JP3097282B2 - Varistor element manufacturing method - Google Patents
Varistor element manufacturing methodInfo
- Publication number
- JP3097282B2 JP3097282B2 JP6352292A JP6352292A JP3097282B2 JP 3097282 B2 JP3097282 B2 JP 3097282B2 JP 6352292 A JP6352292 A JP 6352292A JP 6352292 A JP6352292 A JP 6352292A JP 3097282 B2 JP3097282 B2 JP 3097282B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- varistor element
- liquid crystal
- manufacturing
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス方
式の液晶表示装置に用いる二端子素子型の非線形素子の
製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a two-terminal element type nonlinear element used in an active matrix type liquid crystal display device.
【0002】[0002]
【従来の技術】例えば液晶テレビの画像表示装置には、
大別して単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方
式とがある。2. Description of the Related Art For example, in an image display device of a liquid crystal television,
Broadly classified, there are a simple matrix system and an active matrix system.
【0003】単純マトリクス方式は直交して設けられた
一対の帯状電極群(行電極群と列電極群)の間に複数の
液晶画素を行列状に配して接続したものであり、これら
帯状電極間に駆動回路によって所定の電圧を印加して液
晶画素を作動させる。この方式は、構造が簡単なため低
価格でシステムを実現できるという利点があるが各液晶
画素間でのクロストークが生じるため、画素のコントラ
ストが低く、液晶テレビの画像表示を行う際には画質の
低下が避けられないものであった。In the simple matrix system, a plurality of liquid crystal pixels are arranged in a matrix and connected between a pair of orthogonally provided strip-shaped electrode groups (row electrode group and column electrode group). During this time, a predetermined voltage is applied by the drive circuit to operate the liquid crystal pixels. This method has the advantage that the system can be realized at a low cost because of its simple structure, but crosstalk between the liquid crystal pixels occurs, so that the pixel contrast is low and image quality is low when displaying images on a liquid crystal television. Was inevitable.
【0004】一方これに対して前記アクティブマトリク
ス方式は、各液晶画素毎にスイッチング素子を設けて液
晶画素にかかる電圧を所定の時間間隔中だけ保持するも
のであり、液晶表示装置を時分割駆動しても液晶画素が
選択時の電圧を保持することができることから、表示容
量の増大が可能であり、またコントラスト等の画質に関
する特性もよく、液晶テレビの高画質表示を実現できる
ものである。On the other hand, in the active matrix system, a switching element is provided for each liquid crystal pixel to hold a voltage applied to the liquid crystal pixel only for a predetermined time interval. However, since the liquid crystal pixels can hold the voltage at the time of selection, the display capacity can be increased, and characteristics relating to image quality such as contrast are good, so that high-quality display of a liquid crystal television can be realized.
【0005】しかしながら、アクティブマトリクス方式
にあっては構造が複雑になって製造コストが高くなって
しまうという欠点があった。例えば、スイッチング素子
として薄膜トランジスタを用いるTFT型では、その製
造工程において少なくとも通常5層以上の薄膜を重ねて
製造するため、製品歩留まりを上げることが非常に困難
であり、製造コストの増大、低い生産性、長い製造期間
を要する等の問題がある。However, the active matrix method has a disadvantage that the structure becomes complicated and the manufacturing cost increases. For example, in a TFT type using a thin film transistor as a switching element, at least five or more thin films are usually stacked in the manufacturing process, so that it is very difficult to increase the product yield, increase the manufacturing cost, and lower the productivity. There is a problem that a long manufacturing period is required.
【0006】前記のようなことから、コントラスト等の
画質に関する特性がよく、かつ構造が簡単にして製造が
低コストな方式の液晶表示装置の実現が望まれており、
このような要求を実現する方式としてバリスタ素子を用
いた二端子素子型液晶表示装置が注目されている。In view of the above, it has been desired to realize a liquid crystal display device which has a good image quality characteristic such as contrast, has a simple structure, and is manufactured at low cost.
