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JP3063066B2 - 表面実装型電子部品 - Google Patents
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JP3063066B2 - 表面実装型電子部品 - Google Patents

表面実装型電子部品

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JP3063066B2
JP3063066B2 JP6303113A JP30311394A JP3063066B2 JP 3063066 B2 JP3063066 B2 JP 3063066B2 JP 6303113 A JP6303113 A JP 6303113A JP 30311394 A JP30311394 A JP 30311394A JP 3063066 B2 JP3063066 B2 JP 3063066B2
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mounting pad
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、水晶振動子や水晶フィ
ルタ等の表面実装型電子部品に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の実施例として、セラミックケース
を用いた圧電振動子を例にして説明する。図5は従来の
実施例を示す分解斜視図である。
【0003】セラミック基板1Aはアルミナからなり、
薄板状に加工され、かつその側面に外部端子を構成する
4つの切り欠き1a,1b,1c,1dが設けられてい
る。このセラミック基板1A上には、前記4つの切り欠
きから導電パッドを構成するサポート搭載部13B(一
部のみ図示)にかけて、図示しない引出電極がメタライ
ズ処理されている。前記セラミック基板1Aの上部にさ
らに、切り抜き15Bが設けられたセラミック基板1B
が積層されている。
【0004】そして、これらのセラミック基板1A,1
Bを焼結することにより、前記切り抜き15Bによる収
容スペースが形成される。そしてサポート21,22,
23,24は、例えば洋白やCu−Ni−Zn系合金、
SUS等の金属板からなり、それぞれ基板結合部21
1,221,231,241と素子搭載部212,22
2,232,242と、これらを結合する立ち上がり部
を有する平板形状となっている。これらのサポートの素
子搭載部212,222,232,242を前記切り抜
き15Bによって形成される基板長手方向の中心側に向
かって、かつ、基板結合部211,221,231,2
41を前記基板のサポート搭載部13B(一部のみ図
示)に搭載し、例えばレーザー溶接等の手法により電気
的機械的な接合を施す。
【0005】このようにしてサポート21,22,2
3,24は、基板長手方向の両端部の各々のサポート搭
載部でのみ固定されるとともに前記サポート搭載部から
中心側に向かって若干斜め上方に延伸している。
【0006】そして表裏面に励振電極31(裏面につい
ては図示せず)が形成された矩形状の水晶板3を前記サ
ポートの素子搭載部212,222,232,242に
搭載し、本発明の第1の実施例では、サポート21,2
4のいずれか(もしくは両方)と励振電極31とが、サ
ポート22,23のいずれか(もしくは両方)と裏面側
の励振電極とが、エポキシ系あるいはポリイミド系の導
電性接合材により少なくとも電気的に接続が施されてい
る。
【0007】そして前記サポート、並びに水晶板が基板
が収容されたセラミック基板に蓋4をかぶせ、例えばシ
ーム溶接等の手法により気密封止していた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】近年、表面実装型電子
部品は、軽量化・薄型化・小型化が計られており、水晶
振動子や水晶フィルタ等の圧電振動子の分野でも例外で
はないのが現状である。しかし、耐熱性・温度特性・耐
衝撃性等を考慮すると、基板と圧電板との間に導電性接
合材を介してサポートを取り付ける必要があった。内蔵
する圧電板の形状が小さくなっても、サポートによる高
さ、あるいはサポート幅等により、表面実装型電子部品
としての圧電振動子の軽量化・薄型化・小型化の阻害要
因となっていた。また、サポート形成工程経るうえで工
程の複雑化・装置の多様化・製造上のコストアップが免
れ得なかった。
【0009】そこで本発明は、小型でより製造上にも簡
素化がはかれる信頼性の高い表面実装型電子部品を提供
することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明の表面実
装型電子部品は、外部回路と導通する引出電極が形成さ
れた基板が有り、前記引出電極に素子搭載パッド部を設
け、また、主電極とリード電極が設けられた素子が有
り、前記素子のリード電極一端に接合材パッド部を設
け、前記素子搭載パッド部と前記接合材パッド部とが少
なくともシリコン系の導電性接合材を介して電気的機械
的に接合されて、前記基板上に前記素子が搭載されてお
り、前記素子を搭載した基板に蓋体を封止してなる表面
実装型電子部品において、前記導電性接合材にPdを混
入させ、かつ当該Pdの導電性接合材に対する歩合とし
て2〜8%混入させている。
【0011】また、前記導電性接合材は、第1の塗布部
と第2の塗布部を具備し、前記第1の塗布部は、前記基
板の素子搭載パッド部と素子のリード電極の間に介在し
て形成され、前記第2の塗布部は、前記第1の塗布部と
当該第2の塗布部の間に前記素子が介在するように、前
記素子の上面から当該素子の側端面を経由して前記第1
の塗布部へと形成されている。
【0012】また、少なくとも前記素子のリード電極の
接合材パッド部と前記基板の素子搭載パッド部の表面を
Agとした。
【0013】また、素子のリード電極の接合材パッド部
分、あるいは前記基板の素子搭載パッド部の少なくとも
一方には、素子、あるいは基板が露出する部分が形成さ
れており、前記素子露出部を含む素子のリード電極の接
合材パッド部分で、あるいは前記基板露出部を含む素子
搭載パッド部分で、当該接合材パッド部分と素子搭載パ
ッド部分とがお互いに接合されてなる。
【0014】
【作用】特許請求項1により、導電性接合材中のO2
取り去るため導電性(金属片もしくは金属球)を劣化
(酸化による導電率の低下)させない。
【0016】特許請求項2により、一度塗布した導電性
接合材(第1の塗布部)の上に素子を搭載し、その後も
う一度導電性接合材(第2の塗布部)を塗布して硬化接
合することができるため、搭載精度の向上と接合強度の
向上がはかれる。
【0017】特許請求項3により、AgはAl等に比べ
て比較的酸化が起こりにくいため、同電極上に酸化膜が
できにくく、導電性接合材との導電性の低下をまねきに
くい。そして、導電性接合材とのなじみがよいため、基
板と素子のより強固な電気的機械的接合が可能となる。
【0018】特許請求項4,5により、素子が露出した
部分と導電性接合材、あるいは基板が露出した部分と導
電性接合材とのぬれ性によるなじみがより強く、基板と
素子とのさらにより一層強固な機械的な接合が可能とな
る。
【0019】
【実施例】次に、本発明の第1の実施例について、セラ
ミックケースを用いた表面実装型の圧電振動子を例にし
て説明する。図1は本発明の第1の実施例を示す分解斜
視図であり、図2は図1の組み立てた状態の断面図であ
る。
【0020】セラミック基板1Aはアルミナからなり、
薄板状に加工され、かつその側面に外部端子を構成する
4つの切り欠き1a,1b,1c,1dが設けられてい
る。このセラミック基板1A上には、前記4つの切り欠
きから導電パッドを構成する素子搭載パッド部11C,
12C,13C,14Cにかけて、図示しない引出電極
(Ag等)がメタライズ処理されている。前記セラミッ
ク基板1Aの上部にさらに、切り抜き15Cが設けられ
たセラミック基板1Cが積層されている。
【0021】そしてこれらのセラミック基板1A,1C
を焼結することにより、前記切り抜き15Cによる収容
スペースが形成される。そして、前記素子搭載パッド部
11C,12C,13C,14Cの基板露出部131C
(一部のみ図示)上に、導電性接合材を塗布することに
より前記導電性接合材の素子搭載台51を構成する。
【0022】この素子搭載台51を構成する導電性接合
材は、シリコン樹脂の接着剤からなり、導体部として例
えば薄板状のAgや球状のAgを含み、かつ酸化還元剤
としてのPdを2〜8%含んだものである。
【0023】また、矩形状の水晶板3は、表裏面にスパ
ッタリング蒸着法等により、Alの励振電極31,32
とリード電極312(裏面については図示せず)とが形
成されており、さらにリード電極の端部には長円切り欠
き形状の素子露出部314,324が設けられた接合材
パッド部313,323が形成されている。また、前記
接合材パッド部313,323については、さらに同形
状のマスクを用いてAgが蒸着されている。
【0024】そして、矩形状の水晶板3を前記素子搭載
台51に搭載し、前記同様のシリコン樹脂系の導電性接
合材52を水晶板3の素子露出部314,324を含む
接合材パッド部313,323に塗布して硬化させるこ
