JP3025334B2 - 結晶性ガラスフリット、多層回路基板用組成物及び多層回路基板 - Google Patents
結晶性ガラスフリット、多層回路基板用組成物及び多層回路基板Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラスフリット、回路
基板用組成物及び回路基板、特に結晶性ガラスフリッ
ト、多層回路基板用組成物及び多層回路基板に関する。
基板用組成物及び回路基板、特に結晶性ガラスフリッ
ト、多層回路基板用組成物及び多層回路基板に関する。
【０００２】電子機器の混成集積回路等に用いられる回
路基板として、所定の導体パターンが形成された基板を
複数枚積層して一体焼成した多層回路基板がある。この
多層回路基板には、熱膨張係数がＳｉの熱膨張係数
（３５×１０-7／℃前後）に近いこと、機械的強度が
大きいこと、誘電率が低いこと、８００〜１０００
℃程度の低温で焼成できること等が要請されている。
は、厳しい温度環境下でも、Ｓｉチップとの良好な接続
性を確保するために必要な特性である。は、多層回路
基板に種々の電子部品や入出力端子等を接続する工程上
で基板に加わる応力から、基板が破壊したり、欠けを生
じたりすることを防止するために必要な特性である。
は、多層回路基板に設けられた電子回路の信号伝播速度
を速めるために必要な特性である。は、金、銀、銅等
の配線抵抗が小さな低融点の金属を内部配線材料として
用いるのに必要な特性である。
路基板として、所定の導体パターンが形成された基板を
複数枚積層して一体焼成した多層回路基板がある。この
多層回路基板には、熱膨張係数がＳｉの熱膨張係数
（３５×１０-7／℃前後）に近いこと、機械的強度が
大きいこと、誘電率が低いこと、８００〜１０００
℃程度の低温で焼成できること等が要請されている。
は、厳しい温度環境下でも、Ｓｉチップとの良好な接続
性を確保するために必要な特性である。は、多層回路
基板に種々の電子部品や入出力端子等を接続する工程上
で基板に加わる応力から、基板が破壊したり、欠けを生
じたりすることを防止するために必要な特性である。
は、多層回路基板に設けられた電子回路の信号伝播速度
を速めるために必要な特性である。は、金、銀、銅等
の配線抵抗が小さな低融点の金属を内部配線材料として
用いるのに必要な特性である。
【０００３】これらの特性を満たした多層回路基板を得
るための多層回路基板用組成物として、特開平２−３２
５８７号には、３０〜９５重量％の結晶性ガラスフリッ
トと、５〜７０重量％のアルミナフィラーとを含む多層
回路基板用組成物が開示されている。この多層回路基板
用組成物は、結晶性ガラスフリットが焼成後の結晶相中
にコージェライト及びウィレマイトが主に生成されるよ
うＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｎＯ及びＢ2 Ｏ3
を所定の割合で含んでいる。
るための多層回路基板用組成物として、特開平２−３２
５８７号には、３０〜９５重量％の結晶性ガラスフリッ
トと、５〜７０重量％のアルミナフィラーとを含む多層
回路基板用組成物が開示されている。この多層回路基板
用組成物は、結晶性ガラスフリットが焼成後の結晶相中
にコージェライト及びウィレマイトが主に生成されるよ
うＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｎＯ及びＢ2 Ｏ3
を所定の割合で含んでいる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の多層回路基
板用組成物では、低温焼成が可能なため焼成時間は短縮
できるが、焼成中に長時間の熟成期間を設けなければウ
ィレマイトの結晶が生成されない。このため、前記の多
層回路基板用組成物による多層回路基板の製造は長時間
を要し、製造効率が悪い。
板用組成物では、低温焼成が可能なため焼成時間は短縮
できるが、焼成中に長時間の熟成期間を設けなければウ
ィレマイトの結晶が生成されない。このため、前記の多
層回路基板用組成物による多層回路基板の製造は長時間
を要し、製造効率が悪い。
【０００５】本発明の目的は、必要な特性を満たした多
層回路基板が効率よく製造できる多層回路基板用組成
物、この組成物に含まれる結晶性ガラスフリット、及び
前記多層回路基板用組成物を用いた多層回路基板を提供
することにある。
層回路基板が効率よく製造できる多層回路基板用組成
物、この組成物に含まれる結晶性ガラスフリット、及び
前記多層回路基板用組成物を用いた多層回路基板を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る結晶性ガラ
スフリットは、焼成後の結晶相中に５〜３０重量％のガ
ーナイト及び５〜５０重量％のコージェライトが生成さ
れるようＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ及びＺｎＯを含
んでいる。
スフリットは、焼成後の結晶相中に５〜３０重量％のガ
ーナイト及び５〜５０重量％のコージェライトが生成さ
れるようＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ及びＺｎＯを含
んでいる。
【０００７】このガラスフリットは、例えばＢ2 Ｏ3 を
更に含み、各成分が下記の割合で含まれている。 ＳｉＯ2 ４３〜５５モル％ Ａｌ2 Ｏ3 １５〜２４モル％ ＭｇＯ １４〜２１モル％ ＺｎＯ ３〜１５モル％ Ｂ2 Ｏ3 ２〜１４モル％
更に含み、各成分が下記の割合で含まれている。 ＳｉＯ2 ４３〜５５モル％ Ａｌ2 Ｏ3 １５〜２４モル％ ＭｇＯ １４〜２１モル％ ＺｎＯ ３〜１５モル％ Ｂ2 Ｏ3 ２〜１４モル％
【０００８】本発明の結晶性ガラスフリットは、多層回
路基板用組成物に用いられるガラスフリットである。
路基板用組成物に用いられるガラスフリットである。
【０００９】本発明の結晶性ガラスフリットは、ＳｉＯ
2 とＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯとＺｎＯとを含み、焼成すると
ガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）及びコージェライト
（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）を含む結晶相
を有するガラスが得られる。ここで、ＳｉＯ2 は、焼成
により得られたガラスのネットワークホーマーとなり、
またコージェライトの構成成分となる。Ａｌ2 Ｏ3 は、
ガーナイト及びコージェライトを構成する成分である。
ＺｎＯ及びＭｇＯは、それぞれガーナイト及びコーディ
エライトの構成成分となる。
2 とＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯとＺｎＯとを含み、焼成すると
ガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）及びコージェライト
（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）を含む結晶相
を有するガラスが得られる。ここで、ＳｉＯ2 は、焼成
により得られたガラスのネットワークホーマーとなり、
またコージェライトの構成成分となる。Ａｌ2 Ｏ3 は、
ガーナイト及びコージェライトを構成する成分である。
ＺｎＯ及びＭｇＯは、それぞれガーナイト及びコーディ
エライトの構成成分となる。
【００１０】本発明の結晶性ガラスフリットに含まれる
Ｂ2Ｏ3は、結晶の生成には関与しないが、各結晶相が析
出する際の活性化エネルギーを小さくする効果があると
考えられる。よって、Ｂ2Ｏ3を添加すれば、ガーナイト
等の結晶生成速度が調整できるので、ガーナイト等の生
成量が調整し易くなる。なお、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ
ｇＯ及びＺｎＯは全てが結晶となるわけではなく、Ｓｉ
Ｏ2−ＭｇＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＺｎＯ系のガラスとなって焼
結体中に残存する。
Ｂ2Ｏ3は、結晶の生成には関与しないが、各結晶相が析
出する際の活性化エネルギーを小さくする効果があると
考えられる。よって、Ｂ2Ｏ3を添加すれば、ガーナイト
等の結晶生成速度が調整できるので、ガーナイト等の生
成量が調整し易くなる。なお、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ
ｇＯ及びＺｎＯは全てが結晶となるわけではなく、Ｓｉ
Ｏ2−ＭｇＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＺｎＯ系のガラスとなって焼
結体中に残存する。
【００１１】本発明の結晶性ガラスフリットには、焼成
後の結晶相中に５〜３０重量％のガーナイトが生成され
るようにＡｌ2 Ｏ3 及びＺｎＯが含まれている。これ
は、ガーナイトの生成量が５重量％未満の場合はガラス
の機械的強度が充分に向上しないからであり、また生成
量が３０重量％を越えるとコージェライトの生成を阻害
し、ガラスの熱膨張係数が大きくなるからである。ま
た、本発明の結晶性ガラスフリットには、焼成後の結晶
相中に５〜５０重量％のコージェライトが生成されるよ
うにＡｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ及びＳｉＯ2 が含まれている。
これは、コージェライトの生成量が５重量％未満の場合
はガラスの熱膨張係数が大きくなるからであり、また生
成量が５０重量％を越えると残存するガラスが不足する
ため、極端に焼結性が悪くなって吸水率が増加するから
である。
後の結晶相中に５〜３０重量％のガーナイトが生成され
るようにＡｌ2 Ｏ3 及びＺｎＯが含まれている。これ
は、ガーナイトの生成量が５重量％未満の場合はガラス
の機械的強度が充分に向上しないからであり、また生成
量が３０重量％を越えるとコージェライトの生成を阻害
し、ガラスの熱膨張係数が大きくなるからである。ま
た、本発明の結晶性ガラスフリットには、焼成後の結晶
相中に５〜５０重量％のコージェライトが生成されるよ
うにＡｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ及びＳｉＯ2 が含まれている。
これは、コージェライトの生成量が５重量％未満の場合
はガラスの熱膨張係数が大きくなるからであり、また生
成量が５０重量％を越えると残存するガラスが不足する
ため、極端に焼結性が悪くなって吸水率が増加するから
である。
【００１２】なお、本発明の結晶性ガラスフリットに
は、その他の成分として、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｐ2 Ｏ5 等
が含まれていてもよい。但し、その含有量は、結晶性ガ
ラスフリット全体の５重量％以下に設定される。
は、その他の成分として、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｐ2 Ｏ5 等
が含まれていてもよい。但し、その含有量は、結晶性ガ
ラスフリット全体の５重量％以下に設定される。
【００１３】本発明の結晶性ガラスフリットとして好ま
しいのは、４３〜５５モル％のＳｉＯ2 と、１５〜２４
モル％のＡｌ2 Ｏ3 と、１４〜２１モル％のＭｇＯと、
３〜１５モル％のＺｎＯと、２〜１４モル％のＢ2 Ｏ3
とを含むものである。特に好ましいのは、４７〜５２モ
ル％のＳｉＯ2 と、１７〜２１モル％のＡｌ2 Ｏ3 と、
１７〜２０モル％のＭｇＯと、５〜１０モル％のＺｎＯ
と、４〜１０モル％のＢ2 Ｏ3 とを含むものである。Ｓ
ｉＯ2 が４３モル％未満の場合は、失透性が強くなり、
フリットの製造が困難になる。逆に、５５モル％を超え
ると、焼成温度が高くなり、低温焼成が困難になる。Ａ
ｌ2 Ｏ3 が１４モル％未満の場合は、ガーナイト及びコ
ージェライトの生成量が減少し、ガラスの機械的強度が
低下する。逆に、２４モル％を越えると、溶融温度が高
くなる。ＭｇＯが１４モル％未満の場合は、コージェラ
イトの生成量が減少し、熱膨張係数が高くなる。逆に、
２１モル％を超えると、失透しやすくなってフリットの
製造が困難になる。ＺｎＯが３モル％未満の場合は、ガ
ーナイトの生成量が減少してガラスの機械的強度が低下
する。逆に、１５モル％を超えると、失透しやすくなっ
てフリットの製造が困難になる。更に、Ｂ2 Ｏ3 が２モ
ル％未満の場合は、結晶量が多くなりすぎ、焼成後の気
孔が増加する。逆に、１４モル％を超えると、ガラスが