A two-terminal element type liquid crystal display device using a varistor element has attracted attention as a method for realizing such a demand.
【0007】二端子素子型の液晶表示装置は、単純マト
リクス方式に改良を加えて、(図3)に示すように行電
極11と列電極15との間に液晶画素14と所定のバリ
スタ電圧で導通するバリスタ素子13とを電気的に直列
に配して接続したものであり、(図4)に示すようなバ
リスタ素子13の非線形な電流電圧特性を利用したもの
である。尚、Vcはしきい値電圧を示し、通常はI=1
0-6(A)の時のVの値と規定している。またバリスタ
素子の場合には、通常このしきい値電圧のことを特にバ
リスタ電圧と称している。The two-terminal element type liquid crystal display device is obtained by improving the simple matrix system and applying a liquid crystal pixel 14 and a predetermined varistor voltage between the row electrode 11 and the column electrode 15 as shown in FIG. The varistor element 13 is electrically connected in series with the varistor element 13 that conducts, and utilizes the non-linear current-voltage characteristics of the varistor element 13 as shown in FIG. Vc indicates a threshold voltage, and usually I = 1
It is defined as the value of V at 0 -6 (A). In the case of a varistor element, this threshold voltage is usually referred to as a varistor voltage.
【0008】(図5)には一般的な二端子素子型の液晶
表示装置を示す。これに示すように、行電極11のそれ
ぞれに対して多数の画素電極12が、いずれも一定の距
離間隔dをもって設けられ、かつ行電極11と画素電極
12との間はそれぞれバリスタ素子13により一定のバ
リスタ電圧Vcをもって接続されている。各液晶画素
は、(図6)および(図7)にも示すように、下側ガラ
ス基板10上に行電極11と画素電極12とを所定の間
隔dを隔てて設けられ、これら行電極11と画素電極1
2とを酸化亜鉛からなるバリスタ素子で接続してある。
そして、所定の構造要素を介してこれらの上方を液晶1
4で満たし、さらに列電極15、カラーフィルタ16、
上側ガラス基板17等が設けられてある。FIG. 5 shows a general two-terminal element type liquid crystal display device. As shown in the figure, a large number of pixel electrodes 12 are provided at a fixed distance d to each of the row electrodes 11, and the varistor element 13 is provided between the row electrodes 11 and the pixel electrodes 12. Varistor voltage Vc. As shown in FIGS. 6 and 7, each liquid crystal pixel is provided with a row electrode 11 and a pixel electrode 12 on a lower glass substrate 10 at a predetermined interval d. And pixel electrode 1
2 are connected by a varistor element made of zinc oxide.
Then, the liquid crystal 1 is placed above them via a predetermined structural element.
4, the column electrode 15, the color filter 16,
An upper glass substrate 17 and the like are provided.
【0009】尚、バリスタ素子13は(図8)に詳示す
るように、酸化亜鉛結晶粒子131の表面をマンガン、
コバルト酸化物等の無機質絶縁膜132で被覆したバリ
スタ粒子13aからなり、さらに(図9)にも詳示する
ように、ガラスフリット13bを使用して焼結固化され
て、複数のバリスタ粒子13aが所定の形状を成して形
成されているものである。The varistor element 13 has a surface of zinc oxide crystal particles 131 of manganese, as shown in FIG.
The varistor particles 13a are covered with an inorganic insulating film 132 such as a cobalt oxide. Further, as shown in FIG. 9, the varistor particles 13a are sintered and solidified using a glass frit 13b. It is formed in a predetermined shape.
【0010】次に、バリスタ素子の従来の製造方法の一
例を述べる。酸化亜鉛の微粉末原料にドーパントとして
微量のアルミニウムを添加混合し、さらに加熱し焼結さ
せて多結晶化した後、当該焼結体を粉砕し分級して酸化
亜鉛結晶粒子粉末を得る。次に、当該酸化亜鉛結晶粒子
を熱処理して角取りした後、当該酸化亜鉛結晶粒子の表
面をマンガン、コバルト酸化物絶縁膜等の無機質絶縁膜
で被覆することにより粉末状のバリスタ粒子を形成す
る。次に、当該バリスタ粒子の粉末にガラスフリットと
有機バインダーとを加えてペースト化し、当該ペースト
を電極を配した絶縁基板上にスクリーン印刷法により所
定のパターンに印刷した後に焼成し、溶融、個化したガ
ラスフリットによりバリスタ素子を得ていた。Next, an example of a conventional method for manufacturing a varistor element will be described. A minute amount of aluminum is added as a dopant to a zinc oxide fine powder raw material, mixed, heated, sintered and polycrystallized, and then the sintered body is pulverized and classified to obtain zinc oxide crystal particle powder. Next, after the zinc oxide crystal particles are heat-treated and squared, powder varistor particles are formed by coating the surface of the zinc oxide crystal particles with an inorganic insulating film such as a manganese or cobalt oxide insulating film. . Next, glass frit and an organic binder are added to the powder of the varistor particles to form a paste. The paste is printed in a predetermined pattern on an insulating substrate provided with electrodes by a screen printing method, and then baked, melted, and singulated. A varistor element was obtained from the glass frit obtained.
【0011】特に、画質の良好な二端子素子型の液晶表
示装置を実現するためには、このときバリスタ素子が高
性能を有し、安定性が高く、かつその性能が膨大な数を
なすバリスタ素子間で一定していることが不可欠な要素
として要求される。In particular, in order to realize a two-terminal element type liquid crystal display device having good image quality, the varistor element at this time has a high performance, a high stability, and an enormous number of varistors. It is required to be constant between elements as an essential element.
【0012】しかしながら、従来技術によるバリスタ素
子の製造方法においては、印刷後に直ちにガラスフリッ
トの焼成固化を行うために、ペーストの一組成である有
機バインダーが十分には除去されておらず、焼成に伴う
燃焼後の残留成分が前記のバリスタ素子特性に悪影響を
及ぼしていた。つまり、これが一因となってバリスタ素
子特性は素子間でのばらつきが大きくなり、高品質の液
晶表示装置を得ることを非常に困難なものにしていた。However, in the method of manufacturing a varistor element according to the prior art, since the glass frit is baked and solidified immediately after printing, the organic binder, which is one component of the paste, is not sufficiently removed, and the baked glass frit is not completely removed. Residual components after combustion had an adverse effect on the varistor element characteristics. In other words, this contributes to a large variation in the varistor element characteristics between the elements, making it very difficult to obtain a high quality liquid crystal display device.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来の
問題点に鑑みなされたものであり、液晶表示装置の全面
に渡ってバリスタ素子特性の素子間ばらつきがなく、か
つ個々のバリスタ素子についても優れた電気特性を有す
るバリスタ素子の製造方法を提供し、結果として表示ム
ラがなくコントラストも高い、高画質の液晶表示装置を
得ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and there is no variation in varistor element characteristics over the entire surface of a liquid crystal display device. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a varistor element having excellent electrical characteristics, and as a result, to obtain a high-quality liquid crystal display device having no display unevenness and high contrast.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明が提供する手段は、すなわち、二端子素子型の
アクティブマトリクス方式の液晶表示装置に用いるバリ
スタ素子の製造方法において、少なくとも酸化亜鉛結晶
粒子の表面に無機質絶縁膜で被膜を施した粉末のバリス
タ粒子、絶縁性のガラスフリットおよび有機バインダー
を加えてペースト化してなるインクを、予め所定の電極
を配した絶縁基板上に所定のパターン形状に印刷し、そ
の後前記インクの一成分である有機バインダーの燃焼温
度以上でありかつ前記インクの一成分であるガラスフリ
ットの軟化点以下の温度で熱処理を施し、しかる後に焼
成固化することを特徴とするバリスタ素子の製造方法で
ある。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method for manufacturing a varistor element used in a two-terminal element type active matrix type liquid crystal display device. varistor particles of the powder having been subjected to coating with inorganic insulating film on the surface of the crystal grains, the ink comprising a paste by adding insulating glass frit and an organic binder, predetermined on the insulating substrate in advance arranged predetermined electrode printed on the pattern shape, then facilities a heat treatment at a temperature below the softening point of the glass frit is a component of it and the ink in the combustion temperature or more organic binders is a component of the ink, it fired and solidified thereafter A method for manufacturing a varistor element, characterized in that:
【0015】そして、好ましくは、前記熱処理が特に酸
素雰囲気中で行なわれることを特徴とする前記のバリス
タ素子の製造方法である。[0015] Preferably, in the method for manufacturing a varistor element, the heat treatment is performed in an oxygen atmosphere.
【0016】[0016]
【作用】本発明にかかわるバリスタ素子の製造方法によ
ると、前記のように印刷法により所定のパターンを形成
した後、焼成を行なう前処理として、所定の温度範囲、
すなわち、有機バインダーの燃焼温度以上でありかつガ
ラスフリットの軟化点以下の温度で熱処理を施すことに
よって、インク中の成分である有機バインダーを、焼成
前に予め完全に燃焼除去することが可能となる。したが
ってその後は、従来技術による焼成を行なってインク中
の成分であるガラスフリットを溶融、個化させることで
バリスタ素子を得ることができる。つまり、前記のよう
に電気特性に悪影響を及ぼす一因である有機バインダー
からなる燃焼残留異物がバリスタ粒子間に存在しないよ
うに予め回避することができる。According to the method for manufacturing a varistor element according to the present invention, after forming a predetermined pattern by the printing method as described above, a predetermined temperature range,
That is, by performing the heat treatment at a temperature equal to or higher than the combustion temperature of the organic binder and equal to or lower than the softening point of the glass frit, the organic binder as a component in the ink can be completely burnt and removed before firing. . Therefore, thereafter, the varistor element can be obtained by baking according to the conventional technique to melt and individualize the glass frit as a component in the ink. That is, it is possible to avoid in advance that the residual foreign matter composed of the organic binder, which is one of the factors that adversely affect the electrical characteristics, does not exist between the varistor particles.
【0017】[0017]
【実施例】本発明の実施例を図面を参照して詳述する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0018】(図1)は、本発明の一実施例にかかわる
バリスタ素子の製造方法を示す工程図である。FIG. 1 is a process diagram showing a method for manufacturing a varistor element according to one embodiment of the present invention.
【0019】まず、造粒工程101において市販の酸化
亜鉛微粉末(粒径1μm以下)に、ドーパントとしてア
ルミニウム0.003mol%をV型混合機を用いて添
加混合した。次に焼結工程102において、1200℃
で1時間焼結し平均粒径6μm程度の結晶粒子を含む多
結晶体を形成した。次に粉砕工程103において前記多
結晶体を粉砕し、続いて分級工程104において、エア
ー分級機を用いて分級し5μm〜8μmの粒径の酸化亜
鉛結晶粒子を得た。次に角取り焼成工程105におい
て、1000℃で1時間焼成して角取りを施し前記酸化
亜鉛結晶粒子を球状化した。次いで絶縁性被膜形成工程
106において、硝酸コバルト0.25mol%及び硝
酸マンガン0.50mol%を水に溶解して水溶液と
し、この水溶液に前記酸化亜鉛結晶粒子粉末を分散し、
まず120℃で水分を蒸発させ前記酸化亜鉛結晶粒子に
金属被膜をコーティング後、200℃に昇温し金属被膜
を酸化し酸化物被膜を生成する。さらに1100℃で1
時間焼成し、酸化亜鉛結晶粒子の表面に無機質絶縁膜を
形成し、得られた粉末を乳鉢等で軽くほぐしバリスタ粒
子とした。First, in the granulation step 101, 0.003 mol% of aluminum as a dopant was added to a commercially available zinc oxide fine powder (particle diameter: 1 μm or less) using a V-type mixer. Next, in the sintering step 102, 1200 ° C.
For 1 hour to form a polycrystal containing crystal particles having an average particle size of about 6 μm. Next, in a pulverizing step 103, the polycrystal was pulverized. Subsequently, in a classifying step 104, classification was performed using an air classifier to obtain zinc oxide crystal particles having a particle size of 5 μm to 8 μm. Next, in the cornering firing step 105, the zinc oxide crystal particles were spheroidized by firing at 1000 ° C. for 1 hour to be squared. Next, in an insulating film forming step 106, 0.25 mol% of cobalt nitrate and 0.50 mol% of manganese nitrate are dissolved in water to form an aqueous solution, and the zinc oxide crystal particle powder is dispersed in the aqueous solution.
First, water is evaporated at 120 ° C. to coat the zinc oxide crystal particles with a metal coating, and then the temperature is raised to 200 ° C. to oxidize the metal coating to form an oxide coating. 1100 ° C
After firing for a time, an inorganic insulating film was formed on the surface of the zinc oxide crystal particles, and the obtained powder was lightly loosened in a mortar or the like to obtain varistor particles.
【0020】次に粉取り工程107を経て、インク化工
程108では、前記バリスタ粒子16重量部に対しガラ
スフリットを4重量部、有機バインダーとしてエチルセ
ルロース(粘度45cps)を1重量部、有機溶剤とし
てカルビトールを8重量部加えて混練しペースト化し
た。次に印刷工程109において、(図5)に示したよ
うにクロムからなる行電極11及び酸化インジウム・酸
化スズ(ITO)からなる画素電極12が予め設けられ
ているガラス基板10上に、上記ペーストを400メッ
シュのスクリーン印刷版を用いて所定形状に塗布し印刷
基板を得た。次に熱処理工程110において、印刷基板
を大気中の換気運転で350℃3時間の熱処理を施し
た。最後に焼成工程111において、420℃で1時間
焼成して固化させバリスタ素子13を得た。Next, after a powder removing step 107, in an ink forming step 108, 4 parts by weight of glass frit, 1 part by weight of ethyl cellulose (viscosity 45 cps) as an organic binder, and carbine as an organic solvent are added to 16 parts by weight of the varistor particles. 8 parts by weight of tall was added and kneaded to form a paste. Next, in a printing step 109, as shown in FIG. 5, the paste is placed on a glass substrate 10 on which a row electrode 11 made of chromium and a pixel electrode 12 made of indium oxide / tin oxide (ITO) are provided in advance. Was applied in a predetermined shape using a 400 mesh screen printing plate to obtain a printed substrate. Next, in a heat treatment step 110, the printed circuit board was subjected to a heat treatment at 350 ° C. for 3 hours in a ventilation operation in the air. Finally, in a firing step 111, the varistor element 13 was obtained by firing at 420 ° C. for 1 hour to solidify.
【0021】次に、上記の熱処理工程110についてさ
らに詳しく述べる。Next, the heat treatment step 110 will be described in more detail.
【0022】熱処理は、有機バインダーの燃焼温度以上
でかつガラスフリットの軟化点以下の温度で行う。The heat treatment is performed at a temperature higher than the combustion temperature of the organic binder and lower than the softening point of the glass frit.
【0023】本実施例では、有機バインダーとして燃焼
温度350℃であるエチルセルロース(粘度45cp
s)と、軟化点370℃の酸化鉛系ガラスフリットを用
いていることから、熱処理温度が350℃より低い場合
には、エチルセルロースの燃焼が不十分であり、また3
70℃よりも高い場合には、エチルセルロースが燃焼す
るのと同時にガラスフリットが軟化してしまうために、
燃焼したエチルセルロースが封じ込められて残留してし
まう。In the present embodiment, ethyl cellulose having a combustion temperature of 350 ° C. (viscosity of 45 cp) was used as the organic binder.
s) and the use of a lead oxide-based glass frit having a softening point of 370 ° C., when the heat treatment temperature is lower than 350 ° C., combustion of ethyl cellulose is insufficient, and
If the temperature is higher than 70 ° C., the glass frit will soften at the same time as the ethyl cellulose burns,
The burned ethyl cellulose is trapped and remains.
【0024】したがって、ここでは熱処理温度は350
℃〜370℃の範囲が適当である。尚、熱処理時間につ
いては、例えば熱処理温度が350℃の場合を(図2)
に示すように、(A)大気中で循環運転する条件のもと
では3時間以上、また(B)大気中で換気運転する条件
のもとでは1時間以上が好ましい。さらに、熱処理雰囲
気を酸素中とした場合には、前記大気中での場合より
も、短時間の熱処理で十分良好な結果が得られる。Therefore, the heat treatment temperature here is 350
A range of from 370C to 370C is suitable. The heat treatment time is, for example, when the heat treatment temperature is 350 ° C. (FIG. 2).
As shown in (1), it is preferable that (A) 3 hours or more under the condition of circulating operation in the atmosphere and (B) 1 hour or more under the condition of ventilation operation in the atmosphere. Furthermore, when the heat treatment atmosphere is in oxygen, a sufficiently good result can be obtained by heat treatment in a short time as compared with the case in the air.
【0025】次に、本発明の製造方法により得られたバ
リスタ素子の電気特性について述べる。周知のようにバ
リスタ素子の電流電圧特性は次式で示される。Next, the electrical characteristics of the varistor element obtained by the manufacturing method of the present invention will be described. As is well known, the current-voltage characteristic of the varistor element is expressed by the following equation.
【0026】[0026]
【数1】 (Equation 1)
【0027】ここで、Iはバリスタ素子に流れる電流、
Vはバリスタ素子の両電極間にかかる電圧、Kは固有抵
抗の抵抗値に相当する定数、そしてαはバリスタ素子の
電圧非直線特性の指数を示している。ちなみに、バリス
タ素子が優れた電気特性を有するということは、換言す
ると、より小さなバリスタ電圧Vcを有し、またより大
きな電圧非直線指数の特性α(通常α値と呼ばれる)を
有するといえる。尚、通常はバリスタ素子の特性のばら
つきの評価は、バリスタ電圧Vcの平均値に対するバリ
スタ電圧Vcのばらつきの割合を用いて行なわれる。Where I is the current flowing through the varistor element,
V is a voltage applied between both electrodes of the varistor element, K is a constant corresponding to the resistance value of the specific resistance, and α is an index of the voltage nonlinear characteristic of the varistor element. Incidentally, the fact that the varistor element has excellent electrical characteristics means that the varistor element has a smaller varistor voltage Vc and a larger voltage non-linear index characteristic α (usually called an α value). Normally, the evaluation of the variation in the characteristics of the varistor elements is performed using the ratio of the variation of the varistor voltage Vc to the average value of the varistor voltage Vc.
【0028】[0028]
【表1】 [Table 1]
【0029】(表1)には、本発明の製造方法により熱
処理を施して得られたバリスタ素子と、熱処理を施さな
い従来技術によるバリスタ素子との間で、バリスタ電圧
Vc、α値、そしてバリスタ電圧Vcのばらつきを比較
した結果を示したものである。これによると、本発明は
従来法と比較して、バリスタ電圧Vcのばらつきに関し
ては大幅に低減され、かつバリスタ電圧とα値とは共に
同程度の特性を確保できていることが明らかである。つ
まり本発明によって、高性能でありかつ素子間での特性
のばらつきが小さなバリスタ素子を得ることができてい
る。Table 1 shows the varistor voltage Vc, α value, and varistor value between the varistor element obtained by performing the heat treatment according to the manufacturing method of the present invention and the varistor element according to the prior art not subjected to the heat treatment. It shows the result of comparing the variation of the voltage Vc. According to this, it is apparent that the varistor voltage Vc of the present invention is greatly reduced as compared with the conventional method, and that both the varistor voltage and the α value have the same characteristics. That is, according to the present invention, it is possible to obtain a varistor element having high performance and small variation in characteristics between elements.
【0030】なお、本発明は液晶表示装置用のバリスタ
素子のみならず、一般的に用いられる厚膜バリスタ素子
の場合にも勿論適用することができる。The present invention can be applied not only to a varistor element for a liquid crystal display device but also to a generally used thick-film varistor element.
【0031】[0031]
【発明の効果】以上、詳細に説明してきたように、本発
明にかかわるバリスタ素子の製造方法によれば、素子間
での特性のばらつきが小さく、かつ個々のバリスタ素子
についてもバリスタ電圧は低く、電圧非線形特性は大き
い、すなわち全面に渡って電気特性にばらつきがないう
えに電気特性が優れたバリスタ素子の製造方法を提供す
ることができた。これによって、表示ムラがなく高コン
トラストである高画質な二端子素子型のアクティブマト
リクス方式の液晶表示装置を得ることが可能となった。As described above in detail, according to the method for manufacturing a varistor element according to the present invention, variation in characteristics among elements is small, and the varistor voltage is low for each varistor element. It is possible to provide a method for manufacturing a varistor element which has a large voltage non-linear characteristic, that is, has no variation in electric characteristics over the entire surface and has excellent electric characteristics. This makes it possible to obtain a two-terminal element type active matrix liquid crystal display device with high image quality and high contrast without display unevenness.
【0032】[0032]
【図1】本発明にかかわるバリスタ素子の製造方法の一
実施例の、工程を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory view showing steps in one embodiment of a method for manufacturing a varistor element according to the present invention.
【図2】本発明にかかわるバリスタ素子の製造方法の一
実施例の、熱処理温度350℃の場合の熱処理時間特性
を示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing heat treatment time characteristics at a heat treatment temperature of 350 ° C. in one example of a method for manufacturing a varistor element according to the present invention.
【図3】二端子素子型液晶表示装置の概略構成を示す等
価回路である。FIG. 3 is an equivalent circuit showing a schematic configuration of a two-terminal element type liquid crystal display device.
【図4】バリスタ素子の電圧電流特性を示す説明図であ
る。FIG. 4 is an explanatory diagram showing voltage-current characteristics of a varistor element.
【図5】一般的な液晶表示装置の平面図を示す説明図で
ある。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a plan view of a general liquid crystal display device.
【図6】一般的な液晶表示装置の画素電極付近の一区画
を平面図で示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing, in a plan view, a section near a pixel electrode of a general liquid crystal display device.
【図7】(図6)中の(イ)−(イ)の断面を示す説明
図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a cross section taken along (A)-(A) in (FIG. 6).
【図8】バリスタ粒子の断面図を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a cross-sectional view of varistor particles.
【図9】バリスタ素子の一例の(図7)中の要部を拡大
して示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing an enlarged main part of an example of the varistor element (FIG. 7).
10・・・絶縁基板 11・・・行電極 12・・・画素電極 13・・・バリスタ素子 13a・・・バリスタ粒子 13b・・・ガラスフリット 14・・・液晶 15・・・列電極 16・・・配向膜 17・・・絶縁基板(対向側) 18・・・偏光板 131・・・酸化亜鉛結晶粒子 132・・・無機質絶縁膜 A・・・大気中で循環運転した場合 B・・・大気中で換気運転した場合 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Insulating substrate 11 ... Row electrode 12 ... Pixel electrode 13 ... Varistor element 13a ... Varistor particle 13b ... Glass frit 14 ... Liquid crystal 15 ... Column electrode 16 ... -Alignment film 17 ... insulating substrate (opposite side) 18 ... polarizing plate 131 ... zinc oxide crystal particles 132 ... inorganic insulating film A ... when circulating in the air B ... air When ventilation operation is performed inside
Claims (2)
の液晶表示装置に用いるバリスタ素子の製造方法におい
て、少なくとも酸化亜鉛結晶粒子の表面に無機質絶縁膜
で被膜を施した粉末のバリスタ粒子、絶縁性のガラスフ
リットおよび有機バインダーを加えてペースト化されて
なるインクを、予め所定の電極を配した絶縁基板上に所
定のパターン形状に印刷し、その後該インクの一成分で
ある有機バインダーの燃焼温度以上でありかつ該インク
の一成分であるガラスフリットの軟化点以下の温度で熱
処理を施し、しかる後に焼成固化することを特徴とする
バリスタ素子の製造方法。1. A method of manufacturing a varistor element for use in a two-terminal element type active matrix type liquid crystal display device, comprising: a powdery varistor particle obtained by coating at least a surface of zinc oxide crystal particles with an inorganic insulating film; the ink with addition of glass frit and an organic binder formed by paste was printed in a predetermined pattern on an insulating substrate in which pre-arranged predetermined electrode, in a component of then the ink
An ink having a temperature equal to or higher than the combustion temperature of an organic binder and
One to facilities heat treatment at a temperature below the softening point of the glass frit is a component, the manufacturing method of the varistor element characterized that you fired and solidified thereafter the.
ることを特徴とする請求項1記載のバリスタ素子の製造
方法。2. The method according to claim 1, wherein the heat treatment is performed in an oxygen atmosphere.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6352292A JP3097282B2 (en) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | Varistor element manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6352292A JP3097282B2 (en) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | Varistor element manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05265048A JPH05265048A (en) | 1993-10-15 |
| JP3097282B2 true JP3097282B2 (en) | 2000-10-10 |
Family
ID=13231638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6352292A Expired - Fee Related JP3097282B2 (en) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | Varistor element manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3097282B2 (en) |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP6352292A patent/JP3097282B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05265048A (en) | 1993-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5235310A (en) | Varistor having interleaved electrodes | |
| JP3097282B2 (en) | Varistor element manufacturing method | |
| US4349496A (en) | Method for fabricating free-standing thick-film varistors | |
| JP3259318B2 (en) | Varistor element manufacturing method | |
| JP3306926B2 (en) | Varistor element manufacturing method | |
| JPH04295827A (en) | Production of varistor element | |
| JPH0713202A (en) | Method for manufacturing varistor element for liquid crystal display device | |
| JPH0555010A (en) | Manufacture of voltage-dependent nonlinear element | |
| JP2802770B2 (en) | Resistance composition | |
| JPH0442505A (en) | Manufacture of sintered body varistor element | |
| JPH04286101A (en) | Manufacture of varistor | |
| JP3208864B2 (en) | Liquid crystal display | |
| JPH04367829A (en) | Production of sintered-body varistor element | |
| JPH04106901A (en) | Varistor element | |
| JPS60220505A (en) | Transparent conductive film and its formation method | |
| JPH04133404A (en) | Manufacture of sintered varistor element | |
| DE3626585C2 (en) | ||
| JPH03165503A (en) | Manufacture of sintered varistor element | |
| JPH03165502A (en) | Manufacture of sintered varistor element | |
| JPH04283730A (en) | Active matrix substrate for liquid crystal display device | |
| JP2841586B2 (en) | Conductive paste | |
| JPH02277201A (en) | Voltage-dependent nonlinear resistor and its manufacture | |
| JPH04106902A (en) | Varistor element | |
| JPH0695160A (en) | Production of liquid crystal display device | |
| JPH06138493A (en) | Production of liquid crystal display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070811 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080811 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080811 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090811 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090811 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110811 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |