Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP3017004B2 - Wire bonding method using solder wire - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP3017004B2 - Wire bonding method using solder wire - Google Patents

Wire bonding method using solder wire

Info

Publication number
JP3017004B2
JP3017004B2 JP5308966A JP30896693A JP3017004B2 JP 3017004 B2 JP3017004 B2 JP 3017004B2 JP 5308966 A JP5308966 A JP 5308966A JP 30896693 A JP30896693 A JP 30896693A JP 3017004 B2 JP3017004 B2 JP 3017004B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
wire
solder wire
solder
tool
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP5308966A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH07161751A (en
Inventor
浩之 高橋
紳一 藤野
和弘 阪元
長治郎 栗山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP5308966A priority Critical patent/JP3017004B2/en
Publication of JPH07161751A publication Critical patent/JPH07161751A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3017004B2 publication Critical patent/JP3017004B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/015Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01551Changing the shapes of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • H10W72/07141Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07511Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07521Aligning
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/536Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/853On the same surface
    • H10W72/865Die-attach connectors and bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、各種の電子部品の製造
に際して、例えば、リードフレーム又はプリント基板に
搭載した半導体チップ等の第1ボンディング部と、前記
リードフレームにおけるリード端子又はプリント基板に
おける回路パターン等の第2ボンディング部との間を、
細い金属線にてワイヤボンディングする場合に、前記金
属線として半田ワイヤを使用したワイヤボンディング方
法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing various electronic parts, for example, a first bonding portion such as a semiconductor chip mounted on a lead frame or a printed board, and a lead terminal on the lead frame or a circuit on the printed board. Between the second bonding portion such as a pattern,
The present invention relates to a wire bonding method using a solder wire as the metal wire when performing wire bonding with a thin metal wire.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種のワイヤボンディングには、金属
線として金線又は銅線を使用するのが一般的であった
が、金線は非常に高価でコストが大幅にアップすること
になるし、また、金線又は銅線では、その融点が高いた
めに、これを温度ヒューズ又は過電流ヒューズとするこ
とができないから、最近では、前記金線又は銅線等に代
えて、融点の低い半田ワイヤを使用することが要望され
ている。
2. Description of the Related Art In this type of wire bonding, a gold wire or a copper wire is generally used as a metal wire. However, the gold wire is very expensive and the cost is greatly increased. In addition, since a gold wire or a copper wire cannot be used as a temperature fuse or an overcurrent fuse because of its high melting point, a solder having a low melting point has recently been used instead of the gold wire or the copper wire. There is a need to use wires.

【0003】ところで、ワイヤボンディングに使用する
金属線が金線又は銅線である場合には、その融点が高い
ことから、その途中を加熱によって溶断することで、
の溶断動と同時に金属線の下端に比較的大きい下端ボー
ル部を簡単に形成することができるから、第1ボンディ
ング部に対するボンディングにボンディングミスが発生
することを低減できる。
Meanwhile, when the metal wire used for wire bonding gold wires or copper wires, due to its high melting point, by blowing the way by heating, this
Since a relatively large lower end ball portion can be easily formed at the lower end of the metal wire at the same time as the fusing operation , the occurrence of bonding errors in bonding to the first bonding portion can be reduced.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、半田ワイヤを
使用する場合には、その融点が低いから、半田ワイヤの
途中を加熱によって溶断するだけでは、その下端に下端
ボール部を形成することがきわめて困難である(この原
因は、溶融した半田は、溶融と同時に下方の半田ワイヤ
側に引き付けられるからであると考えられる)ばかり
か、溶融によって激しく酸化されるので、第1ボンディ
ング部に対するボンディング強度が低下し、ワイヤボン
ディングミスが多発するのであった。
However, when a solder wire is used, its melting point is low. Therefore, it is extremely difficult to form a lower ball portion at the lower end of the solder wire only by melting the middle of the solder wire by heating. Difficult (this field
The reason is that the molten solder melts at the same time
In addition, it is considered that the first bonding portion is strongly oxidized by the melting, so that the bonding strength to the first bonding portion is reduced, and the wire bonding error frequently occurs.

