JP3104097B2 - Manufacturing method of magnetic recording medium - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、磁性層を有する非磁性
支持体上にスパッタリング法により保護膜を形成する磁
気記録媒体の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a magnetic recording medium in which a protective film is formed on a non-magnetic support having a magnetic layer by a sputtering method.
【0002】[0002]
【従来の技術】金属あるいはCo−Ni等の合金からな
る磁性材料をメッキや真空薄膜形成技術(真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法等)により
ポリエステルフィルムやポリイミドフィルム等の非磁性
支持体上に直接被着した、所謂強磁性金属薄膜型の磁気
記録媒体は、保磁力、角形比等に優れ、短波長域におけ
る電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の薄膜化
が可能であるために記録減磁や再生時の厚み損失が著し
く小さいこと、或いは磁性層中に非磁性材料である結合
剤等を混入する必要がないために磁性材料の充填密度を
高くできること等、数々の利点を有している。2. Description of the Related Art Plating and vacuum thin film forming techniques (vacuum vapor deposition,
A magnetic recording medium of the so-called ferromagnetic metal thin film type, which is directly deposited on a non-magnetic support such as a polyester film or a polyimide film by a sputtering method or an ion plating method, has excellent coercive force, squareness ratio, etc. In addition to having excellent electromagnetic conversion characteristics in the wavelength range, the thickness of the magnetic layer can be reduced, so that recording demagnetization and thickness loss during reproduction are extremely small, or a binder that is a nonmagnetic material in the magnetic layer There are a number of advantages, such as the fact that it is not necessary to mix the magnetic material to increase the packing density of the magnetic material.
【0003】この強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体にお
いては、電磁変換特性の向上を図りより大きな出力を確
保するために、磁性層の成膜手段として真空蒸着法が採
用されており、典型的には、移動走行される非磁性支持
体の表面に対して蒸発せしめられた磁性材料を斜め方向
から入射させて被着せしめる、所謂斜方蒸着法が用いら
れている。In this ferromagnetic metal thin film type magnetic recording medium, a vacuum evaporation method is employed as a means for forming a magnetic layer in order to improve electromagnetic conversion characteristics and secure a larger output. A so-called oblique evaporation method is used in which a magnetic material evaporated from the surface of a moving non-magnetic support is incident on the surface of the non-magnetic support from an oblique direction and is deposited.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体においては、特に耐久
性や耐錆性が問題とされており、従来より潤滑剤や防錆
剤等の有機材料の塗膜よりなる潤滑剤層を磁性層上に形
成する方法や、磁性層を形成する前に非磁性支持体の表
面に微粒子を含有する下塗り膜を形成する方法等が検討
されている。Incidentally, in such a magnetic recording medium of the ferromagnetic metal thin film type, particularly, durability and rust resistance are considered to be problems. A method of forming a lubricant layer composed of a coating film of an organic material on a magnetic layer and a method of forming an undercoat film containing fine particles on the surface of a nonmagnetic support before forming a magnetic layer are being studied. .
【0005】ところが、これら潤滑剤層や下塗り膜を形
成する方法では、特殊な環境下での使用や業務用として
の使用においては、満足な特性を得ることができず、新
たな手法として真空薄膜形成手段による表面保護膜の検
討が行われている。しかしながら、単純に単一のターゲ
ットを用いて保護膜を成膜したのでは、満足し得る特性
を発揮する保護膜を形成することができず、その改善が
望まれている。However, these methods of forming a lubricant layer and an undercoat film cannot provide satisfactory characteristics when used in a special environment or for business use. A study has been made on a surface protective film by forming means. However, if a protective film is simply formed using a single target, a protective film exhibiting satisfactory characteristics cannot be formed, and its improvement is desired.
【0006】そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、特殊な使用条件下でも良好な
耐久性、耐錆性を有する磁気記録媒体の製造方法を提供
することを目的とする。Accordingly, the present invention has been proposed in view of the above-mentioned conventional circumstances, and it is an object of the present invention to provide a method for producing a magnetic recording medium having good durability and rust resistance even under special use conditions. Aim.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の成膜方法及び磁
気記録媒体の製造方法は、上述の目的を達成するために
提案されたものである。即ち、本願の第1の発明は、非
磁性支持体上に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜
を形成し、この強磁性金属薄膜上にスパッタリング法に
より保護膜を形成する磁気記録媒体の製造方法におい
て、上記保護膜を成膜するに際し、真空チャンバ内に配
設されるキャンの周囲に複数のターゲットを配し、隣接
するターゲット間にプラズマを分断する機構を設けるこ
とを特徴とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION A film forming method and a method of manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention have been proposed to achieve the above-mentioned objects. That is, the first invention of the present application is a method for manufacturing a magnetic recording medium in which a ferromagnetic metal thin film is formed on a nonmagnetic support by a vacuum thin film forming technique, and a protective film is formed on the ferromagnetic metal thin film by a sputtering method. Wherein, when forming the protective film, a plurality of targets are arranged around a can provided in a vacuum chamber, and a mechanism for dividing plasma between adjacent targets is provided. .
【0008】また、本願の第2の発明は、非磁性支持体
上に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を形成し、
この強磁性金属薄膜上にスパッタリング法により保護膜
を形成する磁気記録媒体の製造方法において、上記保護
膜を成膜するに際し、真空チャンバ内に配設されるキャ
ンの周囲に複数のターゲットを配し、各ターゲットに独
立した電源を配することを特徴とするものである。In a second aspect of the present invention, a ferromagnetic metal thin film is formed on a nonmagnetic support by a vacuum thin film forming technique,
In the method for manufacturing a magnetic recording medium in which a protective film is formed on the ferromagnetic metal thin film by a sputtering method, a plurality of targets are arranged around a can provided in a vacuum chamber when forming the protective film. In addition, an independent power supply is provided for each target.
【0009】更に、本願の第3の発明は、非磁性支持体
上に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を形成し、
この強磁性金属薄膜上にスパッタリング法により保護膜
を形成する磁気記録媒体の製造方法において、上記保護
膜を成膜するに際し、真空チャンバ内に配設されるキャ
ンの周囲に複数のターゲットを配し、複数の保護膜を積
層形成するとともに、最下層の保護膜の成膜時に上記非
磁性支持体を加熱することを特徴とするものである。Further, the third invention of the present application is to form a ferromagnetic metal thin film on a non-magnetic support by a vacuum thin film forming technique,
In the method for manufacturing a magnetic recording medium in which a protective film is formed on the ferromagnetic metal thin film by a sputtering method, a plurality of targets are arranged around a can provided in a vacuum chamber when forming the protective film. A plurality of protective films are formed in layers, and the nonmagnetic support is heated when the lowermost protective film is formed.
【0010】本発明の磁気記録媒体の製造方法におい
て、磁性層は真空薄膜形成技術により成膜される強磁性
金属薄膜からなる。上記真空薄膜形成技術としては、真
空下で強磁性金属材料を加熱し蒸発させて非磁性支持体
上に蒸着させる真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を
放電中で行うイオンプレーティング法、Arガスを主成
分とする雰囲気中でブロー放電を起こし、発生したAr
イオンでターゲット表面をたたき出すスパッタリング法
等所謂PVD技術が何れも使用可能であるが、真空蒸着
法が好適であり、典型的には斜方蒸着法が使用される。In the method for manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention, the magnetic layer comprises a ferromagnetic metal thin film formed by a vacuum thin film forming technique. As the above vacuum thin film forming technique, a vacuum evaporation method in which a ferromagnetic metal material is heated and evaporated under vacuum to be deposited on a non-magnetic support, an ion plating method in which a ferromagnetic metal material is evaporated in a discharge, Blow discharge occurs in an atmosphere containing Ar gas as a main component, and the generated Ar
Any of the so-called PVD techniques such as a sputtering method in which the target surface is hit with ions can be used, but a vacuum evaporation method is preferable, and an oblique evaporation method is typically used.
【0011】この斜方蒸着法とは、内部が所定の真空状
態に保たれた真空チャンバ内に所定の方向に回転するよ
うになされた冷却キャンを配設し、この冷却キャンの外
周面に沿って非磁性支持体を定速走行させながら、所定
の加熱手段により加熱され蒸発せしめられた強磁性金属
材料を上記非磁性支持体の表面に対してある入射角をな
す方向から入射させて蒸着せしめる方法である。In the oblique deposition method, a cooling can rotated in a predetermined direction is disposed in a vacuum chamber in which a predetermined vacuum state is maintained, and the cooling can is arranged along an outer peripheral surface of the cooling can. While the non-magnetic support is traveling at a constant speed, the ferromagnetic metal material heated and evaporated by a predetermined heating means is incident on the surface of the non-magnetic support from a direction at an angle of incidence to be deposited. Is the way.
【0012】この強磁性金属薄膜の構成材料である強磁
性金属材料としては、通常この種の磁気記録媒体の構成
材料として使用されるものが何れも使用可能である。具
体的に例示すれば、Fe、Co、Ni等の磁性金属や、
Fe−Co、Co−Ni、Fe−Co−Ni、Fe−C
u、Co−Cu、Co−Au、Co−Pt、Mn−B
i、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−C
r、Fe−Co−Cr、Co−Ni−Cr、Fe−Co
−Ni−Cr等の強磁性合金が挙げられる。As the ferromagnetic metal material which is a constituent material of the ferromagnetic metal thin film, any one which is usually used as a constituent material of this type of magnetic recording medium can be used. Specifically, magnetic metals such as Fe, Co, and Ni,
Fe-Co, Co-Ni, Fe-Co-Ni, Fe-C
u, Co-Cu, Co-Au, Co-Pt, Mn-B
i, Mn-Al, Fe-Cr, Co-Cr, Ni-C
r, Fe-Co-Cr, Co-Ni-Cr, Fe-Co
Ferromagnetic alloys such as -Ni-Cr.
【0013】なお、このような強磁性金属薄膜は、単層
のみとされても良く、複数層積層形成されても良い。ま
た、この強磁性金属薄膜と非磁性支持体の間、或いは該
強磁性金属薄膜を複数層形成する場合には各強磁性金属
薄膜間には、下層に対する付着力の向上及び抗磁力の制
御を図るために、下地層や中間層を設けても良い。更
に、この強磁性金属薄膜は、耐蝕性を向上させるため
に、表面近傍に酸素が導入されていても良い。Incidentally, such a ferromagnetic metal thin film may have only a single layer or a multilayer structure. Further, between the ferromagnetic metal thin film and the non-magnetic support, or between the ferromagnetic metal thin films when a plurality of the ferromagnetic metal thin films are formed, the improvement of the adhesion to the lower layer and the control of the coercive force are controlled. For the purpose, an underlayer or an intermediate layer may be provided. Further, the ferromagnetic metal thin film may have oxygen introduced near the surface in order to improve corrosion resistance.
【0014】本発明では、この磁性層の成膜後、得られ
た磁性層の表面にスパッタリング法により保護膜を形成
する。この保護膜の成膜に際して、通常は真空チャンバ
内において磁性層が成膜された非磁性支持体を送り側か
ら巻取り側に向かって移動走行させる中途に、所定の温
度に冷却(又は加熱)されたキャンを配設し、このキャ
ンの外周面に沿って移動走行される非磁性支持体に対し
てスパッタリングを行っている。In the present invention, after forming the magnetic layer, a protective film is formed on the surface of the obtained magnetic layer by a sputtering method. During the formation of the protective film, the non-magnetic support on which the magnetic layer is formed is usually cooled (or heated) to a predetermined temperature in the course of moving and moving the non-magnetic support from the feed side to the winding side in a vacuum chamber. The can is provided, and sputtering is performed on a non-magnetic support that is moved along the outer peripheral surface of the can.
【0015】本発明では、複数のターゲットを使用し、
これらターゲットを上記キャンの周囲に配設する。そし
て、隣接するターゲット間にプラズマを分断する機構を
設けたり、各ターゲットに独立した電源を配したり、或
いは保護膜を多層化して、最下層の保護膜の成膜時に非
磁性支持体を加熱することにより、耐久性が著しく向上
される。In the present invention, a plurality of targets are used,
These targets are arranged around the can. Then, a mechanism for dividing the plasma between adjacent targets is provided, an independent power supply is provided for each target, or a multi-layered protective film is used to heat the non-magnetic support when the lowermost protective film is formed. By doing so, the durability is significantly improved.
【0016】本願の第1の発明において、上記プラズマ
を分断する機構としては、各ターゲットの周囲に発生す
るプラズマを遮蔽することが可能な機構であれば特に限
定されるものではなく、例えばステンレスや金属からな
るプラズマ遮蔽板等が使用可能である。In the first invention of the present application, the mechanism for dividing the plasma is not particularly limited as long as it can shield the plasma generated around each target. A plasma shielding plate made of metal or the like can be used.
【0017】上記保護膜の構成材料としては、通常使用
される保護膜材料が何れも使用可能であり、例えばSi
O2 、Si3 N4 、SiNx 、BN、カーボン、ZnO
2 、Al2 O3 、MoS2 、SiO、CrO2 、Co酸
化物、MgO、SiC、SiNx −SiO2 、Ti
O2 、TiC等が挙げられる。As the constituent material of the protective film, any of the commonly used protective film materials can be used.
O 2 , Si 3 N 4 , SiN x , BN, carbon, ZnO
2 , Al 2 O 3 , MoS 2 , SiO, CrO 2 , Co oxide, MgO, SiC, SiN x —SiO 2 , Ti
O 2 , TiC and the like can be mentioned.
【0018】なお、上記非磁性支持体としては、通常こ
の種の磁気記録媒体において使用されるものが何れも使
用可能である。具体的に例示するならば、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタレート
等のポリエステル樹脂や芳香族ポリアミドフィルム、ポ
リイミド樹脂フィルム等が挙げられる。また、本発明の
磁気記録媒体の製造方法においては、必要に応じて、上
記非磁性支持体上に下塗り膜を形成する工程やバックコ
ート層、トップコート層等を形成する工程等を加えても
良い。この場合、下塗り膜、バックコート層、トップコ
ート層等の成膜条件は、通常この種の磁気記録媒体の製
造方法に適用される方法であれば良く、特に限定されな
い。As the nonmagnetic support, any of those usually used in this type of magnetic recording medium can be used. Specific examples include polyester resins such as polyethylene terephthalate and polyethylene-2,6-naphthalate, aromatic polyamide films, and polyimide resin films. Further, in the method for producing a magnetic recording medium of the present invention, if necessary, a step of forming an undercoat film on the non-magnetic support and a step of forming a back coat layer, a top coat layer, and the like may be added. good. In this case, the conditions for forming the undercoat film, the back coat layer, the top coat layer, and the like are not particularly limited as long as they are generally applied to the method of manufacturing this type of magnetic recording medium.
【0019】[0019]
【作用】非磁性支持体上に形成される強磁性金属薄膜上
にスパッタリング法により保護膜を形成する際に、複数
のターゲットをキャンの周囲に配設するとともに、隣接
するターゲット間にプラズマを分断する機構を設けた
り、各ターゲットに独立した電源を配したり、或いは保
護膜を多層化して、最下層の保護膜の成膜時に非磁性支
持体を加熱することにより、耐久性が著しく向上する。When forming a protective film on a ferromagnetic metal thin film formed on a non-magnetic support by a sputtering method, a plurality of targets are arranged around a can and plasma is divided between adjacent targets. The durability is significantly improved by providing a mechanism for performing the operation, distributing an independent power supply to each target, or forming a multi-layered protective film and heating the nonmagnetic support when forming the lowermost protective film. .
【0020】[0020]
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて説明する。先ず、本実施例において保護膜の成膜時
に使用したスパッタ装置の基本構成について説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific embodiments to which the present invention is applied will be described. First, the basic configuration of a sputtering apparatus used in forming a protective film in this embodiment will be described.
【0021】この製造装置においては、図1に示すよう
に、上面1aと底面1bにそれぞれ設けられた排気口1
5a,15bから排気されて内部が所定の真空度に保た
れた真空室1内の図中上方に、ともに図中時計回り方向
に定速回転するようになされた送りロール3と巻取りロ
ール4がそれぞれ配設される。これら送りロール3と巻
取りロール4は、上記真空室1の相対向する側面1c,
1dの近傍にそれぞれ配設され、上記送りロール3から
巻取りロール4に磁性層が形成されたテープ状の非磁性
支持体2が順次走行するようになされている。In this manufacturing apparatus, as shown in FIG. 1, exhaust ports 1 provided on an upper surface 1a and a bottom surface 1b are provided.
A feed roll 3 and a take-up roll 4, which are evacuated from 5 a and 15 b and are rotated at a constant speed clockwise in FIG. Are respectively arranged. The feed roll 3 and the take-up roll 4 are formed by opposing side surfaces 1 c of the vacuum chamber 1.
1d, the tape-shaped non-magnetic support 2 having a magnetic layer formed on the feed roll 3 and the take-up roll 4 is sequentially run from the feed roll 3 to the take-up roll 4.
【0022】この非磁性支持体2が上記送りロール3か
ら巻取りロール4に亘って走行される中途部には、上記
送りロール3、巻取りロール4よりも大径となされたキ
ャン5が配設される。このキャン5は、上記送りロール
3及び巻取りロール4より図中下方に設けられ、図中時
計回り方向に定速回転するようになされている。In the middle of the travel of the non-magnetic support 2 from the feed roll 3 to the take-up roll 4, a can 5 having a larger diameter than the feed roll 3 and the take-up roll 4 is provided. Is established. The can 5 is provided below the feed roll 3 and the take-up roll 4 in the figure, and rotates at a constant speed in the clockwise direction in the figure.
【0023】このキャン5は、上記送りロール3及び巻
取りロール4とともに上記非磁性支持体2の幅と略同じ
長さかならなる円筒状をなすものであり、その内部には
図示しない冷却装置(又は加熱装置)が配設され、これ
により所定の温度に冷却(又は加熱)されて、スパッタ
リング時の熱による上記非磁性支持体2の変形を防止す
るような構成とされている。The can 5 together with the feed roll 3 and the take-up roll 4 is formed in a cylindrical shape having a length substantially equal to the width of the non-magnetic support 2, and has a cooling device (not shown) inside. Or a heating device), which is cooled (or heated) to a predetermined temperature to prevent deformation of the nonmagnetic support 2 due to heat during sputtering.
【0024】従って、上記非磁性支持体2は、上記送り
ロール3から順次送り出され、上記キャン5の外周面に
沿って走行し、このキャン5上でスパッタ加工がなされ
て、更に上記巻取りロール4に巻き取られていくように
なされている。なお、上記送りロール3と上記キャン5
との間、及びこのキャン5と上記巻取りロール4との間
には、上記送りロール3及び巻取りロール4よりも小径
となされたガイドロール6,7が設けられている。これ
らガイドロール6,7は、上記送りロール2から順次送
り出された上記非磁性支持体2に所定のテンションをか
け、円滑な走行が行えるようになされている。Accordingly, the non-magnetic support 2 is sequentially sent out from the feed roll 3 and travels along the outer peripheral surface of the can 5. 4 and so on. The feed roll 3 and the can 5
, And between the can 5 and the winding roll 4, guide rolls 6 and 7 having a smaller diameter than the feed roll 3 and the winding roll 4 are provided. These guide rolls 6 and 7 apply a predetermined tension to the non-magnetic support 2 sequentially fed from the feed roll 2 so as to be able to run smoothly.
【0025】一方、上記真空室1内には、上記キャン5
の周囲にカソード電極8a,8b,8cが配設され、こ
れらカソード電極8a,8b,8c上にカーボンからな
るターゲット9a,9b,9cがそれぞれ固定されてい
る。これらターゲット9a,9b,9cは、上記キャン
5の周面に対向して配設され、該キャン5の長手方向の
幅と略同一の幅を有してなる。On the other hand, in the vacuum chamber 1, the can 5
Are provided around the cathode electrodes 8a, 8b, 8c, and carbon targets 9a, 9b, 9c are fixed on the cathode electrodes 8a, 8b, 8c, respectively. These targets 9a, 9b, 9c are disposed facing the peripheral surface of the can 5, and have a width substantially equal to the width of the can 5 in the longitudinal direction.
【0026】また、この真空室1には、上記側面1dを
貫通してガス導入口14が設けられており、このガス導
入口14を介して外部から所定のスパッタガスを導入す
るように構成されている。The vacuum chamber 1 is provided with a gas inlet 14 penetrating through the side surface 1d, and a predetermined sputtering gas is introduced from the outside through the gas inlet 14. ing.
【0027】従って、このような製造装置においては、
上記ターゲット9a,9b,9cからはじき出されたカ
ーボンが上記キャン5の周囲を通過する非磁性支持体2
上の磁性層表面に対して被着され、保護膜として形成さ
れるようになされている。そこで、以上のような構成を
有する製造装置を用い、下記の手順に従って各種磁気テ
ープを作製した。Therefore, in such a manufacturing apparatus,
The non-magnetic support 2 in which carbon repelled from the targets 9a, 9b, 9c passes around the can 5
It is applied to the surface of the upper magnetic layer and is formed as a protective film. Then, various magnetic tapes were produced according to the following procedures using the manufacturing apparatus having the above configuration.
【0028】実験例1 本実験例は、保護膜を成膜する際に、隣接するターゲッ
ト間にプラズマ遮蔽板をそれぞれ設けた例である。 Experimental Example 1 In this experimental example, a plasma shielding plate was provided between adjacent targets when forming a protective film.
【0029】先ず、厚さ10μm、幅150mmのポリ
エチレンテレフタレートフィルムをベースフィルムとし
て用い、このベースフィルムの一主面上にアクリルエス
テルを主成分とする水溶性ラテックスを表面突起密度が
1000万個/mm2 となるように塗布した。そして、
内部が真空度7×10-2Paに保たれた真空チャンバー
内において斜方蒸着を行って上記ベースフィルム上に強
磁性金属薄膜を成膜した。First, a polyethylene terephthalate film having a thickness of 10 μm and a width of 150 mm was used as a base film, and a water-soluble latex containing acrylic ester as a main component was formed on one main surface of the base film with a surface projection density of 10 million / mm. 2 was applied. And
A ferromagnetic metal thin film was formed on the base film by oblique deposition in a vacuum chamber whose inside was maintained at a degree of vacuum of 7 × 10 −2 Pa.
【0030】即ち、上記真空チャンバー内において、巻
き出し側から送り出された上記ベースフィルムを上記真
空チャンバー内の略中央部に設けられた冷却キャンの外
周面に沿って0.17m/秒の速度で走行させながら、
ルツボ内に充填された磁性材料(Co80Ni20合金:数
値は重量%を表す。)を所定の加熱手段により加熱溶融
し、この蒸発せしめられた磁性材料を上記ベースフィル
ム上に被着させて膜厚が0.2μmとなるように強磁性
金属薄膜を成膜した。That is, in the vacuum chamber, the base film fed from the unwinding side is moved at a speed of 0.17 m / sec along the outer peripheral surface of a cooling can provided substantially at the center of the vacuum chamber. While running,
The magnetic material (Co 80 Ni 20 alloy: numerical value represents% by weight) filled in the crucible is heated and melted by a predetermined heating means, and the evaporated magnetic material is adhered on the base film. A ferromagnetic metal thin film was formed so as to have a thickness of 0.2 μm.
【0031】なお、この斜方蒸着に際して、上記ベース
フィルムの表面に酸素ガスを3.3×10-6m3 /秒の
割合で導入し、このベースフィルムの表面に対する上記
磁性材料の入射角が45〜90°の範囲で変化するよう
に設定した。At the time of the oblique deposition, oxygen gas is introduced into the surface of the base film at a rate of 3.3 × 10 −6 m 3 / sec. It was set to change in the range of 45 to 90 °.
【0032】続いて、前述のスパッタ装置を用いて直流
マグネトロンスパッタを行って、上記強磁性金属薄膜上
にカーボン膜からなる保護膜を膜厚が0.015μmと
なるように成膜した。このスパッタリングに際し、予め
上記スパッタ装置の内部を真空度が4×10-3Paとな
るまで排気処理し、その後スパッタガスとしてArガス
を導入した。なお、スパッタ時における上記スパッタ装
置内の真空度は2Paとされる。また、上記ベースフィ
ルムの送り速度は0.1m/秒とした。Subsequently, DC magnetron sputtering was performed using the above-described sputtering apparatus, and a protective film made of a carbon film was formed on the ferromagnetic metal thin film so as to have a thickness of 0.015 μm. At the time of this sputtering, the inside of the sputtering apparatus was evacuated in advance until the degree of vacuum reached 4 × 10 −3 Pa, and then Ar gas was introduced as a sputtering gas. The degree of vacuum in the sputtering device during sputtering is 2 Pa. The feed speed of the base film was 0.1 m / sec.
【0033】この時、本実施例では、図2に示すよう
に、キャン5の周囲に対向配置されるターゲット9aと
ターゲット9bとの間、及びターゲット9bとターゲッ
ト9cとの間にそれぞれプラズマ遮蔽板16a,16b
を配設した。これにより、上記ターゲット9a,9b,
9cの周囲に発生するプラズマが上記プラズマ遮蔽板1
6a,16bを境界として分断される。なお、上記ター
ゲット9a,9b,9cが取り付けられている各カソー
ド電極8a,8b,8cの投入電力は5W/cmとし
た。At this time, in this embodiment, as shown in FIG. 2, a plasma shielding plate is provided between the target 9a and the target 9b and the target 9b and the target 9c, which are disposed around the periphery of the can 5. 16a, 16b
Was arranged. Thereby, the targets 9a, 9b,
9c is generated around the plasma shielding plate 1.
6a and 16b are separated as boundaries. The power supplied to each of the cathode electrodes 8a, 8b, 8c to which the targets 9a, 9b, 9c were attached was 5 W / cm.
【0034】その後、この強磁性金属薄膜が成膜された
面と反対側のベースフィルム上にカーボンとウレタンバ
インダーを混合したものを0.6μm厚に塗布してバッ
クコート層を形成し、更に上記保護膜の表面にパーフル
オロポリエーテルを塗布してトップコート処理を施し
た。そして、得られた磁気テープを8mm幅に裁断して
サンプルテープとした。Thereafter, a mixture of carbon and a urethane binder was applied to a thickness of 0.6 μm on the base film opposite to the surface on which the ferromagnetic metal thin film was formed to form a back coat layer. Perfluoropolyether was applied to the surface of the protective film to perform a top coat treatment. Then, the obtained magnetic tape was cut into an 8 mm width to obtain a sample tape.
【0035】このようにして得られた各サンプルテープ
について、耐久性と耐錆性を調べるために、次のような
実験を行った。即ち、各サンプルテープをソニー社製の
EV−S900改造機(商品名)を用いてスチル走行さ
せ、初期の出力レベルから出力が3dB減衰するまでに
要したスチル時間を測定した。The following experiment was conducted on each of the sample tapes thus obtained in order to examine the durability and rust resistance. That is, each sample tape was subjected to still running using a modified EV-S900 (trade name) manufactured by Sony Corporation, and the still time required until the output was attenuated by 3 dB from the initial output level was measured.
【0036】また、各サンプルテープをガス腐食試験機
にて濃度0.3ppmのSO2 ガスを含む温度30℃、
相対湿度90%の条件下で24時間保存し、保存後の磁
気特性(φs )の劣化率Δφs を下記の(1)式から求
めた。結果を表1に示す。なお、表1には、保護膜を形
成していないサンプル及びプラズマ遮蔽板16a、16
bを設けないで保護膜を成膜したサンプルの測定結果も
併せて示す。Each of the sample tapes was subjected to a gas corrosion tester at a temperature of 30 ° C. containing 0.3 ppm of SO 2 gas.
It was stored for 24 hours under the condition of a relative humidity of 90%, and the deterioration rate Δφs of the magnetic characteristics (φs) after storage was determined from the following equation (1). Table 1 shows the results. Table 1 shows the samples without the protective film and the plasma shielding plates 16a and 16a.
The measurement results of the sample on which the protective film was formed without b were also shown.
【0037】[0037]
【数1】 (Equation 1)
【0038】[0038]
【表1】 [Table 1]
【0039】表1に示すように、比較例1では、保護膜
がないため、スチル時間が2時間と短く、またΔφs の
値も10.2%と大きな値となっている。比較例2で
は、耐久性は24時間以上と良好な結果を示している
が、Δφs は比較例1と大きな差はなく、カーボン保護
膜が耐候性改善に寄与していないことがわかる。これ
は、プラズマ遮蔽板16a、16bを設けないで成膜さ
れたカーボン保護膜がポーラスで、水の分子やSO2 分
子が磁性膜に容易に接触し得るためであると推測され
る。As shown in Table 1, in Comparative Example 1, since the protective film was not provided, the still time was as short as 2 hours, and the value of Δφs was as large as 10.2%. In Comparative Example 2, the durability was as good as 24 hours or more, but Δφs was not much different from Comparative Example 1, indicating that the carbon protective film did not contribute to the improvement of weather resistance. This is presumed to be because the carbon protective film formed without providing the plasma shielding plates 16a and 16b is porous, and water molecules and SO 2 molecules can easily contact the magnetic film.
【0040】これに対して、実施例1では、保護膜の成
膜の際にプラズマ遮蔽板16a、16bを設けているの
で、形成される保護膜が擬似的に3層構造となるものと
予想され、Δφs は非常に良好な値を示している。具体
的には、プラズマ遮蔽板16a、16bを設けることに
より、保護膜の厚さは比較例2よりも薄くなっているも
のと考えられるにもかかわらず、耐久性は劣化しておら
ず、また比較例2よりもΔφs の値は遥かに小さい。On the other hand, in the first embodiment, since the plasma shielding plates 16a and 16b are provided at the time of forming the protective film, it is expected that the formed protective film will have a pseudo three-layer structure. And Δφs shows a very good value. Specifically, the durability is not deteriorated by providing the plasma shielding plates 16a and 16b, though it is considered that the thickness of the protective film is thinner than that of Comparative Example 2. The value of Δφs is much smaller than in Comparative Example 2.
【0041】同様に、1個のプラズマ遮蔽板16aのみ
設けた実施例2においても、耐候性向上に効果があり、
耐久性の劣化もない。Similarly, in Embodiment 2 in which only one plasma shielding plate 16a is provided, there is an effect of improving weather resistance.
There is no deterioration in durability.
【0042】ここで、図1に示す装置において、ターゲ
ット9a、9b、9c間の距離を離すことでも同様に多
層化できるものと考えられるが、ターゲット9a、9
b、9c間の距離を離すとキャン5の周囲に多数のター
ゲットを並べて製造することができないため生産効率が
悪くなる。一般には、プラズマを分断することが可能な
程度の長さを持った遮蔽板を設け、キャンとターゲット
の距離を可能な限り近づけることにより、大きな遮蔽効
果を得ることができる。Here, in the apparatus shown in FIG. 1, it can be considered that the multilayer structure can be similarly formed by increasing the distance between the targets 9a, 9b and 9c.
If the distance between b and 9c is large, a large number of targets cannot be manufactured side by side around the can 5, so that the production efficiency deteriorates. Generally, a large shielding effect can be obtained by providing a shielding plate having a length capable of dividing the plasma and making the distance between the can and the target as short as possible.
