JP3034383B2 - 顕微全反射減衰測定光学系 - Google Patents
顕微全反射減衰測定光学系Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、顕微全反射減衰測定光
学系に関し、特に、微小な試料の測定位置を明瞭に視差
なく観察して位置決めできる顕微全反射減衰測定光学系
に関する。
学系に関し、特に、微小な試料の測定位置を明瞭に視差
なく観察して位置決めできる顕微全反射減衰測定光学系
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、試料に屈折率の大きい半球プリズ
ム、三角プリズム、多重反射平行平面板等の全反射面を
密着させ、全反射光が試料の界面付近の不均一性により
敏感に減衰を受けることを利用して、透過法では測定が
困難な高分子膜、塗膜、紙等の表面の分光測定等を行う
全反射減衰測定法（以下、ＡＴＲ測定と言う。）が知ら
れている。
ム、三角プリズム、多重反射平行平面板等の全反射面を
密着させ、全反射光が試料の界面付近の不均一性により
敏感に減衰を受けることを利用して、透過法では測定が
困難な高分子膜、塗膜、紙等の表面の分光測定等を行う
全反射減衰測定法（以下、ＡＴＲ測定と言う。）が知ら
れている。
【０００３】微小な試料のＡＴＲ測定を行う場合、測定
は通常赤外光により行う。その際、実際に測定を行う試
料の位置を可視光による試料観察によって正確に決定を
しないればならない。そのためには、従来、例えば米国
特許第５０９３５８０号に記載されているように、レン
ズ状のＡＴＲ結晶を試料から離して、補助レンズと対物
レンズを通して試料を観察し、ＡＴＲ結晶に対する試料
位置を決め、次に、ＡＴＲ結晶を試料に密着し、その
後、ＡＴＲ測定の入射角と反射角位置で可視照明光を入
射させ、測定試料面を観察する。
は通常赤外光により行う。その際、実際に測定を行う試
料の位置を可視光による試料観察によって正確に決定を
しないればならない。そのためには、従来、例えば米国
特許第５０９３５８０号に記載されているように、レン
ズ状のＡＴＲ結晶を試料から離して、補助レンズと対物
レンズを通して試料を観察し、ＡＴＲ結晶に対する試料
位置を決め、次に、ＡＴＲ結晶を試料に密着し、その
後、ＡＴＲ測定の入射角と反射角位置で可視照明光を入
射させ、測定試料面を観察する。
【０００４】また、試料に密着して全反射を行わせるＡ
ＴＲ結晶として、図４に示すような特殊形状のプリズム
Ｐを用い、試料Ｓに密着する面ＡにスケールＢを配置
し、プリズムＰの測定照明光入射面Ｃとは別の面Ｄを通
してスケールＢが重畳した試料Ｓを観察しながら、スケ
ールＢの目盛りによって測定位置を確認するものが知ら
れている。
ＴＲ結晶として、図４に示すような特殊形状のプリズム
Ｐを用い、試料Ｓに密着する面ＡにスケールＢを配置
し、プリズムＰの測定照明光入射面Ｃとは別の面Ｄを通
してスケールＢが重畳した試料Ｓを観察しながら、スケ
ールＢの目盛りによって測定位置を確認するものが知ら
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来、半球
プリズムのようなＡＴＲ結晶として、赤外域で透明で高
屈折率のシリコン、ゲルマニウム、セレン化亜鉛等が用
いられている。しかしながら、シリコン、ゲルマニウム
は可視域で不透明なため、可視光による試料観察が不可
能であるので、可視光観察による測定位置の確認ができ
ない。これに対して、セレン化亜鉛は可視域で透明なた
め、可視光による試料観察により測定位置を特定できる
が、可視域での屈折率変動が大きすぎ、可視光による試
料観察の際に大きく色収差が発生し、試料の測定位置を
明瞭に観察することが困難である。
プリズムのようなＡＴＲ結晶として、赤外域で透明で高
屈折率のシリコン、ゲルマニウム、セレン化亜鉛等が用
いられている。しかしながら、シリコン、ゲルマニウム
は可視域で不透明なため、可視光による試料観察が不可
能であるので、可視光観察による測定位置の確認ができ
ない。これに対して、セレン化亜鉛は可視域で透明なた
め、可視光による試料観察により測定位置を特定できる
が、可視域での屈折率変動が大きすぎ、可視光による試
料観察の際に大きく色収差が発生し、試料の測定位置を
明瞭に観察することが困難である。
【０００６】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、ＡＴＲ結晶として半球プリズ
ムを用いる微小試料の顕微ＡＴＲ測定において、半球プ
