JP3032115B2 - Thyristor valve - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は直流送電等に用いる空気
絶縁式のサイリスタバルブに係り、特に支柱部の絶縁に
ついて改良を施した空気絶縁式のサイリスタバルブに関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an air-insulated thyristor valve used for DC power transmission and the like, and more particularly to an air-insulated thyristor valve improved in insulation of a column.
【0002】[0002]
【従来の技術】大容量、長距離送電及び異周波連系等、
系統運用上多くのメリットを有する直流送電が多方面で
使用されている。現在、国内においては、容量300M
W,直流電圧250KVまで実用化されているが、今後
更に大容量、高電圧化が予想される。2. Description of the Related Art Large-capacity, long-distance power transmission and inter-frequency connection, etc.
DC transmission, which has many advantages in system operation, is used in various fields. Currently, in Japan, the capacity is 300M
W, DC voltage up to 250 KV has been put into practical use, but further increase in capacity and voltage is expected in the future.
【0003】こうした直流送電を行う場合に、交流の電
力を直流に変換し、或いはその逆の変換を行うための電
力変換器を構成する半導体素子として、従来はサイリス
タが主に使用されており、サイリスタを用いた半導体ス
イッチをサイリスタバルブと呼んでいる。ここでは半導
体バルブの代表例としてサイリスタバルブを例として説
明する。最近では、GTOサイリスタも使用され始めて
いるが、これらのものにも本発明は適用できるものであ
る。[0003] In the case of performing such DC power transmission, thyristors have been mainly used as semiconductor elements constituting a power converter for converting AC power to DC or vice versa. A semiconductor switch using a thyristor is called a thyristor valve. Here, a thyristor valve will be described as a typical example of a semiconductor valve. Recently, GTO thyristors have begun to be used, but the present invention can be applied to these.
【0004】直流送電では交流を直流に或いは直流を交
流に変換する交直変換所が設置される。交直変換所は図
5に示すように、交流系統6から交流電圧を変換器用変
圧器7a,7b、高圧側変換器8a,低圧側変換器8b
を通して直流電圧に変換し、直流リアクトル10を介し
て直流電力を送電している。このうち高圧側、低圧側変
換器8a,8bを構成するサイリスタバルブ9は、前述
のように交流電圧を直流電圧に、或いは直流電圧を交流
電圧に変換する主要素で、現在のところ、運転実績、保
守点検の面から空気絶縁方式のものが多用されている。
この空気絶縁式サイリスタバルブは通常バルブホールと
称される建屋内に設置される。In DC transmission, an AC / DC conversion station for converting AC into DC or DC into AC is installed. As shown in FIG. 5, the AC / DC converter converts the AC voltage from the AC system 6 into converter transformers 7a and 7b, a high-voltage converter 8a, and a low-voltage converter 8b.
To a DC voltage, and the DC power is transmitted through the DC reactor 10. Among them, the thyristor valve 9 constituting the high-side and low-side converters 8a and 8b is a main element for converting an AC voltage to a DC voltage or a DC voltage to an AC voltage as described above. From the viewpoint of maintenance and inspection, an air-insulated type is often used.
This air-insulated thyristor valve is installed in a building usually called a valve hole.
【0005】サイリスタバルブ9の構成を図6に示す。
図6において、有機絶縁物からなる絶縁支柱2は、金属
製ビーム14と、フランジ1を介してボルト締結などに
より接続されフレームを構成する。金属製ビーム14の
電界緩和のため、上部及び下部にシールド11,12が
取付けられている。13は直並列接続された複数個のサ
イリスタ素子とその付属回路であるコンデンサ、抵抗
器、リアクトル等を収納したサイリスタモジュールであ
り、絶縁支持台3により、絶縁支柱2に固定されてい
る。複数段積重ねられたサイリスタモジュール13は電
気的に直列に接続されているが、各モジュール13の電
位は収納したサイリスタの内の1つのアノード又はカソ
ードの電位に固定されているため、各サイリスタモジュ
ール間には電位差が生じる。従って、絶縁支持台3の間
隔Sは、印加される電圧に耐えるよう以下のようにして
決定される。FIG. 6 shows the configuration of the thyristor valve 9.
In FIG. 6, an insulating support column 2 made of an organic insulator is connected to a metal beam 14 via a flange 1 by bolting or the like to form a frame. In order to reduce the electric field of the metal beam 14, shields 11 and 12 are attached to the upper and lower portions. Reference numeral 13 denotes a thyristor module containing a plurality of thyristor elements connected in series and parallel and their associated circuits such as a capacitor, a resistor, and a reactor. The thyristor module 13 is fixed to the insulating column 2 by an insulating support 3. Although the thyristor modules 13 stacked in a plurality of stages are electrically connected in series, the potential of each module 13 is fixed to the potential of one of the stored thyristors, ie, the potential of one of the thyristors. Generates a potential difference. Therefore, the interval S between the insulating supports 3 is determined as follows so as to withstand the applied voltage.
【0006】[0006]
【数1】 S=U×E ……(1) ここで、Uは印加される電圧(KV),Eは環境条件等
で決まる沿面絶縁の設計電界(mm/KV)、一般に10
〜25mm/KV程度である。これより絶縁支柱2の全体
の長さLは、(2) 式で求められる。S = U × E (1) Here, U is an applied voltage (KV), E is a design electric field (mm / KV) of creepage insulation determined by environmental conditions and the like, and generally 10
About 25 mm / KV. From this, the overall length L of the insulating support 2 can be obtained by equation (2).
【0007】[0007]
【数2】 L=(N+1)×S ……(2) ここで、Nはサイリスタモジュールの積み段数 (2) 式に(1) 式を代入すると、L = (N + 1) × S (2) where N is the number of stacking thyristor modules.
【0008】[0008]
【数3】 L=(N+1)×U×E ……(3) (3) 式より、印加される電圧Uが高くなれば絶縁支柱L
が長くなり、従ってサイリスタバルブの高さが高くなる
ことが分る。L = (N + 1) × U × E (3) From the equation (3), if the applied voltage U increases, the insulating support L
And the height of the thyristor valve increases accordingly.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】現在我国の直流送電実
績は、直流250KVまでであり、これ相当のサイリス
タバルブを国内各メーカーで製作実績がある。そのいず
れもが前述のように空気絶縁式のものである。At present, the DC power transmission record in Japan is up to 250 KV DC, and a corresponding thyristor valve has been produced by domestic manufacturers. Each of them is of the air insulation type as described above.
【0010】直流電圧250KV級で約10m程度の高
さになり、近い将来実現する500KV級直流送電で
は、現在のまま製作すると高さ20mを超える大型機器
になる懸念がある。これは耐震上の強度が大きな問題と
なると共に、サイリスタバルブの大型化に伴ない、収納
するバルブホールも大規模なものになる。地震国で狭い
国土の我国には、サイリスタバルブのこれ以上の大型化
は直流送電を進める上で障害となることが予想される。
この様な背景のもとサイリスタバルブの高さ低減が現在
の課題となっている。本発明は上記のような問題点を解
消し、強度上、絶縁上信頼性の高い空気絶縁式のサイリ
スタバルブを提供することを目的とする。[0010] A DC voltage of 250 KV class has a height of about 10 m, and there is a concern that a 500 KV class DC power transmission realized in the near future will become a large device exceeding 20 m in height if manufactured as it is. This poses a serious problem in terms of seismic strength, and as the thyristor valve becomes larger, the size of the stored valve hole becomes larger. In Japan, which is an earthquake-prone country and has a narrow land area, further enlargement of the thyristor valve is expected to be an obstacle to promoting DC transmission.
Under such a background, reduction of the height of the thyristor valve is a current problem. An object of the present invention is to solve the above problems and to provide an air-insulated thyristor valve having high strength and high insulation reliability.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項1に記載の発明は、有機絶縁材からなる絶縁
支柱を少なくとも2本垂直に配置し、金属製のビームを
少なくとも2本前記絶縁支柱の上部及び下部に水平に取
付けてフレームを構成し、複数個の半導体素子とその付
属部品を収納したモジュールを前記絶縁支柱の間に所定
の間隔を置いて数段積重ねて構成した空気絶縁式のサイ
リスタバルブにおいて、最上段の前記モジュールと前記
上部金属製のビーム間、最下段の前記モジュールと前記
下部金属製のビーム間、及び前記モジュール間の前記絶
縁支柱の上部、中間部、下部の3カ所に、各々少なくと
も1枚の笠を取付けたことを特徴としたものである。According to the first aspect of the present invention, at least two insulating columns made of an organic insulating material are vertically arranged, and at least two metal beams are provided. An air insulation device comprising a plurality of semiconductor elements and modules accommodating the attached components, which are horizontally mounted on upper and lower portions of the insulating support column to form a frame, and are stacked in several stages at predetermined intervals between the insulating support columns. In the thyristor valve of the type, between the uppermost module and the upper metal beam, between the lowermost module and the lower metal beam, and the upper, middle, and lower portions of the insulating support between the modules. At least one shade is attached to each of the three locations.
【0012】又、請求項2に記載の発明は、請求項1に
記載のサイリスタバルブにおいて、絶縁支柱の上部に取
付ける笠は、その上側のモジュールの下面より下に、該
絶縁支柱の下部に取付ける笠は、その下側のモジュール
の上面より上に配置したことを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, in the thyristor valve according to the first aspect, the shade attached to the upper portion of the insulating support is mounted below the lower surface of the module above the lower module. The shade is characterized by being arranged above the upper surface of the module below it.
【0013】更に、請求項3に記載の発明は、請求項1
に記載のサイリスタバルブにおいて、絶縁支柱を中空絶
縁支柱を使用する際には、上部及び下部の金属製のビー
ムとの締結部にて中空絶縁支柱の開口部を密閉すること
を特徴としたものである。Further, the invention according to claim 3 is the invention according to claim 1.
In the thyristor valve described in the above, when using a hollow insulating pillar as the insulating pillar, the opening of the hollow insulating pillar is sealed at the fastening part with the upper and lower metal beams. is there.
【0014】[0014]
【作用】請求項1に記載の発明によれば、サイリスタモ
ジュールを絶縁支持する絶縁支柱の電極間の3カ所に分
散して笠を取付けることにより、絶縁支柱の沿面絶縁距
離を増加でき、フラッシュオーバ電圧を増加することが
できるため、絶縁支柱の長さを短くし、もってサイリス
タバルブの高さを低減することができる。According to the first aspect of the present invention, it is possible to increase the creepage insulation distance of the insulating support column by dispersing the shades at three positions between the electrodes of the insulating support column for insulatingly supporting the thyristor module, thereby enabling flashover. Since the voltage can be increased, the length of the insulating pillar can be shortened, and the height of the thyristor valve can be reduced.
【0015】又、請求項2に記載の発明によれば、請求
項1に記載の発明の効果に加えて、笠の先端とサイリス
タモジュ―ルとの空間距離を大きくすることができるた
め笠の先端及びサイリスタモジュ―ル端部の電界を緩和
することができ、部分放電の発生を防止することができ
る。According to the second aspect of the present invention, in addition to the effect of the first aspect, the spatial distance between the tip of the cap and the thyristor module can be increased. The electric field at the tip and the end of the thyristor module can be reduced, and the occurrence of partial discharge can be prevented.
【0016】更に、請求項3に記載の発明によれば、請
求項1に記載の発明の効果に加え、絶縁支柱の内面から
汚損し、絶縁支柱2の内面でフラッシュオーバが発生す
るという不具合を防止できる。Further, according to the third aspect of the present invention, in addition to the effect of the first aspect of the present invention, there is a disadvantage that the inner surface of the insulating column is contaminated and flashover occurs on the inner surface of the insulating column 2. Can be prevented.
【0017】[0017]
【実施例】以下、図4と同一部に同一符号を付して示す
図1のサイリスタバルブの構成図を参照して、請求項1
に記載の発明を説明する。図4において、4a,4b,
4cは絶縁支柱2の外周面の上部、中央部、下部に2枚
つづ取付けた笠である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring now to the block diagram of the thyristor valve shown in FIG.
Will be described. In FIG. 4, 4a, 4b,
Reference numeral 4c denotes a shade which is attached to the upper, central, and lower portions of the outer peripheral surface of the insulating support 2 two by two.
【0018】図2は、笠なし及び3種類の笠の配置をし
た絶縁支柱モデルを示し、図3はこのモデルの直流フラ
ッシュオーバ電圧(FOV)を湿度を変化させて試験し
た結果を示した絶縁支柱DC放電特性図である。笠を
上、中、下に配置すると、湿度が増加してもフラッシュ
オーバ電圧がほとんど低下しないのに対し、笠がない場
合又は笠が上、中、下の配置でない場合は湿度の増加と
共にフラッシュオーバ電圧が低下していることがわか
る。FIG. 2 shows an insulating post model having no cap and three kinds of caps, and FIG. 3 shows the results of testing the DC flashover voltage (FOV) of this model by changing the humidity. It is a support | pillar DC discharge characteristic diagram. When the shade is placed above, inside, or below, the flashover voltage hardly decreases even if the humidity increases, whereas when there is no shade or when the shade is not located above, middle, or below, the flashover increases with the humidity. It can be seen that the overvoltage has decreased.
【0019】このように、笠を取付けることにより、絶
縁支柱の沿面絶縁距離を長くすることができると共に、
更に上、中、下に分散配置することにより汚損、高湿度
状態におけるフラッシュオーバ電圧を増加することがで
きる。As described above, by attaching the shade, the creepage insulation distance of the insulating pillar can be increased, and
Further, the flashover voltage in a fouling and high humidity state can be increased by dispersing and disposing the upper, middle, and lower portions.
【0020】従って、請求項1に記載の発明によれば、
サイリスタバルブの高さを低くすることができると共
に、絶縁の信頼性を向上させることができる。サイリス
タバルブの高さ低減は、耐震性能を向上させ、バルブホ
ールの天井高さを低くできるなどの経済的な効果と共に
保守点検が容易になる等の利点もある。Therefore, according to the first aspect of the present invention,
The height of the thyristor valve can be reduced, and the reliability of insulation can be improved. Reducing the height of the thyristor valve has the advantages of improving seismic performance, reducing the ceiling height of the valve hole, and simplifying maintenance and inspection as well as economic effects.
【0021】図4は、請求項2に記載の発明の一実施例
を示すサイリスタバルブの一部の構成図である。図4は
前述した実施例と同じ構成であるが、上部ひだ4aの取
付け位置をサイリスタモジユール9aの下面より下と
し、下部ひだ4cの取付け位置をサイリスタモジュール
9bの上面より上としている。FIG. 4 is a partial structural view of a thyristor valve according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 shows the same configuration as in the above-described embodiment, except that the mounting position of the upper fold 4a is below the lower surface of the thyristor module 9a, and the mounting position of the lower fold 4c is above the upper surface of the thyristor module 9b.
【0022】本実施例では、笠の先端とサイリスタモジ
ュ―ルとの空間距離を大きくすることができるため笠の
先端及びサイリスタモジュ―ル端部の電界を緩和するこ
とができ、部分放電の発生を防止することができる。In this embodiment, since the spatial distance between the tip of the shade and the thyristor module can be increased, the electric field at the tip of the shade and the end of the thyristor module can be reduced, and partial discharge occurs. Can be prevented.
【0023】本実施例によれば請求項1の効果の他に、
電界集中がおこりにくく、部分放電の発生しにくい空気
絶縁式サイリスタバルブを得ることができる。次に、請
求項3に記載の発明について説明する。According to this embodiment, in addition to the effect of the first aspect,
It is possible to obtain an air-insulated thyristor valve in which electric field concentration hardly occurs and partial discharge hardly occurs. Next, the invention according to claim 3 will be described.
【0024】絶縁支柱は材料節減の点から一般に中空の
絶縁物で構成する。請求項1に記載の本発明では絶縁支
柱の表面に笠を付けて沿面絶縁特性を向上させている
が、中空な絶縁支柱の内面は特別な絶縁強化策を行って
いない。絶縁物の沿面絶縁は汚損していなければ、例え
湿度が増加してもフラッシュオーバ電圧は低下しないよ
う、図1に示したフランジ1とビーム14との締結部に
て絶縁支柱2の開口部を密閉擦れば良い。The insulating pillar is generally made of a hollow insulator in terms of material saving. According to the first aspect of the present invention, a creepage is provided on the surface of the insulating pillar to improve the creepage insulation properties, but no special insulation strengthening measures are taken on the inner surface of the hollow insulating pillar. If the creepage insulation of the insulator is not contaminated, the opening of the insulating column 2 is fastened at the joint between the flange 1 and the beam 14 shown in FIG. 1 so that the flashover voltage does not decrease even if the humidity increases. You can rub it tightly.
【0025】この実施例によれば、絶縁支柱の内面から
汚損し、絶縁支柱2の内面でフラッシュオーバが発生す
るという不具合を防止できる。よって、本実施例によれ
ば汚損状態でも絶縁信頼性の高いサイリスタバルブを得
ることができる。According to this embodiment, it is possible to prevent a problem that the inner surface of the insulating support 2 is soiled and a flashover occurs on the inner surface of the insulating support 2. Therefore, according to the present embodiment, a thyristor valve having high insulation reliability even in a dirty state can be obtained.
【0026】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に記載の
発明によれば、絶縁支柱の沿面絶縁距離を増加でき、フ
ラッシュオーバ電圧を増加することができるため、絶縁
支柱の長さを短くし、もってサイリスタバルブの高さを
低減することができる。更に、サイリスタバルブの高さ
が低くなるため、耐震上強度が飛躍的に向上すると共
に、サイリスタモジュール交換等の保守探検も容易に出
来ることになり、信頼性向上につながる。As described above, according to the first aspect of the present invention, it is possible to increase the creeping insulation distance of the insulating support and to increase the flashover voltage. Thus, the height of the thyristor valve can be reduced. Further, since the height of the thyristor valve is reduced, the seismic strength is greatly improved, and maintenance exploration such as thyristor module replacement can be easily performed, which leads to improvement in reliability.
【0027】又、請求項2に記載の発明によれば、請求
項1記載の発明の効果に加え、笠の先端とサイリスタモ
ジュ―ルとの空間距離を大きくすることができるため笠
の先端及びサイリスタモジュ―ル端部の電界を緩和する
ことができ、部分放電の発生を防止することができる。According to the second aspect of the present invention, in addition to the effect of the first aspect, the spatial distance between the tip of the cap and the thyristor module can be increased. The electric field at the end of the thyristor module can be reduced, and the occurrence of partial discharge can be prevented.
【0028】更に、請求項3に記載の発明によれば、請
求項1記載の発明の効果に加え、絶縁支柱の内面から汚
損し、絶縁支柱2の内面でフラッシュオーバが発生する
という不具合を防止できるため、汚損状態でも絶縁信頼
性の高いサイリスタバルブを得ることができる。Further, according to the third aspect of the present invention, in addition to the effect of the first aspect of the present invention, it is possible to prevent a problem that the inner surface of the insulating column is soiled and a flashover occurs on the inner surface of the insulating column 2. Therefore, a thyristor valve with high insulation reliability can be obtained even in a dirty state.
【図1】請求項1に記載の発明の一実施例を示すサイリ
スタバルブの構成図。FIG. 1 is a configuration diagram of a thyristor valve according to an embodiment of the present invention.
【図2】サイリスタバルブを構成する絶縁支柱のモデル
図。FIG. 2 is a model diagram of an insulating support column constituting the thyristor valve.
【図3】[図2]の絶縁支柱の湿度対放電電圧の特性
図。FIG. 3 is a characteristic diagram of humidity versus discharge voltage of the insulating support column of FIG.
【図4】請求項2に記載の発明の一実施例を示すサイリ
スタバルブの一部構成図。FIG. 4 is a partial configuration diagram of a thyristor valve showing one embodiment of the invention described in claim 2;
【図5】交直変換所の結線を示す回路図。FIG. 5 is a circuit diagram showing connection of an AC / DC conversion station.
【図6】従来のサイリスタバルブの構成図。FIG. 6 is a configuration diagram of a conventional thyristor valve.
1 ……フランジ 2 ……絶縁
支柱 3 ……絶縁支持台 4a ……上部
笠 4b ……中央部笠 4c ……下部
笠 6 ……交流母線 7a ……変換
器用変圧器 8b ……低圧側変圧器 13 ……モジ
ュール 14 ……ビームDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Flange 2 ... Insulating pillar 3 ... Insulating support stand 4a ... Upper cap 4b ... Central cap 4c ... Lower cap 6 ... AC bus 7a ... Transformer for converter 8b ... Low-voltage transformer 13 ... Module 14 ... Beam
Claims (3)
くとも2本垂直に配置し、金属製のビームを少なくとも
2本前記絶縁支柱の上部及び下部に水平に取付けてフレ
ームを構成し、複数個の半導体素子とその付属部品を収
納したモジュールを前記絶縁支柱の間に所定の間隔を置
いて数段積重ねて構成した空気絶縁式のサイリスタバル
ブにおいて、最上段の前記モジュールと前記上部金属製
のビーム間、最下段の前記モジュールと前記下部金属製
のビーム間、及び前記モジュール間の前記絶縁支柱の上
部、中間部、下部の3カ所に、各々少なくとも1枚の笠
を取付けたことを特徴としたサイリスタバルブ。At least two insulating posts made of an organic insulating material are vertically arranged, and at least two metal beams are horizontally mounted on upper and lower portions of the insulating posts to form a frame, and a plurality of semiconductors are provided. In an air-insulated thyristor valve configured by stacking several modules containing elements and their attached parts at predetermined intervals between the insulating columns, between the uppermost module and the upper metal beam, A thyristor valve, wherein at least one shade is attached to each of three places between the lowermost module and the lower metal beam and at the upper, middle and lower portions of the insulating support between the modules. .
は、その上側のモジュールの下面より下に、該絶縁支柱
の下部に取付ける笠は、その下側のモジュールの上面よ
り上に配置したことを特徴とする請求項1に記載のサイ
リスタバルブ。2. The shade mounted on the upper part of the insulating support post is arranged below the lower surface of the module on the upper side thereof, and the shade mounted on the lower part of the insulating support pillar is arranged above the upper surface of the module on the lower side thereof. The thyristor valve according to claim 1, wherein
り、前記上部及び下部の金属製のビームとの締結部にて
前記中空絶縁支柱の開口部を密閉することを特徴とする
請求項1記載のサイリスタバルブ。Wherein the insulating support rod der of the insulating struts hollow structure
Ri, characterized by sealing the opening portion of the hollow insulating support rod at the upper and the fastening portion of the lower metallic beam
The thyristor valve according to claim 1 .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6129385A JP3032115B2 (en) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | Thyristor valve |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6129385A JP3032115B2 (en) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | Thyristor valve |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335827A JPH07335827A (en) | 1995-12-22 |
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ID=15008276
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| JP6129385A Expired - Fee Related JP3032115B2 (en) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | Thyristor valve |
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| Country | Link |
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN107078113B (en) * | 2014-05-14 | 2018-06-19 | Abb瑞士股份有限公司 | grounding system |
-
1994
- 1994-06-13 JP JP6129385A patent/JP3032115B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH07335827A (en) | 1995-12-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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