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JP3024259B2 - Switching element drive circuit - Google Patents
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JP3024259B2 - Switching element drive circuit - Google Patents

Switching element drive circuit

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JP3024259B2
JP3024259B2 JP3120441A JP12044191A JP3024259B2 JP 3024259 B2 JP3024259 B2 JP 3024259B2 JP 3120441 A JP3120441 A JP 3120441A JP 12044191 A JP12044191 A JP 12044191A JP 3024259 B2 JP3024259 B2 JP 3024259B2
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定典 鈴木
康之 溝渕
世紀 坂田
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はスイッチング素子駆動回
路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a switching element drive circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、図2に示すように、グランド側に
負荷11を設けた電流駆動型スイッチング素子としての
トランジスタ12に抵抗13を介してベ−ス電流を供給
する場合に、スイッチング素子駆動回路として昇圧電源
回路14が使用されている。即ち、トランジスタ12が
オンしている時、トランジスタ12のエミッタ・コレク
タ間電圧は直流電源Eの電源電圧Veeに比べて無視で
きるほど小さいので、トランジスタ12のエミッタと負
荷11との間の電圧は直流電源Eの電源電圧Veeとほ
ぼ等しい電圧となる。この時、同トランジスタ12のオ
ン状態を維持するためのベ−ス電圧Vonは、前記電源
電圧Veeにトランジスタ12のベ−ス・エミッタ間電
圧を加えた電圧以上であることが必要であり、そのベ−
ス電圧Vonをつくるために昇圧電源回路14が使われ
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, as shown in FIG. 2, when a base current is supplied via a resistor 13 to a transistor 12 serving as a current-driven switching element having a load 11 provided on the ground side, the switching element is driven. The boost power supply circuit 14 is used as a circuit. That is, when the transistor 12 is on, the voltage between the emitter and the collector of the transistor 12 is negligibly smaller than the power supply voltage Vee of the DC power supply E. The voltage is substantially equal to the power supply voltage Vee of the power supply E. At this time, the base voltage Von for maintaining the ON state of the transistor 12 must be equal to or higher than the sum of the power supply voltage Vee and the base-emitter voltage of the transistor 12. Bee
The boosting power supply circuit 14 is used to generate the source voltage Von.

【0003】昇圧電源回路14は図2に示すように、誘
導コイルL、コンデンサC、逆止用ダイオ−ドD、トラ
ンジスタ15、昇圧制御回路16等から構成されてい
る。この昇圧電源回路14はトランジスタ15をデュ−
ティ制御にてオン・オフ動作させることにより、オン時
に誘導コイルLに誘起された電気エネルギ−をオフ時に
ダイオ−ドDを介してコンデンサCに充電させ、この動
作を繰り返すことによりコンデンサCの充電電圧を直流
電源Eの電源電圧Vee以上に昇圧させる。そして、こ
の昇圧されたコンデンサCの充電電圧をトランジスタ1
2のベ−ス電流のための電源電圧としている。
As shown in FIG. 2, the step-up power supply circuit 14 comprises an induction coil L, a capacitor C, a diode D for non-return, a transistor 15, a step-up control circuit 16, and the like. This boost power supply circuit 14 has a transistor 15
The on / off operation of the capacitor C causes the electric energy induced in the induction coil L to be charged to the capacitor C via the diode D when the capacitor is turned off, and the capacitor C is charged by repeating this operation. The voltage is increased to the power supply voltage Vee of the DC power supply E or higher. Then, the boosted charging voltage of the capacitor C is applied to the transistor 1
The power supply voltage is for a base current of 2.

【0004】この昇圧された電源電圧(以下、昇圧電
圧)Vinが常に一定の電圧になるように、前記昇圧制
御回路16にてトランジスタ15をデュ−ティ制御して
いる。つまり、昇圧制御回路16はその時の昇圧電圧V
inを検出するために、抵抗R1,R2からなる分圧回
路から分圧電圧Vsを入力するとともに、予め定めた基
準電圧Vkを入力する。基準電圧Vkは昇圧電圧Vin
を目標電圧Vp(トランジスタ12をオン状態にするた
めの目標電圧であり、トランジスタ12をオンさせるた
めに必要なべ−ス電圧Vonとベ−ス端子に接続された
抵抗13による電圧降下とを加えた電圧)にするために
予め設定された電圧である。
The transistor 15 is duty-controlled by the boosting control circuit 16 so that the boosted power supply voltage (hereinafter, boosted voltage) Vin always becomes a constant voltage. That is, the boost control circuit 16 outputs the boosted voltage V at that time.
In order to detect "in", a divided voltage Vs is input from a voltage dividing circuit including resistors R1 and R2, and a predetermined reference voltage Vk is input. The reference voltage Vk is the boosted voltage Vin
Is a target voltage Vp (a target voltage for turning on the transistor 12, which is obtained by adding a base voltage Von necessary for turning on the transistor 12 and a voltage drop due to the resistor 13 connected to the base terminal. Voltage).

【0005】すなわち、昇圧制御回路16は、分圧電圧
Vsが基準電圧Vkより小さい時には、昇圧電圧Vin
が目標電圧Vpより低いとしてトランジスタ15のデュ
−ティ制御のデュ−ティ比を上げて昇圧電圧Vinを目
標電圧Vpに近づける。反対に、昇圧制御回路16は、
分圧電圧Vsが基準電圧Vkより大きい時には、昇圧電
圧Vinが目標電圧Vpより高いとしてトランジスタ1
5のデュ−ティ制御のデュ−ティ比を下げて昇圧電圧V
inを目標電圧Vpに近づける。従って、昇圧電源回路
14は昇圧制御回路16によって昇圧電圧Vinが常に
目標電圧Vpと等しくなるように制御している。
That is, when the divided voltage Vs is smaller than the reference voltage Vk, the boost control circuit 16 increases the boosted voltage Vin.
Is lower than the target voltage Vp, and the duty ratio of the duty control of the transistor 15 is increased to bring the boosted voltage Vin closer to the target voltage Vp. Conversely, the boost control circuit 16
When the divided voltage Vs is higher than the reference voltage Vk, it is determined that the boosted voltage Vin is higher than the target voltage Vp.
5, the duty ratio of the duty control is lowered to increase the boosted voltage V
in is brought close to the target voltage Vp. Therefore, the boosting power supply circuit 14 controls the boosting control circuit 16 so that the boosted voltage Vin is always equal to the target voltage Vp.

【0006】そして、昇圧電源回路14は昇圧電圧Vi
nと電源電圧Veeの差電圧(=Vin−Vee)と抵
抗13とで決まるベ−ス電流Ibをトランジスタ12の
ベ−スに流し、トランジスタ12を駆動している。
[0006] The boost power supply circuit 14 generates a boosted voltage Vi.
The base current Ib determined by the difference voltage (= Vin−Vee) between the n and the power supply voltage Vee and the resistor 13 flows to the base of the transistor 12 to drive the transistor 12.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たようにベ−ス電流Ibを抵抗13の抵抗値によって決
めているため、その電力損失及び発熱が問題となってい
た。本発明は上記問題点を解決するためになされたもの
であって、その目的はベ−ス電流を決める抵抗による電
力損失及び発熱を無くすことができるスイッチング素子
駆動回路を提供することにある。
However, since the base current Ib is determined by the resistance value of the resistor 13 as described above, power loss and heat generation have been problems. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a switching element drive circuit that can eliminate power loss and heat generation due to a resistor that determines a base current.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するため、グランド側に負荷を設けた電流駆動型スイ
ッチング素子に電流を供給して駆動するスイッチング素
子駆動回路において、前記電流駆動型スイッチング素子
の電源である直流電源の電圧を誘導コイルに印加し第2
のスイッチング素子のスイッチング動作により、そのオ
ン時に前記誘導コイルに誘起された電気エネルギ−をオ
フ時に逆止用ダイオ−ドを介してコンデンサに充電させ
る動作を繰り返すことによりコンデンサの充電電圧を前
記直流電源の電源電圧以上に昇圧して前記電流駆動型ス
イッチング素子の駆動電流のための電源電圧としている
昇圧電源回路と、前記電流駆動型スイッチング素子に供
給される電流を検出してそれに比例した出力電圧を出力
する電流検出器と、前記電流検出器が検出した出力電圧
と基準電圧を比較して前記第2のスイッチング素子のス
イッチング動作を制御する昇圧制御回路とにより構成し
たことをその要旨とする。
According to the present invention, there is provided a switching element driving circuit for supplying a current to a current driving type switching element provided with a load on the ground side to drive the current driving type switching element. The voltage of the DC power source, which is the power source of the switching element, is applied to the induction coil, and the second
The switching operation of the switching element causes the capacitor to charge the capacitor via the non-return diode when the electric energy induced in the induction coil is turned off. A boosted power supply circuit that is boosted to a power supply voltage equal to or higher than a power supply voltage for a drive current of the current drive type switching element, and detects a current supplied to the current drive type switching element and outputs an output voltage proportional thereto. The gist of the present invention is that the current detector outputs a current and a boost control circuit that compares the output voltage detected by the current detector with a reference voltage and controls the switching operation of the second switching element.

【0009】[0009]

【作用】グランド側に負荷を設けた電流駆動型スイッチ
ング素子を駆動するために昇圧電源回路が供給する電流
を電流検出器によって検出し、その電流が一定になるよ
うに昇圧制御回路によって昇圧電源回路を制御する。そ
の結果、電流駆動型スイッチング素子を駆動するための
電流を抵抗によって決定しないため、その抵抗による電
力損失及び発熱をなくすことができる。
The current supplied from the boosting power supply circuit for driving the current-driven switching element having a load on the ground side is detected by the current detector, and the boosting power supply circuit is controlled by the boosting control circuit so that the current becomes constant. Control. As a result, since the current for driving the current-driven switching element is not determined by the resistor, power loss and heat generation due to the resistor can be eliminated.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図1に
従って説明する。尚、本実施例において、図2に示した
従来技術のスイッチング素子駆動回路と構成上異なって
いるのは昇圧電源回路14におけるトランジスタ12の
ベ−ス電流Ibの決定方法のみであるので、説明の便宜
上図2と同じ構成を成す部分については符号を同じにし
てその詳細な説明を省略し、異なる構成についてのみ説
明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. In this embodiment, the only difference from the prior art switching element driving circuit shown in FIG. 2 in the configuration is the method of determining the base current Ib of the transistor 12 in the boosting power supply circuit 14. For convenience, portions having the same configuration as in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. Only different configurations will be described.

【0011】電流検出器17は昇圧電圧Vinの出力側
であるコンデンサCのプラス側とトランジスタ12のベ
−スとの間に接続され、トランジスタ12のベ−ス電流
Ibを検出してそれに比例した電圧(以下、検出電圧)
Vaを昇圧制御回路16に出力する。昇圧制御回路16
は検出電圧Vaを入力するとともに、予め定めた基準電
圧Vrを入力する。基準電圧Vrはトランジスタ12の
ベ−ス電流Ibをトランジスタ12をオン状態にするた
めの所定の電流(目標電流)Ipにするために予め設定
された電圧である。
The current detector 17 is connected between the plus side of the capacitor C, which is the output side of the boosted voltage Vin, and the base of the transistor 12, and detects the base current Ib of the transistor 12 and is proportional to it. Voltage (hereinafter, detection voltage)
Va is output to the boost control circuit 16. Boost control circuit 16
Inputs a detection voltage Va and a predetermined reference voltage Vr. The reference voltage Vr is a voltage set in advance to make the base current Ib of the transistor 12 a predetermined current (target current) Ip for turning on the transistor 12.

【0012】すなわち、昇圧制御回路16は、検出電圧
Vaが基準電圧Vrより小さい時には、トランジスタ1
2のベ−ス電流Ibが目標電流Ipより小さいとしてト
ランジスタ15のデュ−ティ制御のデュ−ティ比を上げ
昇圧電圧Vinを上げてベ−ス電流Ibを目標電流Ip
に近づける。反対に、昇圧制御回路16は、検出電圧V
aが基準電圧Vrより大きい時には、トランジスタ12
のベ−ス電流Ibが目標電流Ipより大きいとしてトラ
ンジスタ15のデュ−ティ制御のデュ−ティ比を下げ昇
圧電圧Vinを下げてベ−ス電流Ibを目標電流Ipに
近づける。従って、昇圧電源回路14は昇圧制御回路1
6によってトランジスタ12のベ−ス電流Ibが常に目
標電流Ipと等しくなるように制御している。言い方を
変えれば、トランジスタ12のベ−ス電流Ibを一定
(=目標電流Ip)になるように、昇圧電源回路14は
昇圧制御回路16によって制御されていることになる。
That is, when the detection voltage Va is smaller than the reference voltage Vr, the boost control circuit 16
Assuming that the base current Ib is smaller than the target current Ip, the duty ratio of the duty control of the transistor 15 is increased, the boosted voltage Vin is increased, and the base current Ib is reduced to the target current Ip.
Approach. Conversely, the boost control circuit 16 detects the detection voltage V
a is greater than the reference voltage Vr, the transistor 12
Assuming that the base current Ib is larger than the target current Ip, the duty ratio of the duty control of the transistor 15 is reduced, and the boost voltage Vin is lowered to bring the base current Ib closer to the target current Ip. Therefore, the boosting power supply circuit 14 is
6 controls the base current Ib of the transistor 12 to be always equal to the target current Ip. In other words, the boosting power supply circuit 14 is controlled by the boosting control circuit 16 so that the base current Ib of the transistor 12 becomes constant (= target current Ip).

【0013】このように本実施例においては、ベ−ス抵
抗を用いることなくトランジスタ12のベ−ス電流Ib
を決定できる構成をとったことにより、抵抗による電力
損失及び発熱を無くすことができる。これにより、抵抗
に発生した熱を逃がすための手段、例えば抵抗を空冷す
るための空気を流通させるための空隙や放熱器等を設け
る必要が無くなり装置を小型化することもできる。
As described above, in this embodiment, the base current Ib of the transistor 12 is used without using the base resistance.
, Power loss and heat generation due to resistance can be eliminated. Accordingly, it is not necessary to provide a means for releasing the heat generated in the resistor, for example, a gap or a radiator for circulating air for cooling the resistor, and the device can be downsized.

【0014】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、例えば、トランジスタ12はバイポ−ラトラ
ンジスタだけでなくSIT(静電誘導形トランジスタ)
等の電流駆動型スイッチング素子であればなんでもよ
い。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the transistor 12 is not limited to a bipolar transistor, but may be a SIT (static induction type transistor).
Any current-driven switching element such as the above may be used.

【0015】[0015]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ベ
−ス電流を決める抵抗による電力損失及び発熱を無くす
ことができるという優れた効果がある。
As described above in detail, according to the present invention, there is an excellent effect that power loss and heat generation due to a resistor for determining a base current can be eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を具体化したスイッチング素子駆動回路
の、一実施例を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of a switching element drive circuit embodying the present invention.

【図2】従来のスイッチング素子駆動回路を示す回路図
である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional switching element drive circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…負荷、12…電流駆動型スイッチング素子として
のトランジスタ、14…昇圧電源回路、15…第2のス
イッチング素子としてのトランジスタ、16…昇圧制御
回路、17…電流検出器、L…誘導コイル、D…逆止用
ダイオ−ド、C…コンデンサ、E…直流電源、Vr…基
準電圧
11: Load, 12: Transistor as current-driven switching element, 14: Boost power supply circuit, 15: Transistor as second switching element, 16: Boost control circuit, 17: Current detector, L: Induction coil, D … Reverse diode, C… Capacitor, E… DC power supply, Vr… Reference voltage

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−92012(JP,A) 特開 平2−262360(JP,A) 特開 平3−13008(JP,A) 特開 昭63−193610(JP,A) 特開 平4−68814(JP,A) 特開 昭62−105522(JP,A) 特開 平2−79770(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03K 17/00 - 17/693 H02M 3/00 - 3/44 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-3-92012 (JP, A) JP-A-2-262360 (JP, A) JP-A-3-13008 (JP, A) JP-A-63- 193610 (JP, A) JP-A-4-68814 (JP, A) JP-A-62-105522 (JP, A) JP-A-2-79770 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H03K 17/00-17/693 H02M 3/00-3/44

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 グランド側に負荷を設けた電流駆動型ス
イッチング素子に電流を供給して駆動するスイッチング
素子駆動回路において、前記電流駆動型スイッチング素
子の電源である直流電源の電圧を誘導コイルに印加し第
2のスイッチング素子のスイッチング動作により、その
オン時に前記誘導コイルに誘起された電気エネルギ−を
オフ時に逆止用ダイオ−ドを介してコンデンサに充電さ
せる動作を繰り返すことによりコンデンサの充電電圧を
前記直流電源の電源電圧以上に昇圧して前記電流駆動型
スイッチング素子の駆動電流のための電源電圧としてい
る昇圧電源回路と、前記電流駆動型スイッチング素子に
供給される電流を検出してそれに比例した出力電圧を出
力する電流検出器と前記電流検出器が検出した出力電圧
と基準電圧を比較して前記第2のスイッチング素子のス
イッチング動作を制御する昇圧制御回路と、により構成
されたことを特徴とするスイッチング素子駆動回路。
1. A switching element drive circuit for supplying a current to a current-driven switching element provided with a load on the ground side to drive the current-driven switching element, wherein a voltage of a DC power supply which is a power source of the current-driven switching element is applied to an induction coil. The switching operation of the second switching element repeats the operation of charging the capacitor via the check diode when the electric energy induced in the induction coil is turned off when the second switching element is turned off, thereby reducing the charging voltage of the capacitor. A boosted power supply circuit that is boosted to a power supply voltage of the DC power supply or more and serves as a power supply voltage for a drive current of the current drive type switching element, and a current supplied to the current drive type switching element is detected and proportional to the detected current. A current detector that outputs an output voltage and an output voltage detected by the current detector are compared with a reference voltage. A boosting control circuit for controlling a switching operation of the second switching element.
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