リズムの構成を特定することにより、試料の測定位置を
明瞭に視差なく観察して位置決め可能にすることであ
る。
ものであり、その目的は、ＡＴＲ結晶として半球プリズ
ムを用いる微小試料の顕微ＡＴＲ測定において、半球プ
リズムの構成を特定することにより、試料の測定位置を
明瞭に視差なく観察して位置決め可能にすることであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の顕微全反射減衰測定光学系は、半球プリズムの平面
を試料表面に密着して、その平面での全反射光の減衰に
より微小試料の全反射減衰特性を測定する顕微全反射減
衰測定用の光学系において、半球プリズムの球面を通し
てその平面に密着した試料表面を拡大投影する対物レン
ズが配置され、半球プリズムの半径が２〜１０ｍｍの範
囲にあり、半球プリズムを構成する材料の波長４００ｎ
ｍから８００ｎｍの屈折率をｎ′とし、その中心値をｎ
0 ′とするとき、 ０．９５≦ｎ′／ｎ0 ′≦１．０５ ・・・（１） を満たし、波長２．５μｍから１０μｍの屈折率をｎと
し、その中心値をｎ0 とするとき、 ０．９８≦ｎ／ｎ0 ≦１．０２ ・・・（２） を満たし、かつ、 ｜（ｎ0 ′−ｎ0 ）／（ｎ0 ′＋ｎ0 ）｜≦０．０５ ・・・（３） を満足することを特徴とするものである。
明の顕微全反射減衰測定光学系は、半球プリズムの平面
を試料表面に密着して、その平面での全反射光の減衰に
より微小試料の全反射減衰特性を測定する顕微全反射減
衰測定用の光学系において、半球プリズムの球面を通し
てその平面に密着した試料表面を拡大投影する対物レン
ズが配置され、半球プリズムの半径が２〜１０ｍｍの範
囲にあり、半球プリズムを構成する材料の波長４００ｎ
ｍから８００ｎｍの屈折率をｎ′とし、その中心値をｎ
0 ′とするとき、 ０．９５≦ｎ′／ｎ0 ′≦１．０５ ・・・（１） を満たし、波長２．５μｍから１０μｍの屈折率をｎと
し、その中心値をｎ0 とするとき、 ０．９８≦ｎ／ｎ0 ≦１．０２ ・・・（２） を満たし、かつ、 ｜（ｎ0 ′−ｎ0 ）／（ｎ0 ′＋ｎ0 ）｜≦０．０５ ・・・（３） を満足することを特徴とするものである。
【０００８】この場合、前記条件（１）〜（３）を満足
する材料として、例えば、硫化亜鉛があげられる。
する材料として、例えば、硫化亜鉛があげられる。
【０００９】
【作用】本発明においては、半球プリズムを構成する材
料が条件（１）〜（３）を満足するので、試料表面の可
視域での観察像に色収差があまり発生せず、試料を明瞭
に観察することができ、また、赤外測定域での色収差が
小さく、正確な全反射減衰特性が測定でき、さらに、可
視域で特定した試料の測定位置が実際の赤外域での測定
位置と一致することになり、正確に位置を特定して測定
することが可能になる。
料が条件（１）〜（３）を満足するので、試料表面の可
視域での観察像に色収差があまり発生せず、試料を明瞭
に観察することができ、また、赤外測定域での色収差が
小さく、正確な全反射減衰特性が測定でき、さらに、可
視域で特定した試料の測定位置が実際の赤外域での測定
位置と一致することになり、正確に位置を特定して測定
することが可能になる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明のＡＴＲ測定光学系の実施例に
ついて説明する。図１は、本発明に基づくＡＴＲ測定光
学系の１実施例の光路図であり、ＡＴＲ結晶として可視
域、赤外域両方で透明な高屈折率材料からなる半球プリ
ズム１を用い、これを試料Ｓに密着した状態で固定し
て、同じ対物レンズ２で拡大して可視域で観察し、赤外
域で測定を行うものである。すなわち、顕微鏡光学系の
光軸ａに対して試料Ｓを斜めに配置し、この試料Ｓの面
に半球プリズム１を押しつける。そして、半球プリズム
１を経て出てくる試料Ｓからの光は、この場合、カセグ
レン対物レンズ２を経てマスク３位置に結像し、マスク
３で測定位置が限定され、ハーフミラー又は切り換えミ
ラー４により２つの光路に分けられ、可視域の観察光は
接眼鏡６で拡大され、試料Ｓの測定位置が観察される。
また、赤外域の測定光は光検知器５により光電変換さ
れ、フーリエ分光のときはフーリエ変換されて、分光分
析が行われる。
ついて説明する。図１は、本発明に基づくＡＴＲ測定光
学系の１実施例の光路図であり、ＡＴＲ結晶として可視
域、赤外域両方で透明な高屈折率材料からなる半球プリ
ズム１を用い、これを試料Ｓに密着した状態で固定し
て、同じ対物レンズ２で拡大して可視域で観察し、赤外
域で測定を行うものである。すなわち、顕微鏡光学系の
光軸ａに対して試料Ｓを斜めに配置し、この試料Ｓの面
に半球プリズム１を押しつける。そして、半球プリズム
１を経て出てくる試料Ｓからの光は、この場合、カセグ
レン対物レンズ２を経てマスク３位置に結像し、マスク
３で測定位置が限定され、ハーフミラー又は切り換えミ
ラー４により２つの光路に分けられ、可視域の観察光は
接眼鏡６で拡大され、試料Ｓの測定位置が観察される。
また、赤外域の測定光は光検知器５により光電変換さ
れ、フーリエ分光のときはフーリエ変換されて、分光分
析が行われる。
【００１１】さて、本発明において、ＡＴＲ測定の原理
から、対物レンズ２に入射する測定光として、半球プリ
ズム１の臨界角θc （半球プリズム１の屈折率をｎ1 、
試料Ｓの屈折率をｎ2 とするとき、ｓｉｎθc ＝ｎ2 ／
ｎ1 となる。）より大きい角度β（図２参照。図２のＮ
は試料Ｓ面の法線を表す。）で試料Ｓ表面から出る光を
用いるようにし、また、対物レンズ２に入射する観測光
として、臨界角θc より小さい角度α（図２）で試料Ｓ
表面から出る光を用いるようにする。そのためには、図
１に示すように、測定光（二重矢符）は顕微鏡光学系の
光軸ａの一方の側（図の場合、左側）のみをたどって対
物レンズ２に入射し、観察光（一重矢符）は光軸ａの反
対側（図の場合、右側）の光路のみをたどって対物レン
ズ２に入射するようする。そして、このような角度関係
を満たし、かつ、正反射条件を満たすように、測定用照
明光８及び観察用照明光７の試料Ｓに対する入射方向を
設定すると共に、試料Ｓの光軸ａに対する傾きを設定す
る。
から、対物レンズ２に入射する測定光として、半球プリ
ズム１の臨界角θc （半球プリズム１の屈折率をｎ1 、
試料Ｓの屈折率をｎ2 とするとき、ｓｉｎθc ＝ｎ2 ／
ｎ1 となる。）より大きい角度β（図２参照。図２のＮ
は試料Ｓ面の法線を表す。）で試料Ｓ表面から出る光を
用いるようにし、また、対物レンズ２に入射する観測光
として、臨界角θc より小さい角度α（図２）で試料Ｓ
表面から出る光を用いるようにする。そのためには、図
１に示すように、測定光（二重矢符）は顕微鏡光学系の
光軸ａの一方の側（図の場合、左側）のみをたどって対
物レンズ２に入射し、観察光（一重矢符）は光軸ａの反
対側（図の場合、右側）の光路のみをたどって対物レン
ズ２に入射するようする。そして、このような角度関係
を満たし、かつ、正反射条件を満たすように、測定用照
明光８及び観察用照明光７の試料Ｓに対する入射方向を
設定すると共に、試料Ｓの光軸ａに対する傾きを設定す
る。
【００１２】このようにＡＴＲ測定光学系を配置したの
で、対物レンズ２及びマスク３を通して、接眼鏡６から
観察される試料Ｓの位置と、光検知器５で測定される試
料Ｓの位置との同一性は保証される（視差がない。）。
しかも、測定光のたどる光路は、ＡＴＲ測定の全反射条
件を満足し、一方、観察光のたどる光路は、臨界角より
小さい角度で正反射条件を満たす角度で観察されるの
で、試料表面が明瞭に観察できることになるはずであ
る。
で、対物レンズ２及びマスク３を通して、接眼鏡６から
観察される試料Ｓの位置と、光検知器５で測定される試
料Ｓの位置との同一性は保証される（視差がない。）。
しかも、測定光のたどる光路は、ＡＴＲ測定の全反射条
件を満足し、一方、観察光のたどる光路は、臨界角より
小さい角度で正反射条件を満たす角度で観察されるの
で、試料表面が明瞭に観察できることになるはずであ
る。
【００１３】しかしながら、半球プリズム１として従来
のようにセレン化亜鉛を用いると、可視域での色収差が
大きすぎて、試料Ｓ面を観察しようとしてもこの色収差
のため試料Ｓの測定面が明瞭に観察できない。種々検討
の結果、半球プリズム１を構成する材料として、波長４
００ｎｍから８００ｎｍの屈折率をｎ′とし、その中心
値をｎ0 ′とするとき、 ０．９５≦ｎ′／ｎ0 ′≦１．０５ ・・・（１） を満たすものを用いることが、この色収差による像ぼけ
を避ける点から望ましいことが分かった。この条件
（１）の範囲を越えると、色収差のため試料面が明瞭に
観察できず、どの点を測定するか特定できなくなる。
のようにセレン化亜鉛を用いると、可視域での色収差が
大きすぎて、試料Ｓ面を観察しようとしてもこの色収差
のため試料Ｓの測定面が明瞭に観察できない。種々検討
の結果、半球プリズム１を構成する材料として、波長４
００ｎｍから８００ｎｍの屈折率をｎ′とし、その中心
値をｎ0 ′とするとき、 ０．９５≦ｎ′／ｎ0 ′≦１．０５ ・・・（１） を満たすものを用いることが、この色収差による像ぼけ
を避ける点から望ましいことが分かった。この条件
（１）の範囲を越えると、色収差のため試料面が明瞭に
観察できず、どの点を測定するか特定できなくなる。
【００１４】ところで、可視域での色収差の問題を解決
しても、実際の赤外測定域での色収差があると、正確な
全反射減衰特性を測定することができない。測定波長域
は、通常２．５μｍから１０μｍ程度であり、この範囲
で±２％以上の測定試料位置誤差があると、正しい測定
ができない。したがって、波長２．５μｍから１０μｍ
の屈折率をｎとし、その中心値をｎ0 とするとき、 ０．９８≦ｎ／ｎ0 ≦１．０２ ・・・（２） を満たすことが必要である。
しても、実際の赤外測定域での色収差があると、正確な
全反射減衰特性を測定することができない。測定波長域
は、通常２．５μｍから１０μｍ程度であり、この範囲
で±２％以上の測定試料位置誤差があると、正しい測定
ができない。したがって、波長２．５μｍから１０μｍ
の屈折率をｎとし、その中心値をｎ0 とするとき、 ０．９８≦ｎ／ｎ0 ≦１．０２ ・・・（２） を満たすことが必要である。
【００１５】また、例えば図１に示したような光学系を
用いて可視域で試料Ｓ位置を特定し、その位置が赤外域
測定位置と一致するには、少なくとも可視域での屈折率
と赤外域の屈折率差が１０％以内にある必要があり、し
たがって、 ｜（ｎ0 ′−ｎ0 ）／（ｎ0 ′＋ｎ0 ）｜≦０．０５ ・・・（３） を満足することが必要である。この範囲を越えると、可
視域の観察で微小試料Ｓの測定位置を決めても、赤外光
を用いたＡＴＲ測定位置がその位置に必ずしも一致せ
ず、測定が不正確になってしまう。
用いて可視域で試料Ｓ位置を特定し、その位置が赤外域
測定位置と一致するには、少なくとも可視域での屈折率
と赤外域の屈折率差が１０％以内にある必要があり、し
たがって、 ｜（ｎ0 ′−ｎ0 ）／（ｎ0 ′＋ｎ0 ）｜≦０．０５ ・・・（３） を満足することが必要である。この範囲を越えると、可
視域の観察で微小試料Ｓの測定位置を決めても、赤外光
を用いたＡＴＲ測定位置がその位置に必ずしも一致せ
ず、測定が不正確になってしまう。
【００１６】なお、半球プリズム１の半径に関しては、
２〜１０ｍｍの範囲にあるのが望ましい。２ｍｍより小
さいと、半球プリズム１の取り扱いが困難になり、試料
Ｓに押し付ける操作等が行い難くなる。また、半球プリ
ズム１の半径が１０ｍｍを越えると、吸収が大きくなり
すぎ、また、対物レンズ２の作動距離以上になるため、
顕微ＡＴＲ測定ができなくなる。
２〜１０ｍｍの範囲にあるのが望ましい。２ｍｍより小
さいと、半球プリズム１の取り扱いが困難になり、試料
Ｓに押し付ける操作等が行い難くなる。また、半球プリ
ズム１の半径が１０ｍｍを越えると、吸収が大きくなり
すぎ、また、対物レンズ２の作動距離以上になるため、
顕微ＡＴＲ測定ができなくなる。
【００１７】以上の条件（１）〜（３）を満たす具体的
な材料として、硫化亜鉛があげられる。硫化亜鉛のｎ′
は２．５６０〜２．３２４であり、ｎは２．２５９〜
２．１９８であるので、何れの条件も満足する。
な材料として、硫化亜鉛があげられる。硫化亜鉛のｎ′
は２．５６０〜２．３２４であり、ｎは２．２５９〜
２．１９８であるので、何れの条件も満足する。
【００１８】ところで、図１の光学系において、観察及
び測定の際、他方の光路が開いていると、その光路を経
て入ってくる光がバックグラウンドとなり、観察し難く
なったり、測定精度が低下する。そこで、図３（ａ）に
示すように、観察の際には、開口１０を有する遮光板１
１を対物レンズ２の前に挿入し、開口１０を通って観察
光のみが対物レンズ２に入射するようにし、また、測定
の際は、図３（ｂ）に示すように、遮光板１１の開口１
０が測定光の光路に位置するように移動して、測定光の
みが対物レンズ２に入射するようにするとよい。
び測定の際、他方の光路が開いていると、その光路を経
て入ってくる光がバックグラウンドとなり、観察し難く
なったり、測定精度が低下する。そこで、図３（ａ）に
示すように、観察の際には、開口１０を有する遮光板１
１を対物レンズ２の前に挿入し、開口１０を通って観察
光のみが対物レンズ２に入射するようにし、また、測定
の際は、図３（ｂ）に示すように、遮光板１１の開口１
０が測定光の光路に位置するように移動して、測定光の
みが対物レンズ２に入射するようにするとよい。
【００１９】図１の実施例においては、対物レンズ２と
しはカセグレン対物レンズを用いているが、これに限定
されず、種々の公知の反射対物レンズ、屈折対物レンズ
を用いることができる。なお、条件（１）〜（３）を満
足する硫化亜鉛からなる半球プリズムは、図１の顕微Ａ
ＴＲ測定光学系に限らず、公知の半球プリズムを用いる
ＡＴＲ測定装置に適用できる。
しはカセグレン対物レンズを用いているが、これに限定
されず、種々の公知の反射対物レンズ、屈折対物レンズ
を用いることができる。なお、条件（１）〜（３）を満
足する硫化亜鉛からなる半球プリズムは、図１の顕微Ａ
ＴＲ測定光学系に限らず、公知の半球プリズムを用いる
ＡＴＲ測定装置に適用できる。
【００２０】以上、本発明のＡＴＲ測定光学系を実施例
に基づいて説明してきたが、本発明はこれら実施例に限
定されず種々の変形が可能である。
に基づいて説明してきたが、本発明はこれら実施例に限
定されず種々の変形が可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のＡＴＲ測定光学系によると、半球プリズムを構成する
材料が条件（１）〜（３）を満足するので、試料表面の
可視域での観察像に色収差があまり発生せず、試料を明
瞭に観察することができ、また、赤外測定域での色収差
が小さく、正確な全反射減衰特性が測定でき、さらに、
可視域で特定した試料の測定位置が実際の赤外域での測
定位置と一致することになり、正確に位置を特定して測
定することが可能になる。
のＡＴＲ測定光学系によると、半球プリズムを構成する
材料が条件（１）〜（３）を満足するので、試料表面の
可視域での観察像に色収差があまり発生せず、試料を明
瞭に観察することができ、また、赤外測定域での色収差
が小さく、正確な全反射減衰特性が測定でき、さらに、
可視域で特定した試料の測定位置が実際の赤外域での測
定位置と一致することになり、正確に位置を特定して測
定することが可能になる。
【図１】本発明に基づくＡＴＲ測定光学系の１実施例の
光路図である。
光路図である。
【図２】図１の試料近傍の拡大図である。
【図３】他の実施例の要部を示す光路図である。
【図４】従来例を説明するための図である。
Ｓ…試料 １…半球プリズム ２…対物レンズ ３…マスク ４…ハーフミラー又は切り換えミラー ５…光検知器 ６…接眼鏡 ７…観察用照明光 ８…測定用照明光 １０…開口 １１…遮光板 ａ…光軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部裕允 東京都昭島市武蔵野３丁目１番２号日本 電子株式会社内 (72)発明者 寺嶋 博 東京都昭島市武蔵野３丁目１番２号日本 電子株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−10872（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−116452（ＪＰ，Ａ) 米国特許5093580（ＵＳ，Ａ) Ｍｏｓｅｒ Ｗ Ｒ，”Ａ ｎｅｗ ＦＴ−ＩＲ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｆｏ ｒ ｔｈｅ ｓｉｔｕ ｓｔｕｄｙ ｏ ｆ ｔｈｅ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ ｍａｔｅｒ ｉａｌｓ ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｓ”，Ｍａｔｅｒ Ｓｃｉ Ｒｅｓ, 1985，ＶＯＬ．19，ＰＡＧＥ．315−327 Ｄｅｂｅｎｈａｍ Ｍ，”Ｒｅｆｒａ ｃｔｉｖｅ ｉｎｄｉｃｅｓ ｏｆ ｚ ｉｎｃ ｓｕｌｆｉｄｅ ｉｎ ｔｈｅ ０．405−13 ｍｉｃｒｏ ｍ ｗａ ｖｅｌｅｎｇｔｈ ｒａｎｇｅ”，Ａｐ ｐｌ Ｏｐｔ，1984，ＶＯＬ．23，Ｎ Ｏ．14，ＰＡＧＥ．2238−2239 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 21/00 - 21/01 G01N 21/17 - 21/61 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 半球プリズムの平面を試料表面に密着し
て、その平面での全反射光の減衰により微小試料の全反
射減衰特性を測定する顕微全反射減衰測定用の光学系に
おいて、半球プリズムの球面を通してその平面に密着し
た試料表面を拡大投影する対物レンズが配置され、半球
プリズムの半径が２〜１０ｍｍの範囲にあり、半球プリ
ズムを構成する材料の波長４００ｎｍから８００ｎｍの
屈折率をｎ′とし、その中心値をｎ0 ′とするとき、 ０．９５≦ｎ′／ｎ0 ′≦１．０５ ・・・（１） を満たし、波長２．５μｍから１０μｍの屈折率をｎと
し、その中心値をｎ0 とするとき、 ０．９８≦ｎ／ｎ0 ≦１．０２ ・・・（２） を満たし、かつ、 ｜（ｎ0 ′−ｎ0 ）／（ｎ0 ′＋ｎ0 ）｜≦０．０５ ・・・（３） を満足することを特徴とする顕微全反射減衰測定光学
系。 - 【請求項２】 前記半球プリズムが硫化亜鉛からなる請
求項１記載の顕微全反射減衰測定光学系。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18644992A JP3034383B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 顕微全反射減衰測定光学系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18644992A JP3034383B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 顕微全反射減衰測定光学系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0634527A JPH0634527A (ja) | 1994-02-08 |
| JP3034383B2 true JP3034383B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=16188654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18644992A Expired - Fee Related JP3034383B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 顕微全反射減衰測定光学系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3034383B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5093580A (en) | 1990-03-02 | 1992-03-03 | Spectra-Tech, Inc. | ATR objective and method for sample analyzation using an ATR crystal |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP18644992A patent/JP3034383B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5093580A (en) | 1990-03-02 | 1992-03-03 | Spectra-Tech, Inc. | ATR objective and method for sample analyzation using an ATR crystal |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Ｄｅｂｅｎｈａｍ Ｍ，"Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ ｉｎｄｉｃｅｓ ｏｆ ｚｉｎｃ ｓｕｌｆｉｄｅ ｉｎ ｔｈｅ ０．４０５−１３ ｍｉｃｒｏ ｍ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｒａｎｇｅ"，Ａｐｐｌ Ｏｐｔ，１９８４，ＶＯＬ．２３，ＮＯ．１４，ＰＡＧＥ．２２３８−２２３９ |
| Ｍｏｓｅｒ Ｗ Ｒ，"Ａ ｎｅｗ ＦＴ−ＩＲ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｆｏｒ ｔｈｅ ｓｉｔｕ ｓｔｕｄｙ ｏｆ ｔｈｅ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎｓ"，Ｍａｔｅｒ Ｓｃｉ Ｒｅｓ，１９８５，ＶＯＬ．１９，ＰＡＧＥ．３１５−３２７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0634527A (ja) | 1994-02-08 |
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