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JP3082782B2 - 電圧検知回路 - Google Patents
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JP3082782B2 - 電圧検知回路 - Google Patents

電圧検知回路

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JP3082782B2
JP3082782B2 JP03082993A JP8299391A JP3082782B2 JP 3082782 B2 JP3082782 B2 JP 3082782B2 JP 03082993 A JP03082993 A JP 03082993A JP 8299391 A JP8299391 A JP 8299391A JP 3082782 B2 JP3082782 B2 JP 3082782B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、入力電圧が所定値以上
か否かを検知する電圧検知回路に係るものであって、特
に入力電圧が上昇する際と下降する際の検知レベルを異
ならせてヒステリシス特性を持たせた電圧検知回路に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】通常の電圧検知回路は、予め1個の検知
レベルを設定しておいて、入力する電圧がその検知レベ
ルよりも高いか低いかを検知するものであった。よっ
て、入力電圧が立上がる際と立下がる際は同一検知レベ
ルで検知される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電池を電源
として使用する機器では、消耗した電池の使用を避ける
ために、電池電圧があるレベル以上の電圧のときに始め
て動作を開始させることが望ましく、また使用中の消耗
により電池電圧が低下した場合には、その電圧が低いレ
ベルに達しても機器の動作を継続させることが望まし
い。
【0004】このような要望に応えるには、検知レベル
が1個の従来の電圧検知回路では不可能であり、電圧上
昇時と電圧下降時とで異なったレベルで電圧検知を行う
回路が望まれる。
【0005】本発明の目的は、電圧上昇時は高いレベル
で電圧を検知し、電圧下降時は低いレベルで電圧を検知
するようにして、上記したような要望を満足させること
ができるようにした電圧検知回路を提供することであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】このため本発明は、入力
端子と出力端子との間に直列接続された第1、第2のス
イッチング素子と、上記出力端子と接地との間に接続さ
れ上記出力端子の電圧が立上るとオフし接地に立下がる
とオンする第3のスイッチング素子と、上記入力端子に
印加する電圧が第1のレベルに達すると上記第1のスイ
ッチング素子をオンさせ、該第1のレベルを下回るとオ
フさせる第1コンパレータと、上記入力端子に印加する
電圧が上記第1のレベルにより高い第2のレベルに達し
たか否かを検知する第2コンパレータと、該第2コンパ
レータが上記第2のレベルに達すると上記第2のスイッ
チング素子をオンさせそれを保持するラッチ回路とから
構成したものである。
【0007】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
1はその一実施例の電圧検知回路の回路図である。1は
入力端子であり、ここでは電源電圧VDDが印加する。2
は検知電圧V1が設定された第1コンパレータ、3は検
知電圧V2(>V1)が設定された第2コンパレータ、
4は検知電圧V2よりも高い電圧になったときリセット
解除が行われるパワーオンクリア回路である。5はトラ
ンスファゲート51、インバータ52およびスイッチ付
インバータ53からなるラッチ回路であり、パワーオン
クリア回路4の出力レベルによって第2コンパレータ3
の出力を保持したりしなかったりする。6はそのパワー
オンクリア回路4の出力側に接続されるインバータであ
る。7、8は入力端子1に直列接続されたPMOSのF
ETであり、一方のFET7はインバータ9を介して第
1コンパレータ2の出力でオン/オフを制御され、他方
のFET8はラッチ回路5の出力でオン/オフを制御さ
れる。10はFET8と接地との間に接続されたNMO
SのFETである。11、12はインバータ、13は出
力端子である。
【0008】さて、この回路では、初期状態(入力端子
1の電源電圧VDD=0v)では、両コンパレータ2、3
の出力電圧Va、Vbは0vである。よってラッチ回路
5はロード状態となっている。以上から、FET7、8
はカットオフしており、出力端子13の電圧は0vであ
る。
【0009】次に、入力端子1の電源電圧VDDが上昇し
てくると、その電圧がV1に達した時点でまず第1コン
パレータ2の出力電圧Vaが電源電圧VDDに立上り、イ
ンバータ9の出力が0vとなり、FET7がオンする。
【0010】そして、電源電圧VDDが更に上昇してV2
に達すると第2コンパレータ3の出力電圧Vbが電源電
圧VDDに立上る。このとき、パワーオンクリア回路4の
出力は0vであるので、ラッチ回路5のトランスファゲ
ート51がオン、スイッチ付インバータ53がオフとな
りインバータ52の出力が0vとなって、FET8がオ
ンする。
【0011】この結果、両FET7、8のオンにより、
FET8とFET10の共通接続点(出力端子13と等
価)の電圧が電源電圧VDDに立上る。このため、FET
10がオフして、出力端子13に電源電圧VDDが現れ
る。
【0012】この後、パワーオンクリア回路4の出力電
圧が0vから電源電圧VDDに立上ると、ラッチ回路5の
トランスファゲート51がオフ、スイッチ付インバータ
53がオンとなって、そのスイッチ付インバータ53と
インバータ52の正帰還動作によりラッチ回路5がラッ
チ状態となり、第2コンパレータ3の出力電圧如何に拘
らず、FET8のオン状態が保持される。
【0013】一方、電源電圧VDDが下降する際には、そ
れがV2にまで低下した時点で第2コンパレータ3の出
力電圧Vbが0vに立下がるが、上記のようにチッチ回
路5の働きによりFET8はオン状態を保持する。
【0014】そして、電源電圧VDDが電圧V1にまで低
下すると、第1コンパレータ2の出力電圧Vaが0vに
立下がって、インバータ9の出力が電源電圧VDDに立上
り、FET7がオフする。この結果、出力端子13の電
圧が0vに立下がる。
【0015】以上のように、電源電圧VDDが立上がる際
には、検知レベルの高い第2コンパレータ3の出力が立
ち上がった時点で出力端子13に電源電圧VDDが現れ、
下降する際には検知レベルの低い第1コンパレータ2の
出力電圧が立下がった時点で出力端子13の電圧が0v
となるような、ヒステリシス動作となる。以上の動作の
タイミングチャートを図2に示した。なお、インバータ
11、12は波形整形のためであり、必ずしも必要な
い。
【0016】図3は別の実施例の電圧検知回路の回路図
である。ここでは、出力端子13にレギュレータ14を
接続している。この結果、電源電圧VDDが電圧V2に上
昇した時点でレギュレータ14が動作を開始し、電圧V
1に低下した時点で停止するようになる。
【0017】
【発明の効果】以上から本発明によれば、入力電圧の立
上り時の検知レベルよりも立下がり時の検知レベルが低
くなるようなヒステリシス特性を持たせることができ
る。このため、入力電圧を電池電圧とした場合に、電池
電圧が上記した立上りの検知レベルまで高くなければそ
の電圧を検知しないので、消耗した電池の使用を防止す
ることができ不測の事態を招くおそれがなくなる。ま
た、使用中に電池電圧が低下した場合には、低い電圧に
達するまでは検知しないので、妄りに回路が停止するこ
とが防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例の電圧検知回路の回路図で
ある。
【図2】 同電圧検知回路の動作のタイミングチャート
である。
【図3】 別の実施例の電圧検知回路の回路図である。
【符号の説明】
1:入力端子、2、第1コンパレータ、3:第2コンパ
レータ、4:パワーオンクリア回路、5:ラッチ回路、
51:トランスファーゲート、52:インバータ、5
3:スイッチ付インバータ、6:インバータ、7、8:
PMOSのFET、9:インバータ、10:NMOSの
FET、11、12:インバータ、13:出力端子、1
4:レギュレータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 19/00 - 19/32 H02J 1/00 - 1/16 H03K 5/00 - 5/26 H03K 17/00 - 17/98

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力端子と出力端子との間に直列接続
    された第1、第2のスイッチング素子と、上記出力端子
    と接地との間に接続され上記出力端子の電圧が立上ると
    オフし接地に立下がるとオンする第3のスイッチング素
    子と、上記入力端子に印加する電圧が第1のレベルに達
    すると上記第1のスイッチング素子をオンさせ、該第1
    のレベルを下回るとオフさせる第1コンパレータと、上
    記入力端子に印加する電圧が上記第1のレベルにより高
    い第2のレベルに達したか否かを検知する第2コンパレ
    ータと、該第2コンパレータが上記第2のレベルに達す
    ると上記第2のスイッチング素子をオンさせそれを保持
    するラッチ回路とからなることを特徴とする電圧検知回
    路。
  2. 【請求項2】 上記入力端子に印加する電圧が上記第
    2のレベルを越えると上記ラッチ回路のラッチ動作を行
    わせるパワーオンクリア回路を設けたことを特徴とする
    請求項1に記載の電圧検知回路。
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