JP3054938B2 - Semiconductor acceleration sensor - Google Patents
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Description
【０００１】本発明は、シリコンなどの半導体結晶のも
つピエゾ抵抗効果を利用して変位を電気信号に変換する
半導体加速度センサを含む半導体装置に係わり、特に２
方向の加速度を一つの構造体から得る分野に係る。The present invention relates to a semiconductor device including a semiconductor acceleration sensor that converts a displacement into an electric signal by utilizing a piezoresistance effect of a semiconductor crystal such as silicon.
It relates to the field of obtaining directional acceleration from one structure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図２は、特開平１−３０２１６７号公報
に開示されるマイクロマシニングによる半導体加速度セ
ンサを示す図であり、片持ち梁の支持体近傍にエッチン
グにより溝部２３を形成し、薄肉部を設けたものであ
る。センサの上面には拡散抵抗があり、ブリッジ回路を
構成している。この構造体においては、１方向の加速度
を検出するものである。また、図３の特開昭６３−１１
８６６７図４、特開平３―２０２７７８に示すような構
造においては、３方向の加速度を検出する構造体が開示
されている。2. Description of the Related Art FIG. 2 is a view showing a semiconductor acceleration sensor by micromachining disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-302167, in which a groove 23 is formed by etching near a support of a cantilever beam, and Is provided. There is a diffusion resistor on the upper surface of the sensor, forming a bridge circuit. This structure detects acceleration in one direction. Further, FIG.
8667 In the structure shown in FIG. 4 and JP-A-3-202778, a structure for detecting acceleration in three directions is disclosed.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体加速度セ
ンサにおいては、図２に示すように加速度を検出するた
めの拡散抵抗２が一組表面にブリッジ回路を構成する。
この加速度センサは、ピエゾ抵抗効果を利用したもの
で、応力により比抵抗の変化する現象を利用するもので
ある。この構造体を用いた２軸、３軸方向の加速度を検
出する場合、検出可能な方向に少なくとも２個以上の加
速度センサを設置する必要がある。また、図３や図４の
構造体を作製する場合、エッチングなどの３次元構造体
を作るための手法が必要であり、以上の方法においては
センサを作るうえでの手間、コスト高の課題を生じる。
本発明においては、安価に容易に２軸加速度センサを作
製できる方法を提供するものである。In a conventional semiconductor acceleration sensor, as shown in FIG. 2, a bridge circuit is formed on a surface of a set of diffusion resistors 2 for detecting acceleration.
This acceleration sensor utilizes a piezoresistive effect and utilizes a phenomenon in which specific resistance changes due to stress. When detecting accelerations in two-axis and three-axis directions using this structure, it is necessary to install at least two or more acceleration sensors in detectable directions. In addition, when fabricating the structure shown in FIGS. 3 and 4, a method for producing a three-dimensional structure such as etching is required, and the above-described method has a problem of labor and cost in producing a sensor. Occurs.
An object of the present invention is to provide a method for easily manufacturing a two-axis acceleration sensor at low cost.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、半導体ウェハ１０に拡散抵抗２や出力端子４な
どのパターン形成を行う。ここで、拡散抵抗２を同一面
に、左右２０、上下方向２１の加速度を検出するように
配置する。パターン形成が素子をダイス状に切り出す。
ここでは、ダイシングによる手法を用いた。ワイヤーソ
ーでも良い。その素子の拡散抵抗２を有する面を、加速
度検出面に対し直交するように支持台に実装する。片持
ち梁構造の素子の先端に重りを形成する手法により行っ
た。なお、拡散抵抗２は、Ｐ型を用いた。シリコンなど
の半導体のピエゾ抵抗係数の値は、金属材料に比べて非
常に大きく、かつ著しい異方性を示す。Ｐ型シリコンで
は引っ張り応力のもとでは、比抵抗が増加し、圧縮応力
では、比抵抗が減少する。また、Ｎ型シリコンではこの
逆である。本発明においては、加速度による素子の変位
を、圧縮応力、引っ張り応力を同時に検出することによ
り、加速度を検出することを応用したものである。２方
向の加速度を検出するために、本発明では、拡散抵抗２
を有する面に、左右２０、上下方向２１の加速度を検出
できるようにした。また、対向する２面に左右２０、上
下方向２１を検出するための拡散抵抗２を形成すること
により、２方向の加速度を検出することを実現した。In order to solve the above problems, a pattern such as a diffusion resistor 2 and an output terminal 4 is formed on a semiconductor wafer 10. Here, the diffused resistors 2 are arranged on the same surface so as to detect accelerations in the right and left directions 20 and the vertical direction 21. The pattern formation cuts the device into dice.
Here, a dicing method was used. A wire saw may be used. The surface of the element having the diffused resistance 2 is mounted on the support so as to be orthogonal to the acceleration detection surface. This was performed by a method of forming a weight at the tip of the element having a cantilever structure. The diffusion resistor 2 was of a P type. The value of the piezoresistive coefficient of a semiconductor such as silicon is much larger than that of a metal material and shows a remarkable anisotropy. In the case of P-type silicon, the specific resistance increases under a tensile stress, and decreases under a compressive stress. The opposite is true for N-type silicon. The present invention is an application of detecting acceleration by detecting displacement of an element due to acceleration simultaneously with compressive stress and tensile stress. In order to detect acceleration in two directions, the present invention employs a diffusion resistance 2
, The acceleration in the left-right direction 20 and the vertical direction 21 can be detected. Further, by forming diffusion resistances 2 for detecting the left and right directions 20 and the vertical direction 21 on two opposing surfaces, it is possible to detect accelerations in two directions.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】本発明のセンサ素子１を図１に示
す。センサ素子１には、検出用の拡散抵抗２、出力端子
４、他の回路が表面に形成されている。拡散抵抗２に
は、左右２０、上下検出用２１の拡散抵抗を有する構成
である。本発明の加速度センサの作製方法を説明する。FIG. 1 shows a sensor element 1 according to the present invention. In the sensor element 1, a diffused resistor 2 for detection, an output terminal 4, and other circuits are formed on the surface. The diffused resistor 2 is configured to have diffused resistors of right and left 20 and up and down detection 21. A method for manufacturing the acceleration sensor of the present invention will be described.
【０００６】製造方法を図５、図６を用いて説明する。
初めに図５（ａ）に示すように、半導体ウェハ１０に、
図示しない拡散抵抗や出力端子をパターン形成する。こ
の時、半導体ウェハ１０は（１００）を用い、〈１１
０〉方向にパターンを配列した。また、切り出しのため
のスクライブラインを形成しておく。さらに、図示しな
い出力端子部分に金バンプを形成する。ここまでの工程
を、半導体ウェハ１０の両面について行ってもよい。な
お、パターン形成のなかには、増幅回路や温度補償回路
などを形成してももちろん良い「図５（ａ）」。The manufacturing method will be described with reference to FIGS.
First, as shown in FIG.
A diffusion resistor and an output terminal (not shown) are patterned. At this time, (100) is used for the semiconductor wafer 10 and <11
0> direction. Also, a scribe line for cutting out is formed. Further, gold bumps are formed on output terminal portions (not shown). The steps up to here may be performed on both surfaces of the semiconductor wafer 10. Note that an amplifier circuit, a temperature compensation circuit, and the like may be formed during the pattern formation as shown in FIG. 5A.
