JP3040033B2 - Output circuit device - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、容量性負荷に対して
電流を流入し、放出させることができる出力回路装置に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an output circuit device capable of flowing current into and discharging current from a capacitive load.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のこの種の出力回路装置の構成を図
4に示す。図4において、2は出力端子に接続された容
量性負荷1に電流を供給する電流供給スイッチであるP
型MOSトランジスタ、3は出力端子に接続された容量
性負荷1に蓄積された電荷を流出させる電流放出スイッ
チであるN型MOSトランジスタ、8はP型MOSトラ
ンジスタ2に伝達される信号から一定の遅延時間をもっ
てN型MOSトランジスタ3に信号を伝達するための遅
延手段である。遅延手段8の入力と出力とは同相であ
り、P型MOSトランジスタ2とN型MOSトランジス
タ3とは交互に動作する。また、9はP型MOSトラン
ジスタ2と遅延手段8を駆動する駆動手段で、駆動速度
に対して必要かつ十分な駆動能力をもつものである。2. Description of the Related Art FIG. 4 shows the configuration of a conventional output circuit device of this type. In FIG. 4, reference numeral 2 denotes a current supply switch for supplying a current to the capacitive load 1 connected to the output terminal.
N-type MOS transistor 3 is an N-type MOS transistor which is a current release switch for discharging charges accumulated in a capacitive load 1 connected to an output terminal, and 8 is a predetermined delay from a signal transmitted to P-type MOS transistor 2. This is a delay means for transmitting a signal to the N-type MOS transistor 3 with time. The input and output of the delay means 8 have the same phase, and the P-type MOS transistor 2 and the N-type MOS transistor 3 operate alternately. Reference numeral 9 denotes a driving unit for driving the P-type MOS transistor 2 and the delay unit 8, which has a necessary and sufficient driving capability with respect to the driving speed.
【0003】図5は、図4に示す出力回路装置の具体的
回路例を示す図で、同図において、電流供給スイッチで
あるP型MOSトランジスタ2、電流放出スイッチであ
るN型MOSトランジスタ3に対して、インバータ1
1,12で遅延手段8を構成し、インバータ13,1
4,15,16で駆動手段34を構成してインバータの
段数を重ねることによって駆動能力を増大させている。FIG. 5 is a diagram showing a specific circuit example of the output circuit device shown in FIG. 4. In FIG. 5, a P-type MOS transistor 2 as a current supply switch and an N-type MOS transistor 3 as a current discharge switch are shown. Inverter 1
1, 12 constitute the delay means 8, and the inverters 13, 1
The driving capability is increased by configuring the driving means 34 with 4, 15 and 16 to overlap the number of inverter stages.
【0004】一方、図中a,b,c,dは各回路部分を
示し、aは入力端子、bはP型MOSトランジスタ2の
ゲート、cはN型MOSトランジスタ3のゲート、dは
出力端子を示している。これらの回路部分の電圧波形を
図6の(a)〜(d)に各対応させて示す。以下、図5
および図6を参照しながら動作説明を行う。On the other hand, in the figure, a, b, c, d denote each circuit portion, a is an input terminal, b is a gate of the P-type MOS transistor 2, c is a gate of the N-type MOS transistor 3, and d is an output terminal. Is shown. Voltage waveforms of these circuit portions are shown in FIGS. 6A to 6D in correspondence with each other. Hereinafter, FIG.
The operation will be described with reference to FIG.
【0005】まず、第1の状態として入力端子である回
路部分aがインバータ13に対しローレベルにある状態
を考える。インバータ13,14,15,16の出力電
圧は順にハイレベル、ローレベル、ハイレベル、ローレ
ベルが出力される。従って回路部分bはこのときローレ
ベルが与えられ、P型MOSトランジスタ2は動作状態
にある。First, as a first state, a state in which the circuit portion a as an input terminal is at a low level with respect to the inverter 13 will be considered. The output voltages of the inverters 13, 14, 15, 16 are sequentially output at a high level, a low level, a high level, and a low level. Therefore, the circuit portion b is given a low level at this time, and the P-type MOS transistor 2 is in an operating state.
【0006】一方、ローレベルが与えられたインバータ
11はハイレベルを出力し、これを受けたインバータ1
2はローレベルを出力するため、回路部分cはローレベ
ルであり、これによりN型MOSトランジスタ3は遮断
状態にある。以上から、出力端子に接続された容量性負
荷1はP型MOSトランジスタ2からの電流の供給を受
け、出力端子である回路部分dはハイレベルとなる。On the other hand, the inverter 11 to which a low level is given outputs a high level, and the inverter 1 receiving this outputs a high level.
Since 2 outputs a low level, the circuit portion c is at a low level, whereby the N-type MOS transistor 3 is in a cutoff state. As described above, the capacitive load 1 connected to the output terminal receives the supply of the current from the P-type MOS transistor 2, and the circuit portion d, which is the output terminal, becomes high level.
【0007】次に、第2の状態として入力端子aがイン
バータ13に対してハイレベルにある状態を考える。第
1の状態と同様に考えて、インバータ13,14,1
5,16の出力電圧は順にローレベル、ハイレベル、ロ
ーレベル、ハイレベルとなり、即ち回路部分bはハイレ
ベルであるためP型MOSトランジスタ2は遮断状態と
なる。Next, a state where the input terminal a is at a high level with respect to the inverter 13 is considered as a second state. Considering the same as in the first state, the inverters 13, 14, 1
The output voltages 5 and 16 become low level, high level, low level, and high level, respectively. That is, since the circuit portion b is at high level, the P-type MOS transistor 2 is turned off.