【0043】また、強磁性金属薄膜蒸着後の原反に対し
て複数回のスパッタにより多層化することも考えられる
が、やはり生産性の点では不利である。Further, it is conceivable that the raw material after the deposition of the ferromagnetic metal thin film is formed into a multilayer by a plurality of times of sputtering, but this is still disadvantageous in terms of productivity.
【0044】実験例2 本実験例では、上記実験例1と同様に強磁性金属薄膜を
成膜した後、前述のスパッタ装置における3つのカソー
ド電極に対して独立した(3つの)直流電源を個々に配
し、且つ上記実験例1において使用したプラズマ遮蔽板
を取り除いた他は、上記実験例1と同様に保護膜を成膜
し、更に同一条件にてバックコート処理及びトップコー
ト処理を行ってサンプルテープを作製した。 Experimental Example 2 In this experimental example, after a ferromagnetic metal thin film was formed in the same manner as in Experimental Example 1, independent (three) DC power supplies were individually applied to the three cathode electrodes in the above-described sputtering apparatus. And a protective film was formed in the same manner as in Experimental Example 1 except that the plasma shielding plate used in Experimental Example 1 was removed, and a back coat process and a top coat process were performed under the same conditions. A sample tape was prepared.
【0045】各サンプルテープについて、先の実験例1
と同様、スチル時間及び磁気特性(φs )の劣化率Δφ
s を測定した。結果を表2に示す。For each sample tape, the above experimental example 1
Similarly, still time and deterioration rate of magnetic property (φs) Δφ
s was measured. Table 2 shows the results.
【0046】[0046]
【表2】 [Table 2]
【0047】比較例3は、カソード数及び電源をそれぞ
れ1個としたときの正常な状態の耐久性、耐候性を示す
データであり、テープ送り速度は0.033m/秒であ
る。比較例4は、比較例3と同一の条件における異常放
電個所の耐久性、耐候性を示すデータであり、この場所
では異常放電により膜質及び膜厚が正常なものに比べて
劣っているものと考えられる。Comparative Example 3 is data showing durability and weather resistance in a normal state when the number of cathodes and the power supply are each one, and the tape feed speed is 0.033 m / sec. Comparative Example 4 is data showing the durability and weather resistance of the abnormal discharge location under the same conditions as Comparative Example 3, and it is assumed that the film quality and the film thickness due to the abnormal discharge are inferior to those in the normal condition. Conceivable.
【0048】実施例3では、カソードを3個とするとと
もに、各々のカソードにDC電源を配し、送り速度を比
較例3の3倍の0.1m/秒とし、比較例3と同じ膜厚
になるように設定したものである。この実施例3では、
カソード8aでのみ異常放電が発生したが、残りのカソ
ード8b、8cは正常な放電を続けた。そして、この異
常放電部を切り出して耐久性、耐候性を測定したとこ
ろ、比較例3の正常な場合とほとんど特性的に変わりが
なく、量産時の安定性、歩留りの向上が実現されること
が判明した。In the third embodiment, three cathodes are provided, a DC power source is provided for each cathode, and the feed speed is set to 0.1 m / sec, which is three times that of the third comparative example. It is set to become. In the third embodiment,
Abnormal discharge occurred only at the cathode 8a, but the remaining cathodes 8b and 8c continued normal discharge. Then, the abnormal discharge portion was cut out and the durability and weather resistance were measured. As a result, the characteristics were almost the same as those in the normal case of Comparative Example 3, and it was found that the stability and the yield in mass production were improved. found.
【0049】また、実施例4は、カソード8bでのみ異
常放電を起こした場合のデータであるが、この場合にも
ほとんど特性の劣化がないことがわかる。The data of Example 4 is obtained when abnormal discharge occurs only in the cathode 8b. It can be seen that there is almost no deterioration in characteristics in this case.
【0050】なお、異常放電の発生原因は、ほとんどの
場合、クーリングキャンや周囲の防着板等から発生した
ゴミや蒸着物等の粉塵であり、これらがカソードの表面
に付着すると大きな異常放電となることが多い。したが
って、電源が1個で複数のカソードを放電させると、異
常放電が1つのカソードで起きると他にも影響を及ぼ
し、安定した膜質が得られない。In most cases, the cause of the abnormal discharge is dust such as dust or deposits generated from a cooling can or a surrounding deposition-preventing plate, and if these adhere to the surface of the cathode, a large abnormal discharge may occur. Often become. Therefore, when a single power source is used to discharge a plurality of cathodes, if an abnormal discharge occurs at one cathode, the other effects are exerted, and a stable film quality cannot be obtained.
【0051】実験例3 本実験例では、上記実験例1と同様に強磁性金属薄膜を
成膜した後、単一のターゲットを有するスパッタ装置を
用い巻き戻しにより繰り返しスパッタリングを行って、
上下2層からなる保護膜を形成し、更に上記実験例1と
同一条件にてバックコート処理、トップコート処理を行
ってサンプルテープを作製した。 EXPERIMENTAL EXAMPLE 3 In this experimental example, after a ferromagnetic metal thin film was formed in the same manner as in Experimental Example 1, sputtering was repeatedly performed by rewinding using a sputtering apparatus having a single target.
A protective film consisting of upper and lower two layers was formed, and further, a back coat treatment and a top coat treatment were performed under the same conditions as in Experimental Example 1 to produce a sample tape.
【0052】ここで、上述のように繰り返しスパッタリ
ングを行うに際し、下層保護膜の成膜後、一旦巻取りロ
ールに巻き取られたベースフィルムを再び送りロールに
向かって巻き戻す際に同時にスパッタリングも行い、巻
き戻し作業と上層保護膜の成膜を同時に行った。Here, when the sputtering is repeatedly performed as described above, after the lower protective film is formed, the base film once wound on the take-up roll is simultaneously re-wound toward the feed roll, and the sputtering is performed simultaneously. The rewinding operation and the formation of the upper protective film were simultaneously performed.
【0053】また、ベースフィルムに対する下層保護膜
の接着性を高めるために、一回目のスパッタリング時
(下層保護膜の成膜時)のキャンの温度と、二回目のス
パッタリング時(上層保護膜の成膜時)のキャン温度を
表3に示すように変えた。各サンプルテープについて、
テープ形状を調べ、さらに、先の実験例1や実験例2と
同様、スチル時間及び磁気特性(φs )の劣化率Δφs
を測定した。結果を表3に示す。In order to enhance the adhesion of the lower protective film to the base film, the can temperature during the first sputtering (during the formation of the lower protective film) and the can temperature during the second sputtering (the formation of the upper protective film). The can temperature at the time of film formation) was changed as shown in Table 3. For each sample tape,
The shape of the tape was examined, and, as in Experimental Examples 1 and 2, the still time and the deterioration rate of the magnetic characteristics (φs) Δφs
Was measured. Table 3 shows the results.
【0054】[0054]
【表3】 [Table 3]
【0055】比較例5では、キャン温度を40℃、テー
プスピードを0.1m/秒とし、往復走行させることに
よって上層及び下層の保護膜を成膜した。この際、1回
目、2回目共にキャン温度が40℃であるため、ベース
フィルムが熱負けを起こし、形状が悪く製品化は困難で
あると判断された。ただし、耐久性、耐候性は良好であ
り、キャン温度が高いためにカーボン保護膜と磁性層間
の接着性は良好であった。In Comparative Example 5, upper and lower protective films were formed by reciprocating at a can temperature of 40 ° C. and a tape speed of 0.1 m / sec. At this time, since the can temperature was 40 ° C. in both the first and second times, the base film suffered heat loss, and the shape was poor, and it was judged that commercialization was difficult. However, the durability and weather resistance were good, and the adhesion between the carbon protective film and the magnetic layer was good because of the high can temperature.
【0056】比較例6では、キャン温度を−30℃とし
て比較例5と同様の工程で保護膜を成膜したが、テープ
形状には問題がないものの、耐久性、耐候性については
問題を残した。In Comparative Example 6, the protective film was formed in the same process as in Comparative Example 5 with the can temperature set to −30 ° C., but there were no problems in the tape shape, but there were problems in durability and weather resistance. Was.
【0057】一方、実施例5では、1回目(下層)の保
護膜の成膜をキャンを40℃に加熱して行い、カーボン
保護膜と磁性層間の接着性を増し、巻き戻しながらのス
パッタ(上層のスパッタ)ではキャンを−30℃に冷却
しながら行った。送り速度は0.1m/秒である。比較
例6に比べると形状は若干劣っていたが、実用上問題な
いレベルと判断された。On the other hand, in Example 5, the first (lower) protective film was formed by heating the can to 40 ° C. to increase the adhesiveness between the carbon protective film and the magnetic layer, and to perform the sputtering (rewinding). In the upper layer sputtering, the can was performed while cooling to -30 ° C. The feed speed is 0.1 m / sec. Although the shape was slightly inferior to Comparative Example 6, it was judged to be a practically acceptable level.
【0058】実施例6では、図1に示すような3つのカ
ソードを有するスパッタ装置を用い、最初の2つのカソ
ードでのみ加熱下の成膜を行った。このときの送り速度
は同様に0.1m/秒としたため、下層の膜厚は他に比
べて33%程度薄いと考えられる。保護膜の厚さを他の
例と同じにするため、巻き戻しの際の送り速度を0.0
75m/秒と遅くし、上層の膜厚が厚くなるように調整
した。この条件下においては、テープ形状、耐久性、耐
候性共に良好な結果が得られた。In the sixth embodiment, a sputtering apparatus having three cathodes as shown in FIG. 1 was used, and a film was formed by heating only the first two cathodes. Since the feed speed at this time was also set to 0.1 m / sec, the thickness of the lower layer is considered to be about 33% thinner than the other layers. In order to make the thickness of the protective film the same as the other examples, the feed speed during rewinding is set to 0.0
The speed was adjusted to 75 m / sec and the thickness of the upper layer was adjusted to be large. Under these conditions, good results were obtained in all of the tape shape, durability and weather resistance.
【0059】以上のような本発明の磁気記録媒体は、次
のようなシステムに適用すると、優れた耐久性を発揮し
て、良好な特性を得ることができる。When the magnetic recording medium of the present invention as described above is applied to the following system, excellent durability can be exhibited and good characteristics can be obtained.
【0060】A.記録再生装置の構成 カラービデオ信号をディジタル化して磁気テープ等の記
録媒体に記録するディジタルVTRとしては、放送局用
のD1フォーマットのコンポーネント形ディジタルVT
R及びD2フォーマットのコンポジット形ディジタルV
TRが実用化されている。 A. Reproducing the structure color video signal of the apparatus as a digital VTR for recording on a recording medium such as a magnetic tape and digitized, D1 format component type digital VT for broadcasters
Composite digital V in R and D2 format
TR has been put to practical use.
【0061】前者のD1フォーマットディジタルVTR
は、輝度信号及び第1,第2の色差信号をそれぞれ1
3.5MHz、6.75MHzのサンプリング周波数で
A/D変換した後、所定の信号処理を行って磁気テープ
上に記録するもので、これらコンポーネント成分のサン
プリング周波数が4:2:2であることから、4:2:
2方式とも称されている。The former D1 format digital VTR
Indicates that the luminance signal and the first and second color difference signals are each 1
After performing A / D conversion at the sampling frequencies of 3.5 MHz and 6.75 MHz, predetermined signal processing is performed and recorded on the magnetic tape, and the sampling frequency of these component components is 4: 2: 2. 4: 2:
Also referred to as two systems.
【0062】一方、後者のD2フォーマットディジタル
VTRは、コンポジットカラービデオ信号をカラー副搬
送波信号の周波数の4倍の周波数の信号でサンプリング
を行ってA/D変換し、所定の信号処理を行った後、磁
気テープに記録するようにしている。On the other hand, the latter D2 format digital VTR samples the composite color video signal with a signal having a frequency four times the frequency of the color subcarrier signal, performs A / D conversion, and performs predetermined signal processing. , On a magnetic tape.
【0063】いずれにしても、これらのディジタルVT
Rは、共に放送局用に使用されることを前提に設計され
ているために、画質最優先とされ、1サンプルが例えば
8ビットにA/D変換されたディジタルカラービデオ信
号を実質的に圧縮することなしに記録するようになされ
ている。したがって、例えばD1フォーマットのディジ
タルVTRでは、大型のカセットテープを使用しても高
々1.5時間程度の再生時間しか得られず、一般家庭用
のVTRとして使用するには不適当である。In any case, these digital VTs
Since R is designed on the assumption that both are used for broadcasting stations, image quality is given the highest priority, and a digital color video signal in which one sample is A / D converted to, for example, 8 bits is substantially compressed. It is made to record without doing. Therefore, for example, a digital VTR of the D1 format can obtain a reproduction time of at most about 1.5 hours even when a large cassette tape is used, and is not suitable for use as a general home VTR.
【0064】そこで、ここでは、例えば5μmのトラッ
ク幅に対して最短波長0.5μmの信号を記録するよう
にし、記録密度4×105 bit/mm2 以上、あるいは
8×105 bit/mm2 以上を実現するとともに、記録
情報を再生歪みが少ないような形で圧縮する方法を併用
することによって、テープ幅が8mmあるいはそれ以下の
幅狭の磁気テープを使用しても長時間の記録・再生が可
能なディジタルVTRに適用するものとする。Therefore, here, for example, a signal having a shortest wavelength of 0.5 μm is recorded for a track width of 5 μm, and the recording density is 4 × 10 5 bit / mm 2 or more, or 8 × 10 5 bit / mm 2. In addition to realizing the above, by using a method of compressing recorded information in a form that minimizes reproduction distortion, long-term recording and reproduction can be performed even when using a magnetic tape with a tape width of 8 mm or less. The present invention is applied to a digital VTR capable of performing the following.
【0065】以下、このディジタルVTRの構成につい
て説明する。Hereinafter, the configuration of the digital VTR will be described.
【0066】a.信号処理部 先ず、本実施例において用いたディジタルVTRの信号
処理部について説明する。図3は記録側の構成全体を示
すものであり、31Y、31U、31Vでそれぞれ示す
入力端子に、例えばカラービデオカメラからの三原色信
号R,G,Bから形成されたディジタル輝度信号Y、デ
ィジタル色差信号U、Vが供給される。この場合、各信
号のクロックレートはD1フォーマットの各コンポーネ
ント信号の周波数と同一とされる。すなわち、それぞれ
のサンプリング周波数が13.5MHz、6.75MH
zとされ、且つこれらの1サンプル当たりのビット数が
8ビットとされている。したがって、入力端子31Y、
31U、31Vに供給される信号のデータ量としては、
約216Mbpsとなる。この信号のうちブランキング
時間のデータを除去し、有効領域の情報のみを取り出す
有効情報抽出回路32によってデータ量が約167Mb
psに圧縮される。A. First, the signal processing unit of the digital VTR used in this embodiment will be described. FIG. 3 shows the entire configuration of the recording side. Input terminals indicated by 31Y, 31U and 31V are respectively provided with a digital luminance signal Y formed from three primary color signals R, G and B from a color video camera and a digital color difference. Signals U and V are supplied. In this case, the clock rate of each signal is the same as the frequency of each component signal in the D1 format. That is, the respective sampling frequencies are 13.5 MHz and 6.75 MH
z, and the number of bits per sample is 8 bits. Therefore, the input terminals 31Y,
As the data amount of the signal supplied to 31U and 31V,
It becomes about 216 Mbps. A data amount of about 167 Mb is obtained by an effective information extracting circuit 32 which removes blanking time data from the signal and extracts only information of an effective area.
Compressed to ps.
【0067】そして、上記有効情報抽出回路32の出力
のうちの輝度信号Yが周波数変換回路33に供給され、
サンプリング周波数が13.5MHzからその3/4に
変換される。周波数変換回路33としては、例えば間引
きフィルタが使用され、折り返し歪みが生じないように
なされている。この周波数変換回路33の出力信号は、
ブロック化回路35に供給され、輝度データの順序がブ
ロックの順序に変換される。ブロック化回路35は、後
段に設けられたブロック符号化回路38のために設けら
れている。Then, the luminance signal Y of the output of the effective information extraction circuit 32 is supplied to the frequency conversion circuit 33,
The sampling frequency is converted from 13.5 MHz to 3/4 thereof. As the frequency conversion circuit 33, for example, a thinning filter is used to prevent aliasing distortion. The output signal of the frequency conversion circuit 33 is
The luminance data is supplied to the blocking circuit 35, and the order of the luminance data is converted into the order of the blocks. The blocking circuit 35 is provided for a block coding circuit 38 provided at a subsequent stage.
【0068】図5は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、3次元ブロックであって、例えば2フ
レームに跨がる画面を分割することにより、同図に示す
ように(4ライン×4画素×2フレーム)の単位ブロッ
クが多数形成される。なお、図5において実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。FIG. 5 shows the structure of a block as a unit of encoding. This example is a three-dimensional block, for example, by dividing a screen extending over two frames, a large number of (4 lines × 4 pixels × 2 frames) unit blocks are formed as shown in FIG. In FIG. 5, a solid line indicates an odd field line, and a broken line indicates an even field line.
【0069】また、有効情報抽出回路32の出力のう
ち、2つの色差信号U、Vがサブサンプリング及びサブ
ライン回路34に供給され、サンプリング周波数がそれ
ぞれ6.75MHzからその半分に変換された後、2つ
のディジタル色差信号が互いにライン毎に選択され、1
チャンネルのデータに合成される。したがって、このサ
ブサンプリング及びサブライン回路34からは線順次化
されたディジタル色差信号が得られる。このサブサンプ
リング及びサブライン回路34によってサブサンプル及
びサブライン化された信号の画素構成を図6に示す。図
6中、○は第1の色差信号Uのサブサンプリング画素を
示し、△は第2の色素信号Vのサンプリング画素を示
し、×はサブサンプルによって間引かれた画素の位置を
示す。The two color difference signals U and V of the output of the effective information extraction circuit 32 are supplied to the sub-sampling and sub-line circuit 34, and after the sampling frequency is converted from 6.75 MHz to half thereof, respectively. Two digital color difference signals are selected line by line
Combined with channel data. Accordingly, the sub-sampling and sub-line circuit 34 provides a line-sequential digital color difference signal. FIG. 6 shows a pixel configuration of a signal sub-sampled and sub-lined by the sub-sampling and sub-line circuit 34. In FIG. 6, ○ indicates a sub-sampling pixel of the first color difference signal U, △ indicates a sampling pixel of the second dye signal V, and × indicates a position of a pixel thinned out by the sub-sample.
【0070】上記サブサンプリング及びサブライン回路
34からの線順次化出力信号は、ブロック化回路36に
供給される。ブロック化回路36では一方のブロック化
回路35と同様に、テレビジョン信号の走査の順序の色
差データがブロックの順序のデータに変換される。この
ブロック化回路36は、一方のブロック化回路35と同
様に、色差データを(4ライン×4画素×2フレーム)
のブロック構造に変換する。そしてこれらブロック化回
路35及びブロック化回路36の出力信号が合成回路3
7に供給される。The line-sequentialized output signal from the sub-sampling and sub-line circuit 34 is supplied to a blocking circuit 36. In the blocking circuit 36, similarly to the blocking circuit 35, the color difference data in the scanning order of the television signal is converted into the data in the block order. This blocking circuit 36 converts the color difference data into (4 lines × 4 pixels × 2 frames) similarly to the one blocking circuit 35.
To the block structure of The output signals of the blocking circuits 35 and 36 are
7 is supplied.
【0071】合成回路37では、ブロックの順序に変換
された輝度信号及び色差信号が1チャンネルのデータに
変換され、この合成回路37の出力信号がブロック符号
化回路38に供給される。ブロック符号化回路38とし
ては、後述するようにブロック毎のダイナミックレンジ
に適応した符号化回路(ADRCと称する。)、DCT
(Discrete Cosine Transfor
m)回路等が適用できる。前記ブロック符号化回路38
からの出力信号は、さらにフレーム化回路39に供給さ
れ、フレーム構造のデータに変換される。このフレーム
化回路39では、画素系のクロックと記録系のクロック
との乗り換えが行われる。In the synthesizing circuit 37, the luminance signal and the chrominance signal converted in the order of the blocks are converted into one-channel data, and the output signal of the synthesizing circuit 37 is supplied to the block encoding circuit 38. As the block encoding circuit 38, an encoding circuit (referred to as ADRC) adapted to a dynamic range of each block as described later, a DCT
(Discrete Cosine Transformer
m) A circuit or the like can be applied. The block encoding circuit 38
Is further supplied to a framing circuit 39 and converted into data having a frame structure. In the framing circuit 39, switching between the pixel system clock and the recording system clock is performed.
【0072】次いで、フレーム化回路39の出力信号が
エラー訂正符号のパリティ発生回路40に供給され、エ
ラー訂正符号のパリティが生成される。パリティ発生回
路40の出力信号はチャンネルエンコーダ41に供給さ
れ、記録データの低域部分を減少させるようなチャンネ
ルコーディングがなされる。チャンネルエンコーダ41
の出力信号が記録アンプ42A,42Bと回転トランス
(図示は省略する。)を介して一対の磁気ヘッド43
A,43Bに供給され、磁気テープに記録される。な
お、オーディオ信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化
され、チャンネルエンコーダ41に供給される。Then, the output signal of the framing circuit 39 is supplied to an error correction code parity generation circuit 40, and an error correction code parity is generated. The output signal of the parity generation circuit 40 is supplied to a channel encoder 41, where channel coding is performed so as to reduce the low-frequency portion of the recording data. Channel encoder 41
Are output via recording amplifiers 42A and 42B and a rotary transformer (not shown).
A, 43B and recorded on a magnetic tape. The audio signal and the video signal are compression-encoded separately and supplied to the channel encoder 41.
【0073】上述の信号処理によって、入力のデータ量
216Mbpsが有効走査期間のみを抽出するによって
約167Mbpsに低減され、さらに周波数変換とサブ
サンプル、サブラインとによってこれが84Mbpsに
減少される。このデータは、ブロック符号化回路38で
圧縮符号化することにより、約25Mbpsに圧縮さ
れ、その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な情
報を加えて、記録データ量としては31.56Mbps
となる。By the above-described signal processing, the input data amount 216 Mbps is reduced to about 167 Mbps by extracting only the effective scanning period, and further reduced to 84 Mbps by frequency conversion, sub-sampling, and sub-line. This data is compressed to about 25 Mbps by compression coding in the block coding circuit 38, and after adding additional information such as parity and audio signals, the recording data amount is 31.56 Mbps.
Becomes
【0074】次に、再生側の構成について図4を参照し
ながら説明する。再生の際には、図4に示すように、先
ず磁気ヘッド43A,43Bからの再生データが回転ト
ランス及び再生アンプ44A,44Bを介してチャンネ
ルデコーダ45に供給される。チャンネルデコーダ45
において、チャンネルコーディングの復調がされ、チャ
ンネルデコーダ45の出力信号がTBC回路(時間軸補
正回路)46に供給される。このTBC回路46におい
て、再生信号の時間軸変動成分が除去される。TBC回
路46からの再生データがECC回路47に供給され、
エラー訂正符号を用いたエラー訂正とエラー修整とが行
われる。ECC回路47の出力信号がフレーム分解回路
48に供給される。Next, the configuration on the reproducing side will be described with reference to FIG. At the time of reproduction, as shown in FIG. 4, reproduction data from the magnetic heads 43A and 43B is first supplied to the channel decoder 45 via the rotary transformer and the reproduction amplifiers 44A and 44B. Channel decoder 45
In, the channel coding is demodulated, and the output signal of the channel decoder 45 is supplied to a TBC circuit (time axis correction circuit). In the TBC circuit 46, the time axis fluctuation component of the reproduction signal is removed. The reproduction data from the TBC circuit 46 is supplied to the ECC circuit 47,
Error correction and error correction using an error correction code are performed. The output signal of the ECC circuit 47 is supplied to a frame decomposition circuit 48.
【0075】フレーム分解回路48によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されるとともに、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路48で分離された各データ
がブロック複号回路49に供給され、各ブロック単位に
原データと対応する復元データが複号され、複号データ
が分配回路50に供給される。この分配回路50で複号
データが輝度信号と色差信号に分離される。輝度信号及
び色差信号がブロック分解回路51,52にそれぞれ供
給される。ブロック分解回路51,52は、送信側のブ
ロック化回路35,36とは逆に、ブロックの順序の複
号データをラスター走査の順に変換する。The components of the block coded data are separated by the frame decomposition circuit 48, respectively.
The switching from the recording system clock to the pixel system clock is performed. Each data separated by the frame decomposing circuit 48 is supplied to a block decoding circuit 49, and the original data and the corresponding restored data are decoded for each block unit, and the decoded data is supplied to a distribution circuit 50. This distribution circuit 50 separates the decoded data into a luminance signal and a color difference signal. The luminance signal and the color difference signal are supplied to the block decomposition circuits 51 and 52, respectively. The block decomposing circuits 51 and 52 convert the decrypted data in the block order in the order of raster scanning, contrary to the blocking circuits 35 and 36 on the transmission side.
【0076】ブロック分解回路51からの複号輝度信号
が補間フィルタ53に供給される。補間フィルタ53で
は、輝度信号のサンプリングレートが3fsから4fs
(4fs=13.5MHz)に変換される。補間フィル
タ53からのディジタル輝度信号Yは出力端子56Yに
取り出される。The decoded luminance signal from the block decomposition circuit 51 is supplied to the interpolation filter 53. In the interpolation filter 53, the sampling rate of the luminance signal is changed from 3 fs to 4 fs.
(4fs = 13.5 MHz). The digital luminance signal Y from the interpolation filter 53 is taken out to an output terminal 56Y.
【0077】一方、ブロック分解回路52からのディジ
タル色差信号が分配回路54に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号U,Vがディジタル色差信号U及
びVにそれぞれ分離される。分配回路54からのディジ
タル色差信号U,Vが補間回路55に供給され、それぞ
れ補間される。補間回路55は、復元された画素データ
を用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間する
もので、補間回路55からはサンプリングレートが2f
sのディジタル色差信号U及びVが得られ、出力端子5
6U,56Vにそれぞれ取り出される。On the other hand, the digital color difference signals from the block separation circuit 52 are supplied to the distribution circuit 54, and the line-sequentialized digital color difference signals U and V are separated into digital color difference signals U and V, respectively. The digital color difference signals U and V from the distribution circuit 54 are supplied to the interpolation circuit 55 and are interpolated. The interpolation circuit 55 interpolates the thinned line and pixel data by using the restored pixel data. The interpolation circuit 55 outputs a sampling rate of 2f.
s digital color difference signals U and V are obtained, and the output terminal 5
It is taken out to 6U and 56V, respectively.
【0078】b.ブロック符号化 図3におけるブロック符号化回路38としては、ADR
C(AdaptiveDynamic Range C
oding)エンコーダが用いられる。このADRCエ
ンコーダは、各ブロックに含まれる複数の画素データの
最大値MAXと最小値MINを検出し、これら最大値M
AX及び最小値MINからブロックのダイナミックレン
ジDRを検出し、このダイナミックレンジDRに適応し
た符号化を行い、原画素データのビット数よりも少ない
ビット数により、再量子化を行うものである。ブロック
符号化回路38の他の例としては、各ブロックの画素デ
ータをDCT(Discrete Cosine Tr
ansform)した後、このDCTで得られた係数デ
ータを量子化し、量子化データをランレングス・ハフマ
ン符号化して圧縮符号化する構成を用いてもよい。B. Block Coding The block coding circuit 38 in FIG.
C (Adaptive Dynamic Range C)
Oding) encoder is used. This ADRC encoder detects a maximum value MAX and a minimum value MIN of a plurality of pixel data included in each block, and detects these maximum values M
The dynamic range DR of the block is detected from the AX and the minimum value MIN, encoding is performed in accordance with the dynamic range DR, and requantization is performed with a bit number smaller than the bit number of the original pixel data. As another example of the block encoding circuit 38, pixel data of each block is converted into a DCT (Discrete Cosine Tr).
After performing an transform, the coefficient data obtained by the DCT may be quantized, and the quantized data may be run-length-Huffman-encoded and compression-encoded.
【0079】ここでは、ADRCエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図7を参照しながら説明する。図7におい
て、入力端子57に例えば1サンプルが8ビットに量子
化されたディジタルビデオ信号(或いはディジタル色差
信号)が図3の合成回路37より入力される。入力端子
57からのブロック化データが最大値,最小値検出回路
59及び遅延回路60に供給される。最大値,最小値検
出回路59は、ブロック毎に最小値MIN、最大値MA
Xを検出する。遅延回路60からは、最大値及び最小値
が検出されるのに要する時間、入力データを遅延させ
る。遅延回路60からの画素データが比較回路61及び
比較回路62に供給される。Here, an example of an encoder that uses an ADRC encoder and does not cause image quality deterioration even when multi-dubbing is performed will be described with reference to FIG. 7, a digital video signal (or a digital color difference signal) in which one sample is quantized to 8 bits, for example, is input to an input terminal 57 from the synthesizing circuit 37 in FIG. Blocked data from the input terminal 57 is supplied to the maximum value / minimum value detection circuit 59 and the delay circuit 60. The maximum value / minimum value detection circuit 59 includes a minimum value MIN and a maximum value MA for each block.
X is detected. The input data is delayed from the delay circuit 60 for the time required for detecting the maximum value and the minimum value. The pixel data from the delay circuit 60 is supplied to the comparison circuits 61 and 62.
【0080】最大値,最小値検出回路59からの最大値
MAXが減算回路63に供給され、最小値MINが加算
回路64に供給される。これらの減算回路63及び加算
回路64には、ビットシフト回路65から4ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の1量子化ス
テップ幅の値(△=1/16DR)が供給される。ビッ
トシフト回路65は、(1/16)の割算を行うよう
に、ダイナミックレンジDRを4ビットシフトする構成
とされている。減算回路63からは(MAX−△)のし
きい値が得られ、加算回路64からは(MIN+△)の
しきい値が得られる。これらの減算回路63及び加算回
路64からのしきい値が比較回路61,62にそれぞれ
供給される。なお、このしきい値を規定する値△は、量
子化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定
値としてもよい。The maximum value MAX from the maximum value / minimum value detection circuit 59 is supplied to the subtraction circuit 63, and the minimum value MIN is supplied to the addition circuit 64. To the subtraction circuit 63 and the addition circuit 64, a value of one quantization step width (△ = 1 / 16DR) when non-edge matching quantization is performed with a fixed length of 4 bits from the bit shift circuit 65. The bit shift circuit 65 is configured to shift the dynamic range DR by 4 bits so as to perform division by (1/16). A threshold value of (MAX− △) is obtained from the subtraction circuit 63, and a threshold value of (MIN + △) is obtained from the addition circuit 64. The threshold values from the subtraction circuit 63 and the addition circuit 64 are supplied to comparison circuits 61 and 62, respectively. The value す る defining the threshold value is not limited to the quantization step width, but may be a fixed value corresponding to a noise level.
【0081】比較回路61の出力信号がANDゲート6
6に供給され、比較回路62の出力信号がANDゲート
67に供給される。ANDゲート66及びANDゲート
67には、遅延回路60からの入力データが供給され
る。比較回路61の出力信号は、入力データがしきい値
より大きい時にハイレベルとなり、したがってANDゲ
ート66の出力端子には、(MAX〜MAX−△)の最
大レベル範囲に含まれる入力データの画素データが抽出
される。一方、比較回路62の出力信号は、入力データ
がしきい値より小さい時にハイレベルとなり、したがっ
てANDゲート67の出力端子には、(MIN〜MIN
+△)の最小レベル範囲に含まれる入力データの画素デ
ータが抽出される。The output signal of the comparison circuit 61 is
6 and the output signal of the comparison circuit 62 is supplied to an AND gate 67. Input data from the delay circuit 60 is supplied to the AND gate 66 and the AND gate 67. The output signal of the comparison circuit 61 becomes high level when the input data is larger than the threshold value. Therefore, the output terminal of the AND gate 66 supplies the pixel data of the input data included in the maximum level range of (MAX to MAX- △). Is extracted. On the other hand, the output signal of the comparison circuit 62 becomes high level when the input data is smaller than the threshold value, and therefore, the output terminal of the AND gate 67 has (MIN to MIN)
+ △) The pixel data of the input data included in the minimum level range is extracted.
【0082】ANDゲート66の出力信号が平均化回路
68に供給され、ANDゲート67の出力信号が平均化
回路69に供給される。これらの平均化回路68,69
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子70か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路68,69
に供給されている。平均化回路68からは、(MAX〜
MAX−△)の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値MAX´が得られ、平均化回路69からは(MIN
〜MIN+△)の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値MIN´が得られる。平均値MAX´から平均値
MIN´が減算回路71で減算され、この減算回路71
からダイナミックレンジDR´が得られる。The output signal of AND gate 66 is supplied to averaging circuit 68, and the output signal of AND gate 67 is supplied to averaging circuit 69. These averaging circuits 68 and 69
Calculates an average value for each block. A reset signal of a block cycle is supplied from a terminal 70 to the averaging circuits 68 and 69.
Is supplied to From the averaging circuit 68, (MAX to
An average value MAX ′ of the pixel data belonging to the maximum level range of (MAX− △) is obtained.
To MIN + △), the average value MIN ′ of the pixel data belonging to the minimum level range is obtained. The average value MIN 'is subtracted from the average value MAX' by a subtraction circuit 71, and this subtraction circuit 71
To obtain the dynamic range DR '.
【0083】また、平均値MIN´が減算回路72に供
給され、遅延回路73を介された入力データから平均値
MIN´が減算回路72において減算され、最小値除去
後のデータPDIが形成される。このデータPDI及び
修整されたダイナミックレンジDR´が量子化回路74
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数nが0ビット(コード信号を転送しない)、
1ビット、2ビット、3ビット、4ビットの何れかとさ
れる可変長のADRCであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数nは、ブロック毎にビ
ット数決定回路75において決定され、ビット数nのデ
ータが量子化回路74に供給される。The average value MIN 'is supplied to the subtraction circuit 72, and the average value MIN' is subtracted from the input data passed through the delay circuit 73 by the subtraction circuit 72, thereby forming the data PDI from which the minimum value has been removed. . The data PDI and the modified dynamic range DR 'are used as the quantization circuit 74.
Supplied to In this embodiment, the number n of bits allocated to quantization is 0 (the code signal is not transferred),
This is a variable-length ADRC having any one of 1 bit, 2 bits, 3 bits, and 4 bits, and is subjected to edge matching quantization. The number n of allocated bits is determined for each block by the bit number determination circuit 75, and data of the number n of bits is supplied to the quantization circuit 74.
【0084】可変長ADRCは、ダイナミックレンジD
R´が小さいブロックでは、割り当てビット数nを少な
くし、ダイナミックレンジDR´が大きいブロックで
は、割り当てビット数nを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。すなわち、ビット数nを決
定する際のしきい値をT1〜T4(T1<T2<T3<
T4)とすると、(DR´<T1)のブロックは、コー
ド信号が転送されず、ダイナミックレンジDR´の情報
のみが転送され、(T1≦DR´<T2)のブロック
は、(n=1)とされ、(T2≦DR´<T3)のブロ
ックは、(n=2)とされ、(T3≦DR´<T4)の
ブロックは、(n=3)とされ、(DR´≧T4)のブ
ロックは、(n=4)とされる。The variable length ADRC has a dynamic range D
Efficient coding can be performed by reducing the number of allocated bits n in a block with a small R 'and increasing the number of allocated bits n in a block with a large dynamic range DR'. That is, the thresholds for determining the number of bits n are T1 to T4 (T1 <T2 <T3 <
T4), the code signal is not transferred to the block of (DR ′ <T1), only the information of the dynamic range DR ′ is transferred, and the block of (T1 ≦ DR ′ <T2) is (n = 1) The block of (T2 ≦ DR ′ <T3) is set to (n = 2), the block of (T3 ≦ DR ′ <T4) is set to (n = 3), and the block of (DR ′ ≧ T4) is set to (n = 3). The block is set to (n = 4).
【0085】かかる可変長ADRCではしきい値T1〜
T4を変えることで、発生情報量を制御すること(いわ
ゆるバッファリング)ができる。したがって、1フィー
ルド或いは、1フレーム当たりの発生情報量を所定値に
することが要求されるこの発明のディジタルビデオテー
プレコーダのような伝送路に対しても可変長ADRCを
適用できる。In such a variable length ADRC, the threshold values T1 to T1
By changing T4, the amount of generated information can be controlled (so-called buffering). Therefore, the variable length ADRC can be applied to a transmission path such as the digital video tape recorder of the present invention in which the amount of generated information per field or frame is required to be a predetermined value.
【0086】発生情報量を所定値にするためのしきい値
T1〜T4を決定するバッファリング回路76では、し
きい値の組(T1、T2、T3、T4)が複数例えば3
2組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードPi(i=0、1、2・・・・31)により区
別される。パラメータコードPiの番号iが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。ただし、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。In the buffering circuit 76 for determining the threshold values T1 to T4 for setting the amount of generated information to a predetermined value, a plurality of sets of threshold values (T1, T2, T3, T4), for example, 3
Two sets are provided, and these sets of thresholds are distinguished by parameter codes Pi (i = 0, 1, 2,..., 31). The amount of generated information is set to decrease monotonically as the number i of the parameter code Pi increases. However, as the amount of generated information decreases, the image quality of the restored image deteriorates.
【0087】バッファリング回路76からのしきい値T
1〜T4が比較回路77に供給され、遅延回路78を介
されたダイナミックレンジDR´が比較回路77に供給
される。遅延回路78は、バッファリング回路76でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、DR´を遅延
させる。比較回路77では、ブロックのダイナミックレ
ンジDR´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路75に供給され、そのブロックの
割り当てビット数nが決定される。量子化回路74で
は、ダイナミックレンジDR´と割り当てビット数nと
を用いて遅延回路79を介された最小値除去後のデータ
PDIがエッジマッチングの量子化により、コード信号
DTに変換される。量子化回路74は、例えばROMで
構成されている。Threshold value T from buffering circuit 76
1 to T4 are supplied to the comparison circuit 77, and the dynamic range DR ′ via the delay circuit 78 is supplied to the comparison circuit 77. The delay circuit 78 delays DR ′ by the time required for the buffering circuit 76 to determine the set of thresholds. In the comparing circuit 77, the dynamic range DR 'of the block is compared with each threshold value, the comparison output is supplied to the bit number determining circuit 75, and the allocated bit number n of the block is determined. In the quantization circuit 74, the data PDI from which the minimum value has been removed via the delay circuit 79 is converted into a code signal DT by edge matching quantization using the dynamic range DR 'and the number of allocated bits n. The quantization circuit 74 is constituted by, for example, a ROM.
【0088】遅延回路78、80をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジDR´、平均値MIN´が出
力され、さらにコード信号DTとしきい値の組を示すパ
ラメータコードPiが出力される。この例では、一旦ノ
ンエッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミック
レンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されている
ためにダビングした時の画像劣化は少ないものとされ
る。The modified dynamic range DR 'and average value MIN' are output via delay circuits 78 and 80, respectively, and further a parameter code Pi indicating a set of a code signal DT and a threshold value is output. In this example, since the signal once subjected to the non-edge match quantization is newly subjected to the edge match quantization based on the dynamic range information, the image degradation when dubbing is reduced.
【0089】c.チャンネルエンコーダ及びチャンネル
デコーダ 次に、図3のチャンネルエンコーダ41及びチャンネル
デコーダ45について説明する。チャンネルエンコーダ
41においては、図8に示すように、パリティ発生回路
40の出力が供給される適応型スクランブル回路で、複
数のM系列のスクランブル回路81が用意され、その中
で入力信号に対し最も高周波成分及び直流成分の少ない
出力が得られるようなM系列が選択されるように構成さ
れている。パーシャルレスポンス・クラス4検出方式の
ためのプリコーダ82で、1/1−D2 (Dは単位遅延
用回路)の演算処理がなされる。このプリコーダ82の
出力を記録アンプ42A,42Bを介して磁気ヘッド4
3A,43Bにより、記録再生し、再生出力を再生アン
プ44A,44Bによって増幅するようになされてい
る。C. Channel Encoder and Channel Decoder Next, the channel encoder 41 and the channel decoder 45 of FIG. 3 will be described. In the channel encoder 41, as shown in FIG. 8, an adaptive scrambling circuit to which the output of the parity generation circuit 40 is supplied, a plurality of M-sequence scrambling circuits 81 are prepared. It is configured such that an M-sequence that can obtain an output with a small component and a small DC component is selected. In the precoder 82 for the partial response class 4 detection method, an arithmetic processing of 1 / 1-D 2 (D is a unit delay circuit) is performed. The output of the precoder 82 is supplied to the magnetic head 4 via the recording amplifiers 42A and 42B.
Recording and reproduction are performed by 3A and 43B, and a reproduction output is amplified by reproduction amplifiers 44A and 44B.
【0090】一方、チャンネルデコーダ45において
は、図9に示すように、パーシャルレスポンス・クラス
4の再生側の演算処理回路83は、1+Dの演算が再生
アンプ44A,44Bの出力に対して行われる。また、
いわゆるビタビ複号回路84においては、演算処理回路
83の出力に対してデータの相関性や確からしさ等を用
いた演算により、ノイズに強いデータの複号が行われ
る。このビタビ複号回路84の出力がディスクランブル
回路85に供給され、記録側のスクランブル処理によっ
て並び変えられたデータが元の系列に戻されて原データ
が復元される。この実施例において用いられるビタビ複
号回路84によって、ビット毎の複号を行う場合より
も、再生C/N換算が3dBで改良が得られる。On the other hand, in the channel decoder 45, as shown in FIG. 9, the arithmetic processing circuit 83 on the reproduction side of the partial response class 4 performs 1 + D operation on the outputs of the reproduction amplifiers 44A and 44B. Also,
The so-called Viterbi decoding circuit 84 performs data decoding that is resistant to noise by performing an arithmetic operation on the output of the arithmetic processing circuit 83 using data correlation and certainty. The output of the Viterbi decoding circuit 84 is supplied to a descrambling circuit 85, and the data rearranged by the scrambling process on the recording side is returned to the original sequence to restore the original data. With the Viterbi decoding circuit 84 used in this embodiment, the reproduction C / N conversion can be improved by 3 dB as compared with the case of performing decoding for each bit.
【0091】d.走行系 磁気ヘッド43A及び磁気ヘッド43Bは、図10に示
すように、一体構造とされた形でドラム86に取付けら
れる。ドラム86の周面には、180°よりやや大きい
か、あるいはやや小さい巻き付け角で磁気テープ(図示
せず。)が斜めに巻き付けられており、磁気ヘッド43
A及び磁気ヘッド43Bが同時に磁気テープを走査する
ように構成される。D. Traveling system The magnetic head 43A and the magnetic head 43B are attached to the drum 86 in an integrated structure as shown in FIG. A magnetic tape (not shown) is obliquely wound around the peripheral surface of the drum 86 at a winding angle slightly larger than 180 ° or slightly smaller than 180 °.
A and the magnetic head 43B are configured to scan the magnetic tape simultaneously.
【0092】また、前記磁気ヘッド43A及び磁気ヘッ
ド43Bのギャップの向きは、互いに反対側に傾くよう
に(例えば磁気ヘッド43Aはトラック幅方向に対して
+20°、磁気ヘッド43Bは−20°傾斜するよう
に)設定されており、再生時にいわゆるアジマス損失に
よって隣接トラック間のクロストーク量を低減するよう
になされている。The directions of the gaps of the magnetic head 43A and the magnetic head 43B are inclined so that they are opposite to each other (for example, the magnetic head 43A is inclined by + 20 ° with respect to the track width direction, and the magnetic head 43B is inclined by -20 ° with respect to the track width direction). As described above, the amount of crosstalk between adjacent tracks is reduced by so-called azimuth loss during reproduction.
【0093】図11及び図12は、磁気ヘッド43A,
43Bを一体構造(いわゆるダブルアジマスヘッド)と
した場合のより具体的な構成を示すもので、例えば高速
で回転される上ドラム86に一体構造の磁気ヘッド43
A,43Bが取り付けられ、下ドラム87が固定とされ
ている。ここで、磁気テープ88の巻き付け角θは16
6°、ドラム径φは16.5mmである。FIGS. 11 and 12 show magnetic heads 43A,
This shows a more specific configuration in the case where 43B has an integral structure (a so-called double azimuth head).
A, 43B are attached, and the lower drum 87 is fixed. Here, the winding angle θ of the magnetic tape 88 is 16
6 ° and the drum diameter φ is 16.5 mm.
【0094】したがって、磁気テープ88には、1フィ
ールドのデータが5本のトラックに分割して記録され
る。このセグメント方式により、トラックの長さを短く
することができ、トラックの直線性に起因するエラーを
小さくすることができる。Therefore, one field of data is recorded on the magnetic tape 88 while being divided into five tracks. With this segment system, the length of the track can be reduced, and errors due to track linearity can be reduced.
【0095】上述のように、ダブルアジマスヘッドで同
時記録を行うようにすることで、180°の対向角度で
一対の磁気ヘッドが配置されたものと比較して直線性に
起因するエラー量を小さくすることができ、またヘッド
間距離が小さいのでペアリング調整をより正確に行うこ
とができる。したがって、このような走行系により、幅
狭のトラックで記録・再生を行うことができる。As described above, by performing simultaneous recording with a double azimuth head, the amount of error due to linearity can be reduced as compared with the case where a pair of magnetic heads are arranged at an opposing angle of 180 °. The pairing adjustment can be performed more accurately because the distance between the heads is small. Therefore, with such a traveling system, recording and reproduction can be performed on a narrow track.
【0096】[0096]
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の第1の発明では、ターゲットを複数設け、さらに各
ターゲット間にプラズマ分断機構を設けているので、擬
似的に多層化された保護膜を生産性良く形成することが
でき、耐久性、耐候性を大幅に改善することができる。As is apparent from the above description, in the first invention of the present invention, a plurality of targets are provided, and a plasma dividing mechanism is provided between the targets. The protective film can be formed with high productivity, and the durability and weather resistance can be greatly improved.
【0097】また、本発明の第2の発明では、各ターゲ
ットに独立した電源を配しているので、異常放電を抑制
することができ、膜質の安定した保護膜を歩留良く形成
することができる。In the second aspect of the present invention, since an independent power source is provided for each target, abnormal discharge can be suppressed, and a protective film having a stable film quality can be formed with a high yield. it can.
【0098】さらに、本発明の第3の発明では、下層の
保護膜成膜時にのみ非磁性支持体を加熱するようにして
いるので、磁性層との接着性に優れた保護膜をテープ形
状を劣化することなく成膜することができる。したがっ
て、これら本発明によれば、特殊な使用条件下でも良好
な耐久性、耐錆性を有する磁気記録媒体を製造すること
が可能である。Further, in the third aspect of the present invention, since the nonmagnetic support is heated only when the lower protective film is formed, the protective film having excellent adhesion to the magnetic layer is formed in a tape shape. A film can be formed without deterioration. Therefore, according to the present invention, it is possible to manufacture a magnetic recording medium having good durability and rust resistance even under special use conditions.
【図1】本発明の磁気記録媒体の製造方法において使用
される保護膜の製造装置の基本構成を示す模式図であ
る。FIG. 1 is a schematic diagram showing a basic configuration of an apparatus for manufacturing a protective film used in a method for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention.
【図2】キャンの周囲に配設されるターゲット間にプラ
ズマ遮蔽板を設けた状態を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a state where a plasma shielding plate is provided between targets disposed around a can.
【図3】ディジタル画像信号を再生歪みが少ないような
形で圧縮して記録するディジタルVTRの信号処理部の
記録側の構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a recording side configuration of a signal processing unit of a digital VTR for compressing and recording a digital image signal in such a manner that reproduction distortion is small.
【図4】信号処理部の再生側の構成を示すブロック図で
ある。FIG. 4 is a block diagram illustrating a configuration of a reproduction side of a signal processing unit.
【図5】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
略線図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an example of a block for block encoding.
【図6】サブサンプリング及びサブラインの説明のため
の略線図である。FIG. 6 is a schematic diagram for explaining sub-sampling and sub-line.
【図7】ブロック符号化回路の一例を示すブロック図で
ある。FIG. 7 is a block diagram illustrating an example of a block encoding circuit.
【図8】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。FIG. 8 is a block diagram schematically illustrating an example of a channel encoder.
【図9】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロッ
ク図である。FIG. 9 is a block diagram schematically illustrating an example of a channel decoder.
【図10】磁気ヘッドの配置の一例を模式的に示す平面
図である。FIG. 10 is a plan view schematically showing an example of an arrangement of a magnetic head.
【図11】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a configuration example of a rotating drum and a winding state of a magnetic tape.
【図12】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す正面図である。FIG. 12 is a front view showing a configuration example of a rotating drum and a winding state of a magnetic tape.
1・・・真空室 2・・・非磁性支持体 3・・・送りロール 4・・・巻取りロール 5・・・キャン 8a〜8c・・・カソード電極 9a〜9c・・・ターゲット DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum chamber 2 ... Nonmagnetic support 3 ... Feeding roll 4 ... Winding roll 5 ... Can 8a-8c ... Cathode electrode 9a-9c ... Target
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 5/84 G11B 5/851 G11B 5/72 Continued on the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G11B 5/84 G11B 5/851 G11B 5/72
Claims (3)
り強磁性金属薄膜を形成し、この強磁性金属薄膜上にス
パッタリング法により保護膜を形成する磁気記録媒体の
製造方法において、 上記保護膜を成膜するに際し、真空チャンバ内に配設さ
れるキャンの周囲に複数のターゲットを配し、 隣接するターゲット間にプラズマを分断する機構を設け
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。1. A method for manufacturing a magnetic recording medium comprising: forming a ferromagnetic metal thin film on a nonmagnetic support by a vacuum thin film forming technique; and forming a protective film on the ferromagnetic metal thin film by a sputtering method. A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising: disposing a plurality of targets around a can disposed in a vacuum chamber when forming a film; and providing a mechanism for dividing plasma between adjacent targets.
り強磁性金属薄膜を形成し、この強磁性金属薄膜上にス
パッタリング法により保護膜を形成する磁気記録媒体の
製造方法において、 上記保護膜を成膜するに際し、真空チャンバ内に配設さ
れるキャンの周囲に複数のターゲットを配し、 各ターゲットに独立した電源を配することを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。2. A method for manufacturing a magnetic recording medium comprising: forming a ferromagnetic metal thin film on a nonmagnetic support by a vacuum thin film forming technique; and forming a protective film on the ferromagnetic metal thin film by a sputtering method. A method for producing a magnetic recording medium, comprising: disposing a plurality of targets around a can disposed in a vacuum chamber when depositing a film; and providing an independent power supply to each target.
り強磁性金属薄膜を形成し、この強磁性金属薄膜上にス
パッタリング法により保護膜を形成する磁気記録媒体の
製造方法において、 上記保護膜を成膜するに際し、真空チャンバ内に配設さ
れるキャンの周囲に複数のターゲットを配し、 複数の保護膜を積層形成するとともに、最下層の保護膜
の成膜時に上記非磁性支持体を加熱することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。3. A method of manufacturing a magnetic recording medium comprising: forming a ferromagnetic metal thin film on a non-magnetic support by a vacuum thin film forming technique; and forming a protective film on the ferromagnetic metal thin film by a sputtering method. In forming a film, a plurality of targets are arranged around a can arranged in a vacuum chamber, and a plurality of protective films are laminated and formed. When the lowermost protective film is formed, the nonmagnetic support is formed. A method for producing a magnetic recording medium, comprising heating.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP04041957A JP3104097B2 (en) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | Manufacturing method of magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP04041957A JP3104097B2 (en) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | Manufacturing method of magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH05217163A JPH05217163A (en) | 1993-08-27 |
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Family Applications (1)
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| Country | Link |
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1992
- 1992-01-31 JP JP04041957A patent/JP3104097B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH05217163A (en) | 1993-08-27 |
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