【０００７】つぎに、スクライブラインを基準にダイシ
ング装置により素子を取り出す。素子には、バンプが形
成されているためダイシング装置のステージへの半導体
ウェハの固定方法が難しいが、本実施例では、ワックス
による固定で行った。もちろん粘着材を塗布してあるテ
ープを用いても良い。半導体ウェハ１０から、拡散抵
抗、出力端子を有するセンサ素子１を取り出した。「図
５（ｂ）」なお、この製造方法において、上下２１方向
の感度を得るためには、素子を薄くしておく必要があ
る。本発明においては、バックグラインダ装置により薄
くする方法を用いた。この方法であれば、ミクロンオー
ダでの基板厚制御ができる。バックグラインダは、ダイ
シングで素子を取り出す前の工程で行う必要がある。感
度比においては用いなくともよい。Next, the element is taken out by a dicing apparatus based on the scribe line. It is difficult to fix the semiconductor wafer to the stage of the dicing apparatus because bumps are formed on the element. However, in this embodiment, the semiconductor wafer is fixed by wax. Of course, a tape coated with an adhesive may be used. The sensor element 1 having the diffusion resistance and the output terminal was taken out of the semiconductor wafer 10. "FIG. 5 (b)" In this manufacturing method, it is necessary to make the element thin in order to obtain sensitivity in the 21 directions in the vertical direction. In the present invention, a method of thinning with a back grinder device is used. According to this method, the substrate thickness can be controlled on the order of microns. The back grinder needs to be performed in a step before taking out the element by dicing. The sensitivity ratio need not be used.
【０００８】センサ素子１に感度を得るための重りを付
加した。重り３の材料は、モリブデンなどの金属を用い
るのが良い。この状態のものを台座１１上に設置する。
台座１１には、センサ素子１の両側面からの電気的情報
を取り出すため、配線を付帯してある。本実施例では、
セラミックをもちいた。配線は金により行った。台座１
１に図示しない接着剤によりセンサ素子１を固定する。
固定方法では、水酸基を表面に付着させ、３００度程度
で加熱することにより、水素脱離する方法は特に良い。
台座１１の配線とセンサ素子１との電気的接続は、本実
施例においては、異方性導電膜を用いた。異方性導電膜
とは、接着剤中に小さな導電粒子が分散されているもの
である。熱圧着により電極間は粒子が挟まれ電気的に導
通され、かつ隣接電極間の絶縁は保たれ、同時に機械的
な接合も接着剤の硬化によって図れるものである。この
方式により、バンプと出力端子４が導電粒子を介在して
導通が得られる。この方法は、センサ素子１への機械的
応力もかからないために良い方法である。また、ワイヤ
を用いての接続でもよい「図６（ａ）図６（ｂ）」。ま
た、パッケージ３０の壁面に液晶ポリマーを利用し配線
を形成できるＭＩＤ（Ｍｏｌｄ Ｉｎｔｅｒ−ｃｏｎｅ
ｃｔ Ｄｅｖｉｃｅ）においては、パッケージ３０の壁
面に形成した端子と、センサ素子１の端子をあわせ、接
合剤を間に混入させる方式ができるため、非常に便利な
方法である。半導体加速度センサの構成は、センサ素子
１、センサ素子１から電気信号を取り出し、さらにセン
サ素子１を支持するための台座１１、感度を得るための
重り３、パッケージ３０が主な構成である。A weight for obtaining sensitivity is added to the sensor element 1. The material of the weight 3 is preferably a metal such as molybdenum. This state is set on the pedestal 11.
Wiring is attached to the pedestal 11 in order to extract electrical information from both side surfaces of the sensor element 1. In this embodiment,
I used ceramic. The wiring was made of gold. Pedestal 1
1, the sensor element 1 is fixed by an adhesive (not shown).
In the fixing method, a method of desorbing hydrogen by attaching a hydroxyl group to the surface and heating at about 300 ° C. is particularly preferable.
The electrical connection between the wiring of the pedestal 11 and the sensor element 1 uses an anisotropic conductive film in this embodiment. An anisotropic conductive film is one in which small conductive particles are dispersed in an adhesive. The particles are sandwiched between the electrodes by the thermocompression bonding so that the electrodes are electrically connected, the insulation between the adjacent electrodes is maintained, and at the same time, the mechanical bonding can be achieved by curing the adhesive. According to this method, conduction is obtained between the bump and the output terminal 4 with conductive particles interposed therebetween. This method is a good method because no mechanical stress is applied to the sensor element 1. In addition, connection using a wire may be performed as shown in FIG. 6A and FIG. 6B. In addition, an MID (Mold Inter-cone) that can form wiring on the wall surface of the package 30 using a liquid crystal polymer.
ct Device) is a very convenient method because a terminal formed on the wall surface of the package 30 and a terminal of the sensor element 1 can be combined and a bonding agent can be mixed therebetween. The configuration of the semiconductor acceleration sensor mainly includes a sensor element 1, a pedestal 11 for extracting an electric signal from the sensor element 1, and further supporting the sensor element 1, a weight 3 for obtaining sensitivity, and a package 30.
【０００９】検出原理は、側面１００の拡散抵抗２が、
印加加速度によりセンサ素子１がたわみ、側面１００に
配置された拡散抵抗２が、抵抗値変化し、加速度を検出
する方式である。本発明においては、４つの拡散抵抗２
が変化するフルブリッジ回路の構成を使用した。代表的
構成を図７に示す。図の正面に、拡散抵抗が見える。本
発明の２方向検出のための検出用拡散抵抗２の配置は、
図１に示す様に、台座１１近傍に左右検出用の拡散抵抗
２をブリッジ回路により結線した。また、上下２１検出
用拡散抵抗は、２つの拡散抵抗を検出抵抗、２つを参照
抵抗とする、ハーフブリッジ回路を形成した。拡散抵抗
２はＰ型とし、ロコスプロセスを用い、拡散領域を決定
してある。拡散抵抗２の大きさは、長さ２５０ミクロ
ン、幅７ミクロンとした。この時の各拡散抵抗２の仕様
は５ＫΩである。The principle of detection is that the diffusion resistance 2 on the side surface 100 is
In this method, the sensor element 1 bends due to the applied acceleration, and the resistance of the diffusion resistor 2 arranged on the side surface 100 changes to detect the acceleration. In the present invention, four diffusion resistors 2
The configuration of the full-bridge circuit in which is changed is used. FIG. 7 shows a typical configuration. Diffusion resistance can be seen in front of the figure. The arrangement of the detection diffusion resistor 2 for two-way detection of the present invention is as follows.
As shown in FIG. 1, and the diffusion resistance 2 for the right and left detection near the pedestal 11 is connected by a bridge circuit. Further, as the upper and lower 21 detection diffusion resistors, a half bridge circuit was formed in which two diffusion resistors were used as detection resistors and two as reference resistors. The diffusion resistor 2 is of a P type, and a diffusion region is determined by using a LOCOS process. The size of the diffusion resistor 2 was 250 microns in length and 7 microns in width. At this time, the specification of each diffusion resistor 2 is 5 KΩ.
【００１０】他の２方向検出のための、拡散抵抗２の配
置を図８に示す。実線で示す拡散抵抗２が左右方向検出
用であり、斜線で示す拡散抵抗２が上下方向検出用拡散
抵抗２１の配置である。図８（ａ）は、上下方向の拡散
抵抗２１が、直交するかたちで配線されている。これ
は、結晶方向〈１１０〉の歪み抵抗を利用したものであ
る。この方式は、直交する配置なので面積が大きくな
り、センサ素子幅が厚くなる欠点をゆうする。この配置
を利用するには、拡散抵抗の抵抗値が長さが短くとも高
くなる方策が必要である。図８（ｂ）は、センサ素子１
の長手方向に、左右方向検出用２０、上下方向の拡散抵
抗２１を配置した方式である。この方式は、上下検出用
２１が、ハーフブリッジになる。図８（ｃ）は、左右方
向検出２０と、上下検出２１が、４つの拡散抵抗２で検
出方向を検知するという構成になっている。FIG. 8 shows an arrangement of the diffused resistors 2 for another two-direction detection. The diffusion resistance 2 indicated by a solid line is for detecting the left and right direction, and the diffusion resistance 2 indicated by the oblique line is the arrangement of the diffusion resistance 21 for detecting the vertical direction. In FIG. 8A, the diffusion resistors 21 in the vertical direction are wired in an orthogonal manner. This utilizes the strain resistance in the crystal direction <110>. This method is disadvantageous in that the area is large and the width of the sensor element is large because of the orthogonal arrangement. In order to utilize this arrangement, it is necessary to take measures to increase the resistance value of the diffusion resistor even if the length is short. FIG. 8B shows the sensor element 1.
Is a method in which a horizontal direction detection 20 and a vertical diffusion resistor 21 are arranged in the longitudinal direction. In this method, the up / down detection 21 is a half bridge. FIG. 8C shows a configuration in which the left-right direction detection 20 and the up-down direction detection 21 detect the detection direction with four diffusion resistors 2.
【００１１】本発明のセンサの仕様について説明する。
センサ素子１の長さｌが６ｍｍ（Ｌ１＝４ｍｍ、Ｌ２＝
２ｍｍ）、幅ｗが０．１５ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍとし
た。このサイズの仕様のセンサ素子１を得るためには、
半導体ウェハ１０をあらかじめバックグラインドし行う
ことが必要である。バックグラインドは、グラインダー
で、ミクロンオーダの制御ができるため、精度よく平坦
に切削できる。出力端子４のバンプの大きさは、０．１
×０．０８ｍｍとし、高さは０．１ｍｍである。重り３
を、３０ｍｇであった。このサイズで、図８（ｂ）のよ
うな拡散抵抗２の配置で、２方向の加速度を検知した。
拡散抵抗２の仕様は、長さ２５０ミクロン、幅７ミクロ
ンで行った。重力検出を行ったところ、左右方向で３ｍ
Ｖの出力であり、上下方向の検出で１．５ｍＶであっ
た。次に、センサ素子１の長さｌが６ｍｍ（Ｌ１＝４ｍ
ｍ、Ｌ２＝２ｍｍ）、幅ｗが０．６ｍｍ、厚さ０．１５
ｍｍと幅を厚くした。このサイズでは、縦横の感度比が
違う出力が得られる。自動車の分野で、近年用いだされ
たのがサイドエアバックという側面衝突による、人命救
助用の安全装置である。側面衝突は、衝突してから、人
身までの距離が短い、また、ドアの開け閉めによる衝撃
があり、感度的に正面衝突に比べ、一桁程度低い値でよ
い。そこで、本発明の機能を用いることにより、正面衝
突、および側面衝突に対し感知できるセンサを供給でき
る。本発明によれば、２方向の加速度を所望の感度比で
得られるメリットがある。本発明では、機械加工により
精度良い２方向の加速度を検出できるセンサを提供でき
る。The specification of the sensor of the present invention will be described.
The length l of the sensor element 1 is 6 mm (L1 = 4 mm, L2 =
2 mm), the width w was 0.15 mm, and the thickness was 0.15 mm. In order to obtain a sensor element 1 of this size specification,
It is necessary to back grind the semiconductor wafer 10 in advance. The back grind is a grinder and can be controlled on the order of microns, so that it can be cut accurately and flat. The size of the bump of the output terminal 4 is 0.1
× 0.08 mm, and the height is 0.1 mm. Weight 3
Was 30 mg. With this size, the acceleration in two directions was detected with the arrangement of the diffusion resistors 2 as shown in FIG. 8B.
The specification of the diffusion resistance 2 was 250 microns in length and 7 microns in width. When gravity is detected, 3m in left and right direction
V, which was 1.5 mV when detected in the vertical direction. Next, the length l of the sensor element 1 is 6 mm (L1 = 4 m
m, L2 = 2 mm), width w is 0.6 mm, and thickness is 0.15
mm and width were increased. With this size, outputs with different vertical and horizontal sensitivity ratios can be obtained. Recently, in the field of automobiles, a safety device for rescuing human lives by a side collision called a side airbag has been used. In the side collision, the distance to the human body after the collision is short, and there is an impact due to opening and closing of the door. Therefore, by using the function of the present invention, it is possible to supply a sensor that can detect a frontal collision and a side collision. According to the present invention, there is an advantage that acceleration in two directions can be obtained at a desired sensitivity ratio. According to the present invention, it is possible to provide a sensor that can accurately detect acceleration in two directions by machining.
【００１２】[0012]
【発明の効果】この発明は、以上説明したような構成に
より下記の効果を有する。 一つの素子で、２方向の加速度検出を容易にできる。 ２方向加速度の感度比を変え出力できる。 容易に、低価格で提供できるデバイスを作製でき
る。The present invention has the following effects by the configuration described above. One element can easily detect acceleration in two directions. The sensitivity ratio of the bidirectional acceleration can be changed and output. A device that can be easily provided at a low price can be manufactured.
【図１】本発明の半導体加速度センサの示す斜視図であ
る。FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor acceleration sensor of the present invention.
【図２】従来の本発明の半導体加速度センサを示す斜視
図である。FIG. 2 is a perspective view showing a conventional semiconductor acceleration sensor of the present invention.
【図３】従来の本発明の半導体加速度センサを示す斜視
図である。FIG. 3 is a perspective view showing a conventional semiconductor acceleration sensor of the present invention.
【図４】従来の本発明の半導体加速度センサを示す斜視
図である。FIG. 4 is a perspective view showing a conventional semiconductor acceleration sensor of the present invention.
【図５】本発明の半導体加速度センサの製造方法を示す
工程図である。FIG. 5 is a process chart showing a method for manufacturing a semiconductor acceleration sensor of the present invention.
【図６】本発明の半導体加速度センサの製造方法を示す
工程図である。FIG. 6 is a process chart showing a method for manufacturing a semiconductor acceleration sensor of the present invention.
【図７】本発明の半導体加速度センサの斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a semiconductor acceleration sensor of the present invention.
【図８】本発明の拡散抵抗の配置を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an arrangement of diffusion resistors according to the present invention.
１ センサ素子 ２ 拡散抵抗 ３ 重り ４ 出力端子 ５ ワイヤ １０ 半導体ウェハ １１ 台座 ２０ 水平方向検出用拡散抵抗 ２１ 上下方向検出用拡散抵抗 ３０ パッケージ １００ 側面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sensor element 2 Diffusion resistor 3 Weight 4 Output terminal 5 Wire 10 Semiconductor wafer 11 Pedestal 20 Diffusion resistor for horizontal direction detection 21 Diffusion resistor for vertical direction detection 30 Package 100 Side surface
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 健二 千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地 株式会社エスアイアイ・アールディセン ター内 (56)参考文献 特開 平９−232596（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−237901（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−118260（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−269370（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−233852（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−301178（ＪＰ，Ａ) 実開 平７−16165（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01P 15/12 H01L 29/84 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Kenji Kato 1-8 Nakase, Mihama-ku, Chiba-shi, Chiba Pref. JP-A-9-237901 (JP, A) JP-A-62-118260 (JP, A) JP-A-3-269370 (JP, A) JP-A-8-233852 (JP, A) 301 178 (JP, A) Japanese Utility Model 7-16165 (JP, U) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G01P 15/12 H01L 29/84
Claims (5)
た基体と、前記基体の一端側を固定する支持体と、を備
える半導体加速度センサであって、 前記第１検出機能と前記第２検出機能は前記基体の一つ
の表面の上にともに形成され、前記第１検出機能は、加速度検出面に対して平行な方向
で、かつ、前記一つの表面に対して垂直な方向の加速度
を検出し、 前記第２検出機能は前記加速度検出面に対して垂直な方
向の加速度を検出し、 前記一つの 表面が前記加速度検出面の側面になるよう
に、前記支持体が前記加速度検出面に接合されているこ
とを特徴とする半導体加速度センサ。1. A semiconductor acceleration sensor comprising: a base provided with a first detection function and a second detection function; and a support for fixing one end of the base, wherein the first detection function and the second 2 The detection function is formed together on one surface of the base, and the first detection function is a direction parallel to the acceleration detection surface.
And acceleration in a direction perpendicular to the one surface
And the second detection function detects a direction perpendicular to the acceleration detection surface.
The acceleration of the direction detecting, as said one surface is a side surface of the acceleration detection surface, a semiconductor acceleration sensor in which the support is characterized in that it is joined to the acceleration detection surface.
基体と、前記基体の一端側を固定する支持体と、を有す
る半導体加速度センサにおいて、前記感歪み部が前記基
体の対向する二面に形成され、一方の面に形成された感
歪み部が左右方向の加速度を、他方の面に形成された感
歪み部が上下方向の加速度を検出することを特徴とする
半導体加速度センサ。2. A semiconductor acceleration sensor comprising: a base having a strain-sensitive portion for detecting a change in a physical quantity; and a support for fixing one end of the base, wherein the strain-sensitive portion is provided on two opposing surfaces of the base. A semiconductor acceleration sensor formed, wherein a strain-sensitive portion formed on one surface detects acceleration in the left-right direction, and a strain-sensitive portion formed on the other surface detects acceleration in the vertical direction.
記第１の表面の側面である加速度検出面と、を有する基
体と、 前記基体の前記加速度検出面の一部分に接合され、前記
基体の一端側を固定する支持体と、を備え、 前記感歪み部が、前記加速度検出面に対して平行な方向
で、かつ、前記第１の表面に直交する方向の加速度を検
出する第１検出機能と、前記加速度検出面に直交する方
向の加速度を検出する第２検出機能と、を有することを
特徴とする半導体加速度センサ。3. A base having: a first surface on which a strain-sensitive portion is formed; an acceleration detection surface that is a side surface of the first surface; and a part joined to the acceleration detection surface of the base, A support that fixes one end side of the base, wherein the strain-sensitive portion is parallel to the acceleration detection surface.
And a first detection function for detecting acceleration in a direction orthogonal to the first surface, and a method for detecting acceleration in a direction orthogonal to the acceleration detection surface.
A semiconductor acceleration sensor having a second detection function of detecting a direction acceleration .
を検出する前記第１検出機能が４つの拡散抵抗を備える
とともに、前記４つの拡散抵抗のうち２つを検出抵抗と
し、他の２つを参照抵抗とするハーフブリッジ回路を構
成することを特徴とする請求項１または３に記載の半導
体加速度センサ。4. The first detecting function for detecting acceleration in a direction orthogonal to the first surface includes four diffused resistors, two of the four diffused resistors are used as detected resistors, and the other two are used as detected resistors. the semiconductor acceleration sensor according to claim 1 or 3, characterized in that it constitutes a half bridge circuit for the reference resistor One.
たものであり、前記加速度検出面に直交する方向の加速度と、前記加速
度検出面に平行な方向 で、かつ、前記第１の表面に直交
する方向の加速度の 感度比を定めるために、前記半導体
ウェハの裏面を研削して、前記第１の表面を底面とした
時の高さとなる前記加速度検出面の幅寸法を規定したこ
とを特徴とする請求項１、３または４のいずれか１項に
記載の半導体加速度センサ。5. The method according to claim 1, wherein the base is taken out of the semiconductor wafer, and the acceleration in a direction orthogonal to the acceleration detection surface is determined by the acceleration
Direction parallel to the detection surface and perpendicular to the first surface
In order to determine the sensitivity ratio of the acceleration in the direction to be performed, the back surface of the semiconductor wafer is ground, and the first surface is used as the bottom surface .
5. The semiconductor acceleration sensor according to claim 1, wherein a width dimension of the acceleration detection surface, which is a height at the time, is defined. 6.
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|---|---|---|---|
| JP9059525A JP3054938B2 (en) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | Semiconductor acceleration sensor |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9059525A JP3054938B2 (en) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | Semiconductor acceleration sensor |
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| JPH10253656A JPH10253656A (en) | 1998-09-25 |
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- 1997-03-13 JP JP9059525A patent/JP3054938B2/en not_active Expired - Fee Related
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