JP3077656B2 - Method of correcting recipe in semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
Method of correcting recipe in semiconductor manufacturing equipmentInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 45
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 109
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 34
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、化学機械研磨
（ＣＭＰ）を行う半導体製造装置へのレシピ情報を修正
する半導体製造装置のレシピ修正方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a recipe correction method for a semiconductor manufacturing apparatus for correcting recipe information for a semiconductor manufacturing apparatus that performs chemical mechanical polishing (CMP).
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造装置では、複数枚のウェハを
カセットに収納し、カセット単位毎に処理を実行するも
のと、カセットに複数枚収納しているがウェハ１枚また
は２枚毎に処理を実行するものに分けられる。例えば、
前の工程からウェハが複数枚格納されたカセットを、装
置のロードポート（搬入口）に移動させると、ＣＶＤ装
置等の半導体製造装置では、ロボットがカセット内のウ
ェハを順番に、反応炉である石英ガラス等からなる溝付
きボートに移載して、カセット内のウェハ全ての処理を
同時に行う。また、ＣＭＰ装置等の半導体製造装置で
は、ロボットがカセット内のウェハを順番に、左右のウ
ェハ吸着パッドに移載し、２枚ずつ処理を行う。このよ
うな半導体製造装置では、カセット毎またはウェハ毎に
プロセスのシーケンスと制御パラメータ（温度、圧力、
ガス流量、パッド回転数、研磨量などの装置を制御する
目標値）であるレシピ情報をテーブル化して、１つのフ
ァイルにする。このファイルは、製品群毎に複数作成
し、ユニークなレシピＩＤを割り付けて使用する。例え
ば、特開平８−２１６０９５号公報には、レシピ情報を
ウェハ単位で管理する方法について述べられている。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing apparatus, a plurality of wafers are housed in a cassette and processing is performed for each cassette, and a plurality of wafers are housed in a cassette, but processing is performed for each wafer or two wafers. It is divided into things to do. For example,
When a cassette in which a plurality of wafers are stored from the previous process is moved to a load port (loading port) of the apparatus, in a semiconductor manufacturing apparatus such as a CVD apparatus, a robot sequentially operates wafers in the cassette as a reaction furnace in a semiconductor manufacturing apparatus such as a CVD apparatus. The wafer is transferred to a grooved boat made of quartz glass or the like, and all the wafers in the cassette are simultaneously processed. In a semiconductor manufacturing apparatus such as a CMP apparatus, a robot sequentially transfers wafers in a cassette to left and right wafer suction pads and performs processing on two wafers at a time. In such a semiconductor manufacturing apparatus, a process sequence and control parameters (temperature, pressure,
Recipe information, which is a target value for controlling the apparatus such as a gas flow rate, a pad rotation speed, and a polishing amount, is tabulated to form one file. A plurality of such files are created for each product group, and a unique recipe ID is allocated and used. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. H8-216095 describes a method of managing recipe information on a wafer basis.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、先の特
開平８−２１６０９５号公報などで述べられているレシ
ピ情報は全て固定情報であり、半導体製造装置の状態に
関係なく一意的に設定される。このため、半導体製造装
置の状態が変化したような場合、制御量が変化し、再処
理が必要となる。例えば、半導体前工程の１つであるＣ
ＭＰ工程では、ＣＭＰ装置によりウェハを研磨し平滑化
する。この工程に製品を投入する時には、製品毎のレシ
ピの一部として、研磨時間に関するレシピ情報が指定さ
れる。しかし、ＣＭＰ装置は、研磨パッドの摩耗、研磨
剤の劣化や研磨屑の混入により、一定時間に削れる量、
いわゆる研磨レートが変動する。このため、研磨時間を
一定としてＣＭＰ装置を制御した場合、研磨量が変化
し、研磨不足や研磨過多を引き起こして再研磨が必要と
なる。However, the recipe information described in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. H8-216095 is all fixed information, and is uniquely set regardless of the state of the semiconductor manufacturing apparatus. For this reason, when the state of the semiconductor manufacturing apparatus changes, the control amount changes and reprocessing is required. For example, one of the semiconductor pre-processes, C
In the MP process, the wafer is polished and smoothed by a CMP apparatus. When a product is put into this step, recipe information on polishing time is specified as a part of a recipe for each product. However, the amount of the CMP device that can be cut in a certain time due to the wear of the polishing pad,
The so-called polishing rate fluctuates. For this reason, when the CMP apparatus is controlled while the polishing time is kept constant, the polishing amount changes, causing insufficient polishing or excessive polishing, thus requiring repolishing.
【０００４】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、その目的とするところは、研磨レート
が変化しても、研磨量が変化することがなく、再研磨を
不要として工程処理能力を高めることのできる半導体製
造装置のレシピ修正方法を提供することにある。The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to eliminate the need for repolishing without changing the polishing amount even if the polishing rate changes. Made of semiconductor that can increase processing capacity
An object of the present invention is to provide a method of correcting a recipe of a manufacturing apparatus .
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、第１発明（請求項１に係る発明）は、化学機
械研磨を行う半導体製造装置の研磨レートをモニタし、
このモニタした研磨レートおよび研磨必要量から研磨時
間を算出し、この算出した研磨時間に応じたプロセスレ
シピ情報をプロセスレシピ選択テーブルからレシピ変動
部分として選択し、この選択したレシピ変動部分を予め
決定されているレシピ固定部分に加えることによって半
導体製造装置へのレシピ情報を修正するようにしたもの
である。この発明によれば、半導体製造装置の現在の研
磨レートがモニタされ、このモニタされた研磨レートお
よび研磨必要量から研磨時間が算出され、この算出され
た研磨時間に応じたレシピ変動部分がプロセスレシピ選
択テーブルから選択され、この選択されたレシピ変動部
分が予め決定されているレシピ固定部分に加えられるこ
とによって半導体製造装置へのレシピ情報が修正され
る。In order to achieve the above object, a first invention (an invention according to claim 1) is a chemical machine.
Monitor the polishing rate of semiconductor manufacturing equipment that performs mechanical polishing ,
The polishing time is calculated from the monitored polishing rate and the required polishing amount, and process recipe information corresponding to the calculated polishing time is selected as a recipe variable portion from a process recipe selection table, and the selected recipe variable portion is determined in advance. half by adding to the recipe a fixed portion and
The recipe information to the conductor manufacturing apparatus is modified. According to the present invention, the current polishing rate of the semiconductor manufacturing apparatus is monitored, the polishing time is calculated from the monitored polishing rate and the required polishing amount, and the recipe variation portion corresponding to the calculated polishing time is determined by the process recipe. The recipe information to the semiconductor manufacturing apparatus is corrected by selecting from the selection table and adding the selected recipe variable portion to the predetermined recipe fixed portion.
【０００６】第２発明（請求項２に係る発明）は、第１
発明において、研磨レートを研磨前膜厚測定データと研
磨後膜厚測定データとの差とから算出するようにしたも
のである。この発明によれば、半導体製造装置の現在の
研磨レートが研磨前膜厚測定データと研磨後膜厚測定デ
ータとの差とから算出され、この算出された研磨レート
および研磨必要量から研磨時間が算出され、この算出さ
れた研磨時間に応じたレシピ変動部分がプロセスレシピ
選択テーブルから選択され、この選択されたレシピ変動
部分が予め決定されているレシピ固定部分に加えられる
ことによって半導体製造装置へのレシピ情報が修正され
る。第３発明（請求項３に係る発明）は、第１発明にお
いて、研磨レートを半導体製造装置に接続した化学機械
研磨プロセスをモニタする測定装置からの測定データか
ら算出するようにしたものである。この発明によれば、
半導体製造装置の現在の研磨レートが半導体製造装置に
接続された測定装置からの測定データから算出され、こ
の算出された研磨レートおよび研磨必要量から研磨時間
が算出され、この算出された研磨時間に応じたレシピ変
動部分がプロセスレシピ選択テーブルから選択され、こ
の選択されたレシピ変動部分が予め決定されているレシ
ピ固定部分に加えられることによって半導体製造装置へ
のレシピ情報が修正される。第４発明（請求項４に係る
発明）は、第１発明において、変動パラメータの研磨レ
ートを半導体製造装置の内部に設けた化学機械研磨プロ
セスをモニタする測定装置からの測定データから算出す
るようにしたものである。この発明によれば、半導体製
造装置の現在の研磨レートが半導体製造装置の内部に設
けられた測定装置からの測定データから算出され、この
算出された研磨レートおよび研磨必要量から研磨時間が
算出され、この算出された研磨時間に応じたレシピ変動
部分がプロセスレシピ選択テーブルから選択され、この
選択されたレシピ変動部分が予め決定されているレシピ
固定部分に加えられることによって半導体製造装置への
レシピ情報が修正される。[0006] The second invention (the invention according to claim 2) is the first invention.
In the present invention, the polishing rate is calculated from the difference between the thickness measurement data before polishing and the thickness measurement data after polishing. According to the present invention, the current polishing rate of the semiconductor manufacturing apparatus is calculated from the difference between the pre-polishing thickness measurement data and the post-polishing thickness measurement data, and the polishing time is calculated from the calculated polishing rate and the required polishing amount. The calculated recipe variation portion corresponding to the calculated polishing time is selected from the process recipe selection table, and the selected recipe variation portion is added to a predetermined recipe fixed portion, so that the semiconductor manufacturing device can be controlled. The recipe information is modified. According to a third invention (an invention according to a third aspect), in the first invention, the polishing rate is calculated from measurement data from a measuring apparatus that monitors a chemical mechanical polishing process connected to a semiconductor manufacturing apparatus . According to the invention,
Current polishing rate of the semiconductor manufacturing device is calculated from the measured data from the measuring device connected to the semiconductor manufacturing device, the calculated polishing rate and the polishing time from the polishing required amount is calculated, this calculated polishing time The corresponding recipe variation portion is selected from the process recipe selection table, and the selected recipe variation portion is added to a predetermined recipe fixed portion, thereby correcting the recipe information to the semiconductor manufacturing apparatus . According to a fourth invention (an invention according to a fourth aspect), in the first invention, a polishing rate of a variable parameter is calculated from measurement data from a measuring apparatus for monitoring a chemical mechanical polishing process provided inside a semiconductor manufacturing apparatus. It was done. According to the present invention, the semiconductor
Current polishing rate of the forming device is calculated from the measured data from the measuring device provided in the semiconductor manufacturing device, the calculated polishing rate and the polishing time from the polishing required amount is calculated, the calculated polishing time Is selected from the process recipe selection table, and the selected recipe variable portion is added to a predetermined recipe fixed portion, thereby correcting recipe information to the semiconductor manufacturing apparatus .
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の形態に基づ
き詳細に説明する。 〔実施の形態１〕図１はこの発明を適用してなる半導体
製造システムのシステム構成図である。この半導体製造
システムは、レシピ指示システム１と、工場ホストコン
ピュータ２と、ＣＭＰ装置３と、ウェハ洗浄装置４と、
膜厚測定装置５とから構成される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments. [First Embodiment] FIG. 1 is a system configuration diagram of a semiconductor manufacturing system to which the present invention is applied. This semiconductor manufacturing system includes a recipe instruction system 1, a factory host computer 2, a CMP apparatus 3, a wafer cleaning apparatus 4,
And a film thickness measuring device 5.
【０００８】レシピ指示システム１は、製造装置用制御
装置１１と、測定装置用制御装置１２と、記憶装置１３
とから構成される。製造装置用制御装置１１は、一時保
持用のメモリ１１１を使用し、工場ホストコンピュータ
２、ＣＭＰ装置３、ウェハ洗浄装置４、記憶装置１３と
通信インターフェースを介して、ロット別のプロセスレ
シピ情報や処理結果を通信する。The recipe instruction system 1 includes a control device 11 for a manufacturing device, a control device 12 for a measuring device, and a storage device 13.
It is composed of The manufacturing apparatus control device 11 uses the temporary holding memory 111, and communicates with the factory host computer 2, the CMP device 3, the wafer cleaning device 4, and the storage device 13 through the communication interface to process recipe information and processing for each lot. Communicate the results.
【０００９】測定装置用制御装置１２は、一時保持用の
メモリ１２１を使用し、工場ホストコンピュータ２、膜
厚測定装置５、記憶装置１３と通信インターフェースを
介して、ロット別の測定レシピ情報や測定データを通信
し、ロットの処理結果を判定する。The measuring device controller 12 uses a temporary storage memory 121 and communicates with the factory host computer 2, the film thickness measuring device 5, and the storage device 13 via the communication interface to obtain measurement recipe information and measurement data for each lot. The data is communicated to determine the processing result of the lot.
【００１０】記憶装置１３は、プロセスレシピテーブル
１３１、測定レシピテーブル１３２、測定データテーブ
ル１３３、レシピ修正テーブル１３４、変動パラメータ
テーブル１３５、判定基準テーブル１３６および履歴テ
ーブル１３７に各種情報を蓄積する。The storage device 13 stores various information in a process recipe table 131, a measurement recipe table 132, a measurement data table 133, a recipe correction table 134, a variation parameter table 135, a criterion table 136, and a history table 137.
【００１１】次に、この半導体製造システムの動作につ
いて、図２に示したフローチャートを参照しながら説明
する。最初に、前の工程から来たロットを膜厚測定装置
５に投入する（ステップ２０１）。測定装置用制御装置
１２は、工場ホストコンピュータ２から、投入ロットの
内容と使用する測定レシピＩＤを得て、記憶装置１３の
測定レシピテーブル１３２から測定レシピ情報を取り出
し、膜厚測定装置５に設定する。Next, the operation of the semiconductor manufacturing system will be described with reference to the flowchart shown in FIG. First, a lot from the previous process is put into the film thickness measuring device 5 (step 201). The measuring device controller 12 obtains the contents of the input lot and the measuring recipe ID to be used from the factory host computer 2, extracts the measuring recipe information from the measuring recipe table 132 of the storage device 13, and sets the information in the film thickness measuring device 5. I do.
【００１２】膜厚測定装置５は、設定された測定レシピ
情報に従い、研磨前膜厚測定を行い（ステップ２０
２）、これによる測定データ（研磨前の膜厚データ）を
測定装置用制御装置１２に送信する。測定装置用制御装
置１２は、膜厚測定装置５からの測定データを記憶装置
１３の測定データテーブル１３３に、処理履歴を履歴テ
ーブル１３７に保存する。The film thickness measuring device 5 measures the film thickness before polishing according to the set measurement recipe information (step 20).
2) The measurement data (thickness data before polishing) is transmitted to the control device for measuring device 12. The measurement device controller 12 stores the measurement data from the film thickness measurement device 5 in the measurement data table 133 of the storage device 13 and the processing history in the history table 137.
【００１３】次に、膜厚測定装置５に投入したロットを
取り出し、ＣＭＰ装置３に投入する。製造装置用制御装
置１１は、工場ホストコンピュータ２から、投入ロット
の内容として膜の種類と研磨必要量を得る。そして、製
造装置用制御装置１１は、記憶装置１３の変動パラメー
タテーブル１３５から最新の研磨レート（後述）を得
て、レシピ修正テーブル１３４内のレシピ修正ルールに
従い上記最新の研磨レートおよび研磨必要量から研磨時
間を算出し、この算出した研磨時間に応じたプロセスレ
シピ情報をプロセスレシピテーブル１３１からレシピ変
動部分として選択する。Next, the lot put into the film thickness measuring device 5 is taken out and put into the CMP device 3. The manufacturing apparatus controller 11 obtains the type of the film and the required polishing amount as the contents of the input lot from the factory host computer 2. Then, the control device 11 for the manufacturing apparatus obtains the latest polishing rate (described later) from the fluctuation parameter table 135 of the storage device 13 and obtains the latest polishing rate and the required polishing amount according to the recipe correction rule in the recipe correction table 134. The polishing time is calculated, and process recipe information corresponding to the calculated polishing time is selected from the process recipe table 131 as a recipe variable portion.
【００１４】そして、製造装置用制御装置１１は、工場
ホストコンピュータ２からのレシピ固定部分と上記のレ
シピ変動部分とを合わせたプロセスレシピ情報を最適レ
シピとし、すなわちレシピ固定部分にレシピ変動部分を
加えることによって修正されたプロセスレシピ情報を最
適レシピとし、この最適レシピをＣＭＰ装置３とウェハ
洗浄装置４に送信し（ステップ２０３）、研磨を開始す
る（ステップ２０４）。The manufacturing apparatus controller 11 sets the process recipe information obtained by combining the recipe fixed portion from the factory host computer 2 and the above-mentioned recipe variable portion as an optimum recipe, that is, adds the recipe variable portion to the recipe fixed portion. The process recipe information thus corrected is set as the optimum recipe, and the optimum recipe is transmitted to the CMP apparatus 3 and the wafer cleaning apparatus 4 (Step 203), and polishing is started (Step 204).
【００１５】研磨終了後、ウェハ洗浄装置４によって、
ウェハ洗浄処理を行う（ステップ２０５）。製造装置用
制御装置１１は、処理の履歴を記録装置１３の履歴テー
ブル１３７に格納する。洗浄が終了したロットは、再
度、膜厚測定装置５に投入される。膜厚測定装置５は、
研磨後膜厚測定を行い（ステップ２０６）、これによる
測定データ（研磨後の膜厚データ）を測定装置用制御装
置１２に送信する。After the polishing, the wafer cleaning device 4
A wafer cleaning process is performed (Step 205). The manufacturing apparatus control device 11 stores the processing history in the history table 137 of the recording device 13. The lot whose cleaning has been completed is fed into the film thickness measuring device 5 again. The film thickness measuring device 5
After the polishing, the film thickness is measured (step 206), and the measurement data (thickness data after the polishing) is transmitted to the measuring device controller 12.
【００１６】測定装置用制御装置１２は、送信されてき
た測定データを記憶装置１３の測定データテーブル１３
３に蓄積する。記憶装置１３は、投入したロットの研磨
前の膜厚データと研磨後の膜厚データの差と、履歴テー
ブル１３７にある実際の研磨時間とから、最新の研磨レ
ートを算出し（ステップ２０７）、変動パラメータテー
ブル１３５に保存する。得られた最新研磨レートは、次
のロットの最適レシピを求めるときに使用する。The measuring device controller 12 stores the transmitted measurement data in a measurement data table 13 in a storage device 13.
Store in 3. The storage device 13 calculates the latest polishing rate from the difference between the film thickness data before polishing and the film thickness data after polishing of the input lot and the actual polishing time in the history table 137 (step 207), It is stored in the fluctuation parameter table 135. The obtained latest polishing rate is used when obtaining the optimum recipe for the next lot.
【００１７】次に、測定装置用制御装置１２は、記憶装
置１３の判定基準テーブル１３６から判定基準情報を取
り出し、研磨後の膜厚が基準内であるか否かの判定を行
い（ステップ２０８）、判定結果の履歴を履歴テーブル
１３７に通信する。そして、ＣＭＰ工程の全ての処理が
終了したロットを排出し（ステップ２０９）、次の工程
へ送る。Next, the control device for measuring device 12 retrieves the criterion information from the criterion table 136 of the storage device 13 and determines whether or not the film thickness after polishing is within the criterion (step 208). The history of the determination result is communicated to the history table 137. Then, the lot in which all the processes in the CMP process have been completed is discharged (step 209), and sent to the next process.
【００１８】〔実施の形態２〕実施の形態２では、図４
に示すように、ＣＭＰ装置３の変動パラメータを測定す
る手段として、ＣＭＰプロセスをモニタする測定装置６
をＣＭＰ装置３に接続し、その測定データを製造装置用
制御装置１１へフィードバックして、最適レシピを決定
する。測定装置６は、ＣＭＰ装置３のテーブル駆動電
流、テーブル温度、研磨剤の濃度、研磨屑の密度を測定
するプロセスモニタリング装置である。[Embodiment 2] In Embodiment 2, FIG.
As shown in FIG. 5, as a means for measuring a variation parameter of the CMP apparatus 3, a measuring apparatus 6 for monitoring a CMP process is used.
Is connected to the CMP apparatus 3 and the measured data is fed back to the manufacturing apparatus control apparatus 11 to determine an optimum recipe. The measuring device 6 is a process monitoring device that measures the table driving current, the table temperature, the concentration of the abrasive, and the density of the swarf of the CMP device 3.
【００１９】この半導体製造システムでは、最初に、前
の工程から来たロットをＣＭＰ装置３に投入する（図３
に示すステップ３０１）。製造装置用制御装置１１は、
工場ホストコンピュータ２から、投入ロットの内容とし
て膜の種類と研磨必要量を得る。In this semiconductor manufacturing system, first, a lot coming from the previous process is put into the CMP apparatus 3 (FIG. 3).
Step 301). The control device 11 for the manufacturing apparatus includes:
From the factory host computer 2, the type of film and the required polishing amount are obtained as the contents of the input lot.
【００２０】次に、製造装置用制御装置１１は、記憶装
置１３の変動パラメータテーブル１３５から最新の研磨
レート（後述）を得て、レシピ修正テーブル１３４内の
レシピ修正ルールに従い上記最新の研磨レートおよび研
磨必要量から研磨時間を算出し、この算出した研磨時間
に応じたプロセスレシピ情報をプロセスレシピテーブル
１３１からレシピ変動部分として選択する。Next, the control device 11 for the manufacturing apparatus obtains the latest polishing rate (described later) from the variable parameter table 135 of the storage device 13, and obtains the latest polishing rate and the latest polishing rate according to the recipe correction rule in the recipe correction table 134. A polishing time is calculated from the required polishing amount, and process recipe information corresponding to the calculated polishing time is selected from the process recipe table 131 as a recipe variable portion.
【００２１】そして、製造装置用制御装置１１は、工場
ホストコンピュータ２からのレシピ固定部分と上記のレ
シピ変動部分とを合わせたプロセスレシピ情報を最適レ
シピとし、すなわちレシピ固定部分にレシピ変動部分を
加えることによって修正されたプロセスレシピ情報を最
適レシピとし、この最適レシピをＣＭＰ装置３とウェハ
洗浄装置４に送信し（ステップ３０２）、研磨を開始す
る（ステップ３０３）。The manufacturing apparatus controller 11 sets the process recipe information obtained by combining the recipe fixed part from the factory host computer 2 and the above-mentioned recipe variable part as an optimum recipe, that is, adds the recipe variable part to the recipe fixed part. The corrected process recipe information is set as an optimum recipe, and the optimum recipe is transmitted to the CMP apparatus 3 and the wafer cleaning apparatus 4 (Step 302), and polishing is started (Step 303).
【００２２】研磨中は、測定装置６が測定データを製造
装置用制御装置１１に通信する。研磨終了後、ウェハ洗
浄装置４によって、ウェハ洗浄処理を行う（ステップ３
０４）。製造装置用制御装置１１は、処理の履歴を記録
装置１３の履歴テーブル１３７に格納し、測定データを
測定データテーブル１３３に保存する。During polishing, the measuring device 6 transmits the measurement data to the control device 11 for the manufacturing apparatus. After the polishing, the wafer cleaning apparatus 4 performs a wafer cleaning process (step 3).
04). The manufacturing apparatus controller 11 stores the processing history in the history table 137 of the recording device 13 and stores the measurement data in the measurement data table 133.
【００２３】洗浄が終了したロットは、膜厚測定装置５
に投入され、研磨後膜厚測定が行われる（ステップ３０
５）。これによる測定データ（研磨後の膜厚データ）
は、測定装置用制御装置１２を経由して、記憶装置１３
の測定データテーブル１３３に蓄積される。The lot whose cleaning has been completed is supplied to the film thickness measuring device 5
And the film thickness is measured after polishing (step 30).
5). Measurement data (Film thickness data after polishing)
Is stored in the storage device 13 via the measurement device control device 12.
Is stored in the measurement data table 133.
【００２４】記憶装置13は、測定装置６が計測した測定
データから最新の研磨レートを算出し（ステップ３０
６）、変動パラメータテーブル１３５に保存する。得ら
れた最新の研磨レートは、次のロットの最適レシピを求
めるときに使用する。The storage device 13 calculates the latest polishing rate from the measurement data measured by the measuring device 6 (step 30).
6), and save it in the fluctuation parameter table 135. The obtained latest polishing rate is used when determining the optimum recipe for the next lot.
【００２５】次に、測定装置用制御装置１２は、記憶装
置１３の判定基準テーブル１３６から判定基準情報を取
り出し、研磨後の膜厚が基準内であるか否かの判定を行
い（ステップ３０７）、判定結果の履歴を履歴テーブル
１３７に通信する。そして、ＣＭＰ工程の全ての処理が
終了したロットを排出し（ステップ３０８）、次の工程
へ送る。Next, the control device for measurement device 12 retrieves the criterion information from the criterion table 136 of the storage device 13 and determines whether or not the film thickness after polishing is within the criterion (step 307). The history of the determination result is communicated to the history table 137. Then, the lot in which all the processes in the CMP process have been completed is discharged (step 308), and sent to the next process.
【００２６】〔実施の形態３〕実施の形態３では、図５
に示すように、ＣＭＰ装置３の変動パラメータをモニタ
する手段として、ＣＭＰ装置３の内部にプロセスをモニ
タする測定装置３１を組み込み、その測定データを製造
装置用制御装置１１にフィードバックして、最適レシピ
を決定する。測定装置３１は、研磨前後の膜厚を測定す
る装置や研磨中に随時膜厚を測定する装置である。この
半導体製造システムでは、測定装置３１が計測した測定
データから最新の研磨レートを算出し、変動パラメータ
テーブル１３５に保存する。得られた最新の研磨レート
は、実施の形態２と同様にして、次のロットの最適レシ
ピを求めるときに使用する。[Embodiment 3] In Embodiment 3, FIG.
As shown in (1), as a means for monitoring a variation parameter of the CMP apparatus 3, a measuring apparatus 31 for monitoring a process is incorporated in the CMP apparatus 3 and the measurement data is fed back to the control apparatus 11 for the manufacturing apparatus so that the optimum recipe is obtained. To determine. The measuring device 31 is a device for measuring the film thickness before and after polishing or a device for measuring the film thickness as needed during polishing. In this semiconductor manufacturing system, the latest polishing rate is calculated from the measurement data measured by the measuring device 31, and is stored in the fluctuation parameter table 135. The obtained latest polishing rate is used when obtaining the optimum recipe for the next lot, as in the second embodiment.
【００２７】以上の説明から明らかなように、上述した
実施の形態１〜３によれば、ＣＭＰ装置３の変動パラメ
ータである研磨レートがロット毎に常時モニターされ、
このモニタされた研磨レートに基づいてＣＭＰ装置３へ
のプロセスレシピ情報が最適レシピに修正されるため、
ＣＭＰ装置３の研磨レートが変化しても、研磨量が変化
することがなく、再研磨を不要として工程処理能力を高
めることができる。As is apparent from the above description, according to the first to third embodiments, the polishing rate, which is a variable parameter of the CMP apparatus 3, is constantly monitored for each lot.
Since the process recipe information to the CMP apparatus 3 is corrected to the optimum recipe based on the monitored polishing rate,
Even if the polishing rate of the CMP apparatus 3 changes, the polishing amount does not change, and re-polishing is not required, so that the process throughput can be increased.
【００２８】また、上述した実施の形態１〜３では、Ｃ
ＭＰ装置３へのプロセスレシピ情報が自動的に修正され
るため、作業者によるレシピ算出時間が無くなること
と、レシピ選択の誤りを無くすことができ、工程通過時
間を短くすることができる。すなわち、研磨必要量と現
在のＣＭＰ装置３の研磨レートとから人為的に研磨時間
を算出し、プロセスレシピの変動部分を選択することも
できる。しかし、この場合、作業者によるレシピ算出時
間を必要とし、またレシピ選択の誤りが生じる虞れもあ
り、工程通過時間が長くなる。これに対して、実施の形
態１〜３では、ＣＭＰ装置３へのプロセスレシピ情報を
製造装置用制御装置１１が自動的に修正するため、工程
通過時間が短くなる。In the first to third embodiments described above, C
Since the process recipe information to the MP device 3 is automatically corrected, it is possible to eliminate recipe calculation time by the operator, eliminate errors in recipe selection, and shorten the process passage time. That is, it is also possible to calculate the polishing time artificially from the required polishing amount and the current polishing rate of the CMP apparatus 3 and select a variable portion of the process recipe. However, in this case, it takes time for the operator to calculate the recipe, and there is a possibility that an incorrect recipe may be selected, so that the process passage time becomes longer. On the other hand, in the first to third embodiments, the manufacturing apparatus controller 11 automatically corrects the process recipe information to the CMP apparatus 3, so that the process passage time is shortened.
【００２９】また、上述した実施の形態１〜３では、投
入ロットの処理結果判定を自動で行うことができ、工程
の良品率を上げることができる。また、工程内各装置の
履歴情報を保有しているため、工程内の進捗管理が容易
となる。Further, in the above-described first to third embodiments, it is possible to automatically determine the processing result of the input lot, and it is possible to increase the yield rate of the process. In addition, since the history information of each device in the process is stored, the progress management in the process becomes easy.
【００３０】なお、上述した実施の形態１〜３では、プ
ロセスレシピ情報を修正する周期をロット毎としたが、
ウェハ毎としてもよい。また、上述した実施の形態１〜
３では、プロセスレシピ情報を製品により決定する固定
部分と、装置の状態により変化する変動部分とに分け
て、前者を工場ホストコンピュータ２に管理させ、後者
を記憶装置１３に管理させるようにしたが、両者とも記
憶装置１３に管理させるようにしてもよい。すなわち、
レシピ固定部分を記憶装置１３に予め登録するようにし
てもよい。In the first to third embodiments described above, the cycle for correcting the process recipe information is set for each lot.
Each wafer may be used. In addition, the above-described first to third embodiments.
In No. 3, the process recipe information is divided into a fixed part determined by the product and a variable part that changes depending on the state of the apparatus, and the former is managed by the factory host computer 2 and the latter is managed by the storage device 13. Alternatively, both may be managed by the storage device 13. That is,
The recipe fixed portion may be registered in the storage device 13 in advance.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように本
発明によれば、化学機械研磨を行う半導体製造装置の研
磨レートをモニタし、このモニタした研磨レートおよび
研磨必要量から研磨時間を算出し、この算出した研磨時
間に応じたプロセスレシピ情報をプロセスレシピ選択テ
ーブルからレシピ変動部分として選択し、この選択した
レシピ変動部分を予め決定されているレシピ固定部分に
加えることによって半導体製造装置へのレシピ情報を修
正するようにしたので、研磨レートの変化に対し、研磨
量の変化をなくし、再研磨を不要として工程処理能力を
高めることが可能となる。As apparent from the above description, according to the present invention, the polishing rate of a semiconductor manufacturing apparatus for performing chemical mechanical polishing is monitored, and the polishing time is calculated from the monitored polishing rate and the required polishing amount. The process recipe information corresponding to the calculated polishing time is selected from the process recipe selection table as a recipe variable portion, and the selected recipe variable portion is added to a predetermined recipe fixed portion, so that the recipe to the semiconductor manufacturing apparatus is determined. Since the information is corrected, it is possible to eliminate a change in the polishing amount in response to a change in the polishing rate and to eliminate the need for re-polishing, thereby improving the process capability.
【図１】 本発明を適用してなる半導体製造システムの
システム構成図（実施の形態１）である。FIG. 1 is a system configuration diagram (first embodiment) of a semiconductor manufacturing system to which the present invention is applied.
【図２】 図１に示した半導体製造システムの動作を説
明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating the operation of the semiconductor manufacturing system shown in FIG.
【図３】 図４に示した半導体製造システムの動作を説
明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating the operation of the semiconductor manufacturing system shown in FIG.
【図４】 本発明を適用してなる半導体製造システムの
システム構成図（実施の形態２）である。FIG. 4 is a system configuration diagram (Embodiment 2) of a semiconductor manufacturing system to which the present invention is applied.
【図５】 本発明を適用してなる半導体製造システムの
システム構成図（実施の形態３）である。FIG. 5 is a system configuration diagram (Embodiment 3) of a semiconductor manufacturing system to which the present invention is applied.
【符号の説明】 １…レシピ指示システム、２…工場ホストコンピュー
タ、３…ＣＭＰ装置、４…ウェハ装置、５…膜厚測定装
置、６，３１…測定装置、１１…製造装置用制御装置、
１２…測定装置用制御装置、１３…記憶装置、１３１…
プロセスレシピテーブル、１３２…測定レシピテーブ
ル、１３３…測定データテーブル、１３４…レシピ修正
テーブル、１３５…変動パラメータテーブル、１３６…
判定基準テーブル、１３７…履歴テーブル。[Description of Signs] 1 ... Recipe instruction system, 2 ... Factory host computer, 3 ... CMP apparatus, 4 ... Wafer apparatus, 5 ... Film thickness measuring apparatus, 6, 31 ... Measuring apparatus, 11 ... Manufacturing apparatus control apparatus,
12: control device for measuring device, 13: storage device, 131 ...
Process recipe table, 132 ... measurement recipe table, 133 ... measurement data table, 134 ... recipe correction table, 135 ... variation parameter table, 136 ...
Determination criterion table, 137: history table.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B24B 41/00 - 51/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 B24B 41/00-51/00
Claims (4)
磨レートをモニタし、このモニタした研磨レートおよび
研磨必要量から研磨時間を算出し、この算出した研磨時
間に応じたプロセスレシピ情報をプロセスレシピ選択テ
ーブルからレシピ変動部分として選択し、この選択した
レシピ変動部分を予め決定されているレシピ固定部分に
加えることによって前記半導体製造装置へのレシピ情報
を修正するようにしたことを特徴とする半導体製造装置
のレシピ修正方法。A polishing rate of a semiconductor manufacturing apparatus for performing chemical mechanical polishing is monitored, a polishing time is calculated from the monitored polishing rate and a required polishing amount, and process recipe information corresponding to the calculated polishing time is processed by a process recipe. selected as a recipe change portion from the selected table, the semiconductor manufacturing which is characterized in that so as to modify the recipe information to the semiconductor manufacturing device by adding to the recipe a fixed portion which is previously determined the selected recipe variable component Device recipe correction method.
磨前膜厚測定データと研磨後膜厚測定データとの差とか
ら算出するようにしたことを特徴とする半導体製造装置
のレシピ修正方法。2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the polishing rate is calculated from a difference between the thickness measurement data before polishing and the thickness measurement data after polishing. How to modify the recipe.
記半導体製造装置に接続した化学機械研磨プロセスをモ
ニタする測定装置からの測定データから算出するように
したことを特徴とする半導体製造装置のレシピ修正方
法。3. The method of claim 1, prior to the polishing rate
Recipe correction method of a semiconductor manufacturing apparatus is characterized in that to calculate from the measured data from the measuring device for monitoring a chemical mechanical polishing process which is connected to the serial semiconductor manufacturing device.
記半導体製造装置の内部に設けた化学機械研磨プロセス
をモニタする測定装置からの測定データから算出するよ
うにしたことを特徴とする半導体製造装置のレシピ修正
方法。4. The method of claim 1, prior to the polishing rate
Serial recipe correction method of a semiconductor manufacturing apparatus is characterized in that to calculate the chemical mechanical polishing process provided inside the measurement data from the measuring device for monitoring of the semiconductor manufacturing apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09353038A JP3077656B2 (en) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | Method of correcting recipe in semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09353038A JP3077656B2 (en) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | Method of correcting recipe in semiconductor manufacturing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186204A JPH11186204A (en) | 1999-07-09 |
| JP3077656B2 true JP3077656B2 (en) | 2000-08-14 |
Family
ID=18428157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3077656B2 (en) |
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