Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP3099451B2 - Foreign matter inspection device - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP3099451B2 - Foreign matter inspection device - Google Patents

Foreign matter inspection device

Info

Publication number
JP3099451B2
JP3099451B2 JP25087191A JP25087191A JP3099451B2 JP 3099451 B2 JP3099451 B2 JP 3099451B2 JP 25087191 A JP25087191 A JP 25087191A JP 25087191 A JP25087191 A JP 25087191A JP 3099451 B2 JP3099451 B2 JP 3099451B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
foreign matter
light
inspected
inspection device
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP25087191A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0587740A (en
Inventor
典昭 湯川
秀司 植田
大輔 大河原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP25087191A priority Critical patent/JP3099451B2/en
Publication of JPH0587740A publication Critical patent/JPH0587740A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3099451B2 publication Critical patent/JP3099451B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に用い
るホトマスク、半導体ウエハおよび液晶パネル等の主に
パターンが形成されている被検査物体の異物検出装置に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for detecting foreign matter on an object to be inspected on which a pattern is mainly formed, such as a photomask, a semiconductor wafer, and a liquid crystal panel used in a semiconductor manufacturing apparatus.
It relates.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体製造工程で、製品の信頼性
向上、歩留まり向上は重要な課題の一つである。高集積
半導体製造の初期工程での不良の大部分はプロセス中の
異物に起因する。そこで、これらを解決するために、高
速かつ高信頼性で異物を検査できる装置の開発が不可欠
である。
2. Description of the Related Art In recent years, in a semiconductor manufacturing process, improvement of product reliability and yield have been important issues. Most of the failures in the initial steps of the manufacture of highly integrated semiconductors are caused by foreign substances in the process. Therefore, in order to solve these problems, it is essential to develop a device capable of inspecting foreign substances at high speed and with high reliability.

【0003】従来、異物検査装置の多くはレーザ散乱光
の検出を基本とし、鏡面の被検査物を対象とする装置に
おいては、0.2μm程度の異物を検出することが可能
である。一方、パターン付きの被検査物を対象とする装
置においては、被検査物体に形成されているパターンと
付着している異物を区別することに様々な工夫を凝らし
被検査物体の異物を検出することを可能としており、
0.5μm程度の異物を検出することが可能である。
Conventionally, most foreign particle inspection devices basically detect laser scattered light, and a device for a mirror-surface inspection object can detect a foreign particle of about 0.2 μm. On the other hand, in an apparatus for an object to be inspected with a pattern, it is necessary to make various efforts to distinguish the pattern formed on the object to be inspected from the adhered foreign matter and detect the foreign matter of the object to be inspected. Is possible,
It is possible to detect a foreign substance of about 0.5 μm.

【0004】以下、図6を参照しながら、従来のパター
ン付きの被検査物を対象とする装置の一例として、偏向
レーザを照射したときのパターンエッジでの散乱光と、
異物での散乱光の偏向特性の違いを利用して検出を行う
パターン付きウエハ異物検査装置の説明をする。それぞ
れの図はS偏向レーザ照明光に対して、(a)は垂直な
パターンからの反射光が検光子よって消光されることを
示す図、(b)は角度を持つパターンからの反射光が対
物レンズに入射しないことを示す図、(c)は異物から
の散乱光だけが後出器に至ることを示す図であり、1は
S偏向レーザ照明、2はパターンからの反射光、3は検
出器、4は検光子、5は対物レンズ、6は異物である。
Hereinafter, with reference to FIG. 6, as an example of a conventional apparatus for inspecting a test object with a pattern, scattered light at a pattern edge when a deflection laser is irradiated,
A description will be given of a patterned wafer foreign matter inspection apparatus that performs detection by utilizing the difference in deflection characteristics of scattered light caused by foreign matter. In each figure, (a) shows that reflected light from a vertical pattern is quenched by an analyzer with respect to S-polarized laser illumination light, and (b) shows reflected light from an angled pattern. FIG. 4C shows that only the scattered light from the foreign matter reaches the follower, 1 shows S-deflection laser illumination, 2 shows reflected light from the pattern, and 3 shows detection. Reference numeral 4 denotes an analyzer, 5 denotes an objective lens, and 6 denotes a foreign substance.

