する単一の案内手段を備え、案内手段を共通としてい
るので、各流体供給手段ごとに案内手段を設ける必要が
ない。したがって、基板処理装置をその装置コスト及び
設置スペースを増大させることのない簡単な構成とする
ことができる。
In the apparatus according to the first aspect of the present invention, a single guide means for guiding each fluid supply means such that each fluid discharge port moves in parallel with the surface of the substrate is provided, and the guide means is shared. There is no need to provide guide means for each fluid supply means. Therefore, the substrate processing apparatus can have a simple configuration without increasing the apparatus cost and installation space.

【0012】また、請求項2の基板処理装置は、複数の
流体供給手段を選択的に移動させる駆動手段を備えるの
で、各流体供給手段からの処理用流体を個別に基板に供
給して基板表面の多様な処理を可能にすることができ
る。
Further, the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention includes a driving means for selectively moving the plurality of fluid supply means, so that the processing fluid from each of the fluid supply means is individually supplied to the substrate and the surface of the substrate is processed. Can be variously processed.

【0013】また、請求項3の基板処理装置は、基板支
持手段に支持された基板を回転させる基板回転手段をさ
らに備えるので、基板の処理に際して、処理用流体を基
板に均一に供給することができる。
Further, the substrate processing apparatus according to the third aspect further includes substrate rotating means for rotating the substrate supported by the substrate supporting means, so that a processing fluid can be uniformly supplied to the substrate when processing the substrate. it can.

【0014】また、請求項4の基板処理装置は、案内手
段が複数の流体供給手段の各流体吐出口が角型基板の互
いに対向する2辺に沿って移動可能に各流体供給手段を
案内するので、角型基板の形状に近似した領域に処理流
体を直接供給することができ、角型基板の全体にわたっ
てより均一な処理を達成できる。
According to a fourth aspect of the present invention, the guide means guides each fluid supply means so that each fluid discharge port of the plurality of fluid supply means can move along two sides of the rectangular substrate facing each other. Therefore, the processing fluid can be directly supplied to a region approximating the shape of the rectangular substrate, and more uniform processing can be achieved over the entire rectangular substrate.

【0015】[0015]

【実施例】図1は、第1実施例の表面処理装置の平面図
である。図示のように、液晶用の角型のガラス基板16
を収容するスピンカップ32の蓋部材33は、支持部材
35aを介して昇降機構35bによって上下に往復動す
る。このスピンカップ32内のガラス基板16には、流
体供給手段である一対のスリットノズル14a、14b
から、異種の処理用流体である複数種のレジスト液A、
B(例えば、ポジレジスト液及びネガレジスト液)がそ
れぞれ供給される。各スリットノズル14a、14b
は、それぞれ可動の支持体39a、39bによって水平
に支持されている。この支持体39a、39bは、スピ
ンカップ32を挟んで平行配置された一対のガイドレー
ル37によって支持されており、両支持体39a、39
bはそれぞれ独立してガイドレール37上をこのガイド
レール37に沿って図面の左右方向に往復移動可能とな
っている。なお、図面中では、一方のガイドレール37
のみが図示され、他方のガイドレールはカバー47に隠
されて図示されていない。このように2本のガイドレー
ル37によって単一の案内手段が構成されており、この
案内手段によりガイドしながら、支持体39a、39b
を次に説明するようにして駆動することで、支持体39
a、39bに固定されたスリットノズル14a、14b
をそれぞれ選択的にスピンチャック24上の基板16の
表面に平行に移動させることができる。すなわち、この
カバー47内には、一対のモータ49a、49bに接続
された一対のワイア59a、59bが掛け渡されて収容
されている。モータ49aは、ワイア59aを介して、
支持体39aをガラス基板16の対向する一対の長辺1
6aに沿って水平移動させる。モータ49bは、ワイア
59bを介して、支持体39bを長辺16aに沿って水
平移動させる。なお、一対のモータ49a、49bと一
対のワイア59a、59bとは、対応する一対の支持体
39a、39bすなわち一対のスリットノズル14a、
14bを選択的に移動させる駆動手段となっている。
FIG. 1 is a plan view of a surface treatment apparatus according to a first embodiment. As shown, a rectangular glass substrate 16 for liquid crystal is used.
Is reciprocated up and down by a lifting mechanism 35b via a support member 35a. The glass substrate 16 in the spin cup 32 has a pair of slit nozzles 14a and 14b serving as fluid supply means.
From a plurality of types of resist liquids A, which are different types of processing fluids,
B (for example, a positive resist solution and a negative resist solution) are supplied. Each slit nozzle 14a, 14b
Are horizontally supported by movable supports 39a and 39b, respectively. The supports 39a and 39b are supported by a pair of guide rails 37 arranged in parallel with the spin cup 32 interposed therebetween.
b can independently reciprocate on the guide rail 37 along the guide rail 37 in the left-right direction of the drawing. In the drawings, one guide rail 37 is shown.
Only the other guide rails are hidden by the cover 47 and not shown. As described above, a single guide means is constituted by the two guide rails 37, and the support members 39a, 39b are guided by the guide means.
Is driven as described below, so that the support 39
a, nozzles 14a, 14b fixed to 39b
Can be selectively moved in parallel with the surface of the substrate 16 on the spin chuck 24. That is, a pair of wires 59a, 59b connected to the pair of motors 49a, 49b are accommodated in the cover 47 by being laid. The motor 49a is connected via a wire 59a to
The supporting body 39a is formed by a pair of long sides 1 of the glass substrate 16 facing each other.
Move horizontally along 6a. The motor 49b horizontally moves the support 39b along the long side 16a via the wire 59b. Note that the pair of motors 49a, 49b and the pair of wires 59a, 59b form a pair of corresponding supports 39a, 39b, that is, a pair of slit nozzles 14a,
It is a driving means for selectively moving 14b.

【0016】図2の側面図に示すように、ガラス基板1
6は、基板支持手段であるスピンチャック24上に真空
吸着によって固定されている。スピンチャック24は、
基板回転手段であるチャック駆動機構26の制御によっ
て、図面上下方向の所望の位置にガラス基板16ととも
に移動し、かつその中央を通る垂直軸を中心としてガラ
ス基板16とともに所望の回転数で回転する。一対のス
リットノズル14a、14bは、それぞれレジスト液の
吐出口であるスリット14d、14eを備える。各スリ
ット14d、14eは、それぞれ紙面に垂直な方向(す
なわち装置の水平方向)に延びる。これらのスリット1
4d、14eからは、それぞれレジスト液A、Bが吐出
されてガラス基板16上に供給される。
As shown in the side view of FIG.
Numeral 6 is fixed on a spin chuck 24 as a substrate supporting means by vacuum suction. The spin chuck 24
Under the control of the chuck driving mechanism 26, which is a substrate rotating means, it moves together with the glass substrate 16 to a desired position in the vertical direction in the drawing, and rotates with the glass substrate 16 at a desired rotational speed around a vertical axis passing through the center thereof. The pair of slit nozzles 14a and 14b have slits 14d and 14e, respectively, which are discharge ports for resist liquid. Each of the slits 14d and 14e extends in a direction perpendicular to the paper surface (that is, in a horizontal direction of the apparatus). These slits 1
From 4d and 14e, resist liquids A and B are respectively discharged and supplied onto the glass substrate 16.

【0017】レジスト液A、Bの供給・塗布に際して
は、スリットノズル14a、14bのいずれか一方をガ
ラス基板16の短辺16bの上方に水平移動させ、スピ
ンチャック24とともにガラス基板16を上昇させて、
いずれかのスリット14d、14eの直下にガラス基板
16の表面を近接させる。そして、ガラス基板16の表
面に近接したいずれかのスリットノズル14a、14b
からレジスト液A、Bを吐出させつつこのスリットノズ
ル14a、14bを移動させる。
In supplying and applying the resist liquids A and B, one of the slit nozzles 14a and 14b is horizontally moved above the short side 16b of the glass substrate 16, and the glass substrate 16 is raised together with the spin chuck 24. ,
The surface of the glass substrate 16 is brought directly under one of the slits 14d and 14e. Then, one of the slit nozzles 14a, 14b close to the surface of the glass substrate 16
The slit nozzles 14a and 14b are moved while discharging the resist liquids A and B from.

【0018】レジスト液A、Bの基板表面全体への拡張
に際しては、ガラス基板16がスピンチャック24の下
降にともなって下降し、同時に蓋部材33とともに降下
してきた上部回転板42aと下側に固定されている下部
回転板42bとによって形成されるほぼ密閉された空間
内に収容される。そして、この閉空間内で、スピンチャ
ック24上のガラス基板16は、上部回転板42a及び
下部回転板42bとともに高速回転する。
When the resist liquids A and B are spread over the entire surface of the substrate, the glass substrate 16 is lowered with the lowering of the spin chuck 24, and is simultaneously fixed to the upper rotary plate 42a which has been lowered together with the lid member 33. Is housed in a substantially closed space formed by the lower rotating plate 42b. Then, in this closed space, the glass substrate 16 on the spin chuck 24 rotates at a high speed together with the upper rotary plate 42a and the lower rotary plate 42b.

【0019】以下、図1及び図2に示す第1実施例の装
置の動作について説明する。まず、昇降機構35bによ
って、蓋部材33を上部回転板42aとともに上方に移
動させ、スピンカップ32を開状態とする。次に、スピ
ンチャック24を上昇させ、これに搬送ロボット(図示
を省略)によってガラス基板16を移載し、ガラス基板
16表面上にレジスト液の塗布が可能な状態とする。次
に、スリットノズル14a、14bのうちの一方のスリ
ットノズル14a(レジスト液Aに対応)をガラス基板
16の図面側の短辺16bの上方に移動させ、スピンチ
ャック24とともにガラス基板16を上昇させて、この
スリットノズル14a下端のスリット14dにガラス基
板16の図2の左側の短辺16b側の上面を近接させ
る。次に、スリット14dからレジスト液Aを吐出させ
ながら、スリットノズル14aをその姿勢を保ったまま
で図2の右方の水平方向に定速で移動させる。この結
果、レジスト液Aがガラス基板16の表面上の周縁を除
いた部分に薄く塗布される。次に、スピンチャック24
とともにガラス基板16を降下させた後、蓋部材33を
下降させて、上部回転板42a及び下部回転板42bを
相互に固定し、これらをスピンチャック24上のガラス
基板16とともに高速回転させる。この結果、ガラス基
板16上のレジスト液Aが一様に広がり、ガラス基板1
6上にレジスト液Aの薄膜が形成される。次に、蓋部材
33とともにガラス基板16を上昇させて、スピンカッ
プ32外にガラス基板16を取り出す。
The operation of the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 will be described below. First, the lid member 33 is moved upward together with the upper rotating plate 42a by the elevating mechanism 35b, and the spin cup 32 is opened. Next, the spin chuck 24 is raised, and the glass substrate 16 is transferred to the spin chuck 24 by a transfer robot (not shown) so that the surface of the glass substrate 16 can be coated with a resist liquid. Next, one of the slit nozzles 14a and 14b (corresponding to the resist solution A) is moved above the short side 16b on the drawing side of the glass substrate 16 to raise the glass substrate 16 together with the spin chuck 24. The upper surface of the glass substrate 16 on the short side 16b on the left side in FIG. 2 is brought close to the slit 14d at the lower end of the slit nozzle 14a. Next, while discharging the resist liquid A from the slit 14d, the slit nozzle 14a is moved at a constant speed in the horizontal direction to the right in FIG. As a result, the resist solution A is thinly applied to the portion of the surface of the glass substrate 16 except for the periphery. Next, the spin chuck 24
At the same time, after lowering the glass substrate 16, the lid member 33 is lowered to fix the upper rotating plate 42 a and the lower rotating plate 42 b to each other, and rotate them at high speed together with the glass substrate 16 on the spin chuck 24. As a result, the resist solution A on the glass substrate 16 spreads uniformly, and the glass substrate 1
6, a thin film of the resist solution A is formed. Next, the glass substrate 16 is raised together with the lid member 33, and the glass substrate 16 is taken out of the spin cup 32.

