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JP3065472B2 - Adjustment method of rectangular beam size and positioning in charged particle beam writing apparatus - Google Patents
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JP3065472B2 - Adjustment method of rectangular beam size and positioning in charged particle beam writing apparatus - Google Patents

Adjustment method of rectangular beam size and positioning in charged particle beam writing apparatus

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JP3065472B2
JP3065472B2 JP6016192A JP1619294A JP3065472B2 JP 3065472 B2 JP3065472 B2 JP 3065472B2 JP 6016192 A JP6016192 A JP 6016192A JP 1619294 A JP1619294 A JP 1619294A JP 3065472 B2 JP3065472 B2 JP 3065472B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームやイオンビ
ームを矩形断面に成形し、矩形断面のビームを被描画材
料に投射するようにした荷電粒子ビーム描画装置におい
て、矩形ビームのサイズの調整や、矩形ビームの位置決
めの調整を行う方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a charged particle beam drawing apparatus in which an electron beam or an ion beam is shaped into a rectangular section and the beam having the rectangular section is projected onto a material to be drawn. Also, the present invention relates to a method for adjusting the positioning of a rectangular beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子ビーム描画装置として、電子ビーム
の断面を可変して描画する方式の装置が広く利用されて
いる。この装置では、電子ビームを第1のアパーチャに
照射し、第1のアパーチャの開口像を第2のアパーチャ
上に結像するようにしている。そして、第1のアパーチ
ャの開口像の第2のアパーチャ上の投射位置を第1と第
2のアパーチャの間に配置された偏向器で変化させるこ
とにより、任意の面積の矩形断面を有した電子ビームが
成形される。
2. Description of the Related Art As an electron beam lithography apparatus, an apparatus of a type in which a cross section of an electron beam is variably drawn is widely used. In this apparatus, an electron beam is irradiated on a first aperture, and an aperture image of the first aperture is formed on a second aperture. Then, the projection position of the aperture image of the first aperture on the second aperture is changed by a deflector arranged between the first and second apertures, so that an electron having a rectangular cross section of an arbitrary area is obtained. The beam is shaped.

【0003】このような電子ビーム描画方式において、
矩形断面のビームのサイズを測定し、このサイズを規定
通りに調整することは、描画精度上重要である。このビ
ームサイズの測定について図1,図2を用いて説明す
る。図1において1はナイフエッジであり、このナイフ
エッジ1は矩形状の開口2を有している。このナイフエ
ッジ1は被描画材料が配置される位置に置かれ、その下
方には開口1を通った電子ビームを検出するファラデー
カップ3が設けられいる。ファラデーカップ3によって
検出された信号は、第1の微分回路4、第2の微分回路
5、第3の微分回路6を介してステップカウンタ7に供
給される。
In such an electron beam writing system,
Measuring the size of a beam having a rectangular cross section and adjusting the size as specified is important for writing accuracy. The measurement of the beam size will be described with reference to FIGS. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a knife edge, and the knife edge 1 has a rectangular opening 2. The knife edge 1 is placed at a position where a material to be drawn is arranged, and a Faraday cup 3 for detecting an electron beam passing through the opening 1 is provided below the knife edge 1. The signal detected by the Faraday cup 3 is supplied to a step counter 7 via a first differentiating circuit 4, a second differentiating circuit 5, and a third differentiating circuit 6.

【0004】このような構成で、矩形に成形された電子
ビームをナイフエッジ1の開口2部分に照射する。その
後、図中矢印Xの方向に電子ビームを走査すると、ファ
ラデーカップ3から図2(a)の信号が得られる。すな
わち、最初電子ビームの全てが開口2を通過しており、
全ビーム電流が検出される。その後、ビームを走査する
ことにより、ナイフエッジ1によって徐々にビームがカ
ットされることになり、検出ビーム電流はそれに応じて
減少し、最後には、ビームの全部がナイフエッジ1によ
ってカットされ、検出信号はゼロとなる。
With such a configuration, a rectangular shaped electron beam is applied to the opening 2 of the knife edge 1. Thereafter, when the electron beam is scanned in the direction of arrow X in the figure, the signal shown in FIG. That is, at first, all of the electron beam passes through the aperture 2, and
Full beam current is detected. Thereafter, by scanning the beam, the beam is gradually cut by the knife edge 1 and the detected beam current is reduced accordingly, and finally all of the beam is cut by the knife edge 1 and The signal goes to zero.

【0005】ファラデーカップ3の検出信号は、第1の
微分回路4によって微分され、図2(b)の信号が得ら
れる。この図2(b)の信号は微分回路5によって微分
され図2(c)の信号となり、更に微分回路6によって
微分され、図2(d)の信号が得られる。この図2
(d)の信号に基づき、図2(e)のトリガー信号(ロ
ーレベル)が得られ、このトリガー信号の間、ステップ
カウンタ7はクロックパルスをカウントし、ビームサイ
ズに応じた信号を得るようにしている。すなわち、電子
ビームの走査はクロックパルスによって1ステップずつ
ディジタル的に行われており、その走査の1ステップの
走査幅は予め定められている。従って、トリガー信号の
間に含まれるクロックパルスをカウントすることによ
り、ビームサイズの測定を行うことができる。(尚、2
次電子や反射電子の発生率の異なる材料で形成された直
線状の端部を有する部材(例えば、マーク)をビーム走
査し、該走査によって検出された信号は1回微分信号と
同様な波形となるので、この場合には、検出信号を2回
微分するだけで良い。
[0005] The detection signal of the Faraday cup 3 is differentiated by a first differentiating circuit 4 to obtain a signal shown in FIG. The signal shown in FIG. 2B is differentiated by the differentiating circuit 5 to become the signal shown in FIG. 2C, and further differentiated by the differentiating circuit 6 to obtain the signal shown in FIG. 2D. This figure 2
Based on the signal (d), the trigger signal (low level) shown in FIG. 2E is obtained. During this trigger signal, the step counter 7 counts clock pulses to obtain a signal corresponding to the beam size. ing. That is, the scanning of the electron beam is performed digitally one step at a time by a clock pulse, and the scanning width of one step of the scanning is predetermined. Therefore, the beam size can be measured by counting the clock pulses included between the trigger signals. (2
Beam scanning is performed on a member (for example, a mark) having a linear end formed of a material having a different generation rate of secondary electrons and reflected electrons, and a signal detected by the scanning has a waveform similar to the one-time differential signal. Therefore, in this case, it is only necessary to differentiate the detection signal twice.

