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JP3090293B2 - Optical circuit and manufacturing method thereof - Google Patents
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JP3090293B2 - Optical circuit and manufacturing method thereof - Google Patents

Optical circuit and manufacturing method thereof

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JP3090293B2
JP3090293B2 JP20788292A JP20788292A JP3090293B2 JP 3090293 B2 JP3090293 B2 JP 3090293B2 JP 20788292 A JP20788292 A JP 20788292A JP 20788292 A JP20788292 A JP 20788292A JP 3090293 B2 JP3090293 B2 JP 3090293B2
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core portion
optical waveguide
waveguide
core
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善典 日比野
保治 大森
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板上に光導波路を配
置した光回路及びその製造方法に関するものであり、詳
しくは、光導波路の複屈折性を調整することにより所望
の偏波依存性、あるいは偏波無依存性を持つ様に構成し
た光回路及びその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical circuit having an optical waveguide disposed on a substrate and a method of manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to an optical circuit having a desired polarization dependence by adjusting the birefringence of the optical waveguide. Or an optical circuit configured to have polarization independence and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】石英系ガラス基板やシリコン基板上に形
成可能な石英系ガラス導波路は、損失が低い、安定性が
高い、加工性がよい、石英系ファイバとの整合性がよい
などの特徴があり、光合分波回路などの実用的な導波型
光部品を構成する上で非常に有用であるため、研究開発
が進められている。
2. Description of the Related Art A silica-based glass waveguide that can be formed on a silica-based glass substrate or a silicon substrate has features such as low loss, high stability, good workability, and good matching with a silica-based fiber. Since it is very useful in forming practical waveguide type optical components such as an optical multiplexing / demultiplexing circuit, research and development are being advanced.

【0003】最近では、その特性を生かしてより高機能
高集積化した平面型光回路の製造が進められている。そ
の中で、光の位相を利用した光回路は、電子回路では実
現できにくい回路を可能にするため、重要性が高い。
[0003] In recent years, the production of highly functional and highly integrated planar optical circuits utilizing their characteristics has been promoted. Among them, an optical circuit using a phase of light is important because it enables a circuit that cannot be realized by an electronic circuit.

【0004】石英系光導波路では、シリコン基板上にア
ンダークラッド層堆積→コア層堆積→コアエッチング→
オーバークラッド堆積の製造プロセスによりコア・クラ
ッド構造が構成されるが、光の位相を利用した高機能高
集積化光回路では、光の位相は導波路の屈折率と伝搬長
に依存するので、製造上の微小な屈折率や導波路形状の
変動、及び導波路に加わる応力が素子特性に大きく影響
する。従って、高集積光回路において生産性を向上させ
るためには、製造上の微小な変動等を修正する必要があ
り、局所的に屈折率及び複屈折を制御した光回路が望ま
れてきた。
In a quartz optical waveguide, undercladding layer deposition → core layer deposition → core etching →
The core-cladding structure is formed by the manufacturing process of over-cladding deposition. However, in a highly functional and highly integrated optical circuit using the phase of light, the phase of light depends on the refractive index and propagation length of the waveguide. Above minute refractive index and fluctuation of the waveguide shape, and stress applied to the waveguide greatly affect the element characteristics. Therefore, in order to improve the productivity of a highly integrated optical circuit, it is necessary to correct minute fluctuations in manufacturing and the like, and an optical circuit in which the refractive index and the birefringence are locally controlled has been desired.

【0005】このような平面型光回路を構成する重要な
要素部品である、MZ(Mach-Zehnder)干渉計を一例
として挙げる。MZ干渉計は、2つの方向性結合器とそ
の方向性結合器を結ぶ2本の導波路からなるものであ
り、光スイッチや光分波器を構成する上で欠かすことの
できない部品である。
An MZ (Mach-Zehnder) interferometer, which is an important element constituting such a planar optical circuit, will be described as an example. The MZ interferometer is composed of two directional couplers and two waveguides connecting the directional couplers, and is an indispensable component in configuring an optical switch or an optical demultiplexer.

【0006】しかし、MZ干渉計では、石英系光導波路
に限らず、わずかな屈折率や導波路形状の変動及び導波
路に加わる応力が素子特性に大きく影響する。
However, in the MZ interferometer, not only the silica-based optical waveguide but also a slight change in the refractive index, the shape of the waveguide, and the stress applied to the waveguide greatly affect the element characteristics.

【0007】いま、このMZ干渉計が光路長差L1を持
つとき、このMZ干渉計の出力強度は、入射光の周波数
f(又は波長λ)に関して
When the MZ interferometer has an optical path length difference L1, the output intensity of the MZ interferometer is related to the frequency f (or wavelength λ) of the incident light.

【0008】[0008]

【数1】 (Equation 1)

【0009】を周期とする特性を有することが知られて
おり、この出力光強度の周期特性を利用して、光スイッ
チ、光周波数合分波器等として動作する光デバイスが実
現されている。
It is known that the optical device has a characteristic of having a period as an optical device, and an optical device operating as an optical switch, an optical frequency multiplexer / demultiplexer, or the like is realized by utilizing the periodic characteristic of the output light intensity.

【0010】しかし、導波路が有する複屈折は、光干渉
計の周期特性の位相に偏光方向によるずれをもたらし、
入射光の偏光方向を基板に水平(TE偏光)もしくは垂
直(TM偏光)のいずれか一方に予め調整しておかない
と、光スイッチ、光周波数合分波器としての動作特性に
著しい劣化を生じさせることになる。
However, the birefringence of the waveguide causes a shift in the phase of the periodic characteristic of the optical interferometer due to the polarization direction.
Unless the polarization direction of the incident light is adjusted in advance to either the horizontal (TE polarized) or the vertical (TM polarized) with respect to the substrate, the operating characteristics as an optical switch or an optical frequency multiplexer / demultiplexer will be significantly deteriorated. Will be.

【0011】従って、MZ干渉計を用いた光回路におい
て、生産性を向上させるためには、作製上の微小な変動
を修正する必要性があり、効果的な調節法が望まれてい
た。
Therefore, in an optical circuit using an MZ interferometer, it is necessary to correct a minute fluctuation in manufacturing in order to improve productivity, and an effective adjustment method has been desired.

【0012】現在は、複屈折を局所的に微調整する方法
として、非晶質シリコン等の応力付与膜を適当な形状に
加工し、導波路の近傍につけ、複屈折を調整するかもし
くは、導波路近傍に、溝を彫り複屈折を調整することが
行われている。
At present, as a method of locally finely adjusting the birefringence, a stress-imparting film such as amorphous silicon is processed into an appropriate shape and is placed near the waveguide to adjust the birefringence or to adjust the birefringence. In the vicinity of the wave path, a groove is carved to adjust the birefringence.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法は、導波路作製の工程数が増し、且つ煩雑である
という問題があった。
However, these methods have a problem that the number of steps for fabricating the waveguide increases and the method is complicated.

【0014】本発明は、前記問題点を解決するためにな
されたものであり、本発明の目的は、屈折率及び複屈折
を効果的かつ局所的に調節し、生産性を向上させた光回
路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an optical circuit in which the refractive index and birefringence are effectively and locally adjusted to improve the productivity. Is to provide.

【0015】本発明の他の目的は、偏波制御機能を有す
る光回路を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide an optical circuit having a polarization control function.

【0016】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。 即ち、本発明は、平面基板上に設け
られる光導波路を有し、前記光導波路は、コア部と、前
記コア部の周りに設けられ、前記コア部よりも屈折率の
低いクラッド部とから構成される光回路であって、前記
光導波路は、GeO 2 、TiO 2 、あるいは、Ce 2 3
添加された、石英系ガラスを素材として作成されている
ことを特徴とする。 また、本発明は、平面基板上に設け
られる光導波路を2本有するマッハツェンダ干渉計を具
備し、前記光導波路は、コア部と、前記コア部の周りに
設けられ、前記コア部よりも屈折率の低いクラッド部と
から構成される光回路であって、 前記少なくとも片方の
光導波路は、GeO 2 、TiO 2 、あるいは、Ce 2 3
添加された、石英系ガラスを素材として作成されている
ことを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is disclosed in the present application.
A brief description of typical inventions will be given below.
It is as follows. That is, the present invention is provided on a flat substrate.
An optical waveguide, wherein the optical waveguide has a core portion and a front portion.
It is provided around the core portion and has a refractive index higher than that of the core portion.
An optical circuit comprising a low cladding part,
Optical waveguide, GeO 2, TiO 2 or, is Ce 2 O 3
Made with added quartz glass
It is characterized by the following. In addition, the present invention provides a semiconductor device provided on a flat substrate.
Mach-Zehnder interferometer having two optical waveguides
The optical waveguide is provided around a core portion and the core portion.
And a clad part having a lower refractive index than the core part.
An optical circuit comprising:
Optical waveguide, GeO 2, TiO 2 or, is Ce 2 O 3
Made with added quartz glass
It is characterized by the following.

【0018】また、本発明は、平面基板上に設けられる
光導波路を有し、前記光導波路は、コア部と、前記コア
部の周りに設けられ、前記コア部よりも屈折率の低いク
ラッド部とから構成される光回路の製造方法であって、
前記平面基板上に、GeO 2 、TiO 2 、あるいは、Ce
2 3 を添加した石英系ガラスを素材として、前記光導波
路を作成する工程と、前記光導波路に、可視または紫外
光レーザ光を照射して、前記コア部の複屈折値を所定の
値に調節する工程とを有することを特徴とする。 また、
本発明は、平面基板上に設けられる光導波路を2本有す
るマッハツェンダ干渉計を具備し、前記光導波路は、コ
ア部と、前記コア部の周りに設けられ、前記コア部より
も屈折率の低いクラッド部とから構成される光回路の製
造方法であって、石英系ガラスを素材とし、かつ、前記
少なくとも片方の光導波路が、GeO 2 、TiO 2 、ある
いは、Ce 2 3 を含むように、前記平面基板上に前記2
本の光導波路を作成する工程と、前記少なくとも片方の
光導波路に、可視または紫外光レーザ光を照射して、前
記コア部の複屈折値を調節する工程とを有することを特
徴とする。
Further , the present invention is provided on a flat substrate.
An optical waveguide, wherein the optical waveguide includes a core portion and the core
Provided around the portion and having a lower refractive index than the core portion.
A method for manufacturing an optical circuit comprising a lad portion,
GeO 2 , TiO 2 , or Ce
The optical waveguide is made of quartz glass to which 2 O 3 is added.
Forming a path, and applying visible or ultraviolet light to the optical waveguide.
By irradiating light laser light, the birefringence value of the core portion is set to a predetermined value.
Adjusting to a value. Also,
The present invention has two optical waveguides provided on a flat substrate.
A Mach-Zehnder interferometer, wherein the optical waveguide is
A portion, provided around the core portion, from the core portion
Optical circuit composed of a low refractive index cladding
Manufacturing method, using a quartz-based glass as a material, and,
At least one of the optical waveguides, GeO 2, TiO 2, is
There is, to include Ce 2 O 3, wherein the planar substrate 2
Forming an optical waveguide of the book, the at least one of the
The optical waveguide is irradiated with visible or ultraviolet laser light,
Adjusting the birefringence value of the core portion.
Sign.

【0019】また、本発明は、平面基板上に設けられる
光導波路を2本有するマッハツェンダ干渉計を具備し、
前記光導波路は、コア部と、前記コア部の周りに設けら
れ、前記コア部よりも屈折率の低いクラッド部とから構
成される光回路の製造方法であって、石英系ガラスを素
材とし、かつ、前記少なくとも片方の光導波路が、紫外
線に敏感なドーパントを含むように、前記平面基板上に
前記2本の光導波路を作成する工程と、前記少なくとも
片方の光導波路に、可視または紫外光レーザ光を照射し
て、前記コア部の複屈折値を調節し、前記マッハツェン
ダ干渉計の偏波による位相を調整する工程とを有するこ
とを特徴とする。 また、本発明は、平面基板上に設けら
れる光導波路を2本有するマッハツェンダ干渉計を具備
し、前記光導波路は、コア部と、前記コア部の周りに設
けられ、前記コア部よりも屈折率の低いクラッド部とか
ら構成される光回路の製造方法であって、石英系ガラス
を素材とし、かつ、前記少なくとも片方の光導波路が、
紫外線に敏感なドーパントを含むように、前記平面基板
上に前記2本の光導波路を作成する工程と、前記少なく
とも片方の光導波路に、可視または紫外光レーザ光を照
射して、前記コア部の複屈折値を調節し、前記マッハツ
ェンダ干渉計の偏波依存性を解消する工程とを有する
とを特徴とする。
Further , the present invention is provided on a flat substrate.
Equipped with a Mach-Zehnder interferometer having two optical waveguides,
The optical waveguide is provided around a core portion and the core portion.
And a clad part having a lower refractive index than the core part.
A method for manufacturing an optical circuit to be formed, comprising:
And at least one of the optical waveguides is made of ultraviolet light.
On the planar substrate to include line sensitive dopants
Forming the two optical waveguides;
Irradiate one optical waveguide with visible or ultraviolet laser light.
Adjusting the birefringence value of the core,
Adjusting the phase due to the polarization of the interferometer.
And features. Further, the present invention provides a semiconductor device provided on a flat substrate.
Mach-Zehnder interferometer with two optical waveguides
The optical waveguide is provided around a core portion and the core portion.
Or a clad part having a lower refractive index than the core part.
A method for manufacturing an optical circuit comprising a quartz glass
And the at least one optical waveguide,
The planar substrate includes an ultraviolet-sensitive dopant.
Forming the two optical waveguides on top,
Irradiate visible or ultraviolet laser light to one of the optical waveguides.
To adjust the birefringence value of the core,
A step of eliminating polarization dependence of theender interferometer .

【0020】また、本発明は、平面基板上に設けられる
光導波路を2本有するマッハツェンダ干渉計を具備し、
前記光導波路は、コア部と、前記コア部の周りに設けら
れ、前記コア部よりも屈折率の低いクラッド部とから構
成される光回路の製造方法であって、石英系ガラスを素
材とし、かつ、前記少なくとも片方の光導波路が、紫外
線に敏感なドーパントを含むように、前記平面基板上に
前記2本の光導波路を作成する工程と、前記少なくとも
片方の光導波路に、可視または紫外光レーザ光を照射し
て、前記コア部の複屈折値を調節し、前記マッハツェン
ダ干渉計の偏波依存性を増加させる工程とを有すること
を特徴とする。
Further , the present invention is provided on a flat substrate.
Equipped with a Mach-Zehnder interferometer having two optical waveguides,
The optical waveguide is provided around a core portion and the core portion.
And a clad part having a lower refractive index than the core part.
A method for manufacturing an optical circuit to be formed, comprising:
And at least one of the optical waveguides is made of ultraviolet light.
On the planar substrate to include line sensitive dopants
Forming the two optical waveguides;
One of the optical waveguides is irradiated with visible or ultraviolet laser light to adjust the birefringence value of the core portion, and the Mach-Zen
And increasing the polarization dependence of the interferometer .

【0021】[0021]

【作用】前述の手段の主要部は、石英系ガラス導波路に
より構成された導波型MZ干渉計の製造法において、少
なくともMZ干渉計の片方の導波路に可視又は紫外領域
の光を照射することによってコアの複屈折を制御し、M
Z干渉計等の偏波に依る位相、すなわち出力を調節する
ものである。
The main part of the above-mentioned means is to irradiate at least one of the waveguides of the MZ interferometer with light in the visible or ultraviolet region in the method of manufacturing a waveguide type MZ interferometer composed of a silica glass waveguide. Control the birefringence of the core by
It adjusts the phase depending on the polarization of the Z interferometer, that is, the output.

【0022】導波路の屈折率制御に関し、類似の報告と
してMaloらによる光ファイバの屈折率の変化に関す
るものがある(B.Malo, et al., Opt. Lett. 15, 953,
1990)。それによれば、GeO2添加石英系光ファイバ
において紫外線照射によりコアの屈折率が3×10~5
け変化することが観測されたと報告されている。
As for the control of the refractive index of the waveguide, there is a similar report by Malo et al. On the change of the refractive index of an optical fiber (B. Malo, et al., Opt. Lett. 15, 953,
1990). According to the report, it has been reported that the refractive index of the core was changed by 3 × 10 to 5 by irradiation with ultraviolet light in the GeO 2 -doped quartz optical fiber.

【0023】シリコン基板上に形成された石英系光導波
路においても同様な光誘起屈折率変化Δnが観測される
が、この時、導波路のTE,TM方向に光を入射して測
定した屈折率変化をそれぞれΔnTE,ΔnTMとすると、
ΔnTEとΔnTMの大きさは異なっている。
A similar optically induced refractive index change Δn is also observed in a quartz optical waveguide formed on a silicon substrate. At this time, the refractive index measured by irradiating light in the TE and TM directions of the waveguide is measured. If the changes are Δn TE and Δn TM respectively,
The magnitudes of Δn TE and Δn TM are different.

【0024】本発明は、この原理を用いることにより、
GeO2添加石英系ガラス導波路のMZ干渉計等の複屈
折を調節するものである。
According to the present invention, by using this principle,
It adjusts the birefringence of an MZ interferometer of a GeO 2 -doped quartz glass waveguide.

【0025】まず、GeO2添加石英系ガラス導波路の
MZ干渉計の位相が調節できる原理を以下に説明する。
First, the principle by which the phase of the MZ interferometer of the GeO 2 -doped quartz glass waveguide can be adjusted will be described below.

【0026】図1は、GeO2添加石英系ガラス導波路
のMZ干渉計の位相が調節できる原理を説明するための
図であり、1a,1bは方向性結合器、2a,2bは2
つの方向性結合器を結ぶ導波路、1〜4はポートであ
る。ここでは、簡単のためMZ干渉計の2つの方向性結
合器を同一のものとし、方向性結合器の結合長をL0
する。そのとき、図1のMZ干渉計において片方の導波
路(2a)の長さΔL1の部分において屈折率がΔn変
化したとする。このとき、波長λの光がこのMZ干渉計
のポート1に入射したとすると、ポート3と4からの出
力比I4/(I3+I4)は、次式で表される。
FIG. 1 is a diagram for explaining the principle that the phase of an MZ interferometer of a GeO 2 -doped silica glass waveguide can be adjusted, wherein 1 a and 1 b are directional couplers, and 2 a and 2 b are 2
Waveguides connecting two directional couplers, 1 to 4 are ports. Here, the same thing two directional couplers of the MZ interferometer for simplicity, the coupling length of the directional coupler and L 0. At that time, in the MZ interferometer of FIG. 1, it is assumed that the refractive index changes by Δn in a portion of the length ΔL 1 of one waveguide (2a). At this time, assuming that the light having the wavelength λ enters the port 1 of the MZ interferometer, the output ratio I 4 / (I 3 + I 4 ) from the ports 3 and 4 is represented by the following equation.

【0027】[0027]

【数2】 (Equation 2)

【0028】ここで、Lc(λ)は方向性結合器の完全
結合長である。式(2)から明らかなように、
Here, L c (λ) is the complete coupling length of the directional coupler. As is clear from equation (2),

【0029】[0029]

【数3】 (Equation 3)

【0030】を満たすときに、出力が反転する。波長
1.3μmにおいて、Δnが3×10~5変化したとする
と、ΔL1の値として3.3cmが得られる。従って、MZ
干渉計を構成する導波路長が充分であれば、MZ干渉計
の特性を調節することができる。
When the condition is satisfied, the output is inverted. Assuming that Δn changes by 3 × 10 to 5 at a wavelength of 1.3 μm, 3.3 cm is obtained as the value of ΔL 1 . Therefore, MZ
If the length of the waveguide constituting the interferometer is sufficient, the characteristics of the MZ interferometer can be adjusted.

【0031】ここで、コアの屈折率変化は、波長245
nmのGeO2に関連した吸収に起因する。従って、屈折
率変化のために用いるレーザは、245nm付近に発振波
長を有するものであればよい。また、可視域に発振波長
を有するレーザも使用可能である。それは、可視域のレ
ーザでも2光子吸収により同様の変化を誘起するからで
ある。すなわち、本発明では、使用するレーザに関して
は、He-Cdレーザ、N2レーザ、各種エキシマレー
ザ、Arイオンレーザ、Nd3+:YAGレーザ、アレキ
サンドライト(Cr3+:BeAl23)レーザの第2
次、3次、4次高調波、など紫外・可視領域の波長を有
するものであればよい。
Here, the refractive index of the core changes at a wavelength of 245.
nm due to the absorption associated with GeO 2 . Therefore, the laser used for changing the refractive index only needs to have an oscillation wavelength near 245 nm. Further, a laser having an oscillation wavelength in the visible region can also be used. This is because a laser in the visible region induces a similar change by two-photon absorption. That is, in the present invention, the laser used is the He-Cd laser, N 2 laser, various excimer lasers, Ar ion laser, Nd 3+ : YAG laser, and Alexandrite (Cr 3+ : BeAl 2 O 3 ) laser. 2
Next, third and fourth harmonics, such as those having a wavelength in the ultraviolet / visible region, may be used.

【0032】以上のような、光照射に起因する屈折率変
化Δnは、照射光の偏光状態及び照射条件により、導波
路のTE方向成分に関する屈折率変化ΔnTEとTM方向
成分に関する屈折率変化ΔnTMが異なる。
The above as the refractive index change [Delta] n due to the light irradiation, the polarization state and the irradiation conditions of the irradiation light, the refractive index change relates to the refractive index change [Delta] n TE and TM direction component regarding TE direction component of the waveguide [Delta] n TM is different.

【0033】従って、紫外もしくは可視レーザ光の照射
強度、照射時間等を適当に取ることにより導波路が有す
る複屈折を調整することができる。
Therefore, the birefringence of the waveguide can be adjusted by appropriately setting the irradiation intensity and irradiation time of the ultraviolet or visible laser light.

【0034】なお、本発明は、紫外もしくは可視レーザ
光の照射を止めてもその効果は永続するものである。
The effect of the present invention is permanent even if the irradiation of the ultraviolet or visible laser beam is stopped.

【0035】[0035]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0036】(実施例1)本発明の実施例1では、石英
系光導波路においてエキシマレーザによりMZ干渉計の
特性を調節した。
(Embodiment 1) In Embodiment 1 of the present invention, the characteristics of the MZ interferometer were adjusted with an excimer laser in a silica-based optical waveguide.

【0037】図2は、本実施例1において作製したMZ
干渉計光回路の構成図であって、1c,1dは方向性結
合器、2c,2dは導波路、3a,3b,3c,3dは
光ファイバ、4aはシリコン基板、5は遮蔽用の金属マ
スク、6はエキシマレーザ、7はミラー、8a,8bは
レンズである。
FIG. 2 shows the MZ fabricated in the first embodiment.
FIG. 2 is a configuration diagram of an interferometer optical circuit, where 1c and 1d are directional couplers, 2c and 2d are waveguides, 3a, 3b, 3c and 3d are optical fibers, 4a is a silicon substrate, and 5 is a metal mask for shielding. , 6 is an excimer laser, 7 is a mirror, and 8a and 8b are lenses.

【0038】図2のMZ干渉計は非対称型であり、導波
路2cが2dより長くなっている。このタイプのMZ干
渉計は、周波数又は波長分波器として動作するものであ
る。図2のMZ干渉計では2つの導波路2c,2dの光
路長差ΔL2を約1cmとし、周波数10GHz間隔で入射光
を分波できるように設計した。
The MZ interferometer of FIG. 2 is asymmetric, and the waveguide 2c is longer than 2d. This type of MZ interferometer operates as a frequency or wavelength demultiplexer. The MZ interferometer of FIG. 2 is designed so that the optical path length difference ΔL 2 between the two waveguides 2 c and 2 d is about 1 cm, and the incident light can be split at a frequency of 10 GHz.

【0039】まず、通常の方法でシリコン基板上にGe
2添加石英系ガラス導波路型MZ干渉計を作製した。
導波路のコアは矩形であり、サイズは7×7μmであ
る。コアとクラッドの屈折率差は0.75%とした。方
向性結合器1cと1dでは結合率が波長1.3μmでほ
ぼ50%になるようにした。
First, Ge is formed on a silicon substrate by an ordinary method.
An O 2 -doped silica glass waveguide type MZ interferometer was manufactured.
The waveguide core is rectangular and has a size of 7 × 7 μm. The refractive index difference between the core and the clad was 0.75%. In the directional couplers 1c and 1d, the coupling ratio was set to be approximately 50% at a wavelength of 1.3 μm.

【0040】作製したMZ干渉計に波長248nmのKr
Fエキシマレーザを照射し、照射前後の特性変化を調べ
た。KrFエキシマレーザ光は、導波路上部より、図2
に示すように、金属マスクで覆われていない部分を照射
した。従って、エキシマレーザ光は、導波路2eの一部
分だけに屈折率変化を誘起することになる。KrFエキ
シマレーザの照射パワーは、100mJ/cm2、パルス繰
り返し50Hz、照射時間は20minとした。
A Kr having a wavelength of 248 nm was applied to the MZ interferometer.
Irradiation with an F excimer laser was performed, and changes in characteristics before and after the irradiation were examined. The KrF excimer laser light is emitted from the upper part of the waveguide as shown in FIG.
As shown in the figure, a portion not covered with the metal mask was irradiated. Therefore, the excimer laser light induces a change in the refractive index only in a part of the waveguide 2e. The irradiation power of the KrF excimer laser was 100 mJ / cm 2 , the pulse repetition was 50 Hz, and the irradiation time was 20 minutes.

【0041】MZ干渉計の特性を調べるため、中心波長
1.3μmの電流掃引型半導体レーザをファイバ3eか
ら光回路に導入した。本実施例1では、エキシマレーザ
の照射中にMZ干渉計の特性変化をモニターすることが
できた。
In order to examine the characteristics of the MZ interferometer, a current sweep type semiconductor laser having a center wavelength of 1.3 μm was introduced into the optical circuit from the fiber 3e. In the first embodiment, a change in the characteristics of the MZ interferometer could be monitored during the irradiation with the excimer laser.

【0042】図3に、20分間照射後におけるファイバ
3cからの出力の波長依存性を照射前と比較して示す。
図3において、縦軸は挿入損失(Insertion loss)、
横軸は波長(Wavelength)である。
FIG. 3 shows the wavelength dependence of the output from the fiber 3c after irradiation for 20 minutes in comparison with that before irradiation.
In FIG. 3, the vertical axis represents the insertion loss (Insertion loss),
The horizontal axis is the wavelength (Wavelength).

【0043】KrFエキシマレーザ照射前では、ファイ
バ3cと3dからの出力光スペクトル特性が、図3に示
すように、TE偏光とTM偏光では、異なっており、こ
のMZ干渉計は偏波依存性を有していた。
Before the KrF excimer laser irradiation, the output light spectrum characteristics from the fibers 3c and 3d are different between the TE polarized light and the TM polarized light as shown in FIG. 3, and this MZ interferometer has a polarization dependency. Had.

【0044】照射後、図3に示すように、TE偏光とT
M偏光の光スペクトル特性が一致し、1.3μm付近の
信号光における偏波依存性をエキシマレーザ光照射によ
り解消することができた。
After the irradiation, as shown in FIG.
The optical spectrum characteristics of the M-polarized light coincided, and the polarization dependence of the signal light near 1.3 μm could be eliminated by excimer laser light irradiation.

【0045】以上の結果により、本実施例1によれば、
MZ干渉計の複屈折が調節可能であることが確認され
た。
From the above results, according to the first embodiment,
It was confirmed that the birefringence of the MZ interferometer was adjustable.

【0046】なお、GeO2濃度に関しては、MZ干渉
計の長さにより調節が可能であるから、特に制限するも
のではない。また、前記実施例1では、ドーパントとし
てGeO2を用いたが、そのほかにTiO2,Ce23
ど紫外領域に吸収を有し、紫外線に敏感なドーパントと
して用いてもよい。
The concentration of GeO 2 is not particularly limited because it can be adjusted by the length of the MZ interferometer. In the first embodiment, GeO 2 is used as a dopant. However, other dopants such as TiO 2 and Ce 2 O 3 which absorb in the ultraviolet region and are sensitive to ultraviolet light may be used.

【0047】(実施例2)本実施例2では、石英系ガラ
ス導波路により、MZ干渉計光回路を構成し、KrFエ
キシマレーザ光を照射することにより、偏波分離光回路
を作製した。
Example 2 In Example 2, an optical circuit for an MZ interferometer was constituted by a quartz glass waveguide, and a KrF excimer laser beam was irradiated to produce a polarization splitting optical circuit.

【0048】図4は、本実施例2の偏波分離光回路の製
造装置の構成概念図であって、1e,1fは方向性結合
器、2e,2fは導波路、3e,3f,3g,3hは光
ファイバ、4bはシリコン基板、6はエキシマレーザ、
7はミラー、8a,8bはレンズである。
FIG. 4 is a conceptual view of the configuration of a polarization splitting optical circuit manufacturing apparatus according to the second embodiment, wherein 1e and 1f are directional couplers, 2e and 2f are waveguides, 3e, 3f, 3g, 3h is an optical fiber, 4b is a silicon substrate, 6 is an excimer laser,
7 is a mirror, and 8a and 8b are lenses.

【0049】まず、通常の方法でシリコン基板上にGe
2添加石英系ガラス導波路型MZ干渉計を作製した。
導波路のコアは矩形であり、サイズは7×7μmであ
る。コアとクラッドの屈折率差は0.75%とした。方
向性結合器1eと1fでは結合率が波長1.3μmでほ
ぼ50%になるようにした。
First, Ge is formed on a silicon substrate by an ordinary method.
An O 2 -doped silica glass waveguide type MZ interferometer was manufactured.
The waveguide core is rectangular and has a size of 7 × 7 μm. The refractive index difference between the core and the clad was 0.75%. In the directional couplers 1e and 1f, the coupling ratio was set to be approximately 50% at a wavelength of 1.3 μm.

【0050】本実施例2では、7のミラーと8a,8b
のレンズを駆使することにより、導波路2eに局所的
に、エキシマレーザ光を照射し、導波路2eの複屈折を
調整し、光ファイバ3eからTE偏波の光を入射したと
きには光ファイバ3h、TM偏波の光を入射したときに
は光ファイバ3gから出力光が得られるようにした。
In the second embodiment, 7 mirrors and 8a, 8b
By exposing the waveguide 2e locally to excimer laser light and adjusting the birefringence of the waveguide 2e, when the TE polarized light is incident from the optical fiber 3e, the optical fiber 3h, When light of TM polarization is incident, output light is obtained from the optical fiber 3g.

【0051】図5は、光ファイバ3eから光を入射した
時の光ファイバ3hからの出力光の挿入損失(Inserti
on loss)特性を示す。図5において、TE’、TM’
は照射後の光出力である。光ファイバ3hからの出力光
は所望の光周波数(相対光周波数:Relative frequenc
y :24GHz)において、TE偏波の光がTM偏波の
光に比べ20dB以上の強度で得られていることが示さ
れている。
FIG. 5 shows the insertion loss (Inserti) of the output light from the optical fiber 3h when the light enters from the optical fiber 3e.
on loss) characteristics. In FIG. 5, TE ', TM'
Is the light output after irradiation. The output light from the optical fiber 3h is a desired optical frequency (relative optical frequency: Relative frequency).
(y: 24 GHz), it is shown that TE-polarized light is obtained at an intensity of 20 dB or more as compared with TM-polarized light.

【0052】以上の説明からわかるように、本実施例2
によれば、このMZ干渉計光回路は、TE,TMの偏波
分離機能を付加することができる。
As can be seen from the above description, the present embodiment 2
According to this, the MZ interferometer optical circuit can add a polarization separation function of TE and TM.

【0053】本発明は、光ファイバ3e,3f,3g,
3hに偏波保持性を有する光ファイバを用いることを妨
げるものではない。
The present invention relates to optical fibers 3e, 3f, 3g,
This does not prevent the use of an optical fiber having polarization maintaining property for 3h.

【0054】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において変更し得ること
はいうまでもない。
As described above, the present invention has been specifically described based on the embodiments. However, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be changed without departing from the gist of the present invention.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、従来の光回路の製造法の変更を必要とせずに効果的
かつ簡便に特性が調節された光回路を提供することがで
きる。また、本発明はすでに作製された光回路を対象と
して実施されるため規格外の出力特性の回路を所望の特
性にすることができ、光回路の生産性が向上する利点が
ある。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide an optical circuit whose characteristics are effectively and simply adjusted without requiring a change in a conventional optical circuit manufacturing method. . Further, since the present invention is implemented for an optical circuit that has already been manufactured, a circuit having an output characteristic that is out of the standard can be set to a desired characteristic, and there is an advantage that the productivity of the optical circuit is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の原理を説明するためのMZ干渉計光
回路の概略構成図、
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an MZ interferometer optical circuit for explaining the principle of the present invention;

【図2】 本発明の実施例1で使用した光学系と導波路
の配置図、
FIG. 2 is an arrangement diagram of an optical system and a waveguide used in Embodiment 1 of the present invention,

【図3】 本実施例1で使用した導波路の出力光波長ス
ペクトル特性を示す図、
FIG. 3 is a diagram showing an output light wavelength spectrum characteristic of the waveguide used in the first embodiment;

【図4】 本発明の実施例2で使用した光学系と導波路
の配置図、
FIG. 4 is an arrangement diagram of an optical system and a waveguide used in Embodiment 2 of the present invention,

【図5】 本実施例2の相対光周波数ー挿入損失特性を
示す図。
FIG. 5 is a diagram showing a relative optical frequency-insertion loss characteristic of the second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a,1b,1c,1d,1e,1f…方向性結合器、
2a,2b,2c,2d…光導波路、3a,3b,3
c,3d,3e,3f,3g,3h…光ファイバ、4
a,4b…導波路付きシリコン基板、5…レーザ光遮蔽
マスク、6…エキシマレーザ、7…ミラー、8a…レン
ズ、8b…シリンドリカルレンズ。
1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f ... directional couplers,
2a, 2b, 2c, 2d ... optical waveguides, 3a, 3b, 3
c, 3d, 3e, 3f, 3g, 3h ... optical fiber, 4
a, 4b: a silicon substrate with a waveguide, 5: a laser beam shielding mask, 6: an excimer laser, 7: a mirror, 8a: a lens, 8b: a cylindrical lens.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 裕朗 東京都千代田区内幸町一丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−27337(JP,A) 特開 平3−67204(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02B 6/12 - 6/14 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Hiroaki Yamada 1-6, Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (56) References JP-A-6-27337 (JP, A) JP-A-Hei 3-67204 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G02B 6/12-6/14

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 平面基板上に設けられる光導波路を有
し、 前記光導波路は、コア部と、前記コア部の周りに設けら
れ、前記コア部よりも屈折率の低いクラッド部とから構
成される光回路であって、 前記光導波路は、GeO 2 、TiO 2 、あるいは、Ce 2
3 が添加された、石英系ガラスを素材として作成され
ている ことを特徴とする光回路。
An optical waveguide provided on a flat substrate is provided.
The optical waveguide is provided around a core portion and the core portion.
And a clad part having a lower refractive index than the core part.
An optical circuit to be formed, wherein the optical waveguide is made of GeO 2 , TiO 2 , or Ce 2
Made from quartz glass with O 3 added
Optical circuit, characterized by that.
【請求項2】 平面基板上に設けられる光導波路を2本
有するマッハツェンダ干渉計を具備し、 前記光導波路は、コア部と、前記コア部の周りに設けら
れ、前記コア部よりも屈折率の低いクラッド部とから構
成される光回路であって、 前記少なくとも片方の光導波路は、GeO 2 、TiO 2
あるいは、Ce 2 3 が添加された、石英系ガラスを素材
として作成されている ことを特徴とする光回路。
2. Two optical waveguides provided on a flat substrate
A Mach-Zehnder interferometer, wherein the optical waveguide is provided around a core portion and the core portion.
And a clad part having a lower refractive index than the core part.
An optical circuit to be formed, wherein the at least one optical waveguide includes GeO 2 , TiO 2 ,
Alternatively, a quartz glass to which Ce 2 O 3 is added is used as a material.
Optical circuit you characterized in that it is created as.
【請求項3】 平面基板上に設けられる光導波路を有
し、 前記光導波路は、コア部と、前記コア部の周りに設けら
れ、前記コア部よりも屈折率の低いクラッド部とから構
成される光回路の製造方法であって、 前記平面基板上に、GeO 2 、TiO 2 、あるいは、Ce
2 3 を添加した石英系ガラスを素材として、前記光導波
路を作成する工程と、 前記光導波路に、可視または紫外光レーザ光を照射し
て、前記コア部の複屈折値を所定の値に調節する工程と
を有する ことを特徴とする光回路の製造方法。
3. An optical waveguide having an optical waveguide provided on a flat substrate.
The optical waveguide is provided around a core portion and the core portion.
And a clad part having a lower refractive index than the core part.
A method for manufacturing an optical circuit to be formed, wherein GeO 2 , TiO 2 , or Ce
The optical waveguide is made of quartz glass to which 2 O 3 is added.
Forming a path, and irradiating the optical waveguide with visible or ultraviolet laser light.
Adjusting the birefringence value of the core portion to a predetermined value.
A method of manufacturing an optical circuit, comprising:
【請求項4】 平面基板上に設けられる光導波路を2本
有するマッハツェンダ干渉計を具備し、 前記光導波路は、コア部と、前記コア部の周りに設けら
れ、前記コア部よりも屈折率の低いクラッド部とから構
成される光回路の製造方法であって、 石英系ガラスを素材とし、かつ、前記少なくとも片方の
光導波路が、GeO 2 、TiO 2 、あるいは、Ce 2 3
含むように、前記平面基板上に前記2本の光導波路を作
成する工程と、 前記少なくとも片方の光導波路に、可視または紫外光レ
ーザ光を照射して、前記コア部の複屈折値を調節する工
程とを有する ことを特徴とする光回路の製造方 法。
4. Two optical waveguides provided on a flat substrate
A Mach-Zehnder interferometer, wherein the optical waveguide is provided around a core portion and the core portion.
And a clad part having a lower refractive index than the core part.
A method for manufacturing an optical circuit to be formed, wherein a quartz glass is used as a material, and the at least one of the
Optical waveguide, GeO 2, TiO 2, or a Ce 2 O 3
The two optical waveguides are formed on the planar substrate so as to include
A step of forming, on said at least one optical waveguide, visible or Murasakisotokore
Laser light to adjust the birefringence value of the core.
Producing how the optical circuit characterized by having a degree.
【請求項5】 平面基板上に設けられる光導波路を2本
有するマッハツェンダ干渉計を具備し、 前記光導波路は、コア部と、前記コア部の周りに設けら
れ、前記コア部よりも屈折率の低いクラッド部とから構
成される光回路の製造方法であって、 石英系ガラスを素材とし、かつ、前記少なくとも片方の
光導波路が、紫外線に敏感なドーパントを含むように、
前記平面基板上に前記2本の光導波路を作成する工程
と、 前記平面基板上に、石英系ガラスを素材として、前記2
本の光導波路を作成する工程と、 前記少なくとも片方の 光導波路に、可視または紫外光レ
ーザ光を照射して、前記コア部の複屈折値を調節し、前
記マッハツェンダ干渉計の偏波による位相を調整する工
程とを有することを特徴とする光回路の製造方法。
5. Two optical waveguides provided on a plane substrate
A Mach-Zehnder interferometer, wherein the optical waveguide is provided around a core portion and the core portion.
And a clad part having a lower refractive index than the core part.
A method for manufacturing an optical circuit to be formed, wherein a quartz glass is used as a material, and the at least one of the
As the optical waveguide contains a UV-sensitive dopant,
Forming the two optical waveguides on the planar substrate
And a quartz glass as a raw material on the flat substrate,
A step of forming an optical waveguide of the present invention , and irradiating at least one of the optical waveguides with visible or ultraviolet laser light to adjust a birefringence value of the core portion ;
Adjusting the phase of the Mach-Zehnder interferometer due to polarization .
【請求項6】 平面基板上に設けられる光導波路を2本
有するマッハツェンダ干渉計を具備し、 前記光導波路は、コア部と、前記コア部の周りに設けら
れ、前記コア部よりも屈折率の低いクラッド部とから構
成される光回路の製造方法であって、 石英系ガラスを素材とし、かつ、前記少なくとも片方の
光導波路が、紫外線に敏感なドーパントを含むように、
前記平面基板上に前記2本の光導波路を作成する工程
と、 前記少なくとも片方の光導波路に、可視または紫外光レ
ーザ光を照射して、前記コア部の複屈折値を調節し、前
記マッハツェンダ干渉計の偏波依存性を解消する工程と
を有することを特徴とする光回路の製造方法。
6. Two optical waveguides provided on a plane substrate
A Mach-Zehnder interferometer, wherein the optical waveguide is provided around a core portion and the core portion.
And a clad part having a lower refractive index than the core part.
A method for manufacturing an optical circuit to be formed, wherein a quartz glass is used as a material, and the at least one of the
As the optical waveguide contains a UV-sensitive dopant,
Forming the two optical waveguides on the planar substrate
And at least one of the optical waveguides has visible or ultraviolet light.
Irradiation of laser light to adjust the birefringence value of the core portion.
The process of eliminating the polarization dependence of the Mach-Zehnder interferometer
A method of manufacturing an optical circuit, comprising:
【請求項7】 平面基板上に設けられる光導波路を2本
有するマッハツェンダ干渉計を具備し、 前記光導波路は、コア部と、前記コア部の周りに設けら
れ、前記コア部よりも屈折率の低いクラッド部とから構
成される光回路の製造方法であって、 石英系ガラスを素材とし、かつ、前記少なくとも片方の
光導波路が、紫外線に敏感なドーパントを含むように、
前記平面基板上に前記2本の光導波路を作成す る工程
と、 前記少なくとも片方の光導波路に、可視または紫外光レ
ーザ光を照射して、前記コア部の複屈折値を調節し、前
記マッハツェンダ干渉計の偏波依存性を増加させる工程
とを有することを特徴とする光回路の製造方法。
7. Two optical waveguides provided on a plane substrate
A Mach-Zehnder interferometer, wherein the optical waveguide is provided around a core portion and the core portion.
And a clad part having a lower refractive index than the core part.
A method for manufacturing an optical circuit to be formed, wherein a quartz glass is used as a material, and the at least one of the
As the optical waveguide contains a UV-sensitive dopant,
Step to create the two optical waveguides on the planar substrate
And at least one of the optical waveguides has visible or ultraviolet light.
Irradiation of laser light to adjust the birefringence value of the core portion.
Process for increasing the polarization dependence of a Mach-Zehnder interferometer
And a method for manufacturing an optical circuit.
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