JP3052292B2 - Radiation-sensitive resin composition - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、感放射線性樹脂組成物
に関する。さらに詳しくはアルカリ可溶性樹脂および
1,2−キノンジアジド化合物に特定の構造を有する化
合物を添加してなる、紫外線、遠紫外線、X線、電子
線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線、プロトンビ
−ム等の放射線に感応する、特に集積回路作製のための
レジストとして好適なポジ型感放射線性樹脂組成物に関
する。The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition. More specifically, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-ray, electron beam, molecular beam, γ-ray, synchrotron radiation, proton beam obtained by adding a compound having a specific structure to an alkali-soluble resin and a 1,2-quinonediazide compound. The present invention relates to a positive-type radiation-sensitive resin composition which is sensitive to radiation such as, for example, a resist suitable for producing an integrated circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、集積回路を作製するために使用さ
れるレジストとしては、環化ゴムにビスアジド化合物を
配合したネガ型レジストと、アルカル可溶性樹脂に1,
2−キノンジアジド化合物を配合したポジ型レジストと
が知られている。ネガ型レジストは、紫外線照射により
ビスアジド化合物が窒素を脱離してナイトレンとなり、
環化ゴムを三次元架橋するため、環化ゴムの溶剤からな
る現像液に対する紫外線照射部分と未照射部分との溶解
性に差が生じ、これによりパタ−ニングされる。しかし
ながら、架橋といっても紫外線照射部分が完全に硬化す
るわけではないため、現像液中でのレジストパタ−ンの
膨潤が大きく、レジストパタ−ンの解像度が悪いという
欠点がある。2. Description of the Related Art Conventionally, resists used for fabricating integrated circuits include a negative type resist in which a bisazide compound is blended with a cyclized rubber, and a 1,2-type resist in an alkali-soluble resin.
A positive resist containing a 2-quinonediazide compound is known. In a negative resist, the bisazide compound desorbs nitrogen by ultraviolet irradiation to become nitrene,
Since the cyclized rubber is three-dimensionally cross-linked, a difference is caused in the solubility between the UV-irradiated portion and the non-irradiated portion in a developing solution comprising a solvent of the cyclized rubber, whereby patterning is performed. However, the crosslinking does not completely cure the UV-irradiated portion, so that the resist pattern has a large swelling in the developing solution, resulting in poor resolution of the resist pattern.
【0003】一方、ポジ型レジストは、アルカリ可溶性
樹脂にアルカリ不溶性の1,2−キノンジアジド化合物
を配合するため、アルカリ性水溶液からなる現像液に溶
解しにくく、ほとんど膨潤もしない。すなわちポジ型レ
ジストでは紫外線照射部分の1,2−キノンジアジド化
合物がインデンカルボン酸に変化し、アルカリ性水溶液
からなる現像液で現像されても、レジストパタ−ンとな
る紫外線未照射部分の変化が極端に少ないため、マスク
のパタ−ンに忠実な、かつ高い解像度のレジストパタ−
ンが得られる。このため集積回路の高集積度化が要求さ
れる近年は、解像度の優れたポジ型レジストが多く用い
られている。On the other hand, since a positive resist contains an alkali-soluble resin and an alkali-insoluble 1,2-quinonediazide compound, it hardly dissolves in a developing solution composed of an alkaline aqueous solution and hardly swells. That is, in the positive resist, the 1,2-quinonediazide compound in the UV-irradiated portion changes to indene carboxylic acid, and even when the resist is developed with a developing solution composed of an alkaline aqueous solution, the change in the UV-irradiated portion as a resist pattern is extremely small. Therefore, a resist pattern with high resolution that is faithful to the pattern of the mask
Is obtained. For this reason, in recent years, where high integration of integrated circuits is required, positive resists having excellent resolution are often used.
【0004】しかしながら、アルカリ可溶性樹脂と1,
2−キノンジアジド化合物を溶剤に溶解させてなるポジ
型レジストの場合、長期間保存すると、アルカリ可溶性
樹脂の劣化および1,2−キノンジアジド化合物の変質
が徐々に進み、感度変化、レジスト溶液の粘度変化等を
起こす問題がある。However, alkali-soluble resins and 1,1,
In the case of a positive resist prepared by dissolving a 2-quinonediazide compound in a solvent, if stored for a long period of time, the deterioration of the alkali-soluble resin and the deterioration of the 1,2-quinonediazide compound will gradually progress, causing a change in sensitivity, a change in viscosity of the resist solution, and the like. There is a problem that causes.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする問題点】本発明の目的は、前
記従来技術の問題点を解決し、感度変化および溶液の粘
度変化に対しての保存安定性に優れたポジ型の感放射線
性樹脂組成物を提供することにある。DISCLOSURE OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and to provide a positive-type radiation-sensitive resin excellent in storage stability against a change in sensitivity and a change in viscosity of a solution. It is to provide a composition.
【0006】[0006]
【問題点を解決するための手段】本発明によれば、上記
本発明の目的および利点は、アルカリ可溶性樹脂と1,
2−キノンジアジド化合物とを含有する感放射線性樹脂
組成物であって、下記構造式(I)〜(IV):According to the present invention, the object and advantages of the present invention are as follows:
A radiation-sensitive resin composition containing a 2-quinonediazide compound, and having the following structural formulas (I) to (IV):
【0007】[0007]
【化2】 Embedded image
【0008】の少なくとも1種を分子内に有する化合物
を少なくとも1種含有し、かつ該化合物の含有量が前記
アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して0.001〜
10重量部であることを特徴とする感放射線性樹脂組成
物によって達成される。[0008] At least one compound having at least one compound in the molecule is contained, and the content of the compound is 0.001 to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.
It is achieved by a radiation-sensitive resin composition characterized by being 10 parts by weight.
【0009】本発明に用いられる構造式(I)〜(I
V)の少なくとも1種を分子内に有する化合物として
は、下記化合物を好適例として挙げることができる。The structural formulas (I) to (I) used in the present invention
As the compound having at least one kind of V) in the molecule, the following compounds can be mentioned as preferred examples.
【0010】構造式(I)を有する化合物としては、例
えば 4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
4−ジメチルアミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペ
リジン、4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチル
ピペリジン、N−メチル−4−アミノ−2,2,6,6−
テトラメチルピペリジン、N−メチル−4−ジメチルア
ミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、N−メ
チル−4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピ
ペリジン、2−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロ
キシベンジル)−2−n−ブチルマロン酸ビス(1,2,
2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)、Sumi
sorb LS−2000(住友化学工業社製)、TI
NUVIN 144、TINUVIN 770、TIN
UVIN 622LD、CHIMASSORB 119
FL、CHIMASSORB 944LD、CHIMA
SSORB 944FL(チバガイキ−社製)、MAR
K LA−57、MARK LA−77、MARK L
A−62、MARK LA−67、MARK LA−6
3、MARK LA−68、MARK LA−82、M
ARK LA−87(アデカア−ガス社製)等のピペリ
ジン系化合物等が挙げられる。Compounds having the structural formula (I) include, for example, 4-amino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine,
4-dimethylamino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, N-methyl-4-amino-2,2,6,6-
Tetramethylpiperidine, N-methyl-4-dimethylamino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, N-methyl-4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 2- (3, Bis (1,2,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -2-n-butylmalonate
2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl), Sumi
sorb LS-2000 (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), TI
NUVIN 144, TINUVIN 770, TIN
UVIN 622LD, CHIMASSORB 119
FL, CHIMASSORB 944LD, CHIMA
SSORB 944FL (manufactured by Ciba Gaiki), MAR
K LA-57, MARK LA-77, MARK L
A-62, MARK LA-67, MARK LA-6
3, MARK LA-68, MARK LA-82, M
Piperidine-based compounds such as ARK LA-87 (manufactured by Adeka Gas);
【0011】構造式(II)を有する化合物としては、
例えば2,2,5,5−テトラメチルピロリジン−3−カ
ルボキサミド、2,2,5,5−テトラメチルピロリジン
−3−カルボン酸、3−シアノ−2,2,5,5−テトラ
メチルピロリジン、1,2,2,5,5−ペンタメチルピロ
リジン−3−カルボキサミド、1,2,2,5,5−ペンタ
メチルピロリジン−3−カルボン酸、3−シアノ−1,
2,2,5,5−ペンタメチルピロリジン、等が挙げられ
る。The compound having the structural formula (II) includes
For example, 2,2,5,5-tetramethylpyrrolidine-3-carboxamide, 2,2,5,5-tetramethylpyrrolidine-3-carboxylic acid, 3-cyano-2,2,5,5-tetramethylpyrrolidine, 1,2,2,5,5- pentamethyl-pyrrolidin-3-mosquito Rubokisamido, 1,2,2,5,5- pentamethyl-pyrrolidine-3-carboxylic acid, 3-cyano-1,
2,2,5,5-pentamethylpyrrolidine and the like.
【0012】構造式(III)を有する化合物として
は、例えば 2,2,4−トリメチル−1,2−ジヒドロキノリン、6
−メトキシ−2,2,4−トリメチル−1,2−ジヒドロ
キノリン、N−メチル−2,2,4−トリメチル−1,2
−ジヒドロキノリン、N−メチル−6−メトキシ−2,
2,4−トリメチル−1,2−ジヒドロキノリン等が挙げ
られる。As the compound having the structural formula (III), for example, 2,2,4-trimethyl-1,2-dihydroquinoline, 6
-Methoxy-2,2,4-trimethyl-1,2-dihydroquinoline, N-methyl-2,2,4-trimethyl-1,2
-Dihydroquinoline, N-methyl-6-methoxy-2,
2,4-trimethyl-1,2-dihydroquinoline and the like.
【0013】構造式(IV)を有する化合物としては、
例えば 2,2,4−トリメチル−1,2,3,4−テトラヒドロキ
ノリン、6−エトキシ−2,2,4−トリメチル−1,2,
3,4−テトラヒドロキノリン、N−メチル−2,2,4
−トリメチル−1,2,3,4−テトラヒドロキノリン、
N−メチル−6−エトキシ−2,2,4−トリメチル−
1,2,3,4−テトラヒドロキノリン等が挙げられる。The compound having the structural formula (IV) includes
For example, 2,2,4-trimethyl-1,2,3,4-tetrahydroquinoline, 6-ethoxy-2,2,4-trimethyl-1,2,
3,4-tetrahydroquinoline, N-methyl-2,2,4
-Trimethyl-1,2,3,4-tetrahydroquinoline,
N-methyl-6-ethoxy-2,2,4-trimethyl-
1,2,3,4-tetrahydroquinoline and the like.
【0014】これらの化合物のうち、好適な化合物とし
て、例えば TINUVIN 144、TINUVIN 622L
D、MARK LA−57、MARK LA−63、M
ARK LA−68、4−ヒドロキシ−2,2,6,6−
テトラメチルピペリジン、2,2,4−トリメチル−1,
2−ジヒドロキノリン、6−メトキシ−2,2,4−トリ
メチル−1,2−ジヒドロキノリン、6−エトキシ−2,
2,4−トリメチル−1,2,3,4−テトラヒドロキノリ
ン、等が挙げられる。Among these compounds, preferred compounds include, for example, TINUVIN 144, TINUVIN 622L
D, MARK LA-57, MARK LA-63, M
ARK LA-68, 4-hydroxy-2,2,6,6-
Tetramethylpiperidine, 2,2,4-trimethyl-1,
2-dihydroquinoline, 6-methoxy-2,2,4-trimethyl-1,2-dihydroquinoline, 6-ethoxy-2,
2,4-trimethyl-1,2,3,4-tetrahydroquinoline and the like.
【0015】これらの化合物は、単独でまたは2種以上
組み合わせて用いることができる。前記構造式(I)〜
(IV)の少なくとも1種を分子内に有する化合物の使
用割合は、アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して
0.001〜10重量部、好ましくは0.01〜5重量部
である。使用割合が0.001重量部未満では、感度お
よび溶液の粘度に対しての保存安定性が悪化し、また使
用割合が10重量部を超えると、感度、残膜率、解像度
等のレジスト性能が悪化するので好ましくない。These compounds can be used alone or in combination of two or more. The structural formulas (I) to
The use ratio of the compound having at least one kind of (IV) in the molecule is 0.001 to 10 parts by weight, preferably 0.01 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. If the use ratio is less than 0.001 part by weight, the sensitivity and the storage stability with respect to the viscosity of the solution are deteriorated. If the use ratio exceeds 10 parts by weight, the resist performance such as sensitivity, remaining film ratio, and resolution is deteriorated. It is not preferable because it deteriorates.
【0016】本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂と
しては、例えばアルカリ可溶性ノボラック樹脂(以下、
単に「ノボラック樹脂」という)を好ましいものとして
挙げることができる。ノボラック樹脂は、フェノ−ル類
とアルデヒド類とを酸触媒の存在下に縮合して得られ
る。As the alkali-soluble resin used in the present invention, for example, an alkali-soluble novolak resin (hereinafter, referred to as an alkali-soluble novolak resin)
Simply referred to as "novolak resin"). Novolak resins are obtained by condensing phenols and aldehydes in the presence of an acid catalyst.
【0017】この際用いられるフェノ−ル類としては、
例えば フェノ−ル、o−クレゾ−ル、m−クレゾ−ル、p−ク
レゾ−ル、o−エチルフェノ−ル、m−エチルフェノ−
ル、p−エチルフェノ−ル、o−ブチルフェノ−ル、m
−ブチルフェノ−ル、p−ブチルフェノ−ル、2,3−
キシレノ−ル、2,4−キシノレ−ル、2,5−キシレノ
−ル、3,4−キシレノ−ル、3,5−キシレノ−ル、
2,3,5−トリメチルフェノ−ル、p−フェニルフェノ
−ル、ヒドロキシノン、カテコ−ル、レゾルシノ−ル、
2−メチルレゾルシノ−ル、ピロガロ−ル、α−ナフト
−ル、ビスフェノ−ルA、ジヒドロキシ安息香酸エステ
ル、没食子酸エステル等が挙げられる。The phenols used at this time include:
For example, phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, m-ethylphenol
, P-ethylphenol, o-butylphenol, m
-Butylphenol, p-butylphenol, 2,3-
Xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol,
2,3,5-trimethylphenol, p-phenylphenol, hydroxynon, catechol, resorcinol,
Examples include 2-methylresorcinol, pyrogallol, α-naphthol, bisphenol A, dihydroxybenzoic acid ester, and gallic acid ester.
【0018】これらのフェノ−ル類のうちフェノ−ル、
o−クレゾ−ル、m−クレゾ−ル、p−クレゾ−ル、
2,3−キシレノ−ル、2,5−キシレノ−ル、3,4−
キシレノ−ル、3,5−キシレノ−ル、2,3,5−トリ
メチルフェノ−ル、レゾルシノ−ル、2−メチルレゾル
シノ−ルおよびビスフェノ−ルAが好ましい。これらの
フェノ−ル類は、単独でまたは2種以上組み合わせて用
いられる。Of these phenols, phenol,
o-cresol, m-cresol, p-cresol,
2,3-xylenol, 2,5-xylenol, 3,4-
Xylenol, 3,5-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, resorcinol, 2-methylresorcinol and bisphenol A are preferred. These phenols are used alone or in combination of two or more.
【0019】また、アルデヒド類としては、例えばホル
ムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアレデヒ
ド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニル
アセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、
β−フェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−
ヒドロキシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデ
ヒド、m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズ
アルデヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロ
ベンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−
メチルベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒ
ド、p−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズア
ルデヒド、p−n−ブチルベンズアルデヒド等が挙げら
れる。The aldehydes include, for example, formaldehyde, paraformaldehyde, acetoaldehyde, propylaldehyde, benzaldehyde, phenylacetaldehyde, α-phenylpropylaldehyde,
β-phenylpropyl aldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde, p-
Hydroxybenzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde, m-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde, o-nitrobenzaldehyde, m-nitrobenzaldehyde, p-nitrobenzaldehyde, o-
Examples include methylbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde, p-methylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde, pn-butylbenzaldehyde and the like.
【0020】これらのアルデヒド類のうちホルムアルデ
ヒド、アセトアルデヒドおよびベンズアルデヒドが好ま
しい。これらのアルデヒド類は、単独でまたは2種以上
組み合わせて使用することができる。アルデヒド類の使
用量は、フェノ−ル類1モル当たり、好ましくは0.7
〜3モルである。Of these aldehydes, formaldehyde, acetaldehyde and benzaldehyde are preferred. These aldehydes can be used alone or in combination of two or more. The amount of the aldehyde used is preferably 0.7 per mole of the phenol.
モ ル 3 mol.
【0021】酸触媒としては、例えば塩酸、硝酸、硫
酸、蟻酸、蓚酸、酢酸等が用いられる。これらの酸触媒
の使用量は、通常、フェノ−ル類1モル当たり1×10
-4〜5×10-1モルである。As the acid catalyst, for example, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, formic acid, oxalic acid, acetic acid and the like are used. The amount of these acid catalysts used is usually 1 × 10 5 per mole of phenols.
−4 to 5 × 10 −1 mol.
【0022】縮合反応においては、通常、反応媒質とし
て水が用いられるが、縮合反応において使用するフェノ
−ル類がアルデヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期か
ら不均一系になる場合には、反応媒質として親水性溶媒
を使用することもできる。この際用いられる親水性溶液
としては、例えばメタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−
ル、ブタノ−ル等のアルコ−ル類、またはテトラヒドロ
フラン、ジオキサン等の環状エ−テル類が挙げられる。
これらの反応媒質の使用は、通常、反応原料100重量
部当たり、20〜1000重量部である。In the condensation reaction, water is usually used as a reaction medium. However, when the phenols used in the condensation reaction do not dissolve in the aqueous solution of the aldehyde and become heterogeneous from the beginning of the reaction, A hydrophilic solvent can also be used as a reaction medium. Examples of the hydrophilic solution used in this case include methanol, ethanol, and propanol.
And alcohols such as butanol and cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane.
The use of these reaction media is usually 20 to 1000 parts by weight per 100 parts by weight of the reaction raw materials.
【0023】縮合反応の反応温度は、反応原料の反応性
に応じて適宜調整することができるが、通常、10〜2
00℃である。The reaction temperature of the condensation reaction can be appropriately adjusted according to the reactivity of the reaction raw materials.
00 ° C.
【0024】縮合反応終了後、系内に存在する未反応原
料、酸触媒および反応媒質を除去し、ノボラック樹脂を
回収する。After completion of the condensation reaction, unreacted raw materials, acid catalyst and reaction medium present in the system are removed, and a novolak resin is recovered.
【0025】本発明においては、ノボラック樹脂以外の
アルカリ可溶性樹脂も用いられる。かかる樹脂として
は、例えばポリヒドロキシスチレンまたはその誘導体、
スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリビニルヒドロ
キシベンゾエ−ト、カルボキシル基含有メタアクリル系
樹脂等が用いられる。In the present invention, an alkali-soluble resin other than the novolak resin is used. Examples of such a resin include polyhydroxystyrene or a derivative thereof,
Styrene-maleic anhydride copolymer, polyvinyl hydroxybenzoate, carboxyl group-containing methacrylic resin and the like are used.
【0026】本発明において使用するアルカリ可溶性樹
脂のポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw]
と称する)は、2,000〜20,000であることが好
ましく、3,000〜15,000であることがさらに好
ましい。Mwが20,000を超えると、本発明の組成
物をウェハ−に均一に塗布することが困難な場合があ
り、さらに現像性および感度が低下する傾向がみられ
る。The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the alkali-soluble resin used in the present invention (hereinafter referred to as “Mw”)
Is preferably 2,000 to 20,000, more preferably 3,000 to 15,000. When Mw exceeds 20,000, it may be difficult to uniformly apply the composition of the present invention to a wafer, and there is a tendency for developability and sensitivity to decrease.
【0027】これらのアルカリ可溶性樹脂は単独でまた
は2種以上組み合せて使用することができる。These alkali-soluble resins can be used alone or in combination of two or more.
【0028】また本発明においては、上記ノボラック樹
脂のアルカリ溶解性を促進する等の目的で低分子量のフ
ェノール化合物を溶解促進剤として使用することもでき
る。In the present invention, a phenol compound having a low molecular weight may be used as a dissolution promoter for the purpose of promoting the alkali solubility of the novolak resin.
【0029】この低分子量のフェノール化合物として
は、ベンゼン環数が2〜6程度のフェノール化合物が好
適であり、特に限定されるものではないが下記式3、式
4で表わされる化合物を例示することができる。As the low molecular weight phenol compound, a phenol compound having a benzene ring number of about 2 to 6 is suitable, and although not particularly limited, compounds represented by the following formulas 3 and 4 are exemplified. Can be.
【0030】[0030]
【化3】 Embedded image
【0031】[0031]
【化4】 Embedded image
【0032】(但し、式中、Rは水素原子またはメチル
基を示し、a,b,cおよびdはそれぞれ0〜3の整数
であり(但し、何れも0の場合は除く)、k,l,m,
およびnはそれぞれ0〜3の整数である。)(Wherein, R represents a hydrogen atom or a methyl group, a, b, c and d are each an integer of 0 to 3 (except when all are 0), and k, l , M,
And n are each an integer of 0 to 3. )
【0033】かかる低分子量フェノ−ル化合物の配合量
は、通常、ノボラック樹脂100重量部当り50重量部
以下とすることが好ましい。The amount of the low molecular weight phenol compound to be blended is usually preferably 50 parts by weight or less per 100 parts by weight of the novolak resin.
【0034】また上記と同様の目的で、溶解促進剤とし
て、低分子量のアルカリ可溶性ノボラック樹脂またはア
ルカリ可溶性レゾ−ル樹脂(以下、これらを単に「樹脂
(A)」と称する)を使用することもできる。For the same purpose as described above, a low molecular weight alkali-soluble novolak resin or an alkali-soluble resole resin (hereinafter simply referred to as “resin (A)”) may be used as a dissolution accelerator. it can.
【0035】ここで樹脂(A)は、フェノ−ル類とアル
デヒド類との縮合によって得られる。フェノール類とし
ては、前記ノボラック樹脂の合成に用いられるフェノ−
ル類として例示したものの他、1−ナフト−ル、2−ナ
フト−ル等を使用するこどができる。またアルデヒド類
としても、前記樹脂(A)の合成に用いられるものを使
用することができる。アルデヒド類の使用量は、フェノ
−ル類1モルに対して、0.1〜3モルが好ましく、よ
り好ましくは0.2〜1.5モルである。またこの縮合に
おいては、ノボラック樹脂の縮合に用いる酸触媒の他、
アルカリ触媒も用いることができる。The resin (A) is obtained by condensation of phenols and aldehydes. As phenols, phenol used in the synthesis of the novolak resin
In addition to those exemplified above, 1-naphthol, 2-naphthol and the like can be used. As the aldehydes, those used in the synthesis of the resin (A) can be used. The amount of the aldehyde used is preferably 0.1 to 3 mol, more preferably 0.2 to 1.5 mol, per 1 mol of the phenol. In addition, in this condensation, in addition to the acid catalyst used for the condensation of the novolak resin,
Alkaline catalysts can also be used.
【0036】樹脂(A)のMwは、通常、10,000
以下であることが好ましく、200〜2,000である
ことがさらに好ましく、300〜1,000であること
が特に好ましい。このような樹脂(A)としては、フェ
ノ−ル/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、m−ク
レゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、p−
クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、o
−クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、
m−クレゾール/p−クレゾール/ホルムアルデヒド縮
合ノボラック樹脂等を挙げることができる。このような
樹脂(A)の配合量は、一般に、ノボラック樹脂100
重量部当り、50重量部以下である。The Mw of the resin (A) is usually 10,000
It is preferably the following, more preferably from 200 to 2,000, and particularly preferably from 300 to 1,000. Examples of such resin (A) include phenol / formaldehyde condensed novolak resin, m-cresol / formaldehyde condensed novolak resin, p-
Cresol / formaldehyde condensed novolak resin, o
Cresol / formaldehyde condensed novolak resin,
m-cresol / p-cresol / formaldehyde condensed novolak resin. Generally, the amount of the resin (A) is 100
It is 50 parts by weight or less per part by weight.
【0037】本発明に用いられる1,2−キノンジアジ
ド化合物は、特に限定されない。かかる化合物として
は、例えば1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル等の1,2−キノンジアジドスル
ホン酸エステルが挙げられ、以下のものを例示すること
ができる。The 1,2-quinonediazide compound used in the present invention is not particularly limited. Such compounds include, for example, 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, and 1,2-naphthoquinonediazide-5.
And 1,2-quinonediazidosulfonic acid esters such as sulfonic acid esters. Examples thereof include the following.
【0038】2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
3'−メトキシ−2,3,4,4'−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、2,2',5,5'−テトラメチル−2",4,
4'−トリヒドロキシトリフェニルメタン、1,1,1−
トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)−4−〔1−(4−ヒド
ロキシフェニル)−1−メチルエチル〕−1−フェニル
エタン、2,4,4−トリメチル−2',4',7−トリヒド
ロキシ−2−フェニルフラバン1,1,3−トリス(4−
ヒドロキシフェニル)ブタン、1,1,3−トリス(2,
5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン等の
1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステル、または1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステル。2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone,
3'-methoxy-2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ', 5,5'-tetramethyl-2 ", 4,
4'-trihydroxytriphenylmethane, 1,1,1-
Tris (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -4- [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1-phenylethane, 2,4,4- Trimethyl-2 ', 4', 7-trihydroxy-2-phenylflavan 1,1,3-tris (4-
(Hydroxyphenyl) butane, 1,1,3-tris (2,
1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester such as 5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) propane, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester.
【0039】前述した樹脂(A)の水酸基の水素原子
を、例えば水素1原子当たり0.2〜1モルの割合で1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基で置換し
た1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル。The hydrogen atoms of the hydroxyl groups of the resin (A) are converted to 1,2 at a ratio of, for example, 0.2 to 1 mol per hydrogen atom.
1,2-quinonediazidesulfonic acid ester substituted with a 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group.
【0040】これらの1,2−キノンジアジド化合物は
単独でまたは2種以上混合して使用される。These 1,2-quinonediazide compounds are used alone or as a mixture of two or more.
【0041】これらの1,2−キノンジアジド化合物の
配合量は、前記アルカリ可溶性樹脂100重量部に対し
て、通常、5〜100重量部、好ましくは10〜50重
量部用いられる。この配合量が少なすぎると、1,2−
キノンジアジド化合物が放射線を吸収して生成するカル
ボン酸量が少ないので、パタ−ニングが困難となり、一
方、多すぎると、短時間の放射線照射では加えた1,2
−キノンジアジド化合物の全てを分解することができ
ず、アルカリ性水溶液からなる現像液による現像が困難
となる。The amount of the 1,2-quinonediazide compound is usually 5 to 100 parts by weight, preferably 10 to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. If the amount is too small, 1,2-
Since the quinonediazide compound absorbs radiation and generates a small amount of carboxylic acid, patterning becomes difficult. On the other hand, if it is too large, 1,2 may be added in short-time irradiation.
-All of the quinonediazide compound cannot be decomposed, and development with a developing solution composed of an alkaline aqueous solution becomes difficult.
【0042】また本発明においては、前記構造式(I)
〜(IV)の少なくとも1種を分子内に有する化合物
に、フェノ−ル系およびアミン系の老化防止剤を組み合
わせて用いることもできる。このような老化防止剤とし
ては、例えば p−フェニルフェノ−ル、4,4'−ジヒドロキシフェニ
ル、2,5−ジ−t−アミルヒドロキノン、4,4'−ジ
ヒドロキシジフェニルシクロヘキサン、2,2'−メチレ
ンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノ−ル)、
2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾ−ル、4,4'−ブ
チリデン−ビス(6−t−ブチル−m−クレゾ−ル)、
オクタデシル−3−(3',5'−ジ−t−ブチル−4−
ヒドロキシフェニル)−プロピオネ−ト、2,4−ビス
(n−オクチルチオ)−6−(4−ヒドロキシ−3,5
−t−ブチルアニリド)−1,3,5−トリアジン、ノク
ラックNS−5(大内新興社製)、スミライザ−GM
(住友化学社製)等のフェノ−ル系老化防止剤、および
フェニレンジアミン、ジフェニルアミン、アルド−ル−
α−ナフチルアミン、フェニル−α−ナフチルアミン、
フェニ−ル−β−ナフチルアミン、p,p'−ジメトキシ
ジフェニルアミン、オクチレ−ティドジフェニルアミ
ン、N,N'−ジフェニル−p−フェニレンジアミン、
N,N'−ジ−β−ナフチルメチル−p−フェニレンジア
ミン、N−(1,3−ジメチル−ブチル)−N'−フェニ
ル−p−フェニレンジアミン、N,N'−ビス(1,4−
ジメチル−ペンチル)−p−フェニレンジアミン、N−
フェニル−N'−シクロヘキシル−p−フェニレンジア
ミン、N−フェニル−N'−イソプロピル−p−フェニ
レンジアミン、N,N'−ビス(1−メチルヘプチル)−
p−フェニレンジアミン、N,N'−ジアリル−p−フェ
ニレンジアミン等のアミン系老化防止剤が挙げられる。In the present invention, the above-mentioned structural formula (I)
A compound having at least one of (IV) to (IV) in a molecule may be used in combination with a phenol-based or amine-based antioxidant. Such antioxidants include, for example, p-phenylphenol, 4,4'-dihydroxyphenyl, 2,5-di-t-amylhydroquinone, 4,4'-dihydroxydiphenylcyclohexane, 2,2'- Methylene bis (4-methyl-6-t-butylphenol),
2,6-di-tert-butyl-p-cresol, 4,4′-butylidene-bis (6-tert-butyl-m-cresol),
Octadecyl-3- (3 ', 5'-di-t-butyl-4-
(Hydroxyphenyl) -propionate, 2,4-bis (n-octylthio) -6- (4-hydroxy-3,5
-T-butylanilide) -1,3,5-triazine, Nocrack NS-5 (manufactured by Ouchi Shinko Co., Ltd.), Sumilizer-GM
(Manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) and the like, and phenylenediamine, diphenylamine, aldole-
α-naphthylamine, phenyl-α-naphthylamine,
Phenyl-β-naphthylamine, p, p′-dimethoxydiphenylamine, octylated diphenylamine, N, N′-diphenyl-p-phenylenediamine,
N, N′-di-β-naphthylmethyl-p-phenylenediamine, N- (1,3-dimethyl-butyl) -N′-phenyl-p-phenylenediamine, N, N′-bis (1,4-
Dimethyl-pentyl) -p-phenylenediamine, N-
Phenyl-N'-cyclohexyl-p-phenylenediamine, N-phenyl-N'-isopropyl-p-phenylenediamine, N, N'-bis (1-methylheptyl)-
Examples include amine antioxidants such as p-phenylenediamine and N, N'-diallyl-p-phenylenediamine.
【0043】これらの老化防止剤の使用割合は、前記ア
ルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、通常、10重
量部以下、好ましくは5重量部以下である。The use ratio of these antioxidants is usually 10 parts by weight or less, preferably 5 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.
【0044】本発明の組成物には、レジストとしての感
度を向上させるために、増感剤を配合することができ
る。これらの増感剤としては、例えば2H−ピリド
〔3,2−b〕−1,4−オキサジン−3〔4H〕オン
類、10H−ピリド〔3,2−b〕〔1,4〕−ベンゾチ
アジン類、ウラゾ−ル類、ヒダントイン類、バルビツ−
ル酸類、グリシン無水物類、1−ヒドロキシベンゾトリ
アゾ−ル類、アロキサン類、マレイミド類等が挙げられ
る。これらの増感剤の配合量は前記アルカリ可溶性樹脂
100重量部に対して、通常、50重量部以下である。The composition of the present invention may contain a sensitizer in order to improve the sensitivity as a resist. Examples of these sensitizers include 2H-pyrido [3,2-b] -1,4-oxazin-3 [4H] ones and 10H-pyrido [3,2-b] [1,4] -benzothiazine , Urasols, hydantoins, barbits
Examples thereof include carboxylic acids, glycine anhydrides, 1-hydroxybenzotriazoles, alloxanes, and maleimides. The compounding amount of these sensitizers is usually 50 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.
【0045】本発明の組成物には、塗布性、例えばスト
リエ−ションや乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性
を改良するために界面活性剤を配合することができる。
界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリ
ルエ−テル、ポリオキシエチレンステアリルエ−テル、
ポリオキシエチレンオレイルエ−テル、ポリオキシエチ
レンオクチルフェノ−ルエ−テル、ポリオキシエチレン
ノニルフェノ−ルエ−テル、ポリエチレングリコ−ルジ
ラウレ−ト、ポリエチレングリコ−ルジステアレ−ト、
エフトップEF301、EF303、EF352(新秋
田化成社製)、メガファックF171、F173(大日
本インキ社製)、フロラ−ドFC430、FC431
(住友スリ−エム社製)、アサヒガ−ドAG710、サ
−フロンS−382、SC101、SC102、SC1
03,SC104,SC105,SC106(旭硝子社
製)、オルガノシロキサンポリマ−KP341(信越化
学工業社製)、アクリル酸系またはメタクリル酸系
(共)重合体ポリフロ−No.75、No.95(共栄社
油脂化学工業社製)等が挙げられる。これらの界面活性
剤の配合量は、組成物中の固形分100重量部当り、通
常、2重量部以下である。A surfactant may be added to the composition of the present invention in order to improve coatability, for example, developability of a radiation-irradiated portion after formation of a striation or a dried coating film.
Examples of the surfactant include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether,
Polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenol ether, polyoxyethylene nonyl phenol ether, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene glycol distearate,
F-top EF301, EF303, EF352 (manufactured by Shin-Akita Kasei), Megafac F171, F173 (manufactured by Dainippon Ink), Florad FC430, FC431
(Manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC101, SC102, SC1
03, SC104, SC105, SC106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), organosiloxane polymer-KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), acrylic acid or methacrylic acid (co) polymer polyflow No. 75, No. 95 (Kyoeisha oils and fats) Chemical Industry Co., Ltd.). The amount of these surfactants is usually 2 parts by weight or less per 100 parts by weight of the solid content in the composition.
【0046】また、本発明の組成物には、放射線照射部
の潜像を可視化させたり、放射線照射時のハレ−ション
の影響を少なくするために染料や顔料を、また接着性を
改良するために接着助剤を、さらに必要に応じて消泡剤
等を配合することもできる。The composition of the present invention contains a dye or a pigment for visualizing a latent image in a radiation-irradiated portion or for reducing the influence of halation upon irradiation, and for improving adhesion. And an antifoaming agent, if necessary.
【0047】本発明の組成物を基板に塗布するに際して
は、前記アルカリ可溶性樹脂、前記1,2−キノンジア
ジド化合物、前記構造式(I)〜(IV)の少なくとも
1種を分子内に有する化合物および各種配合剤を、例え
ば濃度が5〜50重量%となるように適当な溶剤に所定
量ずつ溶解し、例えば孔径0.2μm程度のフィルタ−
で濾過することにより組成物溶液を調製し、回転塗布、
流し塗布、ロ−ル塗布等によりシリコンウェ−ハ等に塗
布する。この際に用いられる溶剤としては、例えばエチ
レングリコ−ルモノメチルエ−テル、エチレングリコ−
ルモノエチルエ−テル、メチルセロソルブアセテ−ト、
エチルセロソルブアセテ−ト、ジエチレングリコ−ルモ
ノメチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルモノエチルエ
−テル、プロピレングリコ−ルメチルエ−テルアセテ−
ト、プロピレングリコ−ルプロピルエ−テルアセテ−
ト、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−
ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ
酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−
メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチ
ル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプ
ロピオン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等を用いる
ことができる。これらの有機溶剤は単独で、または2種
以上の組合せで使用される。また必要に応じベンジルエ
チルエ−テル、ジヘキシルエ−テル、ジエチレングリコ
−ルモノメチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルモノエ
チルエ−テル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプ
ロン酸、カプリル酸、1−オクタノ−ル、1−ノナノ−
ル、ベンジルアルコ−ル、酢酸ベンジル、安息香酸エチ
ル、蓚酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラ
クトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロ
ソルブアセテ−ト等の高沸点溶剤を添加することもでき
る。When the composition of the present invention is applied to a substrate, the alkali-soluble resin, the 1,2-quinonediazide compound, a compound having at least one of the structural formulas (I) to (IV) in a molecule, and Each compounding agent is dissolved in an appropriate solvent in a predetermined amount so as to have a concentration of, for example, 5 to 50% by weight.
A composition solution is prepared by filtering with
It is applied to a silicon wafer or the like by flow coating, roll coating, or the like. As the solvent used at this time, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol
Lumonoethyl ether, methyl cellosolve acetate,
Ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol methyl ether acetate
G, propylene glycol propyl ether acetate
G, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, ethyl 2-hydroxypropionate, 2-
Ethyl hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl oxyacetate, 2-hydroxy-3-
Methyl methylbutanoate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, ethyl acetate, butyl acetate, and the like can be used. These organic solvents are used alone or in combination of two or more. If necessary, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, acetonylacetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonano-
High-boiling solvents such as benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, and phenyl cellosolve acetate can also be added.
【0048】本発明の組成物の現像液としては、例えば
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア、エ
チルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ
−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエ
チルアミン、ジメチルエタノ−ルアミン、トリエタノ−
ルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テ
トラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、または
ピロ−ル、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ(5,
4,0)−7−ウンデンセン、1,5−ジアザビシクロ
(4,3,0)−5−ノナン等を溶解してなるアルカリ性
水溶液が使用される。As the developer of the composition of the present invention, for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate,
Sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanol
Lamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, choline, or pyrrol, piperidine, 1,8-diazabicyclo (5,
An alkaline aqueous solution obtained by dissolving (4,0) -7-undenecene, 1,5-diazabicyclo (4,3,0) -5-nonane and the like is used.
【0049】また前記現像液には水溶性有機溶媒、例え
ばメタノ−ル、エタノ−ル等のアルコ−ル類や界面活性
剤を適量添加して使用することもできる。The developer may be used after adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent, for example, alcohols such as methanol and ethanol and a surfactant.
【0050】[0050]
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例によって何ら制約される
ものではない。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Examples, but the present invention is not limited by these Examples.
【0051】実施例1 フラスコに、m−クレゾ−ル324g(3モル)、3,
5−ジメチルフェノ−ル244g(2モル)、37重量
%ホルムアルデヒド水溶液770gおよび蓚酸0.8g
を仕込んだ後、該フラスコを油浴に浸し、内温を100
℃に保持しながら1時間反応させ、その後さらにm−ク
レゾ−ル324g(3モル)および3,5−ジメチルフ
ェノ−ル244g(2モル)を反応の進行とともに連続
的にフラスコに仕込み、2時間反応させた。次いで油浴
温度を180℃まで上昇させ、同時にフラスコ内を減圧
にして水、未反応の原料等を除去し、ノボラック樹脂を
回収した(以下、この樹脂を「ノボラック樹脂A」と称
する)。Example 1 A flask was charged with 324 g (3 mol) of m-cresol,
244 g (2 mol) of 5-dimethylphenol, 770 g of a 37% by weight aqueous solution of formaldehyde and 0.8 g of oxalic acid
, The flask was immersed in an oil bath,
The reaction was carried out for 1 hour while maintaining the temperature at ℃ ° C., and then 324 g (3 mol) of m-cresol and 244 g (2 mol) of 3,5-dimethylphenol were continuously charged into the flask as the reaction proceeded. Reacted. Next, the temperature of the oil bath was raised to 180 ° C., and at the same time, the pressure inside the flask was reduced to remove water, unreacted raw materials, and the like, and the novolak resin was recovered (hereinafter, this resin is referred to as “novolak resin A”).
【0052】得られたノボラック樹脂A100重量部、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−4−〔1−
(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル〕−1
−フェニルエタン1.0モルに1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸クロリドを平均2.5モル縮合さ
せた化合物(C)25重量部、および構造式(I)を分
子内に有する4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメ
チルピペリジン0.5重量部を乳酸エチル291重量部
に溶解し、感放射線性樹脂組成物の溶液を調製した。100 parts by weight of the obtained novolak resin A,
1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -4- [1-
(4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1
25 parts by weight of a compound (C) obtained by condensing 2.5 mol of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride in 1.0 mol of phenylethane, and a compound having the structural formula (I) in the molecule. 0.5 parts by weight of hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine was dissolved in 291 parts by weight of ethyl lactate to prepare a solution of the radiation-sensitive resin composition.
【0053】この組成物溶液をポアサイズ0.2μmの
フィルタ−で濾過した後、溶液の粘度および感度を測定
した。さらにこの組成物溶液の一部をビン中に密栓して
25℃で3カ月間保存した後、溶液の粘度および感度を
測定し、その変化率を下記式1により求めた。結果を表
1に示したAfter the composition solution was filtered through a filter having a pore size of 0.2 μm, the viscosity and sensitivity of the solution were measured. Further, after a part of the composition solution was sealed in a bottle and stored at 25 ° C. for 3 months, the viscosity and sensitivity of the solution were measured, and the rate of change was determined by the following formula 1. The results are shown in Table 1.
【0054】[0054]
【式1】 (Equation 1)
【0055】なお、上記溶液の粘度は、東京計器社製E
LD型粘度計を使用して測定した。また感度は、常法に
よりシリコンウェハ−上にスピンナ−で回転塗布した
後、90℃で2分間、ホットプレ−ト上にてプレベ−ク
して1.2μm厚のレジスト膜を形成し、次いで縮小投
影露光機(ニコン社製、NSR−1505i6A、レン
ズの開口係数0.45)にて露光し、2.4重量%テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液として
25℃で60秒間現像し、水でリンスし乾燥した後、得
られたレジストパタ−ンを走査型電子顕微鏡で観察し、
2μmパタ−ンのラインとスペ−スが1対1になる露光
量を求めることにより測定した。The viscosity of the above solution was measured by E
It measured using the LD type viscometer. The sensitivity was measured by spin coating on a silicon wafer by a spinner in the usual manner, pre-baking at 90 ° C. for 2 minutes on a hot plate to form a 1.2 μm thick resist film, and then reducing the thickness. Exposure was performed using a projection exposure machine (Nikon Corporation, NSR-1505i6A, lens aperture coefficient: 0.45), a 2.4 wt% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide was used as a developing solution at 25 ° C. for 60 seconds, and then water was applied. After rinsing and drying, the obtained resist pattern was observed with a scanning electron microscope,
The measurement was performed by obtaining an exposure amount at which the line of the 2 μm pattern and the space became one-to-one.
【0056】実施例2 フラスコに、m−クレゾ−ル162g(1.5モル)、
p−クレゾ−ル468g(6モル)、37重量%ホルム
アルデヒド水溶液770gおよび蓚酸0.45gを仕込
み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保持しな
がら1時間反応させ、その後さらにm−クレゾ−ル27
0g(2.5モル)を反応の進行とともに連続的にフラ
スコに仕込み、2時間反応させた。次いで油浴温度を1
80℃まで上昇させ、同時にフラスコ内を減圧にして、
水、未反応の原料等を除去し、ノボラック樹脂を回収し
た(以下、この樹脂を「ノボラック樹脂B」と称す
る)。Example 2 A flask was charged with 162 g (1.5 mol) of m-cresol.
468 g (6 mol) of p-cresol, 770 g of a 37% by weight aqueous solution of formaldehyde and 0.45 g of oxalic acid were charged, the flask was immersed in an oil bath, and the reaction was carried out for 1 hour while maintaining the internal temperature at 100 ° C. Cresol 27
0 g (2.5 mol) was continuously charged into the flask as the reaction proceeded, and reacted for 2 hours. Then set the oil bath temperature to 1
Raise to 80 ° C, and at the same time reduce the pressure inside the flask,
Water, unreacted raw materials and the like were removed, and the novolak resin was recovered (hereinafter, this resin is referred to as “novolak resin B”).
【0057】得られたノボラック樹脂Bおよび構造式
(I)を分子内に有するTINUVIN 622LD
(チバガイギ−社製)0.1重量部を用いた以外は、実
施例1と同様に感放射線性樹脂組成物溶液を調製し、実
施例1と同様に調製直後と25℃で3カ月間保存した後
の溶液の粘度および感度の変化率を求めた。結果を表1
に示した。The resulting novolak resin B and TINUVIN 622LD having the structural formula (I) in the molecule
A radiation-sensitive resin composition solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that 0.1 part by weight (manufactured by Ciba Geigy Co., Ltd.) was used, and stored immediately after preparation and at 25 ° C. for 3 months as in Example 1. After this, the viscosity and the rate of change in sensitivity of the solution were determined. Table 1 shows the results
It was shown to.
【0058】比較例1 実施例1において、構造式(I)を分子内に有する4−
ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジンを
使用しなかった以外は実施例1と同様に感放射線性樹脂
組成物溶液を調製し、実施例1と同様に調製直後と25
℃で3カ月間保存した後の溶液の粘度および感度の変化
率を求めた。結果を表1に示した。Comparative Example 1 In Example 1, a compound having the structural formula (I) in the molecule
A radiation-sensitive resin composition solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine was not used.
The rate of change in viscosity and sensitivity of the solution after storage at 3 ° C. for 3 months was determined. The results are shown in Table 1.
【0059】比較例2 実施例2において、構造式(I)を分子内に有するTI
NUVIN 622LDを使用しなかった以外は実施例
2と同様に感放射線性樹脂組成物溶液を調製し、実施例
1と同様に調製直後と25℃で3カ月間保存した後の溶
液の粘度および感度の変化率を求めた。結果を表1に示
した。Comparative Example 2 In Example 2, the TI having the structural formula (I) in the molecule was used.
A radiation-sensitive resin composition solution was prepared in the same manner as in Example 2 except that NOVIN 622LD was not used, and the viscosity and sensitivity of the solution immediately after preparation and after storage at 25 ° C. for 3 months as in Example 1. Was determined. The results are shown in Table 1.
【0060】実施例3〜6 表1に示したノボラック樹脂、1,2−キノンジアジド
化合物、構造式(I)(II),(III)および(I
V)を分子内に含む化合物および溶剤をそれぞれ使用し
た以外は実施例1と同様に感放射線性樹脂組成物溶液を
調製し、実施例1と同様に調製直後と25℃で3カ月間
保存した後の溶液の粘度および感度の変化率を求めた。
結果を表1に示した。Examples 3 to 6 Novolak resins shown in Table 1, 1,2-quinonediazide compounds, structural formulas (I), (II), (III) and (I)
A radiation-sensitive resin composition solution was prepared in the same manner as in Example 1, except that the compound containing V) in the molecule and a solvent were used, and stored immediately after preparation and at 25 ° C. for 3 months as in Example 1. The rate of change in viscosity and sensitivity of the solution afterwards was determined.
The results are shown in Table 1.
【0061】比較例3 実施例1において、構造式(I)を分子内に有する4−
ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジンの
代わりに、フェノール系老化防止剤であるスミライザ−
GM(住友化学社製)2重量部を使用した以外は実施例
1と同様に感放射線性樹脂組成物溶液を調製し、実施例
1と同様に調製直後と25℃で3カ月間保存した後の溶
液の粘度および感度の変化率を求めた。結果を表1に示
した。Comparative Example 3 In Example 1, a compound having the structural formula (I) in the molecule
Instead of hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, a phenolic antioxidant, Sumilizer-
A radiation-sensitive resin composition solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that 2 parts by weight of GM (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) was used, and immediately after preparation and after storage at 25 ° C. for 3 months as in Example 1. Of the solution and the rate of change in sensitivity. The results are shown in Table 1.
【0062】比較例4 実施例2において、構造式(I)を分子内に有するTI
NUVIN 622LDの代わりに、フェノール系老化
防止剤であるノクラックNS−5(大内新興社製)2重
量部を使用した以外は実施例1と同様に感放射線性樹脂
組成物溶液を調製し、実施例1と同様に調製直後と25
℃で3カ月間保存した後の溶液の粘度および感度の変化
率を求めた。結果を表1に示した。Comparative Example 4 In Example 2, the TI having the structural formula (I) in the molecule was used.
A radiation-sensitive resin composition solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that 2 parts by weight of Nocrack NS-5 (manufactured by Ouchi Shinko Co., Ltd.), which is a phenolic antioxidant, was used instead of NEVIN 622LD. Immediately after preparation and 25 as in Example 1.
The rate of change in viscosity and sensitivity of the solution after storage at 3 ° C. for 3 months was determined. The results are shown in Table 1.
【0063】[0063]
【表1】 [Table 1]
【0064】[0064]
【発明の効果】本発明によれば、アルカリ可溶性樹脂と
1,2−キノンジアジド化合物とを含むポジ型感放射線
性樹脂組成物に特定の構造を有する化合物を添加するこ
とにより、感度変化および溶液の粘度変化に対しての保
存安定性を向上させることができる。According to the present invention, by adding a compound having a specific structure to a positive-type radiation-sensitive resin composition containing an alkali-soluble resin and a 1,2-quinonediazide compound, the sensitivity change and the solution Storage stability against a change in viscosity can be improved.
フロントページの続き (72)発明者 勇元 喜次 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本 合成ゴム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−237053(JP,A) 特開 平1−154145(JP,A) 特開 昭63−218946(JP,A) 特開 昭62−121443(JP,A) 特開 昭53−102025(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 7/00 - 7/42 Continuation of the front page (72) Inventor Koji Yumoto 2--11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. (56) References JP-A-63-237053 (JP, A) JP-A-1 JP-A-154145 (JP, A) JP-A-63-218946 (JP, A) JP-A-62-121443 (JP, A) JP-A-53-102025 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. .7, DB name) G03F 7/ 00-7/42
Claims (1)
アジド化合物とを含有する感放射線性樹脂組成物であっ
て、下記構造式(I)〜(IV): 【化1】 の少なくとも1種の構造を分子内に有する化合物を少な
くとも1種含有し、かつ該化合物の含有量が前記アルカ
リ可溶性樹脂100重量部に対して0.001〜10重
量部であることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。1. A radiation-sensitive resin composition comprising an alkali-soluble resin and a 1,2-quinonediazide compound, wherein the radiation-sensitive resin composition has the following structural formulas (I) to (IV): Wherein at least one compound having at least one type of structure in the molecule is contained, and the content of the compound is 0.001 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. Radiation-sensitive resin composition.
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|---|---|---|---|
| JP6532891A JP3052292B2 (en) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | Radiation-sensitive resin composition |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP6532891A JP3052292B2 (en) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | Radiation-sensitive resin composition |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04278952A JPH04278952A (en) | 1992-10-05 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8895223B2 (en) * | 2009-09-24 | 2014-11-25 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP6532891A patent/JP3052292B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US8895223B2 (en) * | 2009-09-24 | 2014-11-25 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
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|---|---|
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