JP3045966B2 - ポリッシング装置および方法 - Google Patents
ポリッシング装置および方法Info
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等のポ
リッシング対象物を平坦且つ鏡面状に研磨するポリッシ
ング装置および方法に係り、特にポリッシング対象物の
周縁部の研磨量を制御する機構を具備したポリッシング
装置および方法に関する。
リッシング対象物を平坦且つ鏡面状に研磨するポリッシ
ング装置および方法に係り、特にポリッシング対象物の
周縁部の研磨量を制御する機構を具備したポリッシング
装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に線幅が０．５μｍ以下の光リソグラ
フィの場合、許容される焦点深度が浅くなるためステッ
パーの結像面の平坦度を必要とする。そこで、半導体ウ
エハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦
化法の１手段としてポリッシング装置により研磨するこ
とが行われている。
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に線幅が０．５μｍ以下の光リソグラ
フィの場合、許容される焦点深度が浅くなるためステッ
パーの結像面の平坦度を必要とする。そこで、半導体ウ
エハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦
化法の１手段としてポリッシング装置により研磨するこ
とが行われている。
【０００３】従来、この種のポリッシング装置は、ター
ンテーブルとトップリングとを有し、トップリングが一
定の圧力をターンテーブルに与え、ターンテーブルとト
ップリングとの間にポリッシング対象物を介在させて、
砥液を供給しつつ該ポリッシング対象物の表面を平坦且
つ鏡面に研磨している。
ンテーブルとトップリングとを有し、トップリングが一
定の圧力をターンテーブルに与え、ターンテーブルとト
ップリングとの間にポリッシング対象物を介在させて、
砥液を供給しつつ該ポリッシング対象物の表面を平坦且
つ鏡面に研磨している。
【０００４】上述したポリッシング装置において、トッ
プリングの半導体ウエハ保持面に弾性を有する、例えば
ポリウレタン等の弾性マットを貼り、トップリングから
ポリッシング対象物に印加する押圧力を均一にしようと
する試みがなされている。これは押圧力を均一化するこ
とで半導体ウエハが局部的に研磨されることを緩和し、
ポリッシング対象物の平坦度を向上させることを目的と
している。
プリングの半導体ウエハ保持面に弾性を有する、例えば
ポリウレタン等の弾性マットを貼り、トップリングから
ポリッシング対象物に印加する押圧力を均一にしようと
する試みがなされている。これは押圧力を均一化するこ
とで半導体ウエハが局部的に研磨されることを緩和し、
ポリッシング対象物の平坦度を向上させることを目的と
している。
【０００５】図１４は従来のポリッシング装置の主要部
を示す図である。ポリッシング装置は、上面に研磨布４
２を貼った回転するターンテーブル４１と、回転および
押圧可能にポリッシング対象物である半導体ウエハ４３
を保持するトップリング４５と、研磨布４２に砥液Ｑを
供給する砥液供給ノズル４８を備えている。トップリン
グ４５はトップリングシャフト４９に連結されており、
またトップリング４５はその下面にポリウレタン等の弾
性マット４７を備えており、弾性マットに接触させて半
導体ウエハ４３を保持する。さらにトップリング４５
は、研磨中に半導体ウエハ４３がトップリング４５の下
面から外れないようにするため、円筒状のガイドリング
４６を外周縁部に備えている。ここで、ガイドリング４
６はトップリング４５に対して固定されており、その下
端面はトップリング４５の保持面から突出するように形
成され、ポリッシング対象物である半導体ウエハ４３が
保持面内に保持され、研磨中に研磨布４２との摩擦力に
よってトップリング外へ飛び出さないようになってい
る。
を示す図である。ポリッシング装置は、上面に研磨布４
２を貼った回転するターンテーブル４１と、回転および
押圧可能にポリッシング対象物である半導体ウエハ４３
を保持するトップリング４５と、研磨布４２に砥液Ｑを
供給する砥液供給ノズル４８を備えている。トップリン
グ４５はトップリングシャフト４９に連結されており、
またトップリング４５はその下面にポリウレタン等の弾
性マット４７を備えており、弾性マットに接触させて半
導体ウエハ４３を保持する。さらにトップリング４５
は、研磨中に半導体ウエハ４３がトップリング４５の下
面から外れないようにするため、円筒状のガイドリング
４６を外周縁部に備えている。ここで、ガイドリング４
６はトップリング４５に対して固定されており、その下
端面はトップリング４５の保持面から突出するように形
成され、ポリッシング対象物である半導体ウエハ４３が
保持面内に保持され、研磨中に研磨布４２との摩擦力に
よってトップリング外へ飛び出さないようになってい
る。
【０００６】半導体ウエハ４３をトップリング４５の下
面の弾性マット４７の下部に保持し、ターンテーブル４
１上の研磨布４２に半導体ウエハ４３をトップリング４
５によって押圧するとともに、ターンテーブル４１およ
びトップリング４５を回転させて研磨布４２と半導体ウ
エハ４３を相対運動させて研磨する。このとき、砥液供
給ノズル４８から研磨布４２上に砥液Ｑを供給する。砥
液は、例えばアルカリ溶液に微粒子からなる砥粒を懸濁
したものを用い、アルカリによる化学的研磨作用と、砥
粒による機械的研磨作用との複合作用によって半導体ウ
エハを研磨する。
面の弾性マット４７の下部に保持し、ターンテーブル４
１上の研磨布４２に半導体ウエハ４３をトップリング４
５によって押圧するとともに、ターンテーブル４１およ
びトップリング４５を回転させて研磨布４２と半導体ウ
エハ４３を相対運動させて研磨する。このとき、砥液供
給ノズル４８から研磨布４２上に砥液Ｑを供給する。砥
液は、例えばアルカリ溶液に微粒子からなる砥粒を懸濁
したものを用い、アルカリによる化学的研磨作用と、砥
粒による機械的研磨作用との複合作用によって半導体ウ
エハを研磨する。
【０００７】図１５は研磨時の半導体ウエハと研磨布と
弾性マットの状態を示す拡大断面図である。図１５に示
すように、ポリッシング対象物である半導体ウエハ４３
の周縁は、研磨布４２との接触／非接触の境界であると
同時に、弾性マット４７との接触／非接触との境界にな
っている。このため、これらの境界であるポリッシング
対象物の周縁において、ポリッシング対象物に加わる研
磨圧力が不均一になり、ポリッシング対象物の周縁のみ
が多く研磨され、いわゆる「縁だれ」を起こしてしまう
という問題点があった。
弾性マットの状態を示す拡大断面図である。図１５に示
すように、ポリッシング対象物である半導体ウエハ４３
の周縁は、研磨布４２との接触／非接触の境界であると
同時に、弾性マット４７との接触／非接触との境界にな
っている。このため、これらの境界であるポリッシング
対象物の周縁において、ポリッシング対象物に加わる研
磨圧力が不均一になり、ポリッシング対象物の周縁のみ
が多く研磨され、いわゆる「縁だれ」を起こしてしまう
という問題点があった。
【０００８】図１６は半導体ウエハ上に酸化膜（ＳｉＯ
2 ）等の被膜が形成された６インチ半導体ウエハについ
て有限要素法（finite element method ）で求めた半径
方向位置と研磨圧力との関係及び半径方向位置と膜厚と
の関係を示すグラフである。図中、白丸は有限要素法で
求めた研磨圧力（gf／ｃｍ2）の計算値を示し、黒丸は
研磨後の膜厚（オングストローム）の測定値を示す。計
算で求められた研磨圧力は半導体ウエハの周縁部（７０
〜７４mm）で不均一であり、これに応じて膜厚は半導体
ウエハの周縁部（７０〜７３．５mm）で不均一になって
いる。そして、膜厚の実測値から明らかなように半導体
ウエハの周縁部が過研磨になって縁だれが生じているの
がわかる。
2 ）等の被膜が形成された６インチ半導体ウエハについ
て有限要素法（finite element method ）で求めた半径
方向位置と研磨圧力との関係及び半径方向位置と膜厚と
の関係を示すグラフである。図中、白丸は有限要素法で
求めた研磨圧力（gf／ｃｍ2）の計算値を示し、黒丸は
研磨後の膜厚（オングストローム）の測定値を示す。計
算で求められた研磨圧力は半導体ウエハの周縁部（７０
〜７４mm）で不均一であり、これに応じて膜厚は半導体
ウエハの周縁部（７０〜７３．５mm）で不均一になって
いる。そして、膜厚の実測値から明らかなように半導体
ウエハの周縁部が過研磨になって縁だれが生じているの
がわかる。
【０００９】従来、上述した半導体ウエハの縁だれを防
止するため、ガイドリングをリング状の重りによって構
成し、ガイドリングをトップリングに対して上下動可能
とし、ガイドリングの重量によって研磨布を押圧する構
造を採用したものがある（例えば、特開昭５５−１５７
４７３号）。また、トップリングとガイドリングとの間
にバネを介装し、バネ力によってガイドリングを研磨布
に押圧する構造を採用したものがある（例えば、特公昭
５８−１０１９３号）。
止するため、ガイドリングをリング状の重りによって構
成し、ガイドリングをトップリングに対して上下動可能
とし、ガイドリングの重量によって研磨布を押圧する構
造を採用したものがある（例えば、特開昭５５−１５７