【0005】図6(a)でS偏向レーザ光をウエハに対
して水平に照射する。このときウエハ上の照明光に対し
て垂直なパターンからの反射光は偏向が変化せず、S偏
向のまま対物レンズに進む。この反射光の偏向に対して
検光子は検光軸が垂直に配置されているので、反射光は
消光され、検出器に至らない。また、同図(b)に示す
ように、照明光に対して角度αを持つパターンからの反
射光は対物レンズに入らず検出されない。同図(c)で
は、異物に照明光が当たった場合で、異物からの反射光
は偏向が変化し、P偏向が生ずる。これらは検光子を通
過するので異物検出が可能となる。
In FIG. 6A, an S-deflection laser beam is irradiated horizontally on a wafer. At this time, the reflected light from the pattern perpendicular to the illumination light on the wafer does not change its deflection, and proceeds to the objective lens with S deflection. Since the analyzer has an analysis axis perpendicular to the deflection of the reflected light, the reflected light is extinguished and does not reach the detector. Further, as shown in FIG. 3B, reflected light from a pattern having an angle α with respect to the illumination light does not enter the objective lens and is not detected. In FIG. 3C, when the illumination light is applied to the foreign matter, the deflection of the reflected light from the foreign matter changes, and P deflection occurs. Since these pass through the analyzer, foreign substances can be detected.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来の構成では、要求
される精度で高信頼性に異物検査ができない。その理由
は次のようである。一般に、パターン付きウエハ,フォ
トマスク等のような被検査物上にレーザ光を照射したと
きには、被検査物上に付着した異物からは無指向に散乱
光が生じ、被検査物上に形成されたパターン、いわゆる
回路パターンのエッジ(クロム等の遮光部のエッジ)か
らは指向性をもった散乱光が生じる。そこで、パターン
のエッジによって生じる散乱光を考慮して、偏向などの
手段を用いて検出を行っていた。しかし、このような異
物の検出を行う装置では、フォトマスクにレーザ光が入
射したとき、その入射面でレーザ光が反射したり、回路
パターン以外の光透過部ではレーザ光が透過したりす
る。この反射、または透過したレーザ光は、装置内部で
さらに反射または散乱して前述の光電手段に達し、異物
が存在しないにもかかわらず、あたかも異物から散乱光
を受光したような光電信号を発生してしまう。
With the conventional configuration, it is impossible to reliably and reliably inspect foreign substances with required accuracy. The reason is as follows. Generally, when a test object such as a patterned wafer or a photomask is irradiated with a laser beam, scattered light is omnidirectionally generated from a foreign substance adhering to the test object and is formed on the test object. Scattered light having directivity is generated from an edge of a pattern, that is, a so-called circuit pattern (an edge of a light shielding portion such as chrome). Therefore, in consideration of the scattered light generated by the edge of the pattern, the detection is performed using a means such as deflection. However, in such an apparatus for detecting foreign matter, when laser light is incident on a photomask, the laser light is reflected on the incident surface, and the laser light is transmitted through a light transmitting portion other than the circuit pattern. The reflected or transmitted laser light is further reflected or scattered inside the device and reaches the above-mentioned photoelectric means, and generates a photoelectric signal as if scattered light was received from the foreign matter, even though there is no foreign matter. Would.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、被検査物体表
面に異なる複数方向からの光を同時あるいは順次照射
し、それぞれの形成する光情報を撮像素子に取り込み、
複数の得られた像を比較し被検査物体に形成されている
パターンと付着している異物を区別することにより被検
査物体の異物を検出する異物検査装置において、前記複
数画像の対応する画素の濃淡値のうち、最も小さい値を
出力することにより、被検査体の異物を検出することを
特徴とする。
According to the present invention, the surface of an object to be inspected is irradiated with light from a plurality of different directions simultaneously or sequentially , and the optical information formed by each is taken into an image sensor.
A foreign matter inspection apparatus for detecting foreign matter in an object to be inspected by comparing a plurality of obtained images and distinguishing a pattern formed on the object to be inspected from foreign matter adhering thereto ,
The smallest value among the gray values of the corresponding pixels of several images
Output to detect foreign matter in the test object.
Features.

【0008】[0008]

【作用】この構成によると、簡単に装置が構成でき高精
度・高信頼性で異物の検出ができる。これは、光の照射
方法を工夫し、得られる画像の処理方法を簡略化したた
めである。
According to this configuration, the apparatus can be easily configured, and foreign substances can be detected with high accuracy and high reliability. This is because the method of irradiating light was devised and the method of processing the obtained image was simplified.

【0009】[0009]

【実施例】本発明の異物検査装置を半導体ホトマスクを
対象に、照明としてレーザ光を使用した一実施例につい
て、図面を参照しながら説明する。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a foreign matter inspection apparatus according to the present invention, which uses a laser beam as illumination for a semiconductor photomask.

【0010】以下本発明の第1の発明を用いた一実施例
の基本的な装置構成及び処理方法を最初に示す。図1に
基本的な装置構成を示す。11は試料台、12はホトマ
スク、13はX軸に対し水平に設置され所定の入射角度
で被検査物体を照射することができるレーザ発振源、1
4はX軸に対し45度で設置された13と同様のレーザ
発振源、15はX軸に対し垂直に設置された13と同様
のレーザ発振源、16はX軸に対し135度で設置され
た13と同様のレーザ発振源、17は集光レンズ、18
は撮像素子、19は撮像素子のコントローラ、20は画
像処理装置、21は画像メモリ、22は被検査領域であ
る。ここで、ホトマスク12はX,Y軸に対し同方向の
パターンを有し、試料台11に設置されているものとす
る。また、レーザ発振源13〜16は瞬時に発振,停止
が可能であるものとする。また、撮像素子18が撮像し
ているホトマスク13の被検査領域全体を照射すること
が可能なスポット径でレーザ発振源13〜16は発振し
ているものとする。
Hereinafter, a basic apparatus configuration and a processing method of an embodiment using the first invention of the present invention will be described first. FIG. 1 shows a basic device configuration. Reference numeral 11 denotes a sample table, 12 denotes a photomask, 13 denotes a laser oscillation source which is provided horizontally with respect to the X axis and can irradiate an object to be inspected at a predetermined incident angle, 1
4 is a laser oscillation source similar to 13 installed at 45 degrees to the X axis, 15 is a laser oscillation source similar to 13 installed perpendicular to the X axis, and 16 is installed at 135 degrees to the X axis. A laser oscillation source similar to 13; 17 a condenser lens;
Denotes an image sensor, 19 denotes an image sensor controller, 20 denotes an image processing device, 21 denotes an image memory, and 22 denotes a region to be inspected. Here, it is assumed that the photomask 12 has a pattern in the same direction with respect to the X and Y axes, and is installed on the sample stage 11. It is assumed that the laser oscillation sources 13 to 16 can instantaneously oscillate and stop. Further, it is assumed that the laser oscillation sources 13 to 16 are oscillating at a spot diameter capable of irradiating the entire inspection area of the photomask 13 imaged by the imaging element 18.

