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JP3070943B2 - Manufacturing method of radiation image conversion panel - Google Patents
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JP3070943B2 - Manufacturing method of radiation image conversion panel - Google Patents

Manufacturing method of radiation image conversion panel

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JP3070943B2
JP3070943B2 JP2288501A JP28850190A JP3070943B2 JP 3070943 B2 JP3070943 B2 JP 3070943B2 JP 2288501 A JP2288501 A JP 2288501A JP 28850190 A JP28850190 A JP 28850190A JP 3070943 B2 JP3070943 B2 JP 3070943B2
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radiation
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    • G21KHANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、放射線画像変換パネルの製造方法に関し、
詳しくは、画像の鮮鋭性の高い放射線画像変換パネルの
製造方法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a radiation image conversion panel,
More specifically, the present invention relates to a method for manufacturing a radiation image conversion panel having high image sharpness.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

例えば医療の分野においては、病気の診断にX線画像
のような放射線画像が多く用いられている。
For example, in the medical field, radiation images such as X-ray images are often used for diagnosing diseases.

放射線画像の形成方法としては、従来、被写体を透過
したX線を蛍光体層(蛍光スクリーン)に照射し、これ
により可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を撮
るときと同じように、銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像する、いわゆる放射線写真法が一般的であった。
Conventionally, as a method of forming a radiation image, X-rays transmitted through a subject are irradiated on a phosphor layer (fluorescent screen) to generate visible light, and this visible light is used in the same manner as when a normal photograph is taken. A so-called radiographic method of irradiating and developing a film using a silver salt has been generally used.

しかるに、近年、銀塩を塗布したフィルムを使用しな
いで蛍光体層から直接画像を取り出す方法として、被写
体を透過した放射線を蛍光体に吸収させ、しかる後この
蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起することに
より、この蛍光体に吸収されて蓄積されていた放射線エ
ネルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を検出して画
像化する方法が提案されている。
However, in recent years, as a method of taking out an image directly from the phosphor layer without using a film coated with a silver salt, the radiation transmitted through the subject is absorbed by the phosphor, and then the phosphor is excited by, for example, light or heat energy. Then, a method has been proposed in which radiation energy absorbed and accumulated in the phosphor is emitted as fluorescence, and the fluorescence is detected and imaged.

例えば米国特許第3,859,527号明細書、特開昭55−121
44号公報には、輝尽性蛍光体を用い、可視光線または赤
外線を輝尽励起光として用いた放射線画像変換方法が示
されている。この方法は、基板上に輝尽性蛍光体層を形
成した放射線画像変換パネルを使用するものであり、こ
の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透
過した放射線を当てて、被写体の各部の放射線透過度に
対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、
しかる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査する
ことによって各部に蓄積された放射線エネルギーを輝尽
発光として放射させ、この光の強弱による光信号を例え
ば光電変換し、画像再生装置により画像化するものであ
る。この最終的な画像はハードコピーとして再生される
か、またはCRT上に再生される。
For example, U.S. Pat.No. 3,859,527, JP-A-55-121
No. 44 discloses a radiation image conversion method using a stimulable phosphor and using visible light or infrared light as stimulating excitation light. In this method, a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer formed on a substrate is used. Forming a latent image by accumulating radiation energy corresponding to the radiation transmittance of each part of
Thereafter, the stimulable phosphor layer is scanned with stimulating excitation light to emit radiation energy accumulated in each part as stimulating light, and an optical signal based on the intensity of the light is photoelectrically converted, for example, to perform image reproduction. The image is formed by This final image is played as a hard copy or on a CRT.

このような放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍
光体層を有する放射線画像変換パネルには、前述の蛍光
スクリーンを用いる放射線写真法の場合と同様に、放射
線吸収率および光変換率(両者を含めて以下「放射線感
度」と称する)が高いことが必要であり、しかも画像の
粒状性がよく、さらに高鮮鋭性であることが要求され
る。
A radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer used in such a radiation image conversion method has a radiation absorption rate and a light conversion rate (both of which are the same as in the case of the radiography method using a fluorescent screen described above). (Hereinafter referred to as “radiation sensitivity”), and the image must have good graininess and high sharpness.

しかるに、画像の鮮鋭性は、放射線画像変換パネルの
輝尽性蛍光体層の層厚が薄いほど高い傾向にあり、鮮鋭
性の向上のためには、輝尽性蛍光体層の薄層化が必要で
あった。
However, the sharpness of the image tends to be higher as the thickness of the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel is thinner. To improve the sharpness, the stimulable phosphor layer needs to be thinner. Was needed.

一方、画像の粒状性は、放射線量子数の場所的ゆらぎ
(量子モトル)あるいは放射線画像変換パネルの輝尽性
蛍光体層の構造的乱れ(構造モトル)等によって決定さ
れるので、輝尽性蛍光体層の層厚が薄くなると、輝尽性
蛍光体層に吸収される放射線量子数が減少して量子モト
ルが増加し、構造的乱れが顕在化して構造モトルが増加
して画質の低下を生ずる。従って、画像の粒状性を向上
させるためには、輝尽性蛍光体層の層厚は厚くする必要
があった。
On the other hand, the granularity of the image is determined by the spatial fluctuation of the radiation quantum number (quantum mottle) or the structural disorder of the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel (structural mottle). When the thickness of the body layer is reduced, the quantum number of radiation absorbed by the stimulable phosphor layer is reduced and the quantum mottle is increased, and the structural disorder is evident, the structural mottle is increased and the image quality is reduced. . Therefore, in order to improve the granularity of an image, it is necessary to increase the thickness of the stimulable phosphor layer.

このように、従来の放射線画像変換パネルは、放射線
感度および画像の粒状性と、画像の鮮鋭性とが輝尽性蛍
光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を示すので、放
射線感度および粒状性と、鮮鋭性とがある程度相互に犠
牲にされる状態で製造されてきた。
As described above, in the conventional radiation image conversion panel, the radiation sensitivity and the granularity of the image and the sharpness of the image show a completely opposite tendency to the layer thickness of the stimulable phosphor layer. Granularity and sharpness have been produced with some compromise between each other.

このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善す
る手段がいくつか提案されている。例えば放射線画像変
換パネルの輝尽性蛍光体層中に白色粉体を混入する手段
(特開昭55−146447号公報参照)、放射線画像変換パネ
ルを輝尽性蛍光体の輝尽励起光波長領域における平均反
射率が当該輝尽性蛍光体の輝尽発光波長領域における平
均反射率よりも小さくなるように着色する手段(特開昭
55−163500号公報参照)等が提案されている。しかし、
これらの手段では、鮮鋭性は改善されるが、その結果必
然的に放射線感度が低下する問題がある。
Under such circumstances, some means for improving the sharpness of a radiographic image have been proposed. For example, means for mixing a white powder into the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel (see Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 55-146447); Means for coloring the stimulable phosphor such that the average reflectance in the stimulable phosphor is smaller than the average reflectance in the stimulable emission wavelength region (Japanese Patent Laid-Open No.
55-163500). But,
Although these methods improve the sharpness, there is a problem that the radiation sensitivity necessarily decreases as a result.

一方、本願の出願人によって、輝尽性蛍光体を用いた
放射線画像変換パネルにおける従来の欠点を改良した技
術として、表面に多数の微細な凹凸パターンを有する支
持体に、この表面構造をそのまま引き継ぎ支持体に対し
てほぼ垂直方向に成長した微細な柱状構造(以下「微細
柱状構造」という)からなる輝尽性蛍光体層を形成する
手段が本願の出願人によって提案されている(特開昭61
−142497号公報参照)。
On the other hand, as a technique for improving the conventional drawbacks in a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor, the applicant of the present application has succeeded this surface structure to a support having a large number of fine uneven patterns on the surface. Means for forming a stimulable phosphor layer composed of a fine columnar structure grown in a direction substantially perpendicular to the support (hereinafter referred to as “fine columnar structure”) has been proposed by the applicant of the present application (Japanese Patent Application Laid-open No. 61
-142497).