４７３号）。また、トップリングとガイドリングとの間
にバネを介装し、バネ力によってガイドリングを研磨布
に押圧する構造を採用したものがある（例えば、特公昭
５８−１０１９３号）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の押圧リ
ングの重量によって研磨布を押圧する構造のものにおい
ては、ポリッシング対象物や研磨条件に応じて、トップ
リングがポリッシング対象物である半導体ウエハを研磨
布に押圧する押圧力を変更しても、ガイドリングが研磨
布を押圧する押圧力は常に一定であり変更することがで
きないため、トップリングの押圧力に比べてガイドリン
グの研磨布に対する押圧力が低すぎたり高すぎたりする
場合があり、半導体ウエハの周縁部のみが多く研磨され
たり、逆に研磨量が少なかったりするという問題点があ
った。
ングの重量によって研磨布を押圧する構造のものにおい
ては、ポリッシング対象物や研磨条件に応じて、トップ
リングがポリッシング対象物である半導体ウエハを研磨
布に押圧する押圧力を変更しても、ガイドリングが研磨
布を押圧する押圧力は常に一定であり変更することがで
きないため、トップリングの押圧力に比べてガイドリン
グの研磨布に対する押圧力が低すぎたり高すぎたりする
場合があり、半導体ウエハの周縁部のみが多く研磨され
たり、逆に研磨量が少なかったりするという問題点があ
った。
【００１１】また、上述したバネ力によってガイドリン
グを研磨布に押圧する構造のものにおいては、使用する
バネによって押圧力が決定されてしまい、上述と同様
に、ポリッシング対象物や研磨条件に応じて、トップリ
ングがポリッシング対象物である半導体ウエハを研磨布
に押圧する押圧力を変更しても、ガイドリングが研磨布
を押圧する押圧力は変更することができないため、トッ
プリングの押圧力に比べてガイドリングの研磨布に対す
る押圧力が低すぎたり高すぎたりする場合があり、半導
体ウエハの周縁部のみが多く研磨されたり、逆に研磨量
が少なかったりするという問題点があった。
グを研磨布に押圧する構造のものにおいては、使用する
バネによって押圧力が決定されてしまい、上述と同様
に、ポリッシング対象物や研磨条件に応じて、トップリ
ングがポリッシング対象物である半導体ウエハを研磨布
に押圧する押圧力を変更しても、ガイドリングが研磨布
を押圧する押圧力は変更することができないため、トッ
プリングの押圧力に比べてガイドリングの研磨布に対す
る押圧力が低すぎたり高すぎたりする場合があり、半導
体ウエハの周縁部のみが多く研磨されたり、逆に研磨量
が少なかったりするという問題点があった。
【００１２】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、トップリングの周囲に押圧リングを設けポリッシン
グ対象物や研磨条件に応じて押圧リングが研磨布に最適
な押圧力を与えるようにすることにより、ポリッシング
対象物の周縁部における研磨量の過不足を防止し、より
平坦度の高い研磨を行うことができるポリッシング装置
および方法を提供することを目的とする。
で、トップリングの周囲に押圧リングを設けポリッシン
グ対象物や研磨条件に応じて押圧リングが研磨布に最適
な押圧力を与えるようにすることにより、ポリッシング
対象物の周縁部における研磨量の過不足を防止し、より
平坦度の高い研磨を行うことができるポリッシング装置
および方法を提供することを目的とする。
【００１３】また本発明は、半導体ウエハ等のポリッシ
ング対象物によってはポリッシング対象物の周縁部で内
部側より研磨量を多く又は逆に少なくしたいという要請
があるため、この要請にも答えることができるようにポ
リッシング対象物の周縁部の研磨量を意図的に増減する
ことができるポリッシング装置および方法を提供するこ
とを目的とする。
ング対象物によってはポリッシング対象物の周縁部で内
部側より研磨量を多く又は逆に少なくしたいという要請
があるため、この要請にも答えることができるようにポ
リッシング対象物の周縁部の研磨量を意図的に増減する
ことができるポリッシング装置および方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１４】
【発明を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため本発明のポリッシング装置は、上面に研磨布を貼っ
たターンテーブルとトップリングとを有し、前記ターン
テーブルとトップリングとの間にポリッシング対象物を
介在させて所定の力で押圧することによって該ポリッシ
ング対象物を研磨し、平坦且つ鏡面化するポリッシング
装置において、前記ポリッシング対象物を収容する凹部
を有し該凹部の内周面によってポリッシング対象物の外
周部を保持するトップリングの周囲に押圧リングを上下
動自在に配置し、前記押圧リングを研磨布に対して押圧
する押圧手段を設け、該押圧手段の押圧力を可変にした
ことを特徴とするものである。
ため本発明のポリッシング装置は、上面に研磨布を貼っ
たターンテーブルとトップリングとを有し、前記ターン
テーブルとトップリングとの間にポリッシング対象物を
介在させて所定の力で押圧することによって該ポリッシ
ング対象物を研磨し、平坦且つ鏡面化するポリッシング
装置において、前記ポリッシング対象物を収容する凹部
を有し該凹部の内周面によってポリッシング対象物の外
周部を保持するトップリングの周囲に押圧リングを上下
動自在に配置し、前記押圧リングを研磨布に対して押圧
する押圧手段を設け、該押圧手段の押圧力を可変にした
ことを特徴とするものである。
【００１５】また本発明のポリッシング方法は、上面に
研磨布を貼ったターンテーブルとトップリングとを有
し、前記ターンテーブルとトップリングとの間にポリッ
シング対象物を介在させて所定の力で押圧することによ
って該ポリッシング対象物を研磨し、平坦且つ鏡面化す
るポリッシング方法において、前記ポリッシング対象物
を収容する凹部を有し該凹部の内周面によってポリッシ
ング対象物の外周部を保持するトップリングの周囲に押
圧リングを上下動自在に配置し、ポリッシング対象物が
接触する研磨布の周囲を、押圧リングによりトップリン
グの押圧力に基づいて決定された押圧力で押圧しながら
研磨することを特徴とするものである。
研磨布を貼ったターンテーブルとトップリングとを有
し、前記ターンテーブルとトップリングとの間にポリッ
シング対象物を介在させて所定の力で押圧することによ
って該ポリッシング対象物を研磨し、平坦且つ鏡面化す
るポリッシング方法において、前記ポリッシング対象物
を収容する凹部を有し該凹部の内周面によってポリッシ
ング対象物の外周部を保持するトップリングの周囲に押
圧リングを上下動自在に配置し、ポリッシング対象物が
接触する研磨布の周囲を、押圧リングによりトップリン
グの押圧力に基づいて決定された押圧力で押圧しながら
研磨することを特徴とするものである。
【００１６】図１は本発明の基本概念を示す図である。
図１において、符号１はトップリングであり、トップリ
ング１はポリッシング対象物である半導体ウエハ４を収
容する凹部１ａを有している。トップリング１の下面に
は弾性マット２が貼着されている。またトップリング１
の外周部には押圧リング３が配置されている。この押圧
リング３はトップリング１に対して上下動自在になって
いる。
図１において、符号１はトップリングであり、トップリ
ング１はポリッシング対象物である半導体ウエハ４を収
容する凹部１ａを有している。トップリング１の下面に
は弾性マット２が貼着されている。またトップリング１
の外周部には押圧リング３が配置されている。この押圧
リング３はトップリング１に対して上下動自在になって
いる。
【００１７】上述の構成において、トップリング１がポ
リッシング対象物である半導体ウエハ４をターンテーブ
ル５上の研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1（単位面積当た
りの圧力，ｇｆ／ｃｍ2）を可変とし、また押圧リング
３が研磨布６を押圧する押圧力Ｆ2（単位面積当たりの
圧力，ｇｆ／ｃｍ2）を可変としている。そして、押圧
力Ｆ1 と押圧力Ｆ2 とは、それぞれ独立して押圧力を変
更できるようになっている。したがって、押圧リング３
が研磨布６を押圧する押圧力Ｆ2 をトップリング１が半
導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1 に応じて
変更することができる。
リッシング対象物である半導体ウエハ４をターンテーブ
ル５上の研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1（単位面積当た
りの圧力，ｇｆ／ｃｍ2）を可変とし、また押圧リング
３が研磨布６を押圧する押圧力Ｆ2（単位面積当たりの
圧力，ｇｆ／ｃｍ2）を可変としている。そして、押圧
力Ｆ1 と押圧力Ｆ2 とは、それぞれ独立して押圧力を変
更できるようになっている。したがって、押圧リング３
が研磨布６を押圧する押圧力Ｆ2 をトップリング１が半
導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1 に応じて
変更することができる。
【００１８】この場合、理論的には、トップリング１が
半導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1 と押圧
リング３が研磨布６を押圧する押圧力Ｆ2 とを等しくす
れば、ポリッシング対象物である半導体ウエハ４の中心
部から周縁部、さらには半導体ウエハ４の外側にある押
圧リング３の外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均
一になる。そのため、ポリッシング対象物である半導体
ウエハ４の周縁部における研磨量の過不足を防止するこ
とができる。
半導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1 と押圧
リング３が研磨布６を押圧する押圧力Ｆ2 とを等しくす
れば、ポリッシング対象物である半導体ウエハ４の中心
部から周縁部、さらには半導体ウエハ４の外側にある押
圧リング３の外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均
一になる。そのため、ポリッシング対象物である半導体
ウエハ４の周縁部における研磨量の過不足を防止するこ
とができる。
【００１９】図２はトップリング１が半導体ウエハ４を
研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1と押圧リング３が研磨布
６を押圧する押圧力Ｆ2との関係を変えた場合の模式図
であり、図２（ａ）はＦ1＞Ｆ2の場合を示し、図２
（ｂ）はＦ1≒Ｆ2の場合を示し、図２（Ｃ）はＦ1＜Ｆ2
の場合を示す。図２（ａ），（ｂ），（ｃ）に示される
ように、押圧リング３に押圧力Ｆ2を加えた場合、研磨
布６が圧縮され、半導体ウエハ４の周縁部に対する研磨
布６の接触状態が変化していく。このため、Ｆ1とＦ2と
の関係を変更することにより半導体ウエハ４の研磨圧力
の分布を内部側と周縁部とで種々に変えることができ
る。
研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1と押圧リング３が研磨布
６を押圧する押圧力Ｆ2との関係を変えた場合の模式図
であり、図２（ａ）はＦ1＞Ｆ2の場合を示し、図２
（ｂ）はＦ1≒Ｆ2の場合を示し、図２（Ｃ）はＦ1＜Ｆ2
の場合を示す。図２（ａ），（ｂ），（ｃ）に示される
ように、押圧リング３に押圧力Ｆ2を加えた場合、研磨
布６が圧縮され、半導体ウエハ４の周縁部に対する研磨
布６の接触状態が変化していく。このため、Ｆ1とＦ2と
の関係を変更することにより半導体ウエハ４の研磨圧力
の分布を内部側と周縁部とで種々に変えることができ
る。
【００２０】図２から明らかなように、Ｆ1＞Ｆ2の場合
には半導体ウエハ４の周縁部の研磨圧力が内部より高く
なり、半導体ウエハ４の周縁部の研磨量を内部の研磨量
より多くすることができる。Ｆ1≒Ｆ2の場合には半導体
ウエハ４の中心部から周縁部、さらには押圧リングの外
周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均一になり、半導
体ウエハ４は中心部から周縁部まで均一な研磨量が得ら
れる。Ｆ1＜Ｆ2の場合には半導体ウエハ４の周縁部の研
磨圧力が内部より低くなり、半導体ウエハ４の周縁部の
研磨量を内部の研磨量より少なくすることができる。
には半導体ウエハ４の周縁部の研磨圧力が内部より高く
なり、半導体ウエハ４の周縁部の研磨量を内部の研磨量
より多くすることができる。Ｆ1≒Ｆ2の場合には半導体
ウエハ４の中心部から周縁部、さらには押圧リングの外
周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均一になり、半導
体ウエハ４は中心部から周縁部まで均一な研磨量が得ら
れる。Ｆ1＜Ｆ2の場合には半導体ウエハ４の周縁部の研
磨圧力が内部より低くなり、半導体ウエハ４の周縁部の
研磨量を内部の研磨量より少なくすることができる。
【００２１】図３は本発明の基本概念に基づいて半導体
ウエハを研磨した場合の実験結果を示すグラフである。
半導体ウエハは８インチのものを使用し、トップリング
による半導体ウエハに加わる押圧力（研磨圧力）は４０
０ｇf/cm2 で一定であり、押圧リングの押圧力は６００
〜２００ｇf/cm2 まで変更したものである。図３（ａ）
は押圧リングの押圧力を６００ｇf/cm2 、図３（ｂ）は
同押圧力を５００ｇf/cm2 、図３（ｃ）は同押圧力を４
００ｇf/cm2 、図３（ｄ）は同押圧力を３００ｇf/c
m2 、図３（ｅ）は同押圧力を２００ｇf/cm2としたもの
である。各図において横軸は半導体ウエハの中心からの
距離（mm）、縦軸は研磨量（オングストローム）を示
す。
ウエハを研磨した場合の実験結果を示すグラフである。
半導体ウエハは８インチのものを使用し、トップリング
による半導体ウエハに加わる押圧力（研磨圧力）は４０
０ｇf/cm2 で一定であり、押圧リングの押圧力は６００
〜２００ｇf/cm2 まで変更したものである。図３（ａ）
は押圧リングの押圧力を６００ｇf/cm2 、図３（ｂ）は
同押圧力を５００ｇf/cm2 、図３（ｃ）は同押圧力を４
００ｇf/cm2 、図３（ｄ）は同押圧力を３００ｇf/c
m2 、図３（ｅ）は同押圧力を２００ｇf/cm2としたもの
である。各図において横軸は半導体ウエハの中心からの
距離（mm）、縦軸は研磨量（オングストローム）を示
す。
【００２２】図３から明らかなように、押圧リングの押
圧力を変えることによって、半導体ウエハの半径方向位
置の研磨量が影響を受けていることがわかる。即ち、押
圧リングの押圧力が２００〜３００ｇf/cm2 の場合（図
３（ｄ），図３（ｅ））には、半導体ウエハの周縁部で
縁だれが生じており、同押圧力が４００〜５００ｇf/cm
2 の場合（図３（ｂ），図３（ｃ））には半導体ウエハ
の周縁部の縁だれが少なく、さらに同押圧力が６００ｇ
f/cm2 の場合（図３（ａ））には半導体ウエハの周縁部
で研磨不足が生じている。
圧力を変えることによって、半導体ウエハの半径方向位
置の研磨量が影響を受けていることがわかる。即ち、押
圧リングの押圧力が２００〜３００ｇf/cm2 の場合（図
３（ｄ），図３（ｅ））には、半導体ウエハの周縁部で
縁だれが生じており、同押圧力が４００〜５００ｇf/cm
2 の場合（図３（ｂ），図３（ｃ））には半導体ウエハ
の周縁部の縁だれが少なく、さらに同押圧力が６００ｇ
f/cm2 の場合（図３（ａ））には半導体ウエハの周縁部
で研磨不足が生じている。
【００２３】以上のように、実験結果から押圧リングの
押圧力をトップリングの押圧力とは独立に変更すること
により、ポリッシング対象物の周縁部における研磨量の
過不足を調整できることが裏付けられた。理論的には押
圧リングの押圧力はトップリングの押圧力と等しい場合
がポリッシング対象物の周縁部の研磨結果は良くなるは
ずであるが、ポリッシング対象物や研磨条件によって一
概には云いきれないため、本発明においてはポリッシン
グ対象物や研磨条件によって、押圧リングの押圧力をト
ップリングの押圧力に基づいて最適な値に選択する。
押圧力をトップリングの押圧力とは独立に変更すること
により、ポリッシング対象物の周縁部における研磨量の
過不足を調整できることが裏付けられた。理論的には押
圧リングの押圧力はトップリングの押圧力と等しい場合
がポリッシング対象物の周縁部の研磨結果は良くなるは
ずであるが、ポリッシング対象物や研磨条件によって一
概には云いきれないため、本発明においてはポリッシン
グ対象物や研磨条件によって、押圧リングの押圧力をト
ップリングの押圧力に基づいて最適な値に選択する。
【００２４】また半導体ウエハ等のポリッシング対象物
によっては、ポリッシング対象物の周縁部を内部側より
意図的に研磨量を多く又は逆に少なくしたいという要請
があるため、この要請に対しても押圧リングの押圧力を
トップリングの押圧力に基づいて最適な値に選択するこ
とによりポリッシング対象物の周縁部の研磨量を意図的
に増減することができる。
によっては、ポリッシング対象物の周縁部を内部側より
意図的に研磨量を多く又は逆に少なくしたいという要請
があるため、この要請に対しても押圧リングの押圧力を
トップリングの押圧力に基づいて最適な値に選択するこ
とによりポリッシング対象物の周縁部の研磨量を意図的
に増減することができる。
【００２５】さらに本発明によれば、トップリングはポ
リッシング対象物を収容する凹部を有しているため、押
圧リングがトップリングに対して上下動する際に、ポリ
ッシング対象物の外周面をこすることがない。そのた
め、ポリッシング対象物の研磨中に押圧リングの上下動
により生ずる研磨性能への影響を避けることができる。
リッシング対象物を収容する凹部を有しているため、押
圧リングがトップリングに対して上下動する際に、ポリ
ッシング対象物の外周面をこすることがない。そのた
め、ポリッシング対象物の研磨中に押圧リングの上下動
により生ずる研磨性能への影響を避けることができる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明に係るポリッシング装置および
方法の一実施例を図４及び図５を参照して説明する。図
４はポリッシング装置の全体構成を示す断面図であり、
図５はポリッシング装置の要部構成を示す断面図であ
り、図６はトップリング及び押圧リングの部分を示す拡
大断面図である。図４および図５において、符号１はト
ップリングであり、トップリング１の下面には弾性マッ
ト２が貼着されている。またトップリング１の外周部に
は押圧リング３が配置されている。またトップリング１
の下方には、上面に研磨布６を貼ったターンテーブル５
が設置されている。
方法の一実施例を図４及び図５を参照して説明する。図
４はポリッシング装置の全体構成を示す断面図であり、
図５はポリッシング装置の要部構成を示す断面図であ
り、図６はトップリング及び押圧リングの部分を示す拡
大断面図である。図４および図５において、符号１はト
ップリングであり、トップリング１の下面には弾性マッ
ト２が貼着されている。またトップリング１の外周部に
は押圧リング３が配置されている。またトップリング１
の下方には、上面に研磨布６を貼ったターンテーブル５
が設置されている。
【００２７】前記トップリング１はボール７を介してト
ップリングシャフト８に接続されており、このトップリ
ングシャフト８はトップリングヘッド９に固定されたト
ップリング用エアシリンダ１０に連結されており、この
トップリング用エアシリンダ１０によってトップリング
シャフト８は上下動し、トップリング１の下端面に保持
された半導体ウエハ４をターンテーブル５に押圧するよ
うになっている。
ップリングシャフト８に接続されており、このトップリ
ングシャフト８はトップリングヘッド９に固定されたト
ップリング用エアシリンダ１０に連結されており、この
トップリング用エアシリンダ１０によってトップリング
シャフト８は上下動し、トップリング１の下端面に保持
された半導体ウエハ４をターンテーブル５に押圧するよ
うになっている。
【００２８】また、トップリングシャフト８はキー（図
示せず）を介して回転筒１１に連結されており、この回
転筒１１はその外周部にタイミングプーリ１２を有して
いる。そして、タイミングプーリ１２は、タイミングベ
ルト１３を介して、トップリングヘッド９に固定された
トップリング用モータ１４に設けられたタイミングプー
リ１５に接続されている。したがって、トップリング用
モータ１４を回転駆動することによってタイミングプー
リ１５、タイミングベルト１３およびタイミングプーリ
１２を介して回転筒１１及びトップリングシャフト８が
一体に回転し、トップリング１が回転する。トップリン
グヘッド９は、フレーム（図示せず）に固定支持された
トップリングヘッドシャフト１６によって支持されてい
る。
示せず）を介して回転筒１１に連結されており、この回
転筒１１はその外周部にタイミングプーリ１２を有して
いる。そして、タイミングプーリ１２は、タイミングベ
ルト１３を介して、トップリングヘッド９に固定された
トップリング用モータ１４に設けられたタイミングプー
リ１５に接続されている。したがって、トップリング用
モータ１４を回転駆動することによってタイミングプー
リ１５、タイミングベルト１３およびタイミングプーリ
１２を介して回転筒１１及びトップリングシャフト８が
一体に回転し、トップリング１が回転する。トップリン
グヘッド９は、フレーム（図示せず）に固定支持された
トップリングヘッドシャフト１６によって支持されてい
る。
【００２９】一方、押圧リング３はキー１８を介してト
ップリング１に連結されており、押圧リング３はトップ
リング１に対して上下動自在であるとともにトップリン
グ１と一体に回転可能になっている。そして、押圧リン
グ３はベアリング１９を保持したベアリング押え２０お
よびシャフト２１を介して押圧リング用エアシリンダ２
２に連結されている。押圧リング用エアシリンダ２２は
トップリングヘッド９に固定されている。押圧リング用
エアシリンダ２２は円周上に複数個（本実施例では３
個）配設されている。
ップリング１に連結されており、押圧リング３はトップ
リング１に対して上下動自在であるとともにトップリン
グ１と一体に回転可能になっている。そして、押圧リン
グ３はベアリング１９を保持したベアリング押え２０お
よびシャフト２１を介して押圧リング用エアシリンダ２
２に連結されている。押圧リング用エアシリンダ２２は
トップリングヘッド９に固定されている。押圧リング用
エアシリンダ２２は円周上に複数個（本実施例では３
個）配設されている。
【００３０】トップリング用エアシリンダ１０及び押圧
リング用エアシリンダ２２は、それぞれレギュレータＲ
１，Ｒ２を介して圧縮空気源２４に接続されている。そ
して、レギュレータＲ１によってトップリング用エアシ
リンダ１０へ供給する空気圧を調整することによりトッ
プリング１が半導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧
力を調整することができ、レギュレータＲ２によって押
圧リング用エアシリンダ２２へ供給する空気圧を調整す
ることにより押圧リング３が研磨布６を押圧する押圧力
を調整することができる。レギュレータＲ１及びＲ２は
図示しないコントローラによって独立に制御される。
リング用エアシリンダ２２は、それぞれレギュレータＲ
１，Ｒ２を介して圧縮空気源２４に接続されている。そ
して、レギュレータＲ１によってトップリング用エアシ
リンダ１０へ供給する空気圧を調整することによりトッ
プリング１が半導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧
力を調整することができ、レギュレータＲ２によって押
圧リング用エアシリンダ２２へ供給する空気圧を調整す
ることにより押圧リング３が研磨布６を押圧する押圧力
を調整することができる。レギュレータＲ１及びＲ２は
図示しないコントローラによって独立に制御される。
【００３１】また、ターンテーブル５の上方には砥液供
給ノズル２５が設置されており、砥液供給ノズル２５に
よってターンテーブル５上の研磨布６上に研磨砥液Ｑが
供給されるようになっている。
給ノズル２５が設置されており、砥液供給ノズル２５に
よってターンテーブル５上の研磨布６上に研磨砥液Ｑが
供給されるようになっている。
【００３２】図６はトップリング１と押圧リング３の構
造を示す詳細図である。図６に示されるように、トップ
リング１の外端部は下方に垂下する垂下部１ｓを有して
おり、この垂下部１ｓとトップリング１の下面によって
半導体ウエハ４を収容する凹部１ａが形成されている。
造を示す詳細図である。図６に示されるように、トップ
リング１の外端部は下方に垂下する垂下部１ｓを有して
おり、この垂下部１ｓとトップリング１の下面によって
半導体ウエハ４を収容する凹部１ａが形成されている。
【００３３】上記構成のポリッシング装置において、ト
ップリング１の下面に半導体ウエハ４を保持させ、トッ
プリング用エアシリンダ１０を作動させてトップリング
１をターンテーブル５に向かって押圧し、回転している
ターンテーブル５の上面の研磨布６に半導体ウエハ４を
押圧する。一方、砥液供給ノズル２５から研磨砥液Ｑを
流すことにより、研磨布６に研磨砥液Ｑが保持されてお
り、半導体ウエハ４の研磨される面（下面）と研磨布６
の間に研磨砥液Ｑが存在した状態でポリッシングが行わ
れる。
ップリング１の下面に半導体ウエハ４を保持させ、トッ
プリング用エアシリンダ１０を作動させてトップリング
１をターンテーブル５に向かって押圧し、回転している
ターンテーブル５の上面の研磨布６に半導体ウエハ４を
押圧する。一方、砥液供給ノズル２５から研磨砥液Ｑを
流すことにより、研磨布６に研磨砥液Ｑが保持されてお
り、半導体ウエハ４の研磨される面（下面）と研磨布６
の間に研磨砥液Ｑが存在した状態でポリッシングが行わ
れる。
【００３４】トップリング用エアシリンダ１０によるト
ップリング１の押圧力に応じて押圧リング用エアシリン
ダ２２による押圧リング３の研磨布６への押圧力を適宜
調整して半導体ウエハ４の研磨を行う。研磨中にレギュ
レータＲ１によってトップリング１が半導体ウエハ４を
ターンテーブル５上の研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1を
変更でき、レギュレータＲ２によって押圧リング３が研
磨布６を押圧する押圧力Ｆ2 を変更できる（図１参
照）。したがって、研磨中に、押圧リング３が研磨布６
を押圧する押圧力Ｆ2 を、トップリング１が半導体ウエ
ハ４を研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1 に応じて変更する
ことができる。この押圧力Ｆ1 に対する押圧力Ｆ2 を適
宜調整することにより、半導体ウエハ４の中心部から周
縁部、さらには半導体ウエハ４の外側にある押圧リング
３の外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均一にな
る。そのため、半導体ウエハ４の周縁部における研磨量
の過不足を防止することができる。
ップリング１の押圧力に応じて押圧リング用エアシリン
ダ２２による押圧リング３の研磨布６への押圧力を適宜
調整して半導体ウエハ４の研磨を行う。研磨中にレギュ
レータＲ１によってトップリング１が半導体ウエハ４を
ターンテーブル５上の研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1を
変更でき、レギュレータＲ２によって押圧リング３が研
磨布６を押圧する押圧力Ｆ2 を変更できる（図１参
照）。したがって、研磨中に、押圧リング３が研磨布６
を押圧する押圧力Ｆ2 を、トップリング１が半導体ウエ
ハ４を研磨布６に押圧する押圧力Ｆ1 に応じて変更する
ことができる。この押圧力Ｆ1 に対する押圧力Ｆ2 を適
宜調整することにより、半導体ウエハ４の中心部から周
縁部、さらには半導体ウエハ４の外側にある押圧リング
３の外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均一にな