【0006】このようなビームサイズの測定値に基づ
き、規定上のビームサイズと実際のサイズとの誤差が求
められ、この誤差によって矩形ビームのサイズの調整が
行われる。なお、以上のステップによりX方向のビーム
サイズの調整を行うことができ、Y方向のビームサイズ
については図1の矢印Yの方向にビームを走査して、上
記したと同じステップでビームサイズの調整が行われ
る。
An error between the prescribed beam size and the actual size is obtained based on the measured value of the beam size, and the size of the rectangular beam is adjusted based on the error. The beam size adjustment in the X direction can be performed by the above steps. For the beam size in the Y direction, the beam is scanned in the direction of arrow Y in FIG. 1 and the beam size is adjusted in the same steps as described above. Is performed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記したビームサイズ
の測定方式では、次のような問題がある。 各微分回路による信号の遅れが発生することによ
り、トリガー信号はそれらの遅れに対応した分遅れる。
この際、+側の遅れと−側の遅れが僅かであるが異な
る。その為に、このような微分回路による遅れがない場
合に比べ、トリガー信号の幅が異なってしまう。
The beam size measuring method described above has the following problems. When a signal delay is caused by each differentiating circuit, the trigger signal is delayed by an amount corresponding to the delay.
At this time, the delay on the positive side and the delay on the negative side are slightly different. Therefore, the width of the trigger signal is different from the case where there is no delay due to the differentiating circuit.

【0008】 各微分回路による信号の大きさの変化
が発生すると、例えば、レベルが高くなると各微分信号
が遅れ、のような問題が発生する。 トリガー信号を作り出す時のトリガーレベルが変化
すると、変化しない場合に比べトリガー信号の幅が異な
ってしまう。
When a change in the magnitude of a signal occurs due to each differentiating circuit, for example, when the level becomes higher, each differentiating signal is delayed, causing such a problem as follows. When the trigger level at the time of generating the trigger signal changes, the width of the trigger signal differs from that when the trigger level does not change.

【0009】 上記〜のようなことがあるので、
実際のビームサイズがと測定したビームサイズが異なっ
てしまい、測定したビームサイズが所定の値になるよう
に、例えば、成形偏向器によりビームサイズの調整を行
ってからパターン描画を行っても、描画精度が低下して
しまう。
[0009] Since there are the above-mentioned things,
Even if the actual beam size is different from the measured beam size and the measured beam size becomes a predetermined value, for example, the pattern is drawn after adjusting the beam size with a shaping deflector, Accuracy decreases.

【0010】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、正確に簡単に矩形ビームのサイズ
や矩形ビームの位置決め偏向器の調整を行うことかでき
る矩形ビームのサイズ及び位置決め調整方法を実現する
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object the size and the size of a rectangular beam which can accurately and simply adjust the size of a rectangular beam and a deflector for positioning a rectangular beam. The purpose is to realize a positioning adjustment method.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明に基づく
荷電粒子ビーム描画装置における矩形ビームのサイズの
調整方法は、第1のアパーチャの開口像を第2のアパー
チャ上に結像し、第2のアパーチャの開口を透過した矩
形断面の荷電粒子ビームを被描画材料上に投射するよう
にした荷電粒子ビーム描画装置において、単位サイズに
成形した単位矩形ビームを直線状の境界部を横切って実
質的に2回の走査を行い、境界部によって影響されたビ
ームを検出し、その検出信号を微分した2種の信号をメ
モリーに記憶すると共に、この記憶の際、それぞれの信
号を相互に単位矩形ビームの単位サイズ分ずらして記憶
させ、メモリー内に記憶された2種の信号の重ね合わせ
信号に基づいて、成形された矩形ビームのサイズの調整
を行うようにしたことを特徴としている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a charged particle beam writing apparatus for adjusting the size of a rectangular beam, comprising: forming an aperture image of a first aperture on a second aperture; In a charged particle beam drawing apparatus configured to project a charged particle beam having a rectangular cross section transmitted through an opening of an aperture 2 onto a material to be drawn, a unit rectangular beam formed into a unit size is substantially cut across a linear boundary portion. The scanning is performed twice, the beam affected by the boundary portion is detected, and two types of signals obtained by differentiating the detection signal are stored in a memory. The beam is shifted and stored by the unit size of the beam, and the size of the shaped rectangular beam is adjusted based on the superimposed signal of the two signals stored in the memory. It is characterized by a door.