【0008】一方、ハイレベル入力を受けたインバータ
11はローレベルを出力し、インバータ12はハイレベ
ルを出力するため、回路部分cはハイレベルとなり、N
型MOSトランジスタ3は動作状態となる。以上から、
出力端子に接続された容量性負荷はN型MOSトランジ
スタ3によって電荷を放出し、出力端子dはローレベル
となる。On the other hand, the inverter 11 receiving the high level input outputs a low level, and the inverter 12 outputs a high level.
The type MOS transistor 3 is activated. From the above,
The capacitive load connected to the output terminal releases charges by the N-type MOS transistor 3, and the output terminal d becomes low level.
【0009】以上は時間的な変化を含まない静的な状態
を考えてきたが、以下は時間的な変化を含む動的な状態
変化について説明する。まず、第1の状態である入力端
子aがローレベルの状態から、第2の状態である入力端
子aがハイレベルの状態に移る状態変化を考える。入力
端子aがローレベルからハイレベルに変化すると、イン
バータ16の出力端子bまではインバータ13,14,
15,16のサイズや製造方法および電源端子に印加さ
れる電圧によって決まる遅延量をもって伝達される。同
様にして回路部分bから回路部分cまでも遅延量をもっ
て伝達されるため、P型MOSトランジスタ2の導通状
態から遮断状態への移行(回路部分bがローレベルから
ハイレベルになる)が早く起こり、インバータ11,1
2によって行われた遅延の後にN型MOSトランジスタ
3の遮断状態から動作状態への移行(回路部分cがロー
レベルからハイレベルになる)が起こる。[0009] While the above has considered a static state that does not include a temporal change, a dynamic state change that includes a temporal change will be described below. First, consider a state change in which the input terminal a, which is the first state, is at a low level, and the input terminal a, which is a second state, is at a high level. When the input terminal a changes from the low level to the high level, the inverters 13, 14,.
The signal is transmitted with a delay amount determined by the sizes of the devices 15 and 16, the manufacturing method, and the voltage applied to the power supply terminal. Similarly, since the signal is transmitted from the circuit part b to the circuit part c with a delay, the transition from the conductive state to the cut-off state of the P-type MOS transistor 2 (the circuit part b changes from a low level to a high level) occurs quickly. , Inverter 11, 1
After the delay made by step 2, the N-type MOS transistor 3 transitions from the cut-off state to the operating state (the circuit portion c changes from low level to high level).
【0010】したがって、第1の状態であるP型MOS
トランジスタ2が動作状態、N型MOSトランジスタ3
が遮断状態となり、P型MOSトランジスタ2とN型M
OSトランジスタ3の両方が遮断している状態を経て、
P型MOSトランジスタ2が遮断状態、N型MOSトラ
ンジスタ3が動作状態となる第2の状態に移る。したが
って、第1の状態から第2の状態に移る間にP型MOS
トランジスタ2とN型MOSトランジスタ3が同時に導
通することはない。遅延手段8を設けているのは、この
同時導通を防止するためである。Therefore, the P-type MOS in the first state is
Transistor 2 is operating, N-type MOS transistor 3
Is turned off, and the P-type MOS transistor 2 and the N-type M
After a state where both OS transistors 3 are shut off,
The state shifts to a second state in which the P-type MOS transistor 2 is turned off and the N-type MOS transistor 3 is turned on. Therefore, during the transition from the first state to the second state, the P-type MOS
The transistor 2 and the N-type MOS transistor 3 do not conduct simultaneously. The reason why the delay means 8 is provided is to prevent the simultaneous conduction.
【0011】次に、第2の状態である入力端子aがハイ
レベルの状態から、第1の状態である入力端子aがロー
レベルの状態に移る状態変化を考える。入力端子aがハ
イレベルからローレベルに変化すると、インバータ16
の出力回路部分bまでは遅延量をもって伝達される。同
様にして回路部分bから回路部分cまでも遅延量をもっ
て伝達されるため、P型MOSトランジスタ2の遮断状
態から動作状態への移行(回路部分bがハイレベルから
ローレベルになる)が早く起こり、インバータ11,1
2によって行われた遅延の後にN型MOSトランジスタ
6の動作状態から遮断状態への移行(回路部分cがハイ
レベルからローレベルになる)が起こる。Next, consider a state change in which the input terminal a, which is the second state, is at a high level, and the input terminal a, which is a first state, is at a low level. When the input terminal a changes from high level to low level, the inverter 16
Is transmitted with a delay amount to the output circuit portion b. Similarly, since the signal is transmitted from the circuit part b to the circuit part c with a delay amount, the transition from the cutoff state to the operating state of the P-type MOS transistor 2 (the circuit part b goes from high level to low level) occurs quickly. , Inverter 11, 1
After the delay performed by step 2, a transition from the operating state of the N-type MOS transistor 6 to the cutoff state (the circuit portion c changes from high level to low level) occurs.
【0012】したがって、第2の状態であるP型MOS
トランジスタ2の遮断状態、N型MOSトランジスタ3
の動作状態から、P型MOSトランジスタ2とN型MO
Sトランジスタ3の両方が動作している状態を経て、P
型MOSトランジスタ2が動作状態、N型MOSトラン
ジスタ3が遮断状態となる第2の状態に移る。このた
め、図6(d)に示すように、第1の状態から第1の状
態に移る間にP型MOSトランジスタ2とN型MOSト
ランジスタ3が同時に導通する期間が生じることにな
る。Therefore, the P-type MOS in the second state
Transistor 2 cut-off state, N-type MOS transistor 3
From the operation state of P-type MOS transistor 2 and N-type MO
After both S transistors 3 are operating, P
The state shifts to the second state where the type MOS transistor 2 is in the operating state and the N-type MOS transistor 3 is in the cutoff state. Therefore, as shown in FIG. 6D, a period occurs in which the P-type MOS transistor 2 and the N-type MOS transistor 3 are simultaneously turned on during the transition from the first state to the first state.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の構成では、出力がハイレベルからローレベルに移ると
きには、電流供給スイッチであるP型MOSトランジス
タ2と電流放出スイッチであるN型MOSトランジスタ
3の同時導通は対策できるが、出力がローレベルからハ
イレベルに移るときに、P型MOSトランジスタ2とN
型MOSトランジスタ3の同時導通期間が生じるという
問題点があった。As described above, in the conventional configuration, when the output changes from the high level to the low level, the P-type MOS transistor 2 as the current supply switch and the N-type MOS transistor as the current release switch are used. 3 can be dealt with simultaneously, but when the output goes from low to high, the P-type MOS transistors 2 and N
There is a problem that a simultaneous conduction period of the type MOS transistor 3 occurs.
【0014】遅延手段をP型MOSトランジスタ2の側
に付け替えても、今度は出力がハイレベルからローレベ
ルに切り替わる時に同時導通が生じることになる。この
同時導通期間はP型MOSトランジスタ2とN型MOS
トランジスタ3の電流供給能力で決まる電流が電源端子
から接地端子に向かって流れるので、重い容量性負荷1
を駆動しようとしてP型MOSトランジスタ2やN型M
OSトランジスタ3のサイズを大きくすればするほど消
費電流の増加を招くことになる。また、高周波動作をさ
せようとすると、消費電流が動作周波数に伴って増加す
るため、大きな発熱が起きるという問題点もあった。Even if the delay means is replaced by the P-type MOS transistor 2, simultaneous conduction occurs when the output switches from the high level to the low level. The simultaneous conduction period is between the P-type MOS transistor 2 and the N-type MOS transistor.
Since the current determined by the current supply capability of the transistor 3 flows from the power supply terminal to the ground terminal, the heavy capacitive load 1
To drive the P-type MOS transistor 2 or the N-type M
As the size of the OS transistor 3 increases, the current consumption increases. Further, when the high-frequency operation is to be performed, the current consumption increases with the operation frequency, so that there is a problem that a large amount of heat is generated.
【0015】したがって、この発明の目的は、電流供給
スイッチであるP型MOSトランジスタと電流供給スイ
ッチであるN型MOSトランジスタの同時導通期間をな
くすことにより、消費電流の低減と高周波動作を実現で
きる出力回路装置を提供することである。Accordingly, an object of the present invention is to eliminate a simultaneous conduction period of a P-type MOS transistor as a current supply switch and an N-type MOS transistor as a current supply switch, thereby reducing output current and realizing high-frequency operation. It is to provide a circuit device.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】この発明の出力回路装置
は、ハイレベルおよびローレベルの状態を備えた駆動信
号を出力するスイッチ駆動手段と、 このスイッチ駆動手
段から出力される信号を一定時間遅延させた遅延駆動信
号を出力する遅延手段と、 駆動信号が与えられる制御端
子を備え、第1の電源端子に一方の主端子が接続され、
一方および他方の主端子の間を駆動信号がハイレベル時
に遮断させローレベル時に導通させる電流供給オンスイ
ッチと、 駆動信号が与えられる制御端子を備え、第2の
電源端子に一方の主端子が接続され、一方および他方の
主端子の間を駆動信号がハイレベル時に導通させローレ
ベル時に遮断させる電流放出オフスイッチと、 遅延駆動
信号が与えられる制御端子を備え、第1の電源端子に一
方の主端子が直接接続され、一方および他方の主端子の
間を遅延駆動信号がハイレベル時に遮断させローレベル
時に導通させる電流放出オンスイッチと、 遅延駆動信号
が与えられる制御端子を備え、第2の電源端子に一方の
主端子が直接接続され、一方および他方の主端子の間を
遅延駆動信号がハイレベル時に導通させローレベル時に
遮断させる電流供給オフスイッチと、 電流供給オンスイ
ッチの他方の主端子が接続されるとともに電流供給オフ
スイッチの他方の主端子が直接接続された制御端子を備
え、第1の電源端子に一方の主端子が接続され、一方お
よび他方の主端子の間を制御端子に与えられた信号がハ
イレベル時に遮断させローレベル時に導通させる電流供
給スイッチと、 電流放出オンスイッチの他方の主端子が
直接接続されるとともに電流放出オフスイッチの他方の
主端子が接続された制御端子を備え、第2の電源端子に
一方の主端子が接続され、一方および他方の主端子の間
を制御端子に与えられた信号がハイレベル時に導通させ
ローレベル時に遮断させる電流放出スイッチとを備え、
電流供給スイッチおよび電流放出スイッチの他方の主端
子を共通接続して容量性負荷を駆動させたことを特徴と
する。 An output circuit device according to the present invention comprises a driving signal having a high level and a low level.
And a switch driving means for outputting a No. hand switch drive
Delayed drive signal obtained by delaying the signal output from the stage for a fixed time
Delay means for outputting a signal , and a control terminal to which a drive signal is given.
One main terminal is connected to the first power supply terminal,
When the drive signal is high between one and the other main terminals
Current supply switch to shut off
Switch, and a control terminal to which a drive signal is applied.
One main terminal is connected to the power supply terminal, and one and the other
When the drive signal is high between the main terminals,
Current emission off switch that shuts off at the time of bell and delay drive
A control terminal to which a signal is applied;
One main terminal is directly connected, and one and the other main terminal
Between the delay drive signal is high level and cut off
A current discharge on switch to conduct during the delay drive signal
Is provided, and one of the control terminals is provided to the second power supply terminal.
The main terminals are directly connected, and the connection between one and the other main terminals
Conduct when the delay drive signal is high level and when low
Switch off current supply and switch on current supply
Switch is connected and the current supply is turned off.
A control terminal to which the other main terminal of the switch is directly connected is provided.
One main terminal is connected to the first power supply terminal.
Between the other main terminal and the control terminal.
Current supply that shuts off when the
Supply switch and the other main terminal of the current release on switch
Directly connected and the other of the
It has a control terminal to which the main terminal is connected, and a second power supply terminal.
One main terminal is connected between one and the other main terminal
Is turned on when the signal applied to the control terminal is at a high level.
And a current release switch that cuts off at low level,
The other main terminals of the current supply switch and the current discharge switch
And a common load connected to drive the capacitive load.
I do.
【0017】[0017]
【作用】この発明の構成によれば、電流供給オンスイッ
チおよび電流放出オフスイッチをスイッチ駆動手段から
出力される駆動信号で動作させ、電流供給オフスイッチ
および電流放出オンスイッチを遅延手段から出力される
遅延信号で動作させるようにしているので、電流供給ス
イッチと電流放出スイッチとが交互に動作する切り替わ
りの期間に、電流供給スイッチと電流放出スイッチの両
方が遮断状態になる期間をもたせることができ、電流供
給スイッチと電流放出スイッチが同時に導通することが
なくなる。SUMMARY OF] According to the present invention, the current supply ON switch and the current discharge off switch is operated by the driving motion signal that is output from the switch driving means, the output current supply off switch and the current discharge-on switch from the delay means To
Since the operation is performed by using the delay signal, the current supply switch and the current emission switch can be alternately operated, and a period in which both the current supply switch and the current emission switch are in a cutoff state can be provided. The current supply switch and the current release switch do not conduct at the same time.
【0018】[0018]
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。図1は、この発明の実施例である出
力回路装置の構成を示す図で、従来例を示す図4と同符
号は同じものを示す。同図において、P型MOSトラン
ジスタ2は出力端子に接続された容量性負荷1に電流を
供給する電流供給スイッチであり、N型MOSトランジ
スタ3は容量性負荷1に蓄積された電荷を放出させる電
流放出スイッチである。P型MOSトランジスタ4はP
型MOSトランジスタ2をオンにする電流供給オンスイ
ッチで、P型MOSトランジスタ5はN型MOSトラン
ジスタ3をオンにする電流放出オンスイッチである。N
型MOSトランジスタ6はP型MOSトランジスタ2を
オフにする電流供給オフスイッチで、N型MOSトラン
ジスタ7はN型MOSトランジスタ3を遮断する電流放
出オフスイッチである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an output circuit device according to an embodiment of the present invention. The same reference numerals as those in FIG. In FIG. 1, a P-type MOS transistor 2 is a current supply switch for supplying a current to a capacitive load 1 connected to an output terminal, and an N-type MOS transistor 3 is a current supply switch for discharging a charge stored in the capacitive load 1. Release switch. P-type MOS transistor 4 is
The P-type MOS transistor 5 is a current release on-switch for turning on the N-type MOS transistor 3. N
The type MOS transistor 6 is a current supply off switch for turning off the P-type MOS transistor 2, and the N-type MOS transistor 7 is a current release off switch for cutting off the N-type MOS transistor 3.
【0019】電流供給オンスイッチであるP型MOSト
ランジスタ4と電流放出オフスイッチであるN型MOS
トランジスタ7の入力、すなわちゲートが共通に接続さ
れ、両者は後述する第3の駆動手段9から出力されるオ
ン・オフ駆動信号によって駆動される。また、電流放出
オンスイッチであるP型MOSトランジスタ5と電流供
給オフスイッチであるN型MOSトランジスタ6はその
入力、すなわちゲートが共通に接続され、スイッチ駆動
手段9から遅延手段8を介して出力されるオン・オフ駆
動信号によって駆動される。ここで、上記の各スイッチ
とMOSトランジスタの対応関係について説明する。M
OSトランジスタのゲート端子がスイッチの制御端子に
相当し、MOSトランジスタのソース端子がスイッチの
一方の主端子に相当し、MOSトランジスタのドレイン
端子がスイッチの他方の主端子に相当する。また、上記
の説明で電源端子と言っているのが第1の電源端子であ
り、接地端子と言っているのが第2の電源端子である。 A P-type MOS transistor 4 serving as a current supply ON switch and an N-type MOS transistor serving as a current release OFF switch
The inputs of the transistor 7, that is, the gates are connected in common, and both are driven by an on / off drive signal output from a third drive unit 9 described later. The P-type MOS transistor 5 serving as a current release switch and the N-type MOS transistor 6 serving as a current supply off switch have their inputs, that is, gates connected in common, and are output from the switch driving means 9 via the delay means 8. Driven by an on / off drive signal. Where each of the above switches
And the correspondence between the MOS transistors will be described. M
Gate terminal of OS transistor becomes control terminal of switch
Equivalent, the source terminal of the MOS transistor is
One of the main terminals corresponds to the drain of the MOS transistor
The terminal corresponds to the other main terminal of the switch. Also,
Is the first power supply terminal in the description of
The second power terminal is referred to as a ground terminal.