【0020】以上のような動作を、ガラス基板16を交
換して繰返す。この際、レジスト液の種類を交換するこ
ともできる。ガラス基板16上にレジスト液Bを塗布す
る場合、まずスピンチャック24上に別のガラス基板1
6をセットし、ガラス基板16上にレジスト液の塗布が
可能な状態とする。次に、スリットノズル14bをガラ
ス基板16の図2の右側の短辺16bの上方に移動さ
せ、スピンチャック24とともにガラス基板16を上昇
させて、このスリットノズル14b下端のスリット14
eにガラス基板16の図面右側の短辺16b側の上面を
近接させる。次に、スリット14eからレジスト液Bを
吐出させながら、スリットノズル14bをその姿勢を保
ったままで図面左側の水平方向に定速で移動させる。こ
の結果、レジスト液Bがガラス基板16の表面上の周辺
を除いた部分に薄く塗布される。その後、高速回転によ
って、ガラス基板16上にレジスト液Bの薄膜を形成す
る。
The above operation is repeated by exchanging the glass substrate 16. At this time, the type of the resist solution can be changed. When applying the resist solution B on the glass substrate 16, first, another glass substrate 1 is placed on the spin chuck 24.
6 is set so that a resist solution can be applied on the glass substrate 16. Next, the slit nozzle 14b is moved above the short side 16b on the right side of FIG. 2 of the glass substrate 16 to raise the glass substrate 16 together with the spin chuck 24, and the slit 14 at the lower end of the slit nozzle 14b
The upper surface of the glass substrate 16 on the short side 16b on the right side of the drawing is brought close to e. Next, while discharging the resist liquid B from the slit 14e, the slit nozzle 14b is moved at a constant speed in the horizontal direction on the left side of the drawing while maintaining its posture. As a result, the resist solution B is thinly applied to the portion of the surface of the glass substrate 16 except for the periphery. Thereafter, a thin film of the resist solution B is formed on the glass substrate 16 by high-speed rotation.

【0021】以上説明のように、第1実施例の基板処理
装置では、一対のスリットノズル14a、14bをガラ
ス基板16の表面にそれぞれ平行に移動可能に案内する
共通のガイドレール37と、一対のスリットノズル14
a、14bを選択的に移動させる一対のモータ49a、
49b及び一対のワイア59a、59bとを備えるの
で、各一対のスリットノズル14a、14bごとに専用
のガイドレール37を設ける必要がない。したがって、
ガラス基板16上に塗布すべきレジスト液A、Bを適宜
変更しながら個別に供給してガラス基板16の多様な処
理が可能となり、かつ装置のコストやスペースを増大さ
せない簡単な構成とすることができる。また、ガイドレ
ール37が、一対のスリットノズル14a、14bを、
これがガラス基板16の互いに対向する2長辺16aに
沿って移動できるように案内するので、角型のガラス基
板16の形状に近似した角形領域にレジスト液を直接供
給することができ、角型のガラス基板16の全体にわた
ってより均一な処理を達成でき、しかもレジスト液の無
駄を省くことができる。
As described above, in the substrate processing apparatus of the first embodiment, the common guide rail 37 for guiding the pair of slit nozzles 14a and 14b so as to be movable in parallel to the surface of the glass substrate 16, respectively, Slit nozzle 14
a and a pair of motors 49a for selectively moving 14b,
Since the pair of slit nozzles 49b and the pair of wires 59a and 59b are provided, there is no need to provide a dedicated guide rail 37 for each pair of slit nozzles 14a and 14b. Therefore,
The resist liquids A and B to be applied on the glass substrate 16 can be individually supplied while being appropriately changed, so that various processing of the glass substrate 16 can be performed, and a simple configuration that does not increase the cost and space of the apparatus can be realized. it can. In addition, the guide rail 37 connects the pair of slit nozzles 14a and 14b,
This guides the glass substrate 16 so as to be able to move along the two long sides 16a facing each other, so that the resist liquid can be directly supplied to a square region approximating the shape of the square glass substrate 16, and More uniform processing can be achieved over the entire glass substrate 16 and waste of the resist solution can be eliminated.

【0022】図3は、第2実施例の表面処理装置の構成
を示す側面図である。第2実施例の装置は、基本的には
第1実施例の表面処理装置を横に並べた構造の2カップ
方式の装置であるので、第1実施例と同一部分には同一
の符号を付して説明を省略する。図示のように、第2実
施例の装置は、同一構造の2つのスピンカップ32を備
える。これらのスピンカップ32に収容された各ガラス
基板16は、異種のレジスト液A、Bを吐出する3個の
スリットノズル14a、14b、14cからのレジスト
液の供給を受ける。これら3個のスリットノズル14
a、14b、14cは、それぞれ独立に、同一のガイド
レール37上を案内されて図面左右の水平方向に往復動
する。スリットノズル14a、14cは、レジスト液A
を両スピンカップ32中の各ガラス基板16上に吐出
し、スリットノズル14bは、レジスト液Bを両スピン
カップ32中の各ガラス基板16上に吐出する。
FIG. 3 is a side view showing the structure of the surface treatment apparatus of the second embodiment. Since the apparatus of the second embodiment is basically a two-cup type apparatus having a structure in which the surface treatment apparatuses of the first embodiment are arranged side by side, the same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals. And the description is omitted. As shown, the apparatus of the second embodiment includes two spin cups 32 having the same structure. Each glass substrate 16 accommodated in these spin cups 32 receives supply of resist liquid from three slit nozzles 14a, 14b, and 14c that discharge different resist liquids A and B. These three slit nozzles 14
a, 14b, and 14c are independently guided on the same guide rail 37, and reciprocate horizontally in the left and right directions in the drawing. The slit nozzles 14a and 14c
Is discharged onto each glass substrate 16 in both spin cups 32, and slit nozzle 14 b discharges resist solution B onto each glass substrate 16 in both spin cups 32.

【0023】第2実施例の基板処理装置では、3個のス
リットノズル14a、14b、14cをガラス基板16
の表面に平行に移動可能に案内する同一のガイドレール
37を備え、各スリットノズル14a、14b、14c
を選択的に移動させて吐出動作させることとしているの
で、各スリットノズル14a、14b、14cごとにガ
イドレール37を設ける必要がない。したがって、ガラ
ス基板16上に塗布すべきレジスト液A、Bを適宜変更
しながら個別に供給することができ、かつ基板処理装置
をそのコストやスペースを増大させない簡単な構成とす
ることができる。さらに、中央部の単一のスリットノズ
ル14bによって、両スピンカップ32中の各ガラス基
板16にレジスト液Bを供給することができるので、結
果的にスリットノズルを1つ省略することができる。
In the substrate processing apparatus of the second embodiment, three slit nozzles 14a, 14b,
The same guide rail 37 for movably guiding in parallel to the surface of each slit nozzle 14a, 14b, 14c
Is selectively moved to perform the discharging operation, so that it is not necessary to provide the guide rail 37 for each slit nozzle 14a, 14b, 14c. Therefore, the resist liquids A and B to be coated on the glass substrate 16 can be individually supplied while being appropriately changed, and the substrate processing apparatus can have a simple configuration that does not increase the cost and space. Further, since the resist liquid B can be supplied to each of the glass substrates 16 in both the spin cups 32 by the single slit nozzle 14b at the center, one slit nozzle can be omitted as a result.

【0024】以上、実施例に即してこの発明を説明した
が、この発明は、上記実施例に限定されるものではな
い。例えば、レジスト液の塗布後にガラス基板16を回
転させてレジスト液を拡散する工程は、必ずしも不可欠
のものではない。
Although the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment. For example, the step of rotating the glass substrate 16 after applying the resist liquid to diffuse the resist liquid is not always essential.

【0025】また、スリットノズル14a、14bに供
給する種類の異なるレジスト液として、ポジレジストや
ネガレジストの組み合わせの他、粘度の異なるレジスト
の組み合わせを使用することもできる。さらに、希釈化
されたレジスト液を基板表面に予め供給して基板表面の
レジスト液のはじきを防止してピンホールの発生を予防
する場合、各スリットノズル14a、14bに、種類の
異なるレジスト液として、希釈されたレジスト液と最終
的仕上げのレジスト液の組み合わせを使用することがで
きる。
As the different types of resist liquid supplied to the slit nozzles 14a and 14b, a combination of positive resists and negative resists, or a combination of resists having different viscosities can be used. Further, when the diluted resist solution is supplied in advance to the substrate surface to prevent the repelling of the resist solution on the substrate surface and prevent the occurrence of pinholes, a different type of resist solution is provided to each slit nozzle 14a, 14b. A combination of a diluted resist solution and a final finished resist solution can be used.

【0026】また、スリットノズル14a、14bに供
給する処理用流体は、レジスト液には限られず、以下の
ような処理用流体を使用することができる。例えば現像
処理装置に適用する場合、濃度の異なる現像液をスリッ
トノズル14a、14bにそれぞれ供給できるように構
成して、基板ごとに濃度の異なる現像液を使い分けるこ
ともできる。さらに、現像液と洗浄(リンス)液を各ス
リットノズル14a、14bにそれぞれ供給し、一枚の
基板の現像とその現像液の洗い流しとでスリットノズル
14a,14bを使い分けることもできる。
The processing fluid supplied to the slit nozzles 14a and 14b is not limited to the resist liquid, and the following processing fluid can be used. For example, when the present invention is applied to a development processing apparatus, it is possible to configure such that developing solutions having different concentrations can be supplied to the slit nozzles 14a and 14b, respectively, and to use different developing solutions for each substrate. Further, a developing solution and a cleaning (rinsing) solution may be supplied to the slit nozzles 14a and 14b, respectively, so that the slit nozzles 14a and 14b can be selectively used for developing one substrate and rinsing the developing solution.

【0027】さらに、この発明をエッチング装置に適用
する場合、濃度の異なるエッチング液を各スリットノズ
ル14a、14bにそれぞれ供給できるように構成し
て、基板ごとに濃度の異なるエッチング液を使い分ける
こともできる。さらに、エッチング液と洗浄(リンス)
液を各スリットノズル14a、14bにそれぞれ供給
し、一枚の基板のエッチングとそのエッチング液の洗い
流しとでスリットノズル14a,14bを使い分けるこ
ともできる。
Further, when the present invention is applied to an etching apparatus, it is possible to supply an etching solution having a different concentration to each of the slit nozzles 14a and 14b, and to use an etching solution having a different concentration for each substrate. . In addition, etching solution and cleaning (rinse)
A liquid may be supplied to each of the slit nozzles 14a and 14b, and the slit nozzles 14a and 14b may be selectively used for etching one substrate and washing away the etchant.

【0028】さらに、この発明を剥離装置に適用する場
合、濃度の異なる剥離液を各スリットノズル14a、1
4bにそれぞれ供給できるように構成して、基板ごとに
濃度の異なる剥離液を使い分けることもできる。さら
に、剥離液と洗浄(リンス)液を各スリットノズル14
a、14bにそれぞれ供給し、一枚の基板の剥離とその
剥離液の洗い流しとでスリットノズル14a,14bを
使い分けることもできる。
Further, when the present invention is applied to a stripping apparatus, stripping solutions having different concentrations are applied to each of the slit nozzles 14a, 1d.
4b, the stripping solutions having different concentrations can be used for each substrate. Further, a stripping solution and a cleaning (rinsing) solution are applied to each slit nozzle 14.
The slit nozzles 14a and 14b can be selectively used for peeling one substrate and washing away the peeling liquid.

【0029】さらに、この発明を洗浄装置に適用する場
合、洗浄液と窒素ガス(または乾燥空気)とを各スリッ
トノズル14a、14bにそれぞれ供給し、一枚の基板
の洗浄とその後の乾燥とでスリットノズル14a,14
bを使い分けることもできる。すなわち、洗浄液(液
体)と乾燥用の窒素ガス(気体)とでスリットノズルを
使い分けることもできる。
Further, when the present invention is applied to a cleaning apparatus, a cleaning liquid and a nitrogen gas (or dry air) are supplied to each of the slit nozzles 14a and 14b, and a slit is formed by cleaning one substrate and then drying. Nozzles 14a, 14
b can be used properly. That is, the slit nozzle can be selectively used for the cleaning liquid (liquid) and the nitrogen gas (gas) for drying.

【0030】この発明は、さらに、2種類の気体を使い
分ける場合にも適用可能であるし、また液体または気体
を吐出する吐出口の形状も上記実施例のようなスリット
に限らず多数の細孔がスリット状に配列された吐出口を
有するノズルを使用することも可能であるし、多数の微
細な針状ノズルがスリット状に配列された吐出口を有す
るノズルを使用することも可能である。
The present invention is further applicable to the case where two types of gases are selectively used, and the shape of the discharge port for discharging the liquid or gas is not limited to the slit as in the above embodiment, but may be a large number of fine holes. It is also possible to use a nozzle having discharge ports arranged in a slit shape, or to use a nozzle having a discharge port in which a large number of fine needle-shaped nozzles are arranged in a slit shape.

【0031】[0031]

【発明の効果】請求項1の装置では、各流体吐出口が基
板の表面にそれぞれ平行に移動するように各流体供給手
段を案内する単一の案内手段を備えるので、各流体供給
手段ごとに案内手段を設ける必要がない。したがって、
基板処理装置をその装置コスト及び設置スペースを増大
させることのない簡単な構成とすることができる。
According to the first aspect of the present invention, a single guide means for guiding each fluid supply means so that each fluid discharge port moves in parallel with the surface of the substrate is provided. There is no need to provide guide means. Therefore,
The substrate processing apparatus can have a simple configuration without increasing the apparatus cost and installation space.

【0032】また、請求項2の基板処理装置は、複数の
流体供給手段を選択的に移動させる駆動手段を備えるの
で、各流体供給手段からの処理用流体を個別に基板に供
給して基板表面の多様な処理を可能にすることができ
る。
Further, the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention is provided with a driving means for selectively moving the plurality of fluid supply means. Can be variously processed.

【0033】また、請求項3の基板処理装置は、基板支
持手段に支持された基板を回転させる基板回転手段をさ
らに備えるので、基板の処理に際して、処理用流体を基
板に均一に供給することができる。
Further, the substrate processing apparatus according to claim 3 further includes a substrate rotating means for rotating the substrate supported by the substrate supporting means, so that a processing fluid can be uniformly supplied to the substrate when processing the substrate. it can.

【0034】また、請求項4の基板処理装置は、案内手
段が複数の流体供給手段の各流体吐出口が角型基板の互
いに対向する2辺に沿って移動可能に各流体供給手段を
案内するので、角型基板の形状に近似した領域に処理流
体を直接供給することができ、角型基板の全体にわたっ
てより均一な処理を達成できる。
According to a fourth aspect of the present invention, the guide means guides each fluid supply means so that each fluid discharge port of the plurality of fluid supply means can move along two opposing sides of the rectangular substrate. Therefore, the processing fluid can be directly supplied to a region approximating the shape of the rectangular substrate, and more uniform processing can be achieved over the entire rectangular substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施例の表面処理装置を示す図である。FIG. 1 is a view showing a surface treatment apparatus of a first embodiment.

【図2】図1の装置の側方からの図である。2 is a side view of the device of FIG. 1;

【図3】第2実施例の表面処理装置を示す図である。FIG. 3 is a view showing a surface treatment apparatus of a second embodiment.

【図4】従来の表面処理装置の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a conventional surface treatment apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

14 スリットノズル 14a、14b、14c スリット 16 ガラス基板 26 チャック駆動機構 37 ガイドレール 14 Slit nozzle 14a, 14b, 14c Slit 16 Glass substrate 26 Chuck drive mechanism 37 Guide rail

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI G03F 7/30 501 G03F 7/30 501 502 502 (56)参考文献 特開 平1−218664(JP,A) 特開 昭59−215726(JP,A) 特開 平3−22428(JP,A) 特開 平2−132444(JP,A) 特開 平5−267148(JP,A) 特開 昭63−18627(JP,A) 特開 平3−25919(JP,A) 特開 平4−124812(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 B05C 11/08 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI G03F 7/30 501 G03F 7/30 501 502 502 (56) References JP-A-1-218664 (JP, A) JP-A-59 JP-A-215726 (JP, A) JP-A-3-22428 (JP, A) JP-A-2-132444 (JP, A) JP-A-5-267148 (JP, A) JP-A-63-18627 (JP, A) JP-A-3-25919 (JP, A) JP-A-4-124812 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 B05C 11/08

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板の表面に処理用流体を順次供給して
基板の表面に所定の処理を施す基板処理装置において、 基板を支持する基板支持手段と、 前記基板支持手段に支持された基板の表面に向けて流体
を供給するスリット状の流体吐出口を、それぞれ有する
複数の流体供給手段と、 各流体吐出口が前記基板支持手段に支持された基板の表
面にそれぞれ平行に移動するように各流体供給手段を案
内する単一の案内手段と、を備えることを特徴とする基
板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for sequentially supplying a processing fluid to a surface of a substrate and performing a predetermined process on the surface of the substrate, comprising: a substrate supporting means for supporting the substrate; A plurality of fluid supply means each having a slit-shaped fluid discharge port for supplying a fluid toward the surface, and each of the fluid supply ports is moved so that each fluid discharge port moves in parallel to the surface of the substrate supported by the substrate support means. A single guiding means for guiding the fluid supply means.
【請求項2】 前記複数の流体供給手段を選択的に移動
させる駆動手段を備えることを特徴とする請求項1記載
の基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a driving unit that selectively moves the plurality of fluid supply units.
【請求項3】 前記基板支持手段に支持された基板を回
転させる基板回転手段をさらに備えることを特徴とする
請求項1または2記載の基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising substrate rotating means for rotating a substrate supported by said substrate supporting means.
【請求項4】 前記基板支持手段に支持される基板は、
角型基板であり、前記案内手段は、前記複数の流体供給
手段の各流体吐出口が基板支持手段に支持された角型基
板の互いに対向する2辺に沿って移動可能に、各流体供
給手段を案内することを特徴とする請求項1から請求項
3のいずれかに記載の基板処理装置。
4. A substrate supported by the substrate supporting means,
A rectangular substrate, wherein each of the fluid supply ports of the plurality of fluid supply units is movable along two opposing sides of the rectangular substrate supported by the substrate support unit. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the substrate processing apparatus is guided.
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