【0005】本発明は、半田ワイヤの下端に、直径の大
きい下端ボール部を、酸化を低減した状態で、確実に形
成できるようにして、半田ワイヤの第1ボンディング部
に対するボンディング強度を高めて、ワイヤボンディン
グミスの発生を低減することを技術的課題とするもので
ある。
According to the present invention, a lower end ball portion having a large diameter can be reliably formed at a lower end of a solder wire in a state where oxidation is reduced, thereby increasing the bonding strength of the solder wire to a first bonding portion. An object of the present invention is to reduce the occurrence of wire bonding errors.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「半田ワイヤをボンディングツールに
よって略鉛直状に保持し、この半田ワイヤを、前記ボン
ディングツールの移動によって、第1ボンディング部と
第2ボンディング部との間にワイヤボンディングするよ
うにしたワイヤボンディング方法において、前記ボンデ
ィングツールにて保持される半田ワイヤのうちボンディ
ングツールより下方に突出する下端に、無酸素ガスの流
れを吹き当てた状態での加熱溶融にて下端ボール部を形
成したのち、この下端ボール部を、前記ボンディングツ
ールの下降動にて前記第1ボンディング部に対してボン
ディングし、次いで、前記ボンディングツールのみを上
昇動したのち、前記半田ワイヤのうち前記ボンディング
ツールと第1ボンディング部との間の途中部分を、剪断
式の切断機構にて、前記ボンディングツールによって保
持される部分と、前記第1ボンディング部に対してボン
ディングされた半田ワイヤ片とに切断し、前記半田ワイ
ヤ片を前記第2ボンディング部の方向に曲げて、その先
端を第2ボンディング部にボンディングする一方、前記
ボンディングツールにて保持される半田ワイヤのうちボ
ンディングツールより下方に突出する下端に、無酸素ガ
スの流れを吹き当てた状態での加熱溶融にて下端ボール
部を形成することを特徴とする。」ものである。
In order to achieve this technical object, the present invention relates to a method for holding a solder wire in a substantially vertical shape by a bonding tool, and moving the solder wire by a first bonding by moving the bonding tool. in parts and wire bonding method as wire bonding between the second bonding portion, said Bonde
Of the solder wires held by the bonding tool
The oxygen-free gas flow is located at the lower end projecting below the
After forming the lower end ball portion by heating and melting in a state where it is blown , the lower end ball portion is bonded to the first bonding portion by the downward movement of the bonding tool, and then the bonding tool Only after ascending, the bonding of the solder wires
Shearing the middle part between the tool and the first bonding part
Cutting by a cutting mechanism into a portion held by the bonding tool and a solder wire piece bonded to the first bonding portion, and bending the solder wire piece in the direction of the second bonding portion. Te, while bonding the tip to the second bonding portion, said
One of the solder wires held by the bonding tool
An oxygen-free gas at the lower end projecting below the
Bottom ball by heating and melting while blowing
Forming a portion . It is.

【0007】[0007]

【作 用】このように、ボンディングツールにて保持
される半田ワイヤのうちボンディングツールより下方に
突出する下端に、無酸素ガスの流れを吹き当てた状態で
加熱溶融にて下端ボール部を形成したのち、この下端
ボール部を、前記ボンディングツールの下降動にて前記
第1ボンディング部に対してボンディングし、次いで、
前記ボンディングツールのみを上昇動したのち、前記半
田ワイヤのうち前記ボンディングツールと第1ボンディ
ング部との間の途中部分を、前記ボンディングツールに
よって保持される部分と、前記第1ボンディング部に対
してボンディングされた半田ワイヤ片とに切断し、前記
半田ワイヤ片を前記第2ボンディング部の方向に曲げ
て、その先端を第2ボンディング部にボンディングする
一方、前記ボンディングツールにて保持される半田ワイ
ヤのうちボンディングツールより下 方に突出する下端
に、無酸素ガスの流れを吹き当てた状態での加熱溶融に
て下端ボール部を形成することにより、半田ワイヤの下
端に対する下端ボール部の形成を、常に、前記半田ワイ
ヤのうちボンディングツールから下方に突出する下端を
無酸素ガスの雰囲気の中で、加熱・溶融することで行う
ことができるから、半田ワイヤの途中を加熱にて溶断す
る場合によりも遥かに大きい直径の下端ボール部を、当
該下端ボール部の表面における酸化を抑制した状態で、
確実に形成することができるのである。
[Operation] In this manner, held by the bonding tool
Of the solder wire below the bonding tool
With the flow of oxygen-free gas blown against the protruding lower end
After the lower end ball portion is formed by heating and melting, the lower end ball portion is bonded to the first bonding portion by the downward movement of the bonding tool,
After raising only the bonding tool, the bonding tool and the first bonder among the solder wires are moved.
And cutting the intermediate portion between the second bonding portion and the portion held by the bonding tool into a portion held by the bonding tool and a solder wire piece bonded to the first bonding portion. And bond the tip to the second bonding portion
On the other hand, the solder wire held by the bonding tool
Lower end of which projects under side than the bonding tool out of ya
Heat and melt while blowing a stream of oxygen-free gas
By forming the lower ball portion by heating, the lower ball portion with respect to the lower end of the solder wire is always heated and melted in an oxygen-free gas atmosphere at the lower end of the solder wire projecting downward from the bonding tool. The lower ball portion having a much larger diameter than in the case where the middle of the solder wire is melted by heating, in a state where oxidation on the surface of the lower ball portion is suppressed,
It can be formed reliably.

【0008】また、前記半田ワイヤの切断を剪断式の切
断機構にて行うことにより、ボンディングツールにて保
持される半田ワイヤのうちボンディングツールより下方
に突出する下端の寸法及び形状を、半田ワイヤを溶断又
は引き千切る場合よりも略一定に揃えることができるか
ら、この下端に形成される下端ボール部の大きさのバラ
付きを確実に小さくでき、大きな下端ボール部を安定し
た大きさにして形成することができるのである
Further , the cutting of the solder wire is performed by a shearing type cutting.
By using the cutting mechanism, the
Of the solder wire held below the bonding tool
The size and shape of the lower end protruding into
Is it possible to make it more uniform than when it is cut off?
The variation in the size of the lower end ball formed at this lower end
The attachment can be reliably reduced, and the large bottom ball portion is stable.
It can be formed in different sizes .

【0009】[0009]

【発明の効果】従って、本発明によると、半田ワイヤの
ワークにおける第1ボンディング部に対するボンディン
グ強度、及び確実性を大幅に向上できるから、半田ワイ
ヤによるワイヤボンディングに際してのワイヤボンディ
ングミスの発生を確実に低減できる効果を有する。
As described above, according to the present invention, the bonding strength and reliability of the solder wire to the first bonding portion in the work can be significantly improved, so that the occurrence of wire bonding errors in wire bonding with the solder wire can be ensured. It has the effect of being able to reduce.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明の実施例を、図面について説明
する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0011】図1〜図5は第1の実施例を示す。FIG. 1 to FIG. 5 show a first embodiment.

【0012】この第1の実施例は、ブロック体Aの上面
に載置したリードフレームBにおいて、このリードフレ
ームBの上面にダイボンディングした半導体チップCに
おける電極部C1と、リードフレームBにおけるリード
端子B1との間を、半田ワイヤ11によってワイヤボン
ディングするものである。
In the first embodiment, an electrode portion C1 of a semiconductor chip C die-bonded to an upper surface of the lead frame B, and a lead terminal B1 is wire-bonded with the solder wire 11.

【0013】この図において符号12は、ボンディング
ツールとしての一つの実施例であるところの上下移動式
のキャピラリツールを示し、このキャピラリツール12
を、前記半導体チップCにおける一つの電極部C1の真
上の部位に略鉛直状に配設して、このキャピラリツール
12内に、前記半田ワイヤ11を上から下向きに挿入す
ることによって、前記半田ワイヤ11を略鉛直状に保持
する。
In this figure, reference numeral 12 denotes a vertically movable capillary tool which is one embodiment as a bonding tool.
Is disposed substantially vertically above one electrode portion C1 of the semiconductor chip C, and the solder wire 11 is inserted into the capillary tool 12 downward from above to thereby obtain the solder. The wire 11 is held substantially vertically.

【0014】前記キャピラリツール12と、前記半導体
チップCとの間に、上面に噴出孔13aを備えたガス噴
出管13を、横方向に移動するように配設し、このガス
噴出管13を、当該ガス噴出管13における噴出孔13
aが、前記キャピラリツール12の真下の部位に位置す
るように前進動したのち、これに窒素ガス又はアルゴン
ガス等の不活性ガスとか、或いは、窒素ガスに約4〜5
%程度の水素ガスを混合して成る酸化還元性ガスとか言
った無酸素ガスを供給し、この無酸素ガスを前記噴出孔
13aから矢印Dで示すように上向きに噴出することに
より、前記半田ワイヤ11のうち前記キャピラリツール
12より下方に突出する下端に対して、無酸素ガスの流
れを下方から上方に向って吹き当てる。
Between the capillary tool 12 and the semiconductor chip C, a gas ejection tube 13 having an ejection hole 13a on the upper surface is disposed so as to move in the lateral direction. Spout hole 13 in the gas spout tube 13
a moves forward so as to be located at a position directly below the capillary tool 12, and then is added to an inert gas such as nitrogen gas or argon gas, or approximately 4 to 5
% Of an oxygen-reducing gas, such as a redox gas, which is formed by mixing about 2% of hydrogen gas, and ejecting the oxygen-free gas upward from the ejection hole 13a as indicated by an arrow D, thereby forming the solder wire. A flow of an oxygen-free gas is blown upward from below to the lower end of 11 that projects below the capillary tool 12.

【0015】また、前記ガス噴出管13と、前記半導体
チップCとの間に、固定の鋏片20bと可動の鋏片20
aとで構成される剪断式の切断機構20を配設する。
A fixed scissor piece 20b and a movable scissor piece 20 are provided between the gas ejection tube 13 and the semiconductor chip C.
and a shearing-type cutting mechanism 20 composed of a.

【0016】次いで、前記半田ワイヤ11の下端を、こ
れに前記ガス噴出管13における噴出孔13aから噴出
る無酸素ガスを直接的に吹き当た状態のもとで、水
素トーチノズル14から噴出する水素トーチ火炎14a
によって横方から加熱・溶融する。
[0016] Then, under the state wherein the lower end of the solder wire 11 and this not abut blown directly anoxic gas you ejection <br/> from ejection holes 13a in the gas injection pipe 13, the hydrogen Hydrogen torch flame 14a ejected from torch nozzle 14
Heats and melts from the side.

【0017】すると、前記半田ワイヤ11の下端におけ
る溶融半田は、酸化することなく、表面張力で大きい球
形に成長して固まることになるから、前記半田ワイヤ1
1の下端に、図2に示すように、大きい直径の下端ボー
ル部11aを形成することができる。
Then, the molten solder at the lower end of the solder wire 11 grows into a large sphere due to surface tension without being oxidized and solidifies.
As shown in FIG. 2, a lower end ball portion 11a having a large diameter can be formed at the lower end of the first member 1.

【0018】このようにして、半田ワイヤ11の下端に
下端ボール部11aを形成すると、図3に示すように、
前記ガス噴出管13が、当該ガス噴出管13へのガス供
給弁(図示せず)を閉じて無酸素ガスの噴出を停止した
状態で、キャピラリツール12の下方から後退すると共
に、前記水素トーチノズル14が、キャピラリツール1
2の下部から後退し、更に、前記切断機構20における
可動の鋏片20aが後退し、次いで、前記キャピラリツ
ール12が下降動することにより、前記半田ワイヤ11
の下端における下端ボール部11aを、半導体チップC
における一つの電極部C1に対してボンディングする。
When the lower end ball portion 11a is formed at the lower end of the solder wire 11 in this manner, as shown in FIG.
The gas ejection pipe 13 is retracted from below the capillary tool 12 in a state in which the gas supply valve (not shown) to the gas ejection pipe 13 is closed to stop the ejection of the oxygen-free gas, and the hydrogen torch nozzle 14 But Capillary Tool 1
2, the movable scissor piece 20a of the cutting mechanism 20 is retracted, and then the capillary tool 12 is moved downward, whereby the solder wire 11 is moved.
The lower end ball portion 11a at the lower end of the semiconductor chip C
Is bonded to one electrode part C1.