【0012】請求項2の発明に基づく荷電粒子ビーム描
画装置における矩形ビームの位置決め調整方法は、第1
のアパーチャの開口像を第2のアパーチャ上に結像し、
第2のアパーチャの開口を透過した矩形断面の荷電粒子
ビームを被描画材料上に投射するようにした荷電粒子ビ
ーム描画装置において、描画フィールドの一方の端部に
直線状の境界部を配置し、単位サイズに成形した単位矩
形ビームを該直線状の境界部を横切って第1回目の走査
を行い、境界部によって影響されたビームを検出し、そ
の検出信号を微分した後その信号を走査位置に応じてメ
モリーに記憶し、次に該境界部を描画フィールド分機械
的に移動させ、その移動後において、該境界部で第2回
目の走査を行い、境界部によって影響されたビームを検
出し、その検出信号を微分した後第2回目の走査に応じ
てメモリーに記憶すると共に、第1回目と第2回目の走
査に基づく微分信号のメモリーへの記憶の際、それぞれ
の信号を単位矩形ビームの単位サイズ分ずらして記憶さ
せ、メモリー内に記憶された2種の信号の重ね合わせ信
号に基づいて、位置決め偏向器の調整を行うようにした
ことを特徴としている。
In the charged particle beam drawing apparatus according to the second aspect of the present invention, a method for adjusting the positioning of a rectangular beam is described in the first aspect.
Forming an aperture image of the aperture on the second aperture,
In a charged particle beam drawing apparatus configured to project a charged particle beam having a rectangular cross section transmitted through an opening of a second aperture onto a material to be drawn, a linear boundary portion is arranged at one end of a drawing field, The first scan is performed on the unit rectangular beam shaped to the unit size across the linear boundary, the beam affected by the boundary is detected, and the detected signal is differentiated. The boundary is then mechanically moved by the drawing field, and after the movement, a second scan is performed at the boundary to detect a beam affected by the boundary, After differentiating the detection signal, the signal is stored in the memory in accordance with the second scan, and when the differential signal based on the first and second scans is stored in the memory, each signal is stored in a unit rectangle. Is stored by shifting the unit size of the over-time, based on the superimposition signal of the two signals stored in memory, it is characterized in that to perform the adjustment of the positioning deflector.

【0013】[0013]

【作用】本発明は、ナイフエッジなどの直線状の境界部
を横切って矩形ビームの走査を実質的に2回行い、それ
ぞれの走査に基づいて得られた信号を1回微分し、微分
信号を同一メモリーに記憶させ、記憶された2種の微分
信号の重ね合わされた信号に基づいて矩形ビームのサイ
ズの調整や矩形ビームの位置決め偏向器の調整を行う。
According to the present invention, a rectangular beam is scanned substantially twice across a linear boundary such as a knife edge, and a signal obtained based on each scan is differentiated once to obtain a differentiated signal. The size of the rectangular beam is adjusted and the positioning deflector for the rectangular beam is adjusted based on a signal obtained by superimposing the two types of differential signals stored in the same memory.

【0014】[0014]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図3は本発明を実施するための可変面積型
電子ビーム描画装置の一例を示している。11は電子ビ
ームEBを発生する電子銃であり、該電子銃11から発
生した電子ビームEBは、照明レンズ12を介して第1
成形アパーチャ13上に照射される。第1成形アパーチ
ャの開口像は、成形レンズ14により、第2成形アパー
チャ16上に結像されるが、その結像の位置は、成形偏
向器15により変えることができる。第2成形アパーチ
ャ16により成形された像は、縮小レンズ17、対物レ
ンズ18を経て描画材料20上に照射される。描画材料
20への照射位置は、位置決め偏向器19により変える
ことができる。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 3 shows an example of a variable area type electron beam writing apparatus for carrying out the present invention. An electron gun 11 generates an electron beam EB. The electron beam EB generated from the electron gun 11 is
The light is irradiated onto the forming aperture 13. The aperture image of the first shaping aperture is formed on the second shaping aperture 16 by the shaping lens 14, and the position of the image can be changed by the shaping deflector 15. The image formed by the second forming aperture 16 is irradiated onto the drawing material 20 via the reduction lens 17 and the objective lens 18. The irradiation position on the drawing material 20 can be changed by the positioning deflector 19.

【0015】21はコンピュータであり、コンピュータ
21はパターンデータメモリー22からのパターンデー
タをデータ転送回路23に転送する。データ転送回路2
3からのパターンデータは、ショット分割器24に供給
されてショット分割される。ショット分割器24からの
描画データに応じた信号は、成形偏向器15を制御する
偏向制御回路25、位置決め偏向器19を制御する制御
回路26、電子銃11から発生した電子ビームのブラン
キングを行うブランキング電極27を制御するブランキ
ングコントロール回路28に供給される。
A computer 21 transfers the pattern data from a pattern data memory 22 to a data transfer circuit 23. Data transfer circuit 2
3 is supplied to the shot divider 24 to be divided into shots. A signal corresponding to the drawing data from the shot divider 24 performs a deflection control circuit 25 for controlling the shaping deflector 15, a control circuit 26 for controlling the positioning deflector 19, and blanking of an electron beam generated from the electron gun 11. It is supplied to a blanking control circuit 28 for controlling the blanking electrode 27.

【0016】更に、コンピュータ21は、材料のフィー
ルド毎の移動のために、材料20が載せられたステージ
29の駆動機構30を制御する。なお、ステージ29上
の材料20が載せられていない部分には、ナイフエッジ
とファラデーカップの組み合わせより成るビーム検出構
造31が備えられている。ビーム検出構造31のより具
体的な構成、および、ビーム検出構造31の検出信号の
処理回路の一例は図4に示されている。
Further, the computer 21 controls a drive mechanism 30 of a stage 29 on which the material 20 is placed for moving the material in each field. Note that a beam detection structure 31 composed of a combination of a knife edge and a Faraday cup is provided on a portion of the stage 29 where the material 20 is not placed. FIG. 4 shows a more specific configuration of the beam detection structure 31 and an example of a detection signal processing circuit of the beam detection structure 31.

【0017】この図4において、ビーム検出構造31は
ナイフエッジ32とファラデーカップ33より構成され
ている。ファラデーカップ33の検出信号は、微分回路
34に供給されて微分された後、AD変換器35を介し
てコンピュータ21に供給される。コンピュータ21
は、供給された信号を波形メモリー36に書き込む。こ
のような構成の動作を次に説明する。
In FIG. 4, the beam detecting structure 31 includes a knife edge 32 and a Faraday cup 33. The detection signal of the Faraday cup 33 is supplied to a differentiating circuit 34 to be differentiated, and then supplied to the computer 21 via an AD converter 35. Computer 21
Writes the supplied signal into the waveform memory 36. The operation of such a configuration will now be described.

【0018】まず、通常の描画動作について説明する。
パターンデータメモリ22に格納されたパターンデータ
は、逐次読み出され、データ転送回路23を経てショッ
ト分割器24に供給される。ショット分割器24で分割
されたデータに基づき、偏向制御回路25は成形偏向器
15を制御し、また、制御回路26は位置決め偏向器1
9を制御する。
First, a normal drawing operation will be described.
The pattern data stored in the pattern data memory 22 is sequentially read out and supplied to the shot divider 24 via the data transfer circuit 23. Based on the data divided by the shot divider 24, the deflection control circuit 25 controls the shaping deflector 15, and the control circuit 26 controls the positioning deflector 1
9 is controlled.

【0019】この結果、各分割されたパターンデータに
基づき、成形偏向器15により電子ビームの断面が単位
パターン形状に成形され、その単位パターンが順々に材
料上にショットされ、所望の形状のパターン描画が行わ
れる。なお、この時、ブランキングコントロール回路2
8からブランキング電極27へのブランキング信号によ
り、材料20への電子ビームのショットに同期して電子
ビームのブランキングが実行される。
As a result, the cross section of the electron beam is formed into a unit pattern shape by the shaping deflector 15 based on each divided pattern data, and the unit patterns are sequentially shot on a material to form a desired shape pattern. Drawing is performed. At this time, the blanking control circuit 2
In response to a blanking signal from 8 to the blanking electrode 27, blanking of the electron beam is executed in synchronization with the shot of the electron beam on the material 20.

【0020】次に、材料20に照射される矩形ビームの
サイズの調整方法について説明する。この矩形ビームサ
イズの調整を行う場合、まず、コンピュータ21からの
指示により駆動機構30を駆動し、ステージ29を移動
させる。そして、ステージ29上にあるナイフエッジと
ファラデーカップを組み合わせたビーム検出構造31を
電子ビームの光軸直下に位置させる。
Next, a method for adjusting the size of the rectangular beam irradiated on the material 20 will be described. When adjusting the rectangular beam size, first, the drive mechanism 30 is driven by an instruction from the computer 21 to move the stage 29. Then, the beam detection structure 31 combining the knife edge and the Faraday cup on the stage 29 is positioned directly below the optical axis of the electron beam.

【0021】その後、従来の方式と同様に、矩形に成形
された電子ビームをナイフエッジ32の開口37部分に
照射する。その後、図中矢印Xの方向に電子ビームの第
1回目の走査を行う。この走査によりファラデーカップ
33から図5(a)の信号が得られる。すなわち、最初
電子ビームの全てが開口37を通過しており、全ビーム
電流が検出される。その後、ビームを走査することによ
り、ナイフエッジ32によって徐々にビームがカットさ
れることになり、検出ビーム電流はそれに応じて減少
し、最後には、ビームの全部がナイフエッジ32によっ
てカットされ、検出信号はゼロとなる。
Thereafter, similarly to the conventional method, a rectangular shaped electron beam is applied to the opening 37 of the knife edge 32. Thereafter, the first scanning of the electron beam is performed in the direction of arrow X in the figure. The signal shown in FIG. 5A is obtained from the Faraday cup 33 by this scanning. That is, first, all of the electron beams pass through the opening 37, and the entire beam current is detected. Thereafter, by scanning the beam, the beam will be gradually cut by the knife edge 32, and the detected beam current will be reduced accordingly, and finally all of the beam will be cut by the knife edge 32 and the detection The signal goes to zero.

【0022】ファラデーカップ33によって検出された
信号は、微分回路34によって微分され、図5(b)の
信号が得られる。この微分信号は、A−D変換器35に
よってディジタル信号に変換された後、コンピュータ2
1に供給される。コンピュータ21は供給された信号を
メモリー36に記憶させる。次に図中矢印Xの方向に電
子ビームの第2回目の走査を行うが、この第2回目の走
査は走査の始点を第1回目の走査のときと単位矩形ビー
ムのX方向のサイズ分ずらして行う。この走査によりフ
ァラデーカップ33から第1回目の走査と同様に図5
(a)の信号が得られる。
The signal detected by the Faraday cup 33 is differentiated by a differentiating circuit 34 to obtain a signal shown in FIG. This differential signal is converted into a digital signal by the AD converter 35,
1 is supplied. The computer 21 stores the supplied signal in the memory 36. Next, the second scanning of the electron beam is performed in the direction of arrow X in the figure. In the second scanning, the starting point of the scanning is shifted from the time of the first scanning by the size of the unit rectangular beam in the X direction. Do it. By this scanning, the Faraday cup 33 is used as in FIG.
The signal of (a) is obtained.

【0023】第2回目の走査に基づくファラデーカップ
の検出信号も微分回路34によって微分され、図5
(b)の信号と同様な信号が得られる。この微分信号
は、A−D変換器35によってディジタル信号に変換さ
れた後、コンピュータ21に供給される。コンピュータ
21は供給された信号をメモリー36に記憶させる。さ
て、メモリー36には第1回目の電子ビームの走査と第
2回目の電子ビームの走査に基づく信号が記憶される。
図5(c)はメモリー36に記憶されている2つの信号
を示しており、S1は第1回目の走査に基づく信号、S2
は第2回目の走査に基づく信号である。
The detection signal of the Faraday cup based on the second scanning is also differentiated by the differentiating circuit 34.
A signal similar to the signal (b) is obtained. This differential signal is supplied to the computer 21 after being converted into a digital signal by the AD converter 35. The computer 21 stores the supplied signal in the memory 36. The memory 36 stores signals based on the first electron beam scanning and the second electron beam scanning.
FIG. 5 (c) shows the two signals stored in the memory 36, S 1 is the signal based on a scan of the first round, S 2
Is a signal based on the second scan.

【0024】この第1回目と第2回目の電子ビームの走
査は、前記したように、矩形ビームのサイズ分走査の始
点がずらされているため、実際の矩形ビームのサイズが
規定通りであると、2つの信号を重ね合わせた信号の繋
ぎ目はフラットとなる。しかしながら、矩形ビームのサ
イズが規定の長さからずれていると、信号の繋ぎ目は凹
みが出たり、逆に出っ張ったりする。図5(d)の信号
は2つの信号の重ね合わせ信号であり、この場合、信号
の繋ぎ目(丸で囲んだ部分)は凹んでいる。
As described above, in the first and second electron beam scans, since the starting point of the scan is shifted by the size of the rectangular beam, it is assumed that the actual rectangular beam size is as specified. The joint between the signals obtained by superimposing the two signals is flat. However, if the size of the rectangular beam deviates from the prescribed length, the joint of the signal may be concave or protrude. The signal in FIG. 5D is a superimposed signal of two signals, and in this case, the joint of the signals (the portion surrounded by a circle) is concave.

【0025】この凹んでいる場合は、単位矩形ビームの
サイズが規定の長さより短い場合である。この凹んだ部
分をフラットとするように、コンピュータ21から図3
における偏向器制御回路25を制御し、第1の成形アパ
ーチャと第2の成形アパーチャによって成形される矩形
電子ビームが、規定通りのサイズとなるように成形偏向
器15に供給する信号を調整する。この図5(d)の場
合には、単位矩形ビームのサイズが大きくなるように調
整される。
The case of the depression is a case where the size of the unit rectangular beam is shorter than the specified length. FIG. 3 shows that the concave portion is flattened by the computer 21.
And the signal supplied to the shaping deflector 15 is adjusted so that the rectangular electron beam formed by the first shaping aperture and the second shaping aperture has a prescribed size. In the case of FIG. 5D, the adjustment is performed so that the size of the unit rectangular beam is increased.

【0026】図5(d)の場合には、重ね合わせ信号の
繋ぎ目が凹んでいたが、逆に出っ張っていた場合は、単
位矩形ビームのサイズが規定の長さより長い場合であ
り、単位矩形ビームのサイズが小さくなるように調整さ
れる。なお、この単位矩形ビームの実際のサイズの調整
は、例えば、オペレータが陰極線管などに表示された図
5(d)の重ね合わせ信号を見ながら行っても良く、ま
た、コンピュータ21が重ね合わせ信号に基づいて判断
を自動的に行い、自動的にサイズの調整を行っても良
い。
In the case of FIG. 5D, the seam of the superimposed signal is concave, but when the seam protrudes, the size of the unit rectangular beam is longer than the specified length. The size of the beam is adjusted to be small. The adjustment of the actual size of the unit rectangular beam may be performed, for example, while an operator looks at the superposition signal shown in FIG. 5D displayed on a cathode ray tube or the like. May be automatically determined based on the size, and the size may be automatically adjusted.

【0027】上記した矩形ビームのサイズの調整は、ビ
ームサイズを実際に測定して行っていた従来に比べ、実
際に描画動作を行う場合と同等のビームの照射量の形状
から合わせ込みを行うため、描画結果と良く一致した結
果を得ることができる。その為、従来のように、ビーム
サイズを測定してビームサイズの調整を行い、その後描
画を実際に行ってその結果から、再度ビームサイズの微
調整を行うような面倒なことを行う必要がない。
The above-described adjustment of the size of the rectangular beam is performed in order to perform the adjustment from the shape of the irradiation amount of the beam equivalent to that in the case of actually performing the drawing operation, as compared with the conventional method in which the beam size is actually measured. Thus, a result that is in good agreement with the drawing result can be obtained. Therefore, it is not necessary to measure the beam size and adjust the beam size as in the related art, and then perform drawing, and then perform fine adjustment of the beam size again based on the result. .

【0028】上記した実施例では、2回の電子ビームの
走査を行い、それぞれの走査のときの始点を単位矩形ビ
ームのサイズ分ずらすようにした。この方法以外に、2
回の走査を同じ始点から行い、2種の信号をメモリー3
6に記憶する際、メモリー36上で2種の信号の記憶位
置を相互に単位矩形ビームのサイズ分ずらすようにして
も良い。また、電子ビームの走査は1回とし、単一の信
号をメモリー36上で単位矩形ビームのサイズ分ずらし
て記憶させても良い。更に、信号のSN比を向上させる
ため、各走査を複数回行い、検出信号を積算することは
有効である。
In the above embodiment, two electron beam scans are performed, and the starting point for each scan is shifted by the size of the unit rectangular beam. Other than this method, 2
Scans are performed from the same starting point, and two kinds of signals are stored in the memory 3.
6, the two signals may be stored at different positions on the memory 36 by the size of the unit rectangular beam. The electron beam may be scanned once, and a single signal may be stored on the memory 36 while being shifted by the size of the unit rectangular beam. Further, in order to improve the signal-to-noise ratio of the signal, it is effective to perform each scan a plurality of times and integrate the detection signals.

【0029】図6は本発明を矩形ビームの位置決めの調
整に利用した実施例を説明するための図である。図中正
方形で示した領域Fは描画フィールドを示している。こ
のフィールドは、被描画材料の機械的な移動によらず、
電子ビームの偏向によってのみ描画を行う領域である。
通常の描画動作は、フィールド単位で電子ビームの偏向
によって所望の描画を行い、そのフィールドの描画が終
了すると、フィールドの長さ分被描画材料を機械的に移
動させ、その後隣接したフィールドの描画を行う。
FIG. 6 is a diagram for explaining an embodiment in which the present invention is used for adjusting the positioning of a rectangular beam. An area F indicated by a square in the drawing indicates a drawing field. This field does not depend on the mechanical movement of the material to be drawn,
This is an area where writing is performed only by deflection of the electron beam.
In a normal drawing operation, a desired drawing is performed by deflecting an electron beam in a unit of a field, and when drawing of the field is completed, the material to be drawn is mechanically moved by the length of the field, and then drawing of an adjacent field is performed. Do.

【0030】このような描画の方式はステップアンドリ
ピート方式と称しているが、この方式では、隣り合った
フィールドの間の描画パターンのつなぎの精度が非常に
重要となる。このつなぎの精度を悪化させる要因は、前
記した矩形ビームのビームサイズが規定通りでないこ
と、矩形ビームの位置決め偏向器19による位置決め精
度(偏向器の振幅の精度)である。
Such a drawing method is called a step-and-repeat method. In this method, however, the accuracy of connection of drawing patterns between adjacent fields is very important. Factors that degrade the accuracy of this connection are that the beam size of the rectangular beam is not as specified and that the positioning accuracy of the rectangular beam by the positioning deflector 19 (the accuracy of the amplitude of the deflector).

【0031】この位置決め精度を向上させるため、本発
明では、前記したビームサイズの調整を行った後、ま
ず、図6に示した描画フィールドFの一方の端部位置P
1にナイフエッジを配置する。この状態で矩形電子ビー
ムを偏向し、ナイフエッジを横切って直線状に走査す
る。この走査に応じて図5(a)に示したと同様の信号
が得られ、また、その信号を微分することにより図5
(b)の信号が得られる。この微分信号が波形メモリー
36に記憶される。波形メモリー37に記憶された信号
は図7(a)の波形W1となる。
In order to improve the positioning accuracy, according to the present invention, after the beam size is adjusted, first, one end position P of the drawing field F shown in FIG.
Place a knife edge on 1 . In this state, the rectangular electron beam is deflected and scanned linearly across the knife edge. According to this scanning, a signal similar to that shown in FIG. 5A is obtained, and the signal is differentiated to obtain the signal shown in FIG.
The signal of (b) is obtained. This differentiated signal is stored in the waveform memory 36. The signal stored in the waveform memory 37 has a waveform W 1 of FIG. 7 (a).

【0032】次に、ナイフエッジ部分を描画フィールド
の一辺の長さ分X方向に機械的に移動させる。この移動
は、図3の実施例では、コンピュータ21から駆動回路
30を制御し、ステージ29を移動させる。ステージ2
9の移動は、図示していないがレーザ干渉計によって監
視されており、正確に移動距離は制御される。この結
果、図6の描画フィールドFの他方の端部位置P2にナ
イフエッジが配置される。この状態で矩形電子ビームを
偏向し、ナイフエッジを横切って直線状に走査する。こ
の走査に応じて図5(a)と同様の信号が得られ、ま
た、その信号を微分することにより図5(b)の信号が
得られる。なお、この走査の際には、ナイフエッジの端
部に対する走査の始点を単位矩形ビームのサイズ分ずら
して行う。この結果得られた微分信号は、波形メモリー
36に記憶されるが、この信号は図7(a)の波形W2
となる。
Next, the knife edge portion is mechanically moved in the X direction by the length of one side of the drawing field. In this embodiment, the drive circuit 30 is controlled by the computer 21 to move the stage 29 in the embodiment shown in FIG. Stage 2
The movement of 9 is monitored by a laser interferometer, not shown, and the movement distance is accurately controlled. As a result, the other knife edge to the end position P 2 of the drawing fields F of Figure 6 is placed. In this state, the rectangular electron beam is deflected and scanned linearly across the knife edge. A signal similar to that shown in FIG. 5A is obtained according to this scanning, and a signal shown in FIG. 5B is obtained by differentiating the signal. In this scanning, the starting point of the scanning with respect to the edge of the knife edge is shifted by the size of the unit rectangular beam. The differentiated signal obtained as a result is stored in the waveform memory 36, and this signal is represented by the waveform W 2 in FIG.
Becomes

【0033】このように、ステージ29を描画フィール
ドF分移動させ、その前後で矩形ビームをナイフエッジ
を横切って走査し、それぞれの走査に基づく検出信号を
1回微分し、微分信号を重ねてメモリー36内に記憶
し、その記憶された信号を読み出して表示すると、図7
(b)の信号が得られる。この図7(b)の信号の中央
部の凹みやあるいは出っ張りをなくし、フラットとする
ように、コンピュータ21から制御回路26を制御し、
位置決め偏向器19に供給する偏向信号の振幅を調整す
れば、隣り合ったフィールドのつなぎを精度高く行うこ
とができる。なお、図6に示したフィールドFの端部P
3とP4とにおいても上述した動作を行えば、Y方向の偏
向信号の振幅の調整を行うことができる。
As described above, the stage 29 is moved by the drawing field F, the rectangular beam is scanned across the knife edge before and after the stage 29, the detection signal based on each scan is differentiated once, and the differentiated signal is superimposed on the memory. When the stored signal is read out and displayed in FIG.
The signal of (b) is obtained. The control circuit 26 is controlled from the computer 21 so that the dent or protrusion at the center of the signal shown in FIG.
If the amplitude of the deflection signal supplied to the positioning deflector 19 is adjusted, it is possible to connect adjacent fields with high accuracy. The end P of the field F shown in FIG.
By performing the above operation also in 3 and P 4 Prefecture, it is possible to perform the amplitude adjustment of the Y-direction deflection signal.

【0034】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、可変面積型の電
子ビーム描画装置を例に説明したが、イオンビーム描画
装置にも本発明を用いることができる。また、ナイフエ
ッジを設け、ナイフエッジの開口を通ったビームをファ
ラデーカップにより検出したが、2次電子や反射電子の
発生率の異なる材料で形成された直線状の端部を有する
部材を配置し、この直線状の端部を横切ってビームを走
査し、走査に伴って発生した2次電子や反射電子を検出
するように構成しても良い。
Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this embodiment. For example, although a variable area type electron beam writing apparatus has been described as an example, the present invention can be applied to an ion beam writing apparatus. In addition, a knife edge was provided, and a beam passing through the opening of the knife edge was detected by a Faraday cup, but a member having a linear end formed of a material having a different generation rate of secondary electrons and reflected electrons was arranged. Alternatively, the beam may be scanned across the linear end to detect secondary electrons and reflected electrons generated by the scanning.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ナイフ
エッジなどの直線状の境界部を横切って矩形ビームの走
査を実質的に2回行い、それぞれの走査に基づいて得ら
れた信号を1回微分し、微分信号を同一メモリーに記憶
させ、記憶された2種の微分信号の重ね合わされた信号
に基づいて矩形ビームのサイズの調整や矩形ビームの位
置決め偏向器の調整を行うようにしたので、実際に描画
したときのビームの照射量分布と同じ状態の信号を測定
しながら調整を行うことができ、精度良くビームサイズ
の調整や位置決め偏向器の調整を行うことができる。そ
して、本発明では描画結果を見た上での微調整が不要と
なる。
As described above, according to the present invention, a rectangular beam is scanned substantially twice across a linear boundary such as a knife edge, and a signal obtained based on each scan is obtained. Differentiation is performed once, the differentiated signal is stored in the same memory, and the size of the rectangular beam is adjusted and the positioning deflector for the rectangular beam is adjusted based on the superimposed signal of the two stored differential signals. Therefore, the adjustment can be performed while measuring the signal in the same state as the irradiation dose distribution of the beam when the image is actually drawn, and the beam size and the positioning deflector can be adjusted with high accuracy. In the present invention, fine adjustment after viewing the drawing result becomes unnecessary.

【0036】また、ビームの走査に伴って検出した信号
の微分を1回行うのみでビームの調整を行うことができ
るので、複数回微分を行った従来に比べ、信号処理によ
る信号の遅れやなまりが少なくなるため、より実際に近
い信号で調整を行うことができる。更に、検出信号のレ
ベルが変化しても、ビームの分布波形でビームサイズの
合わせ込みを行うため、信号レベルの変化の影響が少な
い。
Further, since the beam can be adjusted by performing only one differentiation of the signal detected in accordance with the scanning of the beam, the signal is delayed or dull due to the signal processing as compared with the related art in which the differentiation is performed a plurality of times. , The adjustment can be performed with a signal closer to the actual one. Further, even if the level of the detection signal changes, the beam size is adjusted using the distribution waveform of the beam, so that the influence of the change in the signal level is small.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】矩形ビームのサイズの測定を行う従来の構成を
示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a conventional configuration for measuring the size of a rectangular beam.

【図2】図1の構成による信号波形を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a signal waveform according to the configuration of FIG. 1;

【図3】本発明に基づく方法を実施するための電子ビー
ム描画システムの一例を示す図である。
FIG. 3 shows an example of an electron beam writing system for implementing the method according to the invention.

【図4】本発明の方法を実施するための検出信号の処理
経路の一例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a processing path of a detection signal for performing the method of the present invention.

【図5】本発明の一実施例のと動作を説明するための信
号波形を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing signal waveforms for explaining the operation of the embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例における描画フィールドと矩
形ビームの走査位置とを示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a drawing field and a scanning position of a rectangular beam in one embodiment of the present invention.

【図7】図6の実施例の動作を説明するための信号波形
を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing signal waveforms for explaining the operation of the embodiment in FIG. 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 電子銃 12 照明レンズ 13,16 成形アパーチャ 14 成形レンズ 15,19 偏向器 17 縮小レンズ 18 対物レンズ 20 材料 21 コンピュータ 22 メモリ 23 データ転送回路 24 ショット分割器 25 成形偏向器制御回路 26 位置決め偏向器制御回路 27 ブランキング電極 28 ブランキングコントロール回路 29 ステージ 30 駆動機構 31 ビーム検出構造 32 ナイフエッジ 33 ファラデーカップ 34 微分回路 35 AD変換器 36 波形メモリー DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Electron gun 12 Illumination lens 13, 16 Molding aperture 14 Molding lens 15, 19 Deflector 17 Reduction lens 18 Objective lens 20 Material 21 Computer 22 Memory 23 Data transfer circuit 24 Shot splitter 25 Molding deflector control circuit 26 Positioning deflector control Circuit 27 Blanking electrode 28 Blanking control circuit 29 Stage 30 Drive mechanism 31 Beam detection structure 32 Knife edge 33 Faraday cup 34 Differentiator 35 A / D converter 36 Waveform memory

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 第1のアパーチャの開口像を第2のアパ
ーチャ上に結像し、第2のアパーチャの開口を透過した
矩形断面の荷電粒子ビームを被描画材料上に投射するよ
うにした荷電粒子ビーム描画装置において、単位サイズ
に成形した単位矩形ビームを直線状の境界部を横切って
実質的に2回の走査を行い、境界部によって影響された
ビームを検出し、その検出信号を微分した2種の信号を
メモリーに記憶すると共に、この記憶の際、それぞれの
信号を相互に単位矩形ビームの単位サイズ分ずらして記
憶させ、メモリー内に記憶された2種の信号の重ね合わ
せ信号に基づいて、成形された矩形ビームのサイズの調
整を行うようにした荷電粒子ビーム描画装置における矩
形ビームのサイズ調整方法。
An image of an aperture of a first aperture is formed on a second aperture, and a charged particle beam having a rectangular cross section transmitted through the aperture of the second aperture is projected on a material to be drawn. In a particle beam writing apparatus, a unit rectangular beam shaped into a unit size is scanned twice substantially across a linear boundary, a beam affected by the boundary is detected, and the detection signal is differentiated. The two kinds of signals are stored in a memory, and at the time of this storage, the signals are mutually shifted by a unit size of a unit rectangular beam and stored, and based on a superimposed signal of the two kinds of signals stored in the memory. And adjusting the size of the shaped rectangular beam in the charged particle beam drawing apparatus.
【請求項2】 第1のアパーチャの開口像を第2のアパ
ーチャ上に結像し、第2のアパーチャの開口を透過した
矩形断面の荷電粒子ビームを被描画材料上に投射するよ
うにした荷電粒子ビーム描画装置において、描画フィー
ルドの一方の端部に直線状の境界部を配置し、単位サイ
ズに成形した単位矩形ビームを該直線状の境界部を横切
って第1回目の走査を行い、境界部によって影響された
ビームを検出し、その検出信号を微分した後その信号を
走査位置に応じてメモリーに記憶し、次に該境界部を描
画フィールド分機械的に移動させ、その移動後におい
て、該境界部で第2回目の走査を行い、境界部によって
影響されたビームを検出し、その検出信号を微分した後
第2回目の走査に応じてメモリーに記憶すると共に、第
1回目と第2回目の走査に基づく微分信号のメモリーへ
の記憶の際、それぞれの信号を単位矩形ビームの単位サ
イズ分ずらして記憶させ、メモリー内に記憶された2種
の信号の重ね合わせ信号に基づいて、位置決め偏向器の
調整を行うようにした荷電粒子ビーム描画装置における
矩形ビームの位置決め調整方法。
2. An image forming apparatus, wherein an aperture image of a first aperture is formed on a second aperture, and a charged particle beam having a rectangular cross section transmitted through the aperture of the second aperture is projected on a material to be drawn. In the particle beam writing apparatus, a linear boundary is disposed at one end of the writing field, and a first scan is performed with a unit rectangular beam formed into a unit size across the linear boundary. After detecting the beam affected by the section and differentiating the detection signal, the signal is stored in a memory according to the scanning position, and then the boundary is mechanically moved by the drawing field, and after the movement, A second scan is performed at the boundary, a beam affected by the boundary is detected, the detection signal is differentiated, and then stored in a memory according to the second scan, and the first and second scans are performed. The first run When storing the differentiated signal in the memory based on the inspection, the signals are shifted and stored by the unit size of the unit rectangular beam, and based on the superimposed signal of the two signals stored in the memory, the positioning deflector is used. A method for adjusting the positioning of a rectangular beam in a charged particle beam drawing apparatus for adjusting the position of a beam.
【請求項3】 第1回目と第2回目の矩形ビームの走査
を行い、それぞれの走査の開始点を単位矩形ビームの単
位サイズ分ずらして行うようにした請求項1又は2記載
の調整方法。
3. The adjustment method according to claim 1, wherein the first and second scans of the rectangular beam are performed, and the starting point of each scan is shifted by a unit size of the unit rectangular beam.
【請求項4】 第1回目と第2回目の矩形ビームの走査
を行い、第2回目の矩形ビームの走査を第1回目の矩形
ビームの走査と同じ始点から開始し、第2回目の矩形ビ
ームの走査に基づく微分信号のメモリー内への記憶の
際、単位矩形ビームのサイズ分ずらして記憶させるよう
にした請求項1又は2記載の調整方法。
4. The first and second rectangular beam scans are performed, the second rectangular beam scan is started from the same starting point as the first rectangular beam scan, and the second rectangular beam scan is performed. 3. The adjustment method according to claim 1, wherein, when the differential signal based on the scanning is stored in the memory, the differential signal is shifted by the size of the unit rectangular beam and stored.
【請求項5】 実質的に1回の矩形ビームの矩形ビーム
の走査に基づく微分信号をメモリーに書き込むと共に、
この第1回目の走査に基づく微分信号を単位サイズ分ず
らしてメモリー内に重複して書き込み、第2回目の矩形
ビームの走査を行わないようにした請求項1記載の調整
方法。
5. A method for writing a differential signal based on substantially one rectangular beam scan of a rectangular beam into a memory,
2. The adjustment method according to claim 1, wherein the differentiated signal based on the first scan is shifted by a unit size and written in the memory redundantly so that the second scan with the rectangular beam is not performed.
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