分相を生じやすくなって、安定したガラスが得られず、
またガラスの耐酸性が著しく劣化する。
しいのは、４３〜５５モル％のＳｉＯ2 と、１５〜２４
モル％のＡｌ2 Ｏ3 と、１４〜２１モル％のＭｇＯと、
３〜１５モル％のＺｎＯと、２〜１４モル％のＢ2 Ｏ3
とを含むものである。特に好ましいのは、４７〜５２モ
ル％のＳｉＯ2 と、１７〜２１モル％のＡｌ2 Ｏ3 と、
１７〜２０モル％のＭｇＯと、５〜１０モル％のＺｎＯ
と、４〜１０モル％のＢ2 Ｏ3 とを含むものである。Ｓ
ｉＯ2 が４３モル％未満の場合は、失透性が強くなり、
フリットの製造が困難になる。逆に、５５モル％を超え
ると、焼成温度が高くなり、低温焼成が困難になる。Ａ
ｌ2 Ｏ3 が１４モル％未満の場合は、ガーナイト及びコ
ージェライトの生成量が減少し、ガラスの機械的強度が
低下する。逆に、２４モル％を越えると、溶融温度が高
くなる。ＭｇＯが１４モル％未満の場合は、コージェラ
イトの生成量が減少し、熱膨張係数が高くなる。逆に、
２１モル％を超えると、失透しやすくなってフリットの
製造が困難になる。ＺｎＯが３モル％未満の場合は、ガ
ーナイトの生成量が減少してガラスの機械的強度が低下
する。逆に、１５モル％を超えると、失透しやすくなっ
てフリットの製造が困難になる。更に、Ｂ2 Ｏ3 が２モ
ル％未満の場合は、結晶量が多くなりすぎ、焼成後の気
孔が増加する。逆に、１４モル％を超えると、ガラスが
分相を生じやすくなって、安定したガラスが得られず、
またガラスの耐酸性が著しく劣化する。
【００１４】本発明の結晶性ガラスフリットは、短時間
の低温焼成によりガーナイト及びコージェライトの結晶
を形成するので、非晶質のガラスに比べて機械的強度の
大きなガラスを生成する。このため、本発明の結晶性ガ
ラスフリットは、例えば後述する多層回路基板用組成物
に用いられる。 ＊＊＊＊＊＊＊
の低温焼成によりガーナイト及びコージェライトの結晶
を形成するので、非晶質のガラスに比べて機械的強度の
大きなガラスを生成する。このため、本発明の結晶性ガ
ラスフリットは、例えば後述する多層回路基板用組成物
に用いられる。 ＊＊＊＊＊＊＊
【００１５】本発明に係る多層回路基板用組成物は、５
０〜９０重量％の結晶性ガラスフリットと、１０〜５０
重量％のフィラーとを含んでいる。そして、結晶性ガラ
スフリットは、焼成後の結晶相中にガーナイト及びコー
ジェライトが主に生成されるようＳｉＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ及びＺｎＯを含んでいる。
０〜９０重量％の結晶性ガラスフリットと、１０〜５０
重量％のフィラーとを含んでいる。そして、結晶性ガラ
スフリットは、焼成後の結晶相中にガーナイト及びコー
ジェライトが主に生成されるようＳｉＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ及びＺｎＯを含んでいる。
【００１６】本発明の結晶性ガラスフリットには、Ｂ2
Ｏ3が更に含まれ、成分割合は例えば下記の通りであ
る。 ＳｉＯ2 ４３〜５５モル％ Ａｌ2Ｏ3 １５〜２４モル％ ＭｇＯ １４〜２１モル％ ＺｎＯ ３〜１５モル％ Ｂ2Ｏ3 ２〜１４モル％
Ｏ3が更に含まれ、成分割合は例えば下記の通りであ
る。 ＳｉＯ2 ４３〜５５モル％ Ａｌ2Ｏ3 １５〜２４モル％ ＭｇＯ １４〜２１モル％ ＺｎＯ ３〜１５モル％ Ｂ2Ｏ3 ２〜１４モル％
【００１７】本発明で用いられる結晶性ガラスフリット
は、上述の本発明に係る結晶性ガラスフリットである。
特にＢ2 Ｏ3 を含むガラスフリットが好ましい。。この
結晶性ガラスフリットの成分割合は、焼成後の結晶相中
にガーナイト及びコージェライトが主に生成するように
設定される。具体的には、ＳｉＯ2 が４３〜５５モル
％、Ａｌ2 Ｏ3 が１５〜２４モル％、ＭｇＯが１４〜２
１モル％、ＺｎＯが３〜１５モル％及びＢ2 Ｏ3 が２〜
１４モル％の範囲で設定される。Ｂ2 Ｏ3 を上述の範囲
で添加した場合、ガーナイトやコージェライトの生成速
度が調整できるため、結晶の生成量が調整しやすくな
る。
は、上述の本発明に係る結晶性ガラスフリットである。
特にＢ2 Ｏ3 を含むガラスフリットが好ましい。。この
結晶性ガラスフリットの成分割合は、焼成後の結晶相中
にガーナイト及びコージェライトが主に生成するように
設定される。具体的には、ＳｉＯ2 が４３〜５５モル
％、Ａｌ2 Ｏ3 が１５〜２４モル％、ＭｇＯが１４〜２
１モル％、ＺｎＯが３〜１５モル％及びＢ2 Ｏ3 が２〜
１４モル％の範囲で設定される。Ｂ2 Ｏ3 を上述の範囲
で添加した場合、ガーナイトやコージェライトの生成速
度が調整できるため、結晶の生成量が調整しやすくな
る。
【００１８】結晶性ガラスフリットの粒径は、特に限定
されるものではないが、通常、平均粒径１〜５μｍ、好
ましくは１．５〜３μｍのものが使用される。
されるものではないが、通常、平均粒径１〜５μｍ、好
ましくは１．５〜３μｍのものが使用される。
【００１９】本発明で用いられるフィラーは、多層回路
基板の強度を向上させるための成分である。フィラーと
しては、アルミナ、ムライト等の酸化物セラミックスや
石英ガラス等のガラスフィラーが用いられるが、特にア
ルミナフィラーが望ましい。
基板の強度を向上させるための成分である。フィラーと
しては、アルミナ、ムライト等の酸化物セラミックスや
石英ガラス等のガラスフィラーが用いられるが、特にア
ルミナフィラーが望ましい。
【００２０】フィラーの粒径は、特に限定されるもので
はないが、通常、平均粒径が１〜５μｍ、好ましくは
１．５〜３μｍに設定される。平均粒径が１μｍ未満の
場合には、本発明の組成物をスラリー化するのが困難に
なる。逆に、平均粒径が５μｍを越えると、緻密な基板
が得られにくい。
はないが、通常、平均粒径が１〜５μｍ、好ましくは
１．５〜３μｍに設定される。平均粒径が１μｍ未満の
場合には、本発明の組成物をスラリー化するのが困難に
なる。逆に、平均粒径が５μｍを越えると、緻密な基板
が得られにくい。
【００２１】本発明の多層回路基板用組成物は、１０〜
５０重量％の上述のフィラーと、５０〜９０重量％の上
述の結晶性ガラスフリットを含んでいる。フィラーが１
０重量％未満でありかつ結晶性ガラスフリットが９０重
量％を越える場合には、焼成によって得られる回路基板
の強度が不充分となる。一方、フィラーが５０重量％を
越えかつ結晶性ガラスフリットが５０重量％未満である
場合は、焼成後の回路基板中のガラス成分が不足するた
め、緻密な焼結体が得られず、回路基板として使用でき
なくなる。
５０重量％の上述のフィラーと、５０〜９０重量％の上
述の結晶性ガラスフリットを含んでいる。フィラーが１
０重量％未満でありかつ結晶性ガラスフリットが９０重
量％を越える場合には、焼成によって得られる回路基板
の強度が不充分となる。一方、フィラーが５０重量％を
越えかつ結晶性ガラスフリットが５０重量％未満である
場合は、焼成後の回路基板中のガラス成分が不足するた
め、緻密な焼結体が得られず、回路基板として使用でき
なくなる。
【００２２】本発明の多層回路基板用組成物では、焼結
過程のはやい段階（例えば８００℃付近）でガーナイト
の結晶が生成する。このガーナイトは、ガラスのネット
ワークを補強する形態で存在するようになり、焼結体の
機械的強度を高める。また、本発明の多層回路基板用組
成物では、ガーナイトの結晶が生成した後のガラス成分
がＢ2 Ｏ3 を除いてコージェライトの結晶組成に近似す
るため、ガーナイトの結晶が生成された後であれば、結
晶化を促進するための結晶核となる成分が添加されてい
なくても、コージェライトの結晶化が起こり易い。した
がって、上述のようにガーナイトの結晶が焼成過程の早
い段階で生成され始めると、コージェライトの結晶は、
通常の結晶生成化温度よりも低い温度（例えば８５０
℃）で生成され始める。このため、本発明の組成物で
は、結晶の生成量が多い焼結体が短時間の焼成により得
られる。また、生成したコージェライトは熱膨張係数及
び誘電率が小さいため、焼結体の熱膨張係数及び誘電率
を小さく抑えることが可能である。このため、本発明の
多層回路基板用組成物によれば、必要な特性を備えた多
層回路基板が、短時間（通常、焼成時間の合計が１〜５
時間）の低温（８５０〜１０００℃）焼成により効率良
く製造できる。 ＊＊＊＊＊＊＊
過程のはやい段階（例えば８００℃付近）でガーナイト
の結晶が生成する。このガーナイトは、ガラスのネット
ワークを補強する形態で存在するようになり、焼結体の
機械的強度を高める。また、本発明の多層回路基板用組
成物では、ガーナイトの結晶が生成した後のガラス成分
がＢ2 Ｏ3 を除いてコージェライトの結晶組成に近似す
るため、ガーナイトの結晶が生成された後であれば、結
晶化を促進するための結晶核となる成分が添加されてい
なくても、コージェライトの結晶化が起こり易い。した
がって、上述のようにガーナイトの結晶が焼成過程の早
い段階で生成され始めると、コージェライトの結晶は、
通常の結晶生成化温度よりも低い温度（例えば８５０
℃）で生成され始める。このため、本発明の組成物で
は、結晶の生成量が多い焼結体が短時間の焼成により得
られる。また、生成したコージェライトは熱膨張係数及
び誘電率が小さいため、焼結体の熱膨張係数及び誘電率
を小さく抑えることが可能である。このため、本発明の
多層回路基板用組成物によれば、必要な特性を備えた多
層回路基板が、短時間（通常、焼成時間の合計が１〜５
時間）の低温（８５０〜１０００℃）焼成により効率良
く製造できる。 ＊＊＊＊＊＊＊
【００２３】本発明に係る多層回路基板は、回路基板が
複数枚積層された本体と、本体内に配置された内部配線
とを備えている。そして、回路基板は、１０〜５０重量
％のフィラーと、焼成後の焼結体中に結晶相としてガー
ナイト及びコージェライトが主に生成されるようＳｉＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3、ＭｇＯ及びＺｎＯを含む、９０〜５０
重量％の結晶性ガラスフリットとを含んでいる。
複数枚積層された本体と、本体内に配置された内部配線
とを備えている。そして、回路基板は、１０〜５０重量
％のフィラーと、焼成後の焼結体中に結晶相としてガー
ナイト及びコージェライトが主に生成されるようＳｉＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3、ＭｇＯ及びＺｎＯを含む、９０〜５０
重量％の結晶性ガラスフリットとを含んでいる。
【００２４】図１は、本発明の一例に係る多層回路基板
の縦断面部分図である。図において、多層回路基板１
は、積層基板２と、内部配線３と、表面配線４とから構
成されている。
の縦断面部分図である。図において、多層回路基板１
は、積層基板２と、内部配線３と、表面配線４とから構
成されている。
【００２５】積層基板２は、多層回路基板用組成物のグ
リーンシートを３枚積層して一体焼成することによって
得られた一体化したシート２ａ、２ｂ、２ｃから構成さ
れている。各グリーンシートを構成する多層回路基板用
組成物は、本発明に係る上述の多層回路基板用組成物で
ある。したがって、積層基板２中には、ガーナイト及び
コージェライトの規定量が含まれている。
リーンシートを３枚積層して一体焼成することによって
得られた一体化したシート２ａ、２ｂ、２ｃから構成さ
れている。各グリーンシートを構成する多層回路基板用
組成物は、本発明に係る上述の多層回路基板用組成物で
ある。したがって、積層基板２中には、ガーナイト及び
コージェライトの規定量が含まれている。
【００２６】内部配線３は、シート２ａ，２ｂ間、及び
シート２ｂ，２ｃ間に所定のパターンで形成されてい
る。各内部配線３は、スルーホール５を通じて互いに接
続されており、またスルーホール５を通じて積層基板２
の図上面及び図下面で表面配線４を形成している。な
お、内部配線３は、低温焼成可能な銀系、金系及び銅系
の導電性材料を用いて形成されている。
シート２ｂ，２ｃ間に所定のパターンで形成されてい
る。各内部配線３は、スルーホール５を通じて互いに接
続されており、またスルーホール５を通じて積層基板２
の図上面及び図下面で表面配線４を形成している。な
お、内部配線３は、低温焼成可能な銀系、金系及び銅系
の導電性材料を用いて形成されている。
【００２７】表面配線４は、積層基板２の少なくとも一
方の主面（図では両主面６）に所定の高密度パターンで
形成されている。表面配線４は、例えばマイグレーショ
ンを起こしにくい銅系の導電性材料により形成されてい
る。
方の主面（図では両主面６）に所定の高密度パターンで
形成されている。表面配線４は、例えばマイグレーショ
ンを起こしにくい銅系の導電性材料により形成されてい
る。
【００２８】次に、前記多層回路基板１の製造方法につ
いて説明する。多層回路基板１の製造では、まず多層回
路基板用組成物のスラリーを調整する。多層回路基板用
組成物のスラリーは、上述の本発明に係る多層回路基板
用組成物に有機バインダーと、溶剤と、添加剤とを加え
て混合することにより得られる。有機バインダーとして
は、例えば、アクリル樹脂、フッ素樹脂、ポリビニルブ
チラール等が用いられる。溶剤には、例えば、水、アル
コール、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン等が
用いられる。添加剤としては、例えば、ポリカルボン酸
塩等の分散剤、ポリエチレングリコール等の消泡剤、及
びジブチルフタレート等の可塑剤等が添加される。な
お、これらの混合は、例えばボールミルを用いて、２４
〜７２時間程度行われる。
いて説明する。多層回路基板１の製造では、まず多層回
路基板用組成物のスラリーを調整する。多層回路基板用
組成物のスラリーは、上述の本発明に係る多層回路基板
用組成物に有機バインダーと、溶剤と、添加剤とを加え
て混合することにより得られる。有機バインダーとして
は、例えば、アクリル樹脂、フッ素樹脂、ポリビニルブ
チラール等が用いられる。溶剤には、例えば、水、アル
コール、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン等が
用いられる。添加剤としては、例えば、ポリカルボン酸
塩等の分散剤、ポリエチレングリコール等の消泡剤、及
びジブチルフタレート等の可塑剤等が添加される。な
お、これらの混合は、例えばボールミルを用いて、２４
〜７２時間程度行われる。
【００２９】次に、得られた多層回路基板用組成物のス
ラリーからグリーンシートを形成する。グリーンシート
の形成は、ドクターブレード法等の常法により行う。な
お、グリーンシートの厚みは、１００〜３００μｍ程度
に設定するのが好ましい。
ラリーからグリーンシートを形成する。グリーンシート
の形成は、ドクターブレード法等の常法により行う。な
お、グリーンシートの厚みは、１００〜３００μｍ程度
に設定するのが好ましい。
【００３０】次に、得られたグリーンシート２ａ，２
ｂ，２ｃに所定の内部配線３パターン及び表面配線４パ
ターンを形成する。ここでは、予めグリーンシートの所
定位置にスルーホール５を設けておく。そして、スルー
ホール５に導電性材料を充填し、次でグリーンシートの
表面に例えばスクリーン印刷により所定の配線パターン
で導電性材料を配置する。なお、導電性材料としては、
銀系、金系又は銅系の導電材に有機ビヒクルと少量のガ
ラスフリットとを混合したペーストが用いられる。導伝
材の選択は、基板の焼成雰囲気を考慮して、適宜選択さ
れる。例えば、大気雰囲気中で焼成する場合は、酸化さ
れやすい銅系の材料よりも銀系の材料を選択するのが好
ましい。
ｂ，２ｃに所定の内部配線３パターン及び表面配線４パ
ターンを形成する。ここでは、予めグリーンシートの所
定位置にスルーホール５を設けておく。そして、スルー
ホール５に導電性材料を充填し、次でグリーンシートの
表面に例えばスクリーン印刷により所定の配線パターン
で導電性材料を配置する。なお、導電性材料としては、
銀系、金系又は銅系の導電材に有機ビヒクルと少量のガ
ラスフリットとを混合したペーストが用いられる。導伝
材の選択は、基板の焼成雰囲気を考慮して、適宜選択さ
れる。例えば、大気雰囲気中で焼成する場合は、酸化さ
れやすい銅系の材料よりも銀系の材料を選択するのが好
ましい。
【００３１】次に、配線パターンが形成されたグリーン
シートを所定の順に積層して熱圧着し、積層体を得る。
そして、得られた積層体を焼成する。焼成は、２段階に
分けて行うのが好ましい。ここでは、まず第１段階目の
焼成で積層体に含まれている有機バインダー等の有機物
を除去する。これは、通常、５００℃前後の低温で行わ
れる。次に、第２段階目の焼成では、多層回路基板用組
成物と導電性材料との焼成を行う。この焼成は、多層回
路基板用組成物と導電性材料とが低温焼成可能なため、
通常８００〜１０００℃程度で行われる。このため、焼
成時間は、１〜５時間程度と短い。なお、第２段階目の
焼成では、ガーナイト及びコージェライトの結晶が充分
に生成されるよう温度調整を行う。この温度調整は、例
えば焼成温度を８５０〜９５０℃で１０〜３０分間保持
することにより行われる。
シートを所定の順に積層して熱圧着し、積層体を得る。
そして、得られた積層体を焼成する。焼成は、２段階に
分けて行うのが好ましい。ここでは、まず第１段階目の
焼成で積層体に含まれている有機バインダー等の有機物
を除去する。これは、通常、５００℃前後の低温で行わ
れる。次に、第２段階目の焼成では、多層回路基板用組
成物と導電性材料との焼成を行う。この焼成は、多層回
路基板用組成物と導電性材料とが低温焼成可能なため、
通常８００〜１０００℃程度で行われる。このため、焼
成時間は、１〜５時間程度と短い。なお、第２段階目の
焼成では、ガーナイト及びコージェライトの結晶が充分
に生成されるよう温度調整を行う。この温度調整は、例
えば焼成温度を８５０〜９５０℃で１０〜３０分間保持
することにより行われる。
【００３２】このように、本発明の多層回路基板１は、
本発明に係る多層回路基板用組成物を用いて製造される
ため、短時間の低温焼成で効率よく製造できる。
本発明に係る多層回路基板用組成物を用いて製造される
ため、短時間の低温焼成で効率よく製造できる。
【００３３】本発明の多層回路基板１は、表面配線４に
ＩＣ等のシリコンチップ７が配置される。そして、この
シリコンチップ７は、表面配線４にはんだ付けされる。
これにより、内部配線３は表面配線４を介してシリコン
チップ７と接続される。また、抵抗体膜８は、表面配線
４の間に印刷・焼成することにより形成される。シリコ
ンチップ７が配置された多層回路基板１では、積層基板
２がコージェライト及びガーナイトを含み、熱膨張係数
がシリコンに近いため、厳しい温度環境下で使用しても
シリコンチップ７と表面配線４（又は内部配線３）との
接続不良が起こりにくい。
ＩＣ等のシリコンチップ７が配置される。そして、この
シリコンチップ７は、表面配線４にはんだ付けされる。
これにより、内部配線３は表面配線４を介してシリコン
チップ７と接続される。また、抵抗体膜８は、表面配線
４の間に印刷・焼成することにより形成される。シリコ
ンチップ７が配置された多層回路基板１では、積層基板
２がコージェライト及びガーナイトを含み、熱膨張係数
がシリコンに近いため、厳しい温度環境下で使用しても
シリコンチップ７と表面配線４（又は内部配線３）との
接続不良が起こりにくい。
【００３４】
【発明の効果】本発明の結晶性ガラスフリットは、焼成
後の結晶相に５〜３０重量％のガーナイトが生成される
ようＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ及びＺｎＯを含んで
いる。このため、本発明によれば、短時間で焼成可能な
結晶性ガラスフリットが実現できる。
後の結晶相に５〜３０重量％のガーナイトが生成される
ようＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ及びＺｎＯを含んで
いる。このため、本発明によれば、短時間で焼成可能な
結晶性ガラスフリットが実現できる。
【００３５】本発明の多層回路基板用組成物は、焼成後
の結晶相体中にガーナイトおよびコージェライトが主に
生成されるようＳｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3 、ＭｇＯ及びＺｎ
Ｏを含む結晶性ガラスフリットをを含んでいる。このた
め、本発明によれば、必要な特性を備えた多層回路基板
が短時間の低温焼成で効率良く製造可能な多層回路基板
用組成物が実現できる。
の結晶相体中にガーナイトおよびコージェライトが主に
生成されるようＳｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3 、ＭｇＯ及びＺｎ
Ｏを含む結晶性ガラスフリットをを含んでいる。このた
め、本発明によれば、必要な特性を備えた多層回路基板
が短時間の低温焼成で効率良く製造可能な多層回路基板
用組成物が実現できる。
【００３６】本発明に係る多層回路基板は、上述の多層
回路基板用組成物により本体が形成されている。このた
め、本発明によれば、必要な特性を具備し、しかも製造
効率の良好な多層回路基板が実現できる。
回路基板用組成物により本体が形成されている。このた
め、本発明によれば、必要な特性を具備し、しかも製造
効率の良好な多層回路基板が実現できる。
【００３７】
【実施例】ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｎＯ及び
Ｂ2 Ｏ3 を表１に示す割合で混合し、これを１４００〜
１６００℃で溶解した後水中に投下して急冷することに
よりガラスを得た。得られたガラスを水とアルミナボー
ルとともにアルミナポットに入れ、湿式粉砕して乾燥し
た。これにより、平均粒径が２〜３μｍの結晶性ガラス
フリットを得た。
Ｂ2 Ｏ3 を表１に示す割合で混合し、これを１４００〜
１６００℃で溶解した後水中に投下して急冷することに
よりガラスを得た。得られたガラスを水とアルミナボー
ルとともにアルミナポットに入れ、湿式粉砕して乾燥し
た。これにより、平均粒径が２〜３μｍの結晶性ガラス
フリットを得た。
【００３８】次に、得られた結晶性ガラスフリットに表
１に示す割合でアルミナ粉末を混合した。そして、この
混合物を水とアルミナボールとともにアルミナポットに
入れ、粉砕混合した後に乾燥して、多層回路基板用組成
物を得た。
１に示す割合でアルミナ粉末を混合した。そして、この
混合物を水とアルミナボールとともにアルミナポットに
入れ、粉砕混合した後に乾燥して、多層回路基板用組成
物を得た。
【００３９】得られた多層回路基板用組成物１０００ｇ
にアクリル樹脂１００ｇと水４００ｇとを加えてスラリ
ーを作製し、このスラリーに真空脱気処理を施した。
にアクリル樹脂１００ｇと水４００ｇとを加えてスラリ
ーを作製し、このスラリーに真空脱気処理を施した。
【００４０】次に、得られたスラリーを用いて、ドクタ
ーブレード法により厚さ２００μｍのグリーンシートを
作製した。そして、このグリーンシートを３〜２０層積
層してホットプレスし、得られた積層体を焼成して多層
回路基板を得た。なお、焼成温度及び焼成に要した時間
は、表２の通りであった。得られた多層回路基板につい
て、熱膨張係数、抗折強度、誘電率、吸水率及びガラス
中の結晶量を測定した。測定方法は次の通りである。
ーブレード法により厚さ２００μｍのグリーンシートを
作製した。そして、このグリーンシートを３〜２０層積
層してホットプレスし、得られた積層体を焼成して多層
回路基板を得た。なお、焼成温度及び焼成に要した時間
は、表２の通りであった。得られた多層回路基板につい
て、熱膨張係数、抗折強度、誘電率、吸水率及びガラス
中の結晶量を測定した。測定方法は次の通りである。
【００４１】熱膨張係数 角柱状の焼結体から２×２×１０ｍｍに研磨した評価用
試料を用いて、ＴＭＡ（サーマル メカニカル アナリ
シス）により、４０〜４００℃の温度範囲における平均
熱膨張率を測定した。
試料を用いて、ＴＭＡ（サーマル メカニカル アナリ
シス）により、４０〜４００℃の温度範囲における平均
熱膨張率を測定した。
【００４２】抗折強度 ＪＩＳ−１６０１に準拠して、３点曲げ抗折試験により
測定した。
測定した。
【００４３】誘電率 ＪＩＳ−Ｃ２１４１に準拠して、６０ｍｍφ×２ｍｍの
円板状の焼結体を試料として、Ｑメーターにより１ＭＨ
ｚにて測定した。
円板状の焼結体を試料として、Ｑメーターにより１ＭＨ
ｚにて測定した。
【００４４】吸水率 ＪＩＳ−Ｃ２１４１に準拠して、アルキメデス法により
測定した。
測定した。
【００４５】結晶量 各結晶相について検量線を作成し、内部標準としてＳｉ
を用いたＸ線回折による各結晶相の主ピークを重量法に
て測定した。
を用いたＸ線回折による各結晶相の主ピークを重量法に
て測定した。
【００４６】結果を表２に示す。
【００４７】
【表１】
【００４８】
【表２】
【００４９】なお、＊印を付した試料番号は比較例であ
る。
る。
【００５０】評価基準として、熱膨張係数は、シリコン
チップ７の熱膨張係数を考慮して、４０〜４００℃にお
いて３．５〜５．０×１０-6／℃を良品の範囲とした。
抗折強度は、１５ｋｇ／ｍｍ2 以上、好ましくは２０ｋ
ｇ／ｍｍ2 を良品とした。誘電率は、６．４以下が好ま
しく、６．０以下であればより好ましい。吸水率は０．
１％以下を良品とした。
チップ７の熱膨張係数を考慮して、４０〜４００℃にお
いて３．５〜５．０×１０-6／℃を良品の範囲とした。
抗折強度は、１５ｋｇ／ｍｍ2 以上、好ましくは２０ｋ
ｇ／ｍｍ2 を良品とした。誘電率は、６．４以下が好ま
しく、６．０以下であればより好ましい。吸水率は０．
１％以下を良品とした。
【００５１】試料番号１、２のように、焼成時間が例え
ば５時間以上になると、ガーナイトの結晶相が焼成の早
い段階で大量に生成されるので、コージェライトの生成
に必要なＡｌ2 Ｏ3 が不足し、コージェライトの生成量
が減少した。このため、熱膨張係数が５．０×１０-6／
℃以上となり、吸水率が０．１％以上となった。
ば５時間以上になると、ガーナイトの結晶相が焼成の早
い段階で大量に生成されるので、コージェライトの生成
に必要なＡｌ2 Ｏ3 が不足し、コージェライトの生成量
が減少した。このため、熱膨張係数が５．０×１０-6／
℃以上となり、吸水率が０．１％以上となった。
【００５２】試料番号６、７では、焼成時間を短縮し
た。特に試料番号７のように焼成時間が１時間未満の場
合は、基板の焼結反応が充分に行われず、焼結不良とな
った。
た。特に試料番号７のように焼成時間が１時間未満の場
合は、基板の焼結反応が充分に行われず、焼結不良とな
った。
【００５３】試料番号８〜１１では適正な焼成温度を求
めるべく、その温度を変化させた。試料番号８のように
焼成温度が８５０℃以下では基板の焼結反応が充分に行
われず、また、試料番号１１のように焼成温度が１００
０℃を越えると基板全体が溶融して型崩れが生じた。
めるべく、その温度を変化させた。試料番号８のように
焼成温度が８５０℃以下では基板の焼結反応が充分に行
われず、また、試料番号１１のように焼成温度が１００
０℃を越えると基板全体が溶融して型崩れが生じた。
【００５４】試料番号１２〜１７ではフィラーと結晶化
ガラスフリットとの適正な重量比率を求めるべく、フィ
ラーの重量を変化させた。試料番号１２のように、フィ
ラーの重量が１０重量％未満では、ガラスフリットの組
成比の影響が大きく現れた。すなわち、試料番号１２で
は、コージェライトが多く生成され、その結果、熱膨張
係数が低下し、抗折強度が劣化した。また、試料番号１
６，１７のように、フィラーの重量が５０重量％を越え
ると、相対的にガラスフリットが不足するので、焼結反
応が不足して吸水率が悪化した。特に試料番号１７で
は、視覚により認識できる程の多孔な多層回路基板しか
得られなかった。
ガラスフリットとの適正な重量比率を求めるべく、フィ
ラーの重量を変化させた。試料番号１２のように、フィ
ラーの重量が１０重量％未満では、ガラスフリットの組
成比の影響が大きく現れた。すなわち、試料番号１２で
は、コージェライトが多く生成され、その結果、熱膨張
係数が低下し、抗折強度が劣化した。また、試料番号１
６，１７のように、フィラーの重量が５０重量％を越え
ると、相対的にガラスフリットが不足するので、焼結反
応が不足して吸水率が悪化した。特に試料番号１７で
は、視覚により認識できる程の多孔な多層回路基板しか
得られなかった。
【００５５】試料番号１８、１９ではガラスフリット中
のＳｉＯ2 のモル比を変動させた。試料番号１８のよう
にＳｉＯ2 が４３モル％未満では、基板の焼結不良が発
生してしまい、視覚により認識できる程の多孔な多層回
路基板しか得られなかった。逆に試料番号１９のように
５５モル％を越えると、高温でないと焼結が達成でき
ず、さらに抗折強度、吸水率が劣化した。
のＳｉＯ2 のモル比を変動させた。試料番号１８のよう
にＳｉＯ2 が４３モル％未満では、基板の焼結不良が発
生してしまい、視覚により認識できる程の多孔な多層回
路基板しか得られなかった。逆に試料番号１９のように
５５モル％を越えると、高温でないと焼結が達成でき
ず、さらに抗折強度、吸水率が劣化した。
【００５６】試料番号２０、２１ではガラスフリット中
のＡｌ2 Ｏ3 のモル比を変動させた。その結果、試料番
号２０のように１５モル％未満では、ガーナイト、コー
ジェライトの生成が充分得られず、熱膨張率が５．０×
１０-6／℃を越えてしまい、抗折強度の低下が生じた。
逆に試料番号２１のように２４モル％を越えると、ガラ
スの溶融温度が高くなり、粘性が著しく高くなるので、
フリットの製造が困難となり、多層回路基板が製造でき
なかった。
のＡｌ2 Ｏ3 のモル比を変動させた。その結果、試料番
号２０のように１５モル％未満では、ガーナイト、コー
ジェライトの生成が充分得られず、熱膨張率が５．０×
１０-6／℃を越えてしまい、抗折強度の低下が生じた。
逆に試料番号２１のように２４モル％を越えると、ガラ
スの溶融温度が高くなり、粘性が著しく高くなるので、
フリットの製造が困難となり、多層回路基板が製造でき
なかった。
【００５７】試料番号２２、２３ではガラスフリット中
のＭｇＯのモル比を変動させた。その結果、試料番号２
２のように１４モル％未満では、コージェライトの生成
が充分得られず、熱膨張率が５．０×１０-6／℃を越え
てしまい、抗折強度の低下が生じた。逆に試料番号２３
のように２１モル％を越えると、ガラスの溶融温度が高
くなって粘性が著しく高くなるので、フリットの製造が
困難となり、多層回路基板が製造できなかった。
のＭｇＯのモル比を変動させた。その結果、試料番号２
２のように１４モル％未満では、コージェライトの生成
が充分得られず、熱膨張率が５．０×１０-6／℃を越え
てしまい、抗折強度の低下が生じた。逆に試料番号２３
のように２１モル％を越えると、ガラスの溶融温度が高
くなって粘性が著しく高くなるので、フリットの製造が
困難となり、多層回路基板が製造できなかった。
【００５８】試料番号２４、２５ではガラスフリット中
のＺｎＯのモル比を変動させた。その結果、試料番号２
４のように３モル％未満では、ガーナイトの生成が充分
得られず、抗折強度の低下が生じた。逆に試料番号２５
のように１５モル％を越えると、失透が起こって安定し
た特性のガラスが得られず、多層回路基板が製造できな
かった。
のＺｎＯのモル比を変動させた。その結果、試料番号２
４のように３モル％未満では、ガーナイトの生成が充分
得られず、抗折強度の低下が生じた。逆に試料番号２５
のように１５モル％を越えると、失透が起こって安定し
た特性のガラスが得られず、多層回路基板が製造できな
かった。
【００５９】試料番号２６、２７ではガラスフリット中
のＢ2 Ｏ3 のモル比を変動させた。その結果、試料番号
２６のように２モル％未満では、ガラスの結晶性が高く
なり、吸水率の劣化が生じた。逆に試料番号２７のよう
に１５モル％を越えると失透が起こって安定した特性の
ガラスが得られず、多層回路基板が製造できなかった。
のＢ2 Ｏ3 のモル比を変動させた。その結果、試料番号
２６のように２モル％未満では、ガラスの結晶性が高く
なり、吸水率の劣化が生じた。逆に試料番号２７のよう
に１５モル％を越えると失透が起こって安定した特性の
ガラスが得られず、多層回路基板が製造できなかった。
【００６０】試料番号２８、２９ではフィラーをムライ
ト、石英ガラスに変えた。表の結果から、ムライト及び
石英ガラスは、アルミナフィラーに比較して若干、抗折
強度が低下するが、回路基板材料として充分に使用可能
なことがわかる。
ト、石英ガラスに変えた。表の結果から、ムライト及び
石英ガラスは、アルミナフィラーに比較して若干、抗折
強度が低下するが、回路基板材料として充分に使用可能
なことがわかる。
【図１】本発明に係る多層回路基板の一例の縦断面部分
図である。
図である。
１ 多層回路基板 ２ 積層基板 ２ａ，２ｂ，２ｃ シート ３ａ，３ｂ，３ｃ 内部配線 ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ 表面配線 ５ スルーホール ６ 両主面 ７ シリコンチップ ８ 接続導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ (72)発明者 関 宏志 千葉県船橋市海神町２丁目８番４号南海 神団地１−404 (72)発明者 横山 拓哉 千葉県鎌ケ谷市東道辺５丁目３番地17号 (56)参考文献 特開 昭62−252340（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−50345（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/15 C03C 1/00 - 14/00 H01L 23/12
Claims (3)
- 【請求項１】焼成後の結晶相中に、５〜３０重量％のガ
ーナイト及び５〜５０重量％のコージェライトが生成さ
れるように、ＳｉＯ 2 を４３〜５５モル％、Ａｌ 2 Ｏ 3 を
１５〜２４モル％、ＭｇＯを１４〜２１モル％、ＺｎＯ
を３〜１５モル％、Ｂ 2 Ｏ 3 を２〜１４モル％含む結晶性
ガラスフリット。 - 【請求項２】 １０〜５０重量％のフィラーと、５０〜９
０重量％の結晶性ガラスフリットとを含み、 前記結晶性ガラスフリットが、焼成後の結晶相中に、５
〜３０重量％のガーナイト及び５〜５０重量％のコージ
ェライトが生成されるように、ＳｉＯ2を４３〜５５モ
ル％、Ａｌ2Ｏ3を１５〜２４モル％、ＭｇＯを１４〜２
１モル％、ＺｎＯを３〜１５モル％、Ｂ2Ｏ3を２〜１４
モル％含む、多層回路基板用組成物。 - 【請求項３】 回路基板が複数積層された本体と、前記本
体内に配置された内部配線とを備えた多層回路基板にお
いて、 前記回路基板は、１０〜５０重量％のフィラーと、焼成
後の結晶相中に、５〜３０重量％のガーナイト及び５〜
５０重量％のコージェライトが生成されるように、Ｓｉ
Ｏ2を４３〜５５モル％、Ａｌ2Ｏ3を１５〜２４モル
％、ＭｇＯを１４〜２１モル％、ＺｎＯを３〜１５モル
％、Ｂ2Ｏ3を２〜１４モル％含む、９０〜５０重量％の
結晶性ガラスフリットとを含む多層回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3116865A JP3025334B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 結晶性ガラスフリット、多層回路基板用組成物及び多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3116865A JP3025334B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 結晶性ガラスフリット、多層回路基板用組成物及び多層回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04321258A JPH04321258A (ja) | 1992-11-11 |
| JP3025334B2 true JP3025334B2 (ja) | 2000-03-27 |
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ID=14697546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3116865A Expired - Fee Related JP3025334B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 結晶性ガラスフリット、多層回路基板用組成物及び多層回路基板 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3025334B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3338527B2 (ja) * | 1992-10-07 | 2002-10-28 | 富士通株式会社 | 高密度積層形のコネクタ、及び、コネクタの設計方法 |
| US6953756B2 (en) * | 2002-10-25 | 2005-10-11 | Kyocera Corporation | Glass ceramic sintered body and wiring board using the sintered body |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP3116865A patent/JP3025334B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04321258A (ja) | 1992-11-11 |
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