【0019】このボンディングが完了すると、図4に示
すように、前記キャピラリツール12が上昇動したの
ち、半田ワイヤ11の途中を、剪断式の切断機構20に
て、前記ボンディングツール12によって保持される部
分と、前記第1ボンディング部に対してボンディングさ
れた半田ワイヤ片11′とに切断する。
When the bonding is completed, as shown in FIG. 4, after the capillary tool 12 moves upward, the middle of the solder wire 11 is held by the bonding tool 12 by a shearing type cutting mechanism 20. And a solder wire piece 11 'bonded to the first bonding portion.

【0020】この切断に次いで、キャピラリツール12
は、図5に示すように、前記図1の状態に戻り、当該キ
ャピラリツール12から突出する半田ワイヤ11の下端
に下端ボール部11aを形成することを繰り返す一方、
半導体チップCにおける電極部C1にボンディングされ
た状態で切断された半田ワイヤ片11′は、適宜手段に
て第2ボンディング部であるリード端子B1の方向に折
り曲げたのち、ボンディングツール21の押圧によっ
て、前記リード端子B1に対してボンディングされるの
である。
Following this cutting, the capillary tool 12
As shown in FIG. 5, while returning to the state of FIG. 1, while repeatedly forming the lower end ball portion 11 a at the lower end of the solder wire 11 protruding from the capillary tool 12,
The solder wire piece 11 ′ cut in a state of being bonded to the electrode portion C 1 of the semiconductor chip C is bent by appropriate means in the direction of the lead terminal B 1 as the second bonding portion, and then pressed by the bonding tool 21. This is bonded to the lead terminal B1.

【0021】特に、この第1の実施例によると、半田ワ
イヤ11に下端ボール部11aを形成する工程と、半田
ワイヤ片11′の先端をリード端子B1にボンディング
する工程とを、時間的にオーバーラップすることによっ
て、ワイヤボンディングに要する時間の短縮を図ること
もできる。
In particular, according to the first embodiment, the step of forming the lower end ball portion 11a on the solder wire 11 and the step of bonding the tip of the solder wire piece 11 'to the lead terminal B1 are time-dependent. By wrapping, the time required for wire bonding can be reduced.

【0022】また、図6は、第2の実施例を示す。FIG. 6 shows a second embodiment.

【0023】この第2の実施例は、ブロック体Aに、リ
ードフレームBの全体を覆うカバー体19を取付け、こ
のカバー体19の上面に噴出孔19aを穿設する一方、
この噴出孔19aの上方に、前記キャピラリツール1
2、水素トーチノズル14及び切断機構20を配設し、
前記噴出孔19aから前記カバー体18内に供給した酸
化還元性ガスを、矢印Eで示すように、噴出することに
よって、前記キャピラリツール12に挿通した半田ワイ
ヤ11の下端に対して、酸化還元性ガスの流れを、直接
的に下方から上方方向に吹き当てるようにし、且つ、前
記噴出孔19a内において、前記したワイヤボンディン
グを行うようにしたものである。
In the second embodiment, a cover 19 covering the entire lead frame B is attached to the block A, and a jet hole 19a is formed on the upper surface of the cover 19,
The capillary tool 1 is located above the ejection hole 19a.
2. Arrange the hydrogen torch nozzle 14 and the cutting mechanism 20,
The redox gas supplied into the cover body 18 from the ejection hole 19a is ejected as shown by an arrow E, thereby causing the lower end of the solder wire 11 inserted into the capillary tool 12 to have a redox property. The flow of gas is directly blown upward from below, and the above-described wire bonding is performed in the ejection holes 19a.

【0024】なお、前記各実施例においては、加熱溶融
手段として水素トーチノズル14から噴出する水素トー
チ火炎14aを使用するものであったが、本発明は、こ
れに代えて、図7に示すように、電気ヒータ体16を横
から近付けることによって半田ワイヤ11の下端を加熱
・溶融するようにしたり、或いは、図8に示すように、
ガス噴出管13内にスパークトーチ17を上向きに設
け、このスパークトーチ17と半田ワイヤ11の下端と
の間に火花放電を発生することによって、半田ワイヤ1
1の下端を加熱・溶融するようにしたり、更にまた、図
9に示すように、レーザ光線発信器18から発射される
レーザ光線によって、半田ワイヤ11の下端を加熱・溶
融するようにしたりすることができるのである。
It should be noted, in the above respective embodiments, but was to use the hydrogen torch flame 14a ejected from hydrogen torch nozzle 14 as heat melting means, the present invention is, however, as shown in FIG. 7 8, the lower end of the solder wire 11 is heated and melted by moving the electric heater body 16 from the side, or as shown in FIG.
A spark torch 17 is provided upward in the gas ejection tube 13, and a spark discharge is generated between the spark torch 17 and a lower end of the solder wire 11, thereby forming the solder wire 1.
The lower end of the solder wire 11 is heated and melted, and the lower end of the solder wire 11 is heated and melted by a laser beam emitted from a laser beam transmitter 18 as shown in FIG. You can do it.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明における第1の実施例を示す図で第1作
用状態の図ある。
1 is a diagram of a first working state diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施例における第2作用状態の図であ
る。
FIG. 2 is a diagram of a second operation state in the first embodiment.

【図3】第1の実施例における第3作用状態の図であ
る。
FIG. 3 is a diagram of a third operation state in the first embodiment.

【図4】第1の実施例における第4作用状態の図であ
る。
FIG. 4 is a diagram of a fourth operation state in the first embodiment.

【図5】第1の実施例における第5作用状態の図であ
る。
FIG. 5 is a diagram of a fifth operation state in the first embodiment.

【図6】本発明における第2の実施例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図7】加熱溶融手段の変形例を示す図である。FIG. 7 is a view showing a modification of the heating and melting means.

【図8】加熱溶融手段の別の変形例を示す図である。FIG. 8 is a view showing another modification of the heating and melting means.

【図9】加熱溶融手段の更に別の変形例を示す図であ
る。
FIG. 9 is a view showing still another modification of the heating and melting means.

【符号の説明】 A ブロック体 B リードフレーム B1 リード端子 C 半導体チップ D 無酸素ガス流 E 酸化還元性ガス流 11 半田ワイヤ 11a 下端ボール部 11′ 半田ワイヤ片 12 キャピラリツール 13 ガス噴出管 13a 噴出孔 14 水素トーチノズル 16 電気ヒータ 17 スパークトーチ 18 レーザ光線発信器 19 カバー体 19a 噴出孔 20 剪断式の切断機構 [Description of References] A Block body B Lead frame B1 Lead terminal C Semiconductor chip D Oxygen-free gas flow E Redox gas flow 11 Solder wire 11a Lower ball portion 11 'Solder wire piece 12 Capillary tool 13 Gas ejection pipe 13a Spout hole 14 Hydrogen torch nozzle 16 Electric heater 17 Spark torch 18 Laser beam transmitter 19 Cover body 19a Spray hole 20 Shear type cutting mechanism

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 栗山 長治郎 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム 株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Chojiro Kuriyama 21 Saito Mizozakicho, Ukyo-ku, Kyoto

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半田ワイヤをボンディングツールによって
略鉛直状に保持し、この半田ワイヤを、前記ボンディン
グツールの移動によって、第1ボンディング部と第2ボ
ンディング部との間にワイヤボンディングするようにし
たワイヤボンディング方法において、前記ボンディングツールにて保持される半田ワイヤのう
ちボンディングツールより下方に突出する下端に、無酸
素ガスの流れを吹き当てた状態での 加熱溶融にて下端ボ
ール部を形成したのち、この下端ボール部を、前記ボン
ディングツールの下降動にて前記第1ボンディング部に
対してボンディングし、次いで、前記ボンディングツー
のみを上昇動したのち、前記半田ワイヤのうち前記ボ
ンディングツールと第1ボンディング部との間の途中部
分を、剪断式の切断機構にて、前記ボンディングツール
によって保持される部分と、前記第1ボンディング部に
対してボンディングされた半田ワイヤ片とに切断し、前
記半田ワイヤ片を前記第2ボンディング部の方向に曲げ
て、その先端を第2ボンディング部にボンディングする
一方、前記ボンディングツールにて保持される半田ワイ
ヤのうちボンディングツールより下方に突出する下端
に、無酸素ガスの流れを吹き当てた状態での加熱溶融に
て下端ボール部を形成することを特徴とする半田ワイヤ
によるワイヤボンディング方法。
1. A wire in which a solder wire is held in a substantially vertical shape by a bonding tool, and the solder wire is wire-bonded between a first bonding portion and a second bonding portion by moving the bonding tool. In the bonding method, a solder wire held by the bonding tool is used.
No acid on the lower end protruding below the bonding tool
After forming the lower end ball portion by heating and melting in a state where the flow of the raw gas is blown , the lower end ball portion is bonded to the first bonding portion by the downward movement of the bonding tool, After lifting only the bonding tool, the solder wire
Halfway between the bonding tool and the first bonding part
And cutting the solder wire piece into a portion held by the bonding tool and a solder wire piece bonded to the first bonding portion by a shearing type cutting mechanism. And bond the tip to the second bonding portion .
On the other hand, the solder wire held by the bonding tool
Lower end protruding below the bonding tool
Heat and melt while blowing a stream of oxygen-free gas
A wire bonding method using a solder wire, characterized in that a lower end ball portion is formed by using a solder wire.
JP5308966A 1993-12-09 1993-12-09 Wire bonding method using solder wire Expired - Lifetime JP3017004B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5308966A JP3017004B2 (en) 1993-12-09 1993-12-09 Wire bonding method using solder wire

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5308966A JP3017004B2 (en) 1993-12-09 1993-12-09 Wire bonding method using solder wire

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07161751A JPH07161751A (en) 1995-06-23
JP3017004B2 true JP3017004B2 (en) 2000-03-06

Family

ID=17987374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5308966A Expired - Lifetime JP3017004B2 (en) 1993-12-09 1993-12-09 Wire bonding method using solder wire

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3017004B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5768675B2 (en) * 2011-11-16 2015-08-26 株式会社デンソー Wire bonding method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07161751A (en) 1995-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5295619A (en) Method and apparatus for performing wire bonding by using solder wire
JP3407275B2 (en) Bump and method of forming the same
US5431329A (en) Method of forming a ball end for a solder wire
CN107256834A (en) A kind of bonding semiconductor technique based on palladium copper cash
EP0349095B1 (en) Metal wire for use in integrated circuits
JP3017004B2 (en) Wire bonding method using solder wire
US4549059A (en) Wire bonder with controlled atmosphere
JP2975207B2 (en) Wire bonding equipment with solder wire
CN113395841B (en) Module processing method, module and device
JP3016956B2 (en) Wire bonding method using solder wire
JP3306153B2 (en) Wire bonding method and device using solder wire
JP3075864B2 (en) Wire bonding method using solder wire
JP4818641B2 (en) Fuse element
JPS5994837A (en) Device for wire bonding
JP2019207764A (en) Fuse element material with low melting point metal part and manufacturing method therefor
JP2680232B2 (en) Wire bonding method with solder wire
JPS61172343A (en) Wire bonding process and apparatus thereof
JPH0530060B2 (en)
JPS63266845A (en) Wire bonding device
JP4435439B2 (en) Method for mounting fuse element and fuse built-in electric component
JP2645014B2 (en) Wire bonding equipment
JPH076604Y2 (en) Current fuse
JP4425760B2 (en) Fuse element
JPH09214118A (en) Bump forming method and wire bonding apparatus having bump forming ability
CN120916419A (en) Three-dimensional circuit bonding pad design and assembly method based on process reliability analysis