JP3076146B2 - アンローダ装置 - Google Patents
アンローダ装置Info
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- JP3076146B2 JP3076146B2 JP14385192A JP14385192A JP3076146B2 JP 3076146 B2 JP3076146 B2 JP 3076146B2 JP 14385192 A JP14385192 A JP 14385192A JP 14385192 A JP14385192 A JP 14385192A JP 3076146 B2 JP3076146 B2 JP 3076146B2
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- glass substrate
- nitrogen
- substrate
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアンローダ装置に関し、
特に静電気防止機構を有するアンローダ装置に関する。
特に静電気防止機構を有するアンローダ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶用ＴＦＴ基板製造工程において、ガ
ラス基板（以下、基板と記す）に対し洗浄，成膜，エッ
チング，はくり等の処理が行なわれるが、これらの基板
の乾燥は、洗浄乾燥装置により、エアーナイフという高
圧空気を基板に吹き付け水分を飛ばして乾燥させる手段
が一般的である。乾燥された基板はアンローダ装置に搬
入され、フォークによりアンローダ装置のカセットに納
められる。
ラス基板（以下、基板と記す）に対し洗浄，成膜，エッ
チング，はくり等の処理が行なわれるが、これらの基板
の乾燥は、洗浄乾燥装置により、エアーナイフという高
圧空気を基板に吹き付け水分を飛ばして乾燥させる手段
が一般的である。乾燥された基板はアンローダ装置に搬
入され、フォークによりアンローダ装置のカセットに納
められる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述のような構成のア
ンローダ装置において、洗浄乾燥装置内のエアーナイフ
により水滴を吹き飛ばす際、窒素と基板とが接触，摩擦
を繰り返す為基板表面上に静電気が発生する。静電気除
去の目的でアンローダ装置にはテーブル下部よりアース
がとられているが、基板自身は絶縁体である為除電する
ことは困難であった。この為、基板上に作られた素子の
絶縁破壊や素子特性の劣化を起こすという問題点があっ
た。
ンローダ装置において、洗浄乾燥装置内のエアーナイフ
により水滴を吹き飛ばす際、窒素と基板とが接触，摩擦
を繰り返す為基板表面上に静電気が発生する。静電気除
去の目的でアンローダ装置にはテーブル下部よりアース
がとられているが、基板自身は絶縁体である為除電する
ことは困難であった。この為、基板上に作られた素子の
絶縁破壊や素子特性の劣化を起こすという問題点があっ
た。
【０００４】また、雰囲気中のパーティクル吸着により
回路パターンの欠陥を起こすことにより製造歩留りの低
下の原因になるという問題点もあった。
回路パターンの欠陥を起こすことにより製造歩留りの低
下の原因になるという問題点もあった。
【０００５】本発明の目的は、基板上の素子の絶縁破壊
や素子特性の劣化がなく、製造歩留の高いアンローダ装
置を提供することにある。
や素子特性の劣化がなく、製造歩留の高いアンローダ装
置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス基板を
搬送するフォークと、このフォークにより搬送されて前
記ガラス基板を収納するカセットとを有するアンローダ
装置において、前記カセットの挿入部に窒素を所定純度
に調整して出力するフィルタと、該フィルタの出口に前
記ガラス基板面に平行して設けられコロナ放電により前
記窒素をイオン化し窒素イオンを発生させる針状の金属
電極が挿入されたイオンバーとを設け、このイオンバー
から前記窒素イオンが吹き付けられて前記ガラス基板を
除電すると同時にゴミの付着を防止したことを特徴とす
る。
搬送するフォークと、このフォークにより搬送されて前
記ガラス基板を収納するカセットとを有するアンローダ
装置において、前記カセットの挿入部に窒素を所定純度
に調整して出力するフィルタと、該フィルタの出口に前
記ガラス基板面に平行して設けられコロナ放電により前
記窒素をイオン化し窒素イオンを発生させる針状の金属
電極が挿入されたイオンバーとを設け、このイオンバー
から前記窒素イオンが吹き付けられて前記ガラス基板を
除電すると同時にゴミの付着を防止したことを特徴とす
る。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００８】図１は本発明の一実施例の概略の構成を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【０００９】図１に示すように、窒素３は流路中に設け
られたフィルタ４により所定の純度に調整されイオンバ
ー５へ導かれる。イオンバー５には針状の金属電極が挿
入されている。イオンバー５には±２０ｋＶ程度の交流
電圧を印加し、コロナ放電により窒素イオンを発生させ
ることにより窒素３の導電率を３桁以上高くすることが
できる。イオンバー５は、カセット６の基板１の入口に
セットされイオン化された窒素３を基板１表面及びカセ
ット６に吹き付け１０秒間で０．５ｋＶ程度まで電位を
下げ、静電気を速やかに除電できる。
られたフィルタ４により所定の純度に調整されイオンバ
ー５へ導かれる。イオンバー５には針状の金属電極が挿
入されている。イオンバー５には±２０ｋＶ程度の交流
電圧を印加し、コロナ放電により窒素イオンを発生させ
ることにより窒素３の導電率を３桁以上高くすることが
できる。イオンバー５は、カセット６の基板１の入口に
セットされイオン化された窒素３を基板１表面及びカセ
ット６に吹き付け１０秒間で０．５ｋＶ程度まで電位を
下げ、静電気を速やかに除電できる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のアンロー
ダ装置は、カセットに入る基板にイオンバーによりイオ
ン化された窒素を吹き付けることにより静電気を速やか
に除電する為、静電気による素子の破壊，劣化及びパー
ティクルの付着を防止でき製造歩留を向上できるという
効果を有する。
ダ装置は、カセットに入る基板にイオンバーによりイオ
ン化された窒素を吹き付けることにより静電気を速やか
に除電する為、静電気による素子の破壊，劣化及びパー
ティクルの付着を防止でき製造歩留を向上できるという
効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の概略の構成を示す斜視図で
ある。
ある。
１ 基板 ２ フォーク ３ 窒素 ４ フィルタ ５ イオンバー ６ カセット ７ 装置電源 ８ アンローダ装置 ９ 洗浄，乾燥装置
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304,21/68 G02F 1/13 - 1/1368
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス基板を搬送するフォークと、この
フォークにより搬送されて前記ガラス基板を収納するカ
セットとを有するアンローダ装置において、前記カセッ
トの挿入部に窒素を所定純度に調整して出力するフィル
タと、該フィルタの出口に前記ガラス基板面に平行して
設けられコロナ放電により前記窒素をイオン化し窒素イ
オンを発生させる針状の金属電極が挿入されたイオンバ
ーとを設け、このイオンバーから前記窒素イオンが吹き
付けられて前記ガラス基板を除電すると同時にゴミの付
着を防止したことを特徴とするアンローダ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14385192A JP3076146B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | アンローダ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14385192A JP3076146B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | アンローダ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05330859A JPH05330859A (ja) | 1993-12-14 |
| JP3076146B2 true JP3076146B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=15348440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14385192A Expired - Fee Related JP3076146B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | アンローダ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3076146B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6826830B2 (en) | 2002-02-05 | 2004-12-07 | International Business Machines Corporation | Multi-layered interconnect structure using liquid crystalline polymer dielectric |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005097018A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Air Water Inc | 難帯電ガラス基板の製法およびそれによって得られた難帯電ガラス基板 |
| CN114390763A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-04-22 | 浙江泰嘉光电科技有限公司 | 静电消除的方法和设备 |
| CN116603645A (zh) * | 2023-05-31 | 2023-08-18 | 江苏中能硅业科技发展有限公司 | 一种颗粒硅除尘系统 |
-
1992
- 1992-06-04 JP JP14385192A patent/JP3076146B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6826830B2 (en) | 2002-02-05 | 2004-12-07 | International Business Machines Corporation | Multi-layered interconnect structure using liquid crystalline polymer dielectric |
| US7301108B2 (en) | 2002-02-05 | 2007-11-27 | International Business Machines Corporation | Multi-layered interconnect structure using liquid crystalline polymer dielectric |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05330859A (ja) | 1993-12-14 |
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Legal Events
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