JP3039989B2 - 放射線撮像装置 - Google Patents
放射線撮像装置Info
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Description
放射線撮像装置に係り，特に医療用Ｘ線診断装置に好
適な大面積２次元放射線撮像装置に係る。
適な大面積２次元放射線撮像装置に係る。
薄膜フォトダイオードや薄膜トランジスタの技術進歩
に伴い，薄膜撮像素子アレイが実用化されている。従来
主に開発された薄膜撮像素子アレイはファックス用ライ
ンセンサであり，その使用状況は光強度の強い場合に,2
値画像を得ることにあった。また近年薄膜アクティブマ
トリクスを用いた２次元撮像素子が検討されるようにな
ってきた。その部分断面図を第２図に示した。この撮像
素子の動作方法を述べる。放射線，または可視光がフォ
トダイオードに到達する。フォトダイオード内部に侵入
した光は光電変換され，生成された電荷は透明電極と画
素電極に蓄えられる。その後，薄膜トランジスタのゲー
ト電極に印加される信号読みだし信号により画素電極に
蓄積された電荷は絵素電極から読みだし電極へ移動し検
出回路に導かれる。 このような撮像素子の各絵素からの読みだし方法は原
理的に結晶SiによるMOS撮像素子のそれと同じで良い。M
OS撮像素子の場合の信号読みだし回路と動作シークエン
スを第３図（ａ），（ｂ）に示した。第３図（ｂ）に示
した動作シークエンスに現れるスパイク状ノイズはMOS
スイッチオン状態を挾む形で後段の積分回路（第３図
（ａ）には図示していない）で積分することにより除去
できることが知られている。しかし薄膜素子の電気的特
性は結晶のそれと著しく異なるので,MOS撮像素子の場合
の信号読みだし回路と動作シークエンスをTFTアクティ
ブマトリクス利用撮像素子に，ただちには適用出来なか
った。 そのためMOS撮像素子の場合の信号読みだし回路や動
作シークエンスと異なる読みだし方法を検討したり，光
検出素子の検出感度が低くなり,X線増倍感を用いること
により感度低下を補うなどの必要があった。 これら従来技術については、「特開昭62−23162」、
「特開昭62−2933」、「三村他（テレビジョン学会技術
報告,12巻,50号,pp.50〜60;ITEJ Technical Report Vo
l.12,No.50,pp.50〜60,ED′88−70,ID′88−70,ID′88
−106（Nov.1988））」、「大場他（アイイーイーイーE
D−27巻,1980年８月号 1682−1687頁）IEEE trans.,E
D−271682−1687（1980）」などに記載される。
に伴い，薄膜撮像素子アレイが実用化されている。従来
主に開発された薄膜撮像素子アレイはファックス用ライ
ンセンサであり，その使用状況は光強度の強い場合に,2
値画像を得ることにあった。また近年薄膜アクティブマ
トリクスを用いた２次元撮像素子が検討されるようにな
ってきた。その部分断面図を第２図に示した。この撮像
素子の動作方法を述べる。放射線，または可視光がフォ
トダイオードに到達する。フォトダイオード内部に侵入
した光は光電変換され，生成された電荷は透明電極と画
素電極に蓄えられる。その後，薄膜トランジスタのゲー
ト電極に印加される信号読みだし信号により画素電極に
蓄積された電荷は絵素電極から読みだし電極へ移動し検
出回路に導かれる。 このような撮像素子の各絵素からの読みだし方法は原
理的に結晶SiによるMOS撮像素子のそれと同じで良い。M
OS撮像素子の場合の信号読みだし回路と動作シークエン
スを第３図（ａ），（ｂ）に示した。第３図（ｂ）に示
した動作シークエンスに現れるスパイク状ノイズはMOS
スイッチオン状態を挾む形で後段の積分回路（第３図
（ａ）には図示していない）で積分することにより除去
できることが知られている。しかし薄膜素子の電気的特
性は結晶のそれと著しく異なるので,MOS撮像素子の場合
の信号読みだし回路と動作シークエンスをTFTアクティ
ブマトリクス利用撮像素子に，ただちには適用出来なか
った。 そのためMOS撮像素子の場合の信号読みだし回路や動
作シークエンスと異なる読みだし方法を検討したり，光
検出素子の検出感度が低くなり,X線増倍感を用いること
により感度低下を補うなどの必要があった。 これら従来技術については、「特開昭62−23162」、
「特開昭62−2933」、「三村他（テレビジョン学会技術
報告,12巻,50号,pp.50〜60;ITEJ Technical Report Vo
l.12,No.50,pp.50〜60,ED′88−70,ID′88−70,ID′88
−106（Nov.1988））」、「大場他（アイイーイーイーE
D−27巻,1980年８月号 1682−1687頁）IEEE trans.,E
D−271682−1687（1980）」などに記載される。
このような大面積薄膜撮像素子にシンチレータを組み
合わせて大面積放射線撮像素子として動作させることが
原理的に可能である。この方法に依れば，即時に動画像
を検出できたり，素子が全固体化され占有体積が著しく
小さくなり扱いやすい装置を提供できる。しかし，実際
にはこのような検出素子は感度が低く画質が悪いという
問題があり現在まで実用化されていない。そのため現在
では，未だに即時性が無いＸ線フィルムや，大型のＸ線
テレビを用いて放射線画像を検出している。
合わせて大面積放射線撮像素子として動作させることが
原理的に可能である。この方法に依れば，即時に動画像
を検出できたり，素子が全固体化され占有体積が著しく
小さくなり扱いやすい装置を提供できる。しかし，実際
にはこのような検出素子は感度が低く画質が悪いという
問題があり現在まで実用化されていない。そのため現在
では，未だに即時性が無いＸ線フィルムや，大型のＸ線
テレビを用いて放射線画像を検出している。
本発明は上記検出感度が低く画質が悪いという問題点
をTFTアクティブマトリクスからの信号読みだし方法を
最適化することにより解決する。より具体的には，複数
の薄膜光電変換素子と該素子のそれぞれに対応し該素子
の出力をスイッチングする複数の薄膜トランジスタ（TF
T），該TFTを制御するための複数の薄膜制御信号線，該
TFTからの出力信号を検出するための複数の薄膜信号検
出線が積層してなる大面積２次元画像検出部と，該薄膜
制御信号線に電圧パルスを印加するための制御信号発生
部，該薄膜信号検出線からの信号を積分し検出するため
の検出回路からなる放射線撮像装置において，該薄膜制
御信号線に印加する電圧パルス幅を20μｓ〜100μｓと
し，該検出回路において該薄膜制御信号線に印加する該
電圧パルスの印加開始以前に積分を開始し，該薄膜制御
信号線に印加する該電圧パルス印加終了後５μｓ〜100
μｓ後に，積分を終了することにより達成される。
をTFTアクティブマトリクスからの信号読みだし方法を
最適化することにより解決する。より具体的には，複数
の薄膜光電変換素子と該素子のそれぞれに対応し該素子
の出力をスイッチングする複数の薄膜トランジスタ（TF
T），該TFTを制御するための複数の薄膜制御信号線，該
TFTからの出力信号を検出するための複数の薄膜信号検
出線が積層してなる大面積２次元画像検出部と，該薄膜
制御信号線に電圧パルスを印加するための制御信号発生
部，該薄膜信号検出線からの信号を積分し検出するため
の検出回路からなる放射線撮像装置において，該薄膜制
御信号線に印加する電圧パルス幅を20μｓ〜100μｓと
し，該検出回路において該薄膜制御信号線に印加する該
電圧パルスの印加開始以前に積分を開始し，該薄膜制御
信号線に印加する該電圧パルス印加終了後５μｓ〜100
μｓ後に，積分を終了することにより達成される。
該薄膜制御信号線に印加する電圧パルス幅を20μｓ〜
100μｓと長時間に設定することにより薄膜光電変換素
子からの電流信号を効率的に該薄膜制御信号線に導くこ
とが出来信号量が大きくなる。また該薄膜制御信号線に
印加する該電圧パルス印加終了後５μｓ〜100μｓ後
に，該検出回路の積分を終了することにより，該薄膜制
御信号線から該検出回路に効率的に信号を導くことが出
