JP3092575B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置に関する。
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢテープのような片面配線のサブス
トレートを用いた樹脂封止型半導体装置では、パッケー
ジを全面封止した後にダイシングカットが行なわれ、樹
脂封止された半導体チップを個々に切出すことが行なわ
れている。
トレートを用いた樹脂封止型半導体装置では、パッケー
ジを全面封止した後にダイシングカットが行なわれ、樹
脂封止された半導体チップを個々に切出すことが行なわ
れている。
【０００３】従来例の樹脂封止型半導体装置では図４に
示すように、ＴＡＢテープ１はポリイミドテープ１ａ
と、ポリイミドテープ１ａ上に接着剤３を介して接着さ
れたＣｕ配線２と、ポリイミドテープ１ａのランド部１
ｂに設けられたソルダーレジスト４とから構成されてい
る。
示すように、ＴＡＢテープ１はポリイミドテープ１ａ
と、ポリイミドテープ１ａ上に接着剤３を介して接着さ
れたＣｕ配線２と、ポリイミドテープ１ａのランド部１
ｂに設けられたソルダーレジスト４とから構成されてい
る。
【０００４】そしてＴＡＢテープ１のソルダーレジスト
４上に半導体チップ１ｃがペースト５を介して接着さ
れ、半導体チップ１ｃの電極がＣｕ配線２にボンディン
グワイヤ６を介して電気的に接続されている。またＴＡ
Ｂテープ１のランド部１ｂの裏面側には、Ｃｕ配線２に
接続する半田ボール８が設けられている。
４上に半導体チップ１ｃがペースト５を介して接着さ
れ、半導体チップ１ｃの電極がＣｕ配線２にボンディン
グワイヤ６を介して電気的に接続されている。またＴＡ
Ｂテープ１のランド部１ｂの裏面側には、Ｃｕ配線２に
接続する半田ボール８が設けられている。
【０００５】さらにＴＡＢテープ１上に搭載された半導
体チップ１ｃ及びボンディングワイヤ６等は、樹脂７に
より被覆され外気から気密封止されている。
体チップ１ｃ及びボンディングワイヤ６等は、樹脂７に
より被覆され外気から気密封止されている。
【０００６】封止封止された半導体装置は、切断線１１
に沿ってダイシングカットされ、個々に切り出されるよ
うになっている。
に沿ってダイシングカットされ、個々に切り出されるよ
うになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、樹脂封止さ
れた半導体装置は、ダイシングカットされて個々に切り
出すため、ダイシングカットする際に、ＴＡＢテープ上
で切断線１１の位置が明確にされる必要がある。
れた半導体装置は、ダイシングカットされて個々に切り
出すため、ダイシングカットする際に、ＴＡＢテープ上
で切断線１１の位置が明確にされる必要がある。
【０００８】図４及び図５に示す従来の樹脂封止型半導
体装置では、ＴＡＢテープ１の裏面に形成された半田ボ
ール８を画像認識してダイシングカットを行っていた
が、半田ボール８は球状であるため、認識に必要な反射
光が散乱して認識しずらく、かつ半田ボール８は、リフ
ロー工程で溶融させてランド部１ｂに形成されるため、
その位置ずれが生じやすく、切断位置の位置ずれを招き
やすいという問題があった。
体装置では、ＴＡＢテープ１の裏面に形成された半田ボ
ール８を画像認識してダイシングカットを行っていた
が、半田ボール８は球状であるため、認識に必要な反射
光が散乱して認識しずらく、かつ半田ボール８は、リフ
ロー工程で溶融させてランド部１ｂに形成されるため、
その位置ずれが生じやすく、切断位置の位置ずれを招き
やすいという問題があった。
【０００９】そこで、特開平４−７９２６１号公報に開
示された技術では、Ｃｕ配線２が設けられたＴＡＢテー
プ１の表面側にダイシングカットの位置を認識するカッ
ト認識部を設けている。
示された技術では、Ｃｕ配線２が設けられたＴＡＢテー
プ１の表面側にダイシングカットの位置を認識するカッ
ト認識部を設けている。
【００１０】しかしながら、この種の樹脂封止型半導体
装置では、ＴＡＢテープ１の半田ボール８が設けられた
裏面側を表向きにして、樹脂封止された半導体チップを
個々に切り出すため、切断箇所を指し示すカット認識部
がＴＡＢテープの下面側に隠れてしまい、ＴＡＢテープ
の切断位置を正確に認識することができなくなるという
問題がある。
装置では、ＴＡＢテープ１の半田ボール８が設けられた
裏面側を表向きにして、樹脂封止された半導体チップを
個々に切り出すため、切断箇所を指し示すカット認識部
がＴＡＢテープの下面側に隠れてしまい、ＴＡＢテープ
の切断位置を正確に認識することができなくなるという
問題がある。
【００１１】この問題を解決するためには、切断位置を
示すカット認識部をＴＡＢテープ１の裏面側に設けるこ
とも考えられるが、そのカット認識部がダイシングカッ
トするに至る製造過程で剥離しないように工夫する必要
がある。この点については、従来例では意図されていな
かった。
示すカット認識部をＴＡＢテープ１の裏面側に設けるこ
とも考えられるが、そのカット認識部がダイシングカッ
トするに至る製造過程で剥離しないように工夫する必要
がある。この点については、従来例では意図されていな
かった。
【００１２】本発明の目的は、前記問題点を解決した樹
脂封止型半導体装置を提供することにある。
脂封止型半導体装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、テープ基体
と、半導体チップと、認識マークとを有する樹脂封止型
半導体装置であって、テープ基体は、ランド部の一面に
配線パターン部を有し、ランド部の他面に半田ボールを
形成されたものであり、半導体チップは、前記テープ基
体のランド部一面に搭載されて前記配線パターン部に電
気的に接続され、樹脂封止されたものであり、認識マー
クは、前記ランド部の外周領域に形成される前記配線パ
ターン部の一部により、樹脂封止された半導体チップの
ダイシングカット位置を指し示すものである。
め、本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、テープ基体
と、半導体チップと、認識マークとを有する樹脂封止型
半導体装置であって、テープ基体は、ランド部の一面に
配線パターン部を有し、ランド部の他面に半田ボールを
形成されたものであり、半導体チップは、前記テープ基
体のランド部一面に搭載されて前記配線パターン部に電
気的に接続され、樹脂封止されたものであり、認識マー
クは、前記ランド部の外周領域に形成される前記配線パ
ターン部の一部により、樹脂封止された半導体チップの
ダイシングカット位置を指し示すものである。
【００１４】また前記認識マークは、前記配線パターン
部での光反射によりダイシングカット位置を認識するも
のである。
部での光反射によりダイシングカット位置を認識するも
のである。
【００１５】また前記認識マークは、前記テープ基体の
他面側に貫通した貫通孔を通して光反射するものであ
る。
他面側に貫通した貫通孔を通して光反射するものであ
る。
【００１６】また前記貫通孔の開口縁形状は、適宜整形
されたものである。
されたものである。
【００１７】本発明によれば、半導体チップの外周領域
に設けられる配線パターン部を一部残し、その配線パタ
ーンをダイシングカットの位置認識用標識として用い、
かつ、その配線パターン部をＴＡＢテープの裏面側に設
けた貫通孔を通して光学的に認識する。
に設けられる配線パターン部を一部残し、その配線パタ
ーンをダイシングカットの位置認識用標識として用い、
かつ、その配線パターン部をＴＡＢテープの裏面側に設
けた貫通孔を通して光学的に認識する。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る樹脂
封止型半導体装置を示す裏面図、図２は同断面図、図３
は、貫通孔の開口縁形状を示す図である。
より説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る樹脂
封止型半導体装置を示す裏面図、図２は同断面図、図３
は、貫通孔の開口縁形状を示す図である。
【００１９】図において、本発明の一実施形態に係る樹
脂封止型半導体装置は、テープ基体と、半導体チップ１
ｃと、認識マークとを有している。
脂封止型半導体装置は、テープ基体と、半導体チップ１
ｃと、認識マークとを有している。
【００２０】テープ基体は、ランド部１ｂの一面側に配
線パターン部を有し、ランド部１ｂの他面側に半田ボー
ル８を形成したものであり、実施形態ではテープ基体と
してＴＡＢテープ１を使用している。ＴＡＢテープ１
は、ポリイミドテープ１ａと、ポリイミドテープ１ａ上
に接着剤３を介して接着されたＣｕ配線（配線パターン
部に相当する）２と、ランド部１ｂの一面側に設けられ
たソルダーレジスト４と、ランド部１ｂの他面側に形成
された半田ボール８とを有している。
線パターン部を有し、ランド部１ｂの他面側に半田ボー
ル８を形成したものであり、実施形態ではテープ基体と
してＴＡＢテープ１を使用している。ＴＡＢテープ１
は、ポリイミドテープ１ａと、ポリイミドテープ１ａ上
に接着剤３を介して接着されたＣｕ配線（配線パターン
部に相当する）２と、ランド部１ｂの一面側に設けられ
たソルダーレジスト４と、ランド部１ｂの他面側に形成
された半田ボール８とを有している。
【００２１】半導体チップ１ｃは、ランド部１ｃのソル
ダーレジスト４にペースト５を介して接着され、半導体
チップ１ｃの図示しない電極は、Ｃｕ配線２にボンディ
ングワイヤ６を介して電気的に接続され、樹脂７により
樹脂封止されている。
ダーレジスト４にペースト５を介して接着され、半導体
チップ１ｃの図示しない電極は、Ｃｕ配線２にボンディ
ングワイヤ６を介して電気的に接続され、樹脂７により
樹脂封止されている。
【００２２】認識マーク９は、ランド部１ｂの外周領域
に形成されるＣｕ配線２の一部を利用して、樹脂封止さ
れた半導体チップ１のダイシングカット位置１１ａを指
し示すようになっている。なお、認識マーク９をなすＣ
ｕ配線２は、半導体チップ１ｃの電極が接続されるＣｕ
配線２から電気的に切り離されている。
に形成されるＣｕ配線２の一部を利用して、樹脂封止さ
れた半導体チップ１のダイシングカット位置１１ａを指
し示すようになっている。なお、認識マーク９をなすＣ
ｕ配線２は、半導体チップ１ｃの電極が接続されるＣｕ
配線２から電気的に切り離されている。
【００２３】認識マーク９は具体的には、ランド部１ｂ
の外周領域に形成されるＣｕ配線２のうちダイシングカ
ット位置１１ａに対応するＣｕ配線２を利用して光反射
によりダイシングカット位置１１ａを認識するものであ
り、さらにＴＡＢテープ１の他面側に貫通した認識マー
ク形成用貫通孔１０を通して光反射するようになってい
る。さらに貫通孔１０の開口縁形状は図３に示すよう
に、適宜整形されており、ダイシングカット位置１１ａ
明確に指し示すようになっている。
の外周領域に形成されるＣｕ配線２のうちダイシングカ
ット位置１１ａに対応するＣｕ配線２を利用して光反射
によりダイシングカット位置１１ａを認識するものであ
り、さらにＴＡＢテープ１の他面側に貫通した認識マー
ク形成用貫通孔１０を通して光反射するようになってい
る。さらに貫通孔１０の開口縁形状は図３に示すよう
に、適宜整形されており、ダイシングカット位置１１ａ
明確に指し示すようになっている。
【００２４】本発明の実施形態において、樹脂封止され
た半導体チップ１ｃを個々に切り出すには、まず、半導
体チップ１ｃが樹脂封止されたＴＡＢテープ１の裏面
側、すなわち半田バンプ８側を上向きにしてＴＡＢテー
プ１をセットする。
た半導体チップ１ｃを個々に切り出すには、まず、半導
体チップ１ｃが樹脂封止されたＴＡＢテープ１の裏面
側、すなわち半田バンプ８側を上向きにしてＴＡＢテー
プ１をセットする。
【００２５】この場合、貫通孔１０は上向き、すなわち
半導体チップ１ｃをダイシングカットする側に位置する
ため、貫通孔１０を通してダイシングカット位置１１ａ
に対応するＣｕ配線２を光照射すると、貫通孔１０内の
Ｃｕ配線２で反射し、ダイシングカット位置１１ａを表
示する。
半導体チップ１ｃをダイシングカットする側に位置する
ため、貫通孔１０を通してダイシングカット位置１１ａ
に対応するＣｕ配線２を光照射すると、貫通孔１０内の
Ｃｕ配線２で反射し、ダイシングカット位置１１ａを表
示する。
【００２６】光反射した貫通孔１０の位置を認識し、複
数のダイシングカット位置１１ａに存在する認識マーク
９を結ぶ切断線１１に沿って半導体チップ１ｃをダイシ
ングカットし、これを個々に切り出す。
数のダイシングカット位置１１ａに存在する認識マーク
９を結ぶ切断線１１に沿って半導体チップ１ｃをダイシ
ングカットし、これを個々に切り出す。
【００２７】なお、実施形態では、テープ基体としてＴ
ＡＢテープを使用したが、そのＴＡＢテープは図１及び
図２に示す３層構造のものばかりでなく、２層構造のも
のでもよく、さらには、ＴＡＢテープ以外のテープ状の
ものをテープ基体として用いてもよい。
ＡＢテープを使用したが、そのＴＡＢテープは図１及び
図２に示す３層構造のものばかりでなく、２層構造のも
のでもよく、さらには、ＴＡＢテープ以外のテープ状の
ものをテープ基体として用いてもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体チップの電極がボンディングワイヤを介して電気的
に接続される配線パターンの一部を用いて光反射させ、
ダイシングカット位置を認識するようにしたため、半導
体チップのダイシングカット位置をテープ裏面側、すな
わち半導体チップをダイシングカットする側から明確に
確認することができる。
導体チップの電極がボンディングワイヤを介して電気的
に接続される配線パターンの一部を用いて光反射させ、
ダイシングカット位置を認識するようにしたため、半導
体チップのダイシングカット位置をテープ裏面側、すな
わち半導体チップをダイシングカットする側から明確に
確認することができる。
【００２９】さらに、光反射する配線パターンは、テー
プ基体に平面的に接着されるものであり、その平面で光
反射するため、従来例の半田バンプの球面での反射量よ
りも光量を十分に確保することができ、ダイシングカッ
ト位置を十分に認識することができる。
プ基体に平面的に接着されるものであり、その平面で光
反射するため、従来例の半田バンプの球面での反射量よ
りも光量を十分に確保することができ、ダイシングカッ
ト位置を十分に認識することができる。
【００２９】さらにダイシングカット位置を認識する認
識マークは、ランド部の外周領域の配線パターンの一部
を利用しているため、配線パターンを有効利用すること
ができる。
識マークは、ランド部の外周領域の配線パターンの一部
を利用しているため、配線パターンを有効利用すること
ができる。
【００３０】さらに、その配線パターンは、ダイシング
カットするに至る製造過程で樹脂に被覆されているた
め、剥離することがなく、確実に半導体チップのダイシ
ングカット位置を恒久的に表示することができ、しかも
半導体チップのダイシングカット位置を正確に表示する
ことができる。
カットするに至る製造過程で樹脂に被覆されているた
め、剥離することがなく、確実に半導体チップのダイシ
ングカット位置を恒久的に表示することができ、しかも
半導体チップのダイシングカット位置を正確に表示する
ことができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置を示す裏面図である。
置を示す裏面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置に設けた貫通孔の開口縁形状を示す図である。
置に設けた貫通孔の開口縁形状を示す図である。
【図４】従来例に係る樹脂封止型半導体装置を示す裏面
図である。
図である。
【図５】従来例に係る樹脂封止型半導体装置を示す縦断
面図である。
面図である。
１ ＴＡＢテープ（テープ基体） １ａ ポリイミドテープ １ｂ ランド部 １ｃ 半導体チップ ２ Ｃｕ配線（配線パターン） ７ 樹脂 ９ 認識マーク １０ 認識マーク形成用貫通孔 １１ 切断線 １１ａ ダイシングンカット位置
Claims (4)
- 【請求項１】 テープ基体と、半導体チップと、認識マ
ークとを有する樹脂封止型半導体装置であって、 テープ基体は、ランド部の一面側に配線パターン部を有
し、ランド部の他面側に半田ボールを形成したものであ
り、 半導体チップは、前記テープ基体のランド部一面側に搭
載されて前記配線パターン部に電気的に接続され、樹脂
封止されたものであり、 認識マークは、前記ランド部の外周領域に形成される前
記配線パターン部の一部により、樹脂封止された半導体
チップのダイシングカット位置を指し示すものであるこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記認識マークは、前記配線パターン部
での光反射によりダイシングカット位置を認識するもの
であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項３】 前記認識マークは、前記テープ基体の他
面側に貫通した貫通孔を通して光反射するものであるこ
とを特徴とする請求項２に記載の樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項４】 前記貫通孔の開口縁形状は、適宜整形さ
れたものであることを特徴とする請求項３に記載の樹脂
封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP882298A JP3092575B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP882298A JP3092575B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214588A JPH11214588A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3092575B2 true JP3092575B2 (ja) | 2000-09-25 |
Family
ID=11703506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP882298A Expired - Fee Related JP3092575B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3092575B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3827497B2 (ja) | 1999-11-29 | 2006-09-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002118201A (ja) | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4212255B2 (ja) | 2001-03-30 | 2009-01-21 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| JP2002319841A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置前駆体、弾性表面波装置の製造方法、通信装置 |
| JP2010021288A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法及び基板母体 |
| JP5444382B2 (ja) * | 2012-01-16 | 2014-03-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| US9704514B1 (en) | 2016-10-07 | 2017-07-11 | International Business Machines Corporation | High accuracy bearing surface slotting process for tape head fabrication |
| US9711170B1 (en) | 2016-10-07 | 2017-07-18 | International Business Machines Corporation | High accuracy bearing surface slotting process for tape head fabrication |
| US9799355B1 (en) | 2016-10-18 | 2017-10-24 | International Business Machines Corporation | High accuracy tape bearing surface length definition process for tape head fabrication |
| US9779766B1 (en) | 2016-10-24 | 2017-10-03 | International Business Machines Corporation | High accuracy tape bearing surface length definition process by closure lapping for tape head fabrication |
-
1998
- 1998-01-20 JP JP882298A patent/JP3092575B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11214588A (ja) | 1999-08-06 |
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