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

しかし、上記の特開昭61−142497号公報の技術では、
支持体の表面に多数の微細な凹凸パターンを形成するこ
とが必要であるが、この凹凸パターンは、支持体そのも
のをエンボッシュするエンボッシュ法、光、熱、薬品等
で支持体に固着硬化する樹脂を素材とするインクを用い
てグラビア法またはシルク法等により印刷した後、乾
燥、硬化処理を行う印刷法または写真蝕刻法により形成
しなければならないため、凹凸パターンの形成工程が複
雑であり、手間のかかる問題がある。
However, in the technique of JP-A-61-142497 described above,
It is necessary to form a large number of fine uneven patterns on the surface of the support, but this uneven pattern is fixed to the support by the embossing method of embossing the support itself, light, heat, chemicals, and the like. After printing by gravure method or silk method using ink made of resin, it must be formed by printing method or photo-etching method of drying and curing treatment, so the process of forming the concavo-convex pattern is complicated, There is a troublesome problem.

本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル
に関連し、これをさらに改良するものであり、本発明の
目的は放射線感度および粒状性が向上すると共に鮮鋭性
の高い画像を与える放射線画像変換パネルの製造方法を
提供することにある。
The present invention relates to a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor, and further improves the panel. It is an object of the present invention to improve radiation sensitivity and granularity and to provide a radiation image with high sharpness. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an image conversion panel.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

以上の目的を達成するために、本発明者らが鋭意研究
を重ねた結果、支持体の表面に当該支持体の表面物質と
は熱伝導率が異なる物質からなるパターン層を設け、こ
のパターン層側の面上に輝尽性蛍光体を気相堆積法によ
り堆積させることにより、比較的簡易に良好な微細柱状
構造からなる輝尽性蛍光体層を形成することができるこ
とを見出して、本発明を完成するに至ったものである。
In order to achieve the above object, the present inventors have conducted intensive studies, and as a result, provided a pattern layer made of a material having a different thermal conductivity from the surface material of the support on the surface of the support, The present inventors have found that by depositing a stimulable phosphor on the side surface by a vapor deposition method, a stimulable phosphor layer having a fine columnar structure can be formed relatively easily, and the present invention Is completed.

そこで、本発明の放射線画像変換パネルの製造方法
は、支持体上に輝尽性蛍光体層を備えた放射線画像変換
パネルの製造方法において、支持体の表面に当該支持体
の表面物質とは熱伝導率が異なる物質からなる微細なパ
ターン層を設け、このパターン層側の面上に輝尽性蛍光
体を気相堆積法により堆積させて輝尽性蛍光体層を形成
することを特徴とする。
Therefore, the method for producing a radiation image conversion panel of the present invention is directed to a method for producing a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support, wherein the surface material of the support is heat-sensitive on the surface of the support. A fine pattern layer made of a substance having a different conductivity is provided, and a stimulable phosphor layer is formed by depositing a stimulable phosphor on the surface on the pattern layer side by a vapor deposition method. .

以下、本発明を具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described specifically.

本発明においては、第1図および第2図に示すよう
に、放射線画像変換パネル(以下適宜「変換パネル」と
略称する)の支持体1の表面に、当該支持体1の表面物
質とは熱伝導率が異なる物質からなるパターン層2を設
ける。
In the present invention, as shown in FIGS. 1 and 2, the surface material of the support 1 of the radiation image conversion panel (hereinafter, abbreviated as “conversion panel” as appropriate) is attached to the surface material of the support 1 by heat. A pattern layer 2 made of a substance having a different conductivity is provided.

支持体1の表面物質の熱伝導率をKs、パターン層2の
熱伝導率をKpとするとき、温度300Kにおける両者の比の
値が 0.2>Ks/Kp を満足するか、または Ks/Kp>5 を満足することが好ましい。
Assuming that the thermal conductivity of the surface material of the support 1 is Ks and the thermal conductivity of the pattern layer 2 is Kp, the ratio of the two at a temperature of 300 K satisfies 0.2> Ks / Kp or Ks / Kp> 5 is preferably satisfied.

支持体1の構成材料としては、各種高分子材料、セラ
ミクス、ガラス、金属等を用いることができる。具体的
には、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフ
ィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリア
ミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートセ
ルロースフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラ
スチックフィルム、セラミクス板、ガラス板、アルミニ
ウム、鉄、銅、クロム等の金属シート、金属酸化物の被
覆層を有する金属シート等を挙げることができる。
As a constituent material of the support 1, various polymer materials, ceramics, glass, metal, and the like can be used. Specifically, a plastic film such as a cellulose acetate film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyamide film, a polyimide film, a triacetate cellulose film, and a polycarbonate film, a ceramic plate, a glass plate, a metal sheet such as aluminum, iron, copper, and chrome. And a metal sheet having a metal oxide coating layer.

支持体1の厚さは、その材質等によって異なるが、一
般的には100μm〜5mmが好ましく、取扱いの便利性か
ら、特に200μm〜2mmが好ましい。
The thickness of the support 1 varies depending on its material and the like, but is generally preferably 100 μm to 5 mm, and particularly preferably 200 μm to 2 mm for convenience of handling.

また、支持体1は、高分子材料、ガラス、セラミクス
等の非金属製の基板の表面に、光反射層や遮光層を設け
た構成であってもよい。この場合は、支持体1の表面物
質の熱伝導率Ksは光反射層や遮光層を構成する物質の熱
伝導率によって決定される。
Further, the support 1 may have a configuration in which a light reflecting layer or a light shielding layer is provided on the surface of a non-metallic substrate such as a polymer material, glass, and ceramics. In this case, the thermal conductivity Ks of the surface material of the support 1 is determined by the thermal conductivity of the material constituting the light reflecting layer or the light shielding layer.

パターン層2を構成するパターン物質としては、金
属、有機絶縁材料、フォトレジスト材料等を用いること
ができる。具体的には、ガラス、セラミクスよりなる支
持体1の表面に金属からなるパターン層2を設ける構
成、金属からなる支持体1の表面に、有機絶縁材料やフ
ォトレジスト材料からなるパターン層2を設ける構成、
PET(ポリエチレンテレフタレート)やTAC(トリアセテ
ートセルロース)からなる支持体1の表面に、金属から
なるパターン層2を設ける構成等を採用することができ
る。
As a pattern material constituting the pattern layer 2, a metal, an organic insulating material, a photoresist material, or the like can be used. Specifically, a pattern layer 2 made of metal is provided on the surface of a support 1 made of glass or ceramics, and a pattern layer 2 made of an organic insulating material or a photoresist material is provided on the surface of the support 1 made of metal. Constitution,
A configuration in which a pattern layer 2 made of metal is provided on the surface of a support 1 made of PET (polyethylene terephthalate) or TAC (triacetate cellulose) can be adopted.

パターン層2の形態は特に限定されないが、パターン
層2と、このパターン層2により囲まれた部分のうち、
熱伝導率が低い方の部分に選択的に輝尽性蛍光体の微細
な柱状結晶が堆積していくので、最終的に得られる微細
柱状構造の輝尽性蛍光体層の状態を考慮して最適な形態
を選択することが望ましい。具体的には、第1図
(a),(c)に示すような格子状、または第1図
(b)に示すような六角形状、およびそのネガ・ポジの
関係にあたる各島状の形態等を挙げることができる。ま
た熱伝導率の高い部分の大きさは5〜15μmが好まし
く、熱伝導率の低い部分の大きさは30〜50μmが好まし
い。
Although the form of the pattern layer 2 is not particularly limited, of the pattern layer 2 and the portion surrounded by the pattern layer 2,
Since fine columnar crystals of stimulable phosphor are selectively deposited on the lower thermal conductivity part, take into account the state of the stimulable phosphor layer with a fine columnar structure finally obtained. It is desirable to select the optimal form. Specifically, a lattice shape as shown in FIGS. 1 (a) and 1 (c), a hexagonal shape as shown in FIG. 1 (b), and an island-like shape corresponding to the negative / positive relationship, etc. Can be mentioned. The size of the portion having a high thermal conductivity is preferably 5 to 15 μm, and the size of the portion having a low thermal conductivity is preferably 30 to 50 μm.

パターン層2の厚さは、102〜105Åが好ましく、特に
103〜104Åが好ましい。
The thickness of the pattern layer 2 is preferably 10 2 to 10 5 Å, and in particular,
10 3 1010 4 Å is preferred.

本発明においては、以上のようにして得られた、表面
にパターン層2が設けられた支持体1を用い、このパタ
ーン層2側の面上に輝尽性蛍光体を気相堆積法により堆
積させて微細柱状構造からなる輝度尽性蛍光体層を形成
する。
In the present invention, the support 1 provided with the pattern layer 2 on the surface obtained as described above is used, and a stimulable phosphor is deposited on the surface on the pattern layer 2 side by a vapor deposition method. Thus, a luminous stimulable phosphor layer having a fine columnar structure is formed.

輝尽性蛍光体層の形成手段である気相堆積法として
は、真空蒸着法(以下適宜単に「蒸着法」と記す)、ス
パッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法等を
挙げることができる。
Examples of the vapor deposition method as a means for forming the stimulable phosphor layer include a vacuum deposition method (hereinafter, simply referred to as “deposition method”), a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, and the like.

気相堆積法によれば、一般に、結晶成長が促進される
結晶面と、部分的に雰囲気ガス等が吸着されて結晶成長
が抑制される面が生ずる。しかるに本発明においては、
支持体1の表面に当該支持体1の表面物質とは熱伝導率
が異なる物質からなるパターン層2を設けているので、
熱伝導率の低い部分に選択的に輝尽性蛍光体の結晶が成
長するようになり、この結晶成長が促進される面は、蒸
発分子または原子が付着する方向にどんどん成長する。
一方、熱伝導率の高い部分は、熱伝導率の低い部分に比
べて蛍光体材料が気相堆積する確率が低いことにより支
持体平面方向への結晶成長が抑制されて、輝尽性蛍光体
の堆積が少なく、結晶の成長方向すなわち輝尽性蛍光体
層の層厚方向に伸びる細長い形状の亀裂(クラック)が
発生するようになる。このように支持体1のパターン層
2が設けられた側の面には、輝尽性蛍光体層の層厚方向
に多数の微細なクラックを有する微細柱状構造からなる
輝尽性蛍光体層が形成される。
In general, according to the vapor deposition method, a crystal surface where crystal growth is promoted and a surface where crystal growth is suppressed due to partial adsorption of an atmospheric gas or the like are generated. However, in the present invention,
Since the pattern layer 2 made of a material having a different thermal conductivity from the surface material of the support 1 is provided on the surface of the support 1,
Crystals of the stimulable phosphor grow selectively on portions having low thermal conductivity, and the surface where the crystal growth is promoted grows more and more in the direction in which evaporated molecules or atoms adhere.
On the other hand, the high thermal conductivity portion has a lower probability of vapor phase deposition of the phosphor material than the low thermal conductivity portion, so that crystal growth in the support plane direction is suppressed, and the stimulable phosphor is reduced. , And elongated cracks extending in the crystal growth direction, that is, the thickness direction of the stimulable phosphor layer, are generated. On the surface of the support 1 on which the pattern layer 2 is provided, a stimulable phosphor layer having a fine columnar structure having a large number of fine cracks in the thickness direction of the stimulable phosphor layer is provided. It is formed.

例えば蒸着法により輝尽性蛍光体層を形成する場合に
は、パターン層2を設けた支持体1を蒸着装置内に設置
した後、蒸着装置内を排気して10-6Torr程度の真空度と
する。次いで、パターン層2が設けられた支持体1を40
0℃以下の温度に加熱して、輝尽性蛍光体の少なくとも
1種を抵抗加熱法、電子ビーム法等の方法により加熱蒸
発させて、支持体1のパターン層2が設けられた側の表
面に輝尽性蛍光体を所定の厚さに堆積させる。
For example, when forming a stimulable phosphor layer by a vapor deposition method, the support 1 provided with the pattern layer 2 is placed in a vapor deposition apparatus, and then the inside of the vapor deposition apparatus is evacuated to a vacuum degree of about 10 -6 Torr. And Next, the support 1 provided with the pattern layer 2 is
By heating to a temperature of 0 ° C. or less, at least one kind of stimulable phosphor is heated and evaporated by a method such as a resistance heating method or an electron beam method, and the surface of the support 1 on the side where the pattern layer 2 is provided is provided. Then, a stimulable phosphor is deposited to a predetermined thickness.

この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成
されるが、蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層
を形成することも可能である。また蒸着工程では、複数
の抵抗加熱器または電子ビームを用いて共蒸着を行うこ
とも可能である。
As a result, a stimulable phosphor layer containing no binder is formed, but it is also possible to form the stimulable phosphor layer in a plurality of times in the vapor deposition step. In the evaporation step, co-evaporation can be performed using a plurality of resistance heaters or electron beams.

蒸着終了後、必要に応じて輝尽性蛍光体層の支持体側
とは反対側の面に直接または空隙を介して保護層を設け
てもよい。
After the vapor deposition, a protective layer may be provided on the surface of the stimulable phosphor layer on the side opposite to the support side, if necessary, directly or via a gap.

また、蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数の
抵抗加熱器または電子ビームを用いて共蒸着し、支持体
のパターン層が設けられた側の表面で目的とする輝尽性
蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成するこ
とも可能である。
In the vapor deposition method, the stimulable phosphor material is co-evaporated using a plurality of resistance heaters or electron beams, and the target stimulable phosphor is formed on the surface of the support on which the pattern layer is provided. Can be formed at the same time as forming the stimulable phosphor layer.

さらに、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被
蒸着物(支持体または保護層)を冷却または加熱しても
よい。また、蒸着終了後に輝尽性蛍光体層を加熱処理し
てもよい。また、蒸着法においては、必要に応じてO2,H
2等のガスを導入して反応性蒸着を行ってもよい。
Further, in the vapor deposition method, at the time of vapor deposition, an object to be deposited (a support or a protective layer) may be cooled or heated as necessary. Further, the stimulable phosphor layer may be subjected to a heat treatment after the deposition is completed. In the vapor deposition method, O 2 , H
Reactive deposition may be performed by introducing a gas such as 2 .

例えばスパッタリング法により輝尽性蛍光体層を形成
する場合には、蒸着法と同様にパターン層を有する支持
体をスパッタリング装置内に配置した後、装置内を一旦
排気して10-6Torr以下の真空度とし、次いで、スパッタ
リング用のガスとしてAr,Ne等の不活性ガスをスパッタ
リング装置内に導入して、10-3Torr程度のガス圧とす
る。
For example, when forming a stimulable phosphor layer by a sputtering method, after arranging a support having a pattern layer in a sputtering apparatus in the same manner as in the vapor deposition method, the inside of the apparatus is once evacuated to 10 -6 Torr or less. The degree of vacuum is then set, and then an inert gas such as Ar or Ne is introduced into the sputtering apparatus as a gas for sputtering to a gas pressure of about 10 -3 Torr.

次に、輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリ
ングすることにより、支持体のパターン層が設けられた
側の表面に輝尽性蛍光体層を所定の厚さに堆積させる。
Next, the stimulable phosphor layer is deposited to a predetermined thickness on the surface of the support on the side where the pattern layer is provided by sputtering using the stimulable phosphor as a target.

このスパッタリング工程では、蒸着法と同様に複数回
に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
また、それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のタ
ーゲットを用いて、同時または順次、ターゲットをスパ
ッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。
In this sputtering step, it is also possible to form the stimulable phosphor layer in a plurality of times as in the case of the vapor deposition method.
Further, it is also possible to form a stimulable phosphor layer by simultaneously or sequentially sputtering a plurality of targets each using a different stimulable phosphor.

スパッタリング終了後、蒸着法と同様に必要に応じて
輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に直接または空
隙を介して保護層を設けてもよい。
After the completion of the sputtering, a protective layer may be provided on the side opposite to the support side of the stimulable phosphor layer, if necessary, directly or via a gap as in the case of the vapor deposition method.

スパッタリング法においては、複数の輝尽性蛍光体原
料をターゲットとして用い、これを同時または順次スパ
ッタリングして、支持体のパターン層が設けられた側の
表面で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に、輝
尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、スパ
ッタリング法においては、必要に応じてO2,H2等のガス
を導入して反応性スパッタリングを行ってもよい。
In the sputtering method, a plurality of stimulable phosphor raw materials are used as targets, and these are simultaneously or sequentially sputtered to synthesize a desired stimulable phosphor on the surface of the support on which the pattern layer is provided. At the same time, a stimulable phosphor layer can be formed. In the sputtering method, reactive sputtering may be performed by introducing a gas such as O 2 or H 2 as necessary.

さらに、スパッタリング法においては、スパッタリン
グ時に必要に応じて被蒸着物(支持体または保護層)を
冷却または加熱してもよい。また、スパッタリング終了
後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
Further, in the sputtering method, an object to be deposited (a support or a protective layer) may be cooled or heated as needed during sputtering. After the sputtering, the stimulable phosphor layer may be subjected to a heat treatment.

例えばCVD法により輝尽性蛍光体層を形成する場合に
は、輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料を含有する有
機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解す
ることにより、支持体のパターン層が設けられた側の表
面に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を形成する。
For example, when the stimulable phosphor layer is formed by a CVD method, the stimulable phosphor or the organometallic compound containing the stimulable phosphor material is decomposed by heat, energy such as high-frequency power, and the like. A stimulable phosphor layer containing no binder is formed on the surface on the side where the body pattern layer is provided.

輝尽性蛍光体層の層厚は、目的とする放射線画像変換
パネルの放射線感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異
なるが、30〜1000μmが好ましく、特に50〜500μmが
好ましい。輝尽性蛍光体層の層厚が小さすぎるときは、
放射線吸収率が低下するため放射線感度が悪くなり、ま
た画像の粒状性が低下し、さらには輝尽励起光の横方向
への広がりが増大するため画像の鮮鋭性が悪くなる。
The thickness of the stimulable phosphor layer varies depending on the intended radiation sensitivity of the radiation image conversion panel, the type of the stimulable phosphor, and the like, but is preferably 30 to 1000 µm, and particularly preferably 50 to 500 µm. When the thickness of the stimulable phosphor layer is too small,
The radiation absorptivity is reduced to lower the radiation sensitivity, the granularity of the image is reduced, and the spread of the stimulating light in the lateral direction is increased, so that the sharpness of the image is deteriorated.

輝尽性蛍光体層の形成工程において、輝尽性蛍光体層
の堆積速度は0.1〜50μm/分が好ましい。堆積速度があ
まり小さいと生産性が低くなり、堆積速度があまり大き
いと堆積速度のコントロールが困難となる。
In the step of forming the stimulable phosphor layer, the deposition rate of the stimulable phosphor layer is preferably 0.1 to 50 μm / min. If the deposition rate is too low, the productivity will be low, and if the deposition rate is too high, it will be difficult to control the deposition rate.

輝尽性蛍光体層の形成工程において、ヒータで支持体
を加熱する際の支持体の温度は400℃以下が好ましい。
この温度があまり高いときは、結晶化の進行により画像
の鮮鋭性が低下しやすい。
In the step of forming the stimulable phosphor layer, the temperature of the support when heating the support with a heater is preferably 400 ° C. or less.
If the temperature is too high, the sharpness of the image tends to decrease due to the progress of crystallization.

本発明において「輝尽性蛍光体」とは、最初の光また
は高エネルギー放射線が照射された後に、光的、熱的、
機械的、化学的または電気的等の刺激(輝尽励起)によ
り、最初の光または高エネルギー放射線の照射量に対応
した輝尽発光を示す蛍光体をいうが、実用的な面から
は、波長が500nm以上の輝尽励起光によって輝尽発光を
示す蛍光体が好ましい。
In the present invention, "stimulable phosphor" means, after being irradiated with the first light or high-energy radiation, optically, thermally,
Phosphor that emits photostimulated light corresponding to the amount of initial light or high-energy radiation when stimulated by mechanical, chemical, or electrical stimulation (stimulated excitation). Is preferably a phosphor that emits photostimulated light by photostimulated excitation light of 500 nm or more.

輝尽性蛍光体層を構成する輝尽性蛍光体としては、以
下のものを用いることができる。
The following can be used as the stimulable phosphor constituting the stimulable phosphor layer.

(1)特開昭48−80487号公報に記載のBaSO4:Ax(ただ
し、Aは、Dy,Tb,Tmの少なくとも1種を表し、xは0.00
1≦x<1モル%を満たす数を表す。)で表される蛍光
体。
(1) BaSO described in JP 48-80487 discloses 4: A x (however, A is represented Dy, Tb, at least one Tm, x is 0.00
It represents a number satisfying 1 ≦ x <1 mol%. The phosphor represented by).

(2)特開昭48−80488号公報に記載のMgSO4:Ax(ただ
し、Aは、HoまたはDyのいずれかを表し、xは0.001≦
x<1モル%を満たす数を表す。)で表される蛍光体。
(2) MgSO 4 : A x described in JP-A-48-80488 (where A represents either Ho or Dy, and x is 0.001 ≦
x represents a number satisfying 1 mol%. The phosphor represented by).

(3)特開昭48−80489号公報に記載のSrSO4:Ax(ただ
し、Aは、Dy,Tb,Tmの少なくとも1種を表し、xは0.00
1≦x<1モル%を満たす数を表す。)で表されている
蛍光体。
(3) SrSO described in JP 48-80489 discloses 4: A x (however, A is represented Dy, Tb, at least one Tm, x is 0.00
It represents a number satisfying 1 ≦ x <1 mol%. The phosphor represented by).

(4)特開昭51−29889号公報に記載のNa2SO4,CaSO4,Ba
SO4等にMn,Dy,Tbの少なくとも1種を添加した蛍光体。
(4) Na 2 SO 4 , CaSO 4 , Ba described in JP-A-51-29889
A phosphor obtained by adding at least one of Mn, Dy, and Tb to SO 4 or the like.

(5)特開昭52−30487号公報に記載のBeO,LiF,MgSO4,C
aF2等の蛍光体。
(5) BeO, LiF, MgSO 4 , C described in JP-A-52-30487
phosphor such as aF 2.

(6)特開昭53−39277号公報に記載のLi2B4O7:Cu,Ag等
の蛍光体。
(6) Phosphors such as Li 2 B 4 O 7 : Cu and Ag described in JP-A-53-39277.

(7)特開昭54−47883号公報に記載のLi2O・(B
2O2x:Cu(ただし、xは2<x≦3を満たす数を表
す。)、Li2O・(B2O2x:Cu,Ag(ただし、xは2<x
≦3を満たす数を表す。)等の蛍光体。
(7) Li 2 O · described in JP 54-47883 JP (B
2 O 2 ) x : Cu (where x represents a number satisfying 2 <x ≦ 3), Li 2 O · (B 2 O 2 ) x : Cu, Ag (where x is 2 <x
Represents a number satisfying ≦ 3. ) And other phosphors.

(8)米国特許第3,859,527号明細書に記載のSrS:Ce,S
m、SrS:Eu,Sm、La2O2S:Eu,Sm(Zn,Cd)S:Mn,X(ただ
し、Xはハロゲンを表す。)で表される蛍光体。
(8) SrS: Ce, S described in U.S. Pat. No. 3,859,527
m, SrS: Eu, Sm, La 2 O 2 S: Eu, Sm (Zn, Cd) S: Mn, X ( provided that, X represents a halogen.) phosphor represented by.

(9)特開昭55−12142号公報に記載のZnS:Cu,Pb蛍光
体。
(9) ZnS: Cu, Pb phosphor described in JP-A-55-12142.

(10)同55−12142号公報に記載の一般式がBaO・xAl
2O3:Eu(ただし、xは0.8≦x≦10を満たす数を表
す。)で表されるアルミン酸バリウム蛍光体。
(10) The general formula described in JP-A-55-12142 is BaO.xAl
A barium aluminate phosphor represented by 2 O 3 : Eu (where x represents a number satisfying 0.8 ≦ x ≦ 10).

(11)同55−12142号公報に記載の一般式がMAO・xSiO2:
A(ただし、MAは、Mg,Ca,Sr,Zn,Cd,Baを表し、Aは、C
e,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,Bi,Mnの少なくとも1種を表し、x
は、0.5≦x<2.5を満たす数を表す。)で表されるアル
カリ土類金属ケイ酸塩系蛍光体。
(11) The general formula described in JP- A -55-12142 has M A O.xSiO 2 :
A (however, M A represents Mg, Ca, Sr, Zn, Cd, and Ba, A is C
represents at least one of e, Tb, Eu, Tm, Pb, Tl, Bi, Mn, and x
Represents a number satisfying 0.5 ≦ x <2.5. The alkaline earth metal silicate-based phosphor represented by).

(12)同55−12142号公報に記載の一般式が(Ba1-x-yMg
xCay)FX:eEu2+(ただし、Xは、Br,Clの少なくとも1
種を表し、x,y,eは、それぞれ、0<x+y≦0.6、xy≠
0、10-6≦e≦5×10-2を満たす数を表す。)で表され
る蛍光体。
(12) The general formula described in JP-A-55-12142 (Ba 1-xy Mg
x Ca y ) FX: eEu 2+ (where X is at least one of Br and Cl)
X, y, and e represent 0 <x + y ≦ 0.6 and xy そ れ ぞ れ, respectively.
0, a number that satisfies 10 −6 ≦ e ≦ 5 × 10 −2 . The phosphor represented by).

(13)同55−12142号公報に記載の一般式がLnOX:xA(た
だし、Lnは、La,Y,Gd,Luの少なくとも1種を表し、X
は、Cl,Brの少なくとも1種を表し、Aは、Ce,Tbの少な
くとも1種を表し、xは、0<x<0.1を満たす数を表
す。)で表される蛍光体。
(13) LnOX: xA (where Ln represents at least one of La, Y, Gd, and Lu;
Represents at least one kind of Cl and Br, A represents at least one kind of Ce and Tb, and x represents a number satisfying 0 <x <0.1. The phosphor represented by).

(14)特開昭55−12145号公報に記載の一般式が(Ba1-x
(MA)FX:yA(ただし、MAは、Mg,Ca,Sr,Zn,Cdの少
なくとも1種を表し、Xは、Cl,Br,Iの少なくとも1種
を表し、Aは、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Erの少な
くとも1種を表し、x,yは、0≦x≦0.6、0≦y≦0.2
を満たす数を表す。)で表される蛍光体。
(14) The general formula described in JP-A-55-12145 is represented by (Ba 1-x
(M A ) x ) FX: yA (where M A represents at least one of Mg, Ca, Sr, Zn, Cd, X represents at least one of Cl, Br, I, and A is Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, represents at least one kind of Er, x, y are 0 ≦ x ≦ 0.6, 0 ≦ y ≦ 0.2
Represents a number that satisfies The phosphor represented by).

(15)特開昭55−84389号公報に記載の一般式がBaFX:xC
e,yA(ただし、Xは、Cl,Br,Iの少なくとも1種を表
し、Aは、In,Tl,Gd,Sm,Zrの少なくとも1種を表し、x,
yは、0<x≦2×10-1、0<y≦5×10-2を満たす数
を表す。)で表される蛍光体。
(15) The general formula described in JP-A-55-84389 is BaFX: xC
e, yA (where X represents at least one kind of Cl, Br, I, A represents at least one kind of In, Tl, Gd, Sm, Zr, x,
y represents a number satisfying 0 <x ≦ 2 × 10 −1 and 0 <y ≦ 5 × 10 −2 . The phosphor represented by).

(16)特開昭55−160078号公報に記載の一般式がMAFX・
xA:yLn(ただし、MAは、Mg,Ca,Ba,Sr,Zn,Cdの少なくと
も1種を表し、Aは、BeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,
Y2O3,La2O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta
2O5,ThO2の少なくとも1種を表し、Lnは、Eu,Tb,Ce,Tm,
Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sm,Gdの少なくとも1種を表し、X
は、Cl,Br,Iの少なくとも1種を表し、x,yは、5×10-5
≦x≦0.5、0<y≦0.2を満たす数を表す。)で表され
る希土類元素付活2価金属フルオロハライド蛍光体。
(16) In formula described in JP 55-160078 Patent Publication No. · M A FX
xA: yLn (where, M A represents at least one of Mg, Ca, Ba, Sr, Zn, and Cd, and A is BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, ZnO, Al 2 O 3 ,
Y 2 O 3 , La 2 O 3 , In 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , GeO 2 , SnO 2 , Nb 2 O 5 , Ta
2 O 5, represents at least one of ThO 2, Ln is, Eu, Tb, Ce, Tm ,
X represents at least one of Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Sm, and Gd;
Represents at least one of Cl, Br and I, and x and y represent 5 × 10 −5
It represents a number that satisfies ≦ x ≦ 0.5 and 0 <y ≦ 0.2. A) a rare earth element-activated divalent metal fluorohalide phosphor represented by the formula:

(17)同55−160078号公報に記載の一般式がZnS:A、(Z
n,Cd)S:A、CdS:A、ZnS:A,X、CdS:A,X(ただし、Aは、
Cu,Ag,Au,Mnのいずれかを表し、Xは、ハロゲンを表
す。)で表される蛍光体。
(17) The general formula described in JP-A-55-160078 is ZnS: A, (Z
n, Cd) S: A, CdS: A, ZnS: A, X, CdS: A, X (where A is
Represents any of Cu, Ag, Au and Mn, and X represents halogen. The phosphor represented by).

(18)特開昭59−38278号公報に記載の 一般式〔I〕 xM3(PO4・NX2:yA 一般式〔II〕 M3(PO4・yA (式中、M,Nは、それぞれ、Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cdの少なく
とも1種を表し、Xは、F,Cl,Br,Iの少なくとも1種を
表し、Aは、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sb,Tl,M
n,Snの少なくとも1種を表し、x,yは、0<x≦6、0
≦y≦1を満たす数を表す。)で表される蛍光体。
(18) General formula [I] xM 3 (PO 4 ) 2 · NX 2 : yA described in JP-A-59-38278. General formula [II] M 3 (PO 4 ) 2 · yA (where M , N represents at least one of Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, and Cd, X represents at least one of F, Cl, Br, and I, and A represents Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Sb, Tl, M
represents at least one of n and Sn, and x and y are 0 <x ≦ 6, 0
Represents a number satisfying ≦ y ≦ 1. The phosphor represented by).

(19)特開昭59−155487号公報に記載の 一般式〔III〕nReX3・mAX′2:xEu 一般式〔IV 〕nReX3・mAX′2:xEu,ySm (式中、Reは、La,Gd,Y,Luの少なくとも1種を表し、A
は、Ba,Sr,Caの少なくとも1種のアルカリ土類金属を表
し、X,X′は、F,Cl,Brの少なくとも1種を表し、x,y
は、1×10-4<x<3×10-1、1×10-4<y<1×10-1
を満たす数を表し、n/mは、1×10-3<n/m<7×10-1
満たす数を表す。)で表される蛍光体。
(19) General formula [III] nReX 3 · mAX ′ 2 : xEu described in JP-A-59-155487 General formula [IV] nReX 3 · mAX ′ 2 : xEu, ySm (where Re is La , Gd, Y, Lu
Represents at least one alkaline earth metal of Ba, Sr, Ca, X, X 'represents at least one of F, Cl, Br, x, y
Is 1 × 10 −4 <x <3 × 10 −1 , 1 × 10 −4 <y <1 × 10 −1
And n / m represents a number satisfying 1 × 10 −3 <n / m <7 × 10 −1 . The phosphor represented by).

(20)特開平2−58593号公報に記載の一般式 aBaX2・(1−a)BaY2:bEu2+ (式中、X,Yは、F,Cl,Br,Iの少なくとも1種を表し、X
≠Yであり、a,bは、0<a<1,10-5<b<10-1を満た
す数を表す。) で表される蛍光体。
(20) The general formula aBaX 2 · (1-a) BaY 2 : bEu 2+ described in JP-A-2-58593 (wherein X and Y are at least one of F, Cl, Br and I Represents X
≠ Y, and a and b represent numbers satisfying 0 <a <1,10 −5 <b <10 −1 . ) A phosphor represented by.

(21)特開昭61−72087号公報に記載の一般式 MAX・aMBX′・bMCX″3:cA (ただし、MAは、Li,Na,K,Rb,Csの少なくとも1種のア
ルカリ金属を表し、MBは、Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu,Ni
の少なくとも1種の2価の金属を表し、MCは、Sc,Y,La,
Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga,In
の少なくとも1種の3価の金属を表し、X,X′,X″は、
F,Cl,Br,Iの少なくとも1種のハロゲンを表し、Aは、E
u,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,C
u,Mgの少なくとも1種の金属を表し、a,b,cは、0≦a
<0.5、0≦b<0.5、0<c≦0.2を満たす数を表
す。)で表されるアルカリハライド蛍光体。
(21) JP formula described in JP 61-72087 M A X · aM B X '2 · bM C X "3: cA ( However, M A is, Li, Na, K, Rb , and Cs represents at least one alkali metal, M B is, Be, Mg, Ca, Sr , Ba, Zn, Cd, Cu, Ni
Of represents at least one divalent metal, M C is, Sc, Y, La,
Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, In
X, X ′, X ″ represents at least one trivalent metal of
Represents at least one halogen of F, Cl, Br, I;
u, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, C
u, represents at least one metal of Mg, a, b, c is 0 ≦ a
<0.5, 0 ≦ b <0.5, and 0 <c ≦ 0.2. An alkali halide phosphor represented by).

本発明においては、特に、このアルカリハライド蛍光
体を好ましく用いることができる。
In the present invention, in particular, this alkali halide phosphor can be preferably used.

ただし、本発明においては、以上の蛍光体に限定され
ず、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に
輝尽蛍光を示す蛍光体であればその他の蛍光体をも用い
ることができる。
However, in the present invention, the phosphor is not limited to the above, and other phosphors may be used as long as the phosphor exhibits stimulable fluorescence when irradiated with radiation and then irradiated with stimulating excitation light. it can.

第3図は本発明の製造方法により得られた放射線画像
変換パネルを用いて構成された放射線画像変換装置の概
略を示し、3は放射線発生装置、4は被写体、5は放射
線画像変換パネル、6は輝尽励起光源、7は放射線画像
変換パネル5より放射された輝尽発光を検出する光電変
換装置、8は光電変換装置7で検出された信号を画像と
して再生する再生装置、9は再生装置8により再生され
た画像を表示する表示装置、10は輝尽励起光と輝尽発光
とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフィルターであ
る。
FIG. 3 is a schematic diagram of a radiation image conversion apparatus configured using a radiation image conversion panel obtained by the manufacturing method of the present invention, 3 is a radiation generator, 4 is a subject, 5 is a radiation image conversion panel, 6 Is a photostimulated excitation light source, 7 is a photoelectric conversion device for detecting photostimulated emission emitted from the radiation image conversion panel 5, 8 is a reproducing device for reproducing a signal detected by the photoelectric conversion device 7 as an image, and 9 is a reproducing device. Reference numeral 8 denotes a display device for displaying the reproduced image, and reference numeral 10 denotes a filter that separates stimulated excitation light and stimulated emission and transmits only stimulated emission.

第3図の放射線画像変換装置においては、放射線発生
装置3からの放射線Rは被写体4を通して放射線画像変
換パネル5に入射する。この入射した放射線RIは放射線
画像変換パネル5の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエ
ネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成され
る。次に、この蓄積像を輝尽励起光源6からの輝尽励起
光で励起して輝尽発光として放射させる。
In the radiation image conversion apparatus shown in FIG. 3, the radiation R from the radiation generation apparatus 3 enters the radiation image conversion panel 5 through the subject 4. The incident radiation RI is absorbed by the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 5 and its energy is accumulated, thereby forming an accumulation image of the radiation transmission image. Next, the accumulated image is excited by stimulating light from the stimulating light source 6 and emitted as stimulating light.

放射される輝尽発光の強弱は、蓄積された放射線エネ
ルギー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増
倍管等の光電変換装置7で光電変換し、再生装置8によ
って画像として再生し、表示装置9によって表示するこ
とにより、被写体4の放射線透過像を観察することがで
きる。
Since the intensity of the emitted stimulating luminescence is proportional to the amount of accumulated radiation energy, this optical signal is photoelectrically converted by a photoelectric conversion device 7 such as a photomultiplier tube, and reproduced as an image by a reproduction device 8, By displaying the image on the display device 9, a radiation transmission image of the subject 4 can be observed.

以上のように本発明の製造方法では、支持体の表面に
当該支持体の表面物質とは熱伝導率が異なる物質からな
るパターン層を設け、このパターン層側の面上に輝尽性
蛍光体を気相堆積法により堆積させて輝尽性蛍光体層を
形成するので、簡単にかつ確実に微細柱状構造の輝尽性
蛍光体層が得られる。従って、得られた変換パネルによ
れば、放射線感度および画像の粒状性のみならず、画像
の鮮鋭性をも十分に満足する放射線画像を形成すること
ができる。
As described above, in the production method of the present invention, a pattern layer made of a material having a different thermal conductivity from the surface material of the support is provided on the surface of the support, and the stimulable phosphor is provided on the surface on the pattern layer side. Is deposited by a vapor deposition method to form a stimulable phosphor layer, so that a stimulable phosphor layer having a fine columnar structure can be obtained easily and reliably. Therefore, according to the obtained conversion panel, it is possible to form a radiation image that sufficiently satisfies not only the radiation sensitivity and the granularity of the image but also the sharpness of the image.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例を比較例と共に説明するが、本
発明はこれらの態様に限定されるものではない。
Hereinafter, examples of the present invention will be described together with comparative examples, but the present invention is not limited to these embodiments.

〔実施例1〕 第4図に示すように、厚さが1.0mmで表面が平滑な結
晶化ガラス板からなる支持体1の表面に、厚さが3000Å
のアルミニウム膜からなり、第1図(a)に示すような
パターン形状において、間隔aが50μm、線幅bが5μ
mの格子状のパターン層2を蒸着法により形成した。
Example 1 As shown in FIG. 4, the surface of a support 1 made of a crystallized glass plate having a thickness of 1.0 mm and having a smooth surface was 3000 mm thick.
In the pattern shape shown in FIG. 1A, the interval a is 50 μm and the line width b is 5 μm.
The m-patterned pattern layer 2 was formed by an evaporation method.

なお、支持体1の表面物質(結晶化ガラス板)の熱伝
導率Ksは1.5W/m・Kであり、パターン層2の熱伝導率Kp
は237W/m・Kである。
The thermal conductivity Ks of the surface material (crystallized glass plate) of the support 1 is 1.5 W / m · K, and the thermal conductivity Kp of the pattern layer 2
Is 237 W / m · K.

パターン層2が設けられた支持体1を蒸着装置内に配
置し、蒸着源容器内にRbBr:Tl(輝尽性蛍光体の材料)
を充填して、この蒸着源容器を蒸着装置内に配置した。
The support 1 on which the pattern layer 2 is provided is placed in a vapor deposition apparatus, and RbBr: Tl (a material of a stimulable phosphor) is placed in a vapor deposition source container.
And the deposition source container was placed in a deposition apparatus.

蒸着装置内を排気し、パターン層2を有する支持体1
の全体をその裏面側に配置されたヒータにより加熱し
て、支持体1の全体の温度を100℃に設定し、蒸着装置
内にArガスを導入して、雰囲気圧力を1×10-6Torrに設
定した。
The inside of the deposition apparatus is evacuated, and the support 1 having the pattern layer 2
Is heated by a heater arranged on the back surface side, the temperature of the entire support 1 is set to 100 ° C., Ar gas is introduced into the vapor deposition apparatus, and the atmospheric pressure is 1 × 10 −6 Torr. Set to.

以上の条件下において、抵抗加熱により蒸着源容器内
の輝尽性蛍光体を蒸発させてこれを支持体1のパターン
層2側の表面に堆積させて、微細柱状構造からなる層厚
が100μmの輝尽性蛍光体層を形成し、変換パネルAを
製造した。
Under the above conditions, the stimulable phosphor in the evaporation source container was evaporated by resistance heating and deposited on the surface of the support 1 on the side of the pattern layer 2 to obtain a layer having a fine columnar structure having a thickness of 100 μm. The stimulable phosphor layer was formed, and the conversion panel A was manufactured.

なお、輝尽性蛍光体層の堆積速度は2μm/分となるよ
うに制御した。
The deposition rate of the stimulable phosphor layer was controlled so as to be 2 μm / min.

以上のようにして得られた変換パネルAの輝尽性蛍光
体層の断面および表面形状をSEM(走査型電子顕微鏡)
により観察したところ、支持体上に設けた微細なパター
ン層2に沿って輝尽性蛍光体層の層厚方向にクラックが
存在していて良好な微細柱状構造の輝尽性蛍光体層が形
成されていた。
The cross section and surface shape of the stimulable phosphor layer of the conversion panel A obtained as described above were measured by SEM (scanning electron microscope).
As a result, cracks were present in the thickness direction of the stimulable phosphor layer along the fine pattern layer 2 provided on the support, and a good stimulable phosphor layer having a fine columnar structure was formed. It had been.

また、変換パネルAに管電圧80kVのX線を10mR照射し
た後、半導体レーザ光(波長780nm)で輝尽励起し、輝
尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を光検出器(光電
子増倍管)で光電変換し、この信号を再生装置によって
画像として再生し、得られた画像により、画像の変調伝
達関数(MTF)を調べ、画像の鮮鋭性を評価したとこ
ろ、後述する比較例1の場合を100とするとき120(相対
値)と高い値を示し、画像の鮮鋭性が高いことが確認さ
れた。なお、変調伝達関数(MTF)は、空間周波数が2
サイクル/mmの時の値である。
After irradiating the conversion panel A with X-rays having a tube voltage of 80 kV for 10 mR, it is stimulated with semiconductor laser light (wavelength 780 nm) and stimulated by a photodetector (photoelectron). The signal was reproduced as an image by a reproducing device, the modulation transfer function (MTF) of the image was examined from the obtained image, and the sharpness of the image was evaluated. When the value of 1 was taken as 100, the value was as high as 120 (relative value), confirming that the sharpness of the image was high. The modulation transfer function (MTF) has a spatial frequency of 2
It is the value at the time of cycle / mm.

〔実施例2〕 実施例1において、支持体1を、厚さが1.0mmのアル
ミニウム板からなる支持体に変更し、パターン層2を、
厚さが3000Åの金(Au)膜からなり、間隔aが30μm、
線幅bが10μmの格子状のパターン層に変更したほか
は、実施例1と同様にして変換パネルBを製造した。
Example 2 In Example 1, the support 1 was changed to a support made of an aluminum plate having a thickness of 1.0 mm, and the pattern layer 2 was
It is made of a gold (Au) film with a thickness of 3000 mm, with an interval a of 30 μm,
A conversion panel B was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the line width b was changed to a grid-like pattern layer having a thickness of 10 μm.

なお、支持体1の表面物質(アルミニウム板)の熱伝
導率Ksは36W/m・Kであり、パターン層2の熱伝導率Kp
は315W/m・Kである。
The thermal conductivity Ks of the surface material (aluminum plate) of the support 1 is 36 W / m · K, and the thermal conductivity Kp of the pattern layer 2 is
Is 315 W / m · K.

この変換パネルBについて、実施例1と同様にしてSE
Mにより観察したところ、実施例1と同様にクラックが
存在していて良好な微細柱状構造の輝尽性蛍光体層が形
成されていた。
This conversion panel B is used in the same manner as
When observed by M, cracks were present as in Example 1, and a stimulable phosphor layer having a good fine columnar structure was formed.

また、変換パネルBについて、実施例1と同様にして
鮮鋭性を評価したところ、110(相対値)と高い値を示
し、鮮鋭性が高いことが確認された。
When the sharpness of the conversion panel B was evaluated in the same manner as in Example 1, the sharpness was evaluated as high as 110 (relative value), indicating that the sharpness was high.

〔実施例3〕 実施例1において、支持体1を、厚さが0.3mmのC・P
ET(カーボンポリエチレンテレフタレート)からなる支
持体に変更し、パターン層2を、厚さが3000Åのアルミ
ニウム膜からなり、間隔aが30μm、線幅bが10μmの
格子状のパターン層に変更したほかは、実施例1と同様
にして変換パネルCを製造した。
Example 3 In Example 1, the support 1 was replaced with a 0.3 mm thick C.P.
Except that the support was changed to a support made of ET (carbon polyethylene terephthalate), and the pattern layer 2 was changed to a grid-like pattern layer made of an aluminum film having a thickness of 3000 mm, with an interval a of 30 μm and a line width b of 10 μm. The conversion panel C was manufactured in the same manner as in Example 1.

なお、支持体1の表面物質(C・PET)の熱伝導率Ks
は0.2W/m・Kであり、パターン層2の熱伝導率Kpは237W
/m・Kである。
The thermal conductivity Ks of the surface material (C · PET) of the support 1
Is 0.2 W / m · K, and the thermal conductivity Kp of the pattern layer 2 is 237 W
/ m · K.

この変換パネルCについて、実施例1と同様にしてSE
Mにより観察したところ、実施例1と同様にクラックが
存在していて良好な微細柱状構造の輝尽性蛍光体層が形
成されていた。
The conversion panel C was subjected to SE in the same manner as in Example 1.
When observed by M, cracks were present as in Example 1, and a stimulable phosphor layer having a good fine columnar structure was formed.

また、変換パネルCについて、実施例1と同様にして
鮮鋭性を評価したところ、120(相対値)と高い値を示
し、鮮鋭性が高いことが確認された。
When the sharpness of the conversion panel C was evaluated in the same manner as in Example 1, the conversion panel C showed a high value of 120 (relative value), and it was confirmed that the sharpness was high.

〔実施例4〕 実施例1において、支持体1を、厚さが0.3mmのアル
ミニウム板からなる支持体に変更し、パターン層2を、
厚さが5,000Åのフォトレジスト材料からなり、間隔a
が5μm、線幅bが50μmの島状のパターン層に変更し
たほかは、実施例1と同様にして変換パネルDを製造し
た。
Example 4 In Example 1, the support 1 was changed to a support made of an aluminum plate having a thickness of 0.3 mm.
5,000 mm thick photoresist material with spacing a
The conversion panel D was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the pattern panel was changed to an island-shaped pattern layer having a line width of 5 μm and a line width b of 50 μm.

なお、支持体1の表面物質(アルミニウム)の熱伝導
率Ksは237W/m・Kであり、パターン層2の熱伝導率Kpは
0.2W/m・Kである。
The thermal conductivity Ks of the surface material (aluminum) of the support 1 is 237 W / m · K, and the thermal conductivity Kp of the pattern layer 2 is
0.2 W / m · K.

この変換パネルDについて、実施例1と同様にしてSE
Mにより観察したところ、実施例1と同様にクラックが
存在していて良好な微細柱状構造の輝尽性蛍光体層が形
成されていた。
This conversion panel D is subjected to SE in the same manner as in the first embodiment.
When observed by M, cracks were present as in Example 1, and a stimulable phosphor layer having a good fine columnar structure was formed.

また、変換パネルDについて、実施例1と同様にして
鮮鋭性を評価したところ、115(相対値)と高い値を示
し、鮮鋭性が高いことが確認された。
When the sharpness of the conversion panel D was evaluated in the same manner as in Example 1, the conversion panel D showed a high value of 115 (relative value), and it was confirmed that the sharpness was high.

〔実施例5〕 実施例1において、パターン層を第1図(b)に示す
ような六角形状のパターン形状に変更したほかは、実施
例1と同様にして変換パネルEを製造した。
Example 5 A conversion panel E was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the pattern layer was changed to a hexagonal pattern as shown in FIG. 1 (b).

この変換パネルEについて、実施例1と同様にしてSE
Mにより観察したところ、実施例1と同様にクラックが
存在していて良好な微細柱状構造の輝尽性蛍光体層が形
成されていた。
This conversion panel E is subjected to SE in the same manner as in the first embodiment.
When observed by M, cracks were present as in Example 1, and a stimulable phosphor layer having a good fine columnar structure was formed.

また、変換パネルEについて、実施例1と同様にして
鮮鋭性を評価したところ、120(相対値)と高い値を示
し、鮮鋭性が高いことが確認された。
In addition, when the sharpness of the conversion panel E was evaluated in the same manner as in Example 1, the value was as high as 120 (relative value), and it was confirmed that the sharpness was high.

〔実施例6〕 実施例1において、パターン層を第1図(c)に示す
ような格子状のパターン形状に変更したほかは、実施例
1と同様にして変換パネルFを製造した。
Example 6 A conversion panel F was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the pattern layer was changed to a lattice-like pattern shape as shown in FIG. 1 (c).

この変換パネルFについて、実施例1と同様にしてSE
Mにより観察したところ、実施例1と同様にクラックが
存在していて良好な微細柱状構造の輝尽性蛍光体層が形
成されていた。
This conversion panel F is subjected to SE in the same manner as in the first embodiment.
When observed by M, cracks were present as in Example 1, and a stimulable phosphor layer having a good fine columnar structure was formed.

また、変換パネルFについて、実施例1と同様にして
鮮鋭性を評価したところ、120(相対値)と高い値を示
し、鮮鋭性が高いことが確認された。
When the sharpness of the conversion panel F was evaluated in the same manner as in Example 1, the conversion panel F showed a high value of 120 (relative value), and it was confirmed that the sharpness was high.

〔比較例1〕 実施例1において、パターン層2を設けないほかは、
実施例1と同様にして比較用の変換パネルaを製造し
た。
Comparative Example 1 In Example 1, except that the pattern layer 2 was not provided,
A conversion panel a for comparison was manufactured in the same manner as in Example 1.

この変換パネルaについて、実施例1と同様にしてSE
Mにより観察したところ、クラックが発生しておらず、
微細柱状構造が不十分であった。
Regarding the conversion panel a, SE is performed in the same manner as in the first embodiment.
When observed by M, no cracks occurred,
The fine columnar structure was insufficient.

また、変換パネルaについて、実施例1と同様にして
鮮鋭性を評価したところ、100(相対値)と実施例1の
変換パネルAよりも劣っていた。
When the sharpness of the conversion panel a was evaluated in the same manner as in Example 1, it was 100 (relative value), which was inferior to that of the conversion panel A of Example 1.

以上の実施例および比較例の内容を第1表にまとめて
示す。
Table 1 summarizes the contents of the above Examples and Comparative Examples.

以上の第1表より明らかなように、実施例で得られた
変換パネルA〜Fは、比較例で得られた変換パネルaに
比較して、鮮鋭性が格段に優れている。
As is clear from Table 1 above, the conversion panels A to F obtained in the examples are much superior in sharpness to the conversion panel a obtained in the comparative example.

また、実施例で得られた変換パネルA〜Fについて、
放射線感度および粒状性を評価したところ、いずれも十
分なものであった。
Further, regarding the conversion panels A to F obtained in the examples,
When the radiation sensitivity and granularity were evaluated, all were satisfactory.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上詳細に説明したように、本発明の製造方法によれ
ば、支持体の表面に当該支持体の表面物質とは熱伝導率
が異なる物質からなるパターン層を設け、このパターン
層側の面上に輝尽性蛍光体を気相堆積法により堆積させ
て輝尽性蛍光体層を形成するので、熱伝導率の相対的に
低い部分に選択的に輝尽性蛍光体が堆積するようにな
り、その結果、クラック(亀裂)が輝尽性蛍光体層の層
厚方向に生じるようになり、優れた微細柱状構造からな
る輝尽性蛍光体層が得られる。従って、放射線感度およ
び画像の粒状性のみならず、画像の鮮鋭性をも十分に満
足する放射線画像を形成できる放射線画像変換パネルを
比較的簡単に製造することができる。
As described in detail above, according to the production method of the present invention, a pattern layer made of a material having a different thermal conductivity from the surface material of the support is provided on the surface of the support, The stimulable phosphor is deposited by vapor deposition to form a stimulable phosphor layer, so that the stimulable phosphor can be deposited selectively in relatively low thermal conductivity areas. As a result, cracks (cracks) occur in the thickness direction of the stimulable phosphor layer, and a stimulable phosphor layer having an excellent fine columnar structure is obtained. Accordingly, it is possible to relatively easily manufacture a radiation image conversion panel capable of forming a radiation image that sufficiently satisfies not only the radiation sensitivity and the granularity of the image but also the sharpness of the image.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図(a),(b),(c)はそれぞれ支持体の表面
にパターン層が設けられた状態を示す平面図、 第2図は第1図(a)の縦断端面図、 第3図は放射線画像変換装置の概略を示す説明図、 第4図は実施例に係る支持体およびパターン層の端面図
である。 1……支持体、2……パターン層 3……放射線発生装置、4……被写体 5……放射線画像変換パネル 6……輝尽励起光源、7……光電変換装置 8……再生装置、9……表示装置 10……フィルター
1 (a), (b) and (c) are plan views each showing a state in which a pattern layer is provided on the surface of a support, FIG. 2 is a longitudinal sectional end view of FIG. 1 (a), and FIG. The figure is an explanatory view schematically showing the radiation image conversion apparatus, and FIG. 4 is an end view of the support and the pattern layer according to the example. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Support body 2, ... Pattern layer 3 ... Radiation generator 4, ... Subject 5 ... Radiation image conversion panel 6 ... Stimulation excitation light source 7, Photoelectric conversion device 8 ... Reproduction device, 9 …… Display device 10 …… Filter

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G21K 4/00 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G21K 4/00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】支持体上に輝尽性蛍光体層を備えた放射線
画像変換パネルの製造方法において、 支持体の表面に当該支持体の表面物質とは熱伝導率が異
なる物質からなる微細なパターン層を設け、このパター
ン層側の面上に輝尽性蛍光体を気相堆積法により堆積さ
せて輝尽性蛍光体層を形成することを特徴とする放射線
画像変換パネルの製造方法。
1. A method of manufacturing a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support, wherein the support has a fine surface made of a material having a different thermal conductivity from a surface material of the support. A method for producing a radiation image conversion panel, comprising: providing a pattern layer; and depositing a stimulable phosphor on the surface on the pattern layer side by a vapor deposition method to form a stimulable phosphor layer.
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