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JP3088560B2 - Ion plating equipment - Google Patents
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JP3088560B2 - Ion plating equipment - Google Patents

Ion plating equipment

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JP3088560B2
JP3088560B2 JP04164988A JP16498892A JP3088560B2 JP 3088560 B2 JP3088560 B2 JP 3088560B2 JP 04164988 A JP04164988 A JP 04164988A JP 16498892 A JP16498892 A JP 16498892A JP 3088560 B2 JP3088560 B2 JP 3088560B2
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electron gun
shield
deposition material
vapor deposition
ion plating
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二郎 高木
達彦 清水
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Toyota Motor Corp
Soken Inc
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Nippon Soken Inc
Toyota Motor Corp
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、真空室内に設けられた
被蒸着基板に対向する蒸着材源と、蒸着材源の蒸着材を
加熱蒸発する電子銃と、蒸発した蒸着材蒸気をイオン化
する高周波コイルとを備えたイオンプレーティング装置
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vapor deposition material source opposed to a substrate to be deposited provided in a vacuum chamber, an electron gun for heating and vaporizing the vapor deposition material of the vapor deposition material source, and ionizing the vaporized vapor deposition material vapor. The present invention relates to an ion plating device including a high-frequency coil.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種のイオンプレーティング装置が特
開昭57−94339号公報に開示されている。るつぼ
内の蒸着材が電子銃により加熱蒸発される。被蒸着基板
とるつぼとの間の高周波コイルが高周波電源からの供給
電力により高周波電圧を発生し、るつぼから蒸発した蒸
着材は高周波コイルの高周波電圧により生成されたプラ
ズマ中を通過してイオン化され、被蒸着基板に薄膜とし
て堆積する。
2. Description of the Related Art An ion plating apparatus of this kind is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-94339. The deposition material in the crucible is heated and evaporated by the electron gun. The high-frequency coil between the substrate to be deposited and the crucible generates a high-frequency voltage by the power supplied from the high-frequency power supply, and the vaporized material evaporated from the crucible passes through the plasma generated by the high-frequency voltage of the high-frequency coil and is ionized. It is deposited as a thin film on the substrate to be deposited.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところが、電子銃はる
つぼの傍らにあり、しかも高周波コイルの近くにある。
そのため、プラズマが電子銃の開口部付近でも生成し、
プラズマ中で発生したプラスイオンが電子銃に侵入す
る。電子銃に侵入したプラスイオンは電子銃フィラメン
トを衝撃し、この衝撃により電子銃フィラメントが短時
間で切れてしまう。
However, the electron gun is located beside the crucible and near the high-frequency coil.
Therefore, plasma is also generated near the opening of the electron gun,
Positive ions generated in the plasma enter the electron gun. Positive ions that have entered the electron gun impact the electron gun filament, and the impact causes the electron gun filament to break in a short time.

【0004】本発明は電子銃の寿命を長くし得るイオン
プレーティング装置を提供することを目的とする。
[0004] It is an object of the present invention to provide an ion plating apparatus capable of extending the life of an electron gun.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】そのために請求項1の発
明は、真空室内に設けられた被蒸着基板に対向する蒸着
材源と、蒸着材源の蒸着材を加熱蒸発する電子銃と、蒸
発した蒸着材蒸気をイオン化する高周波コイルとを備え
たイオンプレーティング装置において、前記高周波コイ
ルと電子銃との間であって該電子銃から前記蒸着材源に
到る電子線経路の上方に導電性金属製の遮蔽体を形成
し、該遮蔽体の底は前記電子銃から射出される電子線経
路と干渉しない位置に設定するとともに、該遮蔽体
ース接続することをその要旨とする請求項2の発明
は、請求項1に記載のイオンプレーティング装置におい
て、前記遮蔽体は、前記電子銃の開口部上方を覆うよう
に設けることをその要旨とする。
Means for Solving the Problems The origination of claim 1 for the
Akira is a vapor deposition device that faces a substrate to be deposited in a vacuum chamber.
A material source, an electron gun for heating and evaporating the evaporation material of the evaporation material source,
And a high-frequency coil for ionizing the generated vapor of the deposited material.
In the ion plating apparatus, between the high-frequency coil and the electron gun, from the electron gun to the vapor deposition material source
Forming a conductive metal shield above the electron beam path
The bottom of the shield is provided with an electron beam emitted from the electron gun.
The gist is that the shield is set at a position that does not interfere with the road, and that the shield is grounded. The invention of claim 2
Is an ion plating apparatus according to claim 1.
The shield covers the upper part of the opening of the electron gun.
The main point is to provide the

【0006】[0006]

【作用】高周波コイルにより発振された高周波は零電位
の遮蔽体によりシールドされ、高周波が電子銃の開口部
付近で発生することはない。従って、プラスイオンが電
子銃の開口部付近で発生することはなく、プラズマ中で
発生したプラスイオンも電磁銃の開口部への侵入を遮蔽
体により阻止される。そのため、電子銃フィラメントが
プラスイオンにより衝撃される割合が大幅に低減する。
The high-frequency wave oscillated by the high-frequency coil is shielded by a shield of zero potential, so that the high-frequency wave is not generated near the opening of the electron gun. Therefore, the positive ions are not generated near the opening of the electron gun, and the positive ions generated in the plasma are prevented from entering the opening of the electromagnetic gun by the shield. Therefore, the rate at which the electron gun filament is bombarded by positive ions is greatly reduced.

【0007】[0007]

【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図1に
基づいて説明する。1は真空容器であり、真空容器1内
のガスは排気口1aから排気される。真空容器1内の下
面にはるつぼ2があり、るつぼ2内にはITOあるいは
SiOといった蒸着材3が収容されている。るつぼ2の
傍らには電子銃4があり、電子銃フィラメント4aから
射出される電子が開口部4bからるつぼ2に向かい、る
つぼ2内の蒸着材3を加熱蒸発する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. Reference numeral 1 denotes a vacuum vessel, and gas in the vacuum vessel 1 is exhausted from an exhaust port 1a. A crucible 2 is provided on a lower surface in the vacuum vessel 1, and a vapor deposition material 3 such as ITO or SiO is accommodated in the crucible 2. An electron gun 4 is provided beside the crucible 2, and electrons emitted from an electron gun filament 4 a travel from the opening 4 b toward the crucible 2 and heat and evaporate the vapor deposition material 3 in the crucible 2.

【0008】真空容器1内の上部には被蒸着基板5が取
り付けられており、被蒸着基板5とるつぼ2との間には
高周波コイル6が配置されている。高周波コイル6はマ
ッチングボックス7を介して高周波電源8に接続されて
いる。高周波コイル6は高周波電源8からの供給電力に
より高周波発振する。
A substrate 5 to be vapor-deposited is mounted on an upper portion in the vacuum vessel 1, and a high-frequency coil 6 is arranged between the substrate 5 to be vapor-deposited and the crucible 2. The high frequency coil 6 is connected to a high frequency power supply 8 via a matching box 7. The high frequency coil 6 oscillates at a high frequency by the power supplied from the high frequency power supply 8.

【0009】高周波コイル6の周囲には有底の遮蔽体9
が配置されている。遮蔽体9は導電性金属からなり、ア
ース接続されている。遮蔽体9は高周波コイル6の周囲
を環状に包囲し、被蒸着基板5と高周波コイル6との間
は開放している。遮蔽体9の底には通過口9aが設けら
れており、るつぼ2内の蒸着材3と被蒸着基板5とが通
過口9aを介して対向している。遮蔽体9の底は電子銃
4から射出される電子線経路と干渉しない位置に設定さ
れている。
A shield 9 having a bottom is provided around the high-frequency coil 6.
Is arranged. The shield 9 is made of a conductive metal and is grounded. The shield 9 surrounds the high-frequency coil 6 in a ring shape, and opens between the substrate 5 and the high-frequency coil 6. A passage 9a is provided at the bottom of the shield 9, and the vapor deposition material 3 in the crucible 2 and the substrate 5 to be vapor-deposited face each other via the passage 9a. The bottom of the shield 9 is set at a position that does not interfere with the path of the electron beam emitted from the electron gun 4.

【0010】電子銃フィラメント4aから射出された電
子により加熱蒸発された蒸着材は遮蔽体9の通過口9a
を通って遮蔽体9の内側に入る。高周波コイル6の高周
波発振により高周波コイル6の周囲にはプラズマが生成
する。遮蔽体9の内側へ入り込んだ蒸着材は高周波コイ
ル6の高周波発振により生成されたプラズマ中を通過し
てイオン化され、被蒸着基板5に薄膜として堆積する。
The evaporation material heated and evaporated by the electrons ejected from the electron gun filament 4a passes through the passage 9a of the shield 9.
Through the shield 9. Plasma is generated around the high frequency coil 6 by the high frequency oscillation of the high frequency coil 6. The deposition material that has entered the inside of the shield 9 passes through the plasma generated by the high-frequency oscillation of the high-frequency coil 6 and is ionized, and is deposited as a thin film on the substrate 5 to be deposited.

【0011】るつぼ2から蒸発した蒸着材の一部は電子
銃4の開口部4b付近に漂うこともある。遮蔽体9はア
ース接続されているため、電磁遮蔽機能を持つ。そのた
め、高周波コイル6により発振された高周波(電磁波)
は遮蔽体9により遮蔽され、高周波が電子銃4の開口部
4b付近で発生することはない。従って、電子銃4の開
口部4bに漂う蒸着材がイオン化されることはない。
又、遮蔽体9の内側でイオン化された蒸着材のプラスイ
オンも遮蔽体9により電子銃4の開口部4bへの侵入を
阻止される。そのため、電子銃フィラメント4aが蒸着
材のプラスイオンにより衝撃されることはなく、電子銃
フィラメント4aの寿命が従来よりも長くなる。
A part of the evaporation material evaporated from the crucible 2 may drift near the opening 4b of the electron gun 4. Since the shield 9 is grounded, it has an electromagnetic shielding function. Therefore, the high frequency (electromagnetic wave) oscillated by the high frequency coil 6
Is shielded by the shield 9, and no high frequency is generated near the opening 4b of the electron gun 4. Therefore, the vapor deposition material floating in the opening 4b of the electron gun 4 is not ionized.
Further, the positive ions of the deposition material ionized inside the shield 9 are also prevented from entering the opening 4b of the electron gun 4 by the shield 9. Therefore, the electron gun filament 4a is not bombarded by the positive ions of the vapor deposition material, and the life of the electron gun filament 4a becomes longer than before.

【0012】遮蔽体9が存在する場合と存在しない場合
とにおける電子銃フィラメント4aの寿命を比較した実
験では、遮蔽体9が存在しない場合の電子銃フィラメン
ト4aの寿命は2時間、遮蔽体9が存在する場合の寿命
は20時間という結果を得ている。
In an experiment comparing the life of the electron gun filament 4a when the shield 9 is present and when it is not present, the life of the electron gun filament 4a when the shield 9 is not present is 2 hours, and when the shield 9 is not present. The life when present is 20 hours.

【0013】本発明は勿論前記実施例にのみ限定される
ものではなく、例えば図2に示すように導電性金属から
なく遮蔽体10により電子銃4の開口部4bをカバーす
るようにした実施例も可能である。遮蔽体10は高周波
コイル6により発振される高周波が開口部4b付近に生
じないように、かつ電子銃4の電子線経路と干渉しない
ように配置設定されている。このようなカバー構成によ
っても電子銃フィラメントに対するプラスイオンの衝撃
が抑制される。
The present invention is, of course, not limited to the above embodiment. For example, as shown in FIG. 2, an embodiment in which the opening 4b of the electron gun 4 is covered with a shield 10 without using a conductive metal. Is also possible. The shield 10 is arranged so that the high frequency oscillated by the high frequency coil 6 is not generated near the opening 4 b and does not interfere with the electron beam path of the electron gun 4. Even with such a cover configuration, the impact of positive ions on the electron gun filament is suppressed.

【0014】[0014]

【発明の効果】以上詳述したように各請求項に記載の
明は、蒸着材のプラスイオンが電子銃に侵入しないよう
に、高周波コイルと電子銃との間であって該電子銃から
蒸着材源に到る電子線経路の上方に導電性金属製の遮蔽
体を形成し、該遮蔽体の底は電子銃から射出される電子
線経路と干渉しない位置に設定することにより、電子銃
フィラメントがプラスイオンの衝撃を受ける割合が大幅
に減り、電子銃フィラメントの寿命を長くし得るという
優れた効果を奏する。
As described in detail above, the invention described in each claim is provided between the high-frequency coil and the electron gun so that positive ions of the vapor deposition material do not enter the electron gun. From the electron gun
Conductive metal shield above the electron beam path to the deposition material source
Form the body, the bottom of the shield is the electron emitted from the electron gun
By setting the position so as not to interfere with the line path, the rate at which the electron gun filament receives the impact of positive ions is greatly reduced, and an excellent effect is obtained in that the life of the electron gun filament can be prolonged.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明を具体化した一実施例を示す正断面図
である。
FIG. 1 is a front sectional view showing one embodiment of the present invention.

【図2】 別例を示す正断面図である。FIG. 2 is a front sectional view showing another example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4…電子銃、4a…電子銃フィラメント、6…高周波コ
イル、9,10…遮蔽体。
4 ... Electron gun, 4a ... Electron gun filament, 6 ... High frequency coil, 9,10 ... Shield.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 達彦 愛知県豊田市トヨタ町1番地 トヨタ自 動車 株式会社 内 (56)参考文献 特公 昭57−60896(JP,B2) 実公 昭56−8921(JP,Y2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 14/00 - 14/56 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Tatsuhiko Shimizu 1 Toyota Town, Toyota City, Aichi Prefecture Inside Toyota Motor Corporation (56) References: Japanese Patent Publication No. 57-60896 (JP, B2) (JP, Y2) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) C23C 14/00-14/56

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 真空室内に設けられた被蒸着基板に対向
する蒸着材源と、蒸着材源の蒸着材を加熱蒸発する電子
銃と、蒸発した蒸着材蒸気をイオン化する高周波コイル
とを備えたイオンプレーティング装置において、 前記高周波コイルと電子銃との間であって該電子銃から
前記蒸着材源に到る電子線経路の上方に導電性金属製の
遮蔽体を形成し、該遮蔽体の底は前記電子銃から射出さ
れる電子線経路と干渉しない位置に設定するとともに、
遮蔽体アース接続することを特徴とするイオンプレ
ーティング装置。
1. A vapor deposition material source facing a substrate to be deposited provided in a vacuum chamber, an electron gun for heating and vaporizing the vapor deposition material of the vapor deposition material source, and a high-frequency coil for ionizing the vaporized vapor deposition material vapor. In the ion plating apparatus, between the high-frequency coil and the electron gun and from the electron gun
A conductive metal shield is formed above the electron beam path to the vapor deposition material source , and the bottom of the shield is ejected from the electron gun.
To a position that does not interfere with the electron beam path
Ion plating apparatus characterized in that said shield is grounded.
【請求項2】 前記遮蔽体は、前記電子銃の開口部上方2. The shielding body is located above an opening of the electron gun.
を覆うように設ける請求項1に記載のイオンプレーティ2. The ion plating according to claim 1, wherein the ion plating is provided so as to cover the surface.
ング装置。Device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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