【0020】上記したスイッチ駆動手段9は、電流供給
オンスイッチであるP型MOSトランジスタ4および電
流放出オフスイッチであるN型MOSトランジスタ7と
遅延手段8を介してP型MOSトランジスタ5およびN
型MOSトランジスタ6を駆動するもので、駆動速度に
対して必要かつ十分な駆動能力をもつものである。図1
の具体的回路例としては、図2に示すような構成があ
り、従来例を示す図5と同符号は同じものを示す。従来
例と同様に、インバータ11,12が遅延手段9を構成
し、インバータ13,14,15,16が第3の駆動手
段9を構成してインバータの段数を重ねることによって
駆動能力を増大させている。The switch driving means 9 includes a P-type MOS transistor 4 serving as a current supply ON switch, an N-type MOS transistor 7 serving as a current release OFF switch, and a P-type MOS transistor
It drives the type MOS transistor 6 and has a necessary and sufficient driving capability with respect to the driving speed. FIG.
2 has a configuration as shown in FIG. 2, and the same reference numerals as those in FIG. As in the conventional example, the inverters 11 and 12 constitute the delay means 9, and the inverters 13, 14, 15, and 16 constitute the third drive means 9 to increase the drive capability by increasing the number of inverter stages. I have.
【0021】また、図中A,B,C,D,E,Fは各回
路部分を指し示すもので、Aは入力端子、BはP型MO
Sトランジスタ4のゲートとN型MOSトランジスタ7
のゲート、CはP型MOSトランジスタ5のゲートとN
型MOSトランジスタ6のゲート、DはN型MOSトラ
ンジスタ3のゲート、EはP型MOSトランジスタ21
のゲート、Fは出力端子を示している。これらの回路部
分の電圧波形を図3(A)〜(F)に対応させて示す。In the figure, A, B, C, D, E, and F indicate circuit parts, A is an input terminal, and B is a P-type MO.
Gate of S transistor 4 and N-type MOS transistor 7
, C is the gate of the P-type MOS transistor 5 and N
D is the gate of the N-type MOS transistor 3, D is the gate of the N-type MOS transistor 3, and E is the P-type MOS transistor 21.
And F indicates an output terminal. Voltage waveforms of these circuit portions are shown in correspondence with FIGS.
【0022】以下、図2および図3に基づいて上記実施
例の動作説明を行う。まず、第1の状態として入力端子
Aがインバータ13に対しローレベルにある状態では、
インバータ13,14,15,16の出力は順にハイレ
ベル、ローレベル、ハイレベル、ローレベルが出力され
る。したがって、回路部分Bはローレベルが与えられ、
P型MOSトランジスタ4は動作状態、N型MOSトラ
ンジスタ7は遮断状態になる。The operation of the above embodiment will be described below with reference to FIGS. First, in a state where the input terminal A is at a low level with respect to the inverter 13 as a first state,
The outputs of the inverters 13, 14, 15, 16 are sequentially output at a high level, a low level, a high level, and a low level. Therefore, the circuit portion B is given a low level,
The P-type MOS transistor 4 is in the operating state, and the N-type MOS transistor 7 is in the cutoff state.
【0023】一方、ローレベルが与えられたインバータ
11はハイレベルを出力し、これを受けたインバータ1
2はローレベルを出力するため、回路部分Cはローレベ
ルであり、これによりP型MOSトランジスタ5は動作
状態に、N型MOSトランジスタ6は遮断状態になる。
したがって、回路部分DおよびEはハイレベルとなり、
よってP型MOSトランジスタ2は遮断状態、N型MO
Sトランジスタ3は動作状態になり、出力端子Fに接続
された容量性負荷1はN型MOSトランジスタ3によっ
て蓄積された電荷が放電され、出力端子Fはローレベル
となる。On the other hand, the inverter 11 to which the low level is applied outputs a high level, and the inverter 1 receiving this outputs the high level.
Since 2 outputs a low level, the circuit portion C is at a low level, whereby the P-type MOS transistor 5 is turned on and the N-type MOS transistor 6 is turned off.
Therefore, the circuit parts D and E become high level,
Therefore, the P-type MOS transistor 2 is turned off, and the N-type
The S-transistor 3 enters an operating state, the charge accumulated in the capacitive load 1 connected to the output terminal F by the N-type MOS transistor 3 is discharged, and the output terminal F becomes low level.
【0024】次に、第2の状態として入力電圧である入
力端子Aがインバータ13に対してハイレベルにある状
態では、第1の状態と同様に考えて、インバータ13,
14,15,16の出力は順にローレベル、ハイレベ
ル、ローレベル、ハイレベルとなり、回路部分Bはハイ
レベルであるためP型MOSトランジスタ4は遮断状
態、N型MOSトランジスタ7は動作状態となる。Next, when the input terminal A, which is the input voltage, is at a high level with respect to the inverter 13 as the second state, the inverters 13 and 13 are considered in the same manner as in the first state.
The outputs 14, 15, and 16 become low level, high level, low level, and high level, respectively. Since the circuit portion B is at high level, the P-type MOS transistor 4 is turned off and the N-type MOS transistor 7 is turned on. .
【0025】一方、ハイレベル入力を受けたインバータ
11はローレベルを出力し、インバータ12はハイレベ
ルを出力するため、回路部分Cはハイレベルとなり、P
型MOSトランジスタ5は遮断状態、N型MOSトラン
ジスタ6は動作状態となる。したがって、回路部分D,
Eはローレベルとなるため、P型MOSトランジスタ2
は動作状態に、N型MOSトランジスタ3は遮断状態に
なり、出力端子Fに接続された容量性負荷1はP型MO
Sトランジスタ2によって電荷を供給され、出力端子F
はハイレベルとなる。On the other hand, the inverter 11 receiving the high level input outputs a low level, and the inverter 12 outputs a high level.
The type MOS transistor 5 is turned off, and the N-type MOS transistor 6 is turned on. Therefore, the circuit parts D,
Since E becomes low level, the P-type MOS transistor 2
Is in the operating state, the N-type MOS transistor 3 is in the cut-off state, and the capacitive load 1 connected to the output terminal F is
The charge is supplied by the S transistor 2 and the output terminal F
Becomes high level.
【0026】以上は時間的な変化を含まない静的な状態
を考えてきたが、以下に時間的な変化を含む動的な状態
変化について説明する。まず、第1の状態である入力端
子Aがローレベルの状態から、第2の状態である入力端
子Aがハイレベルの状態に移る状態変化を考える。入力
端子Aがローレベルからハイレベルに変化すると、図3
(B)に示すように、インバータ16の出力回路部分B
までは駆動能力を上げながら、遅延をもって伝達され
る。While the above description has considered a static state that does not include a temporal change, a dynamic state change that includes a temporal change will be described below. First, consider a state change in which the input terminal A, which is the first state, is at a low level, and the input terminal A, which is a second state, is at a high level. When the input terminal A changes from low level to high level, FIG.
As shown in (B), the output circuit portion B of the inverter 16
Are transmitted with a delay while increasing the driving capacity.
【0027】回路部分Bから回路部分Cまでも遅延量を
もって伝達されるため、P型MOSトランジスタ4の動
作状態から遮断状態への移行とN型MOSトランジスタ
7の遮断状態から動作状態への移行が回路部分Bによっ
て先に決定され、インバータ11,12によって行われ
た遅延の後にP型MOSトランジスタ5の動作状態から
遮断状態への移行とN型MOSトランジスタ6の遮断状
態から動作状態への移行が回路部分Cによって決定され
る。このため、図3(D)(E)に示すように、回路部
分Dのハイレベルからローレベルへの移行が早く、回路
部分Eのハイレベルからローレベルへの移行は遅れて起
こることになる。Since the delay is transmitted from the circuit portion B to the circuit portion C with a delay amount, the transition from the operating state of the P-type MOS transistor 4 to the cut-off state and the transition of the N-type MOS transistor 7 from the cut-off state to the operating state are performed. The transition from the operating state of the P-type MOS transistor 5 to the cut-off state and the transition of the N-type MOS transistor 6 from the cut-off state to the operating state after the delay previously determined by the circuit part B and performed by the inverters 11 and 12. It is determined by the circuit part C. Therefore, as shown in FIGS. 3D and 3E, the transition of the circuit portion D from the high level to the low level is early, and the transition of the circuit portion E from the high level to the low level occurs with a delay. .
【0028】したがって、P型MOSトランジスタ2が
遮断状態、N型MOSトランジスタ3が動作状態にある
第1の状態から、P型MOSトランジスタ2とN型MO
Sトランジスタ3の両方が遮断している状態を経て、P
型MOSトランジスタ2が動作状態、N型MOSトラン
ジスタ3が遮断状態である第2の状態に移る。このた
め、第1の状態から第2の状態に移る間にP型MOSト
ランジスタ2とN型MOSトランジスタ3が同時に導通
する事態は生じない。Therefore, from the first state in which the P-type MOS transistor 2 is in the cutoff state and the N-type MOS transistor 3 is in the operating state, the P-type MOS transistor 2 and the N-type
After the state where both S transistors 3 are shut off, P
The state shifts to the second state in which the type MOS transistor 2 is in the operating state and the N-type MOS transistor 3 is in the cutoff state. For this reason, there is no case where the P-type MOS transistor 2 and the N-type MOS transistor 3 are simultaneously turned on during the transition from the first state to the second state.
【0029】次に、第2の状態である入力端子Aがハイ
レベルの状態から、第1の状態である入力端子Aがロー
レベルの状態に移る状態変化を考える。入力端子Aがハ
イレベルからローレベルに変化すると、インバータ16
の出力即回路部分Bまでは遅延量をもって伝達される。
同様にして回路部分Bから回路部分Cまでも遅延量をも
って伝達されるため、P型MOSトランジスタ4の遮断
状態から動作状態への移行およびN型MOSトランジス
タ7の動作状態から遮断状態への移行が回路部分Bによ
って先に起こり、インバータ11,12によって行われ
た遅延の後に、P型MOSトランジスタ5の遮断状態か
ら動作状態への移行およびN型MOSトランジスタ6の
動作状態から遮断状態への移行が回路部分Cによって起
こる。このため、図3(D)(E)に示すように、回路
部分Eのローレベルからハイレベルへの移行が早く、回
路部分Dのローレベルからハイレベルへの移行は遅れて
起こる。Next, consider a state change in which the input terminal A, which is the second state, is at the high level, and the input terminal A, which is the first state, is at the low level. When the input terminal A changes from high level to low level, the inverter 16
Is transmitted with an amount of delay up to the output immediate circuit portion B.
Similarly, since the signal is transmitted from the circuit portion B to the circuit portion C with a delay amount, the transition from the cut-off state of the P-type MOS transistor 4 to the operation state and the transition from the operation state of the N-type MOS transistor 7 to the cut-off state are made. The transition from the cut-off state of the P-type MOS transistor 5 to the operating state and the shift of the N-type MOS transistor 6 from the operating state to the cut-off state occur after the delay caused by the circuit portion B and caused by the inverters 11 and 12. Caused by circuit part C. Therefore, as shown in FIGS. 3D and 3E, the transition of the circuit portion E from the low level to the high level is early, and the transition of the circuit portion D from the low level to the high level occurs with a delay.
【0030】したがって、P型MOSトランジスタ2が
動作状態、N型MOSトランジスタ3が遮断状態となる
第2の状態から、P型MOSトランジスタ2とN型MO
Sトランジスタ3の両方が遮断している状態を経て、P
型MOSトランジスタ2が遮断状態、N型MOSトラン
ジスタ3が動作状態である第2の状態に移る。このた
め、第1の状態から第2の状態に移る間にP型MOSト
ランジスタ2とN型MOSトランジスタ3が同時に遮断
する期間をもつことになる。Therefore, from the second state in which the P-type MOS transistor 2 is in the operating state and the N-type MOS transistor 3 is in the cut-off state, the P-type MOS transistor 2 and the N-type MOS
After the state where both S transistors 3 are shut off, P
The state shifts to the second state in which the type MOS transistor 2 is in the cut-off state and the N-type MOS transistor 3 is in the operating state. Therefore, there is a period during which the P-type MOS transistor 2 and the N-type MOS transistor 3 are simultaneously cut off during the transition from the first state to the second state.
【0031】出力端子電圧がローレベルからハイレベル
に移行するとき、またハイレベルからローレベルに移行
するときに、電流供給スイッチのP型MOSトランジス
タ2と電流放出スイッチのN型MOSトランジスタ3の
両方が一時遮断状態となってから次の状態へと移ること
がわかる。上記したように、この発明の実施例によれ
ば、出力がハイレベルからローレベルに移るとき、また
は出力がローレベルからハイレベルに移るときのどちら
かで、電流供給スイッチと電流放出スイッチの同時導通
期間が生じることを防止することができるので、重い容
量性負荷を駆動しようとして電流供給スイッチや電流放
出スイッチのサイズを大きくしても消費電流が増加する
ことがなく、高周波動作時の発熱量を抑えることができ
る。When the output terminal voltage shifts from a low level to a high level or from a high level to a low level, both the P-type MOS transistor 2 of the current supply switch and the N-type MOS transistor 3 of the current release switch It can be seen that the state changes to the next state after being temporarily shut off. As described above, according to the embodiment of the present invention, the current supply switch and the current discharge switch are simultaneously set when the output changes from the high level to the low level or when the output changes from the low level to the high level. Since the conduction period can be prevented, the current consumption does not increase even if the size of the current supply switch or current release switch is increased in order to drive a heavy capacitive load. Can be suppressed.
【0032】[0032]
【発明の効果】この発明の出力回路装置によれば、電流
供給スイッチと電流放出スイッチとが交互に動作する切
り替わりの期間に、電流供給スイッチと電流放出スイッ
チの両方が遮断状態になる期間をもたせることができ、
電流供給スイッチと電流放出スイッチが同時に導通する
ことがなくなるので、消費電流の低減を図ることができ
る。また、消費電流の低減により、発熱量を抑えること
ができるので、高周波動作を行わせることもできる。ま
た、電流供給スイッチの制御端子と第2の電源端子との
間に接続されているスイッチが電流供給オフスイッチだ
けであり、電流放出スイッチの制御端子と第1の電源端
子との間に接続されているスイッチが電流放出オンスイ
ッチだけであり、電流供給オフスイッチの導通時におけ
る電流供給スイッチの制御端子と第2の電源端子との間
の抵抗成分が小さく、また、電流放出オンスイッチの導
通時における電流放出スイッチの制御端子と第1の電源
端子との間の抵抗成分が小さいので、電流供給スイッチ
および電流放出スイッチを駆動するための大きな駆動電
流が得やすい。したがって、小さいチップサイズでも、
十分な駆動能力が得られる。 According to the output circuit device of the present invention, a period in which both the current supply switch and the current emission switch are in the cutoff state is provided during the switching period in which the current supply switch and the current emission switch are alternately operated. It is possible,
Since the current supply switch and the current discharge switch do not conduct at the same time, current consumption can be reduced. In addition, since the amount of heat generated can be reduced by reducing the current consumption, high-frequency operation can be performed. Ma
In addition, between the control terminal of the current supply switch and the second power supply terminal.
The switch connected between them is the current supply off switch
And the control terminal of the current release switch and the first power supply terminal.
The switch connected between the
Switch only when the current supply off switch is conducting.
Between the control terminal of the current supply switch and the second power supply terminal
The resistance component of the
A control terminal of the current release switch and a first power supply during normal operation
Since the resistance component between the terminals is small, the current supply switch
Large drive current to drive the
Easy to get flow. Therefore, even with a small chip size,
Sufficient driving capability can be obtained.
【図1】この発明の実施例装置の回路構成を示す図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of an embodiment of the present invention.
【図2】実施例における具体的回路構成を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing a specific circuit configuration in the embodiment.
【図3】図2の各部における動作波形を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing operation waveforms at various parts in FIG. 2;
【図4】従来例の回路構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional example.
【図5】従来例の具体的回路構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a specific circuit configuration of a conventional example.
【図6】図5の各部における動作波形を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing operation waveforms at various parts in FIG. 5;
1 容量性負荷 2 P型MOSトランジスタ(電流供給スイッチ) 3 N型MOSトランジスタ(電流放出スイッチ) 4 P型MOSトランジスタ(電流供給オンスイッ
チ) 5 P型MOSトランジスタ(電流放出オンスイッ
チ) 6 N型MOSトランジスタ(電流供給オフスイッ
チ) 7 N型MOSトランジスタ(電流放出オフスイッ
チ) 8 遅延手段 9 スイッチ駆動手段 11〜16 インバータREFERENCE SIGNS LIST 1 capacitive load 2 P-type MOS transistor (current supply switch) 3 N-type MOS transistor (current release switch) 4 P-type MOS transistor (current supply on switch) 5 P-type MOS transistor (current release on switch) 6 N-type MOS Transistor (current supply off switch) 7 N-type MOS transistor (current emission off switch) 8 Delay means 9 Switch driving means 11-16 Inverter
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03K 17/00 - 17/693 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H03K 17/00-17/693
Claims (1)
えた駆動信号を出力するスイッチ駆動手段と、 このスイッチ駆動手段から出力される信号を一定時間遅
延させた遅延駆動信号を出力する遅延手段と、 前記駆動信号が与えられる制御端子を備え、第1の電源
端子に一方の主端子が接続され、一方および他方の主端
子の間を前記駆動信号がハイレベル時に遮断させローレ
ベル時に導通させる電流供給オンスイッチと、 前記駆動信号が与えられる制御端子を備え、第2の電源
端子に一方の主端子が接続され、一方および他方の主端
子の間を前記駆動信号がハイレベル時に導通させローレ
ベル時に遮断させる電流放出オフスイッチと、 前記遅延駆動信号が与えられる制御端子を備え、前記第
1の電源端子に一方の主端子が直接接続され、一方およ
び他方の主端子の間を前記遅延駆動信号がハイレベル時
に遮断させローレベル時に導通させる電流放出オンスイ
ッチと、 前記遅延駆動信号が与えられる制御端子を備え、前記第
2の電源端子に一方の主端子が直接接続され、一方およ
び他方の主端子の間を前記遅延駆動信号がハイレベル時
に導通させローレベル時に遮断させる電流供給オフスイ
ッチと、 前記電流供給オンスイッチの他方の主端子が接続される
とともに前記電流供給オフスイッチの他方の主端子が直
接接続された制御端子を備え、前記第1の電源端子に一
方の主端子が接続され、一方および他方の主端子の間を
制御端子に与えられた信号がハイレベル時に遮断させロ
ーレベル時に導通させる電流供給スイッチと、 前記電流放出オンスイッチの他方の主端子が直接接続さ
れるとともに前記電流放出オフスイッチの他方の主端子
が接続された制御端子を備え、前記第2の電源端子に一
方の主端子が接続され、一方および他方の主端子の間を
制御端子に与えられた信号がハイレベル時に導通させロ
ーレベル時に遮断させる電流放出スイッチとを備え、 前記電流供給スイッチおよび電流放出スイッチの他方の
主端子を共通接続して容量性負荷を駆動させた ことを特
徴とする出力回路装置。1. A high level and a low level state are provided.
Switch driving means for outputting the obtained driving signal, and a signal outputted from the switch driving means being delayed for a predetermined time.
A first power supply , comprising: delay means for outputting an extended delay drive signal; and a control terminal to which the drive signal is applied.
One main terminal is connected to the terminal, and one and the other main terminal
When the drive signal is at a high level,
A second power supply , comprising: a current supply on switch for conducting at the time of a bell; and a control terminal to which the drive signal is supplied.
One main terminal is connected to the terminal, and one and the other main terminal
When the drive signal is at a high level, the
A current release off switch that shuts off at the time of a bell, and a control terminal to which the delayed drive signal is supplied,
One main terminal is directly connected to one power supply terminal.
When the delay drive signal is at a high level
Current release switch that shuts off
Switch, and a control terminal to which the delayed drive signal is applied,
One main terminal is directly connected to the power
When the delay drive signal is at a high level
Current supply switch that conducts when
And pitch, the other main terminal of the current supply on switch is connected
With the other main terminal of the current supply off switch
A control terminal connected to the first power supply terminal;
One main terminal is connected, and the connection between one and the other main terminal
When the signal applied to the control terminal is high level,
And the other main terminal of the current release on switch is directly connected.
And the other main terminal of the current emission off switch
Is connected to the second power supply terminal.
One main terminal is connected, and the connection between one and the other main terminal
When the signal applied to the control terminal is high,
A current release switch for interrupting at the time of a low level, and the other of the current supply switch and the current release switch.
An output circuit device wherein a capacitive load is driven by connecting a main terminal in common .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212912A JP3040033B2 (en) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | Output circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212912A JP3040033B2 (en) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | Output circuit device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661819A JPH0661819A (en) | 1994-03-04 |
| JP3040033B2 true JP3040033B2 (en) | 2000-05-08 |
Family
ID=16630343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4212912A Expired - Fee Related JP3040033B2 (en) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | Output circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3040033B2 (en) |
-
1992
- 1992-08-10 JP JP4212912A patent/JP3040033B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0661819A (en) | 1994-03-04 |
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