とにより、前記水晶板3と前記導電性接合材による素子
搭載搭載台51との電気的機械的な接合が施される。以
上を収容されたセラミック基板に蓋4をかぶせ、例えば
シーム溶接等の手法により気密封止する。
【0025】尚、本発明の第1の実施例では、素子露出
部形状として長円切り欠き形状としたが、円切り欠き形
状や楕円切り欠き形状などでもよく、三角切り欠き形状
や四角切り欠き形状等のような多角形状としても特に問
題はない。また、前記接合材パッド部についてのみAg
を蒸着したが励振電極、リード電極等全ての電極領域に
Agを蒸着してもよい。すなわち、少なくとも2層以上
の多層電極構造とした場合、最上層の電極をAgとすれ
ばよい。例えば、Alの上層にCr、そのさらに上層に
Agとすると好ましい。
【0026】次に、第2の実施例として、セラミックケ
ースを用いた表面実装型の圧電振動子を例にして説明す
る。また、水晶板としてモノリシック水晶フィルタと呼
ばれる多電極水晶板を用いた。図3は本発明の第2の実
施例を示す分解斜視図であり、図4は図3の組み立てた
状態の断面図である。尚、前記第1の実施例と同様の部
分については同番号を付した。
【0027】セラミック基板1Aはアルミナからなり、
薄板状に加工され、かつその側面に外部端子を構成する
4つの切り欠き1a,1b,1c,1dが設けられてい
る。このセラミック基板1A上には、前記4つの切り欠
きから導電パッドを構成する素子搭載パッド部11C,
12C,13C,14Cにかけて、図示しない引出電極
(Ag等)がメタライズ処理されている。前記セラミッ
ク基板1Aの上部にさらに、切り抜き15Cが設けられ
たセラミック基板1Cが積層されている。
【0028】そしてこれらのセラミック基板1A,1C
を焼結することにより、前記切り抜き15Cによる収容
スペースが形成される。そして、前記素子搭載パッド部
11C,12C,13C,14Cの基板露出部112
C、122C(一部のみ図示)上に、導電性接合材を塗
布して硬化させることにより前記導電性接合材の素子搭
載台51を構成する。
【0029】この素子搭載台51を構成する導電性接合
材は、シリコン樹脂の接着剤からなり、導体部として例
えば薄板状のAgや球状のAgを含み、かつ酸化還元剤
としてのPdを2〜8%含んだものである。
【0030】また、矩形状の水晶板3は、表裏面にスパ
ッタリング蒸着法等により、Alの上層にCr、さらに
上層にAgを蒸着した励振電極33,34と共通電極3
5、並びにリード電極332,342(裏面については
図示せず)とが形成されており、さらにリード電極の端
部には円形状の素子露出部334,344,354が設
けられた接合材パッド部333,343,353が形成
されている。
【0031】そして、矩形状の水晶板3を前記素子搭載
台51に搭載し、前記同様のシリコン樹脂系の導電性接
合材52を水晶板3の素子露出部334,344,35
4を含む接合材パッド部333,343,353に塗布
して硬化させることにより、前記水晶板3と前記導電性
接合材による素子搭載搭載台51との電気的機械的な接
合が施される。以上を収容されたセラミック基板に蓋4
をかぶせ、例えばシーム溶接等の手法により気密封止す
る。
【0032】尚、本発明の第2の実施例では、素子露出
部形状として円形状としたが、楕円形状や長円形状など
でもよく、三角形状や四角形状等のような多角形状とし
ても特に問題はない。
【0033】尚、本発明の第1,第2の実施例では水晶
振動子や水晶フィルタをあげたが、水晶発振器等に応用
する事も可能であるし、弾性表面波素子、圧電セラミッ
ク振動子や圧電セラミックフィルタ、あるいはコンデン
サ素子、焦電素子等に転用できることはいうまでもな
い。また、矩形状の素子に限らず、円盤形状の素子でも
実施できることはいうまでもない。
【0034】
【発明の効果】特許請求項1により、導電性接合材中の
2を取り去るため導電性(金属片もしくは金属球)を
劣化(酸化による導電率の低下)させなく、耐衝撃性の
高い支持構造が得られる。そして、従来のサポートのス
ペースを考慮することなく電子部品としての軽量化・薄
型化・小型化がはかれる。また、従来のサポート形成工
程を考慮することなく製造上にも簡素化がはかれる。
【0035】特許請求項2により、上述した作用効果に
加えて、一度塗布した導電性接合材(第1の塗布部)の
上に素子を搭載し、その後もう一度導電性接合材(第2
の塗布部)を塗布して硬化接合することができるため、
搭載精度の向上と接合強度の向上がはかれる。
【0036】特許請求項3により、上述した作用効果に
加えて、AgはAl等に比べて比較的酸化が起こりにく
いため、同電極上に酸化膜ができにくく、導電性接合材
との導電性の低下をまねきにくい。そして、導電性接合
材とのなじみがよいため、基板と素子のより強固な電気
的機械的接合が可能となる。そのため、より耐衝撃性が
向上し、強度も向上するより信頼性の高い支持構造が得
られる。
【0037】特許請求項4により、素子が露出した部分
と導電性接合材、あるいは基板が露出した部分と導電性
接合材とのぬれ性によるなじみがより強く、基板と素子
とのさらにより一層強固な機械的な接合が可能となる。
そのため、より一層耐衝撃性が向上し、強度も向上する
より一層信頼性の高い支持構造が得られる。
【0038】特許請求項5により、上述した作用効果に
加えて、素子が露出した部分と導電性接合材、あるいは
基板が露出した部分と導電性接合材とのぬれ性によるな
じみがより強く、基板と素子とのさらにより一層強固な
機械的な接合が可能となる。そのため、より一層耐衝撃
性が向上し、強度も向上するより一層信頼性の高い支持
構造が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す分解者斜視図であ
る。
【図2】図1の組み立てた状態の断面図である。
【図3】本発明の第2の実施例を示す分解者斜視図であ
る。
【図4】図3の組み立てた状態の断面図である。
【図5】従来の実施例を示す分解者斜視図である。
【符号の説明】
1A,1B,1C・・・セラミック基板 21,22,23,24・・・サポート 3・・・水晶板 4・・・蓋 51,52・・・シリコン樹脂系の導電性接合材

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外部回路と導通する引出電極が形成され
    た基板が有り、前記引出電極に素子搭載パッド部を設
    け、また、主電極とリード電極が設けられた素子が有
    り、前記素子のリード電極一端に接合材パッド部
    け、前記素子搭載パッド部と前記接合材パッド部と
    なくともシリコン系の導電性接合材を介して電気的機械
    的に接合されて、前記基板上に前記素子が搭載されてお
    り、前記素子を搭載した基板に蓋体を封止してなる表面
    実装型電子部品において、 前記導電性接合材にPdを混入させ、かつ当該Pdの導
    電性接合材に対する歩合として2〜8%混入させた事を
    特徴とする表面実装型電子部品。
  2. 【請求項2】 前記導電性接合材は、第1の塗布部と第
    2の塗布部を具備し、 前記第1の塗布部は、前記基板の素子搭載パッド部と素
    子のリード電極の間に介在して形成され、 前記第2の塗布部は、前記第1の塗布部と当該第2の塗
    布部の間に前記素子が介在するように、前記素子の上面
    から当該素子の側端面を経由して前記第1の塗布部へと
    形成されてなる 事を特徴とする特許請求項1記載の表面
    実装型電子部品。
  3. 【請求項3】 前記素子のリード電極の接合材パッド部
    前記基板の素子搭載パッド部の表面がAgである事を
    特徴とする特許請求項1、2記載の表面実装型電子部
    品。
  4. 【請求項4】 外部回路と導通する引出電極が形成され
    た基板が有り、前記引出電極に素子搭載パッド部を設
    け、また、主電極とリード電極が設けられた素子が有
    り、前記素子のリード電極一端に接合材パッド部
    け、前記素子搭載パッド部と前記接合材パッド部と
    なくともシリコン系の導電性接合材を介して電気的機械
    的に接合されて、前記基板上に前記素子が搭載されてお
    り、前記素子を搭載した基板に蓋体を封止してなる表面
    実装型電子部品において、 素子のリード電極の接合材パッド部分、あるいは前記基
    板の素子搭載パッド部の少なくとも一方には、素子、あ
    るいは基板が露出する部分が形成されており、 前記素子
    露出部を含む素子のリード電極の接合材パッド部分で、
    あるいは前記基板露出部を含む素子搭載パッド部分で、
    当該接合材パッド部分と素子搭載パッド部分とがお互い
    に接合されてなる事を特徴とする表面実装型電子部品。
  5. 【請求項5】 素子のリード電極の接合材パッド部分、
    あるいは前記基板の素子搭載パッド部の少なくとも一方
    には、素子、あるいは基板が露出する部分が形成されて
    おり、前記素子露出部を含む素子のリード電極の接合材
    パッド部分の全体で、あるいは前記基板露出部を含む素
    子搭載パッド部分の全体で、お互いに接合されてなる
    を特徴とする特許請求項1〜3いずれか1項に記載の表
    面実装型電子部品。
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