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JP3021624B2 - Vacuum film forming apparatus and method for manufacturing vapor-deposited film - Google Patents
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JP3021624B2 - Vacuum film forming apparatus and method for manufacturing vapor-deposited film - Google Patents

Vacuum film forming apparatus and method for manufacturing vapor-deposited film

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JP3021624B2 JP2313772A JP31377290A JP3021624B2 JP 3021624 B2 JP3021624 B2 JP 3021624B2 JP 2313772 A JP2313772 A JP 2313772A JP 31377290 A JP31377290 A JP 31377290A JP 3021624 B2 JP3021624 B2 JP 3021624B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は真空成膜装置及び蒸着フィルムの製造方法に
関する。
The present invention relates to a vacuum film forming apparatus and a method for manufacturing a vapor-deposited film.

さらに詳しくは、巻取り状フィルムを連続的に走行さ
せながら蒸着膜を形成するに際し、その蒸着温度をリア
ルタイムに測定でき、この結果を利用して蒸着条件を制
御可能な成膜装置に関する。
More specifically, the present invention relates to a film forming apparatus capable of measuring a vapor deposition temperature in real time when forming a vapor deposition film while running a rolled film continuously, and using the result to control vapor deposition conditions.

(従来技術) 真空蒸着やスパッタリングなどの各種真空成膜方法は
薄膜作製技術として広く利用されている。最近では巻取
り方式の成膜装置が開発され、巻取り状のプラスチック
基材に透明な金属化合物等の薄膜を成膜した蒸着フィル
ムが製造され、各分野の産業資材として利用されてい
る。
(Prior Art) Various vacuum film forming methods such as vacuum deposition and sputtering are widely used as thin film manufacturing techniques. Recently, a winding-type film forming apparatus has been developed, and a vapor-deposited film in which a thin film of a transparent metal compound or the like has been formed on a rolled-up plastic substrate has been manufactured and used as an industrial material in various fields.

薄膜作製上の重要な条件の1つに、基材温度の設定と
その制御が挙げられる。基材温度によって、成長する膜
の構造や物性が影響を受けるためであり、膜質の向上や
安定性を得るためには、成膜時における基材の温度を制
御することが重要となるからである。
One of the important conditions in forming a thin film is setting and controlling the substrate temperature. This is because the structure and physical properties of the growing film are affected by the substrate temperature, and it is important to control the substrate temperature during film formation in order to improve film quality and obtain stability. is there.

現状では、巻き出しロールと巻取りロールの間に冷却
ロールを設け、この冷却ロールの下に蒸着源を配置し
て、冷却ロールに基材フィルムを抱かせながら薄膜を形
成する方法が取られている。冷却ロール内部には水や冷
媒等の恒温循環液を通して基材フィルムの温度をコント
ロールする。
At present, there is a method in which a cooling roll is provided between an unwinding roll and a take-up roll, an evaporation source is arranged below the cooling roll, and a thin film is formed while holding the base film on the cooling roll. I have. The temperature of the substrate film is controlled by passing a constant temperature circulating liquid such as water or a refrigerant into the cooling roll.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、基材フィルムは比較的熱伝導性低いプ
ラスチックであること、プラスチックの厚み、走行速度
によって温度が変化すること等から、安定な温度のコン
トロールは困難である。このため、膜の物性や構造を制
御するためには、基材フィルム薄膜形成面の温度をリア
ルタイムで測定することが必要になる。
(Problems to be Solved by the Invention) However, it is difficult to control the temperature stably because the base film is a plastic having relatively low thermal conductivity, and the temperature changes depending on the thickness of the plastic and the traveling speed. . Therefore, in order to control the physical properties and structure of the film, it is necessary to measure the temperature of the base film thin film forming surface in real time.

そこで、本発明は、基材フィルム薄膜形成面の温度を
リアルタイムで測定できる成膜装置と蒸着フィルムの製
造方法を提供し、これにより成膜条件の制御と膜の物性
や構造の制御を容易にすることを目的とする。
Therefore, the present invention provides a film forming apparatus and a method for manufacturing a vapor-deposited film capable of measuring the temperature of the base film thin film forming surface in real time, thereby easily controlling the film forming conditions and controlling the physical properties and structure of the film. The purpose is to do.

(課題を解決するための手段) この目的を達成するため、請求項(1)記載の発明
は、真空吸引機構を有する密閉系内に、基材フィルムを
巻き出す巻き出しロール、蒸着フィルムを巻き取る巻取
りロール、フィルムの走行方向に沿って巻き出しロール
と巻取りロールの間に配置された冷却ロール、冷却ロー
ルの下方に配置された蒸着源、フィルムの走行方向に沿
って冷却ロールと巻取りロールの間に配置された赤外線
センサーとを設けて成る真空成膜装置を提供する。
(Means for Solving the Problems) In order to achieve this object, the invention according to claim (1) provides an unwinding roll for unwinding a base film and a vapor deposition film in a closed system having a vacuum suction mechanism. Take-up roll, cooling roll arranged between the unwind roll and take-up roll along the running direction of the film, evaporation source arranged below the cooling roll, cooling roll and winding along the running direction of the film Provided is a vacuum film forming apparatus comprising an infrared sensor disposed between take-up rolls.

また、請求項(2)記載の発明は、真空状態の密閉系
内で、基材フィルムを冷却ロールに抱かせながら走行さ
せ、この冷却ロール上で基材フィルム表面に透明材料を
蒸着し、次いで得られた蒸着膜により遮断され且つ基材
フィルムを透過する波長の赤外線を測定することを特徴
とする蒸着フィルムの製造方法を提供する。
In the invention according to claim (2), the base film is run while being held by a cooling roll in a closed system in a vacuum state, and a transparent material is deposited on the surface of the base film on the cooling roll. Provided is a method for producing a vapor-deposited film, characterized by measuring infrared rays having a wavelength that is blocked by the obtained vapor-deposited film and transmitted through a base film.

(発明の詳述) 本発明にかかる基材フィルムは測定に使用する赤外線
に対して透明なものである必要がある。例えば、ポリエ
チレンやポリプロピレン等のポリオレフィンフィルム、
ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム等のプラス
チツクフイルムである。ポリエチレンフィルムの赤外線
透過率を第2図Aに、またポリエステルフィルムの赤外
線透過率を第2図Bに示す。
(Detailed Description of the Invention) The base film according to the present invention needs to be transparent to infrared rays used for measurement. For example, polyolefin films such as polyethylene and polypropylene,
It is a plastic film such as a polyester film and a polyamide film. FIG. 2A shows the infrared transmittance of the polyethylene film, and FIG. 2B shows the infrared transmittance of the polyester film.

また、薄膜形成材料としては、透明な金属化合物が使
用できる。透明とは可視光線を実質的に透過することを
いい、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化錫、酸化アル
ミニウム等が例示できる。
In addition, a transparent metal compound can be used as a thin film forming material. Transparent means substantially transmitting visible light, and examples thereof include silicon oxide, magnesium oxide, tin oxide, and aluminum oxide.

本発明の装置は、第1図に示すように、全体が密閉さ
れた系から成り、この系内部を真空状態にするため、真
空吸引機構(90)が設けられている。
As shown in FIG. 1, the apparatus of the present invention comprises a completely closed system, and is provided with a vacuum suction mechanism (90) in order to make the inside of the system vacuum.

系内には、薄膜形成するための基材フィルム(1)の
巻き出しロール(11)が配置されており、連続的に基材
フィルム(1)が巻き出される。巻き出された基材フィ
ルム(1)は、必要に応じて設けられたガイドロール
(51)を介して冷却ロール(2)に抱かれながら走行
し、再び必要に応じて設けられたガイドロール(52)を
介して巻取りロール(12)に巻き取られる。
An unwinding roll (11) for a base film (1) for forming a thin film is disposed in the system, and the base film (1) is unwound continuously. The unwound base film (1) travels while being embraced by the cooling roll (2) via the guide roll (51) provided as needed, and again returns to the guide roll ( It is taken up by a take-up roll (12) via 52).

冷却ロール(2)は、従来の冷却ロールと同一で良
く、内部に水または冷媒等を通して温度を制御する。冷
却ロール(2)の温度により薄膜の構造等を制御するた
め、冷却ロール(2)下方には、蒸着源(3)を配置し
て、基材フィルム(1)が冷却ロールに抱かれている間
に薄膜形成する構造とする必要がある。
The cooling roll (2) may be the same as a conventional cooling roll, and controls the temperature by passing water or a refrigerant therein. In order to control the structure and the like of the thin film by the temperature of the cooling roll (2), an evaporation source (3) is arranged below the cooling roll (2), and the base film (1) is held by the cooling roll. It is necessary to form a thin film between them.

薄膜形成は、例えば、抵抗加熱や電子線加熱等の真空
蒸着、スパッタリング等の方法によって良い。
The thin film may be formed by a method such as vacuum deposition such as resistance heating or electron beam heating, or sputtering.

基材フィルム(1)の走行方向に沿って冷却ロール
(2)と巻取りロール(12)の間には、赤外線センサー
(4)を配置する。基材フィルム(1)上に形成された
薄膜の赤外線放射量はその温度によって異なるから、赤
外線センサー(4)によりその赤外線量を測定すること
により、基材フィルム(1)と薄膜の境界面の温度を測
定することができる。
An infrared sensor (4) is arranged between the cooling roll (2) and the winding roll (12) along the running direction of the base film (1). Since the amount of infrared radiation of the thin film formed on the base film (1) varies depending on the temperature, the amount of infrared radiation is measured by the infrared sensor (4) to determine the boundary surface between the base film (1) and the thin film. Temperature can be measured.

なお、反対側から薄膜及び基材フィルム(1)を透過
して来る赤外線を遮断して、誤差を防止するため、測定
する赤外線の波長は薄膜で遮断されるものである必要が
ある。第3図Aに酸化珪素の赤外線透過率を、第3図B
に酸化マグネシウムの赤外線透過率を示す。第2図A及
びBから分かるように、基材フィルム(1)がポリエチ
レンまたはポリエステルフィルムである場合には、その
透過率の高い4〜6μmの波長の赤外線を検知すること
が望ましい。また、第3図A及びBから分かるように、
薄膜が酸化珪素の場合には4〜5μm、酸化マグネシウ
ムの場合には5〜6μmの波長の赤外線である。
The wavelength of the infrared light to be measured needs to be cut off by the thin film in order to block the infrared light transmitted through the thin film and the base film (1) from the opposite side to prevent an error. FIG. 3A shows the infrared transmittance of silicon oxide, and FIG.
Shows the infrared transmittance of magnesium oxide. As can be seen from FIGS. 2A and 2B, when the base film (1) is a polyethylene or polyester film, it is desirable to detect infrared rays having a high transmittance and a wavelength of 4 to 6 μm. Also, as can be seen from FIGS. 3A and 3B,
Infrared light having a wavelength of 4 to 5 μm when the thin film is silicon oxide, and 5 to 6 μm when the thin film is magnesium oxide.

第1図は、赤外線センサー(4)が薄膜とは反対側に
ある場合を示しており、この場合には基材フィルム
(1)と薄膜の境界面の温度が測定できる。赤外線セン
サー(4)を反対側に配置した場合には薄膜の表面温度
を測定することが可能である。
FIG. 1 shows a case where the infrared sensor (4) is located on the side opposite to the thin film. In this case, the temperature at the interface between the base film (1) and the thin film can be measured. When the infrared sensor (4) is arranged on the opposite side, it is possible to measure the surface temperature of the thin film.

また、成膜時の基材温度を制御するため、冷却ロール
(2)に加熱源を設けることが望ましい。加熱源は、電
気ヒーターを内蔵した加熱ロール(6)であって良い。
基材フィルム(1)の幅方向に多数の加熱ロール(6)
を並べて個別にコントロールすることもできるが、加熱
温度を均一とするため、加熱ロール(6)と冷却ロール
(2)の間に伝熱ロール(7)を配置して、間接的に冷
却ロール(2)の温度を制御することが望ましい。ま
た、加熱源は非接触放熱ヒーター等も使用しても良い。
加熱源は、基材フィルム(1)が冷却ロールに接触する
直前に配置して、センサー(4)からの情報にもとづき
ヒーターのON/OFFにより、冷却ロール(2)の表面温度
を微調整する。かかる微調整により基材フィルム(1)
の表面温度を制御して、薄膜の物性や構造をリタルタイ
ムで制御することが可能となる。
Further, in order to control the substrate temperature during film formation, it is desirable to provide a heating source in the cooling roll (2). The heating source may be a heating roll (6) with a built-in electric heater.
Many heating rolls (6) in the width direction of the base film (1)
Can be arranged and controlled individually, but in order to make the heating temperature uniform, a heat transfer roll (7) is arranged between the heating roll (6) and the cooling roll (2), and the cooling roll ( It is desirable to control the temperature of 2). Further, a non-contact heat radiation heater or the like may be used as the heating source.
The heating source is arranged just before the base film (1) comes into contact with the cooling roll, and finely adjusts the surface temperature of the cooling roll (2) by turning on / off the heater based on information from the sensor (4). . By such fine adjustment, the base film (1)
By controlling the surface temperature of the thin film, it is possible to control the physical properties and structure of the thin film with the liter time.

(実施例) 装置として第1図に示すものを使用した。各条件は以
下の通りである。
(Example) The apparatus shown in Fig. 1 was used. Each condition is as follows.

真空度 10-3Pa 冷却ロール 1m径シンリンダー(液体窒素で冷
却) 加熱ロール 電気ヒーターを内蔵したシリコン
ロール4本) 伝熱ロール シリコンロール1本 基材フィルム 幅500mm、厚さ12μmのポリエス
テルフィルム 薄膜材料 酸化珪素 蒸着源加熱方式 抵抗加熱(1400℃のヒーター) 蒸着有効長 300mm 走行速度 2m/sec 薄膜厚み 約0.2μm 赤外線センサー InSbセンサー(4〜5μmの赤外
線を検知) 測光路 赤外線測定部にAuミラーを配置
し、ミラー反射赤外線をCaF窓を透して検知。
Vacuum degree 10 -3 Pa Cooling roll 1 m diameter cylinder (cooled with liquid nitrogen) Heating roll 4 silicon rolls with built-in electric heater) Heat transfer roll 1 silicon roll Base film 500 mm wide, 12 μm thick polyester film Thin film material Silicon oxide Evaporation source heating method Resistance heating (1400 ° C heater) Evaporation effective length 300mm Running speed 2m / sec Thin film thickness About 0.2μm Infrared sensor InSb sensor (detects 4-5μm infrared rays) Arranged and the mirror reflected infrared light is detected through the CaF window.

設定温度(薄膜形成面) 75℃ かかる装置及び条件により薄膜形成したところ、基材
フィルムの幅方向及び流れ方向による薄膜の物性及び構
造にムラは認められず、均一な薄膜形成が可能であっ
た。
Set temperature (thin film forming surface) 75 ° C. When a thin film was formed by such an apparatus and conditions, no unevenness was observed in the physical properties and structure of the thin film in the width direction and the flow direction of the base film, and a uniform thin film could be formed. .

(効果) 本発明によれば、薄膜形成時の温度をリアルタイムで
測定できる成膜装置と蒸着フィルムの製造方法を提供す
ることができ、これにより成膜条件の制御と膜の物性や
構造の制御を容易とすることが可能となる。
(Effects) According to the present invention, it is possible to provide a film forming apparatus and a method of manufacturing a vapor-deposited film capable of measuring a temperature at the time of forming a thin film in real time, thereby controlling film forming conditions and controlling physical properties and structure of the film. Can be facilitated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の実施例を示す装置の説明図、第2図A
及び第2図Bはそれぞれポエチレンフィルム、ポリエス
テルフィルムの赤外線透過率を示すグラフ、第3図A及
び第3図Bはそれぞれ酸化珪素と酸化マグネシウムの赤
外線透過率を示すグラフ。 (1)……基材フィルム (11)……巻き出しロール (12)……巻取りロール (2)……冷却ロール (3)……蒸着源 (4)……赤外線センサー (6)……加熱ロール (90)……真空吸引機構
FIG. 1 is an explanatory view of an apparatus showing an embodiment of the present invention, and FIG.
2 and FIG. 2B are graphs showing the infrared transmittance of a polyethylene film and a polyester film, respectively, and FIGS. 3A and 3B are graphs showing the infrared transmittance of silicon oxide and magnesium oxide, respectively. (1) Base film (11) Unwind roll (12) Take-up roll (2) Cooling roll (3) Vapor deposition source (4) Infrared sensor (6) Heating roll (90) ... Vacuum suction mechanism

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】真空吸引機構を有する密閉系内に、基材フ
ィルムを巻き出す巻き出しロール、蒸着フィルムを巻き
取る巻取りロール、フィルムの走行方向に沿って巻き出
しロールと巻取りロールの間に配置された冷却ロール、
冷却ロールの下方に配置された透明材料の蒸着源、フィ
ルムの走行方向に沿って冷却ロールと巻取りロールの間
に配置された赤外線センサーとを設けて成る真空成膜装
置。
1. An unwinding roll for unwinding a base film, a winding roll for winding a vapor-deposited film in a closed system having a vacuum suction mechanism, and a winding roll between the unwinding roll and the winding roll along the running direction of the film. Cooling rolls, placed in
A vacuum film forming apparatus comprising: a transparent material evaporation source disposed below a cooling roll; and an infrared sensor disposed between the cooling roll and a winding roll along a running direction of the film.
【請求項2】真空状態の密閉系内で、基材フィルムを冷
却ロールに抱かせながら走行させ、この冷却ロール上で
基材フィルム表面に透明材料を蒸着し、次いで得られた
蒸着膜により遮断され且つ基材フィルムを透過する波長
の赤外線を測定することを特徴とする蒸着フィルムの製
造方法。
2. A substrate film is run while being held in a cooling roll in a closed system in a vacuum state, and a transparent material is deposited on the surface of the substrate film on the cooling roll, and then blocked by the obtained deposited film. A method for producing a vapor-deposited film, characterized in that infrared light having a wavelength transmitted through a base film is measured.
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