来信号量が大きくなる。従って検出信号のS/Nが向上し
検出画像の画質が向上する。
100μｓと長時間に設定することにより薄膜光電変換素
子からの電流信号を効率的に該薄膜制御信号線に導くこ
とが出来信号量が大きくなる。また該薄膜制御信号線に
印加する該電圧パルス印加終了後５μｓ〜100μｓ後
に，該検出回路の積分を終了することにより，該薄膜制
御信号線から該検出回路に効率的に信号を導くことが出
来信号量が大きくなる。従って検出信号のS/Nが向上し
検出画像の画質が向上する。
本発明を実施例を用いて詳細に説明する。第１図はＸ
線照射とＸ線照射後の画像情報の読みだしのタイミング
を模式的に示したものである。図ではＸ線照射後第１列
のTFT群にゲート信号を与える。このゲート信号は該薄
膜制御信号線を介してTFT群のゲート電圧に電圧パルス
を与える。このパルス幅は20μｓ〜100μｓである。20
μｓより短いと検出される信号は小さくなりS/Nが低下
する。また100μｓより長いとフォトダイオードのリー
ク電流によるオフセットが大きくなりやはりS/Nが低下
する。ゲートパルスをはさんで各行の出力信号をそれぞ
れの薄膜信号線を介して各々個別に用意された積分検出
回路に導き積分する。積分のタイミングは該薄膜制御信
号線に印加する該電圧パルスの印加開始以前に積分を開
始し該薄膜制御信号線に印加する該電圧パルス印加終了
後５μｓ〜100μｓ後に，該検出回路の積分を終了する
ようにする。電圧パルス印加後５μｓより短い時間で積
分を終了すると検出信号が小さくなりS/Nが低下する。
この傾向は絵素数が多くなったり，画面サイズが大きく
なるに従って著しくなる。即ち大面積撮像素子を薄膜回
路を用いて実現する際の本質的な問題であった。電圧パ
ルス印加後100μｓより長い時間で積分を終了するとオ
フセット成分が大きくなりやはりS/Nが低下する。この
傾向は絵素数が多くなり１画像の読みだし時間が長くな
るに従って著しくなる。従って薄膜回路用いた大面積撮
像素子を高空間解像度にする際に基本的な問題であっ
た。本発明によれば最適の信号読みだしのタイミングを
設定したのでこれらの問題が発生しないため，放射線撮
像装置の性能が大幅に向上する。 第４図は本発明の放射線撮像素子の全体構成図であ
る。画面サイズは例えば６インチ角から14インチ角程度
である。絵素サイズは100μｍ角から400μｍ角程度であ
る。絵素数は500×500から4000×4000程度である。垂直
走査回路は薄膜制御信号線に電圧パルスを印加するため
の制御信号発生部として作用する。積分器を含む増幅回
路は各列ごとに並列に接続される。従って増幅回路は50
0〜4000個ある。増幅された信号はマルチプレクサに入
った後AD変換器でデジタル信号に変換される。AD変換器
は例えば８ビットから16ビット程度の精度のものを使用
する。第５図は本発明における１絵素の構造の１実施例
を示した断面図である。絵素は例えばゲート電極，信号
電極，絵素電極からなる逆スタガ型TFT,光電変換素子
（例えばpin非晶質Siフォトダイオード）及びTFTを保護
する絶縁膜，光電変換素子を保護する透明保護膜，螢光
体からなる。 具体的な検出回路及び素子の等価回路を第６図に示し
た。第７図にこの時の実際の検出信号波形を示す。TFT
のゲート電圧を20μｓに設定する。ゲート電圧オン状態
は＋8Vであり，ゲート電圧オフ状態は−5Vである。ゲー
トオン電圧は＋5V以下では信号量が小さくなる。またゲ
ートオン電圧＋10V以上では出力のノイズが増しS/Nが低
下する。従って最適ゲートオン電圧は＋５から＋10Vで
ある。積分回路のゲート電圧はTFTがオンになる５μｓ
前にオン状態（＋5V）からオフ状態（−5V）に切り換え
信号を積分する。その後30μｓオフ状態に積分した後，
オン状態に戻しリセットする。従ってTFTがオフになっ
てから５μｓ後に積分回路のゲート電圧はオフになる。
このとき出力信号はほぼ飽和しているので信号検出が可
能である。この出力波形を積分回路のゲート電圧をオフ
にする直前にサンプルホールドしAD変換器にてデジタル
化する。 第８図は他の１実施例である。本実施例で前述の実施
例と異なる点は積分回路のゲート電圧のタイミングを変
えた点にある。即ちTFTがオフになってから14μｓ後に
積分回路のゲート電圧をオフにした。本実施例では出力
信号は完全に飽和しているので高精度の信号検出が可能
である。 次に本発明の他の実施例を説明する。Ｘ線診断用放射
線診断装置では透視モードと撮影モードを有することが
望ましい。透視モードはリアルタイムで動画像を検出す
るモードである。撮影モードは高濃度高空間分解能の画
像を比較的ゆっくりと撮影するモードである。従って透
視モードの絵素信号の読みだしは完全でなくとも速く，
撮影モードの絵素信号の読みだしは速くなくとも完全に
行う必要がある。この要求に答えるためには上述の実施
例の説明から明らかなように，複数の薄膜光電変換素子
と該素子のそれぞれに対応し該素子の出力をスイッチン
グする複数の薄膜トランジスタ（TFT），該TFTを制御す
るための複数の薄膜制御信号線，該TFTからの出力信号
を検出するための複数の薄膜信号検出線が積層してなる
大面積２次元画像検出部と，該薄膜制御信号線に電圧パ
ルスを印加するための制御信号発生部，該薄膜信号検出
線からの信号を積分し検出するための検出回路からなる
放射線撮像装置において，該薄膜制御信号線に印加する
電圧パルス幅を20μｓ〜100μｓの範囲とし，かつ該検
出回路において該薄膜制御信号に印加する該電圧パルス
の印加開始以前に積分を開始し，該薄膜制御信号線に印
加する該電圧パルス印加終了後５μｓ〜100μｓの範囲
で，積分を終了するとともに，該薄膜制御信号線に印加
する電圧パルス幅，もしくは該薄膜制御信号線に印加す
る該電圧パルス印加終了から検出回路の積分を終了する
までの時間が異なる複数の撮像モードを有することによ
り達成される。具体的には例えば，透視モードとして該
薄膜制御信号線に印加する電圧パルス幅を20μs,該薄膜
制御信号線に印加する該電圧パルス印加終了から検出回
路の積分を終了するまでの時間を５μｓとする。撮影モ
ードとしては該薄膜制御信号線に印加する電圧パルス幅
を30μs,該薄膜制御信号線に印加する該電圧パルス印加
終了から検出回路の積分を終了するまでの時間を20μｓ
とする。このように設定すれば透視モードは１画素の信
号読みだしシークエンスを60μｓ以下で行えるので500
×500の画像を読むために30ms以下で読み取れ，テレビ
レートで動画像を表示できる。また撮影モードは１画素
の信号読みだしに十分時間をかけられるので高精度の信
号検出が可能である。
線照射とＸ線照射後の画像情報の読みだしのタイミング
を模式的に示したものである。図ではＸ線照射後第１列
のTFT群にゲート信号を与える。このゲート信号は該薄
膜制御信号線を介してTFT群のゲート電圧に電圧パルス
を与える。このパルス幅は20μｓ〜100μｓである。20
μｓより短いと検出される信号は小さくなりS/Nが低下
する。また100μｓより長いとフォトダイオードのリー
ク電流によるオフセットが大きくなりやはりS/Nが低下
する。ゲートパルスをはさんで各行の出力信号をそれぞ
れの薄膜信号線を介して各々個別に用意された積分検出
回路に導き積分する。積分のタイミングは該薄膜制御信
号線に印加する該電圧パルスの印加開始以前に積分を開
始し該薄膜制御信号線に印加する該電圧パルス印加終了
後５μｓ〜100μｓ後に，該検出回路の積分を終了する
ようにする。電圧パルス印加後５μｓより短い時間で積
分を終了すると検出信号が小さくなりS/Nが低下する。
この傾向は絵素数が多くなったり，画面サイズが大きく
なるに従って著しくなる。即ち大面積撮像素子を薄膜回
路を用いて実現する際の本質的な問題であった。電圧パ
ルス印加後100μｓより長い時間で積分を終了するとオ
フセット成分が大きくなりやはりS/Nが低下する。この
傾向は絵素数が多くなり１画像の読みだし時間が長くな
るに従って著しくなる。従って薄膜回路用いた大面積撮
像素子を高空間解像度にする際に基本的な問題であっ
た。本発明によれば最適の信号読みだしのタイミングを
設定したのでこれらの問題が発生しないため，放射線撮
像装置の性能が大幅に向上する。 第４図は本発明の放射線撮像素子の全体構成図であ
る。画面サイズは例えば６インチ角から14インチ角程度
である。絵素サイズは100μｍ角から400μｍ角程度であ
る。絵素数は500×500から4000×4000程度である。垂直
走査回路は薄膜制御信号線に電圧パルスを印加するため
の制御信号発生部として作用する。積分器を含む増幅回
路は各列ごとに並列に接続される。従って増幅回路は50
0〜4000個ある。増幅された信号はマルチプレクサに入
った後AD変換器でデジタル信号に変換される。AD変換器
は例えば８ビットから16ビット程度の精度のものを使用
する。第５図は本発明における１絵素の構造の１実施例
を示した断面図である。絵素は例えばゲート電極，信号
電極，絵素電極からなる逆スタガ型TFT,光電変換素子
（例えばpin非晶質Siフォトダイオード）及びTFTを保護
する絶縁膜，光電変換素子を保護する透明保護膜，螢光
体からなる。 具体的な検出回路及び素子の等価回路を第６図に示し
た。第７図にこの時の実際の検出信号波形を示す。TFT
のゲート電圧を20μｓに設定する。ゲート電圧オン状態
は＋8Vであり，ゲート電圧オフ状態は−5Vである。ゲー
トオン電圧は＋5V以下では信号量が小さくなる。またゲ
ートオン電圧＋10V以上では出力のノイズが増しS/Nが低
下する。従って最適ゲートオン電圧は＋５から＋10Vで
ある。積分回路のゲート電圧はTFTがオンになる５μｓ
前にオン状態（＋5V）からオフ状態（−5V）に切り換え
信号を積分する。その後30μｓオフ状態に積分した後，
オン状態に戻しリセットする。従ってTFTがオフになっ
てから５μｓ後に積分回路のゲート電圧はオフになる。
このとき出力信号はほぼ飽和しているので信号検出が可
能である。この出力波形を積分回路のゲート電圧をオフ
にする直前にサンプルホールドしAD変換器にてデジタル
化する。 第８図は他の１実施例である。本実施例で前述の実施
例と異なる点は積分回路のゲート電圧のタイミングを変
えた点にある。即ちTFTがオフになってから14μｓ後に
積分回路のゲート電圧をオフにした。本実施例では出力
信号は完全に飽和しているので高精度の信号検出が可能
である。 次に本発明の他の実施例を説明する。Ｘ線診断用放射
線診断装置では透視モードと撮影モードを有することが
望ましい。透視モードはリアルタイムで動画像を検出す
るモードである。撮影モードは高濃度高空間分解能の画
像を比較的ゆっくりと撮影するモードである。従って透
視モードの絵素信号の読みだしは完全でなくとも速く，
撮影モードの絵素信号の読みだしは速くなくとも完全に
行う必要がある。この要求に答えるためには上述の実施
例の説明から明らかなように，複数の薄膜光電変換素子
と該素子のそれぞれに対応し該素子の出力をスイッチン
グする複数の薄膜トランジスタ（TFT），該TFTを制御す
るための複数の薄膜制御信号線，該TFTからの出力信号
を検出するための複数の薄膜信号検出線が積層してなる
大面積２次元画像検出部と，該薄膜制御信号線に電圧パ
ルスを印加するための制御信号発生部，該薄膜信号検出
線からの信号を積分し検出するための検出回路からなる
放射線撮像装置において，該薄膜制御信号線に印加する
電圧パルス幅を20μｓ〜100μｓの範囲とし，かつ該検
出回路において該薄膜制御信号に印加する該電圧パルス
の印加開始以前に積分を開始し，該薄膜制御信号線に印
加する該電圧パルス印加終了後５μｓ〜100μｓの範囲
で，積分を終了するとともに，該薄膜制御信号線に印加
する電圧パルス幅，もしくは該薄膜制御信号線に印加す
る該電圧パルス印加終了から検出回路の積分を終了する
までの時間が異なる複数の撮像モードを有することによ
り達成される。具体的には例えば，透視モードとして該
薄膜制御信号線に印加する電圧パルス幅を20μs,該薄膜
制御信号線に印加する該電圧パルス印加終了から検出回
路の積分を終了するまでの時間を５μｓとする。撮影モ
ードとしては該薄膜制御信号線に印加する電圧パルス幅
を30μs,該薄膜制御信号線に印加する該電圧パルス印加
終了から検出回路の積分を終了するまでの時間を20μｓ
とする。このように設定すれば透視モードは１画素の信
号読みだしシークエンスを60μｓ以下で行えるので500
×500の画像を読むために30ms以下で読み取れ，テレビ
レートで動画像を表示できる。また撮影モードは１画素
の信号読みだしに十分時間をかけられるので高精度の信
号検出が可能である。
本発明によれば，薄膜光電変換素子からの電流信号を
効率的に該薄膜制御信号線に導くことが出来信号量が大
きくなる。また該薄膜制御信号線から該検出回路に効率
的に信号を導くことが出来信号量が大きくなる。従って
検出信号のS/Nが向上し検出画像の画質が向上する。
効率的に該薄膜制御信号線に導くことが出来信号量が大
きくなる。また該薄膜制御信号線から該検出回路に効率
的に信号を導くことが出来信号量が大きくなる。従って
検出信号のS/Nが向上し検出画像の画質が向上する。
第１図は本発明の実施例を示すタイムチャートである。
第２図は従来例を示す断面図である。第３図は他の従来
例を示す等価回路図及びタイムチャートである。第４図
は本発明の１実施例の等価回路図である。第５図は本発
明の１実施例の部分断面図である。第６図は本発明の１
実施例を示す等価回路図である。第7,8図は本発明の実
施例を示すタイムチャート及び検出信号を示す図であ
る。
第２図は従来例を示す断面図である。第３図は他の従来
例を示す等価回路図及びタイムチャートである。第４図
は本発明の１実施例の等価回路図である。第５図は本発
明の１実施例の部分断面図である。第６図は本発明の１
実施例を示す等価回路図である。第7,8図は本発明の実
施例を示すタイムチャート及び検出信号を示す図であ
る。
フロントページの続き (72)発明者 松本 信三 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭59−211262（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−192732（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−211263（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−171964（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−146876（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/339 H01L 27/14 - 27/148 H01L 29/762 - 29/768
Claims (7)
- 【請求項１】蛍光体層と，該蛍光体層に光学的に密着し
前記蛍光体層で発生する蛍光を検出する複数の薄膜光電
変換素子と，該各薄膜光電変換素子に対応して配置され
前記薄膜光電変換素子の出力をスイッチングする薄膜ト
ランジスタと，該複数の薄膜トランジスタを制御する複
数の薄膜制御信号線と，前記複数の薄膜トランジスタか
らの出力信号を検出する複数の薄膜信号検出線とを有す
る２次元放射線画像検出部と，前記複数の薄膜制御信号
線に電圧パルスを印加するための制御信号発生部と，前
記複数の薄膜信号検出線からの検出信号を検出する複数
の検出回路とを具備し，前記検出信号の積分を前記電圧
パルスの印加の以前に開始し，前記検出信号の積分を前
記電圧パルスの印加の終了後に終了することを特徴とす
る放射線撮像装置。 - 【請求項２】前記電圧パルスの幅，又は前記電圧パルス
の終了後から前記検出信号の積分を終了するまでの時間
が異なる複数の撮影モードを有することを特徴とする請
求項１に記載の放射線撮像装置。 - 【請求項３】複数の薄膜光電変換素子と，該各薄膜光電
変換素子に対応して配置され前記薄膜光電変換素子の出
力をスイッチングする薄膜トランジスタと，該複数の薄
膜トランジスタを制御する複数の薄膜制御信号線と，前
記複数の薄膜トランジスタからの出力信号を検出する複
数の薄膜信号検出線とを有する２次元放射線画像検出部
と，前記複数の薄膜制御信号線に電圧パルスを印加する
ための制御信号発生部と，前記複数の薄膜信号検出線か
らの検出信号を検出する複数の検出回路とを具備する放
射線像撮像装置において，前記電圧パルスの幅が20μｓ
〜100μｓであり，前記検出信号の積分を前記電圧パル
スの印加の以前に開始し，前記検出信号の積分を前記電
圧パルスの印加の終了後に終了することを特徴とする放
射線撮像装置。 - 【請求項４】前記電圧パルスの幅，又は前記電圧パルス
の終了後から前記検出信号の積分を終了するまでの時間
が異なる複数の撮影モードを有することを特徴とする請
求項３に記載の放射線撮像装置。 - 【請求項５】複数の薄膜光電変換素子と，該各薄膜光電
変換素子に対応して配置され前記薄膜光電変換素子の出
力をスイッチングする薄膜トランジスタと，該複数の薄
膜トランジスタを制御する複数の薄膜制御信号線と，前
記複数の薄膜トランジスタからの出力信号を検出する複
数の薄膜信号検出線とを有する２次元放射線画像検出部
と，前記複数の薄膜制御信号線に電圧パルスを印加する
ための制御信号発生部と，前記複数の薄膜信号検出線か
らの検出信号を検出する複数の検出回路とを具備する放
射線像撮像装置において，前記検出信号の積分を前記電
圧パルスの印加の以前に開始し，前記検出信号の積分を
前記電圧パルスの印加の終了後５μｓ〜100μｓの間に
終了することを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項６】前記電圧パルスの幅，又は前記電圧パルス
の終了後から前記検出信号の積分を終了するまでの時間
が異なる複数の撮影モードを有することを特徴とする請
求項５に記載の放射線撮像装置。 - 【請求項７】前記電圧パルスの波高値がオン状態で＋5V
以上＋10V以下であることを特徴とする請求項1,3,5の何
れかに記載の放射線撮像装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2329201A JP3039989B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 放射線撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329201A JP3039989B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 放射線撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206573A JPH04206573A (ja) | 1992-07-28 |
| JP3039989B2 true JP3039989B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=18218783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2329201A Expired - Lifetime JP3039989B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 放射線撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3039989B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1990
- 1990-11-30 JP JP2329201A patent/JP3039989B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04206573A (ja) | 1992-07-28 |
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