る。そのため、半導体ウエハ４の周縁部における研磨量
の過不足を防止することができる。
【００３５】また半導体ウエハ４の周縁部で内部側より
意図的に研磨量を多くし又は逆に少なくしたい場合に
は、押圧リングの押圧力Ｆ2をトップリングの押圧力Ｆ1
に基づいて最適な値に選択することにより、半導体ウエ
ハ４の周縁部の研磨量を意図的に増減できる。
意図的に研磨量を多くし又は逆に少なくしたい場合に
は、押圧リングの押圧力Ｆ2をトップリングの押圧力Ｆ1
に基づいて最適な値に選択することにより、半導体ウエ
ハ４の周縁部の研磨量を意図的に増減できる。
【００３６】本実施例においては、トップリング１は半
導体ウエハ４を収容する凹部１ａを有しているため、押
圧リング３がトップリング１に対して上下動する際に、
半導体ウエハ４の外周面をこすることがない。そのた
め、半導体ウエハ４の研磨中に押圧リング３の上下動に
より生ずる研磨性能への影響を避けることができる。
導体ウエハ４を収容する凹部１ａを有しているため、押
圧リング３がトップリング１に対して上下動する際に、
半導体ウエハ４の外周面をこすることがない。そのた
め、半導体ウエハ４の研磨中に押圧リング３の上下動に
より生ずる研磨性能への影響を避けることができる。
【００３７】図７は本発明のポリッシング装置の第２実
施例を示す図である。本実施例においては、トップリン
グ１の外周部にある押圧リング３は押圧リング押え２６
により保持されており、押圧リング押え２６は複数のロ
ーラ２７により押圧されるようになっている。ローラ２
７はシャフト２８を介してトップリングヘッド９に固定
された押圧リング用エアシリンダ２２に連結されてい
る。押圧リング３がトップリング１に対して上下動自在
でトップリング１とともに回転できることは、図４及び
図５に示す実施例と同様である。
施例を示す図である。本実施例においては、トップリン
グ１の外周部にある押圧リング３は押圧リング押え２６
により保持されており、押圧リング押え２６は複数のロ
ーラ２７により押圧されるようになっている。ローラ２
７はシャフト２８を介してトップリングヘッド９に固定
された押圧リング用エアシリンダ２２に連結されてい
る。押圧リング３がトップリング１に対して上下動自在
でトップリング１とともに回転できることは、図４及び
図５に示す実施例と同様である。
【００３８】本実施例においては、トップリング１の回
転中にローラ２７は押圧リング押え２６と摺接して自身
の軸心回わりに回転し、押圧リング３はローラ２７によ
って押圧リング押え２６を介して下方に押圧される。そ
の結果、押圧リング３は研磨布６を所定の押圧力で押圧
する。その他の構成は図４および図５に示す実施例と同
様である。また作用効果も図４および図５に示す実施例
と同様である。上述のように、第１実施例及び第２実施
例においては、トップリングシャフト８の周囲に別個に
設けられ、トップリングシャフト８と一緒に回転するこ
とはしない部材２１及び２８を介して押圧リングへ押圧
力が伝達されるので、研磨中すなわちトップリングが回
転中であっても、押圧リングの押圧力を変更することが
可能である。
転中にローラ２７は押圧リング押え２６と摺接して自身
の軸心回わりに回転し、押圧リング３はローラ２７によ
って押圧リング押え２６を介して下方に押圧される。そ
の結果、押圧リング３は研磨布６を所定の押圧力で押圧
する。その他の構成は図４および図５に示す実施例と同
様である。また作用効果も図４および図５に示す実施例
と同様である。上述のように、第１実施例及び第２実施
例においては、トップリングシャフト８の周囲に別個に
設けられ、トップリングシャフト８と一緒に回転するこ
とはしない部材２１及び２８を介して押圧リングへ押圧
力が伝達されるので、研磨中すなわちトップリングが回
転中であっても、押圧リングの押圧力を変更することが
可能である。
【００３９】図８は本発明のポリッシング装置の第３実
施例を示す図である。本実施例においては、トップリン
グ１の外周部にある押圧リング３は、トップリング１に
固定された押圧リング用エアシリンダ３１に連結されて
いる。押圧リング用エアシリンダ３１はトップリングシ
ャフト８内の連通路８ａ、ロータリージョイント３２、
レギュレータＲ２を介して圧縮空気源２４に接続されて
いる。
施例を示す図である。本実施例においては、トップリン
グ１の外周部にある押圧リング３は、トップリング１に
固定された押圧リング用エアシリンダ３１に連結されて
いる。押圧リング用エアシリンダ３１はトップリングシ
ャフト８内の連通路８ａ、ロータリージョイント３２、
レギュレータＲ２を介して圧縮空気源２４に接続されて
いる。
【００４０】またトップリング用エアシリンダ１０は図
４の実施例と同様にレギュレータＲ１を介して圧縮空気
源２４に接続されている。またレギュレータＲ１，Ｒ２
は演算器３３に接続されている。
４の実施例と同様にレギュレータＲ１を介して圧縮空気
源２４に接続されている。またレギュレータＲ１，Ｒ２
は演算器３３に接続されている。
【００４１】本実施例においても、半導体ウエハ４はト
ップリング用エアシリンダ１０によるトップリング１の
押圧力によって研磨布６に押圧されて研磨される。また
押圧リング３は押圧リング用エアシリンダ３１によって
研磨布６に押圧される。押圧リング３を研磨布６に押圧
すると、押圧リング３は反力を受けて、トップリング１
の押圧力に影響を与えることになる。そのため、本実施
例においては、トップリング１の押圧力と押圧リング３
の押圧力の設定値を演算器３３に入力し、演算器３３に
よってトップリング用エアシリンダ１０および押圧リン
グ用エアシリンダ３１に与える空気圧を演算し、レギュ
レータＲ１，Ｒ２を調整して、所定の空気圧のエアをト
ップリング用エアシリンダ１０および押圧リング用エア
シリンダ３１にそれぞれ供給する。これによってトップ
リング１の押圧力と押圧リング３の押圧力としてそれぞ
れ所望の値が得られるようになっている。即ち、トップ
リング１の押圧力と押圧リング３の押圧力は、研磨中に
それぞれ影響を受けることなく独立に変更可能になって
いる。その他の構成は図４および図５に示す実施例と同
様である。また作用効果も図４および図５に示す実施例
と同様である。この第３実施例においても、ロータリー
ジョイントを介して圧縮空気を供給しているので、研磨
中すなわちトップリングが回転中であっても、押圧リン
グの押圧力を変更することができる。
ップリング用エアシリンダ１０によるトップリング１の
押圧力によって研磨布６に押圧されて研磨される。また
押圧リング３は押圧リング用エアシリンダ３１によって
研磨布６に押圧される。押圧リング３を研磨布６に押圧
すると、押圧リング３は反力を受けて、トップリング１
の押圧力に影響を与えることになる。そのため、本実施
例においては、トップリング１の押圧力と押圧リング３
の押圧力の設定値を演算器３３に入力し、演算器３３に
よってトップリング用エアシリンダ１０および押圧リン
グ用エアシリンダ３１に与える空気圧を演算し、レギュ
レータＲ１，Ｒ２を調整して、所定の空気圧のエアをト
ップリング用エアシリンダ１０および押圧リング用エア
シリンダ３１にそれぞれ供給する。これによってトップ
リング１の押圧力と押圧リング３の押圧力としてそれぞ
れ所望の値が得られるようになっている。即ち、トップ
リング１の押圧力と押圧リング３の押圧力は、研磨中に
それぞれ影響を受けることなく独立に変更可能になって
いる。その他の構成は図４および図５に示す実施例と同
様である。また作用効果も図４および図５に示す実施例
と同様である。この第３実施例においても、ロータリー
ジョイントを介して圧縮空気を供給しているので、研磨
中すなわちトップリングが回転中であっても、押圧リン
グの押圧力を変更することができる。
【００４２】図９は本発明のポリッシング装置の第４実
施例を示す図である。本実施例においては、トップリン
グ１の外周部にある押圧リング３は、シャフト３４を介
して押圧リング用エアシリンダ３５に連結されている。
押圧リング用エアシリンダ３５はトップリングヘッド９
に固定されている。押圧リング用エアシリンダ３５は円
周上に複数個配設されている。
施例を示す図である。本実施例においては、トップリン
グ１の外周部にある押圧リング３は、シャフト３４を介
して押圧リング用エアシリンダ３５に連結されている。
押圧リング用エアシリンダ３５はトップリングヘッド９
に固定されている。押圧リング用エアシリンダ３５は円
周上に複数個配設されている。
【００４３】トップリング用エアシリンダ１０及び押圧
リング用エアシリンダ３５は、それぞれレギュレータＲ
１，Ｒ２を介して圧縮空気源２４に接続されている。そ
して、レギュレータＲ１によってトップリング用エアシ
リンダ１０へ供給する空気圧を調整することによりトッ
プリング１が半導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧
力を調整することができ、レギュレータＲ２によって押
圧リング用エアシリンダ３５へ供給する空気圧を調整す
ることにより押圧リング３が研磨布６を押圧する押圧力
を調整することができる。
リング用エアシリンダ３５は、それぞれレギュレータＲ
１，Ｒ２を介して圧縮空気源２４に接続されている。そ
して、レギュレータＲ１によってトップリング用エアシ
リンダ１０へ供給する空気圧を調整することによりトッ
プリング１が半導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧
力を調整することができ、レギュレータＲ２によって押
圧リング用エアシリンダ３５へ供給する空気圧を調整す
ることにより押圧リング３が研磨布６を押圧する押圧力
を調整することができる。
【００４４】本実施例においては、トップリング１と押
圧リング３との間に、トップリング１の回転を押圧リン
グ３に伝達するためのキー等の手段が設けられていな
い。従って、研磨中にトップリング１はトップリングシ
ャフト８の軸心まわりに回転するが、押圧リング３は自
身の軸線に対して非回転に構成されている。そのため、
トップリング１の回転力が押圧リング３へ伝達しないの
で、トップリングシャフト８の回転負荷が、第１乃至第
３実施例と比較して少なくなる。また、押圧リング３を
トップリングヘッド９に固定された押圧リング用エアシ
リンダ３５によって直接作動させることができるため、
装置構造が簡易になる。その他の構成および作用効果
は、図４乃至図８に示す第１乃至第３実施例と同様であ
る。
圧リング３との間に、トップリング１の回転を押圧リン
グ３に伝達するためのキー等の手段が設けられていな
い。従って、研磨中にトップリング１はトップリングシ
ャフト８の軸心まわりに回転するが、押圧リング３は自
身の軸線に対して非回転に構成されている。そのため、
トップリング１の回転力が押圧リング３へ伝達しないの
で、トップリングシャフト８の回転負荷が、第１乃至第
３実施例と比較して少なくなる。また、押圧リング３を
トップリングヘッド９に固定された押圧リング用エアシ
リンダ３５によって直接作動させることができるため、
装置構造が簡易になる。その他の構成および作用効果
は、図４乃至図８に示す第１乃至第３実施例と同様であ
る。
【００４５】図１０はトップリングの変形例を示す図で
ある。トップリング５１は、トップリング本体５２と、
トップリング本体５２の下部外周部にボルト５３によっ
て着脱可能に固定されたリング状部材５４とからなり、
半導体ウエハ４を収容する凹部５１ａはトップリング本
体５２の下面とリング状部材５４によって形成されてい
る。そして、トップリング本体５２の下面によって半導
体ウエハ４の上面を保持し、リング状部材５４によって
半導体ウエハ４の外周部を保持している。押圧リング３
はトップリング５１の周囲に上下動可能に設けられてい
る。
ある。トップリング５１は、トップリング本体５２と、
トップリング本体５２の下部外周部にボルト５３によっ
て着脱可能に固定されたリング状部材５４とからなり、
半導体ウエハ４を収容する凹部５１ａはトップリング本
体５２の下面とリング状部材５４によって形成されてい
る。そして、トップリング本体５２の下面によって半導
体ウエハ４の上面を保持し、リング状部材５４によって
半導体ウエハ４の外周部を保持している。押圧リング３
はトップリング５１の周囲に上下動可能に設けられてい
る。
【００４６】また、トップリング本体５２は内部にチャ
ンバ５２ａを有し、このチャンバ５２ａ内に真空、加圧
空気、水等の液体が供給できるようになっている。トッ
プリング本体５２はチャンバ５２ａと連通して下面に開
口する多数の連通孔５２ｂを有している。弾性マット２
も同様に前記連通孔５２ｂに対応した位置に開口２ａを
有している。これによって、半導体ウエハ４の上面を真
空によって吸着可能であり、又、半導体ウエハ４の上面
に液体又は加圧空気を供給できるようになっている。
ンバ５２ａを有し、このチャンバ５２ａ内に真空、加圧
空気、水等の液体が供給できるようになっている。トッ
プリング本体５２はチャンバ５２ａと連通して下面に開
口する多数の連通孔５２ｂを有している。弾性マット２
も同様に前記連通孔５２ｂに対応した位置に開口２ａを
有している。これによって、半導体ウエハ４の上面を真
空によって吸着可能であり、又、半導体ウエハ４の上面
に液体又は加圧空気を供給できるようになっている。
【００４７】本実施例によれば、リング状部材５４と押
圧リング３とを最適な材質のものを選択することができ
る。リング状部材５４は、内周面が半導体ウエハ４に接
触し、下端が研磨布６に接触しないため、樹脂又は樹脂
で表面を覆われた金属等の比較的柔らかな表面を有する
材料から選ぶことができる。硬い材料を用いると、研磨
中に半導体ウエハ４が割れることがあるからである。
圧リング３とを最適な材質のものを選択することができ
る。リング状部材５４は、内周面が半導体ウエハ４に接
触し、下端が研磨布６に接触しないため、樹脂又は樹脂
で表面を覆われた金属等の比較的柔らかな表面を有する
材料から選ぶことができる。硬い材料を用いると、研磨
中に半導体ウエハ４が割れることがあるからである。
【００４８】また押圧リング３は、半導体ウエハ４に接
触せず、かつ研磨布６と接触するために、セラミック等
の硬度の高いかつ耐摩耗性に富んだ材料から選択するこ
とができる。押圧リング３は、摩耗が少なく、かつ研磨
布６との摩擦抵抗が小さく、又、押圧リングの摩耗粉が
半導体ウエハ４上の半導体デバイスに悪影響を与えない
ものが望ましい。押圧リング３は上述したように半導体
ウエハ４と直接接触することがないために、この面から
の制約がないので、上記要請を満たすような最適な材質
を選択することができる。
触せず、かつ研磨布６と接触するために、セラミック等
の硬度の高いかつ耐摩耗性に富んだ材料から選択するこ
とができる。押圧リング３は、摩耗が少なく、かつ研磨
布６との摩擦抵抗が小さく、又、押圧リングの摩耗粉が
半導体ウエハ４上の半導体デバイスに悪影響を与えない
ものが望ましい。押圧リング３は上述したように半導体
ウエハ４と直接接触することがないために、この面から
の制約がないので、上記要請を満たすような最適な材質
を選択することができる。
【００４９】図１１は、トップリングの更に変形例を示
す図であり、図１１（ａ）は断面図、図１１（ｂ）は図
１１（ａ）のＸＩ（ｂ）矢視図である。本実施例におい
ては、トップリング６１は外周部に全周に亘って凹凸部
６１ａを有している。トップリング６１の周囲に設けら
れた押圧リング６３は内周部に凹凸部６３ａを有してい
る。そして、トップリング６１の凹凸部６１ａと押圧リ
ング６３の凹凸部６３ａとは互いに係合しており、トッ
プリング６１と押圧リング６３とは一体に回転できるよ
うになっている。トップリング６１の外周部下部は下方
に垂下する垂下部６１ｓを有しており、この垂下部６１
ｓとトップリング６１の下面によって半導体ウエハ４を
収容する凹部６１ｃが形成されている。また、押圧リン
グ６３はトップリング６１に対して上下動可能になって
いる。本実施例によれば、トップリング６１の垂下部６
１ｓの厚さが厚くとも、押圧リング６３の凹凸部６３ａ
がトップリング６１の垂下部６１ｓの内部に入り込むこ
とができるので、垂下部６１ｓの厚さに影響されないで
研磨布６を押圧することができる。
す図であり、図１１（ａ）は断面図、図１１（ｂ）は図
１１（ａ）のＸＩ（ｂ）矢視図である。本実施例におい
ては、トップリング６１は外周部に全周に亘って凹凸部
６１ａを有している。トップリング６１の周囲に設けら
れた押圧リング６３は内周部に凹凸部６３ａを有してい
る。そして、トップリング６１の凹凸部６１ａと押圧リ
ング６３の凹凸部６３ａとは互いに係合しており、トッ
プリング６１と押圧リング６３とは一体に回転できるよ
うになっている。トップリング６１の外周部下部は下方
に垂下する垂下部６１ｓを有しており、この垂下部６１
ｓとトップリング６１の下面によって半導体ウエハ４を
収容する凹部６１ｃが形成されている。また、押圧リン
グ６３はトップリング６１に対して上下動可能になって
いる。本実施例によれば、トップリング６１の垂下部６
１ｓの厚さが厚くとも、押圧リング６３の凹凸部６３ａ
がトップリング６１の垂下部６１ｓの内部に入り込むこ
とができるので、垂下部６１ｓの厚さに影響されないで
研磨布６を押圧することができる。
【００５０】図１２は本発明のポリッシング装置の第５
実施例の要部構成を示す図であり、トップリング及びそ
の周辺機器の具体的な構造を示す図である。トップリン
グ７１は、トップリング本体７２と、トップリング本体
７２の下部外周部にボルト７３によって着脱可能に固定
されたＬ形状の断面を有するリング状部材７４とからな
り、半導体ウエハ４を収容する凹部７１ａはトップリン
グ本体７２の下面とリング状部材７４によって形成され
ている。そして、トップリング本体７２の下面によって
半導体ウエハ４の上面を保持し、リング状部材７４によ
って半導体ウエハ４の外周部を保持するようになってい
る。前記トップリング本体７２およびリング状部材７４
の周囲には押圧リング７５が上下動可能に設けられてい
る。
実施例の要部構成を示す図であり、トップリング及びそ
の周辺機器の具体的な構造を示す図である。トップリン
グ７１は、トップリング本体７２と、トップリング本体
７２の下部外周部にボルト７３によって着脱可能に固定
されたＬ形状の断面を有するリング状部材７４とからな
り、半導体ウエハ４を収容する凹部７１ａはトップリン
グ本体７２の下面とリング状部材７４によって形成され
ている。そして、トップリング本体７２の下面によって
半導体ウエハ４の上面を保持し、リング状部材７４によ
って半導体ウエハ４の外周部を保持するようになってい
る。前記トップリング本体７２およびリング状部材７４
の周囲には押圧リング７５が上下動可能に設けられてい
る。
【００５１】押圧リング７５は、最下位置にあって樹脂
材からなり研磨布６と接触する第１押圧リング部材７５
ａと、第１押圧リング部材７５ａの上方にあるＬ形状の
断面を有する第２押圧リング部材７５ｂと、第２押圧リ
ング部材７５ｂの上方にある第３押圧リング部材７５ｃ
とから構成されている。第１，第２リング部材７５ａ，
７５ｂはテープ７５ｄを介して一体に固定されている。
第２，第３リング部材７５ｂ，７５ｃはボルト７６によ
って一体に固定されている。押圧リング７５はトップリ
ング本体７２に固定されたピン７８と係合して一体に回
転するようになっている。
材からなり研磨布６と接触する第１押圧リング部材７５
ａと、第１押圧リング部材７５ａの上方にあるＬ形状の
断面を有する第２押圧リング部材７５ｂと、第２押圧リ
ング部材７５ｂの上方にある第３押圧リング部材７５ｃ
とから構成されている。第１，第２リング部材７５ａ，
７５ｂはテープ７５ｄを介して一体に固定されている。
第２，第３リング部材７５ｂ，７５ｃはボルト７６によ
って一体に固定されている。押圧リング７５はトップリ
ング本体７２に固定されたピン７８と係合して一体に回
転するようになっている。
【００５２】またトップリング本体７２には凹球面８０
ａを有した取付フランジ８０が固定されている。一方、
トップリングシャフト８の下端には、凹球面８１ａを有
した部材８１を保持した駆動軸フランジ８２が固定され
ている。そして、前記両凹球面８０ａ，８１ａ間には、
球ベアリング８３が介装されている。また、トップリン
グ本体７２と取付フランジ８０との間にはギャップ８５
が形成され、このギャップ８５に真空、加圧空気、水等
の液体が供給できるようになっている。トップリング本
体７２はギャップ８５と連通して下面に開口する多数の
連通孔７２ａを有している。弾性マット２も同様に前記
連通孔７２ａに対応した位置に開口２ａを有している。
これによって、半導体ウエハ（図示せず）の上面を真空
によって吸着可能であり、又、半導体ウエハの上面に液
体又は加圧空気を供給できるようなっている。
ａを有した取付フランジ８０が固定されている。一方、
トップリングシャフト８の下端には、凹球面８１ａを有
した部材８１を保持した駆動軸フランジ８２が固定され
ている。そして、前記両凹球面８０ａ，８１ａ間には、
球ベアリング８３が介装されている。また、トップリン
グ本体７２と取付フランジ８０との間にはギャップ８５
が形成され、このギャップ８５に真空、加圧空気、水等
の液体が供給できるようになっている。トップリング本
体７２はギャップ８５と連通して下面に開口する多数の
連通孔７２ａを有している。弾性マット２も同様に前記
連通孔７２ａに対応した位置に開口２ａを有している。
これによって、半導体ウエハ（図示せず）の上面を真空
によって吸着可能であり、又、半導体ウエハの上面に液
体又は加圧空気を供給できるようなっている。
【００５３】本実施例においては、押圧リング７５が概
略Ｌ形状の断面を有して、トップリング本体７２の内側
に向かって伸びている。従って、押圧リング７５の外径
を大きくすることなく、押圧リング７５の研磨布６に対
する接触面積を大きくとることができる。押圧リング７
５は図７に示す実施例と同様にエアシリンダによって上
下動されるローラ２７によって研磨布６に対して押圧さ
れる。本実施例の作用効果は図１乃至図１１に示した実
施例と同様である。
略Ｌ形状の断面を有して、トップリング本体７２の内側
に向かって伸びている。従って、押圧リング７５の外径
を大きくすることなく、押圧リング７５の研磨布６に対
する接触面積を大きくとることができる。押圧リング７
５は図７に示す実施例と同様にエアシリンダによって上
下動されるローラ２７によって研磨布６に対して押圧さ
れる。本実施例の作用効果は図１乃至図１１に示した実
施例と同様である。
【００５４】図１３はポリッシング対象物の周縁部を内
部側より意図的に研磨量を少なくする場合の例を示す説
明図である。図１３に示す例では、半導体デバイスは、
シリコンからなる基材３６と、基材３６上の酸化膜３７
と、酸化膜３７上の金属膜３８と、金属膜３８上の酸化
膜３９とから構成されている。図１３（ａ）は研磨前の
状態を示し、図１３（ｂ）は研磨後の状態を示す。研磨
後には、半導体デバイスの周縁部で金属膜３８が露出し
ている。研磨後に薬液洗浄すると、図１３（ｃ）に示す
ように金属膜３８が薬液によって侵される。金属膜３８
を薬液に侵されないようにするためには、図１３（ｄ）
に示すように周縁部の研磨量を内部側より少なくして周
縁部の酸化膜３９を厚く残すことが好ましい。このよう
な要請に本発明は好適である。
部側より意図的に研磨量を少なくする場合の例を示す説
明図である。図１３に示す例では、半導体デバイスは、
シリコンからなる基材３６と、基材３６上の酸化膜３７
と、酸化膜３７上の金属膜３８と、金属膜３８上の酸化
膜３９とから構成されている。図１３（ａ）は研磨前の
状態を示し、図１３（ｂ）は研磨後の状態を示す。研磨
後には、半導体デバイスの周縁部で金属膜３８が露出し
ている。研磨後に薬液洗浄すると、図１３（ｃ）に示す
ように金属膜３８が薬液によって侵される。金属膜３８
を薬液に侵されないようにするためには、図１３（ｄ）
に示すように周縁部の研磨量を内部側より少なくして周
縁部の酸化膜３９を厚く残すことが好ましい。このよう
な要請に本発明は好適である。
【００５５】なお、以上の実施例はポリッシング対象物
として半導体ウエハを用いた例について説明したが、ポ
リッシング対象物としてはガラス製品、液晶板、或いは
セラミック製品等にも適用可能であるのは勿論である。
またトップリング１および押圧リング３の押圧手段とし
てエアシリンダを説明したが、液体圧シリンダでも勿論
よい。さらに押圧リングの押圧手段として機械的手段を
説明したが、ピエゾ素子や電磁気力を使用した電気的手
段であってもよい。
として半導体ウエハを用いた例について説明したが、ポ
リッシング対象物としてはガラス製品、液晶板、或いは
セラミック製品等にも適用可能であるのは勿論である。
またトップリング１および押圧リング３の押圧手段とし
てエアシリンダを説明したが、液体圧シリンダでも勿論
よい。さらに押圧リングの押圧手段として機械的手段を
説明したが、ピエゾ素子や電磁気力を使用した電気的手
段であってもよい。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように本発明のポリッシン
グ装置および方法によれば、ポリッシングに際してポリ
ッシング対象物の周縁部における押圧力分布が不均一に
なることを防止して研磨圧力をポリッシング対象物の全
面に亘って均一にし、ポリッシング対象物の周縁部の研
磨量が過不足となることを防止することができる。従っ
て、ポリッシング対象物の全面を平坦かつ鏡面に研磨す
ることができる。そして、半導体製造工程等に用いてよ
り質の高いポリッシングを行うことができ、また半導体
ウエハの周縁部まで製品に供することができるため、半
導体ウエハの歩留りの向上に寄与するものである。
グ装置および方法によれば、ポリッシングに際してポリ
ッシング対象物の周縁部における押圧力分布が不均一に
なることを防止して研磨圧力をポリッシング対象物の全
面に亘って均一にし、ポリッシング対象物の周縁部の研
磨量が過不足となることを防止することができる。従っ
て、ポリッシング対象物の全面を平坦かつ鏡面に研磨す
ることができる。そして、半導体製造工程等に用いてよ
り質の高いポリッシングを行うことができ、また半導体
ウエハの周縁部まで製品に供することができるため、半
導体ウエハの歩留りの向上に寄与するものである。
【００５７】また本発明によれば、半導体ウエハ等のポ
リッシング対象物によってはポリッシング対象物の周縁
部で内部側より意図的に研磨量を多く又は逆に少なくし
たいという要請があるため、この要請にも答えることが
できるようにポリッシング対象物の周縁部の研磨量を意
図的に増減することができる。
リッシング対象物によってはポリッシング対象物の周縁
部で内部側より意図的に研磨量を多く又は逆に少なくし
たいという要請があるため、この要請にも答えることが
できるようにポリッシング対象物の周縁部の研磨量を意
図的に増減することができる。
【００５８】さらに本発明によれば、トップリングはポ
リッシング対象物を収容する凹部を有しているため、押
圧リングがトップリングに対して上下動する際に、ポリ
ッシング対象物の外周面をこすることがない。そのた
め、ポリッシング対象物の研磨中に押圧リングの上下動
により生ずる研磨性能への影響を避けることができる。
リッシング対象物を収容する凹部を有しているため、押
圧リングがトップリングに対して上下動する際に、ポリ
ッシング対象物の外周面をこすることがない。そのた
め、ポリッシング対象物の研磨中に押圧リングの上下動
により生ずる研磨性能への影響を避けることができる。
【図１】本発明の基本概念を説明する説明図である。
【図２】トップリングの押圧力と押圧リングの押圧力の
関係を変更した場合の挙動を説明する説明図である。
関係を変更した場合の挙動を説明する説明図である。
【図３】本発明の基本概念に基づいて半導体ウエハを研
磨した場合の実験結果を示すグラフである。
磨した場合の実験結果を示すグラフである。
【図４】本発明に係るポリッシング装置の第１実施例の
全体構成を示す断面図である。
全体構成を示す断面図である。
【図５】本発明に係るポリッシング装置の第１実施例の
要部構成を示す断面図である。
要部構成を示す断面図である。
【図６】本発明に係るポリッシング装置の第１実施例に
おけるトップリングと押圧リングの詳細を示す図であ
る。
おけるトップリングと押圧リングの詳細を示す図であ
る。
【図７】本発明に係るポリッシング装置の第２実施例の