【0011】まず、レーザ発振源13により被検査領域
を照射し撮像素子18を用いて画像を取り込む(以後、
これを画像1と称する)。次に、レーザ発振源14〜1
6より同様な処理を行い画像を取り込む(以後、これら
を画像2〜4と称する)。図2は、被検査領域を示す。
25はパターン、26は異物である。図3は、画像1〜
4を示す。図を見ると、画像1はY方向、画像3はX方
向のパターンが光っているのがわかる。一方、異物は画
像1〜4を通して光っているのがわかる。
First, an area to be inspected is illuminated by a laser oscillation source 13 and an image is captured using an image pickup device 18 (hereinafter referred to as an image).
This is called image 1). Next, the laser oscillation sources 14-1
6, the same processing is performed to capture images (hereinafter, these are referred to as images 2 to 4). FIG. 2 shows a region to be inspected.
25 is a pattern and 26 is a foreign substance. FIG.
4 is shown. It can be seen from the figure that the image 1 has a pattern in the Y direction and the image 3 has a pattern in the X direction. On the other hand, it can be seen that the foreign substance shines through the images 1 to 4.

【0012】次に、取り込んだ4つの画像の処理方法を
示す。図4に示すように、画像1〜4のそれぞれの対応
する画素を比較し、それらの濃淡値のうち最も小さい値
を出力とする。ただし、照明方向の違いからそれぞれの
画像の画素の対応を正確に取るために、平滑化処理、着
目画素の周囲の画素との比較を必要とする場合もある。
なお、図5は簡単のため同位置の画素の比較を3×3の
領域で64階調の濃淡値を比較する場合の例を示した。
このような処理を被検査領域ごとに行い、あるしきい値
以上の濃淡値をもつ画素を異物が存在する位置とみな
す。図5に示すように、この処理により異物のみが出力
画像に浮かび上がってくるのがわかる。これは、異物は
画像1〜4を通して出力されているのに対し、パターン
はレーザ入射方向に垂直なパターンのみが出力されてい
るのに着目している。
Next, a method for processing the four captured images will be described. As shown in FIG. 4, the corresponding pixels of the images 1 to 4 are compared, and the smallest value among those gray values is output. However, there is a case where a smoothing process and a comparison with a pixel around the target pixel are required in order to accurately determine the correspondence between the pixels of each image from the difference in the illumination direction.
For simplicity, FIG. 5 shows an example in which the pixels at the same position are compared with each other in a case of comparing the gradation values of 64 gradations in a 3 × 3 area.
Such processing is performed for each region to be inspected, and a pixel having a shading value equal to or higher than a certain threshold value is regarded as a position where a foreign substance exists. As shown in FIG. 5, it can be seen that only foreign matter appears in the output image by this processing. This focuses on the fact that foreign matter is output through the images 1 to 4, while only the pattern perpendicular to the laser incident direction is output.

【0013】以下本発明の第2の発明を用いた一実施例
を示す。第1の発明における装置において、レーザ入射
方向を最も必要な3方向までに限定しカラー対応の撮像
素子の3色に対応する波長のレーザ光を同時に照射し、
カラー対応の撮像素子に取り込む。これにより、光情報
の入力を効率的に行うことが可能である。
An embodiment using the second invention of the present invention will be described below. In the apparatus according to the first aspect, the laser incident direction is limited to the most necessary three directions, and the laser light of the wavelength corresponding to the three colors of the color-capable image sensor is simultaneously irradiated,
Take in the color-capable image sensor. This makes it possible to efficiently input optical information.

【0014】以下本発明の第3の発明を用いた一実施例
を示す。第1の発明における装置において、レーザ入射
方向を最も必要な3方向までに限定し異なる波長の複数
のレーザ光を同時に照射し、それぞれに対応するフィル
タを用いた3板式カメラあるいは2板式カメラで画像を
取り込み。これにより、光情報の入力を効率的に行うこ
とが可能である。
An embodiment using the third invention of the present invention will be described below. In the apparatus according to the first aspect of the present invention, the laser incident direction is limited to the most necessary three directions, a plurality of laser beams having different wavelengths are simultaneously irradiated, and an image is formed by a three-panel camera or a two-panel camera using a corresponding filter. Capture. This makes it possible to efficiently input optical information.

【0015】本発明の第2,3の発明により、前記画像
1〜3を同時に取り込むことが可能であり、本発明の3
つの発明を組み合わせることにより高速・高精度・高信
頼性な異物検査装置の構築が可能である。
According to the second and third aspects of the present invention, it is possible to simultaneously capture the images 1 to 3, and the third aspect of the present invention.
By combining the two inventions, it is possible to construct a high-speed, high-accuracy, and high-reliability foreign matter inspection apparatus.

【0016】なお、本発明の第1の発明における上記実
施例において、レーザ発振源を4つ設置したがハーフミ
ラ等を用いて単体のレーザ発振源から複数に分離して照
射させてもよい。また、レーザ光の発振,停止の方法も
特定しない。また、画像処理によってパターンを打ち消
すことができるのであればレーザ発振源の入射方向と数
については特定しない。また、レーザ光の波長は被検査
物からの反射光が撮像素子に反応する波長になるのであ
れば特定しない。また、スポット径についても撮像素子
の一視野以上の領域を照射できるのであれば特定しな
い。また、レーザ光の入射角度については微小な異物を
捕らえることができ、かつ画像処理によってパターンを
打ち消すことが可能な画像を得られる角度であれば特定
しない。また、画像処理における濃淡の諧調、しきい値
についても異物を認識できるようなものであれば特定し
ない。また、画像処理方法において得られた画像の対応
する画素の最小値に置き換えていく方法を示したが、パ
ターン及びノイズ等を打ち消すことが可能な処理方法で
あれば特定しない。
In the above embodiment of the first invention of the present invention, four laser oscillation sources are provided. However, a single laser oscillation source may be separated from a single laser oscillation source and irradiated using a half mirror or the like. Also, the method of oscillating and stopping the laser light is not specified. Further, the incident direction and the number of laser oscillation sources are not specified as long as the pattern can be canceled by image processing. Further, the wavelength of the laser beam is not specified as long as the wavelength of the reflected light from the object to be inspected responds to the image sensor. Also, the spot diameter is not specified as long as it can irradiate an area of one or more visual field of the image sensor. Further, the incident angle of the laser beam is not specified as long as it is an angle at which a minute foreign substance can be captured and an image capable of canceling a pattern by image processing can be obtained. Also, the gradation and threshold value of the image processing are not specified as long as the foreign matter can be recognized. In addition, although the method of replacing the image with the minimum value of the corresponding pixel of the image obtained by the image processing method has been described, any processing method that can cancel a pattern, noise, and the like is not specified.

【0017】また、本発明の第2の発明における上記実
施例において、使用するレーザの波長は反射光の波長が
カラー撮像素子の3色に対応するのであれば特定しな
い。
In the above embodiment of the second aspect of the present invention, the wavelength of the laser used is not specified as long as the wavelength of the reflected light corresponds to the three colors of the color image sensor.

【0018】また、本発明の際3の発明における上記実
施例において、照射する各波長のレーザ光が干渉せず、
かつ被検査物からの反射光が各撮像素子に反応する波長
になるのであれば特定しない。
In the above embodiment of the third aspect of the present invention, the laser light of each wavelength to be irradiated does not interfere,
If the reflected light from the inspection object has a wavelength that responds to each image sensor, no specification is made.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、簡単に装
置が構成でき、高精度・高信頼性で異物の検出が可能で
ある。本発明の用いた装置及び処理方法の実験による
と、撮像素子の1画素の担当する領域は実際の異物のサ
イズよりも4〜9倍程度広くすることが可能であること
がわかっている。これは、コヒレント光である強いレー
ザ光を被検査物に照射しているため異物の散乱光が異物
のサイズよりも広がり、撮像素子には実際の異物のサイ
ズ以上に反応するためである。これにより、効率的なレ
ーザ照射方法及び高速画像処理方法を組み合わせること
により、100×100mmのフォトマスクの最小0.5
μmの異物を検出させる場合を例にとると、4分程度で
処理が可能であることがわかっている。さらに、装置構
成を複数もたせる等の工夫によりさらなる処理速度の向
上が可能である。また、検出対象の異物のサイズに合わ
せて集光レンズの倍率を変更することにより、簡単に装
置の変更が可能である。また、従来方法と異なり検出器
に撮像素子を用いているため、簡単に異物の形状・内容
等も認識することが可能である。
As described above, according to the present invention, an apparatus can be simply constructed, and foreign objects can be detected with high accuracy and high reliability. According to experiments of the apparatus and the processing method used in the present invention, it has been found that the area assigned to one pixel of the image sensor can be about 4 to 9 times larger than the actual size of the foreign matter. This is because the scattered light of the foreign matter spreads more than the size of the foreign matter because the intense laser light that is the coherent light is applied to the object to be inspected, and the image pickup element reacts to the size of the actual foreign matter or more. Thus, by combining an efficient laser irradiation method and a high-speed image processing method, a minimum of 0.5 × 100 × 100 mm photomask can be achieved.
In the case of detecting a foreign matter of μm as an example, it is known that the processing can be performed in about 4 minutes. Further, the processing speed can be further improved by devising a plurality of device configurations. Further, by changing the magnification of the condenser lens in accordance with the size of the foreign matter to be detected, the apparatus can be easily changed. Also, unlike the conventional method, since the image sensor is used for the detector, it is possible to easily recognize the shape and content of the foreign matter.

【0020】半導体製造工程において異物の混入による
影響は大きく、以前から高速かつ高信頼性で異物を検査
できる装置に対する要求が非常に高かった。このため、
本発明による効果は非常に大きいと思われる。
In the semiconductor manufacturing process, the influence of foreign matter is great, and there has been a great demand for a device capable of inspecting foreign matter at high speed and with high reliability. For this reason,
The effect of the present invention seems to be very large.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】基本構成を示す図FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration.

【図2】被検査領域を示す図FIG. 2 is a diagram showing a region to be inspected;

【図3】入力画像を示す図FIG. 3 is a diagram showing an input image.

【図4】画像処理方法を示す図FIG. 4 is a diagram showing an image processing method.

【図5】画像処理の結果を示す図FIG. 5 is a diagram showing a result of image processing;

【図6】従来の異物検査装置を示す図FIG. 6 is a diagram showing a conventional foreign matter inspection device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

13 レーザ発振源 14 レーザ発振源 15 レーザ発振源 16 レーザ発振源 17 集光レンズ 18 撮像素子 19 撮像素子のコントローラ 20 画像処理装置 21 画像メモリ 22 被検査領域学習更新回 13 Laser Oscillation Source 14 Laser Oscillation Source 15 Laser Oscillation Source 16 Laser Oscillation Source 17 Condensing Lens 18 Image Sensor 19 Image Sensor Controller 20 Image Processor 21 Image Memory 22 Inspection Area Learning Update

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−253222(JP,A) 特開 平1−117024(JP,A) 特開 平1−263539(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 21/956 G06T 7/00 H01L 21/66 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-60-253222 (JP, A) JP-A 1-1117024 (JP, A) JP-A 1-263539 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 7 , DB name) G01N 21/956 G06T 7/00 H01L 21/66

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 被検査物体表面に異なる複数方向からの
光を同時あるいは順次照射し、それぞれの形成する光情
報を撮像素子に取り込み、複数の得られた像を比較し被
検査物体に形成されているパターンと付着している異物
を区別することにより被検査物体の異物を検出する異物
検査装置において、前記複数画像の対応する画素の濃淡
値のうち、最も小さい値を出力することにより、被検査
体の異物を検出することを特徴とする異物検査装置。
1. A surface of an object to be inspected is irradiated simultaneously or sequentially with light from a plurality of different directions, light information formed by each is taken into an image pickup device, and a plurality of obtained images are compared and formed on the object to be inspected. Foreign matter that detects foreign matter in the inspected object by distinguishing the pattern that is
In the inspection device, the shade of a corresponding pixel of the plurality of images is
By outputting the smallest value among the values,
A foreign matter inspection device for detecting foreign matter on a body.
【請求項2】 前記装置において、カラー対応の撮像素
子の3色に対応する波長の光を同時に照射し、カラー対
応の撮像素子に取り込み、光情報の入力を効率的に行う
ことを特徴とする請求項1記載の異物検査装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein light of wavelengths corresponding to three colors of the color-capable image sensor is simultaneously irradiated, taken into the color-capable image sensor, and input of optical information is efficiently performed. The foreign matter inspection device according to claim 1.
【請求項3】 前記装置において、異なる波長の複数の
光を同時に照射し、それぞれに対応するフィルタを通し
て複数の撮像素子に取り込み、光情報の入力を効率的に
行うことを特徴とする請求項1記載の異物検査装置。
3. The apparatus according to claim 1, wherein a plurality of light beams having different wavelengths are radiated at the same time, taken into a plurality of image pickup devices through respective filters, and optical information is input efficiently. The foreign matter inspection device described in the above.
JP25087191A 1991-09-30 1991-09-30 Foreign matter inspection device Expired - Fee Related JP3099451B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25087191A JP3099451B2 (en) 1991-09-30 1991-09-30 Foreign matter inspection device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25087191A JP3099451B2 (en) 1991-09-30 1991-09-30 Foreign matter inspection device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0587740A JPH0587740A (en) 1993-04-06
JP3099451B2 true JP3099451B2 (en) 2000-10-16

Family

ID=17214252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25087191A Expired - Fee Related JP3099451B2 (en) 1991-09-30 1991-09-30 Foreign matter inspection device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3099451B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002139451A (en) * 2000-08-04 2002-05-17 Nikon Corp Surface inspection equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0587740A (en) 1993-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4952058A (en) Method and apparatus for detecting abnormal patterns
US7397552B2 (en) Optical inspection with alternating configurations
US5659390A (en) Method and apparatus for detecting particles on a surface of a semiconductor wafer having repetitive patterns
US8416292B2 (en) Defect inspection apparatus and method
US4922308A (en) Method of and apparatus for detecting foreign substance
US7355690B2 (en) Double inspection of reticle or wafer
US11138722B2 (en) Differential imaging for single-path optical wafer inspection
KR920007196B1 (en) Method and apparatus for detecting foreign matter
US4800282A (en) Apparatus and method for detecting residual organic compounds
JP3087384B2 (en) Foreign matter inspection device
US7767982B2 (en) Optical auto focusing system and method for electron beam inspection tool
KR20010021381A (en) Defect inspection method and device thereof
JP3185878B2 (en) Optical inspection equipment
JP2003017536A (en) Pattern inspection method and inspection apparatus
JP3332096B2 (en) Defect inspection method and apparatus
JP4822103B2 (en) Inspection apparatus, inspection method, and pattern substrate manufacturing method
JP3099451B2 (en) Foreign matter inspection device
JPH11201743A (en) Foreign matter defect inspection method and apparatus
JPS61260632A (en) Foreign matter detector
JPH0682373A (en) Defect inspection method
JPH07128250A (en) Foreign matter inspection device for photomask for manufacturing semiconductor device
JP3410013B2 (en) Defect or foreign matter inspection method and apparatus
JPH0646182B2 (en) Apparatus and method for inspecting foreign matter on mask
US7457454B1 (en) Detailed grey scale inspection method and apparatus
JP3336392B2 (en) Foreign matter inspection apparatus and method

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees