JP3023232B2 - 半導体素子樹脂コート方法及び装置 - Google Patents
半導体素子樹脂コート方法及び装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトカプラー等の半
導体素子を樹脂でコートする方法及び装置に関する。
導体素子を樹脂でコートする方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトカプラー等の半導体素子を
樹脂でコートすることは、図４および図５に示すよう
に、樹脂を半導体素子に滴下させ、熱によって硬化させ
ていた。
樹脂でコートすることは、図４および図５に示すよう
に、樹脂を半導体素子に滴下させ、熱によって硬化させ
ていた。
【０００３】図４に示すように、まず図４（ａ）におい
て未硬化の熱硬化型の樹脂の充満したシリンジ１から、
リードフレーム４上にあるフォトカプラーの発光半導体
素子２と受光半導体素子３にまたがって熱硬化型の樹脂
５を滴下する。次に図４（ｂ）に示すように、樹脂５を
オーブンやヒータブロック等の熱源６によって熱して樹
脂５を硬化させる。これによって、リードフレーム４上
にある発光半導体素子２と受光半導体素子３とは、発光
半導体素子２から発する光線が、樹脂５の反射面７で反
射されてあるいは直接に、受光半導体素子３に達するよ
うに光結合される。なお、熱硬化型の樹脂５は、発光半
導体素子２から発する光線の波長においては透過性を有
する。
て未硬化の熱硬化型の樹脂の充満したシリンジ１から、
リードフレーム４上にあるフォトカプラーの発光半導体
素子２と受光半導体素子３にまたがって熱硬化型の樹脂
５を滴下する。次に図４（ｂ）に示すように、樹脂５を
オーブンやヒータブロック等の熱源６によって熱して樹
脂５を硬化させる。これによって、リードフレーム４上
にある発光半導体素子２と受光半導体素子３とは、発光
半導体素子２から発する光線が、樹脂５の反射面７で反
射されてあるいは直接に、受光半導体素子３に達するよ
うに光結合される。なお、熱硬化型の樹脂５は、発光半
導体素子２から発する光線の波長においては透過性を有
する。
【０００４】また、図４（ｂ）に示す場合のように、熱
硬化型の樹脂５によって発光半導体素子２と受光半導体
素子３とを光結合する場合において、効率的に光結合で
きるように樹脂５の形状を適性化する提案がいくつかな
されている。
硬化型の樹脂５によって発光半導体素子２と受光半導体
素子３とを光結合する場合において、効率的に光結合で
きるように樹脂５の形状を適性化する提案がいくつかな
されている。
【０００５】例えば、特開昭５１−５９２８４において
は、反射面７の形状を球状、回転楕円状またはこれらに
類似の形状にして効率的な光結合を実現することが開示
されている。
は、反射面７の形状を球状、回転楕円状またはこれらに
類似の形状にして効率的な光結合を実現することが開示
されている。
【０００６】また、特開昭６０−１００４３７において
は半導体素子に連なるリードをヒータブロックで熱しな
がら樹脂を滴下することにより、リード上を樹脂が流れ
だすことを防止している。
は半導体素子に連なるリードをヒータブロックで熱しな
がら樹脂を滴下することにより、リード上を樹脂が流れ
だすことを防止している。
【０００７】また、特開昭６２−２０４５８２や特開昭
６３−２７４１８７において、形成用の型を用いること
により硬化条件のバラツキを防ぐ等して硬化する樹脂の
均一化することが開示されている。ここでは、透光性の
樹脂の形状を適性かつ安定にに作るために凹状の成型治
具や金型を使用し、凹状の型の内部へ樹脂を充填してい
る。
６３−２７４１８７において、形成用の型を用いること
により硬化条件のバラツキを防ぐ等して硬化する樹脂の
均一化することが開示されている。ここでは、透光性の
樹脂の形状を適性かつ安定にに作るために凹状の成型治
具や金型を使用し、凹状の型の内部へ樹脂を充填してい
る。
【０００８】一方、図５に示すように、半導体素子１２
を歪み等から保護するために低応力の樹脂５で半導体素
子８をコートする場合においても、図４の場合と同様に
シリンジ１から樹脂５を滴下し（図５（ａ））、樹脂５
をオーブン等の熱源６によって熱して硬化させることが
行われている（図５（ｂ））。
を歪み等から保護するために低応力の樹脂５で半導体素
子８をコートする場合においても、図４の場合と同様に
シリンジ１から樹脂５を滴下し（図５（ａ））、樹脂５
をオーブン等の熱源６によって熱して硬化させることが
行われている（図５（ｂ））。
【０００９】この場合の例として、特公平２−２４３８
５において、半導体素子のうち特に発光半導体素子を、
ヤング率の高いモールド樹脂のストレス（応力）から保
護するために、低応力の熱硬化型シリコン樹脂で完全に
半導体素子を覆うことが開示されている。
５において、半導体素子のうち特に発光半導体素子を、
ヤング率の高いモールド樹脂のストレス（応力）から保
護するために、低応力の熱硬化型シリコン樹脂で完全に
半導体素子を覆うことが開示されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ヒータ
ブロック等の熱源６を用いて樹脂５を硬化させる場合に
は、樹脂５の形状を適正な形状に安定して形成すること
が難しいという問題点があった。
ブロック等の熱源６を用いて樹脂５を硬化させる場合に
は、樹脂５の形状を適正な形状に安定して形成すること
が難しいという問題点があった。
【００１１】この理由は、樹脂５の硬化の過程が、リー
ドフレーム４と樹脂５とのぬれ性、樹脂５の表面張力や
重量、大気圧、硬化完了までに生じる振動、環境温度、
あるいは加熱時間等の諸条件に複雑に依存するからであ
る。特に、熱によって樹脂５を硬化させることは、熱源
６に近い樹脂５の部分から熱伝導によって徐々に熱を伝
導させることでなされるため、樹脂５の全体が完全に硬
化するまでに長い時間を要する。そして、長時間に渡っ
て諸条件を適正に制御することは容易でなく、このため
に、樹脂５の形状を適正な形状に安定して形成すること
は容易でない。
ドフレーム４と樹脂５とのぬれ性、樹脂５の表面張力や
重量、大気圧、硬化完了までに生じる振動、環境温度、
あるいは加熱時間等の諸条件に複雑に依存するからであ
る。特に、熱によって樹脂５を硬化させることは、熱源
６に近い樹脂５の部分から熱伝導によって徐々に熱を伝
導させることでなされるため、樹脂５の全体が完全に硬
化するまでに長い時間を要する。そして、長時間に渡っ
て諸条件を適正に制御することは容易でなく、このため
に、樹脂５の形状を適正な形状に安定して形成すること
は容易でない。
【００１２】さらに、樹脂５の全体が完全に硬化するま
でに長時間を要するためにその間で、樹脂５が流れだ
し、樹脂５を適正な形状に形成することが難しかった。
このため、図４（ｃ）に示すように、樹脂５の反射面７
が歪み、効率的に光結合できなかった。
でに長時間を要するためにその間で、樹脂５が流れだ
し、樹脂５を適正な形状に形成することが難しかった。
このため、図４（ｃ）に示すように、樹脂５の反射面７
が歪み、効率的に光結合できなかった。
【００１３】また、図５（ｃ）に示すように、硬化する
までに長時間を要するために、樹脂５がリードフレーム
４上を流れ出てしまい、半導体素子１２の上角部が露出
し、樹脂５で半導体素子２を完全に覆って保護すること
ができないという問題点があった。この場合、半導体素
子１２を完全の覆うようにするためには、樹脂５の量を
多くする必要があった。
までに長時間を要するために、樹脂５がリードフレーム
４上を流れ出てしまい、半導体素子１２の上角部が露出
し、樹脂５で半導体素子２を完全に覆って保護すること
ができないという問題点があった。この場合、半導体素
子１２を完全の覆うようにするためには、樹脂５の量を
多くする必要があった。
【００１４】また、特開昭６０−２４０８０では、保護
すべき発光半導体素子２をダイボンヂングする位置のリ
ードフレームを凹型にすることによって、樹脂が流れ出
ることを防止している。しかし、リードフレーム上に凹
部を形成することは、リードフレームの製造上コストア
ップになり、また、半導体素子のサイズに比べてより大
きなリードフレームを要するので装置の小型化する上で
問題点があった。
すべき発光半導体素子２をダイボンヂングする位置のリ
ードフレームを凹型にすることによって、樹脂が流れ出
ることを防止している。しかし、リードフレーム上に凹
部を形成することは、リードフレームの製造上コストア
ップになり、また、半導体素子のサイズに比べてより大
きなリードフレームを要するので装置の小型化する上で
問題点があった。
【００１５】また、前述の特開昭６２−２０４５８２や
特開昭６３−２７４１８７に開示されているように形成
用の型を用い場合は、凹状の成型治具や金型を使用する
ことになり、製造コストが高くなるという問題点があっ
た。また、樹脂がリードフレームと金型の間を毛細現象
に従ってリードフレームの表面を流れ出ることを防止す
ることが技術的に容易でないという問題点があった。
特開昭６３−２７４１８７に開示されているように形成
用の型を用い場合は、凹状の成型治具や金型を使用する
ことになり、製造コストが高くなるという問題点があっ
た。また、樹脂がリードフレームと金型の間を毛細現象
に従ってリードフレームの表面を流れ出ることを防止す
ることが技術的に容易でないという問題点があった。
【００１６】そこで本発明の目的は、上記従来技術の有
する問題を解消し、光線照射硬化型樹脂に光線を照射し
て速やかに硬化させ、樹脂の形状を適正な形状に安定し
て形成することのできる半導体素子樹脂コート方法及び
装置を提供することである。
する問題を解消し、光線照射硬化型樹脂に光線を照射し
て速やかに硬化させ、樹脂の形状を適正な形状に安定し
て形成することのできる半導体素子樹脂コート方法及び
装置を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体素子へ向けて光線照射硬化型樹脂
を滴下しながら、前記半導体素子へ滴下した前記光線照
射硬化型樹脂に光線を照射して硬化させ半導体素子に樹
脂をコートすることを特徴とする。光線照射硬化型樹脂
は紫外線硬化型樹脂であり、光線は紫外線であることが
好適である。
に、本発明は、半導体素子へ向けて光線照射硬化型樹脂
を滴下しながら、前記半導体素子へ滴下した前記光線照
射硬化型樹脂に光線を照射して硬化させ半導体素子に樹
脂をコートすることを特徴とする。光線照射硬化型樹脂
は紫外線硬化型樹脂であり、光線は紫外線であることが
好適である。
【００１８】また、略同一平面に載置された発光半導体
素子と受光半導体素子にまたがって紫外線照射硬化型樹
脂を滴下しながら、前記半導体素子へ滴下した前記紫外
線照射硬化型樹脂に紫外線を照射して紫外線照射硬化型
樹脂を硬化させ、前記紫外線照射硬化型樹脂の反射面
を、前記発光半導体素子から発する光線が反射して前記
受光半導体素子に達するよう形成したことを特徴とす
る。また、本発明は、紫外線照射硬化型樹脂に紫外線を
照射して硬化させ半導体素子に樹脂をコートする半導体
素子樹脂コート装置であって、前記発光半導体素子に向
かって前記紫外線を放射する光源と、前記光源の下方向
に位置し前記半導体素子へ向けて前記紫外線照射硬化型
樹脂を滴下するためのシリンジと、を備え、前記シリン
ジの外面は、前記紫外線を遮光するように塗装されてい
ることを特徴とする。
素子と受光半導体素子にまたがって紫外線照射硬化型樹
脂を滴下しながら、前記半導体素子へ滴下した前記紫外
線照射硬化型樹脂に紫外線を照射して紫外線照射硬化型
樹脂を硬化させ、前記紫外線照射硬化型樹脂の反射面
を、前記発光半導体素子から発する光線が反射して前記
受光半導体素子に達するよう形成したことを特徴とす
る。また、本発明は、紫外線照射硬化型樹脂に紫外線を
照射して硬化させ半導体素子に樹脂をコートする半導体
素子樹脂コート装置であって、前記発光半導体素子に向
かって前記紫外線を放射する光源と、前記光源の下方向
に位置し前記半導体素子へ向けて前記紫外線照射硬化型
樹脂を滴下するためのシリンジと、を備え、前記シリン
ジの外面は、前記紫外線を遮光するように塗装されてい
ることを特徴とする。
【００１９】
【作用】半導体素子へ向けて光線照射硬化型樹脂を滴下
した後、この滴下した光線照射硬化型樹脂に光線を照射
する。光線が光線照射硬化型樹脂の内部まで透過し光線
照射硬化型樹脂を励起して硬化させるので、熱伝導によ
り伝わる熱で硬化させる場合に比べて、速やかに樹脂を
硬化させることができる。
した後、この滴下した光線照射硬化型樹脂に光線を照射
する。光線が光線照射硬化型樹脂の内部まで透過し光線
照射硬化型樹脂を励起して硬化させるので、熱伝導によ
り伝わる熱で硬化させる場合に比べて、速やかに樹脂を
硬化させることができる。
【００２０】
【実施例】以下に本発明による半導体素子樹脂コート方
法の第１実施例を図１を参照して説明する。
法の第１実施例を図１を参照して説明する。
【００２１】ここでは、光線照射硬化型樹脂として紫外
線硬化型樹脂１１が用いられる。また、光線照射硬化型
樹脂に照射される光線として紫外線１０が用いられる。
線硬化型樹脂１１が用いられる。また、光線照射硬化型
樹脂に照射される光線として紫外線１０が用いられる。
【００２２】本実施例は図１に示すように、リードフレ
ーム４上にあるフォトカプラーの発光半導体素子２と受
光半導体素子３とを紫外線硬化型樹脂１１でコートする
場合を示す。
ーム４上にあるフォトカプラーの発光半導体素子２と受
光半導体素子３とを紫外線硬化型樹脂１１でコートする
場合を示す。
【００２３】まず、図１（ａ）に示すように、未硬化の
紫外線硬化型樹脂１１を充満したシリンジ１を、リード
フレーム４上にあるフォトカプラーの発光半導体素子２
と受光半導体素子３に近接して設ける。次に、フォトカ
プラーの発光半導体素子２と受光半導体素子３にまたが
って紫外線硬化型樹脂１１を滴下する。滴下した紫外線
硬化型樹脂１１は、発光半導体素子２、受光半導体素子
３およびリードフレーム４にまたがって半球状を形成す
る。
紫外線硬化型樹脂１１を充満したシリンジ１を、リード
フレーム４上にあるフォトカプラーの発光半導体素子２
と受光半導体素子３に近接して設ける。次に、フォトカ
プラーの発光半導体素子２と受光半導体素子３にまたが
って紫外線硬化型樹脂１１を滴下する。滴下した紫外線
硬化型樹脂１１は、発光半導体素子２、受光半導体素子
３およびリードフレーム４にまたがって半球状を形成す
る。
【００２４】次に、図１（ｂ）に示すように、リードフ
レーム４は紫外線光源８から発せられる紫外線１０の下
の位置に移される。紫外線光源８は、紫外線１０が滴下
した紫外線硬化型樹脂１１に向けられるように、上部に
反射板９を有している。そして、滴下した半球状の紫外
線硬化型樹脂１１に紫外線１０が照射される。この紫外
線１０の強度は約３Ｊｏｕｌｅ／ｃｍ２であり、１回あ
たりの照射時間は約５〜１０秒である。紫外線１１は半
球状の紫外線硬化型樹脂１１の外面に照射されるのみな
らず、この内部に透過して樹脂の内部にも照射される。
レーム４は紫外線光源８から発せられる紫外線１０の下
の位置に移される。紫外線光源８は、紫外線１０が滴下
した紫外線硬化型樹脂１１に向けられるように、上部に
反射板９を有している。そして、滴下した半球状の紫外
線硬化型樹脂１１に紫外線１０が照射される。この紫外
線１０の強度は約３Ｊｏｕｌｅ／ｃｍ２であり、１回あ
たりの照射時間は約５〜１０秒である。紫外線１１は半
球状の紫外線硬化型樹脂１１の外面に照射されるのみな
らず、この内部に透過して樹脂の内部にも照射される。
【００２５】この結果、図１（ｃ）に示すように、紫外
線硬化型樹脂１１は適正な形状で硬化される。次に、必
要に応じて、半球状の球面に反射面７を形成する。これ
によって、発光半導体素子２から発した光線はこの反射
面７で反射し、受光半導体素子３に達するように光結合
される。
線硬化型樹脂１１は適正な形状で硬化される。次に、必
要に応じて、半球状の球面に反射面７を形成する。これ
によって、発光半導体素子２から発した光線はこの反射
面７で反射し、受光半導体素子３に達するように光結合
される。
【００２６】また、熱硬化型の樹脂を用いる場合のよう
に半導体素子に熱を照射する必要がないので、照射され
た熱により半導体素子の特性が変化することを防止する
ことができる。
に半導体素子に熱を照射する必要がないので、照射され
た熱により半導体素子の特性が変化することを防止する
ことができる。
【００２７】本実施例の構成によれば、紫外線硬化型樹
脂１１を滴下後、速やかに紫外線１０を照射し、この照
射によって短い時間で紫外線硬化型樹脂１１を硬化させ
ることができる。そして、紫外線硬化型樹脂１１を滴下
後、短時間で硬化させることができるので、リードフレ
ーム４と樹脂５とのぬれ性、樹脂５の表面張力や重量、
大気圧、硬化完了までに生じる振動、環境温度、あるい
は加熱時間等の諸条件の変動に影響されにくい。このた
め、半球状の紫外線硬化型樹脂１１を、図４（ｃ）のよ
うに樹脂が流れ出して崩れることはなく、適正な形状で
安定して硬化させコートすることができる。
脂１１を滴下後、速やかに紫外線１０を照射し、この照
射によって短い時間で紫外線硬化型樹脂１１を硬化させ
ることができる。そして、紫外線硬化型樹脂１１を滴下
後、短時間で硬化させることができるので、リードフレ
ーム４と樹脂５とのぬれ性、樹脂５の表面張力や重量、
大気圧、硬化完了までに生じる振動、環境温度、あるい
は加熱時間等の諸条件の変動に影響されにくい。このた
め、半球状の紫外線硬化型樹脂１１を、図４（ｃ）のよ
うに樹脂が流れ出して崩れることはなく、適正な形状で
安定して硬化させコートすることができる。
【００２８】また、発光半導体素子２と受光半導体素子
３とを反射面７を介して効率的に光結合することができ
る。
３とを反射面７を介して効率的に光結合することができ
る。
【００２９】また、熱源が不要であるので、硬化型樹脂
を用いる場合に比べてコンパクトな装置で半導体素子を
コートすることができる。
を用いる場合に比べてコンパクトな装置で半導体素子を
コートすることができる。
【００３０】次の本発明の第２実施例を図２を参照して
説明する。図２（ａ）において、未硬化の紫外線硬化型
樹脂１１を充満したシリンジ１の上方に、紫外線光源８
が設けられている。シリンジ１の外面１３には、シリン
ジ１にあたる紫外線１０を遮光するための塗装がなされ
ている。
説明する。図２（ａ）において、未硬化の紫外線硬化型
樹脂１１を充満したシリンジ１の上方に、紫外線光源８
が設けられている。シリンジ１の外面１３には、シリン
ジ１にあたる紫外線１０を遮光するための塗装がなされ
ている。
【００３１】シリンジ１から紫外線硬化型樹脂１１がフ
ォトカプラーの発光半導体素子２と受光半導体素子３に
またがって紫外線硬化型樹脂１１を滴下する。そして、
滴下された紫外線硬化型樹脂１１に紫外線１０を照射す
る。
ォトカプラーの発光半導体素子２と受光半導体素子３に
またがって紫外線硬化型樹脂１１を滴下する。そして、
滴下された紫外線硬化型樹脂１１に紫外線１０を照射す
る。
【００３２】本実施例の構成によれば、シリンジ１に近
接して紫外線光源８を設けたので、紫外線硬化型樹脂１
１を滴下させた直後に、紫外線硬化型樹脂１１を硬化さ
せ始めることができる。この結果、硬化完了までの時間
を短くすることができるので、滴下する紫外線硬化型樹
脂１１を適正な形状で安定して形成することができる。
次の本発明の第３実施例を図３を参照して説明する。
図３において、フォトカプラーの発光ダイオード等の半
導体素子１２を低応力の樹脂で覆い保護する場合を示
す。図３（ａ）に示すように、この場合も図１と同様
に、シリンジ１から紫外線硬化型樹脂１１が、リードフ
レーム４上にある半導体素子１２に滴下される。
接して紫外線光源８を設けたので、紫外線硬化型樹脂１
１を滴下させた直後に、紫外線硬化型樹脂１１を硬化さ
せ始めることができる。この結果、硬化完了までの時間
を短くすることができるので、滴下する紫外線硬化型樹
脂１１を適正な形状で安定して形成することができる。
次の本発明の第３実施例を図３を参照して説明する。
図３において、フォトカプラーの発光ダイオード等の半
導体素子１２を低応力の樹脂で覆い保護する場合を示
す。図３（ａ）に示すように、この場合も図１と同様
に、シリンジ１から紫外線硬化型樹脂１１が、リードフ
レーム４上にある半導体素子１２に滴下される。
【００３３】次に図３（ｂ）に示すように、紫外線光源
８によって滴下した紫外線硬化型樹脂１１に紫外線１０
を照射する。本実施例の構成によれば、紫外線硬化型樹
脂１１を滴下した直後に紫外線１０を照射し、滴下した
紫外線硬化型樹脂１１を短時間で硬化させることができ
る。この結果、図５（ｃ）のように樹脂５がリードフレ
ーム４上を流れ出てしまって半導体素子１２の上角部が
露出するようなことがなく、紫外線硬化型樹脂１１で半
導体素子１２を完全に覆って保護することができる。
８によって滴下した紫外線硬化型樹脂１１に紫外線１０
を照射する。本実施例の構成によれば、紫外線硬化型樹
脂１１を滴下した直後に紫外線１０を照射し、滴下した
紫外線硬化型樹脂１１を短時間で硬化させることができ
る。この結果、図５（ｃ）のように樹脂５がリードフレ
ーム４上を流れ出てしまって半導体素子１２の上角部が
露出するようなことがなく、紫外線硬化型樹脂１１で半
導体素子１２を完全に覆って保護することができる。
【００３４】なお、本実施例では、半導体素子１２の例
としてフォトカプラーの発光ダイオードについて示した
が、これに限らず、フォトインタラプタの発光ダイオー
ドの保護をはじめ、外部応力に弱い他の半導体素子をコ
ートする場合であってもよい。以上の説明で、光線照射
硬化型樹脂として紫外線硬化型樹脂について示したが、
紫外線に限らず、可視光を照射光線として使用する樹脂
であってもよい。
としてフォトカプラーの発光ダイオードについて示した
が、これに限らず、フォトインタラプタの発光ダイオー
ドの保護をはじめ、外部応力に弱い他の半導体素子をコ
ートする場合であってもよい。以上の説明で、光線照射
硬化型樹脂として紫外線硬化型樹脂について示したが、
紫外線に限らず、可視光を照射光線として使用する樹脂
であってもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体素子に滴下させた紫外線硬化型樹脂等の光線照射
硬化型樹脂に紫外線等の光線を照射するので、滴下した
樹脂が流れ出す前に硬化させて、樹脂の形状を適正な形
状に安定して形成し、半導体素子を適正にコートするこ
とができる。
半導体素子に滴下させた紫外線硬化型樹脂等の光線照射
硬化型樹脂に紫外線等の光線を照射するので、滴下した
樹脂が流れ出す前に硬化させて、樹脂の形状を適正な形
状に安定して形成し、半導体素子を適正にコートするこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体素子樹脂コート方法の第１
実施例の概略構成を示すブロック図。
実施例の概略構成を示すブロック図。
【図２】本発明による第２実施例の概略構成を示すブロ
ック図。
ック図。
【図３】本発明による第３実施例の低応力の紫外線硬化
型樹脂を用いて半導体素子を保護する方法の概略構成を
示すブロック図。
型樹脂を用いて半導体素子を保護する方法の概略構成を
示すブロック図。
【図４】従来の熱硬化型樹脂を用いた半導体素子樹脂コ
ート方法の概略構成を示すブロック図。
ート方法の概略構成を示すブロック図。
【図５】従来の熱硬化型樹脂を用いて半導体素子を覆っ
て保護する方法の概略構成を示すブロック図。
て保護する方法の概略構成を示すブロック図。
１ シリンジ ２ 発光半導体素子 ３ 受光半導体素子 ４ リードフレーム ５ 熱硬化型樹脂 ６ 熱源 ７ 反射面 ８ 紫外線光源 ９ 反射板 １０ 紫外線 １１ 紫外線硬化型樹脂 １２ 半導体素子 １３ 外面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/56,23/29,23/31
Claims (2)
- 【請求項１】略同一平面に載置された発光半導体素子と
受光半導体素子にまたがって紫外線照射硬化型樹脂を滴
下しながら、前記半導体素子へ滴下した前記紫外線照射
硬化型樹脂に紫外線を照射して紫外線照射硬化型樹脂を
硬化させ、前記紫外線照射硬化型樹脂の反射面を、前記
発光半導体素子から発する光線が反射して前記受光半導
体素子に達するよう形成したことを特徴とする半導体素
子樹脂コート方法。 - 【請求項２】紫外線照射硬化型樹脂に紫外線を照射して
硬化させ半導体素子に樹脂をコートする半導体素子樹脂
コート装置であって、 前記発光半導体素子に向かって前記紫外線を放射する光
源と、 前記光源の下方向に位置し前記半導体素子へ向けて前記
紫外線照射硬化型樹脂を滴下するためのシリンジと、を
備え、 前記シリンジの外面は、前記紫外線を遮光するように塗
装されていることを特徴とする半導体素子樹脂コート装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34324291A JP3023232B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体素子樹脂コート方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34324291A JP3023232B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体素子樹脂コート方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175261A JPH05175261A (ja) | 1993-07-13 |
| JP3023232B2 true JP3023232B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=18360021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34324291A Expired - Lifetime JP3023232B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体素子樹脂コート方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3023232B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP34324291A patent/JP3023232B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05175261A (ja) | 1993-07-13 |
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