要部構成を示す断面図である。
要部構成を示す断面図である。
【図８】本発明に係るポリッシング装置の第３実施例の
要部構成を示す断面図である。
要部構成を示す断面図である。
【図９】本発明に係るポリッシング装置の第４実施例の
要部構成を示す断面図である。
要部構成を示す断面図である。
【図１０】トップリングの変形例を示す図である。
【図１１】トップリングの更に変形例を示す図である。
【図１２】本発明に係るポリッシング装置の第５実施例
の要部構成を示す断面図である。
の要部構成を示す断面図である。
【図１３】ポリッシング対象物の周縁部を内部側より意
図的に研磨量を少なくする場合の例を示す説明図であ
る。
図的に研磨量を少なくする場合の例を示す説明図であ
る。
【図１４】従来のポリッシング装置の概略構造を示す断
面図である。
面図である。
【図１５】従来のポリッシング装置における半導体ウエ
ハと研磨布と弾性マットとの状態を示す拡大断面図であ
る。
ハと研磨布と弾性マットとの状態を示す拡大断面図であ
る。
【図１６】半導体ウエハの半径方向位置と研磨圧力との
関係及び半径方向位置と膜厚との関係を示すグラフであ
る。
関係及び半径方向位置と膜厚との関係を示すグラフであ
る。
１ トップリング ２ 弾性マット ３ 押圧リング ４ 半導体ウエハ ５ ターンテーブル ６ 研磨布 ７ ボール ８ トップリングシャフト ９ トップリングヘッド １０ トップリング用エアシリンダ １８ キー １９ ベアリング ２０ ベアリング押え ２２ 押圧リング用エアシリンダ ２４ 圧縮空気源 ２５ 砥液供給ノズル ２６ 押圧リング押え ２７ ローラ ３１，３５ 押圧リング用エアシリンダ ３２ ロータリジョイント ３３ 演算器 ３６ 基材 ３７，３９ 酸化膜 ３８ 金属膜 Ｒ１，Ｒ２ レギュレータ ５１，６１，７１ トップリング ５２，７２ トップリング本体 ６３，７５ 押圧リング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 陽子 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会 社 荏原製作所内 (56)参考文献 特開 昭63−300858（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−19863（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−225821（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−229808（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−155730（ＪＰ，Ａ) 米国特許5205082（ＵＳ，Ａ) 米国特許4954142（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B24B 37/00 B24B 37/04 H01L 21/304 622
Claims (17)
- 【請求項１】 上面に研磨布を貼ったターンテーブルと
トップリングとを有し、前記ターンテーブルとトップリ
ングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の力
で押圧することによって該ポリッシング対象物を研磨
し、平坦且つ鏡面化するポリッシング装置において、 前記ポリッシング対象物を収容する凹部を有し該凹部の
内周面によってポリッシング対象物の外周部を保持する
トップリングの周囲に押圧リングを上下動自在に配置
し、前記押圧リングを研磨布に対して押圧する押圧手段
を設け、該押圧手段の押圧力を可変にしたことを特徴と
するポリッシング装置。 - 【請求項２】 前記トップリングがポリッシング対象物
に与える押圧力と前記押圧リングが研磨布に与える押圧
力は、それぞれ独立に変更可能であることを特徴とする
請求項１記載のポリッシング装置。 - 【請求項３】 前記押圧リングが研磨布に与える押圧力
は、前記トップリングがポリッシング対象物に与える押
圧力に基づいて決定することを特徴とする請求項１記載
のポリッシング装置。 - 【請求項４】 前記ポリッシング対象物の周縁部の研磨
量と内部の研磨量とが同一となるように、前記押圧リン
グが研磨布に与える押圧力を前記トップリングがポリッ
シング対象物に与える押圧力とほぼ同一とすることを特
徴とする請求項３記載のポリッシング装置。 - 【請求項５】 前記ポリッシング対象物の周縁部の研磨
量を内部の研磨量より多くするように、前記押圧リング
が研磨布に与える押圧力を前記トップリングがポリッシ
ング対象物に与える押圧力より小さくすることを特徴と
する請求項３記載のポリッシング装置。 - 【請求項６】 前記ポリッシング対象物の周縁部の研磨
量を内部の研磨量より少なくするように、前記押圧リン
グが研磨布に与える押圧力を前記トップリングがポリッ
シング対象物に与える押圧力より大きくすることを特徴
とする請求項３記載のポリッシング装置。 - 【請求項７】 前記トップリングは、ポリッシング対象
物の上面を保持するトップリング本体と、このトップリ
ング本体の外周部に着脱可能に配置されポリッシング対
象物の外周部を保持するリング状部材とからなり、前記
ポリッシング対象物を収容する凹部は前記トップリング
本体の下面と前記リング状部材の内周面とにより形成さ
れていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１
項に記載のポリッシング装置。 - 【請求項８】 前記押圧リングの押圧手段は、流体圧シ
リンダからなることを特徴とする請求項１乃至７のいず
れか１項に記載のポリッシング装置。 - 【請求項９】 前記流体圧シリンダはトップリングを支
持するトップリングヘッドに固定されていることを特徴
とする請求項８記載のポリッシング装置。 - 【請求項１０】前記流体圧シリンダはトップリングに固
定されていることを特徴とする請求項８記載のポリッシ
ング装置。 - 【請求項１１】前記押圧リングは、自身の軸線に対して
非回転に構成されていることを特徴とする請求項１記載
のポリッシング装置。 - 【請求項１２】 上面に研磨布を貼ったターンテーブル
とトップリングとを有し、前記ターンテーブルとトップ
リングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の
力で押圧することによって該ポリッシング対象物を研磨
し、平坦且つ鏡面化するポリッシング方法において、 前記ポリッシング対象物を収容する凹部を有し該凹部の
内周面によってポリッシング対象物の外周部を保持する
トップリングの周囲に押圧リングを上下動自在に配置
し、ポリッシング対象物が接触する研磨布の周囲を、押
圧リングによりトップリングの押圧力に基づいて決定さ
れた押圧力で押圧しながら研磨することを特徴とするポ
リッシング方法。 - 【請求項１３】 前記トップリングがポリッシング対象
物に与える押圧力と前記押圧リングが研磨布に与える押
圧力は、それぞれ独立に変更可能であることを特徴とす
る請求項１２記載のポリッシング方法。 - 【請求項１４】 前記ポリッシング対象物の周縁部の研
磨量を内部の研磨量と同一となるように、前記押圧リン
グが研磨布に与える押圧力と前記トップリングがポリッ
シング対象物に与える押圧力とをほぼ同一とすることを
特徴とする請求項１２記載のポリッシング方法。 - 【請求項１５】 前記ポリッシング対象物の周縁部の研
磨量を内部の研磨量より多くするように、前記押圧リン
グが研磨布に与える押圧力を前記トップリングがポリッ
シング対象物に与える押圧力より小さくすることを特徴
とする請求項１２記載のポリッシング方法。 - 【請求項１６】 前記ポリッシング対象物の周縁部の研
磨量を内部の研磨量より少なくするように、前記押圧リ
ングが研磨布に与える押圧力を前記トップリングがポリ
ッシング対象物に与える押圧力より大きくすることを特
徴とする請求項１２記載のポリッシング方法。 - 【請求項１７】 半導体製造方法において、ターンテー
ブルとトップリングとの間に半導体ウエハを介在させて
所定の力で押圧することによって半導体ウエハを研磨す
るに際して、半導体ウエハを収容する凹部を有し該凹部
の内周面によってポリッシング対象物の外周部を保持す
るトップリングの周囲に押圧リングを上下動自在に配置
し、半導体ウエハが接触する研磨布の周囲を、押圧リン
グによりトップリングの押圧力に基づいて決定された押
圧力で押圧しながら研磨することを特徴とする半導体製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28147896A JP3045966B2 (ja) | 1996-02-16 | 1996-10-02 | ポリッシング装置および方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5405596 | 1996-02-16 | ||
| JP8-54055 | 1996-06-11 | ||
| JP17173596 | 1996-06-11 | ||
| JP8-171735 | 1996-06-11 | ||
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1996
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