JP3084482B2 - 磁気光学素子 - Google Patents
磁気光学素子Info
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- JP3084482B2 JP3084482B2 JP02338523A JP33852390A JP3084482B2 JP 3084482 B2 JP3084482 B2 JP 3084482B2 JP 02338523 A JP02338523 A JP 02338523A JP 33852390 A JP33852390 A JP 33852390A JP 3084482 B2 JP3084482 B2 JP 3084482B2
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- optical element
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光アイソレータ，磁界センサ等のファラデー
回転子に用いられる磁気光学素子に関する。
回転子に用いられる磁気光学素子に関する。
［従来の技術］ 従来，半磁性半導体Cd1-xMnxTe（０＜ｘ≦0.7）結晶
をブリッジマン法で作製した場合，双晶欠陥が発生する
ことが知られている。双晶欠陥を持つ結晶をファラデー
回転子として用いた場合，実用上充分な光透過率が得ら
れないという問題がある。双晶欠陥の発生はこの物質の
相変態に帰因するとされ，高温相である六方晶から低温
相の立方晶に相転移する際に，双晶になると説明されて
いる。
をブリッジマン法で作製した場合，双晶欠陥が発生する
ことが知られている。双晶欠陥を持つ結晶をファラデー
回転子として用いた場合，実用上充分な光透過率が得ら
れないという問題がある。双晶欠陥の発生はこの物質の
相変態に帰因するとされ，高温相である六方晶から低温
相の立方晶に相転移する際に，双晶になると説明されて
いる。
従って，双晶欠陥をさけるために従来は溶解帯移動法
（THM法:Travelling Heater Method）を用いて相変態温
度以下での結晶成長を行っていた。
（THM法:Travelling Heater Method）を用いて相変態温
度以下での結晶成長を行っていた。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら,THM法で作製した結晶は実用上充分な光
学特性が得られるが，ブリッジマン法に比べ成長速度が
1/10以下となるため，生産性に劣りコスト高になるとい
う欠点があった。
学特性が得られるが，ブリッジマン法に比べ成長速度が
1/10以下となるため，生産性に劣りコスト高になるとい
う欠点があった。
そこで，本発明の技術的課題は，生産性に優れたブリ
ッジマン法により作製したCd1-xMnxTe結晶でも実用上充
分な光透過率を確保し，低挿入損失のファラデー回転子
素子を提供することを目的とする。
ッジマン法により作製したCd1-xMnxTe結晶でも実用上充
分な光透過率を確保し，低挿入損失のファラデー回転子
素子を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明によれば、レーザ光を透過させる磁気光学素子
において、ブリッジマン法で作製したカドミウム・マン
ガン・テルルCd1-xMnxTe（０＜ｘ≦0.7）単結晶と、該
単結晶のミラー指数が｛111｝の結晶面に前記レーザ光
を入射させる入射手段とを有することを特徴とする磁気
光学素子が得られる。
において、ブリッジマン法で作製したカドミウム・マン
ガン・テルルCd1-xMnxTe（０＜ｘ≦0.7）単結晶と、該
単結晶のミラー指数が｛111｝の結晶面に前記レーザ光
を入射させる入射手段とを有することを特徴とする磁気
光学素子が得られる。
［作用］ 本発明は光アイソレータ磁界センサ等に用いられる磁
気光学素子として，ブリッジマン法により育成したCd
1-xMnxTe（０＜ｘ≦0.7）単結晶のミラー指数が｛111｝
の結晶面に垂直に入射手段によりレーザ光を入射させる
ようにしたもので，｛111｝面を用いることで双晶欠陥
があるにもかかわらず，光透過率が減少しない。
気光学素子として，ブリッジマン法により育成したCd
1-xMnxTe（０＜ｘ≦0.7）単結晶のミラー指数が｛111｝
の結晶面に垂直に入射手段によりレーザ光を入射させる
ようにしたもので，｛111｝面を用いることで双晶欠陥
があるにもかかわらず，光透過率が減少しない。
すなわち，従来，この結晶のベルデ定数は結晶面の方
位に依存しないことから，任意の面でファラデー回転子
を構成していた。一方，この結晶に発生する双晶欠陥は
｛111｝方向に垂直に積み重なった規則的な構造を有し
ている。
位に依存しないことから，任意の面でファラデー回転子
を構成していた。一方，この結晶に発生する双晶欠陥は
｛111｝方向に垂直に積み重なった規則的な構造を有し
ている。
入射手段により，｛111｝面以外で光を面に垂直入射
させた場合，光は双晶境界で回折され，透過光は広がっ
たビームになるため，受光面には透過光の一部しか到達
しないことで，これが光透過率の減少の原因となる。
させた場合，光は双晶境界で回折され，透過光は広がっ
たビームになるため，受光面には透過光の一部しか到達
しないことで，これが光透過率の減少の原因となる。
そこで，入射手段により，｛111｝面に垂直入射させ
た場合，光は双晶境界に当たることがないため，回折は
起こらず，ビーム径の変化がないので，光透過率は双晶
のない結晶と同じになる。
た場合，光は双晶境界に当たることがないため，回折は
起こらず，ビーム径の変化がないので，光透過率は双晶
のない結晶と同じになる。
［実施例］ 以下に本発明を一実施例を用いて具体的に説明する。
ブリッジマン法により組成Cd1-xMnxTe（ｘ＝0.2,0.45）
の単結晶を育成した。これらの結晶は｛111｝方向に約1
0μｍ間隔で双晶面の重なった構造を有していた。双晶
面に平行な｛111｝面，及びそれに垂直な｛110｝面，ラ
ンダムに決めた面でそれぞれ切り出し光学研磨を行い試
料を作製した。試料の厚さは全て1.00mmとした。受光素
子の受光面積を5mm×5mmとし，入射手段から波長633nm,
850nmでビーム径1mmのレーザを用いて光透過率を測定し
た。
ブリッジマン法により組成Cd1-xMnxTe（ｘ＝0.2,0.45）
の単結晶を育成した。これらの結晶は｛111｝方向に約1
0μｍ間隔で双晶面の重なった構造を有していた。双晶
面に平行な｛111｝面，及びそれに垂直な｛110｝面，ラ
ンダムに決めた面でそれぞれ切り出し光学研磨を行い試
料を作製した。試料の厚さは全て1.00mmとした。受光素
子の受光面積を5mm×5mmとし，入射手段から波長633nm,
850nmでビーム径1mmのレーザを用いて光透過率を測定し
た。
比較のためにTHM法で育成した双晶欠陥のない同じ組
成，厚さを持つ試料でも同様に光透過率を測定した。測
定の結果を第３図，第４図及び第５図に示す。
成，厚さを持つ試料でも同様に光透過率を測定した。測
定の結果を第３図，第４図及び第５図に示す。
以上の測定結果，いずれの波長，組成においても｛11
1｝面にレーザ光を入射させた場合は試料と受光素子間
の距離を変えても光透過率は変化せず，光路長の大きな
デバイスに使用する場合に特に有利になる。透過率の大
きさはTHM法で育成したものと同じレベルになっていて
光アイソレータ，磁界センサ等に必要なレベルが得られ
た。
1｝面にレーザ光を入射させた場合は試料と受光素子間
の距離を変えても光透過率は変化せず，光路長の大きな
デバイスに使用する場合に特に有利になる。透過率の大
きさはTHM法で育成したものと同じレベルになっていて
光アイソレータ，磁界センサ等に必要なレベルが得られ
た。
［発明の効果］ 以上述べたごとく本発明によれば，低挿入損失を有す
る磁気光学素子を低コストで提供することが可能とな
る。
る磁気光学素子を低コストで提供することが可能とな
る。
第１図及び第２図は，発明の作用を説明するための概念
図であり，第２図は｛111｝面以外に光を入射させた場
合，第１図は｛111｝面の場合を示す。 第３図，第４図及び第５図は試料の実測光透過率を反射
率を考慮して補正した値で示したものである。単位は％
（パーセント）。第３図は組成Cd0.8Mn0.2Teの結晶を波
長850nmで測定したものである。第４図は組成Cd0.55Mn
0.45Teの結晶を波長633nmで測定したものである。第５
図は組成Cd0.55Mn0.45Teの結晶を波長850nmで測定した
ものである。
図であり，第２図は｛111｝面以外に光を入射させた場
合，第１図は｛111｝面の場合を示す。 第３図，第４図及び第５図は試料の実測光透過率を反射
率を考慮して補正した値で示したものである。単位は％
（パーセント）。第３図は組成Cd0.8Mn0.2Teの結晶を波
長850nmで測定したものである。第４図は組成Cd0.55Mn
0.45Teの結晶を波長633nmで測定したものである。第５
図は組成Cd0.55Mn0.45Teの結晶を波長850nmで測定した
ものである。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/09 501 G02B 27/28 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】レーザ光を透過させる磁気光学素子におい
て、ブリッジマン法で作製したカドミウム・マンガン・
テルルCd1-xMnxTe（０＜ｘ≦0.7）単結晶と、該単結晶
のミラー指数が｛111｝の結晶面に前記レーザ光を入射
させる入射手段とを有することを特徴とする磁気光学素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02338523A JP3084482B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 磁気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02338523A JP3084482B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 磁気光学素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204816A JPH04204816A (ja) | 1992-07-27 |
| JP3084482B2 true JP3084482B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=18318965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02338523A Expired - Fee Related JP3084482B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 磁気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3084482B2 (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP02338523A patent/JP3084482B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| 平成２年電気学会全国大会講演論文集 １０−１１４ |
| 日本応用磁気学会誌 Ｖｏｌ．１２，Ｎｏ．２，１９８８ ｐ．１８７−１９２ |
| 東北大学科学計測研究所報告 第３６巻 第１号 ｐ．２９−３８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04204816A (ja) | 1992-07-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |