JP3025923B2 - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路測定装
置の改良に関する。特に、半導体集積回路のスレッショ
ルド測定及び入出力ヒステリシス特性の測定を高速にし
かも高精度に実行することができる半導体集積回路測定
装置を提供することを目的とする改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a semiconductor integrated circuit measuring device. In particular, the present invention relates to an improvement aiming to provide a semiconductor integrated circuit measurement device capable of executing a threshold measurement and a measurement of input / output hysteresis characteristics of a semiconductor integrated circuit at high speed and with high accuracy.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来技術に係る半導体集積回路のスレッ
ショルド及び入出力ヒステリシス特性測定装置の1例を
図6を参照して説明する。2. Description of the Related Art An example of an apparatus for measuring threshold and input / output hysteresis characteristics of a semiconductor integrated circuit according to the prior art will be described with reference to FIG.
【0003】図において、2は供試半導体集積回路であ
り、10はこの半導体集積回路2のスレッショルド及び入
出力ヒステリシス特性を測定する測定装置である。101
は定電圧または定電流を入力されて階段状の電圧または
階段状の電流を出力する階段状電圧(または電流)発生
手段であり、102 は供試半導体集積回路2に入力される
電圧または電流を測定する入力測定手段であり、103 は
供試半導体集積回路2の出力が低レベルから高レベル
に、または、高レベルから低レベルに反転することを監
視する出力監視手段である。In FIG. 1, reference numeral 2 denotes a test semiconductor integrated circuit, and reference numeral 10 denotes a measuring device for measuring the threshold and input / output hysteresis characteristics of the semiconductor integrated circuit 2. 101
Is a stepped voltage (or current) generating means for receiving a constant voltage or a constant current and outputting a stepped voltage or a stepped current, and 102 is a stepped voltage or current inputted to the semiconductor integrated circuit 2 under test. Reference numeral 103 denotes input measuring means for measuring, and 103 denotes output monitoring means for monitoring that the output of the semiconductor integrated circuit under test 2 is inverted from a low level to a high level or from a high level to a low level.
【0004】この測定装置を使用してスレッショルド及
び入出力ヒステリシス特性を測定するときは、階段状電
圧(または電流)発生手段101 を作動させて例えば1〜
2ms間隔で階段状に増大または減少する電圧または電
流を発生し、この電圧または電流を供試半導体集積回路
2に入力し、入力電圧・電流のそれぞれの段階において
半導体集積回路の出力が反転するか否かを出力監視手段
103 を使用して監視し、出力が反転した時点の入力電圧
または入力電流の値を入力測定手段102 を使用して測定
し、スレッショルド及び入出力ヒステリシス特性を測定
する。When the threshold and the input / output hysteresis characteristics are measured by using this measuring device, the step-like voltage (or current) generating means 101 is operated, and
A voltage or current that increases or decreases stepwise at intervals of 2 ms is generated, and this voltage or current is input to the semiconductor integrated circuit under test 2 and the output of the semiconductor integrated circuit is inverted at each stage of the input voltage and current. Output monitoring means
The input voltage or the input current value at the time when the output is inverted is measured using the input measuring means 102, and the threshold and the input / output hysteresis characteristics are measured.
【0005】ところで、上記の測定装置の精度は、階段
状電圧(または電流)発生手段101の分解能にもとづい
て定まる電圧・電流の1段の最小値によって決定され
る。The accuracy of the above-mentioned measuring device is determined by the minimum value of one step of voltage / current determined based on the resolution of the stepped voltage (or current) generating means 101.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術に係る
半導体集積回路測定装置には以下の欠点がある。 イ.半導体集積回路に入力される階段状電圧または電流
の1段の最小値は十分満足できる程小さくはなく、した
がって測定装置の精度は十分満足できるものではない。The above-described prior art semiconductor integrated circuit measuring apparatus has the following disadvantages. I. The minimum value of one step of the stepped voltage or current input to the semiconductor integrated circuit is not sufficiently small, and therefore, the accuracy of the measuring device is not sufficiently satisfactory.
【0007】ロ.入力電圧・電流が階段状であるため、
それぞれの電圧値・電流値に対して印加時間を要するの
で、階段の段数が多い場合、測定に要する時間が長大化
する。[0007] b. Because the input voltage and current are stepped,
Since the application time is required for each voltage value and current value, when the number of steps is large, the time required for the measurement is lengthened.
【0008】ハ.入力電圧・電流のそれぞれの段階にお
いて、その都度出力が反転したか否かを確認する必要が
あるので測定に長時間を要す。 ニ.入力電圧・電流が階段状に変化する時点でオーバー
シュートが発生し、このオーバーシュートに半導体集積
回路が応答して出力を反転する等の誤動作が起きる場合
があり測定が不安定になる。C. In each stage of the input voltage and the current, it is necessary to confirm whether or not the output is inverted each time, so that a long time is required for the measurement. D. Overshoot occurs when the input voltage / current changes stepwise, and a malfunction such as inversion of the output in response to the overshoot by the semiconductor integrated circuit may occur, and the measurement becomes unstable.
【0009】ホ.半導体集積回路の入力と出力との両者
を監視・測定しなければならないので、測定労力が増大
し非効果的である。 本発明の目的は、上記の欠点を解消することにあり、半
導体集積回路のスレッショルド測定及び入出力ヒステリ
シス特性測定を高速に、しかも高精度に効率よく実行す
ることができる半導体集積回路測定装置を提供すること
にある。E. Since both the input and the output of the semiconductor integrated circuit must be monitored and measured, the measurement labor is increased and is ineffective. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks, and to provide a semiconductor integrated circuit measuring device capable of efficiently performing a threshold measurement and an input / output hysteresis characteristic measurement of a semiconductor integrated circuit at high speed and with high accuracy. Is to do.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記の目的は、下記のい
ずれの手段をもっても達成される。第1の手段は、一方
の入力端子に基準電圧が入力され、他方の入力端子に半
導体集積回路の出力が入力されるコンパレータ(15)
と、該コンパレータ(15)の出力端子に抵抗(R)の
第1の端子とダイオード(D)の一端とが接続され、該
ダイオード(D)の他端に、キャパシタ(C)の第1の
端子と前記半導体集積回路の入力端子と電圧測定手段
(16)とが接続され、前記抵抗(R)の第2の端子と
電源端子(E)との間には、前記抵抗(R)の第2の端
子を前記電源端子(E)と前記キャパシタ(C)の第1
の端子とのいづれか一方に接続する第1のスイッチ(S
W1)が設けられ、前記キャパシタ(C)の第1の端子
と前記電源端子(E)との間には、第2のスイッチ(S
W2)が設けられている半導体集積回路装置である。The above object is achieved by any of the following means. First means, whereas
The reference voltage is input to the input terminal of
Comparator (15) to which output of conductor integrated circuit is input
And a resistor (R) connected to the output terminal of the comparator (15).
A first terminal connected to one end of the diode (D);
The other end of the diode (D) is connected to the first capacitor (C).
Terminal, input terminal of the semiconductor integrated circuit, and voltage measuring means
(16) is connected to the second terminal of the resistor (R).
A second end of the resistor (R) between the power supply terminal (E) and the power supply terminal (E);
And the first terminal of the capacitor (C) and the power terminal (E).
The first switch (S) connected to one of the terminals
W1), and a first terminal of the capacitor (C).
And a second switch (S) between the power supply terminal (E) and the power supply terminal (E).
W2) is a semiconductor integrated circuit device .
【0011】第2の手段は、一方の入力端子に基準電圧
が入力され、他方の入力端子に電流/電圧変摸手段(1
7)の出力が入力されるコンパレータ(15)と、該コ
ンパレータ(15)の出力端子に抵抗(R)の第1の端
子とダイオード(D)の一端が接続され、該ダイオード
(D)の他端にキャパシタ(C)の第1の端子と半導体
集積回路の入力端子と電圧測定手段(16)とが接続さ
れ、前記抵抗(R)の第2の端子と電源端子(E)との
間には、前記抵抗(R)の第2の端子を前記電源端子
(E)と前記キャパシタ(C)の第1の端子とのいづれ
か一方に接続する第1のスイッチ(SW1)が設けら
れ、前記キャパシタ(C)の第1の端子と前記電源端子
(E)との間には、第2のスイッチ(SW2)が設けら
れ、前記半導体集積回路の出力が前記電流/電圧変換手
段(17)の入力に接続されている半導体集積回路装置
である。The second means is that a reference voltage is applied to one input terminal.
Is input to the other input terminal.
A comparator (15) to which the output of 7) is inputted,
A first terminal of a resistor (R) is connected to an output terminal of the comparator (15).
And one end of a diode (D) are connected to the diode.
A first terminal of a capacitor (C) and a semiconductor at the other end of (D)
The input terminal of the integrated circuit is connected to the voltage measuring means (16).
Between the second terminal of the resistor (R) and the power supply terminal (E).
A second terminal of the resistor (R) is connected to the power terminal
(E) and the first terminal of the capacitor (C).
The first switch (SW1) connected to either
And a first terminal of the capacitor (C) and the power terminal
(E), a second switch (SW2) is provided.
Wherein the output of the semiconductor integrated circuit is the current / voltage converter.
Semiconductor integrated circuit device connected to the input of stage (17) .
【0012】第3の手段は、一方の入力端子に基準電圧
が入力され、他方の入力端子に半導体集積回路の出力が
入力されるコンパレータ(15)と、該コンパレータ
(15)の出力に抵抗(R)の第1の端子とダイオード
(D)の一端が接続され、該ダイオード(D)の他端に
キャパシタ(C)の第1の端子と電流/電圧変換手段
(17)の入力端子が接続され、前記抵抗(R)の第2
の端子と電源端子(E)との間には、前記抵抗(R)の
第2の端子を前記電源端子(E)と前記キャパシタ
(C)の第1の端子とのいづれか一方に接続する第1の
スイッチ(SW1)が設けられ、前記キャパシタ(C)
の第1の端子と前記電源端子(E)との間には、第2の
スイ1チ(SW2)が設けられ、前記電流/電圧変換手
段(17)の出力が前記半導体集積回路の入力と電流測
定手段(19)とに接続されている半導体集積回路装置
である。The third means is that a reference voltage is applied to one input terminal.
Is input, and the output of the semiconductor integrated circuit is input to the other input terminal.
A comparator (15) to be inputted, and the comparator
A first terminal of a resistor (R) and a diode at the output of (15)
(D) is connected at one end to the other end of the diode (D).
First terminal of capacitor (C) and current / voltage conversion means
The input terminal of (17) is connected, and the second terminal of the resistor (R) is connected.
And the power supply terminal (E), the resistor (R)
A second terminal connected to the power terminal (E) and the capacitor;
(C) a first terminal connected to one of the first terminals
A switch (SW1) is provided, and the capacitor (C) is provided.
Between the first terminal and the power supply terminal (E).
A switch (SW2) is provided, and the current / voltage conversion means is provided.
The output of the stage (17) is connected to the input of the semiconductor integrated circuit and the current measurement.
And a semiconductor integrated circuit device connected to the setting means (19) .
【0013】第4の手段は、一方の入力端子に基準電圧
が入力され、他方の入力端子に第1の電流/電圧変換手
段(17)の出力が入力されるコンパレータ(15)
と、該コンパレータ(15)の出力端子に抵抗(R)の
第1の端子とダイオード(D)の一端が接続され、該ダ
イオード(D)の他端にキャパシタ(C)の第1の端子
と第2の電流/電圧変換手段(18)とが接続され、前
記抵抗(R)の第2の端子と電源端子(E)との間に
は、前記抵抗(R)の第2の端子を前記電源端子(E)
と前記キャパシタ(C)の第1の端子とのいづれか一方
に接続する第1のスイッチ(SW1)が設けられ、前記
キャパシタ(C)の第1の端子と前記電源端子(E)と
の間には、第2のスイッチ(SW2)が設けられ、前記
第2の電流/電圧変換手段(18)の出方が半導体集積
回路の入力と電流測定手段(19)とに接続され、前記
半導体集積回路の出力が前記第1の電流/電圧変換手段
(17)の入力端子に接続されている半導体集積回路装
置である。The fourth means is that a reference voltage is applied to one input terminal.
Is input to the other input terminal, and the first current / voltage conversion
Comparator (15) to which the output of stage (17) is input
And a resistor (R) connected to the output terminal of the comparator (15).
The first terminal is connected to one end of the diode (D),
The first terminal of the capacitor (C) is connected to the other end of the diode (D)
And the second current / voltage conversion means (18) are connected,
Between the second terminal of the resistor (R) and the power terminal (E);
Connects the second terminal of the resistor (R) to the power supply terminal (E).
And the first terminal of the capacitor (C)
A first switch (SW1) connected to the
A first terminal of the capacitor (C) and the power terminal (E);
A second switch (SW2) is provided between
The second current / voltage conversion means (18) comes out of semiconductor integration.
Connected to the input of the circuit and the current measuring means (19);
The output of the semiconductor integrated circuit is the first current / voltage conversion means.
(17) a semiconductor integrated circuit device connected to the input terminal
It is a place.
【0014】[0014]
【作用】本発明に係る半導体集積回路測定装置において
は、適切な時定数をもって変化する充電中または放電中
のキャパシタの端子電圧またはこの端子電圧に対応する
電流を供試半導体集積回路の入力となすので、連続的に
変化する試験電圧または試験電流を半導体集積回路に供
給することができる。In the semiconductor integrated circuit measuring apparatus according to the present invention, the terminal voltage of the capacitor during charging or discharging, which changes with an appropriate time constant, or a current corresponding to this terminal voltage is input to the semiconductor integrated circuit under test. Therefore, a continuously changing test voltage or test current can be supplied to the semiconductor integrated circuit.
【0015】また、供試半導体集積回路の出力の反転に
同期して出力が反転するコンパレータの出力電圧を上記
のキャパシタの充放電回路に印加し、この出力電圧が低
レベルから高レベルに反転することによって上記のキャ
パシタの放電が自動的に停止され、上記の出力電圧が高
レベルから低レベルに反転することによって上記のキャ
パシタの充電が自動的に停止される。そして、この充放
電停止状態において供試半導体集積回路の入力が測定さ
れる。The output voltage of the comparator, whose output is inverted in synchronization with the inversion of the output of the semiconductor integrated circuit under test, is applied to the charge / discharge circuit of the capacitor, and the output voltage is inverted from a low level to a high level. As a result, the discharging of the capacitor is automatically stopped, and the charging of the capacitor is automatically stopped by inverting the output voltage from the high level to the low level. Then, in this charge / discharge stopped state, the input of the semiconductor integrated circuit under test is measured.
【0016】[0016]
【実施例】以下、図面を参照しつゝ本発明の5実施例に
係る半導体集積回路測定装置について説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a semiconductor integrated circuit measuring apparatus according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0017】第1実施例(請求項1に対応)は供試半導
体集積回路の入力が電圧であり出力が電圧である場合で
あり、図1に第1実施例の回路をを示す。図において、
1は半導体集積回路測定装置であり、Cは電源端子11に
接続される直流電源Eによって充電されるキャパシタで
あり、RはこのキャパシタCの充放電用抵抗である。S
W1はこの充放電抵抗Rの一方の端子aを上記のキャパ
シタCまたは上記の電源端子11に切り換え接続する切り
換えスイッチング手段であり、SW2は上記のキャパシ
タCと上記の電源端子11との間に介在するスイッチング
手段である。Dはダイオードであり、その陽極は上記の
充放電用抵抗Rの他方の端子bに接続され、その陰極は
上記のキャパシタCに接続されている。12は上記のキャ
パシタCの端子電圧を供試半導体集積回路2に出力する
出力端子であり、13は上記の供試半導体集積回路2の出
力が入力される入力端子である。15は上記の供試半導体
集積回路2の出力が一方の入力端子に入力され、他方の
入力端子には端子14を介して基準電圧Vref が入力さ
れ、出力端子は上記の充放電抵抗Rの他方の端子bに接
続されるコンパレータである。上記の供試半導体集積回
路2の入力電圧が高電圧レベルのときは上記のコンパレ
ータ15は低レベル電圧を出力し、供試半導体集積回路2
の出力が反転するときにコンパレータ15の出力も反転す
るようにコンパレータ15の入力が選定される。16は上記
のキャパシタCの端子電圧を測定する電圧測定手段であ
る。The first embodiment (corresponding to claim 1) is a case where the input of the semiconductor integrated circuit under test is a voltage and the output is a voltage. FIG. 1 shows a circuit of the first embodiment. In the figure,
Reference numeral 1 denotes a semiconductor integrated circuit measuring device, C denotes a capacitor charged by a DC power supply E connected to a power supply terminal 11, and R denotes a charge / discharge resistance of the capacitor C. S
W1 is switching switching means for switching and connecting one terminal a of the charge / discharge resistor R to the capacitor C or the power supply terminal 11, and SW2 is interposed between the capacitor C and the power supply terminal 11. Switching means. D is a diode, the anode of which is connected to the other terminal b of the charging / discharging resistor R, and the cathode of which is connected to the capacitor C. Reference numeral 12 denotes an output terminal for outputting the terminal voltage of the capacitor C to the test semiconductor integrated circuit 2, and reference numeral 13 denotes an input terminal to which the output of the test semiconductor integrated circuit 2 is input. Reference numeral 15 denotes the output of the test semiconductor integrated circuit 2 input to one input terminal, the other input terminal to which the reference voltage Vref is input via the terminal 14, and the output terminal to This is a comparator connected to the other terminal b. When the input voltage of the test semiconductor integrated circuit 2 is at a high voltage level, the comparator 15 outputs a low level voltage, and the test semiconductor integrated circuit 2
The input of the comparator 15 is selected such that the output of the comparator 15 is also inverted when the output of the comparator 15 is inverted. Reference numeral 16 denotes voltage measuring means for measuring the terminal voltage of the capacitor C.
【0018】つぎに、本実施例に係る半導体集積回路測
定装置の動作について説明する。まず、半導体集積回路
の入力電圧を高電圧レベルから低減する場合について説
明する。スイッチング手段SW2をオンしキャパシタC
をスレッショルド電圧より高い電源電圧V1に充電す
る。このキャパシタCがV1に充電された状態において
はコンパレータ15の出力端子電圧は低レベルにある。つ
ぎにスイッチング手段SW2をオフし、それまでオフ状
態にあった切り換えスイッチング手段SW1をキャパシ
タC側にオンすると、キャパシタCの電荷は充放電用抵
抗Rを介してコンパレータ15に放電する。その結果、キ
ャパシタCの端子電圧はV1から、時定数CRである下
降曲線に従って減少する。この減少しつゝあるキャパシ
タの端子電圧が供試半導体集積回路2のスレッショルド
電圧に達したとき半導体集積回路2の出力が反転し、こ
れにもとづいてコンパレータ15の出力端子電圧が低レベ
ルから高レベルに反転する。そのため、キャパシタCの
放電が不可能となり、放電は停止し、キャパシタCの端
子電圧は放電停止時の電圧を継続する。この状態におい
て電圧測定手段16を使用してキャパシタCの端子電圧を
測定する。Next, the operation of the semiconductor integrated circuit measuring apparatus according to this embodiment will be described. First, a case where the input voltage of the semiconductor integrated circuit is reduced from the high voltage level will be described. Turn on the switching means SW2 and turn on the capacitor C
To a power supply voltage V1 higher than the threshold voltage. When the capacitor C is charged to V1, the output terminal voltage of the comparator 15 is at a low level. Next, when the switching means SW2 is turned off and the switching switching means SW1 which has been in the off state is turned on to the capacitor C side, the electric charge of the capacitor C is discharged to the comparator 15 via the charging / discharging resistor R. As a result, the terminal voltage of the capacitor C decreases from V1 according to a falling curve that is a time constant CR. When the terminal voltage of this decreasing capacitor reaches the threshold voltage of the semiconductor integrated circuit under test 2, the output of the semiconductor integrated circuit 2 is inverted, and based on this, the output terminal voltage of the comparator 15 changes from a low level to a high level. Flip to Therefore, the discharge of the capacitor C becomes impossible, the discharge stops, and the terminal voltage of the capacitor C keeps the voltage at the time of stopping the discharge. In this state, the terminal voltage of the capacitor C is measured using the voltage measuring means 16.
【0019】つぎに、半導体集積回路の入力電圧を低レ
ベルから高レベルに増加する場合について説明する。低
い電圧V2の電源を電源端子11に接続する。この電圧V
2は0であってもよい。SW2をオンしキャパシタCを
電源電圧V2に充電する。このキャパシタCがV2に充
電された状態においてはコンパレータ15の出力端子電圧
は高レベルである。つぎに、スイッチング手段SW2を
オフし、さらに電源電圧をV2からスレッショルド電圧
より高い電源電圧V3に変更する。つぎに、それまでオ
フ状態にあった切り換えスイッチング手段SW1を電源
端子11側にオンすると、キャパシタCは充放電用抵抗R
とダイオード(D)とを介して充電される。その結果、
キャパシタCの端子電圧はV2から、時定数がCRであ
る上昇曲線に従って増大する。この増大しつゝあるキャ
パシタCの端子電圧が供試半導体集積回路2のスレッシ
ョルド電圧に達したとき半導体集積回路2の出力が反転
し、これにもとづいてコンパレータ15の出力端子電圧が
高レベルから低レベルに反転する。そのため、ダイオー
ド(D)の陽極は陰極より低電位となり、キャパシタC
への充電は停止され、電流はコンパレータ15に流入する
ことになる。キャパシタCの端子電圧は充電停止時の電
圧を継続する。この状態において、電圧測定手段16を使
用してキャパシタCの端子電圧を測定する。Next, a case where the input voltage of the semiconductor integrated circuit is increased from a low level to a high level will be described. The power supply of the low voltage V2 is connected to the power supply terminal 11. This voltage V
2 may be 0. SW2 is turned on to charge the capacitor C to the power supply voltage V2. When the capacitor C is charged to V2, the output terminal voltage of the comparator 15 is at a high level. Next, the switching means SW2 is turned off, and the power supply voltage is further changed from V2 to a power supply voltage V3 higher than the threshold voltage. Next, when the switching switching means SW1, which has been in the off state, is turned on to the power supply terminal 11, the capacitor C becomes the charge / discharge resistor R
And a diode (D). as a result,
The terminal voltage of the capacitor C increases from V2 according to a rising curve in which the time constant is CR. When the terminal voltage of the increasing capacitor C reaches the threshold voltage of the test semiconductor integrated circuit 2, the output of the semiconductor integrated circuit 2 is inverted, and based on this, the output terminal voltage of the comparator 15 changes from a high level to a low level. Invert to level. Therefore, the anode of the diode (D) has a lower potential than the cathode, and the capacitor C
Is stopped, and the current flows into the comparator 15. The terminal voltage of the capacitor C keeps the voltage at the time of stopping charging. In this state, the terminal voltage of the capacitor C is measured using the voltage measuring means 16.
【0020】上記のように、本実施例に係る半導体集積
回路測定装置においては、充電中または放電中のキャパ
シタCの端子電圧を供試半導体集積回路2の入力電圧と
なすので、この入力電圧は連続的に変化し、しかも、入
力電圧印加時間は従来技術の階段状電圧の場合より短縮
される。したがって、従来技術に比し、高速かつ高精度
の測定が可能である。As described above, in the semiconductor integrated circuit measuring apparatus according to the present embodiment, the terminal voltage of the capacitor C during charging or discharging is used as the input voltage of the semiconductor integrated circuit 2 to be tested. It changes continuously and the input voltage application time is shorter than in the case of the step voltage of the prior art. Therefore, high-speed and high-accuracy measurement is possible as compared with the related art.
【0021】第2実施例(請求項2に対応)は供試半導
体集積回路の入力が電圧であり出力が電流である場合で
あり、図2に第2実施例の回路を示す。本実施例が第1
実施例と相違する点は、本実施例においては、供試半導
体集積回路2の出力電流を電流/電圧変換手段17により
電圧信号に変換してコンパレータ15の入力となす点のみ
である。その他の符号及び動作の説明は第1実施例と同
一であるので省略する。The second embodiment (corresponding to claim 2) is a case where the input of the semiconductor integrated circuit under test is a voltage and the output is a current, and FIG. 2 shows a circuit of the second embodiment. This embodiment is the first
In this embodiment, the only difference is that the output current of the semiconductor integrated circuit under test 2 is converted into a voltage signal by the current / voltage conversion means 17 and used as an input to the comparator 15. Descriptions of other reference numerals and operations are the same as those of the first embodiment, and thus will be omitted.
【0022】第3実施例(請求項3に対応)は供試半導
体集積回路の入力が電流であり出力が電圧である場合で
あり、図3に第3実施例の回路を示す。本実施例が第1
実施例と相違する点は、本実施例においては、キャパシ
タCの端子電圧を電圧/電流変換手段18により電流に変
換して供試半導体集積回路2の入力となす点と第1実施
例における電圧測定手段16に替えて上記の電圧/電流変
換手段18の出力電流を測定する電流測定手段19が設けら
れている点のみである。その他の符号及び動作の説明は
第1実施例と同一であるので省略する。The third embodiment (corresponding to claim 3) is a case where the input of the semiconductor integrated circuit under test is a current and the output is a voltage. FIG. 3 shows a circuit of the third embodiment. This embodiment is the first
This embodiment is different from the first embodiment in that the terminal voltage of the capacitor C is converted into a current by the voltage / current converting means 18 to be an input to the semiconductor integrated circuit 2 under test, and the voltage in the first embodiment is different from that of the first embodiment. The only difference is that a current measuring means 19 for measuring the output current of the voltage / current converting means 18 is provided in place of the measuring means 16. Descriptions of other reference numerals and operations are the same as those of the first embodiment, and thus will be omitted.
【0023】第4実施例(請求項4に対応)は供試半導
体集積回路の入力が電流であり出力が電流である場合で
あり、図4に第4実施例の回路を示す。本実施例が第1
実施例と相違する点は、本実施例においては、上記の第
3実施例で説明した電圧/電流変換手段18と上記の第2
実施例で説明した電流/電圧変換手段17とが付加されて
いる点と、第1実施例における電圧測定手段16に替えて
上記の電圧/電流変換手段18の出力電流を測定する電流
測定手段19が設けられている点のみである。その他の符
号及び動作の説明は第1実施例と同一であるので省略す
る。The fourth embodiment (corresponding to claim 4) is a case where the input of the semiconductor integrated circuit under test is a current and the output is a current. FIG. 4 shows a circuit of the fourth embodiment. This embodiment is the first
This embodiment is different from the third embodiment in that the voltage / current conversion means 18 described in the third embodiment and the second
The point that the current / voltage converting means 17 described in the embodiment is added, and the current measuring means 19 for measuring the output current of the voltage / current converting means 18 instead of the voltage measuring means 16 in the first embodiment. Is provided only. Descriptions of other reference numerals and operations are the same as those of the first embodiment, and thus will be omitted.
【0024】第5実施例は供試半導体集積回路の入力・
出力が電圧・電流のいずれであっても使用可能な半導体
集積回路測定装置である。その回路を図5に示す。本実
施例が第4実施例と相違する点は、本実施例において
は、相互に連動する切り換えスイッチング手段SW3・
SW4と相互に連動する切り換えスイッチング手段SW
5・SW6とが設けられている点と、キャパシタCの端
子電圧を測定する電圧測定手段16が付加されている点の
みである。供試半導体集積回路2の入力条件に対応して
切り換えスイッチング手段SW3・SW4を切り換え
て、キャパシタCの端子電圧かこの電圧を電圧/電流変
換手段18を用いて変換した電流かを入力となし、また供
試半導体集積回路2の出力条件に対応して切り換えスイ
ッチング手段SW5・SW6を切り換えて、半導体集積
回路2の出力が電圧の場合は直接コンパレータ15の入力
となし、出力が電流の場合は電流/電圧変換手段17を用
いて電圧に変換してコンパレータ15の入力となす。In the fifth embodiment, the input / output of the semiconductor integrated circuit under test is
This is a semiconductor integrated circuit measuring device that can be used regardless of whether the output is voltage or current. The circuit is shown in FIG. This embodiment is different from the fourth embodiment in that in this embodiment, the switching switching means SW3 ·
Switching means SW interlocked with SW4
5 · SW6 and a point where a voltage measuring means 16 for measuring the terminal voltage of the capacitor C is added. The switching means SW3 and SW4 are switched in accordance with the input condition of the semiconductor integrated circuit under test 2 to determine whether the terminal voltage of the capacitor C or the current obtained by converting the voltage using the voltage / current converting means 18 is input. The switching means SW5 and SW6 are switched in accordance with the output conditions of the test semiconductor integrated circuit 2, so that when the output of the semiconductor integrated circuit 2 is a voltage, it is directly input to the comparator 15, and when the output is a current, the current is a current. The voltage is converted into a voltage using a voltage conversion means 17 and is used as an input to the comparator 15.
【0025】本実施例は、単一の測定装置をもって供試
半導体集積回路2の入力・出力が電圧・電流のいずれで
あって測定することができるので、効率的測定が可能で
あり、また経済的利益を享受することができる。In the present embodiment, since the input and output of the semiconductor integrated circuit under test 2 can be measured by using either a voltage or a current with a single measuring device, efficient measurement is possible and economy is achieved. Benefits can be enjoyed.
【0026】[0026]
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体集積回路測定装置においては、充放電用抵抗を介して
充電または放電するキャパシタの端子電圧を供試半導体
集積回路の入力となし、この半導体集積回路の出力の反
転に周期して出力を反転するコンパレータに上記の半導
体集積回路の出力を入力し、上記コンパレータの出力電
圧を上記のキャパシタの充放電回路に印加し、自動的に
充放電を停止することゝされており、上記の半導体集積
回路の入力条件・出力条件に対応して、上記のキャパシ
タの端子電圧を電圧/電流変換手段により電流に変換し
て入力し、また出力を電流/電圧変換手段により電圧に
変換して上記のコンパレータに入力することゝされてい
るので、供試半導体集積回路の入力電圧・電流を連続的
に変化することができるから高精度の測定ができ、また
入力電圧・電流のオーバーシュートによる誤動作がない
ので安定した測定が可能である。さらに従来技術におけ
るそれぞれの入力電圧値・電流値に対する長大な印加時
間は必要としないので測定時間を短縮することができ、
測定が容易で効果的である。As described above, in the semiconductor integrated circuit measuring apparatus according to the present invention, the terminal voltage of the capacitor which is charged or discharged via the charging / discharging resistor is used as the input of the semiconductor integrated circuit to be tested. The output of the semiconductor integrated circuit is input to a comparator that inverts the output periodically inverting the output of the integrated circuit, and the output voltage of the comparator is applied to the charge / discharge circuit of the capacitor to automatically charge and discharge. The terminal voltage of the capacitor is converted into a current by a voltage / current conversion means and input according to the input condition and output condition of the semiconductor integrated circuit, and the output is converted to a current / Since the voltage is converted into a voltage by the voltage conversion means and input to the comparator, the input voltage and current of the semiconductor integrated circuit under test can be continuously changed. High precision can be measured, also be stable measurement since there is no malfunction due to an overshoot of the input voltage and current from kill. Furthermore, since a long application time for each input voltage value and current value in the prior art is not required, the measurement time can be reduced,
Easy to measure and effective.
【0027】したがって本発明は、半導体集積回路のス
レッショルド測定及び入出力ヒステリテリシス特性測定
を高速に、しかも高精度に効率よく実行することができ
る半導体集積回路測定装置を提供することができる。Therefore, the present invention can provide a semiconductor integrated circuit measuring apparatus capable of efficiently performing a threshold measurement and an input / output hysteresis characteristic measurement of a semiconductor integrated circuit at high speed and with high accuracy.
【図1】本発明の第1実施例に係る半導体集積回路測定
装置の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit measuring device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2実施例に係る半導体集積回路測定
装置の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit measuring device according to a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3実施例に係る半導体集積回路測定
装置の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit measuring device according to a third embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第4実施例に係る半導体集積回路測定
装置の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit measuring device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第5実施例に係る半導体集積回路測定
装置の回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit measuring device according to a fifth embodiment of the present invention.
【図6】従来技術に係る半導体集積回路測定装置のブロ
ック図である。FIG. 6 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit measuring device according to the related art.
1 半導体集積回路測定装置(本発明) 2 半導体集積回路 15 コンパレータ 16 電圧測定手段 17 電流/電圧変換手段 18 電圧/電流変換手段 19 電流測定手段 10 半導体集積回路測定装置(従来技術) 101 階段状電圧(または電流)発生手段 102 入力測定手段 103 出力測定手段 C キャパシタ R 充放電用抵抗 D ダイオード SW1・SW3・SW4・SW5・SW6 切り換え
スイッチング手段 SW2 スイッチング手段REFERENCE SIGNS LIST 1 semiconductor integrated circuit measuring device (the present invention) 2 semiconductor integrated circuit 15 comparator 16 voltage measuring device 17 current / voltage converting device 18 voltage / current converting device 19 current measuring device 10 semiconductor integrated circuit measuring device (prior art) 101 step-like voltage (Or current) generating means 102 Input measuring means 103 Output measuring means C Capacitor R Charging / discharging resistance D Diode SW1, SW3, SW4, SW5, SW6 Switching switching means SW2 Switching means
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 勝哉 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−138281(JP,A) 特開 平3−65668(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 31/26 G01R 31/28 H01L 21/66 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Katsuya Ishikawa 1015 Kamikodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Inside Fujitsu Limited (56) References JP-A-63-138281 (JP, A) JP-A-3-65668 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G01R 31/26 G01R 31/28 H01L 21/66
Claims (4)
他方の入力端子に半導体集積回路の出力が入力されるコ
ンパレータ(15)と、 該コンパレータ(15)の出力端子に抵抗(R)の第4
の端子とダイオード(D)の一端とが接続され、 該ダイオード(D)の他端に、キャパシタ(C)の第1
の端子と前記半導体集積回路の入力端子と電圧測定手段
(16)とが接続され、 前記抵抗(R)の第2の端子と電源端子(E)との間に
は、前記抵抗(R)の第2の端子を前記電源端子(E)
と前記キャパシタ(C)の第1の端子とのいづれか一方
に接続する第1のスイッチ(SW1)が設けられ、 前記キャパシタ(C)の第1の端子と前記電源端子
(E)との間には、第2のスイッチ(SW2)が設けら
れている ことを特徴とする半導体集積回路装置。 A reference voltage is inputted to one input terminal,
The output of the semiconductor integrated circuit is input to the other input terminal.
And a fourth resistor (R) connected to an output terminal of the comparator (15).
Is connected to one end of the diode (D), and the other end of the diode (D) is connected to the first terminal of the capacitor (C).
Terminal, input terminal of the semiconductor integrated circuit, and voltage measuring means
(16) is connected between the second terminal of the resistor (R) and the power supply terminal (E).
Connects the second terminal of the resistor (R) to the power supply terminal (E).
And the first terminal of the capacitor (C)
A first switch (SW1) connected to the power supply terminal and a first terminal of the capacitor (C).
(E), a second switch (SW2) is provided.
The semiconductor integrated circuit device characterized by being.
他方の入力端子に電流/電圧変換手段(17)の出力が
入力されるコンパレータ(15)と、 該コンパレータ(15)の出力端子に抵抗(R)の第1
の端子とダイオードD)の一端が接続され、 該ダイオード(D)の他端にキャパシタ(C)の第1の
端子と半導体集積回路の入力端子と電圧測定手段(1
6)とが接続され、 前記抵抗(R)の第2の端子と電源端子(E)との間に
は、前記抵抗(R)の第2の端子を前記電源端子(E)
と前記キャパシタ(C)の第1の端子とのいづれか一方
に接続する第1のスイッチ(SW1)が設けられ、 前記キャパシタ(C)の第1の端子と前記電源端子
(E)との間には、第2のスイッチ(SW2)が設けら
れ、 前記半導体集積回路の出力が前記電流/電圧変換手段
(17)の入力に接続されている ことを特徴とする半導
体集積回路装置。 2. A reference voltage is input to one input terminal,
The output of the current / voltage conversion means (17) is input to the other input terminal.
A comparator (15) to be input, and a first resistor (R) connected to an output terminal of the comparator (15).
Is connected to one end of a diode D), and the other end of the diode (D) is connected to a first terminal of a capacitor (C).
Terminal and the input terminal of the semiconductor integrated circuit and the voltage measuring means (1
6) is connected between the second terminal of the resistor (R) and the power supply terminal (E).
Connects the second terminal of the resistor (R) to the power supply terminal (E).
And the first terminal of the capacitor (C)
A first switch (SW1) connected to the power supply terminal and a first terminal of the capacitor (C).
(E), a second switch (SW2) is provided.
Is the output of the semiconductor integrated circuit is the current / voltage converting means
(17) a semi-conductor connected to the input
Body integrated circuit device.
他方の入方端子に半導体集積回路の出力が入力されるコ
ンパレータ(15)と、 該コンパレータ(15)の出力に抵抗(R)の第1の端
子とダイオード(D)の一端が接続され、 該ダイオード(D)の他端にキャパシタ(C)の第1の
端子と電流/電圧変換手段(17)の入力端子が接続さ
れ、 前記抵抗(R)の第2の端子と電源端子(E)との間に
は、前記抵抗(R)の第2の端子を前記電源端子(E)
と前記キャパンタ(C)の第1の端子とのいづれか一方
に接続する第1のスイッチ(SW1)が設けられ、 前記キャパシタ(C)の第1の端子と前記電源端子
(E)との間には、第2のスイッチ(SW2)が設けら
れ、 前記電流/電圧変換手段(17)の出力が前記半導体集
積回路の入力と電流測定手段(19)とに接続されてい
る ことを待徴とする半導体集積回路装置。 3. A reference voltage is inputted to one input terminal,
The other input terminal receives the output of the semiconductor integrated circuit.
A comparator (15) and a first end of a resistor (R) connected to the output of the comparator (15).
Is connected to one end of a diode (D), and a first end of a capacitor (C) is connected to the other end of the diode (D).
Terminal and the input terminal of the current / voltage conversion means (17) are connected.
Between the second terminal of the resistor (R) and the power supply terminal (E).
Connects the second terminal of the resistor (R) to the power supply terminal (E).
And the first terminal of the captor (C)
A first switch (SW1) connected to the power supply terminal and a first terminal of the capacitor (C).
(E), a second switch (SW2) is provided.
The output of the current / voltage conversion means (17) is
Connected to the input of the integrated circuit and the current measuring means (19).
The semiconductor integrated circuit device according to Machicho that that.
他方の入力端子に第1の電流/電圧変換手段(17)の
出力が入力されるコンパレータ(15)と、 該コンパレータ(15)の出力端子に抵抗(R)の第1
の端子とダイオード(D)の一端が接続され、 該ダイオード(D)の他端にキャパシタ(C)の第1の
端子と第2の電流/電圧変換手段(18)とが接続さ
れ、 前記抵抗(R)の第2の端子と電源端子(E)との間に
は、前記抵抗(R)の第2の端子を前記電源端子(E)
と前記キャパシタ(C)の第1の端子とのいづれか一方
に接続する第1のスイッチ(SW1)が設けられ、 前記キャパシタ(C)の第1の端子と前記電源端子
(E)との間には、第2のスイッチ(SW2)が設けら
れ、 前記第2の電流/電圧変換手段(18)の出力が半導体
集積回路の入力と電流測定手段(19)とに接続され、 前記半導体集積回路の出力が前記第1の電流/電圧変換
手段(17)の入力端子に接続されている ことを特徴と
する半導体集積回路装置。 4. A reference voltage is inputted to one input terminal,
The other input terminal of the first current / voltage conversion means (17)
A comparator (15) to which an output is input, and a first resistor (R) connected to an output terminal of the comparator (15).
Is connected to one end of a diode (D), and the other end of the diode (D) is connected to a first terminal of a capacitor (C).
The terminal is connected to the second current / voltage conversion means (18).
Between the second terminal of the resistor (R) and the power supply terminal (E).
Connects the second terminal of the resistor (R) to the power supply terminal (E).
And the first terminal of the capacitor (C)
A first switch (SW1) connected to the power supply terminal and a first terminal of the capacitor (C).
(E), a second switch (SW2) is provided.
Is the output of the second current / voltage converting means (18) is a semiconductor
An output of the semiconductor integrated circuit connected to an input of the integrated circuit and a current measuring means (19);
And characterized in that it is connected to the input terminal means (17)
Semiconductor integrated circuit device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3272739A JP3025923B2 (en) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3272739A JP3025923B2 (en) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05113464A JPH05113464A (en) | 1993-05-07 |
| JP3025923B2 true JP3025923B2 (en) | 2000-03-27 |
Family
ID=17518102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3272739A Expired - Fee Related JP3025923B2 (en) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | Semiconductor integrated circuit device |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3025923B2 (en) |
-
1991
- 1991-10-21 JP JP3272739A patent/JP3025923B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05113464A (en) | 1993-05-07 |
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